JPH07306369A - Ｍ×ｎ薄膜アクチュエーテッドミラーアレイ及びその製造方法 - Google Patents
Ｍ×ｎ薄膜アクチュエーテッドミラーアレイ及びその製造方法Info
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- JPH07306369A JPH07306369A JP6338259A JP33825994A JPH07306369A JP H07306369 A JPH07306369 A JP H07306369A JP 6338259 A JP6338259 A JP 6338259A JP 33825994 A JP33825994 A JP 33825994A JP H07306369 A JPH07306369 A JP H07306369A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 改善された光効率を有するＭ×Ｎ薄膜アク
チュエーテッドミラーアレー及びその製造方法を提供す
ること。 【構成】 Ｍ×Ｎ薄膜アクチュエーテッドミラーアレ
ー５０は、能動マトリックス５２、Ｍ×Ｎ駆動構造アレ
ー５４、Ｍ×Ｎミラー層アレー５８及びＭ×Ｎ支持部ア
レー５６を含み、各駆動構造５４は同一に製造された第
１、２及び第３駆動部６２（ａ）、６２（ｂ）及び６２
（ｃ）を有し、各駆動部は動的誘導物質の薄膜層６２、
バイアス電極として働く第１電極７０、及び信号電極と
して働く第２電極７１を有する。各ミラー層５８は、分
割スロット７７によって隣接するタブ部７６から部分的
に分離された奇数個のタブ部７６を有する。第２駆動部
６２（ｂ）は中央タブ部７６に、第１及び第３駆動部６
２（ａ）、６２（ｃ）は各々中央タブ部の両側面に位置
した近い二つのタブ部に固定されている。
チュエーテッドミラーアレー及びその製造方法を提供す
ること。 【構成】 Ｍ×Ｎ薄膜アクチュエーテッドミラーアレ
ー５０は、能動マトリックス５２、Ｍ×Ｎ駆動構造アレ
ー５４、Ｍ×Ｎミラー層アレー５８及びＭ×Ｎ支持部ア
レー５６を含み、各駆動構造５４は同一に製造された第
１、２及び第３駆動部６２（ａ）、６２（ｂ）及び６２
（ｃ）を有し、各駆動部は動的誘導物質の薄膜層６２、
バイアス電極として働く第１電極７０、及び信号電極と
して働く第２電極７１を有する。各ミラー層５８は、分
割スロット７７によって隣接するタブ部７６から部分的
に分離された奇数個のタブ部７６を有する。第２駆動部
６２（ｂ）は中央タブ部７６に、第１及び第３駆動部６
２（ａ）、６２（ｃ）は各々中央タブ部の両側面に位置
した近い二つのタブ部に固定されている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光投射形システムに関
するもので、特に、改善された光効率を有する投射形画
像表示システムで用いられるＭ×Ｎ薄膜アクチュエーテ
ッドミラーアレイとその製造方法に関するものである。
するもので、特に、改善された光効率を有する投射形画
像表示システムで用いられるＭ×Ｎ薄膜アクチュエーテ
ッドミラーアレイとその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の様々なビデオディスプレーシステ
ムの中で、光投射形システムは大画面（ｌａｒｇｅ ｓ
ｃａｌｅ）に於ける高画質ビデオディスプレーを提供す
るものとして知られている。このような光投射形システ
ムでは、ランプ（ｌａｍｐ）からの光は、たとえば、Ｍ
×Ｎアクチュエーテッドミラーアレイ（ａｃｔｕａｔｅ
ｄ ｍｉｒｒｏｒ ａｒｒａｙ）を一様に照明し、各々
のミラーは各々のアクチュエータと結合されている。こ
れらのアクチュエータはそれに印加された電界に応答し
て変形する圧電（ｐｉｅｚｏｅｌｅｃｔｒｉｃ）材料ま
たは電気ひずみ（ｅｌｅｃｔｒｏｓｔｒｉｃｔｉｖｅ）
材料のような電気変位物質（ｅｌｅｃｔｒｏｄｉｓｐｌ
ａｃｉｖｅ ｍａｔｅｒｉａｌ）で形成されている。
ムの中で、光投射形システムは大画面（ｌａｒｇｅ ｓ
ｃａｌｅ）に於ける高画質ビデオディスプレーを提供す
るものとして知られている。このような光投射形システ
ムでは、ランプ（ｌａｍｐ）からの光は、たとえば、Ｍ
×Ｎアクチュエーテッドミラーアレイ（ａｃｔｕａｔｅ
ｄ ｍｉｒｒｏｒ ａｒｒａｙ）を一様に照明し、各々
のミラーは各々のアクチュエータと結合されている。こ
れらのアクチュエータはそれに印加された電界に応答し
て変形する圧電（ｐｉｅｚｏｅｌｅｃｔｒｉｃ）材料ま
たは電気ひずみ（ｅｌｅｃｔｒｏｓｔｒｉｃｔｉｖｅ）
材料のような電気変位物質（ｅｌｅｃｔｒｏｄｉｓｐｌ
ａｃｉｖｅ ｍａｔｅｒｉａｌ）で形成されている。
【０００３】これらの各々のミラーから反射された光
は、バッフル（ｂａｆｆｌｅ）の開口部（ａｐｅｒｔｕ
ｒｅ）に投射される。電気信号を各々のアクチュエータ
へ印加することによって、光線が投射される各々のミラ
ーの相対的な位置が変更され、それによって各ミラーか
ら反射されるビームの光路に変更が生じる。反射された
各々の光の光路が変更される場合、各々のミラーから反
射され開口部を通過する光量が変わり、それによって光
の強度（ｉｎｔｅｎｓｉｔｙ）が調節される。開口部を
通じて光量が調節された光は、投射レンズ（ｐｒｏｊｅ
ｃｔｉｏｎ ｌｅｎｓ）のような適当な光学装置を通じ
て投射スクリーン（ｐｒｏｊｅｃｔｉｏｎｓｃｒｅｅ
ｎ）上に伝送され像（ｉｍａｇｅ）をディスプレーす
る。
は、バッフル（ｂａｆｆｌｅ）の開口部（ａｐｅｒｔｕ
ｒｅ）に投射される。電気信号を各々のアクチュエータ
へ印加することによって、光線が投射される各々のミラ
ーの相対的な位置が変更され、それによって各ミラーか
ら反射されるビームの光路に変更が生じる。反射された
各々の光の光路が変更される場合、各々のミラーから反
射され開口部を通過する光量が変わり、それによって光
の強度（ｉｎｔｅｎｓｉｔｙ）が調節される。開口部を
通じて光量が調節された光は、投射レンズ（ｐｒｏｊｅ
