JPH07312377A - 半導体チップの実装方法と実装装置 - Google Patents
半導体チップの実装方法と実装装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 熱硬化性接着剤を用いて半導体チップをフェ
イスダウン実装する方法とそのための装置に関し、実装
の信頼性を向上させる。 【構成】 基板1の半導体チップ実装部に接着剤3を貼
着し、基板1の局部加熱によって接着剤3の予備加熱を
行い、接着剤3の硬化温度に加熱した半導体チップ4を
基板1の半導体チップ実装部に押圧し、接着剤3を硬化
させる。接着剤3の硬化温度に半導体チップ4を加熱す
る圧着ヘッド6の下面には半導体チップ吸着手段が設け
られ、加熱体11が上下動自在手段12を介してヘッド6よ
り垂下し、半導体チップ4が接着剤3に接する前に加熱
体11が基板1に当接するように構成する。
イスダウン実装する方法とそのための装置に関し、実装
の信頼性を向上させる。 【構成】 基板1の半導体チップ実装部に接着剤3を貼
着し、基板1の局部加熱によって接着剤3の予備加熱を
行い、接着剤3の硬化温度に加熱した半導体チップ4を
基板1の半導体チップ実装部に押圧し、接着剤3を硬化
させる。接着剤3の硬化温度に半導体チップ4を加熱す
る圧着ヘッド6の下面には半導体チップ吸着手段が設け
られ、加熱体11が上下動自在手段12を介してヘッド6よ
り垂下し、半導体チップ4が接着剤3に接する前に加熱
体11が基板1に当接するように構成する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は半導体チップの実装方法
とそのための実装装置、特に、加熱圧着ヘッドを用いて
ガラス基板に半導体チップを実装させる方法とその装置
に関する。
とそのための実装装置、特に、加熱圧着ヘッドを用いて
ガラス基板に半導体チップを実装させる方法とその装置
に関する。
【0002】製品サイズの小型,薄型化に伴って、その
製品に使用する半導体チップの実装方法、例えば一対の
ガラス基板の間に液晶を充填した液晶表示パネルにパネ
ル駆動用の半導体チップを実装する方法として、チップ
・オン・グラス(COG)方式、即ち、接着剤を用い半
導体チップをパネル構成済みのガラス基板にフェイスダ
ウン実装する方式、が採用されるようになった。
製品に使用する半導体チップの実装方法、例えば一対の
ガラス基板の間に液晶を充填した液晶表示パネルにパネ
ル駆動用の半導体チップを実装する方法として、チップ
・オン・グラス(COG)方式、即ち、接着剤を用い半
導体チップをパネル構成済みのガラス基板にフェイスダ
ウン実装する方式、が採用されるようになった。
【0003】
【従来の技術】図7は回路基板に半導体チップをフェイ
スダウン実装する従来方法の説明図である。
スダウン実装する従来方法の説明図である。
【0004】熱硬化性接着剤を用いて半導体チップを回
路基板にフェイスダウン実装する一般的な方法を示す図
7(a) 〜(c) において、多数の導体端子2を形成した回
路基板1の表面に接着剤3を貼着し、半導体チップ4に
形成した多数のバンプ5と端子2との位置合わせをした
のち、加熱圧着ヘッド6を用いて半導体チップ4のバン
プ5を回路基板1の端子2に押圧し、20〜30秒程度
経過し接着剤3が硬化した状態でヘッド6を除去し、半
導体チップ4のフェイスダウン実装が完了する。
路基板にフェイスダウン実装する一般的な方法を示す図
7(a) 〜(c) において、多数の導体端子2を形成した回
路基板1の表面に接着剤3を貼着し、半導体チップ4に
形成した多数のバンプ5と端子2との位置合わせをした
のち、加熱圧着ヘッド6を用いて半導体チップ4のバン
プ5を回路基板1の端子2に押圧し、20〜30秒程度
経過し接着剤3が硬化した状態でヘッド6を除去し、半
導体チップ4のフェイスダウン実装が完了する。
【0005】かかる半導体チップ4の実装方法におい
て、半導体チップ4の本体より突出するバンプ5と、回
