JPH07312302A - チップ状電子部品 - Google Patents
チップ状電子部品Info
- Publication number
- JPH07312302A JPH07312302A JP6104104A JP10410494A JPH07312302A JP H07312302 A JPH07312302 A JP H07312302A JP 6104104 A JP6104104 A JP 6104104A JP 10410494 A JP10410494 A JP 10410494A JP H07312302 A JPH07312302 A JP H07312302A
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- JP
- Japan
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- layer
- conductive resin
- containing conductive
- chip
- solder
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- Pending
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- Details Of Resistors (AREA)
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 メッキ処理工程を削減もしくは省略して形成
することができ、しかも半田付け性の良好な電極層を備
えたチップ状電子部品を提供する。 【構成】 絶縁性のチップ基体の側面に、Ａｇ含有導電
性樹脂層、Ｎｉ含有導電性樹脂層、及び半田メッキ層も
しくは半田含有導電性樹脂層を順次層状に形成して電極
層を形成した。
することができ、しかも半田付け性の良好な電極層を備
えたチップ状電子部品を提供する。 【構成】 絶縁性のチップ基体の側面に、Ａｇ含有導電
性樹脂層、Ｎｉ含有導電性樹脂層、及び半田メッキ層も
しくは半田含有導電性樹脂層を順次層状に形成して電極
層を形成した。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば抵抗器、コンデ
ンサ、発振子等のチップ状電子部品に関する。
ンサ、発振子等のチップ状電子部品に関する。
【０００２】
【従来の技術】この種のチップ状電子部品は、その側面
に側面電極層が形成されており、プリント基板等に対し
て上記側面電極層を半田付けにより接続して用いられ
る。例えばチップ抵抗器は、図３に断面図を示すよう
に、絶縁基板１１の上面に対向する一対の上面電極層１
２，１２が形成され、上記絶縁基板１１の下面に上記上
面電極層１２，１２と対向するように一対の下面電極層
１３，１３が形成され、上記上面電極層１３，１３に跨
るように抵抗層１４が形成され、該抵抗層１４上に保護
層１５が形成され、上記絶縁基板１１の側面に上記上面
電極層１２，１２と下面電極層１３，１３とを接続する
ように側面電極層１６，１６が形成されるという構成を
有する。そして、上記側面電極層１６，１６上にはニッ
ケルメッキ層１７ａ及び半田メッキ層１７ｂからなるメ
ッキ層１７，１７が形成されている。従来、上記側面電
極層１６，１６は、ガラスをバインダーとしてＡｇ、Ｐ
ｄ等の金属粉を混入させたＡｇペースト、Ａｇ−Ｐｄペ
ーストを印刷し焼成するか、或いはエポキシ樹脂等の熱
硬化性樹脂をバインダーとして上記金属粉を混入させた
導電性樹脂ペーストを印刷し硬化して形成されている。
に側面電極層が形成されており、プリント基板等に対し
て上記側面電極層を半田付けにより接続して用いられ
る。例えばチップ抵抗器は、図３に断面図を示すよう
に、絶縁基板１１の上面に対向する一対の上面電極層１
２，１２が形成され、上記絶縁基板１１の下面に上記上
面電極層１２，１２と対向するように一対の下面電極層
１３，１３が形成され、上記上面電極層１３，１３に跨
るように抵抗層１４が形成され、該抵抗層１４上に保護
層１５が形成され、上記絶縁基板１１の側面に上記上面
電極層１２，１２と下面電極層１３，１３とを接続する
