JPH0731316B2 - 光シヤツタアレイ - Google Patents
光シヤツタアレイInfo
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- JPH0731316B2 JPH0731316B2 JP31360686A JP31360686A JPH0731316B2 JP H0731316 B2 JPH0731316 B2 JP H0731316B2 JP 31360686 A JP31360686 A JP 31360686A JP 31360686 A JP31360686 A JP 31360686A JP H0731316 B2 JPH0731316 B2 JP H0731316B2
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- Japan
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- groove
- shutter
- electrode
- grooves
- shutter array
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 この発明は、電気光学効果を有する物質を用い、複数の
シャッタエレメントを１次元状に配列・形成した光シャ
ッタアレイに関する。
シャッタエレメントを１次元状に配列・形成した光シャ
ッタアレイに関する。
従来の技術 従来、この種の光シャッタアレイは、カー定数の大きい
PLZTを用い、そのウエハの表面に電極パターンを形成す
ることにより構成されていた（平面電極型）。しかし、
クロストークを惹起するストレー容量の存在や駆動電圧
が高いこと等の欠点のため、最近では、シャッタエレメ
ントとを立体にし、その対向面に電極を設けたいわゆる
平行電界型の構造が、例えば特開昭60−159722号公報や
特開昭60−170828号公報等で提案されている。
PLZTを用い、そのウエハの表面に電極パターンを形成す
ることにより構成されていた（平面電極型）。しかし、
クロストークを惹起するストレー容量の存在や駆動電圧
が高いこと等の欠点のため、最近では、シャッタエレメ
ントとを立体にし、その対向面に電極を設けたいわゆる
平行電界型の構造が、例えば特開昭60−159722号公報や
特開昭60−170828号公報等で提案されている。
特開昭60−159722号公報の技術は、予め接続用の電極を
パターニングしたガラス基板の上に、対向電極を形成し
た棒状のPLZTを接着し、これをダイヤモンドカッターに
より一定のピッチで切断して光シャッタアレイとするも
のである。もう一つの特開昭60−170828号公報の技術
は、フォトリソグラフィー技術を用いるもので、平板状
のPLZTを化学エッチングして電極配設部の溝を形成し、
次いで全面に電極用の金属を蒸着し、その後所定の電極
パターン，構造となるように再度フォトリソグラフィー
技術によるエッチング工程を経て光シャッタアレイとす
るものである。
パターニングしたガラス基板の上に、対向電極を形成し
た棒状のPLZTを接着し、これをダイヤモンドカッターに
より一定のピッチで切断して光シャッタアレイとするも
のである。もう一つの特開昭60−170828号公報の技術
は、フォトリソグラフィー技術を用いるもので、平板状
のPLZTを化学エッチングして電極配設部の溝を形成し、
次いで全面に電極用の金属を蒸着し、その後所定の電極
パターン，構造となるように再度フォトリソグラフィー
技術によるエッチング工程を経て光シャッタアレイとす
るものである。
発明が解決しようとする問題点 しかしながら、上記前者の技術は、極めて複雑な製作工
程を経るという問題があり、他方、後者の技術も、製作
工程が複雑であり、また化学エッチングによる溝形成で
あるのでこの溝の深さを深くできず（実施例では約２μ
ｍ）、シャッタ駆動の観点から低電圧化が困難な問題が
ある。
程を経るという問題があり、他方、後者の技術も、製作
工程が複雑であり、また化学エッチングによる溝形成で
あるのでこの溝の深さを深くできず（実施例では約２μ
ｍ）、シャッタ駆動の観点から低電圧化が困難な問題が
ある。
また、シャッタ駆動において、望ましいシャッタ効果を
得るためには、立体のシャッタエレメントにかかる電界
を均一にする必要があるが、製作工程との兼ね合いで、
電界を形成する電極（立体電極）の構造をどのようにす
るかが問題となる。
得るためには、立体のシャッタエレメントにかかる電界
を均一にする必要があるが、製作工程との兼ね合いで、
