JPH07311221A - 集積伝送構造 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】損失の少ないストリップラインを、縦にして両
側をグランド層とすることで隣接する線とのクロストー
クを低減し微細間隔に並べた集積伝送構造により、微細
間隔で高精度な信号の伝送を実現すること。 【構成】集積伝送線構造としたフラットケーブルはスト
リップラインを縦にして複数本並べたものであり、スト
リップラインは誘電体１０３の中央に導体１０２があ
り、誘電体１０３の両側にグランド層１０１がある構造
となっている。両側をグランド層１０１とすることで、
複数本並べた時にグランド層がシールドの役目をするた
め、隣接するストリップラインとのクロストークを低減
できる。 【効果】ストリップラインを縦にして両側をグランド層
とし、複数本並べて集積伝送構造とすることで、クロス
トーク，損失を少なく微細間隔に接続でき高精度の測定
を実現することができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体試験装置等の電
子計測装置に好適な微細間隔半導体素子等との接続に関
するものである。

【０００２】

【従来の技術】半導体の試験においては、近年の半導体
集積回路の高集積化にともない、微細間隔の接続と精度
の向上が要求されている。

【０００３】従来での半導体素子を試験する接続の構成
としては「プロシーディングオブアイ・イー・イー・イ
ーインターナショナルテストコンファレンス（１９８８
年９月）第６０１頁から第６０７頁（Ｐｒｏｃ．ＩＥＥ
Ｅ Ｉｎｔｌ．，ｐ６０１−６０７，Ｓｅｐ．１９８
８）」に記載されている技術が知られている。

【０００４】以下この技術を説明する。

【０００５】図４に、この従来技術に係る半導体素子を
試験する接続の構成を示す。

【０００６】図示するように、従来の半導体素子を試験
する接続の構成は、微細間隔に信号線を集めるマイクロ
ストリップライン５、被試験素子と接続するコンタクト
バンプ５２、メンブレン５１よりなる。

【０００７】半導体試験装置からの広い間隔の信号線
を、マイクロストリップライン５によって微細間隔に集
めコンタクトバンプ５２により被試験素子と接続する。
半導体試験装置から試験信号を被試験素子に入力し、そ
の応答信号を半導体試験装置により良否を判定する。

【０００８】この構造だとマイクロストリップライン５
の導体間の幅を狭くするとクロストークが発生してしま
い、クロストークが大きくなると被試験素子の良否を正
しく判定できなくなる。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】半導体素子の高速，高
集積化により微細間隔に信号線を接続し、クロストー
ク，損失を少なく信号を伝送することは必須である。し
かし、近年の半導体集積回路の多ピン化による微細間隔
化を考えた場合、前記従来技術に係る半導体素子への接
続によれば、間隔を狭くするほどクロストークの影響は
避けられない。

【００１０】また、クロストークの少ないものとして同
軸線があるが、同軸線を細く精度良く製造することは難
しいため微細間隔に接続できない。

【００１１】そこで本発明は、幅が狭くてしかもクロス
トーク，損失が少ない信号線を用いて、微細間隔に信号
線を接続して高精度に信号を伝送することを目的とす
る。

【００１２】

【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明は、損失の少ないストリップライン構造を用
いて、そのストリップラインを縦にして両側をグランド
層として隣接する信号線とのクロストークを減らしたも
のを、微細間隔に並べた集積伝送構造を提供する。

【００１３】

【作用】本発明に係るストリップラインの構造より、同
軸線など他の構造のものより損失は少なく、ストリップ
ラインを縦におくことで、両側がグランド層のため隣接
する信号線とのクロストークはグランド層が遮断するこ
とによりクロストークを低減できる。またストリップラ
インは高精度な構造が比較的容易に製造できるため高密
度集積を実現することができる。

【００１４】さらに前記ストリップラインを微細間隔に
並べ、集積伝送構造とすることで、微細間隔の半導体素
子と広い間隔の測定器とを接続し、クロストーク，損失
を少なく信号を伝送することが可能となり高精度の測定
を実現できる。

【００１５】

【実施例】

実施例１ 以下、本発明に係る実施例１を図１を用いて説明する。
図１に本実施例に係る集積伝送構造としたフラットケー
ブルを示す。図示するように集積伝送構造はストリップ
ラインを縦にして複数本並べた構造となっている。

【００１６】ストリップラインは誘電体１０３の中央に
導体１０２があり、誘電体１０３の両側にグランド層１
０１がある構造となっている。従来グランド層１０１が
上下となっているストリップラインを、縦にして両側を
グランド層１０１とすることで、複数本並べた時にグラ
ンド層がシールドの役目をするため、隣接するストリッ
プラインとのクロストークを低減できる。またストリッ
プライン構造とすることで同軸線など他の構造のものよ
り損失は少ない。さらにストリップラインは高精度な構
造が比較的容易に製造できるため特性インピーダンスを
一定に保ったまま高密度集積を実現することができる。

