JPH07316101A - Antiferroelectric liquid crystal substance - Google Patents

Antiferroelectric liquid crystal substance

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JPH07316101A
JPH07316101A JP6112942A JP11294294A JPH07316101A JP H07316101 A JPH07316101 A JP H07316101A JP 6112942 A JP6112942 A JP 6112942A JP 11294294 A JP11294294 A JP 11294294A JP H07316101 A JPH07316101 A JP H07316101A
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JP
Japan
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liquid crystal
tilt angle
threshold voltage
phase
antiferroelectric
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JP6112942A
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Japanese (ja)
Inventor
Tomoyuki Yui
知之 油井
Teruyo Tomiyama
照予 富山
Masahiro Kino
正博 城野
Takahiro Matsumoto
隆宏 松本
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Mitsubishi Gas Chemical Co Inc
Original Assignee
Mitsubishi Gas Chemical Co Inc
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 低いしきい値電圧、高チルト角を示す反強誘
電性液晶物質を提供する。 【構成】 次の一般式(1) で表される新規な反強誘電性
液晶物質。 【化1】 (式中nは4、6、8の整数を表す、C* は不斉炭素で
あることを示す。)
(57) [Summary] [Object] To provide an anti-ferroelectric liquid crystal substance having a low threshold voltage and a high tilt angle. [Structure] A novel antiferroelectric liquid crystal substance represented by the following general formula (1). [Chemical 1] (In the formula, n represents an integer of 4, 6, or 8, and C * represents an asymmetric carbon.)

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は新規な反強誘電性液晶物
質に関する。
FIELD OF THE INVENTION The present invention relates to a novel antiferroelectric liquid crystal substance.

【0002】[0002]

【従来の技術】液晶表示素子は、低電圧作動性、低消費
電力性、薄型表示が可能である事等により、現在までに
各種の小型表示素子に利用されてきた。しかし、昨今の
情報、OA関連機器分野、あるいはテレビ分野への液晶
表示素子の応用、用途拡大に伴って、これまでの CRT表
示素子を上回る表示容量、表示品質を持つ高性能大型液
晶表示素子の要求が、急速に高まってきた。
2. Description of the Related Art Liquid crystal display devices have been used for various small display devices to date because of their low voltage operability, low power consumption, and thin display capability. However, with the recent application of information, OA-related equipment fields or liquid crystal display elements to the television field, and expansion of applications, high-performance large-sized liquid crystal display elements with display capacities and display quality that exceed conventional CRT display elements have been developed. The demands are rising rapidly.

【0003】しかしながら、ネマチック液晶を使用する
限りにおいては、液晶テレビ用に採用されているアクテ
イブマトリックス駆動液晶表示素子でも、製造プロセス
の複雑さと歩留りの低さが大きな問題であり、それらの
問題点は徐々に改善されつつあるものの、その大型化、
低コスト化は容易ではない。又、単純マトリックス駆動
の STN型液晶表示素子にしても、大容量駆動は必ずしも
容易ではなく、応答時間にも限界があり動画表示は困難
である。更にネマチック液晶表示素子は、視野角が狭い
という本質的な問題点を抱えている。従って、ネマチッ
ク液晶表示素子は、上記の高性能大型液晶表示素子への
要求を満足するものとはいい難いのが実情である。
However, as far as the nematic liquid crystal is used, even in the active matrix driving liquid crystal display element adopted for the liquid crystal television, the complexity of the manufacturing process and the low yield are major problems, and those problems are caused. Although it is gradually improving, its size increase,
Cost reduction is not easy. Moreover, even with a STN type liquid crystal display element of simple matrix drive, it is not always easy to drive a large capacity, and there is a limit in response time, making it difficult to display a moving image. Further, the nematic liquid crystal display device has an essential problem that the viewing angle is narrow. Therefore, it is difficult to say that the nematic liquid crystal display device satisfies the above-mentioned demands for the high-performance large-sized liquid crystal display device.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】このような状況のなか
で、高速液晶表示素子として注目されているのが、強誘
電性液晶を用いた液晶表示素子である。クラ−クとラガ
バ−ルにより発表された表面安定化型強誘電性液晶(SSF
LC) 素子は、その従来にない速い応答速度と広い視野角
を有する事が注目され、そのスイッチング特性に関して
は詳細に検討されおり、種々の物性定数を最適化するた
め多くの強誘電性液晶が合成されている。しかしながら
しきい値特性が不十分である、層の構造がシェブロン構
造をしているなどからコントラストが不良である、高速
応答が実現されていない、配向制御が困難でSSFLC の最
大の特徴の1つである双安定性の実現が容易でない、機
械的衝撃に依って配向が破壊されそれの回復が困難であ
るなどの問題があり、実用化にはこれらの問題の克服が
必要である。
Under such circumstances, a liquid crystal display device using a ferroelectric liquid crystal has attracted attention as a high speed liquid crystal display device. Surface Stabilized Ferroelectric Liquid Crystal (SSF) announced by Clarke and La Gavar
It has been noticed that the LC) device has an unprecedented fast response speed and a wide viewing angle, and its switching characteristics have been studied in detail, and many ferroelectric liquid crystals are used to optimize various physical property constants. It is synthesized. However, the threshold characteristics are insufficient, the contrast is poor due to the chevron structure of the layer, high-speed response has not been realized, alignment control is difficult, and one of the most important features of SSFLC. However, there are problems that it is not easy to realize the bistability, and it is difficult to recover the orientation due to mechanical impact, and it is necessary to overcome these problems for practical use.