路基板1の半導体チップ搭載面より突出する端子2との
間の接着剤3は、半導体チップ4の押圧力によって押し
退けられ、硬化した接着剤3はバンプ5と端子2との電
気的接続を維持すると共に、回路基板1と半導体チップ
4との機械的接合を維持する。
て、半導体チップ4の本体より突出するバンプ5と、回
路基板1の半導体チップ搭載面より突出する端子2との
間の接着剤3は、半導体チップ4の押圧力によって押し
退けられ、硬化した接着剤3はバンプ5と端子2との電
気的接続を維持すると共に、回路基板1と半導体チップ
4との機械的接合を維持する。
【0006】一般に接着剤3は熱硬化性であり、例えば
エポキシ系の熱硬化性接着剤3は170℃〜200℃程
度で硬化させる。そのとき回路基板1は、半導体チップ
4→バンプ5→端子2および半導体チップ4→接着剤3
を介して加熱される。
エポキシ系の熱硬化性接着剤3は170℃〜200℃程
度で硬化させる。そのとき回路基板1は、半導体チップ
4→バンプ5→端子2および半導体チップ4→接着剤3
を介して加熱される。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】半導体チップ4の前記
実装方法において、回路基板1がガラス基板であり、そ
のガラス基板1が液晶表示パネルを構成したものである
とき、表示パネルに充填した液晶およびガラス基板1に
被着した偏向膜は200℃以上に加熱できない。従っ
て、半導体チップ4をフェイスダウン実装するとき、ガ
ラス基板1は室温であった。
実装方法において、回路基板1がガラス基板であり、そ
のガラス基板1が液晶表示パネルを構成したものである
とき、表示パネルに充填した液晶およびガラス基板1に
被着した偏向膜は200℃以上に加熱できない。従っ
て、半導体チップ4をフェイスダウン実装するとき、ガ
ラス基板1は室温であった。
【0008】そのため、半導体チップ4を介して20秒
〜30秒程度の加熱で硬化する接着剤3は、半導体チッ
プ4に接する部分とガラス基板1に接する部分との間に
温度差が発生する。
〜30秒程度の加熱で硬化する接着剤3は、半導体チッ
プ4に接する部分とガラス基板1に接する部分との間に
温度差が発生する。
【0009】半導体チップ4の実装時における接着剤3
の温度差を示す図8において、実線Aは半導体チップ4
に接する部分の温度上昇特性、実線Bはガラス基板1に
接する部分の温度上昇特性であり、30秒程度経過し接
着剤3が硬化した時点で、基板1に接する部分の接着剤
3の温度は、半導体チップ4に接する部分より20〜3
0℃程度低くなる。
の温度差を示す図8において、実線Aは半導体チップ4
に接する部分の温度上昇特性、実線Bはガラス基板1に
接する部分の温度上昇特性であり、30秒程度経過し接
着剤3が硬化した時点で、基板1に接する部分の接着剤
3の温度は、半導体チップ4に接する部分より20〜3
0℃程度低くなる。
【0010】接着剤3の前記温度差は、接着剤3の流動
性むら,硬化進行むらを招き、その結果図9に示す如
く、硬化を完了した接着剤3の内部に気泡7が生じ易
い。かかる気泡7は、半導体チップ4の実装に対する信
頼性を低下せしめ、加速試験時に半導体チップ4の接続
断の要因になった。
性むら,硬化進行むらを招き、その結果図9に示す如
く、硬化を完了した接着剤3の内部に気泡7が生じ易
い。かかる気泡7は、半導体チップ4の実装に対する信
頼性を低下せしめ、加速試験時に半導体チップ4の接続
断の要因になった。
【0011】なお、液晶表示パネルに実装する半導体チ
ップ4の大きさは、現在、3mm×17mm〜1mm×10mm
程度であり、小型の半導体チップ4を使用した接着剤3
の前記温度差は比較的小さくなるが、気泡7をなくすこ
とができない。
ップ4の大きさは、現在、3mm×17mm〜1mm×10mm
程度であり、小型の半導体チップ4を使用した接着剤3
の前記温度差は比較的小さくなるが、気泡7をなくすこ
とができない。
【0012】