電界を形成する電極（立体電極）の構造をどのようにす
るかが問題となる。
この発明は、低電圧駆動可能で製作が容易、しかも望ま
しいシャッタ効果を有する光シャッタアレイを提供する
ことを目的とする。
しいシャッタ効果を有する光シャッタアレイを提供する
ことを目的とする。
問題点を解決するための手段 この発明の光シャッタアレイは、電気光学効果を有する
長尺の板状体に、その長手方向に沿って設けられ、底面
及び側面に断続的に電極薄膜を有する第１の溝と、この
第１の溝の底面に該第１の溝と平行に設けられ、底面及
び側面に連続的に電極薄膜を有する第２の溝と、前記第
１の溝から所定の距離をおいて該第１の溝と平行に設け
られ、底面及び側面に断続的に電極薄膜を有する第３の
溝と、前記板状体の幅にわたって所定のピッチで多数設
けられた第４の溝とを備えて前記第1,第3,第４の溝によ
り囲まれた凸部がシャッタエレメントを形成し、下記の
条件を満足することを特徴とするものである。
長尺の板状体に、その長手方向に沿って設けられ、底面
及び側面に断続的に電極薄膜を有する第１の溝と、この
第１の溝の底面に該第１の溝と平行に設けられ、底面及
び側面に連続的に電極薄膜を有する第２の溝と、前記第
１の溝から所定の距離をおいて該第１の溝と平行に設け
られ、底面及び側面に断続的に電極薄膜を有する第３の
溝と、前記板状体の幅にわたって所定のピッチで多数設
けられた第４の溝とを備えて前記第1,第3,第４の溝によ
り囲まれた凸部がシャッタエレメントを形成し、下記の
条件を満足することを特徴とするものである。
d1＋d2＞d4＞d3 d1＝d3 但し、d1,d2,d3,d4は夫々第1,第2,第3,第４の溝の深さ
である。
である。
作用 前記第1,第2,第3,第４の溝の深さをd1＋d2＞d4＞d3とす
ることにより、第４の溝を形成する際に、第２の溝に設
けられた電極薄膜を第１の溝の電極薄膜を介して各シャ
ッタエレメントに連続させる一方、第３の溝に設けられ
た電極薄膜を各シャッタエレメントごとに断続化させる
ことが可能となり、製作工程が非常に簡単化される。
ることにより、第４の溝を形成する際に、第２の溝に設
けられた電極薄膜を第１の溝の電極薄膜を介して各シャ
ッタエレメントに連続させる一方、第３の溝に設けられ
た電極薄膜を各シャッタエレメントごとに断続化させる
ことが可能となり、製作工程が非常に簡単化される。
また、第1,第３の溝の深さをd1＝d3とすることにより、
シャッタエレメントを挾む電極の深さ方向の長さを等し
くでき、シャッタエレメントに均一平行な電界を形成で
きる。
シャッタエレメントを挾む電極の深さ方向の長さを等し
くでき、シャッタエレメントに均一平行な電界を形成で
きる。
実施例 以下、この発明を添付図面に示す実施例によって具体的
に説明する。
に説明する。
第５図に一実施例に係る光シャッタアレイの部分平面図
を示す。PLZTからなる光シャッタアレイ（10）は、中央
部に、平行２列のシャッタアレイ（11A），（12A）を備
える。シャッタアレイ（11A）は、窓形状が方形状のシ
ャッタエレメント（11）からなり、シャッタアレイ（12
A）は、シャッタエレメント（11）の窓形状と同形のシ
ャッタエレメント（12）からなる。（13）は各列のシャ
ッタエレメント（11），（12）に共通な共通電極、（1
4）は各シャッタエレメント（11）の個別電極、（15）
は各シャッタエレメント（12）の個別電極で、個別電極
（14），（15）のそれぞれは、駆動回路と接続するため
の本体側縁まで延び出した電極リード部（14l），（15
l）を備えている。
を示す。PLZTからなる光シャッタアレイ（10）は、中央
部に、平行２列のシャッタアレイ（11A），（12A）を備
える。シャッタアレイ（11A）は、窓形状が方形状のシ
ャッタエレメント（11）からなり、シャッタアレイ（12
A）は、シャッタエレメント（11）の窓形状と同形のシ
ャッタエレメント（12）からなる。（13）は各列のシャ
ッタエレメント（11），（12）に共通な共通電極、（1
4）は各シャッタエレメント（11）の個別電極、（15）
は各シャッタエレメント（12）の個別電極で、個別電極
（14），（15）のそれぞれは、駆動回路と接続するため
の本体側縁まで延び出した電極リード部（14l），（15
l）を備えている。
上記共通電極（13）は、溝（３−１），溝（３−１）の
底面に設けた溝（３−２）に設けられている。個別電極
（14），（15）はそれぞれ溝（４），（５）の側壁に設
けられている。シャッタアレイ（11A），（12A）のシャ
