JPH07315920A - 誘電体磁器組成物 - Google Patents
誘電体磁器組成物Info
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- JPH07315920A JPH07315920A JP6109840A JP10984094A JPH07315920A JP H07315920 A JPH07315920 A JP H07315920A JP 6109840 A JP6109840 A JP 6109840A JP 10984094 A JP10984094 A JP 10984094A JP H07315920 A JPH07315920 A JP H07315920A
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- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 26
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims description 40
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 5
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 23
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000010304 firing Methods 0.000 abstract description 11
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 8
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 7
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 5
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 5
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 5
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 description 4
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 239000000075 oxide glass Substances 0.000 description 3
- -1 BaTiO 3 Substances 0.000 description 2
- 229910015902 Bi 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001622 bismuth compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000012770 industrial material Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 229910001404 rare earth metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000314 transition metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L Carbonate Chemical compound [O-]C([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004703 alkoxides Chemical class 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000007606 doctor blade method Methods 0.000 description 1
- 235000019441 ethanol Nutrition 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 238000013001 point bending Methods 0.000 description 1
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】１１６０℃以下で焼成でき、１０００以上の高
誘電率でありながら、Ｘ７Ｒ特性を満足し、磁器の機械
的強度が高く、さらに誘電体磁器層の厚みを５μｍ〜１
５μｍと薄膜化したときに、ＪＩＳ Ｃ６４２９のＲＢ
特性の規格に準じて、定格電圧の５０％の直流電圧を印
加したときの静電容量の温度変化率が小さい、誘電体磁