【課題を解決するための手段】図1は本発明の基本構成
の説明図である。熱硬化性接着剤を用いて半導体チップ
を基板にフェイスダウン実装したとき、硬化した接着剤
内に気泡が生じないようにする本発明方法は、図1
(a)に示す如く、半導体チップ実装用の導体端子2を
形成し半導体チップ実装用の熱硬化性接着剤3を貼着し
たガラス基板1の局部、即ち半導体チップ実装部の周辺
部を加熱体11で加熱し、ガラス基板1を介して接着剤
3の予備加熱を行なう。
の説明図である。熱硬化性接着剤を用いて半導体チップ
を基板にフェイスダウン実装したとき、硬化した接着剤
内に気泡が生じないようにする本発明方法は、図1
(a)に示す如く、半導体チップ実装用の導体端子2を
形成し半導体チップ実装用の熱硬化性接着剤3を貼着し
たガラス基板1の局部、即ち半導体チップ実装部の周辺
部を加熱体11で加熱し、ガラス基板1を介して接着剤
3の予備加熱を行なう。
【0013】次いで、半導体チップ4に形成したバンプ
5と端子2との位置合わせを行なったのち、図1(b)
に示す如く、半導体チップ4を下面に吸着し半導体チッ
プ4を接着剤3の硬化温度に加熱する加熱圧着ヘッド6
を使用し、半導体チップ4のバンプ5を基板1の端子2
に押圧する。
5と端子2との位置合わせを行なったのち、図1(b)
に示す如く、半導体チップ4を下面に吸着し半導体チッ
プ4を接着剤3の硬化温度に加熱する加熱圧着ヘッド6
を使用し、半導体チップ4のバンプ5を基板1の端子2
に押圧する。
【0014】そこで、接着剤3が硬化してからヘッド6
を除くと、図1(c)に示す如く半導体チップ4のフェ
イスダウン実装が完了する。基板1の予備加熱体11を
具えた半導体チップ実装装置要部の基本構成例は図1
(d)に示す如く、下面に半導体チップ4を吸着する加
熱圧着ヘッド6から、上下動自在手段(例えばばね)1
2を介して基板予備加熱体11が垂下し、加圧シリンダ
10の動作によってヘッド6を降下動させたとき、ヘッド
6によって加熱された加熱体11が基板1に接したの
ち、ヘッド6によって加熱された半導体チップ4が接着
剤3に接するように、加熱体11の垂下量を設定する。
を除くと、図1(c)に示す如く半導体チップ4のフェ
イスダウン実装が完了する。基板1の予備加熱体11を
具えた半導体チップ実装装置要部の基本構成例は図1
(d)に示す如く、下面に半導体チップ4を吸着する加
熱圧着ヘッド6から、上下動自在手段(例えばばね)1
2を介して基板予備加熱体11が垂下し、加圧シリンダ
10の動作によってヘッド6を降下動させたとき、ヘッド
6によって加熱された加熱体11が基板1に接したの
ち、ヘッド6によって加熱された半導体チップ4が接着
剤3に接するように、加熱体11の垂下量を設定する。
【0015】
【作用】以上説明したように本発明は、加熱体11が基
板1の半導体チップ実装部(所要局部)を加熱し、局部
加熱された基板1が接着剤3を予備加熱したのち、半導
体チップ4が接着剤3をその硬化温度に加熱する。
板1の半導体チップ実装部(所要局部)を加熱し、局部
加熱された基板1が接着剤3を予備加熱したのち、半導
体チップ4が接着剤3をその硬化温度に加熱する。
【0016】従って、全体を加熱できない基板1例えば
液晶表示パネルを構成するガラス基板1に半導体チップ
4をフェイスダウン実装するとき、接着剤3の硬化時に
おける温度差を抑制し、従来方法において発生した気泡
7をなくすことができるようになる。
液晶表示パネルを構成するガラス基板1に半導体チップ
4をフェイスダウン実装するとき、接着剤3の硬化時に
おける温度差を抑制し、従来方法において発生した気泡
7をなくすことができるようになる。
【0017】その結果、半導体チップ4のフェイスダウ
ン実装に対し、高い信頼性を確保できるようになった。
ン実装に対し、高い信頼性を確保できるようになった。
【0018】
【実施例】図2は本発明の第1の実施例における装置の
主要構成の説明図、図3は図2に示す装置の動作説明
図、図4は本発明の第2の実施例における装置の主要構
成の説明図、図5は本発明の第3の実施例に係わる基板
予備加熱体の説明図、図6は本発明の第4の実施例にお
ける装置の主要構成の説明図である。
主要構成の説明図、図3は図2に示す装置の動作説明
図、図4は本発明の第2の実施例における装置の主要構
成の説明図、図5は本発明の第3の実施例に係わる基板
予備加熱体の説明図、図6は本発明の第4の実施例にお
ける装置の主要構成の説明図である。
【0019】図2において、上下動する加圧シリンダ1
0の下面にはヒータを内蔵した加熱圧着ヘッド6を装着
する。ヘッド6の下面には、半導体チップ4を真空吸着
する吸気孔(吸着手段)が開口し、ヘッド6の側面には
半導体チップ4を囲う枠型の基板予備加熱用ヘッド14
を設ける。
0の下面にはヒータを内蔵した加熱圧着ヘッド6を装着
する。ヘッド6の下面には、半導体チップ4を真空吸着
する吸気孔(吸着手段)が開口し、ヘッド6の側面には
半導体チップ4を囲う枠型の基板予備加熱用ヘッド14
を設ける。
【0020】予備加熱用ヘッド14は、断面がほぼコ字
形即ち下向き開口が窄まるコ字形断面の枠型基体15,
上部が基体15のコ字形内に嵌合し下端部が基体15よ
り突出する基板加熱体16,基体15のコ字形内に収納
され加熱体16を常時下方に付勢する耐熱性弾性ゴム
(上下動自在手段)17からなる。なお、弾性ゴム17
は他の弾性体例えばコイルばねに置き換え可能である。
形即ち下向き開口が窄まるコ字形断面の枠型基体15,
上部が基体15のコ字形内に嵌合し下端部が基体15よ
り突出する基板加熱体16,基体15のコ字形内に収納
され加熱体16を常時下方に付勢する耐熱性弾性ゴム
(上下動自在手段)17からなる。なお、弾性ゴム17
は他の弾性体例えばコイルばねに置き換え可能である。
【0021】図1の加熱体11に相当しヒータを内蔵し
ない加熱体16は、基体15を介して加熱圧着ヘッド6
により、例えば150℃程度に加熱されるようになる。
図3において、多数の導体端子2を形成したガラス基板
1の表面に、シート状の接着剤3を貼着し(80℃,1
秒程度)、半導体チップ4に形成した多数のバンプ5と
基板端子2との位置合わせをしたのち、加圧シリンダ1
0の降下動によって、加熱された基板加熱体16の下面
を基板1の表面に数十秒程度だけ接触させる。
ない加熱体16は、基体15を介して加熱圧着ヘッド6
により、例えば150℃程度に加熱されるようになる。
図3において、多数の導体端子2を形成したガラス基板
1の表面に、シート状の接着剤3を貼着し(80℃,1
秒程度)、半導体チップ4に形成した多数のバンプ5と
基板端子2との位置合わせをしたのち、加圧シリンダ1
0の降下動によって、加熱された基板加熱体16の下面
を基板1の表面に数十秒程度だけ接触させる。
【0022】すると、加熱体16の熱が基板1に伝播
し、基板1の半導体チップ実装部を接着剤3の硬化が著
しく進まない程度の適当な温度、例えば120℃程度に
加熱されるようになる。
し、基板1の半導体チップ実装部を接着剤3の硬化が著
しく進まない程度の適当な温度、例えば120℃程度に
加熱されるようになる。
【0023】次いで、弾性ゴム17が圧縮されるように
加圧シリンダ10をさらに降下せしめ、バンプ5が端子
2に当接した状態で数十秒程度維持せしめ接着剤3を硬
化させたのち、ヘッド6の半導体チップ吸着力を解除し
加圧シリンダ10を上昇させると、接着剤3内に気泡を
発生させることなく、半導体チップ4のフェイスダウン
実装が完了する。
加圧シリンダ10をさらに降下せしめ、バンプ5が端子
2に当接した状態で数十秒程度維持せしめ接着剤3を硬
化させたのち、ヘッド6の半導体チップ吸着力を解除し
加圧シリンダ10を上昇させると、接着剤3内に気泡を
発生させることなく、半導体チップ4のフェイスダウン
実装が完了する。
【0024】図4において、下面に半導体チップ4を真
空吸着する加熱圧着ヘッド6の側面には、図1の加熱体
11に相当する金具(加熱体)21が垂下する。そし