【0005】これとは別に、SSFLC と異なるスイッチン
グ機構の素子の開発も同時に進められている。反強誘電
相を有する液晶物質(以下、反強誘電性液晶物質と呼
ぶ)の三安定状態間のスイッチングも、これらの新しい
スイッチング機構の1つである(Japanese Journal of
Applied Physics, Vol.27, pp.L729,1988)。反強誘電
性液晶素子は3つの安定な状態を有する。すなわち、強
誘電性液晶素子で見られる2つのユニフォ−ム状態(Ur,
Ul)と第三状態である。この第三状態が反強誘電相であ
ることをChandaniらが報告している(Japanese Journal
ofApplied Physics, Vol.28, pp.L1261, 1989 、Japan
ese Journal of AppliedPhysics, Vol.28, pp.L1265, 1
989)。このような三安定状態間のスイッチングが反強誘
電性液晶素子の第1の特徴である。反強誘電性液晶素子
の第2の特徴は印加電圧に対して明確なしきい値が存在
することである。更にメモリ−性を有しておりこれが反
強誘電性液晶素子の第3の特徴である。これらの優れた
特徴を利用することにより応答速度が速く、コントラス
トが良好な液晶表示素子を実現できる。
Separately from this, the development of an element having a switching mechanism different from that of SSFLC is also in progress. Switching between three stable states of a liquid crystal substance having an antiferroelectric phase (hereinafter referred to as an antiferroelectric liquid crystal substance) is one of these new switching mechanisms (Japanese Journal of
Applied Physics, Vol.27, pp.L729,1988). The antiferroelectric liquid crystal element has three stable states. That is, the two uniform states (Ur,
Ul) and the third state. Chandani et al. Reported that this third state is the antiferroelectric phase (Japanese Journal
ofApplied Physics, Vol.28, pp.L1261, 1989, Japan
ese Journal of Applied Physics, Vol.28, pp.L1265, 1
989). Such switching between tristable states is the first feature of the antiferroelectric liquid crystal element. The second characteristic of the antiferroelectric liquid crystal element is that there is a clear threshold value with respect to the applied voltage. Further, it has a memory property, which is the third feature of the antiferroelectric liquid crystal element. By utilizing these excellent characteristics, it is possible to realize a liquid crystal display device having a high response speed and a good contrast.

【0006】又、もう一つの大きな特徴として層構造が
電界により容易にスイッチングする事があげられる(Ja
panese Journal of Applied Physics, Vol.28, pp.L11
9,1989 、Japanese Journal of Applied Physics, Vol.
29, pp.L111, 1990) 。このことにより欠陥が少なく配
向の自己修復能力のある液晶表示素子の作製が可能とな
りコントラストに優れた液晶素子を実現できる。反強誘
電性液晶に関する研究の歴史が浅いために現在までに知
られている反強誘電性液晶物質の数は強誘電性液晶に比
べ遥かに少ないが、研究の進展にともなって次第にその
数を増している。しかしながら実用上の観点から、今ま
で合成された反強誘電性液晶を見ると、反強誘電状態か
ら強誘電状態へ相転移する時のしきい値電圧が高いた
め、表示素子とするときの駆動電圧が高くなる、チルト
角が小さいため表示素子の輝度或はコントラストが小さ
いく、表示品質の高い素子が得られないという問題があ
った。
Another major feature is that the layer structure is easily switched by an electric field (Ja
panese Journal of Applied Physics, Vol.28, pp.L11
9,1989, Japanese Journal of Applied Physics, Vol.
29, pp.L111, 1990). As a result, it is possible to manufacture a liquid crystal display element having few defects and self-repairing orientation, and a liquid crystal element having excellent contrast can be realized. The number of anti-ferroelectric liquid crystal substances known to date is far smaller than that of ferroelectric liquid crystals due to the short history of research on anti-ferroelectric liquid crystals, but as the research progresses, the number will gradually increase. It is increasing. However, from a practical point of view, when looking at the antiferroelectric liquid crystals that have been synthesized so far, the threshold voltage at the time of the phase transition from the antiferroelectric state to the ferroelectric state is high. Since the voltage is high and the tilt angle is small, the brightness or contrast of the display element is low, and there is a problem that an element with high display quality cannot be obtained.

【0007】これらのことから低電圧駆動を実現するた
めに、反強誘電状態から強誘電状態への相転移のしきい
値電圧ができるだけ低い材料、また高輝度、及びより高
いコントラストの表示素子を実現するためにできるだけ
チルト角が大きい材料の出現が強く望まれている。しき
い値電圧は、前述したように素子の駆動電圧に直接的に
影響するが実用素子においては駆動用の IC に関係す
る。液晶素子を駆動するためには IC が必要であるが、
市販の一般的な IC を使用することが、液晶素子の実用
化に当たっては最も経済的である。市販の一般的な IC
を使用するためには、駆動電圧は30V以下、好ましくは
25V以下、更に20V以下であることが望ましい。そのた
め液晶表示素子のしきい値電圧としては20V以下、好ま
しくは15V以下、更に10V以下であることが望ましい。
通常反強誘電性液晶素子のセルギャップは2μm以下で
あるが、そのためセルギャプ当りのしきい値電圧として
は 10 V/μm以下、好ましくは7.5 V/μm以下、更に 5
V/μm以下となる。
From the above, in order to realize low voltage driving, a material having a threshold voltage of the phase transition from the antiferroelectric state to the ferroelectric state as low as possible, and a display element having high brightness and higher contrast are provided. In order to realize it, the emergence of a material having a tilt angle as large as possible is strongly desired. The threshold voltage directly affects the driving voltage of the device as described above, but is related to the driving IC in practical devices. An IC is required to drive the liquid crystal element,
It is most economical to put a general-purpose IC on the market into practical use for a liquid crystal device. Commercially available general IC
Drive voltage is less than 30V, preferably
It is preferably 25 V or less, and more preferably 20 V or less. Therefore, it is desirable that the threshold voltage of the liquid crystal display device is 20 V or less, preferably 15 V or less, and further 10 V or less.
Normally, the cell gap of an antiferroelectric liquid crystal element is 2 μm or less, and therefore the threshold voltage per cell gap is 10 V / μm or less, preferably 7.5 V / μm or less, and further 5 V / μm or less.
V / μm or less.