【００１７】前記のストリップラインを用いてフラット
ケーブルとすることにより、微細間隔に接続してクロス
トーク，損失を少なく信号を伝送することが可能とな
る。

【００１８】実施例２ 以下、本発明に係る実施例２を図２を用いて説明する。
図２に本実施例に係る被試験素子と半導体試験装置を接
続した構成を示す。図示するように本実施例に係る被試
験素子と半導体試験装置を接続した構成は、集積伝送構
造となっているストリップライン１、被試験素子１０、
被試験素子１０と複数のストリップライン１を搭載する
ボード２、信号線２１、ストリップライン１と信号線２
１をつなげるコネクタ１１、半導体試験装置２０よりな
る。

【００１９】被試験素子１０に対し、半導体試験装置２
０より試験信号を信号線２１、ストリップライン１を介
して被試験素子１０に入力する。被試験素子１０からの
応答信号を再びストリップライン１、信号線２１を介
し、半導体試験装置２０により良否を判定する。このと
きストリップライン１は、被試験素子１０の良否を正し
く判定するため、実施例１に示したようにクロストーク
や損失が少ない構造となっている。

【００２０】以上のストリップライン１の集積伝送構造
により、半導体試験装置２０と微細間隔の被試験素子１
０とを接続し、クロストークが少なく低損失で信号を伝
送することが可能となる。そのため被試験素子１０を正
しく判定できる。

【００２１】実施例３ 以下、本発明に係る実施例３を図３を用いて説明する。
図示するように複数の基板間に信号線を接続した構成
は、基板３，４、集積伝送構造となっているストリップ
ライン１、ストリップライン１と基板３，４とをつなげ
る微細間隔のコネクタ１２よりなる。

【００２２】基板３から基板４へストリップライン１を
介して信号を送ったり、その逆として信号を受け取った
りして、基板間で信号を伝える。このときストリップラ
イン１は実施例１で示した様にクロストーク，損失が少
ない構造となっており、微細間隔のコネクタ１２に接続
することができ、複数本まとめてつなげるため全体的に
細くすることができる。また微細間隔のコネクタ１２も
小さくできるため基板上で場所をとらず、基板を小さく
することができる。

【００２３】以上により基板間においても微細間隔で接
続し、クロストーク，損失を少なく信号を伝送すること
ができる。

【００２４】

【発明の効果】本発明の効果を図５，図６を用いて説明
する。

【００２５】図５は同軸線と本発明との損失の比較を示
す。グラフより１０［ＧＨｚ］において約３［ｄＢ］本
発明の方が損失が少ない。また周波数が高くなるほど損
失の差が大きくなるため高周波においてより有効である
ことがわかる。

【００２６】図６は本発明のクロストークの影響を示
す。本発明の特徴である隣接する線路間にグランド層が
あるため、同じ間隔でグランド層がないものと比較する
と、約２０［ｄＢ］クロストークを低減できることがわ
かる。

【００２７】以上の様に本発明によれば、微細間隔の半
導体素子等に広い間隔の測定器等からの信号線を接続
し、クロストーク，損失を少なく信号を伝送できるため
半導体試験装置などの高精度化を実現することができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例に係る集積伝送構造のフラッ
トケーブルである。

【図２】本発明の一実施例に係る微細間隔の半導体素子
と接続する集積伝送構造を用いた半導体試験装置の説明
図である。

【図３】本発明の一実施例に係る複数の基板で接続する
集積伝送構造の説明図である。

【図４】従来の半導体素子を試験する接続の構造の説明
図である。

【図５】本発明の効果に係る同軸線との損失比較のグラ
フである。

【図６】本発明の効果に係るクロストークの影響のグラ
フである。

【符号の説明】

１…ストリップライン、２…ボード、３…基板、４…基
板、５…マイクロストリップライン、１０…被試験素
子、１１…コネクタ、１２…コネクタ、２０…半導体試
験装置、２１…信号線、５１…メンブレン、５２…コン
タクトバンプ、１０１…グランド層、２０１…グランド
層、１０２…導体、１０３…誘電体。

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】誘電体の中に１つ以上の導体を有したスト
   リップラインを、縦にして両側をグランド層としたもの
   を、複数本並べて微細間隔に接続することを特徴とした
   集積伝送構造。
2. 【請求項２】誘電体の中に１つ以上の導体を有したスト
   リップラインを、縦にして両側と上下をグランド層とし
   たものを、複数本並べて微細間隔に接続することを特徴
   とした集積伝送構造。
3. 【請求項３】請求項１または２記載のストリップライン
   を適用して、両側をグランド層としたことで隣接する線
   とのクロストークの影響なく並べることができ、微細間
   隔の半導体素子に対して、測定器からの広い間隔の信号
   線を集めて微細間隔に接続することを特徴とする集積伝
   送構造。
4. 【請求項４】請求項３の構成を適用して、半導体素子に
   試験信号を送り、その応答信号の良否を判定することを
   特徴とする半導体試験装置。
5. 【請求項５】請求項１または２記載のストリップライン
   であって、誘電体の中に２つの導体を平行にして置きカ
   プラーとしたことを特徴とする集積伝送構造。
6. 【請求項６】接地用導体と薄い誘電体によって中心導体
   を挟み積層、接着することを特徴とする集積伝送構造の
   製造法。