JPH07312362A - ドライエッチング装置 - Google Patents
ドライエッチング装置Info
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- JPH07312362A JPH07312362A JP10240394A JP10240394A JPH07312362A JP H07312362 A JPH07312362 A JP H07312362A JP 10240394 A JP10240394 A JP 10240394A JP 10240394 A JP10240394 A JP 10240394A JP H07312362 A JPH07312362 A JP H07312362A
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- clamp ring
- plasma
- etching
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Abstract
(57)【要約】
【目的】被処理物を電極上に押圧固定するクランプリン
グ部材を有するドライエッチング装置であって、真空容
器内に発生するプラズマによるクランプリング部材表面
の帯電を抑制でき、これにより被処理物のエッチングレ
ートの面内均一性を向上させることができるドライエッ
チング装置を提供する。 【構成】エッチング用ガスを電力印加によりプラズマ化
させ、該プラズマの下で被処理物をエッチングするドラ
イエッチング装置において、被処理物Ｓ１を電力印加電
極を兼ねるホルダ２に押圧固定するための、電気絶縁性
材料からなる、又は電気的にフローティングされたクラ
ンプリング部材８と、クランプリング部材８を被処理物
固定位置又は被処理物の搬入搬出に支障の無い位置へ移
動させるクランプリング部材駆動手段９と、クランプリ
ング部材８のプラズマに対向する面を覆い、自身の表面
電位が固定された遮蔽手段４とを備えているドライエッ
チング装置。
グ部材を有するドライエッチング装置であって、真空容
器内に発生するプラズマによるクランプリング部材表面
の帯電を抑制でき、これにより被処理物のエッチングレ
ートの面内均一性を向上させることができるドライエッ
チング装置を提供する。 【構成】エッチング用ガスを電力印加によりプラズマ化
させ、該プラズマの下で被処理物をエッチングするドラ
イエッチング装置において、被処理物Ｓ１を電力印加電
極を兼ねるホルダ２に押圧固定するための、電気絶縁性
材料からなる、又は電気的にフローティングされたクラ
ンプリング部材８と、クランプリング部材８を被処理物
固定位置又は被処理物の搬入搬出に支障の無い位置へ移
動させるクランプリング部材駆動手段９と、クランプリ
ング部材８のプラズマに対向する面を覆い、自身の表面
電位が固定された遮蔽手段４とを備えているドライエッ
チング装置。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、エッチング用ガスを電
力印加によりプラズマ化させ、該プラズマの下で、例え
ば半導体デバイス基板のような被処理物をドライエッチ
ングするドライエッチング装置に関する。
力印加によりプラズマ化させ、該プラズマの下で、例え
ば半導体デバイス基板のような被処理物をドライエッチ
ングするドライエッチング装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】エッチング用ガスを電力印加によりプラ
ズマ化させ、該プラズマの下で被処理物をエッチングす
るドライエッチング処理は、例えば半導体を利用した薄
膜トランジスタ、ＬＳＩ、太陽電池等の各種デバイスを
製造するにあたり、基体上に形成された金属膜を配線パ
ターン、電極パターン等を残してエッチングしたり、基
体上に形成された半導体膜を所定パターンを残してエッ
チングしたりすること等に広く利用されている。
ズマ化させ、該プラズマの下で被処理物をエッチングす
るドライエッチング処理は、例えば半導体を利用した薄
膜トランジスタ、ＬＳＩ、太陽電池等の各種デバイスを
製造するにあたり、基体上に形成された金属膜を配線パ
ターン、電極パターン等を残してエッチングしたり、基
体上に形成された半導体膜を所定パターンを残してエッ
チングしたりすること等に広く利用されている。