て、上下方向に長さを有する長孔22が設けられた金具
21は、長孔(上下動自在手段)22が上下動自在に嵌
合するねじ23によってヘッド6の側面に垂下し、それ
自体の重量によって長孔22の長さだけ上下動自在であ
る。
空吸着する加熱圧着ヘッド6の側面には、図1の加熱体
11に相当する金具(加熱体)21が垂下する。そし
て、上下方向に長さを有する長孔22が設けられた金具
21は、長孔(上下動自在手段)22が上下動自在に嵌
合するねじ23によってヘッド6の側面に垂下し、それ
自体の重量によって長孔22の長さだけ上下動自在であ
る。
【0025】そして、圧着ヘッド6によって加熱される
金具21は加熱体16と同様に、接着剤3に気泡を生じ
ない半導体チップ4のフェイスダウン実装を可能にす
る。図5において、本発明方法に係わるガラス基板局部
加熱用シート(加熱体)31は、通電による発熱シート
を一対の絶縁フィルムで挟んだものであり、ガラス基板
1の半導体チップ実装部に搭載し使用する。
金具21は加熱体16と同様に、接着剤3に気泡を生じ
ない半導体チップ4のフェイスダウン実装を可能にす
る。図5において、本発明方法に係わるガラス基板局部
加熱用シート(加熱体)31は、通電による発熱シート
を一対の絶縁フィルムで挟んだものであり、ガラス基板
1の半導体チップ実装部に搭載し使用する。
【0026】図6の実施例は、シート31を圧着ヘッド
6に装着し、シート31を上下動自在かつヘッド6の上
下動によって、基板1を介する接着剤3を予備加熱し、
半導体チップ4をフェイスダウン実装するようにした構
成例である。
6に装着し、シート31を上下動自在かつヘッド6の上
下動によって、基板1を介する接着剤3を予備加熱し、
半導体チップ4をフェイスダウン実装するようにした構
成例である。
【0027】圧着ヘッド6の側面より垂下し上下動自在
な一対の金具21にシート31を装着した実施例である
図6の装置は、加熱圧着ヘッド6からの熱伝動を利用し
た加熱体16または金具21により基板1の貼着接着剤
3を予備加熱する方式より、接着剤3の予備加熱効率が
よい、即ち予備加熱の所要時間を短縮できる。
な一対の金具21にシート31を装着した実施例である
図6の装置は、加熱圧着ヘッド6からの熱伝動を利用し
た加熱体16または金具21により基板1の貼着接着剤
3を予備加熱する方式より、接着剤3の予備加熱効率が
よい、即ち予備加熱の所要時間を短縮できる。
【0028】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、基板に半
導体チップをフェイスダウン実装した接着剤の気泡をな
くし、フェイスダウン実装に対し高い信頼性を確保でき
るようにした。
導体チップをフェイスダウン実装した接着剤の気泡をな
くし、フェイスダウン実装に対し高い信頼性を確保でき
るようにした。
【図1】 本発明の基本構成の説明図
【図2】 本発明の第1の実施例における装置の主要構
成の説明図
成の説明図
【図3】 図2に示す装置の動作説明図
【図4】 本発明の第2の実施例における装置の主要構
成の説明図
成の説明図
【図5】 本発明の第3の実施例に係わる基板予備加熱
体の説明図
体の説明図
【図6】 本発明の第4の実施例における装置の主要構
成の説明図
成の説明図
【図7】 半導体チップをフェイスダウン実装する従来
方法の説明図
方法の説明図
【図8】 従来方法による半導体チップ実装時の接着剤
の温度分布図
の温度分布図
【図9】 従来方法による接着剤内部に発生する気泡の
説明図
説明図
1 半導体チップ実装基板 2 導体端子 3 熱硬化性接着剤 4 半導体チップ 5 バンプ 6 加熱圧着ヘッド 11,16 基板局部を加熱する加熱体 12 上下動自在手段 17 弾性ゴム(上下動自在手段) 21 金具(加熱体) 22 長孔(上下動自在手段) 31 加熱シート(加熱体)
Claims (6)
- 【請求項1】 熱硬化性接着剤(3) を用いて半導体チッ
プ(4) を基板(1) にフェイスダウン実装するに際し、該