ｃｔｉｏｎ ｌｅｎｓ）のような適当な光学装置を通じ
て投射スクリーン（ｐｒｏｊｅｃｔｉｏｎｓｃｒｅｅ
ｎ）上に伝送され像（ｉｍａｇｅ）をディスプレーす
る。
【０００４】図１は、本出願と同一の出願人による係属
中の米国特許出願「ＴＨＩＮ ＦＩＬＭ ＡＣＴＵＡＴ
ＥＤ ＭＩＲＲＯＲ ＡＲＲＡＹ ＡＮＤ ＭＥＴＨＯ
ＤＦＯＲ ＴＨＥ ＭＡＮＵＦＡＣＴＵＲＥ ＴＨＥＲ
ＥＯＦ」の明細書に開示された、光投射形システムで用
いられているＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラー
５からなるアレイ１０の断面図であり、このＭ×Ｎ個の
薄膜アクチュエーテッドミラー５からなるアレイ１０
は、基板１２、Ｍ×Ｎトランジスタアレイ（図示せず）
及びＭ×Ｎ個の接続端子１４からなるアレイ１３を備え
る能動マトリクス１１と、動的誘導（ｍｏｔｉｏｎ−ｉ
ｎｄｕｃｉｎｇ）薄膜層１７の上部及び下部に各々位置
する第１電極１８及び第２電極１９を有すると共に少な
くとも動的誘導物質（ｍｏｔｉｏｎ−ｉｎｄｕｃｉｎｇ
ｍａｔｅｒｉａｌ）からなる薄膜層１７とを各々が有
するＭ×Ｎ個の薄膜形駆動構造１６からなるアレイ１５
と、各々の駆動構造１６を片持ちして各々の駆動部１６
を定位置に保持し、また各々の駆動構造１６と能動マト
リクス１１とを電気的に接続するＭ×Ｎ個の支持部２１
からなるアレイ２０と、各々が各駆動構造１６の上部に
位置した光ビームを反射するためのＭ×Ｎ個のミラー２
３からなるアレイ２２とを含む。薄膜アクチュエーテッ
ドミラーアレイ１０に於て、各々の駆動構造１６の一対
の電極１８、１９の間に位置する動的誘導物質の薄膜層
１７の上面と下面との間に印加された電気的信号は、動
的誘導物質を変形し、その後第１電極の上部に位置する
ミラー２３が変形することによって、投射光ビームの光
路を変化させる。
中の米国特許出願「ＴＨＩＮ ＦＩＬＭ ＡＣＴＵＡＴ
ＥＤ ＭＩＲＲＯＲ ＡＲＲＡＹ ＡＮＤ ＭＥＴＨＯ
ＤＦＯＲ ＴＨＥ ＭＡＮＵＦＡＣＴＵＲＥ ＴＨＥＲ
ＥＯＦ」の明細書に開示された、光投射形システムで用
いられているＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラー
５からなるアレイ１０の断面図であり、このＭ×Ｎ個の
薄膜アクチュエーテッドミラー５からなるアレイ１０
は、基板１２、Ｍ×Ｎトランジスタアレイ（図示せず）
及びＭ×Ｎ個の接続端子１４からなるアレイ１３を備え
る能動マトリクス１１と、動的誘導（ｍｏｔｉｏｎ−ｉ
ｎｄｕｃｉｎｇ）薄膜層１７の上部及び下部に各々位置
する第１電極１８及び第２電極１９を有すると共に少な
くとも動的誘導物質（ｍｏｔｉｏｎ−ｉｎｄｕｃｉｎｇ
ｍａｔｅｒｉａｌ）からなる薄膜層１７とを各々が有
するＭ×Ｎ個の薄膜形駆動構造１６からなるアレイ１５
と、各々の駆動構造１６を片持ちして各々の駆動部１６
を定位置に保持し、また各々の駆動構造１６と能動マト
リクス１１とを電気的に接続するＭ×Ｎ個の支持部２１
からなるアレイ２０と、各々が各駆動構造１６の上部に
位置した光ビームを反射するためのＭ×Ｎ個のミラー２
３からなるアレイ２２とを含む。薄膜アクチュエーテッ
ドミラーアレイ１０に於て、各々の駆動構造１６の一対
の電極１８、１９の間に位置する動的誘導物質の薄膜層
１７の上面と下面との間に印加された電気的信号は、動
的誘導物質を変形し、その後第１電極の上部に位置する
ミラー２３が変形することによって、投射光ビームの光
路を変化させる。
【０００５】上述した薄膜アクチュエーテッドミラーア
レイに係る主な問題点のうちの１つは、アレイ１０の全
体的な光効率である。各々の駆動構造１６が薄膜動的誘
導層１７の上面と下面との間に印加された電界に応じて
変形する場合、それによってミラー２３も変形を起こ
す。しかしながら、アレイ１０に於て、支持部２１に固
定されたミラー２３の部分は電界に応じて変形せず、定
位置に固定され、更に変形されるミラーの部分が曲がる
ことによって、光ビームが反射される曲線の上面を形成
する。その結果、支持部２１に固定された駆動構造の部
分の長さによってミラー２３の有効長が減少されること
だけでなく、またミラーが曲がる際のミラー２３の曲が
った上面によって、アレイ１０全体的な光効率が減少す
る。
レイに係る主な問題点のうちの１つは、アレイ１０の全
体的な光効率である。各々の駆動構造１６が薄膜動的誘
導層１７の上面と下面との間に印加された電界に応じて
変形する場合、それによってミラー２３も変形を起こ
す。しかしながら、アレイ１０に於て、支持部２１に固
定されたミラー２３の部分は電界に応じて変形せず、定
位置に固定され、更に変形されるミラーの部分が曲がる
ことによって、光ビームが反射される曲線の上面を形成
する。その結果、支持部２１に固定された駆動構造の部
分の長さによってミラー２３の有効長が減少されること
だけでなく、またミラーが曲がる際のミラー２３の曲が
った上面によって、アレイ１０全体的な光効率が減少す
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の主な
目的は、改善された光効率を有するＭ×Ｎ薄膜アクチュ
エーテッドミラーアレイを提供することである。
目的は、改善された光効率を有するＭ×Ｎ薄膜アクチュ
エーテッドミラーアレイを提供することである。
【０００７】また、本発明の他の目的は、Ｍ×Ｎ薄膜ア
クチュエーテッドミラーアレイの製造方法を提供するこ
とである。
クチュエーテッドミラーアレイの製造方法を提供するこ
とである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の一実施例によれば、光投射形システムで用
いるＭ×Ｎ薄膜アクチュエーテッドミラーアレイ（Ｍ及
びＮは正の整数）であって、基板と、Ｍ×Ｎ個のトラン
ジスタのアレイと、Ｍ×Ｎ個の接続端子のアレイとを備
える能動マトリクスと、Ｍ×Ｎ薄膜駆動構造アレイであ