【０００３】前記のドライエッチング処理は、例えば図
２に示す反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）に用いる平
行平板型のエッチング装置を用いて行われる。このエッ
チング装置は、真空容器１を備え、その中には、エッチ
ング対象膜を形成した基体Ｓ２を設置する基体ホルダを
兼ねる電極２及び電極２に対向配置された電極３を備え
ている。
２に示す反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）に用いる平
行平板型のエッチング装置を用いて行われる。このエッ
チング装置は、真空容器１を備え、その中には、エッチ
ング対象膜を形成した基体Ｓ２を設置する基体ホルダを
兼ねる電極２及び電極２に対向配置された電極３を備え
ている。
【０００４】電極２は、電極３との間に導入されるエッ
チング用ガスに高周波電力や直流電力を印加してプラズ
マ化させるための電力印加電極として使用され、図示の
例ではマッチングボックス２１を介して高周波電源２２
に接続されている。電極３は接地電極であり、電極の一
部を構成するガスノズル３１の開口部に多孔電極板３２
を設けたもので、電極板３２には直径０．５ｍｍ程度の
ガス供給孔を多数形成してあり、ガスノズル３１から供
給されるガスが該孔から両電極間に全体的に放出される
ようになっている。
チング用ガスに高周波電力や直流電力を印加してプラズ
マ化させるための電力印加電極として使用され、図示の
例ではマッチングボックス２１を介して高周波電源２２
に接続されている。電極３は接地電極であり、電極の一
部を構成するガスノズル３１の開口部に多孔電極板３２
を設けたもので、電極板３２には直径０．５ｍｍ程度の
ガス供給孔を多数形成してあり、ガスノズル３１から供
給されるガスが該孔から両電極間に全体的に放出される
ようになっている。
【０００５】真空容器１はまた、電極２上に基体Ｓ２を
保持するために、電極２上に載置される基体Ｓ２の周縁
部を電極２に押圧固定するためのリング形状のクランプ
リング部材８と、該クランプリング部材８を基体Ｓ２固
定位置又は基体Ｓ２の搬入搬出に支障の無い位置へ選択
的に移動させる駆動装置９を備えている。装置９はこの
例ではピストンシリンダ装置からなっている。ピストン
シリンダ装置９は通常、一台設けられ、そのピストンロ
ッド９１がクランプリング部材８の一部に連結され、シ
リンダ９２は真空容器１に固定されている。
保持するために、電極２上に載置される基体Ｓ２の周縁
部を電極２に押圧固定するためのリング形状のクランプ
リング部材８と、該クランプリング部材８を基体Ｓ２固
定位置又は基体Ｓ２の搬入搬出に支障の無い位置へ選択
的に移動させる駆動装置９を備えている。装置９はこの
例ではピストンシリンダ装置からなっている。ピストン
シリンダ装置９は通常、一台設けられ、そのピストンロ
ッド９１がクランプリング部材８の一部に連結され、シ
リンダ９２は真空容器１に固定されている。
【０００６】真空容器１には、さらに、開閉弁を介して
排気ポンプを接続してなる排気装置７が接続されている
とともに、前記ガスノズル３１にはガス供給部６を配管
接続してある。ガス供給部６には、１又は２以上のマス
フローコントローラ６１１、６１２・・・・及び開閉弁
６２１、６２２・・・・を介して所要量のエッチング用
ガスを供給するガス源６３１、６３２・・・・が含まれ
ている。
排気ポンプを接続してなる排気装置７が接続されている
とともに、前記ガスノズル３１にはガス供給部６を配管
接続してある。ガス供給部６には、１又は２以上のマス
フローコントローラ６１１、６１２・・・・及び開閉弁
６２１、６２２・・・・を介して所要量のエッチング用
ガスを供給するガス源６３１、６３２・・・・が含まれ
ている。
【０００７】このエッチング装置によると、クランプリ
ング部材８がピストンシリンダ装置９にて電極２から上
昇後退せしめられた状態で、エッチング対象基体Ｓ２が
容器１内の高周波電極２上に設置され、その後、クラン
プリング部材８がピストンシリンダ装置９により下降せ
しめられて基体Ｓ２の周縁部が電極２に押圧固定され
る。次いで、ガス供給部６からエッチング用ガスがノズ
ル３１及び電極板３２のガス供給孔を介して導入され、
該容器１内が排気装置７の運転にて所定エッチング真空