基板(1) の半導体チップ実装部に該接着剤(3) を貼着
し、該基板(1) の局部加熱によって該接着剤(3) の予備
加熱を行い、該半導体チップ(4) を該基板(1) の半導体
チップ実装部に押圧し、該接着剤(3) を硬化温度に加熱
して硬化させること、を特徴とする半導体チップの実装
方法。 - 【請求項2】 前記基板(1) の局部加熱は、前記半導体
チップ(4) 実装部の周囲に当接する加熱体(11,31) によ
りなされること、を特徴とする請求項1記載の半導体チ
ップの実装方法。 - 【請求項3】 前記基板(1) を局部加熱する加熱体(11)
が、前記半導体チップ(4) を前記接着剤(3) の硬化温度
に加熱した該基板(1) に向けて押圧する加熱圧着ヘッド
(6) により加熱されること、を特徴とする請求項2記載
の半導体チップの実装方法。 - 【請求項4】 前記基板(1) を局部加熱する加熱体(31)
が、該基板(1) を局部加熱するヒータを内蔵すること、
を特徴とする請求項2記載の半導体チップの実装方法。 - 【請求項5】 請求項2記載の加熱体(11)が前記加熱圧
着ヘッド(6) より上下動自在に垂下し、該加熱圧着ヘッ
ド(6) により加熱された前記半導体チップ(4) が前記接
着剤(3) に接するのに先立って該加熱体(11)が該基板
(1) に接すること、を特徴とする請求項2記載の半導体
チップの実装方法。 - 【請求項6】 熱硬化性接着剤(3) を用いて半導体チッ
プ(4) を基板(1) にフェイスダウン実装するに際し、該
接着剤(3) の硬化温度に半導体チップ(4) を加熱する前
記加熱圧着ヘッド(6) の下面には該半導体チップ(4) を
吸着する手段が設けられ、該半導体チップ(4) の前記実
装部周囲に当接する前記加熱体(11,31) が上下動自在手
段(12)を介して該加熱圧着ヘッド(6) より垂下し、該加
熱圧着ヘッド(6) に吸着した該半導体チップ(4) が該接
着剤(3) に接する前に該加熱体(11)が該基板(1) に当接
するように構成したこと、を特徴とする半導体チップの
実装装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6105109A JPH07312377A (ja) | 1994-05-19 | 1994-05-19 | 半導体チップの実装方法と実装装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6105109A JPH07312377A (ja) | 1994-05-19 | 1994-05-19 | 半導体チップの実装方法と実装装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07312377A true JPH07312377A (ja) | 1995-11-28 |
Family
ID=14398685
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6105109A Withdrawn JPH07312377A (ja) | 1994-05-19 | 1994-05-19 | 半導体チップの実装方法と実装装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07312377A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2023166848A (ja) * | 2022-05-10 | 2023-11-22 | 株式会社Fuji | 電気回路形成方法、および電気回路形成装置 |
-
1994
- 1994-05-19 JP JP6105109A patent/JPH07312377A/ja not_active Withdrawn
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