って、各々の前記駆動構造が第１、第２及び第３駆動部
を備え、前記第１、第２及び第３駆動部は同一な構造を
有し、前記各々の第１、第２及び第３駆動部は、上面
と、下面と、側面と、近位の端部と、遠位の端部とを備
え、前記各々の第１、第２及び第３駆動部は上面と下面
とを備える少なくとも１つ以上の動的誘導物質の薄膜を
有して、前記各々の第１、第２及び第３駆動部は、前記
動的誘導薄膜層の上面に位置した第１電極と、前記動的
誘導薄膜層の下面に位置した第２電極とを更に有し、前
記各々の駆動部の前記第１電極は、各々の駆動構造でグ
ラウンドに連結されることによって接地電極として働
き、前記各々の駆動構造の前記第２電極は、対応する駆
動部の共通信号源に連結されることによって信号電極と
して働き、ここで、各々の駆動部内の第１電極と第２電
極との間に位置した前記動的誘導物質薄膜層の上面と下
面との間に印加された電気信号が、前記動的誘導物質薄
膜層と前記各々の駆動部とを変形させる、該Ｍ×Ｎ薄膜
駆動構造アレイと、Ｍ×Ｎ支持部材アレイであって、各
々の前記支持部材が前記各々の駆動構造を定位置に保持
することに使われ、ここで、各々の前記駆動構造の前記
各々の駆動部の前記近位の端部が、その対応する前記駆
動部によって固定されている、該Ｍ×Ｎ支持部材アレイ
と、Ｍ×Ｎミラー層アレイであって、各々の前記ミラー
層は光ビームを反射するためのミラーと、支持層とを備
え、各々の前記ミラー層は５個以上の奇数個のタブ部分
を有し、前記タブ部分は分割スロットによって、隣接す
るタブ部分から部分的に離されており、ここで、前記第
２駆動部が前記中央タブ部分の底部に位置し、前記第１
及び第３駆動部が中央タブ部分の両側の側面に位置する
２番目に近い二つのタブ部分の底部に各々位置すること
によって、各々の前記駆動構造の前記第１、第２及び第
３駆動部が前記電気信号に応じて変形される場合、前記
駆動部が接着された前記タブ部分が傾斜し、各々の前記
駆動部を持たないタブ部分を備えた前記ミラー層の残り
の部分が平面にとどまることによって、前記駆動部が付
着されていない前記タブ部分を備えたミラー層の前記残
りの部分が光ビームを反射できる該Ｍ×Ｎミラー層アレ
イとを有し、その結果、光効率を増大させる。
に、本発明の一実施例によれば、光投射形システムで用
いるＭ×Ｎ薄膜アクチュエーテッドミラーアレイ（Ｍ及
びＮは正の整数）であって、基板と、Ｍ×Ｎ個のトラン
ジスタのアレイと、Ｍ×Ｎ個の接続端子のアレイとを備
える能動マトリクスと、Ｍ×Ｎ薄膜駆動構造アレイであ
って、各々の前記駆動構造が第１、第２及び第３駆動部
を備え、前記第１、第２及び第３駆動部は同一な構造を
有し、前記各々の第１、第２及び第３駆動部は、上面
と、下面と、側面と、近位の端部と、遠位の端部とを備
え、前記各々の第１、第２及び第３駆動部は上面と下面
とを備える少なくとも１つ以上の動的誘導物質の薄膜を
有して、前記各々の第１、第２及び第３駆動部は、前記
動的誘導薄膜層の上面に位置した第１電極と、前記動的
誘導薄膜層の下面に位置した第２電極とを更に有し、前
記各々の駆動部の前記第１電極は、各々の駆動構造でグ
ラウンドに連結されることによって接地電極として働
き、前記各々の駆動構造の前記第２電極は、対応する駆
動部の共通信号源に連結されることによって信号電極と
して働き、ここで、各々の駆動部内の第１電極と第２電
極との間に位置した前記動的誘導物質薄膜層の上面と下
面との間に印加された電気信号が、前記動的誘導物質薄
膜層と前記各々の駆動部とを変形させる、該Ｍ×Ｎ薄膜
駆動構造アレイと、Ｍ×Ｎ支持部材アレイであって、各
々の前記支持部材が前記各々の駆動構造を定位置に保持
することに使われ、ここで、各々の前記駆動構造の前記
各々の駆動部の前記近位の端部が、その対応する前記駆
動部によって固定されている、該Ｍ×Ｎ支持部材アレイ
と、Ｍ×Ｎミラー層アレイであって、各々の前記ミラー
層は光ビームを反射するためのミラーと、支持層とを備
え、各々の前記ミラー層は５個以上の奇数個のタブ部分
を有し、前記タブ部分は分割スロットによって、隣接す
るタブ部分から部分的に離されており、ここで、前記第
２駆動部が前記中央タブ部分の底部に位置し、前記第１
及び第３駆動部が中央タブ部分の両側の側面に位置する
２番目に近い二つのタブ部分の底部に各々位置すること
によって、各々の前記駆動構造の前記第１、第２及び第
３駆動部が前記電気信号に応じて変形される場合、前記
駆動部が接着された前記タブ部分が傾斜し、各々の前記
駆動部を持たないタブ部分を備えた前記ミラー層の残り
の部分が平面にとどまることによって、前記駆動部が付
着されていない前記タブ部分を備えたミラー層の前記残
りの部分が光ビームを反射できる該Ｍ×Ｎミラー層アレ
イとを有し、その結果、光効率を増大させる。
【０００９】また、本発明の他の実施例によれば、能動
基板と、Ｍ×Ｎ薄膜駆動構造アレイと、Ｍ×Ｎ支持部ア
レイと、Ｍ×Ｎミラー層アレイとを備え、各々の前記駆
動構造が第１、第２及び第３駆動部を更に備える、光投
射形システムで用いられるＭ×Ｎ薄膜アクチュエーテッ
ドミラーアレイの製造方法であって、（ａ）基板と、Ｍ
×Ｎトランジスタアレイと、Ｍ×Ｎ接続端子アレイを備
えた、上面を有する前記能動基板を提供する過程と、
（ｂ）前記能動基板の前記上面の上に、Ｍ×Ｎ支持部ア
レイに対応するＭ×Ｎ支持台アレイと犠牲領域とを有す
る第１支持層を形成する過程と、（ｃ）前記犠牲領域を
除去する過程と、（ｄ）前記第１支持層上に第１薄膜電
極層を形成する過程と、（ｅ）各々の前記駆動構造の第
１、第２及び第３駆動部の各々に対する信号電極を備え
た、第１の電極パターンに、前記第１電極層をパターニ
ングする過程と、（ｆ）前記第１の電極パターンを備え
る前記支持層上に動的誘導物質薄膜を提供する過程と、
（ｇ）前記動的誘導物質薄膜層上に第２薄膜電極層を形
成する過程と、（ｈ）前記第２薄膜電極層を、前記各々
の駆動構造の第１、第２及び第３駆動部のバイアス電極
を備える第２の電極パターンにパターニングする過程