ッタエレメント，個別電極及び電極リード部は、それぞ
れ、溝（３−１），（３−２），（４），（５）に直交
する一定ピッチの平行な溝（６）によって相互に分離さ
れている。共通電極用の溝（３−１），（３−２）、個
別電極用の溝（４），（５）及びエレメント分離用の多
数の溝（６）はいずれもが精密切削加工によって形成さ
れている。第１図〜第５図及び第７図により、この光シ
ャッタアレイ（10）の製作工程を説明する。
底面に設けた溝（３−２）に設けられている。個別電極
（14），（15）はそれぞれ溝（４），（５）の側壁に設
けられている。シャッタアレイ（11A），（12A）のシャ
ッタエレメント，個別電極及び電極リード部は、それぞ
れ、溝（３−１），（３−２），（４），（５）に直交
する一定ピッチの平行な溝（６）によって相互に分離さ
れている。共通電極用の溝（３−１），（３−２）、個
別電極用の溝（４），（５）及びエレメント分離用の多
数の溝（６）はいずれもが精密切削加工によって形成さ
れている。第１図〜第５図及び第７図により、この光シ
ャッタアレイ（10）の製作工程を説明する。
第１図（ａ）に示すように、平板状長尺のPLZT（１）を
準備する。PLZT（１）の表裏両面は予め光学研磨されて
いる。PLZT（１）は具体的には、組成が9/65/35、形状
は長さ100mm,幅5.0mm,厚さ0.5mmのものである。
準備する。PLZT（１）の表裏両面は予め光学研磨されて
いる。PLZT（１）は具体的には、組成が9/65/35、形状
は長さ100mm,幅5.0mm,厚さ0.5mmのものである。
第１図（ｂ）に示すように、このPLZT（１）の表面のほ
ぼ中央部に、レジストパターン（２）を帯状に形成す
る。レジストパターン（２）の幅は300μｍで、通常一
般のフォトリソグラフィーの技術を用いた。このレジス
トパターン（２）は、後述するように、リフトオフ法に
よる蒸着膜の除去に用いられる。なお、PLZT（１）の長
手方向をＸ軸，幅方向すなわちＸ軸に直交する方向をＹ
軸とし、II−II線に沿う断面図を第２図に示す。レジス
トパターン（２）の厚みは１μｍ程度としている。
ぼ中央部に、レジストパターン（２）を帯状に形成す
る。レジストパターン（２）の幅は300μｍで、通常一
般のフォトリソグラフィーの技術を用いた。このレジス
トパターン（２）は、後述するように、リフトオフ法に
よる蒸着膜の除去に用いられる。なお、PLZT（１）の長
手方向をＸ軸，幅方向すなわちＸ軸に直交する方向をＹ
軸とし、II−II線に沿う断面図を第２図に示す。レジス
トパターン（２）の厚みは１μｍ程度としている。
次にこのレジストパターン（２）を形成したPLZT（１）
の当該レジストパターン（２）の中央をＸ軸方向にPLZT
（１）の全長にわたり精密切削し、第３図に示す共通電
極用の溝（３−１）を形成する。そして、さらに溝（３
−１）の底面からPLZT（１）の厚み方向に溝（３−１）
と平行な共通電極用の溝（３−２）を形成する。切削加
工は、送りが高精度なダイシングソーで行い、カッター
は刃厚25μｍのダイヤモンドカッターを用いた。溝（３
−１）の形状は、幅100μm,PLZT（１）の表面からの深
さd1＝120μｍである。また、溝（３−２）は、幅50μ
ｍで溝（３−１）の底面からの深さd2＝130μｍであ
る。
の当該レジストパターン（２）の中央をＸ軸方向にPLZT
（１）の全長にわたり精密切削し、第３図に示す共通電
極用の溝（３−１）を形成する。そして、さらに溝（３
−１）の底面からPLZT（１）の厚み方向に溝（３−１）
と平行な共通電極用の溝（３−２）を形成する。切削加
工は、送りが高精度なダイシングソーで行い、カッター
は刃厚25μｍのダイヤモンドカッターを用いた。溝（３
−１）の形状は、幅100μm,PLZT（１）の表面からの深
さd1＝120μｍである。また、溝（３−２）は、幅50μ
ｍで溝（３−１）の底面からの深さd2＝130μｍであ
る。
次に上記溝入れ工程と同様にして、共通電極用の第１の
溝（３−１）の両側縁から一定の距離をおきこの溝（３
−１）と平行に（Ｘ軸方向に）、PLZT（１）の全長にわ
たり切削し、第３図に示す個別電極用の溝（４）と溝
（５）とを形成する。溝（４），（５）の形状は相等し
く、幅80μm,深さd3は120μｍである。溝（３−１）と
溝（４），（５）の間隔すなわちシャッタとなる凸部の
幅の長さは60μｍとした。なお、このシャッタ凸部の幅
長及び溝（３−１），溝（４）（５）の深さd1,d3は、
光シャッタアレイに要求される性能に応じかつ精密切削
加工の精度の範囲内において任意に選択されることが可