ように側面電極層１６，１６が形成されるという構成を
有する。そして、上記側面電極層１６，１６上にはニッ
ケルメッキ層１７ａ及び半田メッキ層１７ｂからなるメ
ッキ層１７，１７が形成されている。従来、上記側面電
極層１６，１６は、ガラスをバインダーとしてＡｇ、Ｐ
ｄ等の金属粉を混入させたＡｇペースト、Ａｇ−Ｐｄペ
ーストを印刷し焼成するか、或いはエポキシ樹脂等の熱
硬化性樹脂をバインダーとして上記金属粉を混入させた
導電性樹脂ペーストを印刷し硬化して形成されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記従来のチップ状電
子部品における側面電極層１６，１６は、Ａｇ及びガラ
ス、或いはＡｇ及び熱硬化性樹脂のペーストから形成さ
れたものであるために、該側面電極層１６，１６をその
ままにプリント基板に半田付けを行っても満足な合金化
が得られず、上記側面電極層１６，１６と半田との融着
性が不十分で接続不良を生じたり、チップ状電子部品が
プリント基板の所定の位置から脱落したりするのであ
る。そこで、上記側面電極層１６，１６上に下地用のニ
ッケルメッキ層１７ａ及び半田メッキ層１７ｂを順次形
成することにより、半田付け性を得ているのである。
子部品における側面電極層１６，１６は、Ａｇ及びガラ
ス、或いはＡｇ及び熱硬化性樹脂のペーストから形成さ
れたものであるために、該側面電極層１６，１６をその
ままにプリント基板に半田付けを行っても満足な合金化
が得られず、上記側面電極層１６，１６と半田との融着
性が不十分で接続不良を生じたり、チップ状電子部品が
プリント基板の所定の位置から脱落したりするのであ
る。そこで、上記側面電極層１６，１６上に下地用のニ
ッケルメッキ層１７ａ及び半田メッキ層１７ｂを順次形
成することにより、半田付け性を得ているのである。
【０００４】このように、従来のチップ状電子部品にお
ける側面電極層上には半田付けを可能とするためにニッ
ケルメッキ層１７ａ及び半田メッキ層１７ｂを介在させ
ることが不可欠であり、そのために２度のメッキ処理工
程を必要としていた。メッキ処理工程を実施するために
は、大きな設備を必要とし、工程管理が煩わしい等生産
性を低下させる要因を多く含むものである。また、環境
問題に関する廃液処理等の付随設備も必要とされ、製造
コストの大幅な増大を招いている。
ける側面電極層上には半田付けを可能とするためにニッ
ケルメッキ層１７ａ及び半田メッキ層１７ｂを介在させ
ることが不可欠であり、そのために２度のメッキ処理工
程を必要としていた。メッキ処理工程を実施するために
は、大きな設備を必要とし、工程管理が煩わしい等生産
性を低下させる要因を多く含むものである。また、環境
問題に関する廃液処理等の付随設備も必要とされ、製造
コストの大幅な増大を招いている。
【０００５】本発明は、上記メッキ処理工程を簡素化も
しくは省略しても良好な電極層を形成することができる
技術を提供することを技術的課題とするものである。
しくは省略しても良好な電極層を形成することができる
技術を提供することを技術的課題とするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者は、上記技術的
課題を達成すべくなされたもので、次のチップ状電子部
品に係るものである。 チップ基体の側面に電極層を備えたチップ状電子部
品において、上記電極層が、銀含有導電性樹脂層、ニッ
ケル含有導電性樹脂層及び半田メッキ層を順次形成して
なることを特徴とするチップ状電子部品。 チップ基体の側面に電極層を備えたチップ状電子部
品において、上記電極層が、銀含有導電性樹脂層、ニッ
ケル含有導電性樹脂層及び半田含有導電性樹脂層を順次
形成してなることを特徴とするチップ状電子部品。
課題を達成すべくなされたもので、次のチップ状電子部
品に係るものである。 チップ基体の側面に電極層を備えたチップ状電子部
品において、上記電極層が、銀含有導電性樹脂層、ニッ
ケル含有導電性樹脂層及び半田メッキ層を順次形成して
なることを特徴とするチップ状電子部品。 チップ基体の側面に電極層を備えたチップ状電子部
品において、上記電極層が、銀含有導電性樹脂層、ニッ
ケル含有導電性樹脂層及び半田含有導電性樹脂層を順次
形成してなることを特徴とするチップ状電子部品。
【０００７】本発明において、電極層の一部を構成する
銀含有導電性樹脂層におけるＡｇの含有率としては、６
０〜９０重量％程度、好ましくは７０〜８５重量％程度
である。Ａｇの含有率が６０重量％を下回ると電極層と
したときの導電性が低くなり好ましくなく、一方９０重
量％を上回ると電極層としたときの被塗着体に対する密
着性が低くなり好ましくない。上記銀含有導電性樹脂層
は、例えばＡｇ粉末を熱硬化性樹脂及び溶剤と混練した
Ａｇ含有導電性樹脂ペーストを塗着、熱硬化して形成さ
れることができる。このとき、Ａｇ粉末以外にＮｉ、Ａ
ｕ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｐｄ等の導電性粉末を、電極と
しての導電性を必要以上に阻害しない範囲であれば適宜
加えても構わない。
銀含有導電性樹脂層におけるＡｇの含有率としては、６
０〜９０重量％程度、好ましくは７０〜８５重量％程度
である。Ａｇの含有率が６０重量％を下回ると電極層と
したときの導電性が低くなり好ましくなく、一方９０重
量％を上回ると電極層としたときの被塗着体に対する密
着性が低くなり好ましくない。上記銀含有導電性樹脂層
は、例えばＡｇ粉末を熱硬化性樹脂及び溶剤と混練した
Ａｇ含有導電性樹脂ペーストを塗着、熱硬化して形成さ
れることができる。このとき、Ａｇ粉末以外にＮｉ、Ａ
ｕ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｐｄ等の導電性粉末を、電極と
しての導電性を必要以上に阻害しない範囲であれば適宜
加えても構わない。
【０００８】本発明において、電極層の一部を構成する
ニッケル含有導電性樹脂層におけるＮｉの含有率として
は、６０〜９０重量％程度、好ましくは７０〜８５重量
％程度である。Ｎｉの含有率が６０％を下回ると電極層
としたときの導電性が低くなるとともに、半田付け性が
低下して好ましくなく、一方９０％を上回ると上記Ａｇ
含有導電性樹脂層に対する密着性が低くなり好ましくな
い。上記ニッケル含有導電性樹脂層は、例えばＮｉ粉末
を熱硬化性樹脂及び溶剤と混練したＮｉ含有導電性樹脂
ペーストを塗着、熱硬化して形成されることができる。
このとき、Ｎｉ粉末以外にＡｇ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａ
ｌ、Ｐｄ等の導電性粉末を、半田付け性を必要以上に低
下させない範囲であれば適宜加えても構わない。
ニッケル含有導電性樹脂層におけるＮｉの含有率として
は、６０〜９０重量％程度、好ましくは７０〜８５重量
％程度である。Ｎｉの含有率が６０％を下回ると電極層
としたときの導電性が低くなるとともに、半田付け性が
低下して好ましくなく、一方９０％を上回ると上記Ａｇ
含有導電性樹脂層に対する密着性が低くなり好ましくな
い。上記ニッケル含有導電性樹脂層は、例えばＮｉ粉末
を熱硬化性樹脂及び溶剤と混練したＮｉ含有導電性樹脂
ペーストを塗着、熱硬化して形成されることができる。
このとき、Ｎｉ粉末以外にＡｇ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａ
ｌ、Ｐｄ等の導電性粉末を、半田付け性を必要以上に低
下させない範囲であれば適宜加えても構わない。
【０００９】上記銀含有導電性樹脂層及びニッケル含有
導電性樹脂層を形成するときに用いるＡｇ粉末、Ｎｉ粉
末等の導電性粉末の形態としては、例えば、球状、樹枝
状、フレーク状、不定形の何れであってもよく、導電性
を高める点で樹枝状が特に好ましい。また、上記導電性
粉末の平均粒径は、高密度とし導電性を高め得る点で小
さい程好ましく、３０μｍ程度以下、より好ましくは１
〜１０μｍ程度である。
導電性樹脂層を形成するときに用いるＡｇ粉末、Ｎｉ粉
末等の導電性粉末の形態としては、例えば、球状、樹枝
状、フレーク状、不定形の何れであってもよく、導電性
を高める点で樹枝状が特に好ましい。また、上記導電性
粉末の平均粒径は、高密度とし導電性を高め得る点で小
さい程好ましく、３０μｍ程度以下、より好ましくは１
〜１０μｍ程度である。
【００１０】また、上記銀含有導電性樹脂層又はニッケ
ル含有導電性樹脂層を形成するときに用いる熱硬化性樹
脂としては、特に限定されず導電性樹脂に用いられる公
知のものを広く使用でき、より具体的には、例えばエポ
キシ樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール
樹脂等の耐熱性のものを挙げることができ、これらの１
種もしくは２種以上を有効に用いることができる。これ
らの熱硬化性樹脂の中でもエポキシ樹脂が硬化温度及び
耐熱性の点で好ましい。熱硬化性樹脂の配合率として
は、銀含有もしくはニッケル含有導電性樹脂ペーストに
おける溶剤を除く全重量に対して１０〜４０％程度、好
ましくは１０〜２５％程度である。
ル含有導電性樹脂層を形成するときに用いる熱硬化性樹
脂としては、特に限定されず導電性樹脂に用いられる公
知のものを広く使用でき、より具体的には、例えばエポ
キシ樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール
樹脂等の耐熱性のものを挙げることができ、これらの１
種もしくは２種以上を有効に用いることができる。これ
らの熱硬化性樹脂の中でもエポキシ樹脂が硬化温度及び
耐熱性の点で好ましい。熱硬化性樹脂の配合率として
は、銀含有もしくはニッケル含有導電性樹脂ペーストに
おける溶剤を除く全重量に対して１０〜４０％程度、好
ましくは１０〜２５％程度である。
【００１１】上記溶剤としては、上記熱硬化性樹脂を分
散乃至溶解させ、導電性樹脂ペーストを電極層とするた
めの加熱時に蒸発するものであれば特に限定されること
なく使用することができ、具体的には、例えばテルピネ
オール、ブチルカルビトールアセテート、エチレングリ
コールジメチルエーテル等の各種有機溶剤を挙げること
ができる。上記溶剤の配合量は、溶剤の種類、熱硬化性
樹脂の種類及び配合率、混練条件等により異なり、混練
後の導電性樹脂ペーストが塗着可能な範囲の粘度になる
ように調整されるのが好ましい。
散乃至溶解させ、導電性樹脂ペーストを電極層とするた
めの加熱時に蒸発するものであれば特に限定されること
なく使用することができ、具体的には、例えばテルピネ
オール、ブチルカルビトールアセテート、エチレングリ
コールジメチルエーテル等の各種有機溶剤を挙げること
ができる。上記溶剤の配合量は、溶剤の種類、熱硬化性
樹脂の種類及び配合率、混練条件等により異なり、混練
後の導電性樹脂ペーストが塗着可能な範囲の粘度になる
ように調整されるのが好ましい。
【００１２】上記Ａｇ粉末もしくはＮｉ粉末、及び熱硬
化性樹脂は、溶剤により粘度を調整し、ディスパー、ボ
ールミル、３本ロール等により十分に混練されて導電性
樹脂ペーストとされる。上記導電性樹脂ペーストは、例
えば被塗着物に塗着され、一定時間加熱されて熱硬化性
樹脂を硬化させ、その後常温に戻され電極層とされる。
化性樹脂は、溶剤により粘度を調整し、ディスパー、ボ
ールミル、３本ロール等により十分に混練されて導電性
樹脂ペーストとされる。上記導電性樹脂ペーストは、例
えば被塗着物に塗着され、一定時間加熱されて熱硬化性
樹脂を硬化させ、その後常温に戻され電極層とされる。
【００１３】また、上記Ａｇ粉末、Ｎｉ粉末等の導電性
粉末、熱硬化性樹脂及び溶剤以外に、上記導電性粉末の
酸化を防止するための酸化防止剤、フィラー、顔料等の
各種添加剤を得られる電極層の導電性及び半田との融着
性を低減させない範囲で用いてもかまわない。本発明に
おいて、上記ニッケル含有導電性樹脂層上に半田メッキ
層を形成する場合、半田メッキ層は、例えば電気メッ
キ、溶融メッキ、メタリコン、無電解メッキ等の公知の
各種メッキ方法により形成されることができる。
粉末、熱硬化性樹脂及び溶剤以外に、上記導電性粉末の
酸化を防止するための酸化防止剤、フィラー、顔料等の
各種添加剤を得られる電極層の導電性及び半田との融着
性を低減させない範囲で用いてもかまわない。本発明に
おいて、上記ニッケル含有導電性樹脂層上に半田メッキ
層を形成する場合、半田メッキ層は、例えば電気メッ
キ、溶融メッキ、メタリコン、無電解メッキ等の公知の
各種メッキ方法により形成されることができる。
【００１４】また、本発明において上記ニッケル含有導
電性樹脂層上に半田含有導電性樹脂層を形成する場合に