【0008】滑川ら(第17回液晶討論会講演予稿集、
98、1991) は、一般式 Cm H2m+1-O-Ph-Ph-COO-Ph(2-F)-COO-COO-C*H(CF3) Cn H
2n+1 (式中 2-Fはフェニル基の2−位置へのフッ素置換を示
す)で示される液晶化合物に於てmが奇数の場合、偶数
に比べ大きくしきい値電圧が低下することを認めてい
る。しかしながら、フェニル基の2−位置にフッ素置換
した反強誘電性液晶は、確かにしきい値電圧は小さい
が、チルト角が20゜前後と極めて小さいため実用素子
への応用は考え難い。また村城ら(第17回液晶討論会
講演予稿集、260 、1991) は一般式 Cn H2n+1-O-Ph-Ph-COO-Ph(3-F)-COO-C*H(CH3)C6H13 (式中 3-Fはフェニル基の3−位置へのフッ素置換を示
す)において、nが大きくなるほどしきい値電圧は小さ
くなるが、フェニル基の3−位置へのフッ素置換により
しきい値電圧が著しく大きくなることを報告している。
Namekawa et al. (Proceedings of the 17th Liquid Crystal Conference)
98, 1991) is the general formula C m H 2m + 1 -O-Ph-Ph-COO-Ph (2-F) -COO-COO-C * H (CF 3 ) C n H
In the liquid crystal compound represented by 2n + 1 (2-F in the formula represents fluorine substitution at the 2-position of the phenyl group), when m is an odd number, the threshold voltage is significantly reduced as compared with the even number. I admit. However, the antiferroelectric liquid crystal in which the 2-position of the phenyl group is substituted with fluorine has a small threshold voltage, but has a very small tilt angle of about 20 °, which makes it difficult to consider application to a practical device. In addition, Muragi et al. (Proceedings of the 17th Liquid Crystal Symposium Lecture, 260, 1991) show that the general formula C n H 2n + 1 -O-Ph-Ph-COO-Ph (3-F) -COO-C * H ( In CH 3 ) C 6 H 13 (wherein 3-F represents fluorine substitution at the 3-position of the phenyl group), the threshold voltage decreases as n increases, but It has been reported that the threshold voltage is significantly increased by fluorine substitution.

【0009】チルト角は、液晶表示素子の輝度、コント
ラスト、とりわけ輝度に大きな影響をもたらすために、
その大小は表示素子の表示品質を左右する因子となる。
即ち、チルト角は素子の光透過率に関係し、チルト角が
大きければ大きいほど光透過率が大きくなりその結果輝
度、コントラストに優れた素子を実現できる。チルト角
は反強誘電性液晶の場合 45゜が最大値であり、液晶材
料のチルト角をできるだけこの値に近づけることが反強
誘電性液晶材料開発の重要な点である。輝度の低い素子
は、例えば表示ディスプレーの場合はバックライトの強
化によって、輝度の低さを補うことは可能であるが、バ
ックライトの強化は消費電力の増大を招き好ましくな
い。このようなことから素子のチルト角としては少なく
とも 27゜以上、好ましくは 30゜以上、最も好ましく
は 35゜以上である。尚、現在までチルト角と化学構造
の間の関連を示す報告はなされていない。また、現在ま
でに報告されている反強誘電性液晶の最大のチルト角は
30゜前後である。
Since the tilt angle has a great influence on the brightness and contrast of the liquid crystal display element, especially on the brightness,
The size is a factor that affects the display quality of the display element.
That is, the tilt angle is related to the light transmittance of the element. The larger the tilt angle is, the higher the light transmittance becomes, and as a result, an element having excellent brightness and contrast can be realized. The maximum tilt angle is 45 ° in the case of antiferroelectric liquid crystal, and it is an important point in the development of antiferroelectric liquid crystal materials to bring the tilt angle of the liquid crystal material as close as possible to this value. In the case of an element having low brightness, for example, in the case of a display, it is possible to compensate for the low brightness by strengthening the backlight, but strengthening the backlight causes an increase in power consumption and is not preferable. For this reason, the tilt angle of the device is at least 27 ° or more, preferably 30 ° or more, and most preferably 35 ° or more. In addition, up to now, there has been no report showing the relationship between the tilt angle and the chemical structure. In addition, the maximum tilt angle of the antiferroelectric liquid crystal reported to date is
It is around 30 °.

【0010】現在まで合成されている反強誘電性液晶の
一般的な性質は、しきい値電圧が低い液晶はチルト角が
小さく、またチルト角が大きい液晶はしきい値電圧が高
い傾向が極めて強い。従って、チルト角が大きく、かつ
しきい値電圧が低い二つの特性を兼ね備えた液晶材料が
得られれば、実用上極めて有効な反強誘電性液晶とな
る。本発明はこの様な観点から行われたものであり、実
用上極めて有益である上記二つの特性を備えた、新規な
反強誘電性液晶材料に関するものである。
The general properties of the anti-ferroelectric liquid crystals synthesized so far are that liquid crystals having a low threshold voltage tend to have a small tilt angle, and liquid crystals having a large tilt angle tend to have a high threshold voltage. strong. Therefore, if a liquid crystal material having both a large tilt angle and a low threshold voltage can be obtained, an antiferroelectric liquid crystal that is extremely effective in practical use can be obtained. The present invention has been made from such a viewpoint, and relates to a novel antiferroelectric liquid crystal material having the above-mentioned two characteristics which are extremely useful in practice.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】本発明は、次の一般式
(1) で表される新規な反強誘電性液晶物質である。
The present invention has the following general formula:
It is a novel antiferroelectric liquid crystal substance represented by (1).