器組成物を提供する。 【構成】一般式｛１００−（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）｝ＢａＴ
ｉＯ3 ＋ａＺｎＯ＋ｂ（２Ｂｉ2 Ｏ3 ・３ＺｒＯ2 ）＋
ｃＴａ2 Ｏ5 ＋ｄＲｅ2 Ｏ3 （ただし、ＲｅはＬａ、Ｐ
ｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｄｙ、Ｅｒの中から選ばれる少なくと
も１種類、０．５≦ａ≦４．５、０．５≦ｂ≦４．５、
０．５≦ｃ≦４．５、０．５≦ｄ≦５．５）で表される
主成分が９７．５〜９９．９５重量％、ＳｉＯ2 を主成
分とするガラスからなる第１副成分が０．０５〜２．５
重量％、からなる。
誘電率でありながら、Ｘ７Ｒ特性を満足し、磁器の機械
的強度が高く、さらに誘電体磁器層の厚みを５μｍ〜１
５μｍと薄膜化したときに、ＪＩＳ Ｃ６４２９のＲＢ
特性の規格に準じて、定格電圧の５０％の直流電圧を印
加したときの静電容量の温度変化率が小さい、誘電体磁
器組成物を提供する。 【構成】一般式｛１００−（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）｝ＢａＴ
ｉＯ3 ＋ａＺｎＯ＋ｂ（２Ｂｉ2 Ｏ3 ・３ＺｒＯ2 ）＋
ｃＴａ2 Ｏ5 ＋ｄＲｅ2 Ｏ3 （ただし、ＲｅはＬａ、Ｐ
ｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｄｙ、Ｅｒの中から選ばれる少なくと
も１種類、０．５≦ａ≦４．５、０．５≦ｂ≦４．５、
０．５≦ｃ≦４．５、０．５≦ｄ≦５．５）で表される
主成分が９７．５〜９９．９５重量％、ＳｉＯ2 を主成
分とするガラスからなる第１副成分が０．０５〜２．５
重量％、からなる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は誘電体磁器組成物に関
し、特に磁器積層コンデンサなどの材料として用いられ
る誘電体磁器組成物に関する。
し、特に磁器積層コンデンサなどの材料として用いられ
る誘電体磁器組成物に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、電圧依存性が小さく、磁器の
強度が高く、平坦な誘電率温度特性をもつ誘電体磁器組
成物として、ＢａＴｉＯ3 を主成分とし、これにビスマ
ス化合物と希土類元素とを副成分として添加した磁器組
成物が広く知られている。
強度が高く、平坦な誘電率温度特性をもつ誘電体磁器組
成物として、ＢａＴｉＯ3 を主成分とし、これにビスマ
ス化合物と希土類元素とを副成分として添加した磁器組
成物が広く知られている。
【０００３】一方、上記組成の誘電体磁器組成物とは別
に、ＢａＴｉＯ3 を主成分とし、これにＮｂ2 Ｏ5 、希
土類酸化物、およびＣｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉなど
の遷移金属酸化物を副成分として添加した誘電体磁器組
成物においても、誘電率が３０００以上の高誘電率であ
りながら、平坦な誘電率温度特性が得られることが報告
されている。
に、ＢａＴｉＯ3 を主成分とし、これにＮｂ2 Ｏ5 、希
土類酸化物、およびＣｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉなど
の遷移金属酸化物を副成分として添加した誘電体磁器組
成物においても、誘電率が３０００以上の高誘電率であ
りながら、平坦な誘電率温度特性が得られることが報告
されている。
【０００４】これらの誘電体磁器組成物の温度特性は、
ＥＩＡ規格のＸ７Ｒ特性、すなわち−５５℃〜＋１２５
℃の温度域で、＋２５℃における静電容量を基準とした
ときの容量変化率が±１５％以内であることを満足する
ものであった。
ＥＩＡ規格のＸ７Ｒ特性、すなわち−５５℃〜＋１２５
℃の温度域で、＋２５℃における静電容量を基準とした
ときの容量変化率が±１５％以内であることを満足する
ものであった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＢａＴ
ｉＯ3 を主成分とし、これにビスマス化合物を添加した
誘電体磁器組成物は、誘電率が１０００程度と低かっ
た。また、誘電率を高くすると静電容量の温度変化率が
大きくなる。加えて、高温で焼成すると、焼成時にＢｉ
2 Ｏ3 が蒸発して、磁器に歪みが生じたり、組成割合が
変化して必要な電気特性や機械的強度が得られなかった
り、ばらつきが生じたりという問題があった。
ｉＯ3 を主成分とし、これにビスマス化合物を添加した
誘電体磁器組成物は、誘電率が１０００程度と低かっ
た。また、誘電率を高くすると静電容量の温度変化率が
大きくなる。加えて、高温で焼成すると、焼成時にＢｉ
2 Ｏ3 が蒸発して、磁器に歪みが生じたり、組成割合が
変化して必要な電気特性や機械的強度が得られなかった
り、ばらつきが生じたりという問題があった。
【０００６】一方、ＢａＴｉＯ3 を主成分とし、これに
Ｎｂ2 Ｏ5 、希土類酸化物およびＣｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃ
ｏ、Ｎｉなどの遷移金属酸化物を副成分として添加した
誘電体磁器組成物は、３０００以上の誘電率を有し、平
坦な温度特性を有する。しかし、この誘電体磁器組成物
は焼成温度が１２００℃以上と高かった。
Ｎｂ2 Ｏ5 、希土類酸化物およびＣｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃ
ｏ、Ｎｉなどの遷移金属酸化物を副成分として添加した
誘電体磁器組成物は、３０００以上の誘電率を有し、平
坦な温度特性を有する。しかし、この誘電体磁器組成物
は焼成温度が１２００℃以上と高かった。
【０００７】また、最近の磁器コンデンサは小型化の傾
向にあり、特に磁器積層コンデンサでは、小型化かつ大
容量化のために、磁器誘電体層の厚みが５μｍ〜１５μ
ｍと薄膜化される傾向にある。そのため、誘電体磁器組
成物には、電圧依存性が小さいことが望まれている。
向にあり、特に磁器積層コンデンサでは、小型化かつ大
容量化のために、磁器誘電体層の厚みが５μｍ〜１５μ
ｍと薄膜化される傾向にある。そのため、誘電体磁器組
成物には、電圧依存性が小さいことが望まれている。
【０００８】しかし、上記の大きな誘電率を有する誘電
体磁器組成物は、電圧依存性が大きいため、最近の薄膜
化に対応できず、小型大容量の磁器積層コンデンサを作
製することができなかった。また、磁器の強度も低いた
め、実装時に磁器が破壊することもあった。
体磁器組成物は、電圧依存性が大きいため、最近の薄膜
化に対応できず、小型大容量の磁器積層コンデンサを作
製することができなかった。また、磁器の強度も低いた
め、実装時に磁器が破壊することもあった。
【０００９】そこで、本発明の目的は、１１６０℃以下
で焼成でき、誘電率が１０００以上の高誘電率でありな
がら、＋２５℃における静電容量を基準としたとき、−
５５℃〜＋１２５℃の広い範囲にわたって、静電容量の
温度変化率が±１５％以内と平坦であり、また、磁器の
機械的強度が高く、さらに誘電体磁器層の厚みを５μｍ
〜１５μｍと薄膜化した場合においても比較的高い定格
電圧でＪＩＳ Ｃ６４２９のＲＢ特性の規格に準じて、
定格電圧の５０％の直流電圧を印加したときの静電容量
の温度変化率が小さい、誘電体磁器組成物を提供するこ
とにある。
で焼成でき、誘電率が１０００以上の高誘電率でありな
がら、＋２５℃における静電容量を基準としたとき、−
５５℃〜＋１２５℃の広い範囲にわたって、静電容量の
温度変化率が±１５％以内と平坦であり、また、磁器の
機械的強度が高く、さらに誘電体磁器層の厚みを５μｍ
〜１５μｍと薄膜化した場合においても比較的高い定格
電圧でＪＩＳ Ｃ６４２９のＲＢ特性の規格に準じて、
定格電圧の５０％の直流電圧を印加したときの静電容量
の温度変化率が小さい、誘電体磁器組成物を提供するこ
とにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の誘電体磁器組成物は、一般式｛１００−
（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）｝ＢａＴｉＯ3 ＋ａＺｎＯ＋ｂ（２
Ｂｉ2 Ｏ3 ・３ＺｒＯ2 ）＋ｃＴａ2 Ｏ5 ＋ｄＲｅ2 Ｏ
3 （ただし、ＲｅはＬａ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｄｙ、Ｅ
ｒの中から選ばれる少なくとも１種類、ａ、ｂ、ｃおよ
びｄはモル％）で表される主成分が９７．５〜９９．９
５重量％、ただし、前記一般式のａ、ｂ、ｃおよびｄが
それぞれ次の範囲にある ０．５≦ａ≦４．５ ０．５≦ｂ≦４．５ ０．５≦ｃ≦４．５ ０．５≦ｄ≦５．５ ＳｉＯ2 を主成分とするガラスからなる第１副成分が
０．０５〜２．５重量％、からなる。
め、本発明の誘電体磁器組成物は、一般式｛１００−
（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）｝ＢａＴｉＯ3 ＋ａＺｎＯ＋ｂ（２
Ｂｉ2 Ｏ3 ・３ＺｒＯ2 ）＋ｃＴａ2 Ｏ5 ＋ｄＲｅ2 Ｏ
3 （ただし、ＲｅはＬａ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｄｙ、Ｅ
ｒの中から選ばれる少なくとも１種類、ａ、ｂ、ｃおよ
びｄはモル％）で表される主成分が９７．５〜９９．９
５重量％、ただし、前記一般式のａ、ｂ、ｃおよびｄが
それぞれ次の範囲にある ０．５≦ａ≦４．５ ０．５≦ｂ≦４．５ ０．５≦ｃ≦４．５ ０．５≦ｄ≦５．５ ＳｉＯ2 を主成分とするガラスからなる第１副成分が
０．０５〜２．５重量％、からなる。
【００１１】また、本発明の誘電体磁器組成物は、一般
式｛１００−（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）｝ＢａＴｉＯ3 ＋ａＺ
ｎＯ＋ｂ（２Ｂｉ2 Ｏ3 ・３ＺｒＯ2 ）＋ｃＴａ2 Ｏ5
＋ｄＲｅ2 Ｏ3 （ただし、ＲｅはＬａ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓ
ｍ、Ｄｙ、Ｅｒの中から選ばれる少なくとも１種類、
ａ、ｂ、ｃおよびｄはモル％）で表される主成分が９
７．０〜９９．９４重量％、ただし、前記一般式のａ、
ｂ、ｃおよびｄがそれぞれ次の範囲にある ０．５≦ａ≦４．５ ０．５≦ｂ≦４．５ ０．５≦ｃ≦４．５ ０．５≦ｄ≦５．５ ＳｉＯ2 を主成分とするガラスからなる第１副成分が
０．０５〜２．５重量％、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏおよ
びＮｉの酸化物の中から選ばれる少なくとも１種類から
なる第２副成分が０．０１〜０．５重量％、からなる。
式｛１００−（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）｝ＢａＴｉＯ3 ＋ａＺ
ｎＯ＋ｂ（２Ｂｉ2 Ｏ3 ・３ＺｒＯ2 ）＋ｃＴａ2 Ｏ5
＋ｄＲｅ2 Ｏ3 （ただし、ＲｅはＬａ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓ
ｍ、Ｄｙ、Ｅｒの中から選ばれる少なくとも１種類、
ａ、ｂ、ｃおよびｄはモル％）で表される主成分が９
７．０〜９９．９４重量％、ただし、前記一般式のａ、
ｂ、ｃおよびｄがそれぞれ次の範囲にある ０．５≦ａ≦４．５ ０．５≦ｂ≦４．５ ０．５≦ｃ≦４．５ ０．５≦ｄ≦５．５ ＳｉＯ2 を主成分とするガラスからなる第１副成分が
０．０５〜２．５重量％、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏおよ
びＮｉの酸化物の中から選ばれる少なくとも１種類から
なる第２副成分が０．０１〜０．５重量％、からなる。
【００１２】
【発明の効果】この発明にかかる誘電体磁器組成物は、
１１６０℃以下の低温で焼成でき、直流電圧を印加した
ときの静電容量の温度変化率（バイアスＴＣ）が小さ
い。そのため、誘電体磁器の厚みを５μｍ〜１５μｍと
薄膜化することができる。その結果、磁器積層コンデン
サの小型かつ大容量化を進めることができる。
１１６０℃以下の低温で焼成でき、直流電圧を印加した
ときの静電容量の温度変化率（バイアスＴＣ）が小さ
い。そのため、誘電体磁器の厚みを５μｍ〜１５μｍと
薄膜化することができる。その結果、磁器積層コンデン
サの小型かつ大容量化を進めることができる。
【００１３】また、磁器の機械的強度が高いため、磁器
積層コンデンサとして用いる場合に、基板実装時におけ
る割れ、欠けなどの破壊が起こらない。そのため、ショ
ート不良や発熱による焼損などの事故を防ぐことができ
る。
積層コンデンサとして用いる場合に、基板実装時におけ
る割れ、欠けなどの破壊が起こらない。そのため、ショ
ート不良や発熱による焼損などの事故を防ぐことができ
る。
【００１４】さらに、１０００以上の高誘電率でありな
がら、＋２５℃における静電容量を基準としたとき、−
５５℃〜＋１２５℃の広い温度範囲にわたって、静電容
量の温度変化率が±１５％以内と平坦であり、温度的に
も安定している。以上のことから産電市場向けまたは民
生市場向けの誘電体磁器として、広い範囲にわたって用
いることができる。
がら、＋２５℃における静電容量を基準としたとき、−
５５℃〜＋１２５℃の広い温度範囲にわたって、静電容
量の温度変化率が±１５％以内と平坦であり、温度的に
も安定している。以上のことから産電市場向けまたは民
生市場向けの誘電体磁器として、広い範囲にわたって用
いることができる。
【００１５】
【実施例】以下、本発明の誘電体磁器組成物について、
その実施例を説明する。
その実施例を説明する。
【００１６】初めに、誘電体磁器組成物の主成分の調整
方法について述べる。出発原料として、工業用原料であ
るＢａＴｉＯ3 、ＺｎＯ、Ｂｉ2 Ｏ3 、ＺｒＯ2 、Ｔａ
2 Ｏ5 、Ｒｅ2 Ｏ3 （但し、ＲｅはＬａ、Ｐｒ、Ｎｄ、
Ｓｍ、Ｄｙ、Ｅｒ）を準備した。これら出発原料を、表
１に示す磁器組成物が得られるように秤量し、ボールミ
ルで１６時間湿式混合粉砕した後、蒸発乾燥して混合粉
末を得た。得られた混合粉末をジルコニア質の匣に入れ
て、自然雰囲気中で１０００℃、２時間仮焼した後、２
００メッシュの篩を通過するように祖粉砕して、誘電体
磁器組成物の主成分の原料粉末とした。
方法について述べる。出発原料として、工業用原料であ
るＢａＴｉＯ3 、ＺｎＯ、Ｂｉ2 Ｏ3 、ＺｒＯ2 、Ｔａ
2 Ｏ5 、Ｒｅ2 Ｏ3 （但し、ＲｅはＬａ、Ｐｒ、Ｎｄ、
Ｓｍ、Ｄｙ、Ｅｒ）を準備した。これら出発原料を、表
１に示す磁器組成物が得られるように秤量し、ボールミ
ルで１６時間湿式混合粉砕した後、蒸発乾燥して混合粉
末を得た。得られた混合粉末をジルコニア質の匣に入れ
て、自然雰囲気中で１０００℃、２時間仮焼した後、２
００メッシュの篩を通過するように祖粉砕して、誘電体
磁器組成物の主成分の原料粉末とした。
【００１７】次に、誘電体磁器組成物の第１副成分の調
整方法について述べる。本実施例では、焼成温度を１１
６０℃以下にする第１副成分として、８ＢａＯ−６Ｓｒ