能である。ただし、平行電界の均一性を確保するように
d1＝d3を条件とする。
溝（３−１）の両側縁から一定の距離をおきこの溝（３
−１）と平行に（Ｘ軸方向に）、PLZT（１）の全長にわ
たり切削し、第３図に示す個別電極用の溝（４）と溝
（５）とを形成する。溝（４），（５）の形状は相等し
く、幅80μm,深さd3は120μｍである。溝（３−１）と
溝（４），（５）の間隔すなわちシャッタとなる凸部の
幅の長さは60μｍとした。なお、このシャッタ凸部の幅
長及び溝（３−１），溝（４）（５）の深さd1,d3は、
光シャッタアレイに要求される性能に応じかつ精密切削
加工の精度の範囲内において任意に選択されることが可
能である。ただし、平行電界の均一性を確保するように
d1＝d3を条件とする。
次の工程は、電極用の薄膜を設ける工程である。実施例
では、スパッタリング法によって、このPLZT（１）の加
工面を含む表面全体にアルミニウムを蒸着し、２μｍ程
度のアルミ蒸着膜（７）を形成した（第４図）。
では、スパッタリング法によって、このPLZT（１）の加
工面を含む表面全体にアルミニウムを蒸着し、２μｍ程
度のアルミ蒸着膜（７）を形成した（第４図）。
次にこのアルミ蒸着膜（７）を設けたPLZT（１）に対
し、ダイシングソーを用い、今度は溝（３−１）が延び
る方向（Ｘ軸方向）とは直交する矢印6A方向（Ｙ軸方
向）に、PLZT（１）の幅にわたって一定の深さ，一定の
ピッチでエレメント分離用の多数の溝（６）を切削す
る。溝（６）の深さd4は230μｍとし、ピッチは80μｍ
で、溝幅は20μｍである。切削に供したダイヤモンドカ
ッターは刃厚15μｍのものと交換されている。
し、ダイシングソーを用い、今度は溝（３−１）が延び
る方向（Ｘ軸方向）とは直交する矢印6A方向（Ｙ軸方
向）に、PLZT（１）の幅にわたって一定の深さ，一定の
ピッチでエレメント分離用の多数の溝（６）を切削す
る。溝（６）の深さd4は230μｍとし、ピッチは80μｍ
で、溝幅は20μｍである。切削に供したダイヤモンドカ
ッターは刃厚15μｍのものと交換されている。
この溝（６）の切削の深さd4は、第７図の断面から分か
るように、d1＋d2＞d4＞d3の関係を満足する。即ち溝
（６），（６），（６），……を切削すると、各列のシ
ャッタエレメント及びその個別電極さらには電極リード
部を相互に分離する一方で、共通電極用の第２の溝（３
−２）の底面に設けたアルミ蒸着膜（７）は削り取らな
い。溝（３−２）の底面及び側壁のほぼ全部のアルミ蒸
着膜（７）は分断されずに連続する。そして、この側壁
のアルミ蒸着膜は第１の溝（３−１）の底面及び側壁の
アルミ蒸着膜と連続する。従って、これら溝（３−
１），（３−２）の連続するアルミ蒸着膜（７）がシャ
ッタエレメント（11）群，シャッタエレメント（12）群
の共通電極を形成する。
るように、d1＋d2＞d4＞d3の関係を満足する。即ち溝
（６），（６），（６），……を切削すると、各列のシ
ャッタエレメント及びその個別電極さらには電極リード
部を相互に分離する一方で、共通電極用の第２の溝（３
−２）の底面に設けたアルミ蒸着膜（７）は削り取らな
い。溝（３−２）の底面及び側壁のほぼ全部のアルミ蒸
着膜（７）は分断されずに連続する。そして、この側壁
のアルミ蒸着膜は第１の溝（３−１）の底面及び側壁の
アルミ蒸着膜と連続する。従って、これら溝（３−
１），（３−２）の連続するアルミ蒸着膜（７）がシャ
ッタエレメント（11）群，シャッタエレメント（12）群
の共通電極を形成する。
尚、アルミ蒸着膜を連続させて共通電極とするには、特
に溝（３−１）より深い溝（３−２）を形成しなくと
も、第６図に示されるように、溝（３′）の深さd1をd1
＞d4＞d3の関係にすればよいと考えられる。しかし、こ
のようにすると、シャッタエレメント（11′），（1
2′）の対向電極の一方、すなわち共通電極側のほうが
長くなって図示のように電界が不均一なものとなり、シ
ャッタ作用を受ける光（Ｌ）に悪影響を及ぼす。本発明
は、この悪影響を解消するように、共通電極用の溝（３
−１）の深さd1を個別電極用の溝（４），（５）の深さ
d3と等しくして電極の長さを同じにする一方で、溝
（６）の切削によっても共通電極用のアルミ蒸着膜が残
存するように、溝（３−１）より深い第２の溝（３−
２）を設けたものである。溝（６）の切削は極めて簡単
な工程であり、それにもかかわらずシャッタエレメント
とその電極形成が同時にできる。従来例は、エレメント
と電極形成とが別工程で、しかも夫々において大変複雑
な工程を経ていた。これに比べると、本例の手法は性能