と、（ｉ）前記第２の電極パターンを備える前記動的誘
導物質薄膜層上に第２支持層を形成する過程と、（ｊ）
前記第２支持層の上部に光反射層を形成する過程と、
（ｋ）前記光反射層と、前記第２支持層と、下部上に前
記第１及び第２電極パターンを備える前記動的誘導物質
薄膜層を各々パターニングする過程と、（ｌ）前記第１
支持層の犠牲領域を除去し、上記Ｍ×Ｎ薄膜アクチュエ
ーテッドミラーアレイを形成する過程とを含む。
基板と、Ｍ×Ｎ薄膜駆動構造アレイと、Ｍ×Ｎ支持部ア
レイと、Ｍ×Ｎミラー層アレイとを備え、各々の前記駆
動構造が第１、第２及び第３駆動部を更に備える、光投
射形システムで用いられるＭ×Ｎ薄膜アクチュエーテッ
ドミラーアレイの製造方法であって、（ａ）基板と、Ｍ
×Ｎトランジスタアレイと、Ｍ×Ｎ接続端子アレイを備
えた、上面を有する前記能動基板を提供する過程と、
（ｂ）前記能動基板の前記上面の上に、Ｍ×Ｎ支持部ア
レイに対応するＭ×Ｎ支持台アレイと犠牲領域とを有す
る第１支持層を形成する過程と、（ｃ）前記犠牲領域を
除去する過程と、（ｄ）前記第１支持層上に第１薄膜電
極層を形成する過程と、（ｅ）各々の前記駆動構造の第
１、第２及び第３駆動部の各々に対する信号電極を備え
た、第１の電極パターンに、前記第１電極層をパターニ
ングする過程と、（ｆ）前記第１の電極パターンを備え
る前記支持層上に動的誘導物質薄膜を提供する過程と、
（ｇ）前記動的誘導物質薄膜層上に第２薄膜電極層を形
成する過程と、（ｈ）前記第２薄膜電極層を、前記各々
の駆動構造の第１、第２及び第３駆動部のバイアス電極
を備える第２の電極パターンにパターニングする過程
と、（ｉ）前記第２の電極パターンを備える前記動的誘
導物質薄膜層上に第２支持層を形成する過程と、（ｊ）
前記第２支持層の上部に光反射層を形成する過程と、
（ｋ）前記光反射層と、前記第２支持層と、下部上に前
記第１及び第２電極パターンを備える前記動的誘導物質
薄膜層を各々パターニングする過程と、（ｌ）前記第１
支持層の犠牲領域を除去し、上記Ｍ×Ｎ薄膜アクチュエ
ーテッドミラーアレイを形成する過程とを含む。
【００１０】
【実施例】以下、本発明のＭ×Ｎ薄膜アクチュエーテッ
ドミラーアレイ及びその製造方法について、図面を参照
しながらより詳しく説明する。
ドミラーアレイ及びその製造方法について、図面を参照
しながらより詳しく説明する。
【００１１】図２〜図１０には、本発明の好ましい実施
例に基づく、光投射形システムで用いられるＭ×Ｎ薄膜
アクチュエーテッドミラーアレイ及びその製造方法に関
する断面図及び平面図が提供されている。ここで、Ｍ及
びＮは正の整数である。図２〜図１０に於ける同一の部
分は同一の符号を有することに注意すべきである。
例に基づく、光投射形システムで用いられるＭ×Ｎ薄膜
アクチュエーテッドミラーアレイ及びその製造方法に関
する断面図及び平面図が提供されている。ここで、Ｍ及
びＮは正の整数である。図２〜図１０に於ける同一の部
分は同一の符号を有することに注意すべきである。
【００１２】図２には、本発明の第１実施例によるＭ×
Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラー５１からなるアレ
イ５０の断面図が示されており、能動マトリクス５２
と、Ｍ×Ｎ個の薄膜駆動構造５４からなるアレイ５３
と、Ｍ×Ｎ個の支持部５６からなるアレイ５５と、Ｍ×
Ｎ個のミラー層５８からなるアレイ５７とを含む。
Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラー５１からなるアレ
イ５０の断面図が示されており、能動マトリクス５２
と、Ｍ×Ｎ個の薄膜駆動構造５４からなるアレイ５３
と、Ｍ×Ｎ個の支持部５６からなるアレイ５５と、Ｍ×
Ｎ個のミラー層５８からなるアレイ５７とを含む。
【００１３】図３は、図２に示されたアレイ５０を構成
する薄膜アクチュエーテッドミラー５１の一つの詳細な
断面図である。能動マトリクス５２は、基板５９と、Ｍ
×Ｎ個のトランジスタのアレイ（図示せず）と、Ｍ×Ｎ
個の接続端子６１のアレイ６０とを含む。各駆動構造５
４は、第１、第２及び第３駆動部６２（ａ）、６２
（ｂ）及び６２（ｃ）を備え、ここで、各々の駆動部、
たとえば、６２（ａ）は、上部６３と、下部６４と、近
位の端部６５と、遠位の端部６６とを備えている。各々
の駆動部、たとえば６２（ａ）は、たとえば、圧電物質
または電気ひずみ物質で形成された上面６８と下面６９
とを備えた少なくとも１つの薄膜層６７と、動的誘導物
質薄膜層６７の上面６８に配置された第１電極７０と、
動的誘導物質薄膜層６７の下面６９に配置された第２電
極７１とを更に有する。動的誘導薄膜層６７が圧電物
質、たとえば鉛ジルコニウムチタン酸塩（ｌｅａｄ ｚ
ｉｒｃｏｎｉｕｍ ｔｉｔａｎａｔｅ；ＰＺＴ）からな
る場合、極性を考慮して配置されなければならない。第
１、第２及び第３駆動部６２（ａ）、６２（ｂ）及び６
２（ｃ）の第１電極７０はグラウンドに接続されること
によってバイアス電極として働き、第２電極７１は信号
電極として働く。この第１電極７０と第２電極７１は、
プラチナ（Ｐｔ）またはプラチナ／タンタル（Ｐｔ／Ｔ
ａ）のような物質で作られる。
する薄膜アクチュエーテッドミラー５１の一つの詳細な
断面図である。能動マトリクス５２は、基板５９と、Ｍ
×Ｎ個のトランジスタのアレイ（図示せず）と、Ｍ×Ｎ
個の接続端子６１のアレイ６０とを含む。各駆動構造５
４は、第１、第２及び第３駆動部６２（ａ）、６２
（ｂ）及び６２（ｃ）を備え、ここで、各々の駆動部、
たとえば、６２（ａ）は、上部６３と、下部６４と、近
位の端部６５と、遠位の端部６６とを備えている。各々
の駆動部、たとえば６２（ａ）は、たとえば、圧電物質
または電気ひずみ物質で形成された上面６８と下面６９
とを備えた少なくとも１つの薄膜層６７と、動的誘導物
質薄膜層６７の上面６８に配置された第１電極７０と、
動的誘導物質薄膜層６７の下面６９に配置された第２電