Ｏ−６ＣａＯ−３０Ｌｉ2 Ｏ−５０ＳｉＯ2 （モル％）
で表される酸化物ガラスを用いた。出発原料として、工
業用原料であるＢａＣＯ3 、ＳｒＣＯ3 、ＣａＣＯ3 、Ｌ
ｉ2 ＯおよびＳｉＯ2 を準備した。これらの出発原料を
上記組成物が得られるように秤量し、ボールミルで１６
時間湿式混合粉砕した後、蒸発乾燥して混合粉末を得
た。得られた混合粉末をアルミナ製の坩堝に入れて１３
００℃の温度で１時間放置し、その後急冷してガラス化
した。これを２００メッシュの篩を通過するように粉砕
して、誘電体磁器組成物の第１副成分の原料粉末とし
た。
整方法について述べる。本実施例では、焼成温度を１１
６０℃以下にする第１副成分として、８ＢａＯ−６Ｓｒ
Ｏ−６ＣａＯ−３０Ｌｉ2 Ｏ−５０ＳｉＯ2 （モル％）
で表される酸化物ガラスを用いた。出発原料として、工
業用原料であるＢａＣＯ3 、ＳｒＣＯ3 、ＣａＣＯ3 、Ｌ
ｉ2 ＯおよびＳｉＯ2 を準備した。これらの出発原料を
上記組成物が得られるように秤量し、ボールミルで１６
時間湿式混合粉砕した後、蒸発乾燥して混合粉末を得
た。得られた混合粉末をアルミナ製の坩堝に入れて１３
００℃の温度で１時間放置し、その後急冷してガラス化
した。これを２００メッシュの篩を通過するように粉砕
して、誘電体磁器組成物の第１副成分の原料粉末とし
た。
【００１８】以上のようにして得られた第１副成分の原
料粉末を、主成分の原料粉末に対して、表１に示す重量
比になるように添加した。
料粉末を、主成分の原料粉末に対して、表１に示す重量
比になるように添加した。
【００１９】また、第２副成分について工業用原料であ
るＣｒ2 Ｏ3 、ＭｎＯ2 、Ｆｅ2 Ｏ3 、Ｃｏ2 Ｏ3 、Ｎ
ｉＯを準備した。そして、これを主成分組成が９３．０
ＢａＴｉＯ3 ＋１．５ＺｎＯ＋１．５（２Ｂｉ2 Ｏ3 ・
３ＺｒＯ2 ）＋２．０Ｔａ2Ｏ5 ＋２．０Ｎｄ2 Ｏ
3 （モル％）で、上記の第１副成分を１．０重量％添加
したものに対して、表２に示す磁器組成物が得られるよ
うに添加した。
るＣｒ2 Ｏ3 、ＭｎＯ2 、Ｆｅ2 Ｏ3 、Ｃｏ2 Ｏ3 、Ｎ
ｉＯを準備した。そして、これを主成分組成が９３．０
ＢａＴｉＯ3 ＋１．５ＺｎＯ＋１．５（２Ｂｉ2 Ｏ3 ・
３ＺｒＯ2 ）＋２．０Ｔａ2Ｏ5 ＋２．０Ｎｄ2 Ｏ
3 （モル％）で、上記の第１副成分を１．０重量％添加
したものに対して、表２に示す磁器組成物が得られるよ
うに添加した。
【００２０】これらにポリビニルブチラール系のバイン
ダおよびトルエン、エチルアルコールなどの有機溶剤を
加えて、ボールミルで１６時間湿式混合した後、ドクタ
ーブレード法によりシート成形を行なってグリーンシー
トを得た。得られたグリーンシートの厚みは１９μｍで
あった。このグリーンシートに内部電極パターンをＡｇ
／Ｐｄ＝７０／３０（重量％）のペーストを用いて印刷
した後、それらを６層積み重ねてダミーのシートととも
に熱圧着し、その圧着体から長さ５．５ｍｍ、幅４．５
ｍｍ、厚さ１ｍｍの成形体を切り出した。その後、この
成形体をそれぞれ表３、表４に示す焼成温度で２時間焼
成し、焼成体を得た。焼成後の誘電体厚みは１３μｍで
あった。
ダおよびトルエン、エチルアルコールなどの有機溶剤を
加えて、ボールミルで１６時間湿式混合した後、ドクタ
ーブレード法によりシート成形を行なってグリーンシー
トを得た。得られたグリーンシートの厚みは１９μｍで
あった。このグリーンシートに内部電極パターンをＡｇ
／Ｐｄ＝７０／３０（重量％）のペーストを用いて印刷
した後、それらを６層積み重ねてダミーのシートととも
に熱圧着し、その圧着体から長さ５．５ｍｍ、幅４．５
ｍｍ、厚さ１ｍｍの成形体を切り出した。その後、この
成形体をそれぞれ表３、表４に示す焼成温度で２時間焼
成し、焼成体を得た。焼成後の誘電体厚みは１３μｍで
あった。
【００２１】そして、得られた焼結体の端面に銀電極を
焼き付けて測定試料（積層コンデンサ）として、その室
温での誘電率（ε）、誘電損失（ｔａｎδ）、ＴＣおよ
びバイアスＴＣを測定した。
焼き付けて測定試料（積層コンデンサ）として、その室
温での誘電率（ε）、誘電損失（ｔａｎδ）、ＴＣおよ
びバイアスＴＣを測定した。
【００２２】この場合、誘電率（ε）および誘電損失
（ｔａｎδ）は、温度２５℃、１ｋＨｚ、１Ｖｒｍｓの
条件下で測定した。ＴＣは２５℃での静電容量を基準と
して、−５５℃〜＋１２５℃の間における温度変化率が
最大である値の絶対値、いわゆる最大変化率（｜△Ｃ／
Ｃ｜max ）を求めた。また、バイアスＴＣについては、
上記温度範囲で２５Ｖの直流電圧を測定試料に重畳しな
がらその静電容量を測定して、温度２５℃、印加電圧０
Ｖのときの静電容量を基準として最大変化率（△
ＣmaxB）を求めた。
（ｔａｎδ）は、温度２５℃、１ｋＨｚ、１Ｖｒｍｓの
条件下で測定した。ＴＣは２５℃での静電容量を基準と
して、−５５℃〜＋１２５℃の間における温度変化率が
最大である値の絶対値、いわゆる最大変化率（｜△Ｃ／
Ｃ｜max ）を求めた。また、バイアスＴＣについては、
上記温度範囲で２５Ｖの直流電圧を測定試料に重畳しな
がらその静電容量を測定して、温度２５℃、印加電圧０
Ｖのときの静電容量を基準として最大変化率（△
ＣmaxB）を求めた。
【００２３】さらに、磁器の抗折強度を３点曲げにより
測定した。即ち、まず表１および表２に示したそれぞれ
の組成の原料を長さ３５ｍｍ、幅７ｍｍ、厚さ１．２ｍ
ｍにプレス成形して成形体を得た。その後、それぞれ表
３および表４に示す焼成温度で２時間焼成し、短冊状の
磁器を得た。その後、それぞれの組成で２０本の試料に
ついて抗折強度を測定し、その平均をもって各組成の抗
折強度とした。
測定した。即ち、まず表１および表２に示したそれぞれ
の組成の原料を長さ３５ｍｍ、幅７ｍｍ、厚さ１．２ｍ
ｍにプレス成形して成形体を得た。その後、それぞれ表
３および表４に示す焼成温度で２時間焼成し、短冊状の
磁器を得た。その後、それぞれの組成で２０本の試料に
ついて抗折強度を測定し、その平均をもって各組成の抗
折強度とした。
【００２４】以上の各試験について、表１の組成物にお
ける結果を表３に、表２の組成物における結果を表４に
それぞれ示す。
ける結果を表３に、表２の組成物における結果を表４に
それぞれ示す。
【００２５】この発明において、主成分量、第１副成分
量および第２副成分量の範囲を限定した理由を説明す
る。
量および第２副成分量の範囲を限定した理由を説明す
る。
【００２６】まず、主成分組成の範囲を限定した理由に
ついて説明する。表１の試料番号９に示すように、ａの
値すなわちＺｎＯが０．５モル％未満になると、ＴＣが
１５％を超える変化となり、また抗折強度も１５００ｋ
ｇ／ｃｍ2 以下の低い値になってしまい好ましくない。
一方、試料番号１０に示すように、ａの値が４．５モル
％を超えると、バイアスＴＣが−４０％を超える変化と
なり、またＴＣも１５％を超えるため好ましくない。
ついて説明する。表１の試料番号９に示すように、ａの
値すなわちＺｎＯが０．５モル％未満になると、ＴＣが
１５％を超える変化となり、また抗折強度も１５００ｋ
ｇ／ｃｍ2 以下の低い値になってしまい好ましくない。
一方、試料番号１０に示すように、ａの値が４．５モル
％を超えると、バイアスＴＣが−４０％を超える変化と
なり、またＴＣも１５％を超えるため好ましくない。
【００２７】表１の試料番号１１に示すように、ｂの値
すなわち２Ｂｉ2 Ｏ3 ・３ＺｒＯ2が０．５モル％未満
になるとＴＣが１５％を超える変化となり、また抗折強
度も１５００ｋｇ／ｃｍ2 以下の低い値になって好まし
くない。一方、試料番号１２に示すように、ｂの値が
４．５モル％を超えると、εが１０００未満になって好
ましくない。
すなわち２Ｂｉ2 Ｏ3 ・３ＺｒＯ2が０．５モル％未満
になるとＴＣが１５％を超える変化となり、また抗折強
度も１５００ｋｇ／ｃｍ2 以下の低い値になって好まし
くない。一方、試料番号１２に示すように、ｂの値が
４．５モル％を超えると、εが１０００未満になって好
ましくない。
【００２８】表１の試料番号１３に示すように、ｃの値
すなわちＴａ2 Ｏ5 が０．５モル％未満になるか、ある
いは試料番号１４に示すようにｃの値が４．５モル％を
超えると、ＴＣが１５％を超えるため好ましくない。
すなわちＴａ2 Ｏ5 が０．５モル％未満になるか、ある
いは試料番号１４に示すようにｃの値が４．５モル％を
超えると、ＴＣが１５％を超えるため好ましくない。
【００２９】表１の試料番号１５に示すように、ｄの値
すなわちＲｅ2 Ｏ3 が０．５モル％未満になるか、ある
いは試料番号１６に示すように、ｄの値が５．５モル％
を超えると、ＴＣが１５％を超える変化となり、また、
バイアスＴＣも−４０％を超える変化となり好ましくな
い。
すなわちＲｅ2 Ｏ3 が０．５モル％未満になるか、ある
いは試料番号１６に示すように、ｄの値が５．５モル％
を超えると、ＴＣが１５％を超える変化となり、また、
バイアスＴＣも−４０％を超える変化となり好ましくな
い。
【００３０】次に、第１副成分の範囲を限定した理由に
ついて説明する。表１の試料番号１７に示すように、第
１副成分の添加量が０．０５重量％未満になると、焼成
温度が１１６０℃を超えるため好ましくない。一方、試
料番号２０に示すように第１副成分の添加量が２．５重
量％を超えると、εが１０００未満となり好ましくな
い。
ついて説明する。表１の試料番号１７に示すように、第
１副成分の添加量が０．０５重量％未満になると、焼成
温度が１１６０℃を超えるため好ましくない。一方、試
料番号２０に示すように第１副成分の添加量が２．５重
量％を超えると、εが１０００未満となり好ましくな
い。
【００３１】次に、第２副成分を限定した理由について
説明する。表２の試料番号３０に示すように、第２副成
分の添加量が０．５重量％を超えると、ｔａｎδが２．
５％を超える大きな値となるため好ましくない。
説明する。表２の試料番号３０に示すように、第２副成
分の添加量が０．５重量％を超えると、ｔａｎδが２．
５％を超える大きな値となるため好ましくない。
【００３２】なお、上記実施例においては、副成分とし
てＢａＯ−ＳｒＯ−ＣａＯ−Ｌｉ2Ｏ−ＳｉＯ2 系の酸
化物ガラスを用いたが、焼成温度を１１６０℃以下にす
る焼結助剤としてはこれに限るものではなく、たとえば
ＢａＯ−Ｌｉ2 Ｏ−Ｂ2 Ｏ3 -ＳｉＯ2 系などの硼素を含
む酸化物ガラスを用いてもよく、ＳｉＯ2 −Ｂ4 Ｃなど
非酸化物を含む系であってもよい。
てＢａＯ−ＳｒＯ−ＣａＯ−Ｌｉ2Ｏ−ＳｉＯ2 系の酸
化物ガラスを用いたが、焼成温度を１１６０℃以下にす
る焼結助剤としてはこれに限るものではなく、たとえば
ＢａＯ−Ｌｉ2 Ｏ−Ｂ2 Ｏ3 -ＳｉＯ2 系などの硼素を含
む酸化物ガラスを用いてもよく、ＳｉＯ2 −Ｂ4 Ｃなど
非酸化物を含む系であってもよい。
【００３３】また、上記実施例においては、あらかじめ
所定の組成比に調合し、高温に熱処理して熔融した後に
粉砕してガラス化した第１副成分を、磁器組成物の主成
分に添加配合した。しかし、主成分および第１副成分の
添加方法としては、この他、あらかじめ所定の割合に調
合して溶融しない程度に加熱し、出発原料を改質したも
の、例えばＢｉ4 Ｚｒ3 Ｏ12のような固溶体を添加する
か、あるいは第１副成分の各構成元素を、例えば金属ア
ルコキシドといった任意の化合物状態で主成分に対して
個々に添加してもよい。
所定の組成比に調合し、高温に熱処理して熔融した後に
粉砕してガラス化した第１副成分を、磁器組成物の主成
分に添加配合した。しかし、主成分および第１副成分の
添加方法としては、この他、あらかじめ所定の割合に調
合して溶融しない程度に加熱し、出発原料を改質したも
の、例えばＢｉ4 Ｚｒ3 Ｏ12のような固溶体を添加する
か、あるいは第１副成分の各構成元素を、例えば金属ア
ルコキシドといった任意の化合物状態で主成分に対して
個々に添加してもよい。
【００３４】また、第２副成分においても、上記実施例
では最初から酸化物の形で添加したが、原料作製時の出
発原料としては、各元素の炭酸物など、仮焼、焼成の段
階で酸化物になるものを用いることができる。
では最初から酸化物の形で添加したが、原料作製時の出
発原料としては、各元素の炭酸物など、仮焼、焼成の段
階で酸化物になるものを用いることができる。
【００３５】
【表１】
【００３６】
【表２】
【００３７】
【表３】
【００３８】
【表４】
Claims (2)
- 【請求項１】 次の一般式、 ｛１００−（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）｝ＢａＴｉＯ3 ＋ａＺｎ
Ｏ＋ｂ（２Ｂｉ2 Ｏ3・３ＺｒＯ2 ）＋ｃＴａ2 Ｏ5 ＋
ｄＲｅ2 Ｏ3 （ただし、ＲｅはＬａ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｄｙ、Ｅｒ
の中から選ばれる少なくとも１種類、ａ、ｂ、ｃおよび
ｄはモル％）で表される主成分が９７．５〜９９．９５
重量％、 ただし、前記一般式のａ、ｂ、ｃおよびｄがそれぞれ次
の範囲にある ０．５≦ａ≦４．５ ０．５≦ｂ≦４．５ ０．５≦ｃ≦４．５ ０．５≦ｄ≦５．５ ＳｉＯ2 を主成分とするガラスからなる第１副成分が
０．０５〜２．５重量％、からなる誘電体磁器組成物。 - 【請求項２】 次の一般式、 ｛１００−（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）｝ＢａＴｉＯ3 ＋ａＺｎ
Ｏ＋ｂ（２Ｂｉ2 Ｏ3・３ＺｒＯ2 ）＋ｃＴａ2 Ｏ5 ＋
ｄＲｅ2 Ｏ3 （ただし、ＲｅはＬａ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｄｙ、Ｅｒ
の中から選ばれる少なくとも１種類、ａ、ｂ、ｃおよび
ｄはモル％）で表される主成分が９７．０〜９９．９４
重量％、 ただし、前記一般式のａ、ｂ、ｃおよびｄがそれぞれ次
の範囲にある ０．５≦ａ≦４．５ ０．５≦ｂ≦４．５ ０．５≦ｃ≦４．５ ０．５≦ｄ≦５．５ ＳｉＯ2 を主成分とするガラスからなる第１副成分が
０．０５〜２．５重量％、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏおよ
びＮｉの酸化物の中から選ばれる少なくとも１種類から
なる第２副成分が０．０１〜０．５重量％、からなる誘
電体磁器組成物。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10984094A JP3235343B2 (ja) | 1994-05-24 | 1994-05-24 | 誘電体磁器組成物 |
| DE69501754T DE69501754T2 (de) | 1994-05-24 | 1995-05-19 | Dielektrische keramische Zusammensetzung |
| EP95107746A EP0684214B1 (en) | 1994-05-24 | 1995-05-19 | Dielectric ceramic composition |
| US08/447,234 US5612268A (en) | 1994-05-24 | 1995-05-22 | Dielectric ceramic composition |
| KR1019950013039A KR0161099B1 (ko) | 1994-05-24 | 1995-05-24 | 유전체 세라믹 조성물 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10984094A JP3235343B2 (ja) | 1994-05-24 | 1994-05-24 | 誘電体磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07315920A true JPH07315920A (ja) | 1995-12-05 |
| JP3235343B2 JP3235343B2 (ja) | 2001-12-04 |
Family
ID=14520539
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10984094A Expired - Fee Related JP3235343B2 (ja) | 1994-05-24 | 1994-05-24 | 誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3235343B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2020203824A (ja) * | 2019-06-17 | 2020-12-24 | サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド． | 誘電体磁器組成物及びこれを含む積層セラミックキャパシタ |
| JP2021020845A (ja) * | 2019-07-24 | 2021-02-18 | サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド． | 誘電体磁器組成物及びこれを含む積層セラミックキャパシタ |
| RU2786939C1 (ru) * | 2022-10-20 | 2022-12-26 | Акционерное общество "НПЦ СпецЭлектронСистемы" | Сегнетоэлектрический материал |
-
1994
- 1994-05-24 JP JP10984094A patent/JP3235343B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2020203824A (ja) * | 2019-06-17 | 2020-12-24 | サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド． | 誘電体磁器組成物及びこれを含む積層セラミックキャパシタ |
| US12488941B2 (en) | 2019-06-17 | 2025-12-02 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Dielectric ceramic composition and multilayer ceramic capacitor comprising same |
| JP2021020845A (ja) * | 2019-07-24 | 2021-02-18 | サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド． | 誘電体磁器組成物及びこれを含む積層セラミックキャパシタ |
| US11854746B2 (en) | 2019-07-24 | 2023-12-26 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Dielectric ceramic composition and multilayer ceramic capacitor comprising the same |
| US12562312B2 (en) | 2019-07-24 | 2026-02-24 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Dielectric ceramic composition and multilayer ceramic capacitor comprising the same |
| RU2786939C1 (ru) * | 2022-10-20 | 2022-12-26 | Акционерное общество "НПЦ СпецЭлектронСистемы" | Сегнетоэлектрический материал |
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| JP3235343B2 (ja) | 2001-12-04 |
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