のよい光シャッタアレイの製作工程の大幅な簡略化をも
たらす。
に溝（３−１）より深い溝（３−２）を形成しなくと
も、第６図に示されるように、溝（３′）の深さd1をd1
＞d4＞d3の関係にすればよいと考えられる。しかし、こ
のようにすると、シャッタエレメント（11′），（1
2′）の対向電極の一方、すなわち共通電極側のほうが
長くなって図示のように電界が不均一なものとなり、シ
ャッタ作用を受ける光（Ｌ）に悪影響を及ぼす。本発明
は、この悪影響を解消するように、共通電極用の溝（３
−１）の深さd1を個別電極用の溝（４），（５）の深さ
d3と等しくして電極の長さを同じにする一方で、溝
（６）の切削によっても共通電極用のアルミ蒸着膜が残
存するように、溝（３−１）より深い第２の溝（３−
２）を設けたものである。溝（６）の切削は極めて簡単
な工程であり、それにもかかわらずシャッタエレメント
とその電極形成が同時にできる。従来例は、エレメント
と電極形成とが別工程で、しかも夫々において大変複雑
な工程を経ていた。これに比べると、本例の手法は性能
のよい光シャッタアレイの製作工程の大幅な簡略化をも
たらす。
製作工程の最後は、シャッタエレメント（11），（12）
の上面窓部に形成されているアルミ蒸着膜（７）を除去
する工程である。アルミ蒸着膜（７）はレジスト（２）
上に形成されており、これをレジスト剥離液によりレジ
スト（２）とともに剥離する（リフトオフ法）。
の上面窓部に形成されているアルミ蒸着膜（７）を除去
する工程である。アルミ蒸着膜（７）はレジスト（２）
上に形成されており、これをレジスト剥離液によりレジ
スト（２）とともに剥離する（リフトオフ法）。
以上のようにして第５図，第７図（ａ）に示される光シ
ャッタアレイ（10）を得る。光シャッタアレイ（10）
は、個別に外縁まで延びた電極リード部（14l）をもっ
たシャッタエレメント（11）からなるシャッタアレイ
（11A）と、反対側の外縁まで延びた電極リード部（15
l）をもったシャッタエレメント（12）からなるシャッ
タアレイ（12A）の２列から構成される。なお、第７図
（ｂ）に示すように、シャッタアレイ（11A）の１列の
みからなる光シャッタアレイであってもよい。溝（５）
の工程を除き、上記製作工程と同様して作成される。
ャッタアレイ（10）を得る。光シャッタアレイ（10）
は、個別に外縁まで延びた電極リード部（14l）をもっ
たシャッタエレメント（11）からなるシャッタアレイ
（11A）と、反対側の外縁まで延びた電極リード部（15
l）をもったシャッタエレメント（12）からなるシャッ
タアレイ（12A）の２列から構成される。なお、第７図
（ｂ）に示すように、シャッタアレイ（11A）の１列の
みからなる光シャッタアレイであってもよい。溝（５）
の工程を除き、上記製作工程と同様して作成される。
第８図には２列の光シャッタアレイ（10）の外部回路と
の接続図を示す。
の接続図を示す。
図中、（20）はシャッタアレイ（11A）のシャッタエレ
メント（11）群に駆動パルスを与える駆動回路（半導体
チップ状の回路を含む）、（21）はシャッタアレイ（12
A）のシャッタエレメント（12）群を駆動する駆動回路
である。駆動回路（20）とシャッタアレイ（11A）と
は、シャッタアレイ（11A）奇数番目のシャッタエレメ
ント（11）の個々の電極リード部（14l）と接続する一
方、駆動回路（21）とシャッタアレイ（12A）とは、シ
ャッタアレイ（12A）の偶数番目のシャッタエレメント
（12）の個別の電極リード部（15l）と接続する。駆動
回路（20），（21）と接続されないシャッタエレメント
は利用されない。
メント（11）群に駆動パルスを与える駆動回路（半導体
チップ状の回路を含む）、（21）はシャッタアレイ（12
A）のシャッタエレメント（12）群を駆動する駆動回路
である。駆動回路（20）とシャッタアレイ（11A）と
は、シャッタアレイ（11A）奇数番目のシャッタエレメ
ント（11）の個々の電極リード部（14l）と接続する一
方、駆動回路（21）とシャッタアレイ（12A）とは、シ
ャッタアレイ（12A）の偶数番目のシャッタエレメント
（12）の個別の電極リード部（15l）と接続する。駆動
回路（20），（21）と接続されないシャッタエレメント
は利用されない。
駆動回路（20），（21）は時分割で作動され、画像情報
に基づく２列のシャッタアレイ（11A），（12A）のシャ
ッタ作用（第９図（ａ））で、画像のドット状ライン１
本を形成する（第９図（ｂ））。時間差は、画像形成部
たとえば感光体ドラムの回転速度と同期して整合され