極７１とを更に有する。動的誘導薄膜層６７が圧電物
質、たとえば鉛ジルコニウムチタン酸塩（ｌｅａｄ ｚ
ｉｒｃｏｎｉｕｍ ｔｉｔａｎａｔｅ；ＰＺＴ）からな
る場合、極性を考慮して配置されなければならない。第
１、第２及び第３駆動部６２（ａ）、６２（ｂ）及び６
２（ｃ）の第１電極７０はグラウンドに接続されること
によってバイアス電極として働き、第２電極７１は信号
電極として働く。この第１電極７０と第２電極７１は、
プラチナ（Ｐｔ）またはプラチナ／タンタル（Ｐｔ／Ｔ
ａ）のような物質で作られる。
【００１４】各々の駆動部６２（ａ）、６２（ｂ）及び
６２（ｃ）の第１電極と第２電極との間の動的誘導物質
薄膜層６７の上面と下面との間に印加される電気信号
は、動的誘導物質６７を変形させることによって、駆動
部６２（ａ）、６２（ｂ）及び６２（ｃ）を変形させ
る。
６２（ｃ）の第１電極と第２電極との間の動的誘導物質
薄膜層６７の上面と下面との間に印加される電気信号
は、動的誘導物質６７を変形させることによって、駆動
部６２（ａ）、６２（ｂ）及び６２（ｃ）を変形させ
る。
【００１５】上面７２と下面７３とを有するＭ×Ｎ個の
支持部５６の各々は、駆動構造５４の各々の駆動部６２
（ａ）、６２（ｂ）及び６２（ｃ）を定位置に保持する
と共に、タングステン（Ｗ）またはチタニウム（Ｔｉ）
のような金属で作られたコンジット９９を備えており、
各々の駆動構造５４に於ける第１、第２及び第３駆動部
６２（ａ）、６２（ｂ）及び６２（ｃ）の第２電極を、
能動基板５２上の対応する接続端子６１へ電気的に連結
するために用いられる。本発明のアレイ５０に於て、各
々の駆動構造５４の第１、第２及び第３駆動部６２
（ａ）、６２（ｂ）及び６２（ｃ）の各々は、各々の駆
動構造５４の第１、第２及び第３駆動部６２（ａ）、６
２（ｂ）及び６２（ｃ）の各々の下面６４にある対応す
る支持部５６の上面７２に取り付けられることによっ
て、各々の駆動構造５４の近位の端部６５で対応する支
持部５６の各々から片持ちされている。支持部５６各々
の下面７３は能動基板の上部に位置する。支持部５６は
セラミックからなる。
支持部５６の各々は、駆動構造５４の各々の駆動部６２
（ａ）、６２（ｂ）及び６２（ｃ）を定位置に保持する
と共に、タングステン（Ｗ）またはチタニウム（Ｔｉ）
のような金属で作られたコンジット９９を備えており、
各々の駆動構造５４に於ける第１、第２及び第３駆動部
６２（ａ）、６２（ｂ）及び６２（ｃ）の第２電極を、
能動基板５２上の対応する接続端子６１へ電気的に連結
するために用いられる。本発明のアレイ５０に於て、各
々の駆動構造５４の第１、第２及び第３駆動部６２
（ａ）、６２（ｂ）及び６２（ｃ）の各々は、各々の駆
動構造５４の第１、第２及び第３駆動部６２（ａ）、６
２（ｂ）及び６２（ｃ）の各々の下面６４にある対応す
る支持部５６の上面７２に取り付けられることによっ
て、各々の駆動構造５４の近位の端部６５で対応する支
持部５６の各々から片持ちされている。支持部５６各々
の下面７３は能動基板の上部に位置する。支持部５６は
セラミックからなる。
【００１６】ミラー層５８の各々は、光ビームを反射す
るミラー７４及び支持層７５を備えている。更に、図４
に例示されているように、各々のミラー層５８は、５個
以上の奇数個のタブ部分７６を有し、各々のタブ部分７
６は分割スロット７７によって隣接するタブ部分と部分
的に分離されている。図４の実施例では、各々のミラー
層５８の７個のタブ部分７６が例示されている。
るミラー７４及び支持層７５を備えている。更に、図４
に例示されているように、各々のミラー層５８は、５個
以上の奇数個のタブ部分７６を有し、各々のタブ部分７
６は分割スロット７７によって隣接するタブ部分と部分
的に分離されている。図４の実施例では、各々のミラー
層５８の７個のタブ部分７６が例示されている。
【００１７】薄膜アクチュエーテッドミラー５１の各々
に於て、第２駆動部６２（ｂ）は中央タブ部分の下部に
位置し、第１駆動部６２（ａ）及び第３駆動部６２
（ｃ）は、中央タブ部分両側の直近の２個のタブ部分の
下部に位置することによって、各々の駆動構造５４の第
１、第２及び第３駆動部６２（ａ）、６２（ｂ）及び６
２（ｃ）が電気信号に応答して変形する際、駆動部が付
着されたタブ部分が傾斜され、駆動部が付着されていな
いタブ部分を含むミラー層のその他の部分は平面のまま
残り、その結果ミラー層５８の有効長がミラー層５８の
全長となり、よって以前に開示されたアレイ１０全体に
関する光効率が増大する。
に於て、第２駆動部６２（ｂ）は中央タブ部分の下部に
位置し、第１駆動部６２（ａ）及び第３駆動部６２
（ｃ）は、中央タブ部分両側の直近の２個のタブ部分の
下部に位置することによって、各々の駆動構造５４の第
１、第２及び第３駆動部６２（ａ）、６２（ｂ）及び６
２（ｃ）が電気信号に応答して変形する際、駆動部が付
着されたタブ部分が傾斜され、駆動部が付着されていな
いタブ部分を含むミラー層のその他の部分は平面のまま
残り、その結果ミラー層５８の有効長がミラー層５８の
全長となり、よって以前に開示されたアレイ１０全体に
関する光効率が増大する。
【００１８】図５〜図１０は、本発明の第１実施例の製
造方法の過程を例示ている。図５に例示したように、本
発明の第一実施例、すなわち、Ｍ×Ｎ個の薄膜アクチュ
エーテッドミラー５１のアレイ５０の製造過程は、基板
５９と、Ｍ×Ｎ個のトランジスタのアレイ（図示せず）
と、Ｍ×Ｎ個の接続端子６１のアレイ６０とを含む上面
１０１を備えた能動基板５２を準備することから始ま
る。
造方法の過程を例示ている。図５に例示したように、本
発明の第一実施例、すなわち、Ｍ×Ｎ個の薄膜アクチュ
エーテッドミラー５１のアレイ５０の製造過程は、基板
５９と、Ｍ×Ｎ個のトランジスタのアレイ（図示せず）
と、Ｍ×Ｎ個の接続端子６１のアレイ６０とを含む上面
１０１を備えた能動基板５２を準備することから始ま
る。
【００１９】次の過程では、図６に示したように、能動