【化2】 (式中nは4、6、8の整数を表す、C* は不斉炭素で
あることを示す)。
[Chemical 2] (In the formula, n represents an integer of 4, 6, or 8, and C * represents an asymmetric carbon).

【0012】本発明は、反強誘電性液晶の一般式を Cn H2n+1-O-Ph-Ph-COO-Ph(3-F)-COO-C*H(CH3) Cm H2m+1 (3-Fは、フェニル基へのフッ素置換を示す)で表したと
き、n=9の場合に実用的観点から充分に満足すべきし
きい値電圧と、チルト角を有する最も物性的にバランス
のとれた液晶となることを見いだし本発明を完成したも
のである。本発明では、上記一般式(1) で表される化合
物の中で、nは6又は8であること(実施例2、3)が
好ましく、特にnが6(実施例2)が好ましい。
In the present invention, the general formula of antiferroelectric liquid crystal is represented by C n H 2n + 1 -O-Ph-Ph-COO-Ph (3-F) -COO-C * H (CH 3 ) C m H When expressed by 2m + 1 (3-F indicates fluorine substitution to the phenyl group), the threshold voltage and the tilt angle which should be sufficiently satisfied from a practical point of view when n = 9 and the most physical properties are obtained. The present invention has been completed by finding that the liquid crystal becomes a well-balanced liquid crystal. In the present invention, among the compounds represented by the general formula (1), n is preferably 6 or 8 (Examples 2 and 3), and particularly preferably n is 6 (Example 2).

【0013】本発明で用いられる光学活性アルコール
は、市販のもの或はラセミ体の光学分割によって得られ
る。また本発明の目的液晶化合物の製造法の例を反応式
で示すと次の通りである。 (1) C9H19-O-Ph-Ph-COOH + SOCl2 → C9H19-O-Ph-Ph-
COCl (2) AcO-Ph(3-F)-COOH + SOCl2 → AcO-Ph(3-F)-CO
Cl (3) AcO-Ph(3-F)-COCl + CH3C*H(OH)Cn H2n+1 →AcO-Ph
(3-F)-COO-C*H(CH3)Cn H2n*1 (4) AcO-Ph(3-F)-COO-C*H(CH3) Cn H2n+1 + (Ph-CH2NH
2) →H-Ph(3-F)-COO-C*H(CH3) Cn H2n+1 (5) C9H19-O-Ph-Ph-COCl + H-Ph(3-F)-COO-C*H(CH3)C
n H2n+1 →目的液晶化合物
The optically active alcohol used in the present invention is commercially available or can be obtained by optical resolution of a racemate. An example of the method for producing the target liquid crystal compound of the present invention is shown by a reaction formula as follows. (1) C 9 H 19 -O-Ph-Ph-COOH + SOCl 2 → C 9 H 19 -O-Ph-Ph-
COCl (2) AcO-Ph (3-F) -COOH + SOCl 2 → AcO-Ph (3-F) -CO
Cl (3) AcO-Ph (3-F) -COCl + CH 3 C * H (OH) C n H 2n + 1 → AcO-Ph
(3-F) -COO-C * H (CH 3 ) C n H 2n * 1 (4) AcO-Ph (3-F) -COO-C * H (CH 3 ) C n H 2n + 1 + ( Ph-CH 2 NH
2 ) → H-Ph (3-F) -COO-C * H (CH 3 ) C n H 2n + 1 (5) C 9 H 19 -O-Ph-Ph-COCl + H-Ph (3-F ) -COO-C * H (CH 3 ) C
n H 2n + 1 → target liquid crystal compound

【0014】[0014]

【発明の効果】本発明は、新規な反強誘電性液晶物質を
提供する事ができるものである。そして、本発明により
提供された新規な反強誘電性液晶物質及び反強誘電性液
晶組成物は、低しきい値電圧、高チルト角という二つの
優れた性質を併せ持ち、そしてその特徴である三安定状
態間のスイッチング、明確なしきい値特性、良好なメモ
リ−性を利用して液晶表示素子に用いる事ができる。
The present invention can provide a novel antiferroelectric liquid crystal substance. The novel anti-ferroelectric liquid crystal material and anti-ferroelectric liquid crystal composition provided by the present invention have two excellent properties of low threshold voltage and high tilt angle, and are the three characteristics. It can be used for a liquid crystal display device by utilizing switching between stable states, a clear threshold characteristic, and good memory property.

【0015】[0015]

【実施例】次に実施例及び比較例を掲げて本発明を更に
具体的に説明するが、本発明はもちろんこれに限定され
るものではない。 実施例1 R-3-フルオロ-4-(1-メチル−ペンチルオキシカルボニ
ル)フェニル-4'-n-ノニルオキシビフェニル−4-カルボ
キシレート(一般式(1) で n=4の場合)の製造。
EXAMPLES Next, the present invention will be described more specifically with reference to Examples and Comparative Examples, but the present invention is not limited to these. Example 1 Preparation of R-3-fluoro-4- (1-methyl-pentyloxycarbonyl) phenyl-4′-n-nonyloxybiphenyl-4-carboxylate (when n = 4 in the general formula (1)) .