る。これにより、実施例の光シャッタアレイで80μｍピ
ッチすなわち12ビット/mmの高解像度を達成する。
に基づく２列のシャッタアレイ（11A），（12A）のシャ
ッタ作用（第９図（ａ））で、画像のドット状ライン１
本を形成する（第９図（ｂ））。時間差は、画像形成部
たとえば感光体ドラムの回転速度と同期して整合され
る。これにより、実施例の光シャッタアレイで80μｍピ
ッチすなわち12ビット/mmの高解像度を達成する。
上記実施例に示すように、シャッタアレイを２列設ける
のは、この高解像度を達成できるように光シャッタアレ
イと駆動回路間のリード線接続の困難さを回避するため
である。すなわち、第10図のシャッタエレメントと（1
2）の個別電極に連なる電極リード部（15l）の部分平面
拡大図に示すように、電極リード部（15l）は80μｍの
ピッチでしかもその幅は60μｍしかない。現状のリード
線ワイヤーボンダーでは、ピッチ80μｍの精度をもち接
続平均径が60μｍ以内で充分な接続強度が得られるもの
は見出し難い。そこで、ワイヤーボンダーの現状に適す
るように、電極リード部（15l），（14l）を１つおき
に、すなわち160μｍピッチでリード線と接続するよう
にしたものである。したがって、このようにすれば、容
易に自動化ラインに乗せることが可能となり、生産性の
利益が大きい。
のは、この高解像度を達成できるように光シャッタアレ
イと駆動回路間のリード線接続の困難さを回避するため
である。すなわち、第10図のシャッタエレメントと（1
2）の個別電極に連なる電極リード部（15l）の部分平面
拡大図に示すように、電極リード部（15l）は80μｍの
ピッチでしかもその幅は60μｍしかない。現状のリード
線ワイヤーボンダーでは、ピッチ80μｍの精度をもち接
続平均径が60μｍ以内で充分な接続強度が得られるもの
は見出し難い。そこで、ワイヤーボンダーの現状に適す
るように、電極リード部（15l），（14l）を１つおき
に、すなわち160μｍピッチでリード線と接続するよう
にしたものである。したがって、このようにすれば、容
易に自動化ラインに乗せることが可能となり、生産性の
利益が大きい。
第11図は他の実施例を示した部分平面図である。第５図
における参照符号と同一のものは同一ないし相当のもの
を示し詳細な説明を略す。この実施例では、シャッタエ
レメント（11），（12）の窓形状を台形とした。エレメ
ント分離用の溝（６）を始端を一致させてジグザグ状に
溝（6a）と溝（6b）により形成した。溝（6a）はＸ軸方
向に対し切込みの角度（８）が例えば89゜、溝（6b）の
角度（９）は91゜として、PLZT（１）の幅にわたってそ
れぞれ一定ピッチ（例えば160μｍ）で、刃厚15μｍの
ダイヤモンドカッターにより切削加工されている。VII
−VII線に沿う断面は、第７図（ａ）と同様である。
における参照符号と同一のものは同一ないし相当のもの
を示し詳細な説明を略す。この実施例では、シャッタエ
レメント（11），（12）の窓形状を台形とした。エレメ
ント分離用の溝（６）を始端を一致させてジグザグ状に
溝（6a）と溝（6b）により形成した。溝（6a）はＸ軸方
向に対し切込みの角度（８）が例えば89゜、溝（6b）の
角度（９）は91゜として、PLZT（１）の幅にわたってそ
れぞれ一定ピッチ（例えば160μｍ）で、刃厚15μｍの
ダイヤモンドカッターにより切削加工されている。VII
−VII線に沿う断面は、第７図（ａ）と同様である。
このようにシャッタエレメントの窓形状を台形にする
と、外部回路との接続及び画像形成の２点において先の
実施例より有利である。即ち、利用に供するシャッタエ
レメント（14），（15）（いずれも斜線で区別して示し
ている）の電極リード部（14l），（15l）はPLZT（１）
の端縁で下底が幅広の台形となり、その下底の長さは14
0μm,リード部相互の中心間ピッチは160μｍで、これに
よりリード線等との接触の容易さ及び接触の強度を充分
に確保することができる。
と、外部回路との接続及び画像形成の２点において先の
実施例より有利である。即ち、利用に供するシャッタエ
レメント（14），（15）（いずれも斜線で区別して示し
ている）の電極リード部（14l），（15l）はPLZT（１）
の端縁で下底が幅広の台形となり、その下底の長さは14
0μm,リード部相互の中心間ピッチは160μｍで、これに
よりリード線等との接触の容易さ及び接触の強度を充分
に確保することができる。
シャッタ駆動は、第９図（ａ）と同様に、第12図（ａ）
のようにシャッタアレイ（11A），（12A）を時分割で駆