基板５２の上面１０１に、Ｍ×Ｎ個の支持部５６のアレ
イ５５に対応するＭ×Ｎ個の支持台１０４のアレイ１０
３と、これらを囲繞する犠牲領域１０５とを含む第１支
持層１０２が形成され、ここで、この第１支持層１０２
は、能動基板５２の上面１０１全体に犠牲層（図示せ
ず）を形成する過程と、Ｍ×Ｎ個の接続端子６１の周り
に各々が位置するＭ×Ｎ個の空（ｅｍｐｔｙ）スロット
アレイ（図示せず）を形成することによって犠牲領域１
０５を形成する過程と、各空スロットの支持台１０４を
提供する過程とによって形成される。犠牲層は、化学蒸
着法（ＣＶＤ）によって形成されて、空スロットのアレ
イはスパッタリング法または化学蒸着法（ＣＶＤ）を用
い、続いてエッチング法を用いて形成される。第１支持
層１０２の犠牲領域１０５は、後で適切な化学薬品を適
用するかまたはエッチング法を用いることによって除去
される層として処理される。
基板５２の上面１０１に、Ｍ×Ｎ個の支持部５６のアレ
イ５５に対応するＭ×Ｎ個の支持台１０４のアレイ１０
３と、これらを囲繞する犠牲領域１０５とを含む第１支
持層１０２が形成され、ここで、この第１支持層１０２
は、能動基板５２の上面１０１全体に犠牲層（図示せ
ず）を形成する過程と、Ｍ×Ｎ個の接続端子６１の周り
に各々が位置するＭ×Ｎ個の空（ｅｍｐｔｙ）スロット
アレイ（図示せず）を形成することによって犠牲領域１
０５を形成する過程と、各空スロットの支持台１０４を
提供する過程とによって形成される。犠牲層は、化学蒸
着法（ＣＶＤ）によって形成されて、空スロットのアレ
イはスパッタリング法または化学蒸着法（ＣＶＤ）を用
い、続いてエッチング法を用いて形成される。第１支持
層１０２の犠牲領域１０５は、後で適切な化学薬品を適
用するかまたはエッチング法を用いることによって除去
される層として処理される。
【００２０】図７に例示されているように、各々の駆動
構造５４の駆動部６２（ａ）、６２（ｂ）及び６２
（ｃ）の第２電極７１と対応する接続端子６１を、タン
グステン（Ｗ）またはチタニウム（Ｔｉ）のような物質
で作られた対応する接続端子６１に電気的に接続するた
めのコンジット９９は、エッチング法を用いて支持台１
０４の上部から接続端子６１の上部に到る貫通孔を形成
し、この貫通孔内に金属、例えばタングステンを充填す
ることで各支持台１０４内に形成される。
構造５４の駆動部６２（ａ）、６２（ｂ）及び６２
（ｃ）の第２電極７１と対応する接続端子６１を、タン
グステン（Ｗ）またはチタニウム（Ｔｉ）のような物質
で作られた対応する接続端子６１に電気的に接続するた
めのコンジット９９は、エッチング法を用いて支持台１
０４の上部から接続端子６１の上部に到る貫通孔を形成
し、この貫通孔内に金属、例えばタングステンを充填す
ることで各支持台１０４内に形成される。
【００２１】次に、図８に例示されているように、プラ
チナ（Ｐｔ）のような導電性物質からなる第１薄膜電極
層１０６が支持層１０２の上に形成される。その後、第
１薄膜電極層（図示せず）が、駆動構造５４の第１、第
２及び第３駆動部６２（ａ）、６２（ｂ）及び６２
（ｃ）の各々に対する第２電極７１を含む第１の電極パ
ターン１０６にパターニングされる。次の過程で、図８
に示したように、動的誘導物質、たとえばＰＺＴからな
る薄膜層１０７と銀（Ａｇ）などの電導性物質からなる
第２薄膜電極層（図示せず）とが、第１の電極パターン
１０６の第１支持層１０２の上部に続けて形成される。
第１及び第２薄膜電極層はスパッタリング法によって形
成され、動的誘導物質薄膜層は、スパッタリング法、Ｃ
ＶＤ法またはゾル−ゲル（ｓｏｌ−ｇｅｌ）法の内の１
つを利用して形成される。その後、第２薄膜電極層は、
各々の駆動構造５４の第１、第２及び第３駆動部６２
（ａ）、６２（ｂ）及び６２（ｃ）の各々に対する第１
電極７０を備える第２の電極パターンにパターニングさ
れる。
チナ（Ｐｔ）のような導電性物質からなる第１薄膜電極
層１０６が支持層１０２の上に形成される。その後、第
１薄膜電極層（図示せず）が、駆動構造５４の第１、第
２及び第３駆動部６２（ａ）、６２（ｂ）及び６２
（ｃ）の各々に対する第２電極７１を含む第１の電極パ
ターン１０６にパターニングされる。次の過程で、図８
に示したように、動的誘導物質、たとえばＰＺＴからな
る薄膜層１０７と銀（Ａｇ）などの電導性物質からなる
第２薄膜電極層（図示せず）とが、第１の電極パターン
１０６の第１支持層１０２の上部に続けて形成される。
第１及び第２薄膜電極層はスパッタリング法によって形
成され、動的誘導物質薄膜層は、スパッタリング法、Ｃ
ＶＤ法またはゾル−ゲル（ｓｏｌ−ｇｅｌ）法の内の１
つを利用して形成される。その後、第２薄膜電極層は、
各々の駆動構造５４の第１、第２及び第３駆動部６２
（ａ）、６２（ｂ）及び６２（ｃ）の各々に対する第１
電極７０を備える第２の電極パターンにパターニングさ
れる。
【００２２】図９に示したように、セラミックからなる
第２支持層１０９は、第２の電極パターンの動的誘導物
質薄膜層１０７の上部に形成される。続いて、光反射層
１１０がスパッタリング法を用いて第２支持層１０９の
上部に形成される。
第２支持層１０９は、第２の電極パターンの動的誘導物
質薄膜層１０７の上部に形成される。続いて、光反射層
１１０がスパッタリング法を用いて第２支持層１０９の
上部に形成される。
【００２３】その後、図１０に示すように、光反射層１
１０と、第２支持層１０９と、上面及び下面に各々第１
電極パターン及び第２の電極パターンを備えた動的誘導
物質薄膜層１０７が、各々パターニングされ、第１支持
層１０２の犠牲領域１０５が除去されることによって、
Ｍ×Ｎ薄膜アクチュエーテッドミラー５１のアレイ５０
が形成される。
１０と、第２支持層１０９と、上面及び下面に各々第１
電極パターン及び第２の電極パターンを備えた動的誘導
物質薄膜層１０７が、各々パターニングされ、第１支持
層１０２の犠牲領域１０５が除去されることによって、
Ｍ×Ｎ薄膜アクチュエーテッドミラー５１のアレイ５０
が形成される。
【００２４】上述したように、導電性材料、動的誘導材
料及び光反射性材料からなる薄膜層が形成され、スパッ
タリング法、ゾル−ゲル法、エッチング法及びマイクロ
マシーニング（ｍｉｃｒｏ−ｍａｃｈｉｎｉｎｇ）法の
ような周知の薄膜技術によってパターニングされる。
料及び光反射性材料からなる薄膜層が形成され、スパッ
タリング法、ゾル−ゲル法、エッチング法及びマイクロ
マシーニング（ｍｉｃｒｏ−ｍａｃｈｉｎｉｎｇ）法の
ような周知の薄膜技術によってパターニングされる。
【００２５】本発明は特定の実施例について説明してい
るが、特許請求の範囲で定義された本発明の技術的視点
を逸脱することなく、当業者は種々の改変をなし得るで
あろう。
るが、特許請求の範囲で定義された本発明の技術的視点
を逸脱することなく、当業者は種々の改変をなし得るで
あろう。
【００２６】
【発明の効果】従って、本発明によれば、Ｍ×Ｎ薄膜ア
クチュエーテッドミラーアレイをより効率的に製造し、
全体的な光効率をも向上させることができる。
クチュエーテッドミラーアレイをより効率的に製造し、
全体的な光効率をも向上させることができる。
【図１】従来のＭ×Ｎ薄膜アクチュエーテッドミラーア
レイの断面図である。
レイの断面図である。
【図２】本発明の好ましい実施例に基づくＭ×Ｎ薄膜ア
クチュエーテッドミラーアレイの断面図である。
クチュエーテッドミラーアレイの断面図である。
【図３】図２に示した本発明の薄膜アクチュエーテッド
ミラーアレイを構成する薄膜アクチュエーテッドミラー
の詳細断面図である。
ミラーアレイを構成する薄膜アクチュエーテッドミラー
の詳細断面図である。
【図４】図３に示したアレイの薄膜アクチュエーテッド
ミラーの平面図である。
ミラーの平面図である。
【図５】本発明の第１実施例を製造する方法のうちの一
つの過程に関する断面図である。
つの過程に関する断面図である。
【図６】本発明の第１実施例を製造する方法のうちの一
つの過程に関する断面図である。
つの過程に関する断面図である。
【図７】本発明の第１実施例を製造する方法のうちの一
つの過程に関する断面図である。
つの過程に関する断面図である。
【図８】本発明の第１実施例を製造する方法のうちの一
つの過程に関する断面図である。
つの過程に関する断面図である。
【図９】本発明の第１実施例を製造する方法のうちの一
つの過程に関する断面図である。
つの過程に関する断面図である。
【図１０】本発明の第１実施例を製造する方法のうちの
一つの過程に関する断面図である。
一つの過程に関する断面図である。
５ 薄膜アクチュエーテッドミラー １０ 薄膜アクチュエーテッドミラーのアレイ １１ 能動マトリクス １２ 基板 １３ 接続端子のアレイ １４ 接続端子 １５ 薄膜形駆動構造のアレイ １６ 薄膜形駆動構造 １７ 動的誘導薄膜層 １８ 第１電極 １９ 第２電極 ２０ 支持部のアレイ ２１ 支持部 ２２ ミラーのアレイ ２３ ミラー ５０ Ｍ×Ｎ薄膜アクチュエーテッドミラーアレイ ５１ 薄膜アクチュエーテッドミラー ５２ 能動マトリクス ５３ 薄膜駆動構造のアレイ ５４ 薄膜形駆動構造 ５５ 支持部のアレイ ５６ 支持部 ５７ ミラーアレイ ５８ ミラー層 ５９ 基板 ６０ 接続端子のアレイ ６１ 接続端子 ６２（ａ）、６２（ｂ）、６２（ｃ） 第１、第２及び
第３駆動部 ６３ 上部 ６４ 下部 ６５ 近位の端部 ６６ 遠位の端部 ６７ 動的誘導物質薄膜層 ６８ 動的誘導物質薄膜層の上面 ６９ 動的誘導物質薄膜層の下面 ７０ 第１電極 ７１ 第２電極 ７２ 支持部の上面 ７３ 支持部の下面 ７４ ミラー ７５ 支持層 ７６ タブ部分 ７７ 分割スロット ９９ コンジット １０１ 能動基板の上面 １０２ 第１支持層 １０４ 空スロットの支持台 １０５ 犠牲領域 １０６ 第１薄膜電極層 １０７ 薄膜層 １０８ 第２の電極パターン １０９ 第２支持層 １１０ 光反射層
第３駆動部 ６３ 上部 ６４ 下部 ６５ 近位の端部 ６６ 遠位の端部 ６７ 動的誘導物質薄膜層 ６８ 動的誘導物質薄膜層の上面 ６９ 動的誘導物質薄膜層の下面 ７０ 第１電極 ７１ 第２電極 ７２ 支持部の上面 ７３ 支持部の下面 ７４ ミラー ７５ 支持層 ７６ タブ部分 ７７ 分割スロット ９９ コンジット １０１ 能動基板の上面 １０２ 第１支持層 １０４ 空スロットの支持台 １０５ 犠牲領域 １０６ 第１薄膜電極層 １０７ 薄膜層 １０８ 第２の電極パターン １０９ 第２支持層 １１０ 光反射層
Claims (18)
- 【請求項１】 光投射形システムで用いるＭ×Ｎ薄膜
アクチュエーテッドミラーアレイ（Ｍ及びＮは正の整
数）であって、 基板と、Ｍ×Ｎ個のトランジスタのアレイと、Ｍ×Ｎ個
の接続端子のアレイとを備える能動マトリクスと、 Ｍ×Ｎ薄膜駆動構造アレイであって、各々の前記駆動構
造が第１、第２及び第３駆動部を備え、前記第１、第２
及び第３駆動部は同一な構造を有し、前記各々の第１、
第２及び第３駆動部は、上面と、下面と、側面と、近位
の端部と、遠位の端部とを備え、前記各々の第１、第２
及び第３駆動部は上面と下面とを備える少なくとも１つ
以上の動的誘導物質の薄膜を有して、前記各々の第１、
第２及び第３駆動部は、前記動的誘導薄膜層の上面に位
置した第１電極と、前記動的誘導薄膜層の下面に位置し
た第２電極とを更に有し、前記各々の駆動部の前記第１
電極は、各々の駆動構造でグラウンドに連結されること
によって接地電極として働き、前記各々の駆動構造の前
記第２電極は、対応する駆動部の共通信号源に連結され
ることによって信号電極として働き、ここで、各々の駆
動部内の第１電極と第２電極との間に位置した前記動的
誘導物質薄膜層の上面と下面との間に印加された電気信
号が、前記動的誘導物質薄膜層と前記各々の駆動部とを
変形させる、該Ｍ×Ｎ薄膜駆動構造アレイと、 Ｍ×Ｎ支持部材アレイであって、各々の前記支持部材が
前記各々の駆動構造を定位置に保持することに使われ、
ここで、各々の前記駆動構造の前記各々の駆動部の前記
近位の端部が、その対応する前記駆動部によって固定さ
れている、該Ｍ×Ｎ個支持部材アレイと、 Ｍ×Ｎミラー層アレイであって、各々の前記ミラー層は
光ビームを反射するためのミラーと、支持層とを備え、
各々の前記ミラー層は５個以上の奇数個のタブ部分を有
し、前記タブ部分は分割スロットによって、隣接するタ
ブ部分から部分的に離されており、ここで、前記第２駆
動部が前記中央タブ部分の底部に位置し、前記第１及び
第３駆動部が中央タブ部分の両側の側面に位置する２番
目に近い二つのタブ部分の底部に各々位置することによ
って、各々の前記駆動構造の前記第１、第２及び第３駆
動部が前記電気信号に応じて変形される場合、前記駆動
部が接着された前記タブ部分が傾斜し、各々の前記駆動
部を持たないタブ部分を備えた前記ミラー層の残りの部
分が平面にとどまることによって、前記駆動部が付着さ
れていない前記タブ部分を備えたミラー層の前記残りの
部分が光ビームを反射できる該Ｍ×Ｎミラー層アレイと
を有し、その結果、光効率を増大させることを特徴とす
るＭ×Ｎ薄膜アクチュエーテッドミラーアレイ。 - 【請求項２】 前記各々の支持部が、セラミックで形
成されたことを特徴とする請求項１に記載のＭ×Ｎ薄膜
アクチュエーテッドミラーアレイ。 - 【請求項３】 前記各々の支持部が、各々の前記駆動
構造の各前記駆動部の前記第２電極と前記能動基板上の
対応する接続端子とを電気的に接続するためのコンジッ
トを有することを特徴とする請求項２に記載のＭ×Ｎ薄
膜アクチュエーテッドミラーアレイ。 - 【請求項４】 前記コンジットが、タングステン（ｔ
ｕｎｇｓｔｅｎ）またはチタニウム（ｔｉｔａｎｉｕ
ｍ）で形成されたことを特徴とする請求項３に記載のＭ
×Ｎ薄膜アクチュエーテッドミラーアレイ。 - 【請求項５】 各々の前記支持層が、セラミックで形
成されたことを特徴とする請求項１に記載のＭ×Ｎ薄膜
アクチュエーテッドミラーアレイ。 - 【請求項６】 前記動的誘導物質薄膜層が、電気ひず
み材料または圧電材料で形成されたことを特徴とする請
求項１に記載のＭ×Ｎ薄膜アクチュエーテッドミラーア
レイ。 - 【請求項７】 請求項１乃至請求項６のいずれかに記
載の構造を有するＭ×Ｎ薄膜アクチュエーテッドミラー
アレイを含む光投射形システム。 - 【請求項８】 能動基板と、Ｍ×Ｎ薄膜駆動構造アレ
イと、Ｍ×Ｎ支持部アレイと、Ｍ×Ｎミラー層アレイと
を備え、各々の前記駆動構造が第１、第２及び第３駆動
部を更に備える、光投射形システムで用いられるＭ×Ｎ
薄膜アクチュエーテッドミラーアレイの製造方法であっ
て、 （ａ）基板と、Ｍ×Ｎトランジスタアレイと、Ｍ×Ｎ接
続端子アレイを備えた、上面を有する前記能動基板を提
供する過程と、 （ｂ）前記能動基板の前記上面の上に、Ｍ×Ｎ支持部ア
レイに対応するＭ×Ｎ支持台アレイと犠牲領域とを有す
る第１支持層を形成する過程と、 （ｃ）前記犠牲領域を除去する過程と、 （ｄ）前記第１支持層上に第１薄膜電極層を形成する過
程と、 （ｅ）各々の前記駆動構造の第１、第２及び第３駆動部
の各々に対する信号電極を備えた、第１の電極パターン
に、前記第１電極層をパターニングする過程と、 （ｆ）前記第１の電極パターンを備える前記支持層上に
動的誘導物質薄膜を提供する過程と、 （ｇ）前記動的誘導物質薄膜層上に第２薄膜電極層を形
成する過程と、 （ｈ）前記第２薄膜電極層を、前記各々の駆動構造の第
１、第２及び第３駆動部のバイアス電極を備える第２の
電極パターンにパターニングする過程と、 （ｉ）前記第２の電極パターンを備える前記動的誘導物
質薄膜層上に第２支持層を形成する過程と、 （ｊ）前記第２支持層の上部に光反射層を形成する過程
と、 （ｋ）前記光反射層と、前記第２支持層と、下部上に前
記第１及び第２電極パターンを備える前記動的誘導物質
薄膜層を各々パターニングする過程と、 （ｌ）前記第１支持層の犠牲領域を除去し、上記Ｍ×Ｎ
薄膜アクチュエーテッドミラーアレイを形成する過程と
を含むことを特徴とする製法。 - 【請求項９】 前記第１及び第２薄膜電極層が、スパ
ッタリング法を用いて形成されることを特徴とする請求
項８に記載の製法。 - 【請求項１０】 前記動的誘導物質薄膜層が、スパッ
タリング法、化学蒸着法（ＣＶＤ）、またはゾルーゲル
（ｓｏｌ−ｇｅｌ）法によって形成されることを特徴と
する請求項８に記載の製法。 - 【請求項１１】 前記光反射層が、スパッタリング法
を用いて形成されることを特徴とする請求項８に記載の
製法。 - 【請求項１２】 前記第１の電極パターン及び第２の
電極パターンが、エッチング法を用いて形成されること
を特徴とする請求項８に記載の製法。 - 【請求項１３】 前記第１支持層が、 （ａ）前記能動基板の上部に第１犠牲層を形成する過程
と、 （ｂ）前記犠牲層上に、各々がＭ×Ｎ個の接続端子の周
りに各々位置する第１のＭ×Ｎ個の空（ｅｍｐｔｙ）ス
ロットのアレイを提供する過程と、 （ｃ）前記第１の空スロットの各々に支持台を形成する
過程とによって形成されることを特徴とする請求項８に
記載の製法。 - 【請求項１４】 前記第１犠牲層が、スパッタリング
法を用いて形成されることを特徴とする請求項１３に記
載の製法。 - 【請求項１５】 前記第１のＭ×Ｎ空スロットアレイ
が、エッチング法を用いて形成されることを特徴とする
請求項１３に記載の製法。 - 【請求項１６】 前記支持台が、スパッタリング法の
後にエッチング法を用いて形成されることを特徴とする
請求項１３に記載の製法。 - 【請求項１７】 前記支持台が、化学蒸着法（ＣＶ
Ｄ）の後にエッチング法を用いて形成されることを特徴
とする請求項１３に記載の製法。 - 【請求項１８】 請求項８乃至請求項１７のいずれか
に記載の方法によって製造されたＭ×Ｎ薄膜アクチュエ
ーテッドミラーアレイを含む光投射形システム。
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