は、該半田含有導電性樹脂層中の半田の含有率として
は、６０〜９０重量％程度、好ましくは７０〜８５重量
％程度である。半田の含有率が６０重量％を下回ると電
極層としたときの導電性が低くなり好ましくなく、一方
９０重量％を上回ると下層に対する密着性が低くなり好
ましくない。上記半田含有導電性樹脂層も、上記銀含有
導電性樹脂層、ニッケル含有導電性樹脂層のときと同
様、半田粉末を熱硬化性樹脂、溶剤等と混練され、半田
含有導電性樹脂ペーストとして塗着、熱硬化して形成さ
れることができる。
電性樹脂層上に半田含有導電性樹脂層を形成する場合に
は、該半田含有導電性樹脂層中の半田の含有率として
は、６０〜９０重量％程度、好ましくは７０〜８５重量
％程度である。半田の含有率が６０重量％を下回ると電
極層としたときの導電性が低くなり好ましくなく、一方
９０重量％を上回ると下層に対する密着性が低くなり好
ましくない。上記半田含有導電性樹脂層も、上記銀含有
導電性樹脂層、ニッケル含有導電性樹脂層のときと同
様、半田粉末を熱硬化性樹脂、溶剤等と混練され、半田
含有導電性樹脂ペーストとして塗着、熱硬化して形成さ
れることができる。
【００１５】
【実施例】以下実施例を示し、本発明の特徴とするとこ
ろをより詳細に説明するが、本発明がこれら実施例に限
定されることはない。 （Ａｇ含有導電性樹脂ペーストの調製）平均粒径５μｍ
のＡｇ粉末とエポキシ樹脂とをＡｇ：エポキシ樹脂＝１
３：３の重量比で配合し、この配合物８０重量％及びテ
ルピネオール２０重量％をディスパーにより十分混練し
てＡｇ含有導電性樹脂ペーストを得た。 （Ｎｉ含有導電性樹脂ペーストの調製）平均粒径５μｍ
のＮｉ粉末とエポキシ樹脂とをＮｉ：エポキシ樹脂＝１
３：３の重量比で配合し、この配合物を８０重量％及び
テルピネオール２０重量％をディスパーにより十分混練
してＮｉ含有導電性樹脂ペーストを得た。 （半田含有導電性樹脂ペーストの調製）平均粒径５μｍ
の半田粉末とエポキシ樹脂とをＮｉ：エポキシ樹脂＝１
３：３の重量比で配合し、この配合物を８０重量％及び
テルピネオール２０重量％をディスパーにより十分混練
して半田含有導電性樹脂ペーストを得た。 （電極層の形成及び評価）電極層をチップ抵抗器におけ
る側面電極層として評価した。 （実施例１）図１及び図２に斜視図及び断面図を示すよ
うに、矩形板状のアルミナ基板１の上面の両側部に対向
する一対のＡｇ−ガラス系の上面電極層２，２を形成
し、上記アルミナ基板１の下面に、上記上面電極層２，
２とアルミナ基板１を挟んで対向するように一対のＡｇ
−ガラス系の下面電極層３，３を形成し、上記上面電極
層２，２に跨るように抵抗層４を形成し、該抵抗層を覆
い且つ上記上面電極層２，２のアルミナ基板１の側部側
を露出するようにガラス保護層５を形成した。そして、
上記Ａｇ含有導電性樹脂ペーストを、上記上面電極層２
及び下面電極層３を部分的に覆うように、上記アルミナ
基板１の両側面に塗着させ、熱風循環式トンネル型乾燥
炉にてピーク温度１２０℃で７分間の条件で予備乾燥を
行った。次いで、上記Ａｇ含有導電性樹脂ペーストを予
備乾燥した層上に、上記Ｎｉ含有導電性樹脂ペーストを
塗着し、上記と同じ条件で予備乾燥を行った後、熱風循
環式トンネル型乾燥炉にてピーク温度２００℃で６０分
間の条件で硬化させ、層厚１０μｍ程度のＡｇ含有導電
性樹脂層６，６及び層厚１０μｍ程度のＮｉ含有導電性
樹脂層７，７を形成した。次に、電気メッキ法により上
記Ｎｉ含有導電性樹脂層７，７上に層厚１０μｍ程度の
半田メッキ層８，８を形成した。このようにして、上面
電極層２，２と下面電極層３，３とを接続する側面電極
層９，９を形成した。
ろをより詳細に説明するが、本発明がこれら実施例に限
定されることはない。 （Ａｇ含有導電性樹脂ペーストの調製）平均粒径５μｍ
のＡｇ粉末とエポキシ樹脂とをＡｇ：エポキシ樹脂＝１
３：３の重量比で配合し、この配合物８０重量％及びテ
ルピネオール２０重量％をディスパーにより十分混練し
てＡｇ含有導電性樹脂ペーストを得た。 （Ｎｉ含有導電性樹脂ペーストの調製）平均粒径５μｍ
のＮｉ粉末とエポキシ樹脂とをＮｉ：エポキシ樹脂＝１
３：３の重量比で配合し、この配合物を８０重量％及び
テルピネオール２０重量％をディスパーにより十分混練
してＮｉ含有導電性樹脂ペーストを得た。 （半田含有導電性樹脂ペーストの調製）平均粒径５μｍ
の半田粉末とエポキシ樹脂とをＮｉ：エポキシ樹脂＝１
３：３の重量比で配合し、この配合物を８０重量％及び
テルピネオール２０重量％をディスパーにより十分混練
して半田含有導電性樹脂ペーストを得た。 （電極層の形成及び評価）電極層をチップ抵抗器におけ
る側面電極層として評価した。 （実施例１）図１及び図２に斜視図及び断面図を示すよ
うに、矩形板状のアルミナ基板１の上面の両側部に対向
する一対のＡｇ−ガラス系の上面電極層２，２を形成
し、上記アルミナ基板１の下面に、上記上面電極層２，
２とアルミナ基板１を挟んで対向するように一対のＡｇ
−ガラス系の下面電極層３，３を形成し、上記上面電極
層２，２に跨るように抵抗層４を形成し、該抵抗層を覆
い且つ上記上面電極層２，２のアルミナ基板１の側部側
を露出するようにガラス保護層５を形成した。そして、
上記Ａｇ含有導電性樹脂ペーストを、上記上面電極層２
及び下面電極層３を部分的に覆うように、上記アルミナ
基板１の両側面に塗着させ、熱風循環式トンネル型乾燥
炉にてピーク温度１２０℃で７分間の条件で予備乾燥を
行った。次いで、上記Ａｇ含有導電性樹脂ペーストを予
備乾燥した層上に、上記Ｎｉ含有導電性樹脂ペーストを
塗着し、上記と同じ条件で予備乾燥を行った後、熱風循
環式トンネル型乾燥炉にてピーク温度２００℃で６０分
間の条件で硬化させ、層厚１０μｍ程度のＡｇ含有導電
性樹脂層６，６及び層厚１０μｍ程度のＮｉ含有導電性
樹脂層７，７を形成した。次に、電気メッキ法により上
記Ｎｉ含有導電性樹脂層７，７上に層厚１０μｍ程度の
半田メッキ層８，８を形成した。このようにして、上面
電極層２，２と下面電極層３，３とを接続する側面電極
層９，９を形成した。
【００１６】次に、斯くして得られたチップ抵抗器を、
プリント基板に２００〜２５０℃で半田付けにより実装
した。その結果、上記チップ抵抗器は、その側面電極層
９，９と半田との融着性に極めて優れたものであった。 （実施例２）上記実施例１と同様にして、チップ抵抗器
におけるアルミナ基板１の両側面にＡｇ含有導電性樹脂
ペーストを塗着して予備乾燥し、更にその上にＮｉ含有
導電性樹脂ペーストを塗着して予備乾燥した。次いで、
このＡｇ含有導電性樹脂ペースト及びＮｉ含有導電性樹
脂ペーストを予備乾燥した層上に、上記半田含有導電性
樹脂ペーストを塗着し、同様に予備乾燥した。その後、
熱風循環式トンネル型乾燥炉にてピーク温度２００℃で
６０分間の条件で硬化させ、Ａｇ含有導電性樹脂層６，
６、Ｎｉ含有導電性樹脂層７，７及び層厚１０μｍ程度
の半田含有導電性樹脂層を形成した。このようにして上
記３層からなる上面電極層２，２と下面電極層３，３と
を電気的に接続する側面電極層を形成したチップ抵抗器
を得た。この得られたチップ抵抗器を、上記実施例１に
おけるのと同様にしてプリント基板に半田付けを行った
ところ、極めて良好な半田付け性を有することが判っ
た。
プリント基板に２００〜２５０℃で半田付けにより実装
した。その結果、上記チップ抵抗器は、その側面電極層
９，９と半田との融着性に極めて優れたものであった。 （実施例２）上記実施例１と同様にして、チップ抵抗器
におけるアルミナ基板１の両側面にＡｇ含有導電性樹脂
ペーストを塗着して予備乾燥し、更にその上にＮｉ含有
導電性樹脂ペーストを塗着して予備乾燥した。次いで、
このＡｇ含有導電性樹脂ペースト及びＮｉ含有導電性樹
脂ペーストを予備乾燥した層上に、上記半田含有導電性
樹脂ペーストを塗着し、同様に予備乾燥した。その後、
熱風循環式トンネル型乾燥炉にてピーク温度２００℃で
６０分間の条件で硬化させ、Ａｇ含有導電性樹脂層６，
６、Ｎｉ含有導電性樹脂層７，７及び層厚１０μｍ程度
の半田含有導電性樹脂層を形成した。このようにして上
記３層からなる上面電極層２，２と下面電極層３，３と
を電気的に接続する側面電極層を形成したチップ抵抗器
を得た。この得られたチップ抵抗器を、上記実施例１に
おけるのと同様にしてプリント基板に半田付けを行った
ところ、極めて良好な半田付け性を有することが判っ
た。
【００１７】以上、チップ抵抗器に適用した場合を例に
説明したが、本発明はこれに限定されることなく、チッ
プ型の積層セラミックコンデンサ、固体電解コンデン
サ、発振子等の、半田付けに供される電極層を有するチ
ップ状電子部品に広く適用されるものである。
説明したが、本発明はこれに限定されることなく、チッ
プ型の積層セラミックコンデンサ、固体電解コンデン
サ、発振子等の、半田付けに供される電極層を有するチ
ップ状電子部品に広く適用されるものである。
【００１８】
【発明の作用及び効果】本発明において、銀含有導電性
樹脂層、ニッケル含有導電性樹脂層及び半田メッキ層を
順次形成して電極層とするときは、上記銀含有導電性樹
脂層における銀は、その高い導電性により電気的コンタ
クトを良好にし得、またニッケル含有導電性樹脂層は、
上記銀含有導電性樹脂層を覆うように形成することで、
プリント基板等に対して半田付けする場合に銀含有導電
性樹脂層中の銀が半田中に取り込まれて銀含有導電性樹
脂層の電気的コンタクトが不安定になることを効果的に
防止するものである。また、上記半田メッキ層は、電極
層の表面層として設けられ半田濡れ性を向上して半田付
けを容易とするのである。このようにしてなる電極層
は、その形成過程において、メッキ処理工程を半田メッ
キのみとすることができ、生産性の向上を図れるととも
にチップ状電子部品の製造設備の省スペース化を図るこ
とができる。
樹脂層、ニッケル含有導電性樹脂層及び半田メッキ層を
順次形成して電極層とするときは、上記銀含有導電性樹
脂層における銀は、その高い導電性により電気的コンタ
クトを良好にし得、またニッケル含有導電性樹脂層は、
上記銀含有導電性樹脂層を覆うように形成することで、
プリント基板等に対して半田付けする場合に銀含有導電
性樹脂層中の銀が半田中に取り込まれて銀含有導電性樹
脂層の電気的コンタクトが不安定になることを効果的に
防止するものである。また、上記半田メッキ層は、電極
層の表面層として設けられ半田濡れ性を向上して半田付
けを容易とするのである。このようにしてなる電極層
は、その形成過程において、メッキ処理工程を半田メッ
キのみとすることができ、生産性の向上を図れるととも
にチップ状電子部品の製造設備の省スペース化を図るこ
とができる。
【００１９】また、本発明において、銀含有導電性樹脂
層、ニッケル含有導電性樹脂層及び半田含有導電性樹脂
層を順次形成して電極層とするときは、メッキ処理工程
を完全に省略でき、チップ状電子部品の製造工程を容易
にし得、生産性を一層向上でき、更に設備の一層の省ス
ペース化及び製造コストの低減を図ることができる。以
上のように、本発明によれば、メッキ処理工程を簡素化
もしくは省略しても良好な半田付け性を有する電極層を
得ることができるのである。
層、ニッケル含有導電性樹脂層及び半田含有導電性樹脂
層を順次形成して電極層とするときは、メッキ処理工程
を完全に省略でき、チップ状電子部品の製造工程を容易
にし得、生産性を一層向上でき、更に設備の一層の省ス
ペース化及び製造コストの低減を図ることができる。以
上のように、本発明によれば、メッキ処理工程を簡素化
もしくは省略しても良好な半田付け性を有する電極層を
得ることができるのである。
【図１】本発明の実施例におけるチップ抵抗器を示す斜
視図である。
視図である。
【図２】図１のチップ抵抗器のＸ−Ｘ断面図である。
【図３】従来のチップ抵抗器を示す断面図である。
１ アルミナ基板 ２ 上面電極層 ３ 下面電極層 ４ 抵抗層 ５ 保護層 ６ 銀含有導電性樹脂層 ７ ニッケル含有導電性樹脂層 ８ 半田メッキ層 ９ 側面電極層
Claims (2)
- 【請求項１】 チップ基体の側面に電極層を備えたチッ
プ状電子部品において、上記電極層が、銀含有導電性樹
脂層、ニッケル含有導電性樹脂層及び半田メッキ層を順
次形成してなることを特徴とするチップ状電子部品。 - 【請求項２】 チップ基体の側面に電極層を備えたチッ
プ状電子部品において、上記電極層が、銀含有導電性樹
脂層、ニッケル含有導電性樹脂層及び半田含有導電性樹
脂層を順次形成してなることを特徴とするチップ状電子
部品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6104104A JPH07312302A (ja) | 1994-05-18 | 1994-05-18 | チップ状電子部品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6104104A JPH07312302A (ja) | 1994-05-18 | 1994-05-18 | チップ状電子部品 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07312302A true JPH07312302A (ja) | 1995-11-28 |
Family
ID=14371818
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6104104A Pending JPH07312302A (ja) | 1994-05-18 | 1994-05-18 | チップ状電子部品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07312302A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002019347A1 (en) * | 2000-08-30 | 2002-03-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Resistor and production method therefor |
| US6853074B2 (en) | 1999-12-27 | 2005-02-08 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Electronic part, an electronic part mounting element and a process for manufacturing such the articles |
| JP2018032670A (ja) * | 2016-08-22 | 2018-03-01 | Koa株式会社 | チップ部品、チップ部品の実装構造、チップ抵抗器の製造方法 |
-
1994
- 1994-05-18 JP JP6104104A patent/JPH07312302A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6853074B2 (en) | 1999-12-27 | 2005-02-08 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Electronic part, an electronic part mounting element and a process for manufacturing such the articles |
| US7151306B2 (en) | 1999-12-27 | 2006-12-19 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Electronic part, and electronic part mounting element and an process for manufacturing such the articles |
| WO2002019347A1 (en) * | 2000-08-30 | 2002-03-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Resistor and production method therefor |
| US7057490B2 (en) | 2000-08-30 | 2006-06-06 | Matsushita Electric Industrial Co. Ltd. | Resistor and production method therefor |
| JP2018032670A (ja) * | 2016-08-22 | 2018-03-01 | Koa株式会社 | チップ部品、チップ部品の実装構造、チップ抵抗器の製造方法 |
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