動する。同図（ｂ）にこれにより形成されるドット状ラ
インを示す。もっとも、実線で示されるドット状ライン
は、シャッタアレイ（11A），（12A）を瞬間的に駆動し
たとしてその瞬時の投影像を図解して示したものであ
る。実際には、シャッタによる像投影時、例えば感光体
ドラムは回転しており、シャッタエレメント（11），
（12）の投影像はこの感光体ドラム上で軌跡を描き、ド
ットしては台形の下底の軌跡に相等する破線で示される
方形状のドット（11d），（12d）となる。これら隣接す
るドット（11d），（12d）は、隣接する箇所で重なり合
って、エレメント分離用の溝（6a），（6b）によるシャ
ッタエレメント間に存する物理的なギャップに基づくド
ット間ギャップ（6g）を埋める。従って、シャッタエレ
メントの窓形状をこのように台形にすることで、ドット
の連続性が密なラインを形成でき、画像形成の場合には
品質のよい画像を得ることができる。また、第９図
（ｂ）に示すように、切削加工によりエレメント間ギャ
ップを形成する場合にはカッターの刃厚の問題もあっ
て、ギャップ（6g）は比較的大きくなるが、窓形状を台
形とすることによりギャップの存在をカバーすることが
できる。
のようにシャッタアレイ（11A），（12A）を時分割で駆
動する。同図（ｂ）にこれにより形成されるドット状ラ
インを示す。もっとも、実線で示されるドット状ライン
は、シャッタアレイ（11A），（12A）を瞬間的に駆動し
たとしてその瞬時の投影像を図解して示したものであ
る。実際には、シャッタによる像投影時、例えば感光体
ドラムは回転しており、シャッタエレメント（11），
（12）の投影像はこの感光体ドラム上で軌跡を描き、ド
ットしては台形の下底の軌跡に相等する破線で示される
方形状のドット（11d），（12d）となる。これら隣接す
るドット（11d），（12d）は、隣接する箇所で重なり合
って、エレメント分離用の溝（6a），（6b）によるシャ
ッタエレメント間に存する物理的なギャップに基づくド
ット間ギャップ（6g）を埋める。従って、シャッタエレ
メントの窓形状をこのように台形にすることで、ドット
の連続性が密なラインを形成でき、画像形成の場合には
品質のよい画像を得ることができる。また、第９図
（ｂ）に示すように、切削加工によりエレメント間ギャ
ップを形成する場合にはカッターの刃厚の問題もあっ
て、ギャップ（6g）は比較的大きくなるが、窓形状を台
形とすることによりギャップの存在をカバーすることが
できる。
もっとも、上記実施例はPLZT（１）に形成する溝をすべ
て切削加工によるものとしたが、フォトリグラフィー技
術（液相もしくは気相の化学エッチング）によって又は
精密切削加工と組合せてこれらの溝を形成するようにし
てもよい。
て切削加工によるものとしたが、フォトリグラフィー技
術（液相もしくは気相の化学エッチング）によって又は
精密切削加工と組合せてこれらの溝を形成するようにし
てもよい。
発明の効果 以上のように、本発明に係る光シャッタアレイによれ
ば、均一な電界がかかることから光学的に望ましいシャ
ッタ効果が期待できるとともに、製作工程が複雑化しな
いという優れた効果がある。
ば、均一な電界がかかることから光学的に望ましいシャ
ッタ効果が期待できるとともに、製作工程が複雑化しな
いという優れた効果がある。
第１図（ａ），（ｂ）、第２図、第３図、第４図は本発
明の一実施例に係る光シャッタアレイの製作工程の説明
図、第５図は完成品の部分平面図、第６図は背景例の断
面図、第７図（ａ）は第５図及び第11図のVII−VII線に
沿う断面図、第７図（ｂ）はシャッタアレイが１列の他
の実施例の断面図、第８図は光シャッタアレイと駆動回
路との接続図、第９図（ａ），（ｂ）はシャッタ駆動の
説明図、第10図は電極リード部の部分拡大図、第11図は
別の実施例の部分平面図、第12図（ａ），（ｂ）は第11
図の実施例のシャッタ駆動の説明図である。 １……長尺板状のPLZT、３−1,3−２……共通電極用の
溝、4,5……個別電極用の溝、6,6a,6b……エレメント分
離用の溝、７……電極としてのアルミ蒸着膜、10……光
シャッタアレイ、11,12……シャッタエレメント、13…
…共通電極、14,15……個別電極、11A,12A……シャッタ
アレイ。
明の一実施例に係る光シャッタアレイの製作工程の説明
図、第５図は完成品の部分平面図、第６図は背景例の断
面図、第７図（ａ）は第５図及び第11図のVII−VII線に
沿う断面図、第７図（ｂ）はシャッタアレイが１列の他
の実施例の断面図、第８図は光シャッタアレイと駆動回