【0016】(1) 4-(4'-n-ノニルオキシ)ビフェニルカ
ルボン酸の製造 4-(4'-ハイドロキシ)ビフェニルカルボン酸 10.5g、n-
ノニルブロマイド 15.2gを、エタノール 1500 ml(ミリリット
ル)、水 200mlの混合液に加え、還流下で10時間反応させ
た。更に水 500mlを加え3時間撹はんした。反応終了
後、濃塩酸を加えて酸性としてから、溶媒を 500ml留去
して室温まで冷却し白色固体を得た。これを充分水洗し
てから、クロロホルムより再結晶し、目的物の白色結晶
12.7gを得た。
(1) Production of 4- (4'-n-nonyloxy) biphenylcarboxylic acid 4- (4'-hydroxy) biphenylcarboxylic acid 10.5 g, n-
15.2 g of nonyl bromide was added to a mixed solution of 1500 ml (milliliter) of ethanol and 200 ml of water, and the mixture was reacted under reflux for 10 hours. Further, 500 ml of water was added and the mixture was stirred for 3 hours. After completion of the reaction, concentrated hydrochloric acid was added to make the solution acidic, and then 500 ml of the solvent was distilled off and cooled to room temperature to obtain a white solid. After washing it thoroughly with water, it was recrystallized from chloroform to give the desired white crystals.
12.7 g was obtained.

【0017】(2) 4-アセトキシ−2-フルオロ安息香酸の
製造 2-フルオロ−4-ヒドロキシ安息香酸 4.3g と無水酢酸
8.4g とを2口フラスコに取り混合した。水冷下硫酸を
5滴添加した。発熱がおさまってから80℃で30分間加熱
した。その後反応混合物を冷水中にあけ、析出した結晶
をろ過した。結晶は真空乾燥した後、次の工程で使用し
た。収量は 4.7g であった。
(2) Preparation of 4-acetoxy-2-fluorobenzoic acid 4.3 g of 2-fluoro-4-hydroxybenzoic acid and acetic anhydride
8.4 g was mixed in a two-necked flask. Five drops of sulfuric acid were added under water cooling. After the exotherm subsided, the mixture was heated at 80 ° C for 30 minutes. Then, the reaction mixture was poured into cold water, and the precipitated crystals were filtered. The crystals were dried in vacuum and used in the next step. The yield was 4.7 g.

【0018】(3) 4-アセトキシ−2-フルオロ-1-(1-メチ
ルペンチルオキシカルボニル)ベンゼンの製造 4-アセトキシ−2-フルオロ安息香酸 1.2g を塩化チオニ
ル 7mlに加え還流下で5時間反応させた。次に過剰の塩
化チオニルを留去してから、ピリジン 1ml、乾燥エーテ
ル 4ml、R-(+)-2-ヘキサノール 0.5g の混合物を滴下し
た。滴下後、一昼夜室温で攪拌し、エーテル 200mlで希
釈して、有機層を希塩酸、1N水酸化ナトリウム水溶液、
水の順で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を
留去して粗製の目的物をヘキサン/酢酸エチルを溶媒と
するシリカゲルカラムクロマトで精製して目的物を 1.0
g を得た。
(3) Preparation of 4-acetoxy-2-fluoro-1- (1-methylpentyloxycarbonyl) benzene 4-acetoxy-2-fluorobenzoic acid (1.2 g) was added to thionyl chloride (7 ml) and the mixture was reacted under reflux for 5 hours. Let Then, excess thionyl chloride was distilled off, and then a mixture of 1 ml of pyridine, 4 ml of dry ether and 0.5 g of R-(+)-2-hexanol was added dropwise. After the dropping, the mixture was stirred overnight at room temperature, diluted with 200 ml of ether, and the organic layer was diluted with dilute hydrochloric acid, 1N sodium hydroxide aqueous solution,
It was washed with water in that order and dried over magnesium sulfate. The solvent was distilled off, and the crude target substance was purified by silica gel column chromatography using hexane / ethyl acetate as a solvent to give the target substance 1.0.
got g.

【0019】(4) 4-ヒドロキシ−2-フルオロ-(1-メチル
ペンチルオキシベンゼンの製造 上記(3) で得た化合物 1.0g を、エタノール 30ml に溶
解させて、ベンジルアミン 3g を滴下した。更に室温で
一昼夜攪拌した後、エーテル 300mlで希釈して、希塩
酸、水の順で洗浄し、硫酸マグネシュウムで乾燥した。
溶媒を留去してからシリカゲルカラムクロマトグラフィ
ーで単離精製し、目的物 0.5g を得た。
(4) Preparation of 4-hydroxy-2-fluoro- (1-methylpentyloxybenzene) 1.0 g of the compound obtained in (3) above was dissolved in 30 ml of ethanol, and 3 g of benzylamine was added dropwise. The mixture was stirred at room temperature for 24 hours, diluted with 300 ml of ether, washed with diluted hydrochloric acid and water in this order, and dried over magnesium sulfate.
After the solvent was distilled off, the residue was isolated and purified by silica gel column chromatography to obtain 0.5 g of the desired product.