度とされる。また、電極２に高周波電源２２から高周波
電圧が印加され、それによって導入されたガスがプラズ
マ化され、このプラズマの下に基体Ｓ２上の膜がエッチ
ングされる。なお、電極２は、必要に応じ、水冷装置２
０等の温度制御装置で温度制御されることもある。
ング部材８がピストンシリンダ装置９にて電極２から上
昇後退せしめられた状態で、エッチング対象基体Ｓ２が
容器１内の高周波電極２上に設置され、その後、クラン
プリング部材８がピストンシリンダ装置９により下降せ
しめられて基体Ｓ２の周縁部が電極２に押圧固定され
る。次いで、ガス供給部６からエッチング用ガスがノズ
ル３１及び電極板３２のガス供給孔を介して導入され、
該容器１内が排気装置７の運転にて所定エッチング真空
度とされる。また、電極２に高周波電源２２から高周波
電圧が印加され、それによって導入されたガスがプラズ
マ化され、このプラズマの下に基体Ｓ２上の膜がエッチ
ングされる。なお、電極２は、必要に応じ、水冷装置２
０等の温度制御装置で温度制御されることもある。
【０００８】このように基体をクランプ機構により基体
ホルダに固定する構造を持つドライエッチング装置にお
いては、一般にクランプリング部材８の駆動装置９部分
は接地電位の真空容器等に取り付けられる。しかし、基
体ホルダを兼ねる電極２には高周波電力や直流電力が印
加されるため、電極２とクランプリング部材８とは互い
に絶縁しておく必要がある。このため、クランプリング
部材８の材質をアルミナ等のセラミックや樹脂等の電気
絶縁性材料で形成したり、クランプリング部材８の材質
が金属等の導電性のものであるときには電極２とクラン
プリング部材８との間及び駆動装置９とクランプリング
部材８との間に絶縁体を介在させる等してクランプリン
グ部材８を電気的にフローテイイング状態としておく。
ホルダに固定する構造を持つドライエッチング装置にお
いては、一般にクランプリング部材８の駆動装置９部分
は接地電位の真空容器等に取り付けられる。しかし、基
体ホルダを兼ねる電極２には高周波電力や直流電力が印
加されるため、電極２とクランプリング部材８とは互い
に絶縁しておく必要がある。このため、クランプリング
部材８の材質をアルミナ等のセラミックや樹脂等の電気
絶縁性材料で形成したり、クランプリング部材８の材質
が金属等の導電性のものであるときには電極２とクラン
プリング部材８との間及び駆動装置９とクランプリング
部材８との間に絶縁体を介在させる等してクランプリン
グ部材８を電気的にフローテイイング状態としておく。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うにクランプリング部材８が電気絶縁性材料からなる、
又は電気的にフローテイングされている場合、図３に例
示するように、発生したプラズマＰ中のイオンや電子の
作用を受けてクランプリング部材８のプラズマＰに臨む
表面部分が帯電する。この表面電荷によりプラズマシー
スＰＳが歪められ、その結果、エッチングレートの面内
不均一性が生じる。即ち、図３の例では基体Ｓ２（図示
例では板体）からプラズマシースＰＳまでの距離が基体
の周縁部ほど大きくなり、エッチングレートは、基板中
心部に比べて周縁部で遅くなる。このような現象はエッ
チング真空度が５０ｍＴｏｒｒ以下の低圧力の場合に顕
著であり、酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）膜やＩＴＯ（Indi
um Tin Oxide) 膜をエッチングする場合に問題となる。
うにクランプリング部材８が電気絶縁性材料からなる、
又は電気的にフローテイングされている場合、図３に例
示するように、発生したプラズマＰ中のイオンや電子の
作用を受けてクランプリング部材８のプラズマＰに臨む
表面部分が帯電する。この表面電荷によりプラズマシー
スＰＳが歪められ、その結果、エッチングレートの面内
不均一性が生じる。即ち、図３の例では基体Ｓ２（図示
例では板体）からプラズマシースＰＳまでの距離が基体
の周縁部ほど大きくなり、エッチングレートは、基板中
心部に比べて周縁部で遅くなる。このような現象はエッ
チング真空度が５０ｍＴｏｒｒ以下の低圧力の場合に顕
著であり、酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）膜やＩＴＯ（Indi
um Tin Oxide) 膜をエッチングする場合に問題となる。
【００１０】そこで本発明は、被処理物をそのホルダを
兼ねる電極上に押圧固定するクランプリング部材を有す
るドライエッチング装置であって、真空容器内に発生す
るプラズマによる該クランプリング部材表面の帯電を抑
制でき、これにより被処理物のエッチングレートの面内
均一性を向上させることができるドライエッチング装置
を提供することを課題とする。
兼ねる電極上に押圧固定するクランプリング部材を有す
るドライエッチング装置であって、真空容器内に発生す
るプラズマによる該クランプリング部材表面の帯電を抑
制でき、これにより被処理物のエッチングレートの面内
均一性を向上させることができるドライエッチング装置
を提供することを課題とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に本発明者は研究を重ね、プラズマシースの形状は対向
する面の電位の作用を強く受けるため、プラズマシース
の歪みを抑制するには前記クランプリング部材の表面部
分のプラズマによる帯電を抑制すればよいことを見出し
た。
に本発明者は研究を重ね、プラズマシースの形状は対向
する面の電位の作用を強く受けるため、プラズマシース
の歪みを抑制するには前記クランプリング部材の表面部
分のプラズマによる帯電を抑制すればよいことを見出し
た。
【００１２】前記知見に基づき本発明のドライエッチン
グ装置は、エッチング用ガスを電力印加によりプラズマ
化させ、該プラズマの下で被処理物をエッチングするド
ライエッチング装置において、被処理物を電力印加電極
を兼ねるホルダに押圧固定するための、電気絶縁性材料
からなる、又は電気的にフローテイングされたクランプ
リング部材と、前記クランプリング部材を被処理物固定
位置又は被処理物の搬入搬出に支障無い位置へ移動させ
るクランプリング部材駆動手段と、前記クランプリング
部材の前記プラズマに対向する面を覆い、自身の表面電
位が固定された遮蔽手段とを備えていることを特徴とす
る。
グ装置は、エッチング用ガスを電力印加によりプラズマ
化させ、該プラズマの下で被処理物をエッチングするド
ライエッチング装置において、被処理物を電力印加電極
を兼ねるホルダに押圧固定するための、電気絶縁性材料
からなる、又は電気的にフローテイングされたクランプ
リング部材と、前記クランプリング部材を被処理物固定
位置又は被処理物の搬入搬出に支障無い位置へ移動させ
るクランプリング部材駆動手段と、前記クランプリング
部材の前記プラズマに対向する面を覆い、自身の表面電
位が固定された遮蔽手段とを備えていることを特徴とす
る。
【００１３】前記クランプリング部材の材質として用い
られる電気絶縁性材料としては、アルミナ等のセラミッ
クや樹脂、石英ガラス等を例示することができる。ま
た、前記クランプリング部材の本体材質が導体等である
場合は、前記絶縁性材料からなるスペーサーを前記クラ
ンプリング部材本体と被処理物及びホルダの間並びにク
ランプリング部材本体とクランプリング部材駆動手段の
間に介在させる等してクランプリング部材を電気的にフ
ローテイング状態とすることが考えられる。
られる電気絶縁性材料としては、アルミナ等のセラミッ
クや樹脂、石英ガラス等を例示することができる。ま
た、前記クランプリング部材の本体材質が導体等である
場合は、前記絶縁性材料からなるスペーサーを前記クラ
ンプリング部材本体と被処理物及びホルダの間並びにク
ランプリング部材本体とクランプリング部材駆動手段の
間に介在させる等してクランプリング部材を電気的にフ
ローテイング状態とすることが考えられる。
【００１４】また、前記遮蔽手段は、固定電位に接続さ
れる導体からなる遮蔽物で覆うようにしたものや、前記
クランプリング部材表面に被覆された導電性膜を固定電
位に接続するもの等が考えられる。前記遮蔽手段は、代
表的には固定電位である接地電位に直接接続することが
考えられるが、その他抵抗を介して接地したり、並列に
接続した直流電源及びコンデンサを介して接地したりし
てもよく、このときプラズマシースの歪みをより精密に
制御しつつ抑制することができる。
れる導体からなる遮蔽物で覆うようにしたものや、前記
クランプリング部材表面に被覆された導電性膜を固定電
位に接続するもの等が考えられる。前記遮蔽手段は、代
表的には固定電位である接地電位に直接接続することが
考えられるが、その他抵抗を介して接地したり、並列に
接続した直流電源及びコンデンサを介して接地したりし
てもよく、このときプラズマシースの歪みをより精密に
制御しつつ抑制することができる。
【００１５】
【作用】本発明のドライエッチング装置によると、電気
絶縁性材料からなる、又は電気的にフローテイングされ
たクランプリング部材の帯電を抑制する遮蔽手段を備え
ていることにより、発生したプラズマ中のイオンや電子
の作用を受けて、該クランプリング部材のプラズマに臨
む表面部分が該プラズマにより帯電するのが抑制され
る。これにより、該表面部分が従来のように帯電すれば
発生する、プラズマシースの歪みが抑制されて、エッチ
ングレートの面内均一性が向上する。
絶縁性材料からなる、又は電気的にフローテイングされ
たクランプリング部材の帯電を抑制する遮蔽手段を備え
ていることにより、発生したプラズマ中のイオンや電子
の作用を受けて、該クランプリング部材のプラズマに臨
む表面部分が該プラズマにより帯電するのが抑制され
る。これにより、該表面部分が従来のように帯電すれば
発生する、プラズマシースの歪みが抑制されて、エッチ
ングレートの面内均一性が向上する。
【００１６】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。図１は本発明の１実施例であるＲＩＥ（反応性イ
オンエッチング）に用いるドライエッチング装置であ
る。この装置は図２に示す従来のＲＩＥ装置においてク
ランプリング部材８上方に、クランプリング部材８上面
を覆う幅を有し、クランプリング部材８の上面に加えて
外周面及び内周面の一部も覆えるように、断面がコの字
型となった、リング状の導電性プレート４が設置された
ものである。プレート４はシリンダ９２を介して接地電
位となっているピストンロッド９２に接続され、支持さ
れており、クランプリング部材８と共に昇降する。すな
わち、プレート４は接地されており、固定電位となって
いる。その他の構成は図２に示す従来装置と同様であ
り、エッチング動作も同様である。同じ部品については
同じ参照符号を付してある。
する。図１は本発明の１実施例であるＲＩＥ（反応性イ
オンエッチング）に用いるドライエッチング装置であ
る。この装置は図２に示す従来のＲＩＥ装置においてク
ランプリング部材８上方に、クランプリング部材８上面
を覆う幅を有し、クランプリング部材８の上面に加えて
外周面及び内周面の一部も覆えるように、断面がコの字
型となった、リング状の導電性プレート４が設置された
ものである。プレート４はシリンダ９２を介して接地電
位となっているピストンロッド９２に接続され、支持さ
れており、クランプリング部材８と共に昇降する。すな
わち、プレート４は接地されており、固定電位となって
いる。その他の構成は図２に示す従来装置と同様であ
り、エッチング動作も同様である。同じ部品については
同じ参照符号を付してある。
【００１７】このエッチング装置によると、クランプリ
ング部材８のプラズマに臨む部分が接地電位に接続され
た導電性のプレート４で覆われているため、プレート４
による静電遮蔽効果で、クランプリング部材８表面部分
が帯電するのが抑制され、プラズマシースの歪みが抑制
されて、その結果エッチングレートの面内均一性が向上
する。
ング部材８のプラズマに臨む部分が接地電位に接続され
た導電性のプレート４で覆われているため、プレート４
による静電遮蔽効果で、クランプリング部材８表面部分
が帯電するのが抑制され、プラズマシースの歪みが抑制
されて、その結果エッチングレートの面内均一性が向上
する。
【００１８】なお、ここではプレート４を直接接地して
いるが、抵抗を介して接地したり、直流電源を介して接
地したりしてもよく、その他プレート４に代えてクラン
プリング部材８表面を導電性膜で被覆し、該膜を接地等
しても構わない。次に、図１に示すＲＩＥ装置を用いた
反応性ドライエッチングの具体例について説明する。
いるが、抵抗を介して接地したり、直流電源を介して接
地したりしてもよく、その他プレート４に代えてクラン
プリング部材８表面を導電性膜で被覆し、該膜を接地等
しても構わない。次に、図１に示すＲＩＥ装置を用いた
反応性ドライエッチングの具体例について説明する。
【００１９】プレート４の材質としてアルミニウムを採
用した。先ず、表面に厚さ０．１２μｍのＩＴＯ膜を形
成し、その上にレジストにてエッチングパターンを描い
た基体Ｓ１を容器１内に搬入し、電極２上に載置したの
ち、クランプリング部材８により基体Ｓ１の周縁部を電
極２に押圧固定した。その後、容器１内を２０ｍＴｏｒ
ｒの真空度とし、容器１内にメタン（ＣＨ4 ）ガス及び
水素（Ｈ2 ）ガスを各々２５ｓｃｃｍ及び６０ｓｃｃｍ
の流量で導入すると同時に、高周波電極２に周波数１
３．５６ＭＨｚの高周波電力を電力２００Ｗで印可して
前記ガスをプラズマ化させ、該プラズマの下で基体Ｓ１
上のＩＴＯ膜をエッチングした。
用した。先ず、表面に厚さ０．１２μｍのＩＴＯ膜を形
成し、その上にレジストにてエッチングパターンを描い
た基体Ｓ１を容器１内に搬入し、電極２上に載置したの
ち、クランプリング部材８により基体Ｓ１の周縁部を電
極２に押圧固定した。その後、容器１内を２０ｍＴｏｒ
ｒの真空度とし、容器１内にメタン（ＣＨ4 ）ガス及び
水素（Ｈ2 ）ガスを各々２５ｓｃｃｍ及び６０ｓｃｃｍ
の流量で導入すると同時に、高周波電極２に周波数１
３．５６ＭＨｚの高周波電力を電力２００Ｗで印可して
前記ガスをプラズマ化させ、該プラズマの下で基体Ｓ１
上のＩＴＯ膜をエッチングした。
【００２０】同様のエッチングを基体Ｓ１を替えて繰り
返したところ、エッチングレートの面内均一性は±４％
であった。一方、比較例としてプレート４を採用しない
図２に示すＲＩＥ装置を用い、その他の条件は前記本発
明例と同様にして同じ基体Ｓ１を替えてエッチングを繰
り返したところ、エッチングレートの面内均一性は±１
４％であった。
返したところ、エッチングレートの面内均一性は±４％
であった。一方、比較例としてプレート４を採用しない
図２に示すＲＩＥ装置を用い、その他の条件は前記本発
明例と同様にして同じ基体Ｓ１を替えてエッチングを繰
り返したところ、エッチングレートの面内均一性は±１
４％であった。
【００２１】なお、本発明はＲＩＥ装置だけでなく、Ｅ
ＣＲやマグネトロンエッチング装置等にも適用できる。
ＣＲやマグネトロンエッチング装置等にも適用できる。
【００２２】
【発明の効果】以上説明したように本発明によると、被
処理物をそのホルダを兼ねる電極上に押圧固定するクラ
ンプリング部材を有するドライエッチング装置であっ
て、真空容器内に発生するプラズマによる該クランプリ
ング部材表面の帯電を抑制でき、これにより被処理物の
エッチングレートの面内均一性を向上させることがで
き、その結果歩留りを向上させることができるドライエ
ッチング装置が得られる。
処理物をそのホルダを兼ねる電極上に押圧固定するクラ
ンプリング部材を有するドライエッチング装置であっ
て、真空容器内に発生するプラズマによる該クランプリ
ング部材表面の帯電を抑制でき、これにより被処理物の
エッチングレートの面内均一性を向上させることがで
き、その結果歩留りを向上させることができるドライエ
ッチング装置が得られる。
【図１】本発明の１実施例である反応性イオンエッチン
グ（ＲＩＥ）装置の概略構成を示す図である。
グ（ＲＩＥ）装置の概略構成を示す図である。
【図２】従来のドライエッチング装置例の概略構成を示
す図である。
す図である。
【図３】従来装置における、クランプリング部材の帯電
によるプラズマシースの歪みを説明する図である。
によるプラズマシースの歪みを説明する図である。
１ 真空容器 ２ 基体ホルダ兼高周波電極 ２０ 水冷装置 ２１ マッチングボックス ２２ 高周波電源 ３ 接地電極 ３１ ガスノズル ３２ 多孔電極板 ４ プレート ６ エッチング用ガス供給部 ７ 排気装置 ８ クランプリング部材 ９ ピストンシリンダ装置 ９１ ピストンロッド ９２ シリンダ Ｓ１、Ｓ２ 基体
Claims (1)
- 【請求項１】 エッチング用ガスを電力印加によりプラ
ズマ化させ、該プラズマの下で被処理物をエッチングす
るドライエッチング装置において、被処理物を電力印加
電極を兼ねるホルダに押圧固定するための、電気絶縁性
材料からなる、又は電気的にフローテイングされたクラ
ンプリング部材と、前記クランプリング部材を被処理物
固定位置又は被処理物の搬入搬出に支障の無い位置へ移
動させるクランプリング部材駆動手段と、前記クランプ
リング部材の前記プラズマに対向する面を覆い、自身の
表面電位が固定された遮蔽手段とを備えていることを特
徴とするドライエッチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10240394A JPH07312362A (ja) | 1994-05-17 | 1994-05-17 | ドライエッチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10240394A JPH07312362A (ja) | 1994-05-17 | 1994-05-17 | ドライエッチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07312362A true JPH07312362A (ja) | 1995-11-28 |
Family
ID=14326486
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10240394A Withdrawn JPH07312362A (ja) | 1994-05-17 | 1994-05-17 | ドライエッチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07312362A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6613481B2 (en) | 1998-03-09 | 2003-09-02 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Hologram film having identification information recorded thereon and method for manufacturing the same |
| KR100596329B1 (ko) * | 2004-07-02 | 2006-07-06 | 주식회사 에이디피엔지니어링 | 플라즈마 처리장치의 접지수단 |
| KR100646104B1 (ko) * | 2004-07-02 | 2006-11-15 | 주식회사 에이디피엔지니어링 | 접지장치 |
| CN100373547C (zh) * | 2003-01-07 | 2008-03-05 | 旺宏电子股份有限公司 | 沉积室的部件结构 |
| JP2015146464A (ja) * | 2011-03-14 | 2015-08-13 | プラズマ − サーム、エルエルシー | 半導体ウェーハをプラズマ・ダイシングする方法及び装置 |
-
1994
- 1994-05-17 JP JP10240394A patent/JPH07312362A/ja not_active Withdrawn
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US6613481B2 (en) | 1998-03-09 | 2003-09-02 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Hologram film having identification information recorded thereon and method for manufacturing the same |
| US7229720B2 (en) | 1998-03-09 | 2007-06-12 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Hologram film having identification information recorded thereon and method for manufacturing the same |
| CN100373547C (zh) * | 2003-01-07 | 2008-03-05 | 旺宏电子股份有限公司 | 沉积室的部件结构 |
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| JP2015146464A (ja) * | 2011-03-14 | 2015-08-13 | プラズマ − サーム、エルエルシー | 半導体ウェーハをプラズマ・ダイシングする方法及び装置 |
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