路との接続図、第９図（ａ），（ｂ）はシャッタ駆動の
説明図、第10図は電極リード部の部分拡大図、第11図は
別の実施例の部分平面図、第12図（ａ），（ｂ）は第11
図の実施例のシャッタ駆動の説明図である。 １……長尺板状のPLZT、３−1,3−２……共通電極用の
溝、4,5……個別電極用の溝、6,6a,6b……エレメント分
離用の溝、７……電極としてのアルミ蒸着膜、10……光
シャッタアレイ、11,12……シャッタエレメント、13…
…共通電極、14,15……個別電極、11A,12A……シャッタ
アレイ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 益田 朋彦 大阪府大阪市東区安土町２丁目30番地 大 阪国際ビル ミノルタカメラ株式会社内 審査官 吉野 公夫
Claims (1)
- 【請求項１】電気光学効果を有する長尺の板状体に、そ
の長手方向に沿って設けられ、底面及び側面に断続的に
電極薄膜を有する第１の溝と、 この第１の溝の底面に該第１の溝と平行に設けられ、底
面及び側面に連続的に電極薄膜を有する第２の溝と、 前記第１の溝から所定の距離をおいて該第１の溝と平行
に設けられ、底面及び側面に断続的に電極薄膜を有する
第３の溝と、 前記板状体の幅にわたって所定のピッチで多数設けられ
た第４の溝とを備えて前記第1,第3,第４の溝により囲ま
れた凸部がシャッタエレメントを形成し、下記の条件を
満足することを特徴とする光シャッタアレイ。 d1＋d2＞d4＞d3 d1＝d3 但し、d1,d2,d3,d4は夫々第1,第2,第3,第４の溝の深さ
である。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31360686A JPH0731316B2 (ja) | 1986-12-23 | 1986-12-23 | 光シヤツタアレイ |
| US07/108,588 US4854678A (en) | 1986-10-17 | 1987-10-14 | Electro-optical light shutter device |
| DE3734849A DE3734849C2 (de) | 1986-10-17 | 1987-10-14 | Elektrooptische Abblendeinrichtung |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31360686A JPH0731316B2 (ja) | 1986-12-23 | 1986-12-23 | 光シヤツタアレイ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63159823A JPS63159823A (ja) | 1988-07-02 |
| JPH0731316B2 true JPH0731316B2 (ja) | 1995-04-10 |
Family
ID=18043341
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31360686A Expired - Lifetime JPH0731316B2 (ja) | 1986-10-17 | 1986-12-23 | 光シヤツタアレイ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0731316B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0310211A (ja) * | 1989-06-07 | 1991-01-17 | Sumitomo Special Metals Co Ltd | 光シャッタ素子 |
| JPH0310210A (ja) * | 1989-06-07 | 1991-01-17 | Sumitomo Special Metals Co Ltd | 光シャッタ素子 |
| JP2010217469A (ja) * | 2009-03-17 | 2010-09-30 | V Technology Co Ltd | 空間光変調装置の配線構造 |
-
1986
- 1986-12-23 JP JP31360686A patent/JPH0731316B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63159823A (ja) | 1988-07-02 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |