JPH07309669A - 2粒子分布を持った直接窒化法による低熱伝導窒化珪素焼結体とその製造方法 - Google Patents
2粒子分布を持った直接窒化法による低熱伝導窒化珪素焼結体とその製造方法Info
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- JPH07309669A JPH07309669A JP6121820A JP12182094A JPH07309669A JP H07309669 A JPH07309669 A JP H07309669A JP 6121820 A JP6121820 A JP 6121820A JP 12182094 A JP12182094 A JP 12182094A JP H07309669 A JPH07309669 A JP H07309669A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】
【構成】平均粒径が10〜30μmの粗大金属シリコン
粉末80〜95重量%及び平均粒径が1〜10μmの微
細金属シリコン粉末5〜20重量%の混合金属シリコン
を含む原料を窒素雰囲気中で温度1390℃〜1500
℃に加熱することにより得られた低熱伝導性で高強度の
窒化珪素焼結体及びその製造方法。 【効果】粒度分布の異なる二種類の金属シリコン粉末を
混合してなる二粒子分布の金属シリコン原料を使用する
ことにより、成形時における密充填を可能とするととも
に、焼成時の窒化を十分に促進することができ、これに
より低熱伝導性で高強度の窒化珪素焼結体を得ることが
できる。
粉末80〜95重量%及び平均粒径が1〜10μmの微
細金属シリコン粉末5〜20重量%の混合金属シリコン
を含む原料を窒素雰囲気中で温度1390℃〜1500
℃に加熱することにより得られた低熱伝導性で高強度の
窒化珪素焼結体及びその製造方法。 【効果】粒度分布の異なる二種類の金属シリコン粉末を
混合してなる二粒子分布の金属シリコン原料を使用する
ことにより、成形時における密充填を可能とするととも
に、焼成時の窒化を十分に促進することができ、これに
より低熱伝導性で高強度の窒化珪素焼結体を得ることが
できる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、遮熱性の良好な低熱伝
導性の窒化珪素焼結体及びその製造方法に関し、より具
体的には、粒度分布の異なる二種類の金属シリコン粉末
を混合した金属シリコン原料を使用することにより、成
形時における密充填を可能とし、且つ焼成時の窒化を十
分に促進することを可能とした窒化珪素焼結体及びその
製造方法に関する。
導性の窒化珪素焼結体及びその製造方法に関し、より具
体的には、粒度分布の異なる二種類の金属シリコン粉末
を混合した金属シリコン原料を使用することにより、成
形時における密充填を可能とし、且つ焼成時の窒化を十
分に促進することを可能とした窒化珪素焼結体及びその
製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】金属シリコン(金属珪素)を原料とし、
反応焼結により窒化珪素焼結体を製造する場合、ここで
使用する金属シリコン原料としては、その焼成時に窒化
反応も起こるため、窒化反応をし易い金属シリコンでな
ければならず、また同時に、焼成時に収縮を起こさない
ために、成形時に充填し易い金属シリコンでなければな
らない。しかし、窒化反応をし易くするためには、金属
シリコン粉末を細かくし活性にする必要があるが、その
粉末を細かくすると、粉末同士の抵抗のために成形時の
充填度が疎となるという、二律背反の関係がある。
反応焼結により窒化珪素焼結体を製造する場合、ここで
使用する金属シリコン原料としては、その焼成時に窒化
反応も起こるため、窒化反応をし易い金属シリコンでな
ければならず、また同時に、焼成時に収縮を起こさない
ために、成形時に充填し易い金属シリコンでなければな
らない。しかし、窒化反応をし易くするためには、金属
シリコン粉末を細かくし活性にする必要があるが、その
粉末を細かくすると、粉末同士の抵抗のために成形時の
充填度が疎となるという、二律背反の関係がある。
【0003】従来の反応焼結による窒化珪素焼結体の製
造技術では、例えば特開昭58−88109号公報に記
載されているように、ある特定の標準ふるいを通過する
一粒子分布の金属シリコン原料を使用している場合が多
いが、上述の問題を解決するために、例えば特開59−
190275号公報、特開昭59−152261号公
報、特開昭59−217674号公報等に記載されてい
るように、粉砕、分級、混合といった操作で金属シリコ
ン原料の粒度分布を調整、制御し、これを原料として反
応焼結窒化珪素を製造しているものもある。
造技術では、例えば特開昭58−88109号公報に記
載されているように、ある特定の標準ふるいを通過する
一粒子分布の金属シリコン原料を使用している場合が多
いが、上述の問題を解決するために、例えば特開59−
190275号公報、特開昭59−152261号公
報、特開昭59−217674号公報等に記載されてい
るように、粉砕、分級、混合といった操作で金属シリコ
ン原料の粒度分布を調整、制御し、これを原料として反
応焼結窒化珪素を製造しているものもある。
【0004】このうち、特開昭59−190275号公
報の場合には、金属シリコンを粉砕・分級して特定の粒
度分布を得ているが、この手法では分級できる金属シリ
コン粒子の大きさが限定され、特に微細な金属シリコン
についての制御ができない。また特開昭59−1522
61号公報では、平均粒径0.1〜10μのSi粉末に
対して平均粒径400オングストロ−ム以下のSi粉末
を0.5〜20重量部混合することにより、従来にない
高密度のSi3N4反応焼結体を得ることができるとして
いるが、上記平均粒径400オングストロ−ム以下のS
i粉末を得る上では蒸発法やガス合成法によらなければ
ならないと指摘されている。
報の場合には、金属シリコンを粉砕・分級して特定の粒
度分布を得ているが、この手法では分級できる金属シリ
コン粒子の大きさが限定され、特に微細な金属シリコン
についての制御ができない。また特開昭59−1522
61号公報では、平均粒径0.1〜10μのSi粉末に
対して平均粒径400オングストロ−ム以下のSi粉末
を0.5〜20重量部混合することにより、従来にない
高密度のSi3N4反応焼結体を得ることができるとして
いるが、上記平均粒径400オングストロ−ム以下のS
i粉末を得る上では蒸発法やガス合成法によらなければ
ならないと指摘されている。
【0005】また、特開昭59−217674号公報に
よれば、一般に粒径の小さいものの方が焼結性は高い
が、しかし同じ粒径のものの間でもその焼結性にはかな
りの差があるとし、このためこの技術では、焼結時にお
ける収縮率を基にして難焼結性Si粉末と易焼結性Si
粉末とに分け、予備焼結体の密度との関係から両者を所
定割合で混合すればよいというものである。
よれば、一般に粒径の小さいものの方が焼結性は高い
が、しかし同じ粒径のものの間でもその焼結性にはかな
りの差があるとし、このためこの技術では、焼結時にお
ける収縮率を基にして難焼結性Si粉末と易焼結性Si
粉末とに分け、予備焼結体の密度との関係から両者を所
定割合で混合すればよいというものである。
【0006】しかし、そのように添加した微細金属シリ
コン粉末は、その添加量が多過ぎたり、細か過ぎたりす
ると、添加した微細金属シリコン粉末が成形時における
塑性流動上の抵抗となり、平均粒径の小さい一粒子分布
の金属シリコン粉末を使用している場合と同様に、成形
時の充填性が阻害されてしまう。
コン粉末は、その添加量が多過ぎたり、細か過ぎたりす
ると、添加した微細金属シリコン粉末が成形時における
塑性流動上の抵抗となり、平均粒径の小さい一粒子分布
の金属シリコン粉末を使用している場合と同様に、成形
時の充填性が阻害されてしまう。
【0007】本発明者は、従来の技術におけるそれら諸
問題点につき、各種観点から鋭意実験、検討を重ねてい
るうち、その原料として粒度分布の異なる二種類の金属
シリコン粉末を混合した二粒子分布の金属シリコン原料
を使用することにより、それら諸問題点をきわめて有効
に解決できることを見い出し、本発明に到達するに至っ
たものである。
問題点につき、各種観点から鋭意実験、検討を重ねてい
るうち、その原料として粒度分布の異なる二種類の金属
シリコン粉末を混合した二粒子分布の金属シリコン原料
を使用することにより、それら諸問題点をきわめて有効
に解決できることを見い出し、本発明に到達するに至っ
たものである。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】すなわち、本発明は、
粒度分布の異なる二種類の金属シリコン粉末を混合した
二粒子分布の金属シリコン原料を使用することにより、
これによって成形時における密充填を可能とするととも
に、焼成時の窒化を十分に促進することを可能とした、
低熱伝導性で、しかも高強度の窒化珪素焼結体及びその
製造方法を提供することを目的とするものである。
粒度分布の異なる二種類の金属シリコン粉末を混合した
二粒子分布の金属シリコン原料を使用することにより、
これによって成形時における密充填を可能とするととも
に、焼成時の窒化を十分に促進することを可能とした、
低熱伝導性で、しかも高強度の窒化珪素焼結体及びその
製造方法を提供することを目的とするものである。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明は、まず、平均粒
径が10〜30μmの粗大金属シリコン粉末80〜95
重量%及び平均粒径が1〜10μmの微細金属シリコン
粉末5〜20重量%の混合金属シリコンを含む原料を窒
素雰囲気中で温度1390℃〜1500℃に加熱するこ
とにより得られた反応焼結による低熱伝導性で高強度の
窒化珪素焼結体を提供するものである。
径が10〜30μmの粗大金属シリコン粉末80〜95
重量%及び平均粒径が1〜10μmの微細金属シリコン
粉末5〜20重量%の混合金属シリコンを含む原料を窒
素雰囲気中で温度1390℃〜1500℃に加熱するこ
とにより得られた反応焼結による低熱伝導性で高強度の
窒化珪素焼結体を提供するものである。
【0010】また、本発明は、金属シリコン粉末原料成
分として、平均粒径が10〜30μmの粗大金属シリコ
ン粉末と平均粒径が1〜10μmの微細金属シリコン粉
末の二種類を含み、且つ粗大金属シリコン粉末80〜9
5重量%に対して微細金属シリコン粉末を5〜20重量
%混合し、窒素雰囲気中で温度1390℃〜1500℃
に加熱することを特徴とする反応焼結による窒化珪素焼
結体の製造方法を提供するものである。
分として、平均粒径が10〜30μmの粗大金属シリコ
ン粉末と平均粒径が1〜10μmの微細金属シリコン粉
末の二種類を含み、且つ粗大金属シリコン粉末80〜9
5重量%に対して微細金属シリコン粉末を5〜20重量
%混合し、窒素雰囲気中で温度1390℃〜1500℃
に加熱することを特徴とする反応焼結による窒化珪素焼
結体の製造方法を提供するものである。
【0011】本発明においては、このように、粗大金属
シリコン粉末に対して、微細金属シリコン粉末を5〜2
0重量%という比較的少量となるように混合した混合粉
末を使用するが、この微細金属シリコン粉末の添加量が
20重量%を越えると、その成形時において金属シリコ
ン原料の充填率の低下を来たすため、微細金属シリコン
粉末の添加量は上記のとおり20重量%以下とする必要
がある。
シリコン粉末に対して、微細金属シリコン粉末を5〜2
0重量%という比較的少量となるように混合した混合粉
末を使用するが、この微細金属シリコン粉末の添加量が
20重量%を越えると、その成形時において金属シリコ
ン原料の充填率の低下を来たすため、微細金属シリコン
粉末の添加量は上記のとおり20重量%以下とする必要
がある。
【0012】また、本発明においては、その原料金属シ
リコン混合粉末に対し、触媒として酸化鉄を添加するこ
とにより、その窒化焼結反応をさらに促進させることが
できる。その酸化鉄の量は、その窒化焼結反応の促進
上、その混合粉末に対して1〜6重量%(全体を100
として、その中の1〜6重量%)の範囲で含有させるこ
とができるが、このうち4重量%を越える酸化鉄の添加
は、製品焼結体の強度低下を引き起こすことになる点等
から、最適な酸化鉄の添加量は2〜4重量%である。本
発明によれば、酸化鉄がこれら範囲の添加量の場合、原
料金属シリコンの窒化率を90%以上にすることができ
る。
リコン混合粉末に対し、触媒として酸化鉄を添加するこ
とにより、その窒化焼結反応をさらに促進させることが
できる。その酸化鉄の量は、その窒化焼結反応の促進
上、その混合粉末に対して1〜6重量%(全体を100
として、その中の1〜6重量%)の範囲で含有させるこ
とができるが、このうち4重量%を越える酸化鉄の添加
は、製品焼結体の強度低下を引き起こすことになる点等
から、最適な酸化鉄の添加量は2〜4重量%である。本
発明によれば、酸化鉄がこれら範囲の添加量の場合、原
料金属シリコンの窒化率を90%以上にすることができ
る。
【0013】また、本発明においては、その窒化珪素焼
結体に対して、5〜40重量%(全体100中の量)の
コ−ディエライト、窒化チタン、窒化ホウ素、窒化ニオ
ブ及び金属チタンのうちの一種又は2種以上を添加する
ことにより、その窒化珪素焼結体にさらに低熱伝導性を
付与することができる。このようにそれら低熱伝導性の
セラミックスを併せ混合することにより、セラミックス
の熱の媒体であるフォノンを散乱させ、これによって、
得られる窒化珪素焼結体の熱伝導率を低下させることが
できる。
結体に対して、5〜40重量%(全体100中の量)の
コ−ディエライト、窒化チタン、窒化ホウ素、窒化ニオ
ブ及び金属チタンのうちの一種又は2種以上を添加する
ことにより、その窒化珪素焼結体にさらに低熱伝導性を
付与することができる。このようにそれら低熱伝導性の
セラミックスを併せ混合することにより、セラミックス
の熱の媒体であるフォノンを散乱させ、これによって、
得られる窒化珪素焼結体の熱伝導率を低下させることが
できる。
【0014】上記のとおり、本発明で使用する原料金属
シリコン粉末は、平均粒径が10〜30μmで、単一の
粒度分布を持つ粗大金属シリコン粉末と、平均粒径が1
〜10μmで、単一の粒度分布を持つ微細金属シリコン
粉末からなるものである。このうち微細金属シリコン粉
末としては、例えば、表1に記載したとおり、その平均
粒径が2〜5μmで鋭い粒度分布を持った金属シリコン
粉末を使用するのがより効果的である。
シリコン粉末は、平均粒径が10〜30μmで、単一の
粒度分布を持つ粗大金属シリコン粉末と、平均粒径が1
〜10μmで、単一の粒度分布を持つ微細金属シリコン
粉末からなるものである。このうち微細金属シリコン粉
末としては、例えば、表1に記載したとおり、その平均
粒径が2〜5μmで鋭い粒度分布を持った金属シリコン
粉末を使用するのがより効果的である。
【0015】
【表 1】
【0016】また、本発明に係る窒化珪素焼結体を製造
する態様としては、上記した粒径の異なる2種類の金属
シリコンを、粗大金属シリコン粉末が95〜80重量
%、微細金属シリコン粉末が5〜20重量%となるよう
に秤量し、この両者を例えば金属シリコン原料の4倍の
アルミナ玉石(φ12.7×12.7)を入れたポリエ
チレン製等の容器中で16時間程度湿式混合を行う。
する態様としては、上記した粒径の異なる2種類の金属
シリコンを、粗大金属シリコン粉末が95〜80重量
%、微細金属シリコン粉末が5〜20重量%となるよう
に秤量し、この両者を例えば金属シリコン原料の4倍の
アルミナ玉石(φ12.7×12.7)を入れたポリエ
チレン製等の容器中で16時間程度湿式混合を行う。
【0017】この混合操作に際しては、適当な分散媒を
使用する。この分散媒としては、水でもよいが、金属シ
リコンとの反応性を考慮すると、例えばトリクロロエチ
レンなどの有機溶剤であるのが好ましい。この混合後、
例えば温度40℃の乾燥オ−ブン中で乾燥した後、42
メッシュの標準ふるい等を用いて分級する。次いでこれ
に、例えばアクリル酸エステルポリマ−などの公知の結
合剤を10重量%以下の割合で添加し、混練機(例えば
当業界で周知の石川式混練機)により30分間程度混合
し造粒する。
使用する。この分散媒としては、水でもよいが、金属シ
リコンとの反応性を考慮すると、例えばトリクロロエチ
レンなどの有機溶剤であるのが好ましい。この混合後、
例えば温度40℃の乾燥オ−ブン中で乾燥した後、42
メッシュの標準ふるい等を用いて分級する。次いでこれ
に、例えばアクリル酸エステルポリマ−などの公知の結
合剤を10重量%以下の割合で添加し、混練機(例えば
当業界で周知の石川式混練機)により30分間程度混合
し造粒する。
【0018】次いで、この混合造粒物を加圧プレス(例
えば一軸加圧プレス)により予備成形した後、高圧下、
例えば1.5ton/cm2 の圧力下でCIP成形す
る。このとき粗大金属シリコン粉末に対して微細金属シ
リコン粉末の添加量が20重量%を越えると、成形時に
おいて金属シリコン原料の充填率の低下を来たしてしま
う。このため本発明においては、微細金属シリコン粉末
の添加量は20重量%以下とする必要がある。
えば一軸加圧プレス)により予備成形した後、高圧下、
例えば1.5ton/cm2 の圧力下でCIP成形す
る。このとき粗大金属シリコン粉末に対して微細金属シ
リコン粉末の添加量が20重量%を越えると、成形時に
おいて金属シリコン原料の充填率の低下を来たしてしま
う。このため本発明においては、微細金属シリコン粉末
の添加量は20重量%以下とする必要がある。
【0019】また、金属シリコンを原料とする反応焼結
による窒化珪素は、焼成時に収縮を起こさないため、成
形時の充填率が低い成形体から得られる反応焼結窒化珪
素は所定の強度に達しない。また逆に、高すぎる充填率
を持つ成形体から得られる反応焼結窒化珪素は、組織内
に含まれる気孔量が少な過ぎるため熱伝導率が高くな
る。このため、本発明における金属シリコン成形体の密
度は、1.4〜1.8g/cm3 の範囲とするのが望ま
しい。こうして得られた2粒子分布を持つ金属シリコン
含有成形体は、例えば温度40℃の乾燥オ−ブン中で乾
燥した後、温度550℃程度の空気中で脱脂を行う。
による窒化珪素は、焼成時に収縮を起こさないため、成
形時の充填率が低い成形体から得られる反応焼結窒化珪
素は所定の強度に達しない。また逆に、高すぎる充填率
を持つ成形体から得られる反応焼結窒化珪素は、組織内
に含まれる気孔量が少な過ぎるため熱伝導率が高くな
る。このため、本発明における金属シリコン成形体の密
度は、1.4〜1.8g/cm3 の範囲とするのが望ま
しい。こうして得られた2粒子分布を持つ金属シリコン
含有成形体は、例えば温度40℃の乾燥オ−ブン中で乾
燥した後、温度550℃程度の空気中で脱脂を行う。
【0020】次いで、窒化焼成工程を行うが、上記のと
おり脱脂を終えた金属シリコン成形体を、窒化炉中すな
わち窒素雰囲気中で、温度1390℃〜1500℃の範
囲で窒化焼成を行う。このとき1500℃よりも高い温
度で窒化焼成すると、得られる反応焼結窒化珪素中の気
孔率が低下したり、もしくは熱伝導率の低いα型の窒化
珪素の比率が低下したりして、その低熱伝導化を阻害す
るため好ましくない。また、窒化焼成を行う前に、窒化
炉内を2×10ー3torrまで減圧し、窒素ガスを導入
することが金属シリコンの酸化を予防し、窒化を促進す
る上で重要である。
おり脱脂を終えた金属シリコン成形体を、窒化炉中すな
わち窒素雰囲気中で、温度1390℃〜1500℃の範
囲で窒化焼成を行う。このとき1500℃よりも高い温
度で窒化焼成すると、得られる反応焼結窒化珪素中の気
孔率が低下したり、もしくは熱伝導率の低いα型の窒化
珪素の比率が低下したりして、その低熱伝導化を阻害す
るため好ましくない。また、窒化焼成を行う前に、窒化
炉内を2×10ー3torrまで減圧し、窒素ガスを導入
することが金属シリコンの酸化を予防し、窒化を促進す
る上で重要である。
【0021】金属シリコン成形体の窒化焼成は、その温
度を十分に制御する必要があり、このため本発明におい
ては、表2或いは表3に示すスケジュ−ルで焼成するこ
とが望ましい。この場合、特に表3に示すとおり、金属
シリコンの融点よりも若干低い温度1390℃で窒化反
応をさせた後、更に高い温度で焼成する2段焼成を行う
と、反応焼成窒化珪素の強度を向上させる上で非常に有
効である。なお、ガス流量は表2及び表3の何れの場合
も2l/分(2リットル/分)である。
度を十分に制御する必要があり、このため本発明におい
ては、表2或いは表3に示すスケジュ−ルで焼成するこ
とが望ましい。この場合、特に表3に示すとおり、金属
シリコンの融点よりも若干低い温度1390℃で窒化反
応をさせた後、更に高い温度で焼成する2段焼成を行う
と、反応焼成窒化珪素の強度を向上させる上で非常に有
効である。なお、ガス流量は表2及び表3の何れの場合
も2l/分(2リットル/分)である。
【0022】
【表 2】
【0023】
【表 3】
【0024】本発明によれば、第2表或いは第3表に示
すスケジュ−ルで窒化焼成することにより、金属シリコ
ン原料の窒化率が90%前後とう高い値を示すことが確
認された。なお、その窒化率は以下の式により算出した
ものである。
すスケジュ−ルで窒化焼成することにより、金属シリコ
ン原料の窒化率が90%前後とう高い値を示すことが確
認された。なお、その窒化率は以下の式により算出した
ものである。
【0025】また、本発明に係る2種類の金属シリコン
原料を混合するに際して、その原料に対して酸化鉄を1
〜6重量%添加すると、金属シリコン原料の窒化反応を
更に促進するのに効果的である。このうち4重量%を越
える酸化鉄の添加は、製品焼結体の強度低下を引き起こ
すこと等のため、最適な酸化鉄の添加量は2〜4重量%
である。本発明によれば、その量的割合を変えた数多く
の実験を重ねることにより、酸化鉄がこれら範囲の添加
量の場合、原料金属シリコンの窒化率は90%を越える
ことが確認された。
原料を混合するに際して、その原料に対して酸化鉄を1
〜6重量%添加すると、金属シリコン原料の窒化反応を
更に促進するのに効果的である。このうち4重量%を越
える酸化鉄の添加は、製品焼結体の強度低下を引き起こ
すこと等のため、最適な酸化鉄の添加量は2〜4重量%
である。本発明によれば、その量的割合を変えた数多く
の実験を重ねることにより、酸化鉄がこれら範囲の添加
量の場合、原料金属シリコンの窒化率は90%を越える
ことが確認された。
【0026】また、金属シリコン原料を上記のとおり混
合するに際し、その原料にコ−ディエライト、窒化ホウ
素、窒化ニオブ、金属チタンといった低熱伝導性のセラ
ミックスを併せて混合することにより、セラミックスの
熱の媒体であるフォノンを散乱させ、これによって、得
られる窒化珪素焼結体の熱伝導率を低下させるので非常
に有効である。
合するに際し、その原料にコ−ディエライト、窒化ホウ
素、窒化ニオブ、金属チタンといった低熱伝導性のセラ
ミックスを併せて混合することにより、セラミックスの
熱の媒体であるフォノンを散乱させ、これによって、得
られる窒化珪素焼結体の熱伝導率を低下させるので非常
に有効である。
【0027】しかし、これら低熱伝導率のセラミックス
は難焼結性であるため、添加量の増加に伴い得られる窒
化珪素の強度が低下を来たすことから、これれら低熱伝
導セラミックの最適な添加量は10〜40重量%であ
る。またそれら低熱伝導性のセラミックスは、1種類と
は限らず、2種以上を添加使用することができる。
は難焼結性であるため、添加量の増加に伴い得られる窒
化珪素の強度が低下を来たすことから、これれら低熱伝
導セラミックの最適な添加量は10〜40重量%であ
る。またそれら低熱伝導性のセラミックスは、1種類と
は限らず、2種以上を添加使用することができる。
【0028】
【実施例】以下、本発明の実施例を説明するが、本発明
がこれに限定されるものでないことは勿論である。ま
ず、金属シリコン原料として、粗大金属シリコン粉末
〔キンセイマテック(株)#350、平均粒径=15.
6μm〕と、微細金属シリコン粉末(スタルクヴィテッ
ク社製:SL、平均粒径=2.6μm)とを準備した。
本実施例及び比較例ではこれらの原料を使用している。
がこれに限定されるものでないことは勿論である。ま
ず、金属シリコン原料として、粗大金属シリコン粉末
〔キンセイマテック(株)#350、平均粒径=15.
6μm〕と、微細金属シリコン粉末(スタルクヴィテッ
ク社製:SL、平均粒径=2.6μm)とを準備した。
本実施例及び比較例ではこれらの原料を使用している。
【0029】《実施例1》上記粗大金属シリコン粉末9
00gと微細金属シリコン粉末100gとをアルミナ玉
石1000gを入れたポリエチレン製ポット中に入れ、
これにトリクロロエチレン〔東亜合成化学工業(株)社
製:トリクレンR〕2000gを加え、ボ−ルミルで1
6時間混合した。ここで得られたスラリ−を温度40℃
のオ−ブン中で24時間乾燥した後、粉砕し、42メッ
シュの標準ふるいで分級した。
00gと微細金属シリコン粉末100gとをアルミナ玉
石1000gを入れたポリエチレン製ポット中に入れ、
これにトリクロロエチレン〔東亜合成化学工業(株)社
製:トリクレンR〕2000gを加え、ボ−ルミルで1
6時間混合した。ここで得られたスラリ−を温度40℃
のオ−ブン中で24時間乾燥した後、粉砕し、42メッ
シュの標準ふるいで分級した。
【0030】次いでこの分級物(ふるい下)を60g秤
量し、バインダ−としてリカボンドSA−311〔中央
理化工業(株)社製:商品名〕を4.8g、セロゾ−ル
及びマクセロンA〔ともに中京油脂(株)社製:商品
名〕をそれぞれ1.2g、0.6g加え、石川式混練機
を使用して30分間造粒を行った。なお、ここでセロゾ
−ル及びマクセロンAを添加しているのは、これにより
バインダ−の粘度を調整し、均一な造粒ができるためで
ある。
量し、バインダ−としてリカボンドSA−311〔中央
理化工業(株)社製:商品名〕を4.8g、セロゾ−ル
及びマクセロンA〔ともに中京油脂(株)社製:商品
名〕をそれぞれ1.2g、0.6g加え、石川式混練機
を使用して30分間造粒を行った。なお、ここでセロゾ
−ル及びマクセロンAを添加しているのは、これにより
バインダ−の粘度を調整し、均一な造粒ができるためで
ある。
【0031】この造粒物を1.5ton/cm2 の圧力
でCIP成形を行った。ここで得られたその成形体の密
度は1.66g/cm3 であった。これを温度550℃
の大気中で6時間脱脂した後、第2表の焼成スケジュ−
ルで焼成した。得られた反応焼結窒化珪素(反応焼結に
より得られた窒化珪素焼結体)は、3点曲げ強度156
MPa、また熱伝導率は11.9W/m・Kであった。
でCIP成形を行った。ここで得られたその成形体の密
度は1.66g/cm3 であった。これを温度550℃
の大気中で6時間脱脂した後、第2表の焼成スケジュ−
ルで焼成した。得られた反応焼結窒化珪素(反応焼結に
より得られた窒化珪素焼結体)は、3点曲げ強度156
MPa、また熱伝導率は11.9W/m・Kであった。
【0032】《実施例2》実施例1と同様にして製造、
作製した成形体を、温度550℃、大気中で脱脂した
後、第3表の焼成スケジュ−ルで焼成した。ここで得ら
れた反応焼結窒化珪素焼結体の3点曲げ強度は170M
Paであり、熱伝導率は12.8W/m・Kであった。
作製した成形体を、温度550℃、大気中で脱脂した
後、第3表の焼成スケジュ−ルで焼成した。ここで得ら
れた反応焼結窒化珪素焼結体の3点曲げ強度は170M
Paであり、熱伝導率は12.8W/m・Kであった。
【0033】《実施例3》実施例1と同様にして得た2
粒子分布の混合金属シリコン192gと酸化鉄〔戸田工
業(株)社製:PE−3400〕8gとをアルミナ玉石
350gの入ったポリエチレン製ボット中に入れ、トリ
クロロエチレン〔東亜合成化学工業(株)社製:トリク
レンR〕400gを加え、ボ−ルミルで16時間混合し
た。これを実施例1と同様に造粒、成形し、脱脂した
後、焼結を行うことにより反応焼結窒化珪素焼結体を得
た。この焼結体の3点曲げ強度は186MPa、また熱
伝導率は13.8W/m・Kであった。
粒子分布の混合金属シリコン192gと酸化鉄〔戸田工
業(株)社製:PE−3400〕8gとをアルミナ玉石
350gの入ったポリエチレン製ボット中に入れ、トリ
クロロエチレン〔東亜合成化学工業(株)社製:トリク
レンR〕400gを加え、ボ−ルミルで16時間混合し
た。これを実施例1と同様に造粒、成形し、脱脂した
後、焼結を行うことにより反応焼結窒化珪素焼結体を得
た。この焼結体の3点曲げ強度は186MPa、また熱
伝導率は13.8W/m・Kであった。
【0034】《実施例4》実施例3の混合金属シリコン
に4重量%酸化鉄を添加した2粒子分布の金属シリコン
833.5gとコ−ディエライト粉末〔共立窯業(株)
社製:KYOREX〕200gとをアルミナ玉石175
0gを入れたポリエチレン製ポット中に入れ、これにト
リクロロエチレン〔東亜合成化学工業(株)社製:トリ
クレンR〕2000gを添加し、16時間混合した。こ
の混合物を実施例1の場合と同様にして造粒、成形し、
脱脂を行い、第3表の焼成スケジュ−ルに従って焼成し
た。ここで得られた反応焼結焼結体は4点曲げ強度が1
37MPa、熱伝導率は8.3W/m・Kであった。
に4重量%酸化鉄を添加した2粒子分布の金属シリコン
833.5gとコ−ディエライト粉末〔共立窯業(株)
社製:KYOREX〕200gとをアルミナ玉石175
0gを入れたポリエチレン製ポット中に入れ、これにト
リクロロエチレン〔東亜合成化学工業(株)社製:トリ
クレンR〕2000gを添加し、16時間混合した。こ
の混合物を実施例1の場合と同様にして造粒、成形し、
脱脂を行い、第3表の焼成スケジュ−ルに従って焼成し
た。ここで得られた反応焼結焼結体は4点曲げ強度が1
37MPa、熱伝導率は8.3W/m・Kであった。
【0035】《比較例1》前記粗大金属シリコン粉末
〔キンセイマテック(株)社製:#350、平均粒径=
15.6μm〕のみを使用し、実施例1の場合と同様に
造粒、成形し、脱脂後、焼成を行った。得られた反応焼
結窒化珪素焼結体は、3点曲げ強度148MPa、また
熱伝導率は11.2W/m・Kであった。
〔キンセイマテック(株)社製:#350、平均粒径=
15.6μm〕のみを使用し、実施例1の場合と同様に
造粒、成形し、脱脂後、焼成を行った。得られた反応焼
結窒化珪素焼結体は、3点曲げ強度148MPa、また
熱伝導率は11.2W/m・Kであった。
【0036】《比較例2》前記微細金属シリコン粉末
(スタルクヴィテック社製:SL、平均粒径=2.6μ
m)のみを使用し、実施例1の場合と同様にして造粒
し、成形を行った。得られた成形体の密度は1.44g
/cm3 と低く、脱脂後これを第3表のスケジュ−ルに
従って焼成した。ここで得られた反応焼結窒化珪素焼結
体の3点曲げ強度は、103MPaであり、また熱伝導
率は7.9W/m・Kであった。
(スタルクヴィテック社製:SL、平均粒径=2.6μ
m)のみを使用し、実施例1の場合と同様にして造粒
し、成形を行った。得られた成形体の密度は1.44g
/cm3 と低く、脱脂後これを第3表のスケジュ−ルに
従って焼成した。ここで得られた反応焼結窒化珪素焼結
体の3点曲げ強度は、103MPaであり、また熱伝導
率は7.9W/m・Kであった。
【0037】
【発明の効果】以上のとおり、本発明によれば、金属シ
リコン原料として、粒度分布の異なる二種類の金属シリ
コン粉末を混合してなる二粒子分布の金属シリコン原料
を使用することにより、成形時における密充填を可能と
するとともに、焼成時の窒化を十分に促進することがで
き、これにより低熱伝導性で、しかも高強度の窒化珪素
焼結体を得ることができる。
リコン原料として、粒度分布の異なる二種類の金属シリ
コン粉末を混合してなる二粒子分布の金属シリコン原料
を使用することにより、成形時における密充填を可能と
するとともに、焼成時の窒化を十分に促進することがで
き、これにより低熱伝導性で、しかも高強度の窒化珪素
焼結体を得ることができる。
【0038】また、活性な微細金属シリコンの添加効果
により、密充填している金属シリコン成形体が十分に窒
化することにより、低熱伝導化に必要な気孔を組織内に
多数残しながら高強度化を可能とし、200MPaに近
いという高い3点曲げ強度を有する窒化珪素であるにも
拘らず、15〜30%の気孔を含んでいるため、熱伝導
率を7〜13W/m・Kという低い値とすることができ
る。
により、密充填している金属シリコン成形体が十分に窒
化することにより、低熱伝導化に必要な気孔を組織内に
多数残しながら高強度化を可能とし、200MPaに近
いという高い3点曲げ強度を有する窒化珪素であるにも
拘らず、15〜30%の気孔を含んでいるため、熱伝導
率を7〜13W/m・Kという低い値とすることができ
る。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 C04B 35/58 102 A 102 B 102 E 102 G (72)発明者 堀見 和広 愛知県名古屋市西区則武新町三丁目1番36 号 株式会社ノリタケカンパニ−リミテド 内 (72)発明者 加藤 芳基 愛知県名古屋市西区則武新町三丁目1番36 号 株式会社ノリタケカンパニ−リミテド 内 (72)発明者 島ノ上 誠司 愛知県名古屋市西区則武新町三丁目1番36 号 株式会社ノリタケカンパニ−リミテド 内 (72)発明者 岩田 美佐男 愛知県名古屋市西区則武新町三丁目1番36 号 株式会社ノリタケカンパニ−リミテド 内 (72)発明者 久田 栄一 愛知県名古屋市西区則武新町三丁目1番36 号 株式会社ノリタケカンパニ−リミテド 内 (72)発明者 宮田 洋 愛知県名古屋市西区則武新町三丁目1番36 号 株式会社ノリタケカンパニ−リミテド 内
Claims (4)
- 【請求項1】平均粒径が10〜30μmの粗大金属シリ
コン粉末80〜95重量%及び平均粒径が1〜10μm
の微細金属シリコン粉末5〜20重量%の混合金属シリ
コンを含む原料を窒素雰囲気中で温度1390℃〜15
00℃に加熱することにより得られた反応焼結による低
熱伝導性で高強度の窒化珪素焼結体。 - 【請求項2】金属シリコン粉末原料成分として、平均粒
径が10〜30μmの粗大金属シリコン粉末と平均粒径
が1〜10μmの微細金属シリコン粉末の二種類を含
み、且つ粗大金属シリコン粉末80〜95重量%に対し
て微細金属シリコン粉末を5〜20重量%混合し、窒素
雰囲気中で温度1390℃〜1500℃に加熱すること
を特徴とする反応焼結による窒化珪素焼結体の製造方
法。 - 【請求項3】混合金属シリコン粉末原料に対して、酸化
鉄触媒を2〜4重量%添加することを特徴とする請求項
2記載の反応焼結による窒化珪素焼結体の製造方法。 - 【請求項4】混合金属シリコン粉末原料に対して、5〜
40重量%のコ−ディエライト、窒化チタン、窒化ホウ
素、窒化ニオブ及び金属チタンの一種又は2種以上を添
加することを特徴とする請求項2又は請求項3記載の反
応焼結による窒化珪素焼結体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6121820A JPH07309669A (ja) | 1994-05-10 | 1994-05-10 | 2粒子分布を持った直接窒化法による低熱伝導窒化珪素焼結体とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6121820A JPH07309669A (ja) | 1994-05-10 | 1994-05-10 | 2粒子分布を持った直接窒化法による低熱伝導窒化珪素焼結体とその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07309669A true JPH07309669A (ja) | 1995-11-28 |
Family
ID=14820747
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6121820A Pending JPH07309669A (ja) | 1994-05-10 | 1994-05-10 | 2粒子分布を持った直接窒化法による低熱伝導窒化珪素焼結体とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07309669A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002284585A (ja) * | 2001-03-26 | 2002-10-03 | Ngk Insulators Ltd | 窒化珪素多孔体及びその製造方法 |
| JP2025026747A (ja) * | 2020-12-15 | 2025-02-21 | 株式会社プロテリアル | 窒化シリコン用グリーンシート、および、窒化シリコン基板 |
-
1994
- 1994-05-10 JP JP6121820A patent/JPH07309669A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002284585A (ja) * | 2001-03-26 | 2002-10-03 | Ngk Insulators Ltd | 窒化珪素多孔体及びその製造方法 |
| WO2002076909A1 (en) * | 2001-03-26 | 2002-10-03 | Ngk Insulators,Ltd. | Porous silicon nitride article and method for production thereof |
| US6869902B2 (en) | 2001-03-26 | 2005-03-22 | Ngk Insulators, Ltd. | Silicon nitride porous body and method of manufacturing the same |
| JP2025026747A (ja) * | 2020-12-15 | 2025-02-21 | 株式会社プロテリアル | 窒化シリコン用グリーンシート、および、窒化シリコン基板 |
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