【0020】(5) 3-フルオロ-4-(1-メチルペンチルオキ
シカルボニルフェニル)-4'-n−ノニルオキシビフェニル
−4-カルボキシレートの製造 上記(1) で得た化合物 0.9g に塩化チオニル 10ml を加
え、10時間加熱還流した。過剰の塩化チオニルを留去し
た後、ピリジン 10ml 、トルエン 25ml を加えてから、
上記(4) で得た化合物 0.5g のベンゼン溶液 25ml を滴
下し、室温で10時間反応させた。反応終了後、エーテル
300mlで希釈し、希塩酸、1N炭酸ナトリウム水溶液、水
の順で洗浄して、有機層を硫酸マグネシウムで乾燥し
た。次に、溶媒を留去してからシリカゲルクロマトグラ
フィーで単離した。ついでエタノールで再結晶して目的
物 0.6g を得た。
(5) Preparation of 3-fluoro-4- (1-methylpentyloxycarbonylphenyl) -4'-n-nonyloxybiphenyl-4-carboxylate 0.9 g of the compound obtained in the above (1) was added to thionyl chloride. 10 ml was added and the mixture was heated under reflux for 10 hours. After distilling off excess thionyl chloride, 10 ml of pyridine and 25 ml of toluene were added, and then
25 ml of a benzene solution containing 0.5 g of the compound obtained in (4) above was added dropwise, and the mixture was reacted at room temperature for 10 hours. After the reaction is complete, ether
The mixture was diluted with 300 ml, washed with diluted hydrochloric acid, a 1N sodium carbonate aqueous solution and water in this order, and the organic layer was dried over magnesium sulfate. Then, the solvent was distilled off and the residue was isolated by silica gel chromatography. Then, the product was recrystallized from ethanol to obtain 0.6 g of the desired product.

【0021】上記(5) で得た目的物の 1H-NMR スペクト
ルを図1に示した。図1に於けるピ−クの番号と後記に
示した目的物の化学構造の水素原子の番号が対応してい
る。相の同定は、テクスチャヤー観察、及びDSC(示差走
差熱量計)の測定により行なった。本発明の化合物の相
系列は、後記の通りであった。
The 1H-NMR spectrum of the desired product obtained in (5) above is shown in FIG. The peak numbers in FIG. 1 correspond to the hydrogen atom numbers in the chemical structure of the target substance shown below. The phases were identified by observing the texture and measuring DSC (differential differential scanning calorimeter). The phase sequence of the compound of the present invention was as described below.

【0022】ついで、本液晶のしきい値電圧及びチルト
角を測定した。測定は下記の方法によった。ラビング処
理したポリイミド薄膜を有する ITO電極付の液晶セル
(セル厚2μm)に、上記化合物を等方相の状態で充填
した。このセルを毎分 1.0℃で徐冷して、SA相で液晶を
配向させた。セルを直交する偏向板間に液晶の層方向が
アナライザ−またはポラライザ−と平行になるように設
置し、セルに±25V、0.5 Hzの三角波電圧を印加して、
透過光量の変化をフォトマルチプライヤ−により測定し
た。
Next, the threshold voltage and tilt angle of the present liquid crystal were measured. The measurement was performed by the following method. A liquid crystal cell with an ITO electrode (cell thickness 2 μm) having a rubbed polyimide thin film was filled with the above compound in an isotropic phase state. The cell was gradually cooled at 1.0 ° C./min to orient the liquid crystal in the SA phase. The cell was installed between the orthogonal deflection plates so that the liquid crystal layer direction was parallel to the analyzer or polarizer, and ± 25V, 0.5 Hz triangular wave voltage was applied to the cell,
The change in the amount of transmitted light was measured by a photomultiplier.

【0023】その結果、 125℃から61℃の温度領域で、
図2に示すような反強誘電相に特有なダブルヒステリシ
スの応答履歴が認められた。図中光透過率の最小と最大
を0%、 100%と定義する。そして図中の○印の点は透
過率が10%、90%であることを示しておりこの位置の電
圧をしきい値電圧と定義する。そして反強誘電から強誘
電状態へ変化するときの90%透過率における電圧をしき
い値電圧 VTH1(V/μm)、強誘電から反強誘電状態へ変
化するときの90%透過率における電圧を VTH2(V/μm)
としてこの値の大小によって液晶物性の優劣を判定す
る。また、上記電圧印加して暗視野が出るまでサンプル
を回転しその角度からチルト角を求めた。これらの結果
は後記の表1〜3に示した。
As a result, in the temperature range of 125 ° C. to 61 ° C.,
A double hysteresis response history peculiar to the antiferroelectric phase as shown in FIG. 2 was observed. The minimum and maximum values of light transmittance in the figure are defined as 0% and 100%. The circles in the figure indicate that the transmittance is 10% and 90%, and the voltage at this position is defined as the threshold voltage. The voltage at 90% transmittance when changing from antiferroelectric to ferroelectric state is the threshold voltage VTH1 (V / μm), and the voltage at 90% transmittance when changing from ferroelectric to antiferroelectric state is VTH2 (V / μm)
As a result, the superiority or inferiority of the liquid crystal physical properties is judged by the magnitude of this value. Further, the voltage was applied to rotate the sample until a dark field appeared, and the tilt angle was obtained from the angle. The results are shown in Tables 1 to 3 below.

【0024】比較例1、2 R-3-フルオロ-4-(1-メチル−ペンチルオキシカルボニ
ル)フェニル-4'-n-オクチルオキシビフェニル−4-カル
ボキシレート(比較例1)およびR-3-フルオロ-4-(1-メ
チル−ペンチルオキシカルボニル)フェニル-4'-n-デシ
ルオキシビフェニル−4-カルボキシレート(比較例2)
の製造 実施例1において、4-(4'-n-ノニルオキシ)ビフェニル
カルボン酸の代わりに4-(4'-n-オクチルオキシ)ビフェ
ニルカルボン酸または4-(4'-n-デシルオキシ)ビフェニ
ルカルボン酸を用い、実施例1と同様にして目的物を製
造した。これらの化合物の 1H-NMR スペクトルデータ
ー、相系列、しきい値電圧およびチルト角を測定した。
結果を表1〜3に示した。
Comparative Examples 1 and 2 R-3-Fluoro-4- (1-methyl-pentyloxycarbonyl) phenyl-4'-n-octyloxybiphenyl-4-carboxylate (Comparative Example 1) and R-3- Fluoro-4- (1-methyl-pentyloxycarbonyl) phenyl-4'-n-decyloxybiphenyl-4-carboxylate (Comparative Example 2)
In Example 1, 4- (4'-n-octyloxy) biphenylcarboxylic acid or 4- (4'-n-decyloxy) biphenylcarboxylic acid was used in place of 4- (4'-n-nonyloxy) biphenylcarboxylic acid. The target product was produced in the same manner as in Example 1 using an acid. 1H-NMR spectral data, phase series, threshold voltage and tilt angle of these compounds were measured.
The results are shown in Tables 1 to 3.

【0025】[0025]

【化3】 [Chemical 3]

【0026】[0026]

【表1】NMRスペクトル(ppm) 水素番号 1 2 3 4 5 6 7 8 実施例1 4.0 7.0 7.6 7.7 8.2 7.1 8.0 5.2 比較例1 4.0 7.0 7.6 7.7 8.2 7.1 8.0 5.2 比較例2 4.0 7.0 7.6 7.7 8.2 7.1 8.0 5.2 [Table 1] NMR spectrum (ppm) Hydrogen number 1 2 3 4 5 6 7 8 Example 1 4.0 7.0 7.6 7.7 8.2 7.1 8.0 5.2 Comparative example 1 4.0 7.0 7.6 7.7 8.2 7.1 8.0 5.2 Comparative example 2 4.0 7.0 7.6 7.7 8.2 7.1 8.0 5.2

【0027】[0027]

【表2】 相 系 列 実施例1 I (144) SA (127) SC* (125) SCA* (61) Cr 比較例1 I (149) SA (129) SCA* (20) SIA* (-12) SX 比較例2 I (141) SA (126) SC* (121) SCA* (1) SIA* (-20) Cr * ()内の数値は温度( ℃) を示す。 * 上記相系列でIは等方相、SAはスメクチックA相、SC
* は強誘電相のスメクチックC相、SCA*は反強誘電相の
スメクチックC相、Crは結晶相を示す。
[Table 2] Phase Sequence Example 1 I (144) SA (127) SC * (125) SCA * (61) Cr Comparative Example 1 I (149) SA (129) SCA * (20) SIA * (-12 ) SX Comparative Example 2 I (141) SA (126) SC * (121) SCA * (1) SIA * (-20) Cr * () The value in parentheses indicates temperature (° C). * In the above phase series, I is isotropic phase, SA is smectic A phase, SC
* Indicates a smectic C phase of a ferroelectric phase, SCA * indicates a smectic C phase of an antiferroelectric phase, and Cr indicates a crystalline phase.

【0028】[0028]

【表3】しきい値電圧およびチルト角 VTH1(V/μm) VTH2(V/μm) θ (°) 測定温度 (℃) 実施例1 11.0 7.9 27 115 比較例1 25.0 18.0 30 119 比較例2 14.1 9.6 29 110 比較例1の液晶のチルト角は比較的大きいが、しきい値
電圧が高く液晶セルのセルギャップを2μmとしたと
き、50V以上の駆動電圧が必要であり実用上使用できな
い。また比較例2の液晶も30V以下の電圧では駆動は困
難である。
[Table 3] Threshold voltage and tilt angle VTH1 (V / μm) VTH2 (V / μm) θ (°) Measurement temperature (° C) Example 1 11.0 7.9 27 115 Comparative example 1 25.0 18.0 30 119 Comparative example 2 14.1 9.6 29 110 Although the liquid crystal of Comparative Example 1 has a relatively large tilt angle, when the threshold voltage is high and the cell gap of the liquid crystal cell is set to 2 μm, a driving voltage of 50 V or more is required and it cannot be practically used. The liquid crystal of Comparative Example 2 is also difficult to drive at a voltage of 30 V or less.

【0029】実施例2〜3 R-3-フルオロ-4-(1-メチル−ヘプチルオキシカルボニ
ル)フェニル-4'-n-ノニルオキシビフェニル−4-カルボ
キシレート(実施例2)およびR-3-フルオロ-4-(1-メチ
ル−ノニルオキシカルボニル)フェニル-4'-n-ノニルオ
キシビフェニル−4-カルボキシレート(実施例3)(一
般式(1) で n=6, 8 の場合)の製造 実施例1において、4-ヒドロキシ−2-フルオロ-(1-メチ
ルペンチルオキシ)ベンゼンの代わりに、4-ヒドロキシ
−2-フルオロ-(1-メチルヘプチルオキシ)ベンゼンまた
は4-ヒドロキシ−2-フルオロ-(1-メチルノニルオキシ)
ベンゼンを用いる他は実施例1と同様にして目的物を製
造した。実施例1と同様にして物性測定した結果を後記
の表4〜6に示した。
Examples 2-3 R-3-fluoro-4- (1-methyl-heptyloxycarbonyl) phenyl-4'-n-nonyloxybiphenyl-4-carboxylate (Example 2) and R-3- Preparation of fluoro-4- (1-methyl-nonyloxycarbonyl) phenyl-4'-n-nonyloxybiphenyl-4-carboxylate (Example 3) (when n = 6, 8 in the general formula (1)) In Example 1, instead of 4-hydroxy-2-fluoro- (1-methylpentyloxy) benzene, 4-hydroxy-2-fluoro- (1-methylheptyloxy) benzene or 4-hydroxy-2-fluoro- (1-methylnonyloxy)
The target product was produced in the same manner as in Example 1 except that benzene was used. The results of measuring physical properties as in Example 1 are shown in Tables 4 to 6 below.

【0030】比較例3、4 R-3-フルオロ-4-(1-メチル−ヘプチルオキシカルボニ
ル)フェニル-4'-n-オクチルオキシビフェニル−4-カル
ボキシレート(比較例3)およびR-3-フルオロ-4-(1-メ
チル−ヘプチルオキシカルボニル)フェニル-4'-n-デシ
ルオキシビフェニル−4-カルボキシレート(比較例4)
の製造 実施例2において、4-(4'-n-ノニルオキシ)ビフェニル
カルボン酸の代わりに4-(4'-n-オクチルオキシ)ビフェ
ニルカルボン酸または4-(4'-n-デシルオキシ)ビフェニ
ルカルボン酸を用い、実施例2と同様にして目的物を製
造した。これらの化合物の 1H-NMR スペクトルデータ
ー、相系列、しきい値電圧およびチルト角を測定した。
結果を表4〜6に示した。
Comparative Examples 3, 4 R-3-Fluoro-4- (1-methyl-heptyloxycarbonyl) phenyl-4'-n-octyloxybiphenyl-4-carboxylate (Comparative Example 3) and R-3- Fluoro-4- (1-methyl-heptyloxycarbonyl) phenyl-4'-n-decyloxybiphenyl-4-carboxylate (Comparative Example 4)
Production of Example 2 In Example 2, 4- (4'-n-octyloxy) biphenylcarboxylic acid or 4- (4'-n-decyloxy) biphenylcarboxylic acid was used instead of 4- (4'-n-nonyloxy) biphenylcarboxylic acid. The target product was produced in the same manner as in Example 2 using an acid. 1H-NMR spectral data, phase series, threshold voltage and tilt angle of these compounds were measured.
The results are shown in Tables 4-6.

【0031】比較例5、6 R-3-フルオロ-4-(1-メチル−ノニルオキシカルボニル)
フェニル-4'-n-オクチルオキシビフェニル−4-カルボキ
シレート(比較例5)およびR-3-フルオロ-4-(1-メチル
−ノニルオキシカルボニル)フェニル-4'-n-デシルオキ
シビフェニル−4-カルボキシレート(比較例6)の製造 実施例3において、4-(4'-n-ノニルオキシ)ビフェニル
カルボン酸の代わりに4-(4'-n-オクチルオキシ)ビフェ
ニルカルボン酸または4-(4'-n-デシルオキシ)ビフェニ
ルカルボン酸を用い、実施例2と同様にして目的物を製
造した。これらの化合物の 1H-NMR スペクトルデータ
ー、相系列、しきい値電圧およびチルト角を測定した。
結果を表4〜6に示した。
Comparative Examples 5 and 6 R-3-fluoro-4- (1-methyl-nonyloxycarbonyl)
Phenyl-4'-n-octyloxybiphenyl-4-carboxylate (Comparative Example 5) and R-3-fluoro-4- (1-methyl-nonyloxycarbonyl) phenyl-4'-n-decyloxybiphenyl-4 -Production of carboxylate (Comparative Example 6) In Example 3, 4- (4'-n-octyloxy) biphenylcarboxylic acid or 4- (4'-n-octyloxy) biphenylcarboxylic acid was used instead of 4- (4'-n-nonyloxy) biphenylcarboxylic acid. Using'-n-decyloxy) biphenylcarboxylic acid, a target product was produced in the same manner as in Example 2. 1H-NMR spectral data, phase series, threshold voltage and tilt angle of these compounds were measured.
The results are shown in Tables 4-6.

【0032】[0032]

【化4】 [Chemical 4]

【0033】[0033]

【化5】 [Chemical 5]

【0034】[0034]

【表4】NMRスペクトル(ppm) 水素番号 1 2 3 4 5 6 7 8 実施例2 4.0 7.0 7.6 7.7 8.2 7.1 8.0 5.2 比較例3 4.0 7.0 7.6 7.7 8.2 7.1 8.0 5.2 〃 4 4.0 7.0 7.6 7.7 8.2 7.1 8.0 5.2 実施例3 4.0 7.0 7.6 7.7 8.2 7.1 8.0 5.2 比較例5 4.0 7.0 7.6 7.7 8.2 7.1 8.0 5.2 〃 6 4.0 7.0 7.6 7.7 8.2 7.1 8.0 5.2 [Table 4] NMR spectrum (ppm) Hydrogen number 1 2 3 4 5 6 7 8 Example 2 4.0 7.0 7.6 7.7 8.2 7.1 8.0 5.2 Comparative example 3 4.0 7.0 7.6 7.7 8.2 7.1 8.0 5.2 〃 4 4.0 7.0 7.6 7.7 8.2 7.1 8.0 5.2 Example 3 4.0 7.0 7.6 7.7 8.2 7.1 8.0 5.2 Comparative Example 5 4.0 7.0 7.6 7.7 8.2 7.1 8.0 5.2 〃 6 4.0 7.0 7.6 7.7 8.2 7.1 8.0 5.2

【0035】[0035]

【表5】 相 系 列 実施例2 I (133) SA (124) SCA* (14) (-26) Cr 比較例3 I (140) SA (121) SCA* (20) SIA* 〃 4 I (110) SA (86) SC* (79) SCA* (65) SIA* 実施例3 I (99) SA (70) SC* (66) SCA* (-5) Cr 比較例5 I (131) SA (114) SC* (113) SCA* (23) SX 〃 6 I (108) SA (78) SC* (74) SCγ* (58) SCA* (52) Cr * ()内の数値は温度( ℃) を示す。 * 上記相系列でIは等方相、SAはスメクチックA相、SC
* は強誘電相のスメクチックC相、SCA*は反強誘電相の
スメクチックC相、Crは結晶相を示す。
[Table 5] Phase Sequence Example 2 I (133) SA (124) SCA * (14) (-26) Cr Comparative Example 3 I (140) SA (121) SCA * (20) SIA * 〃 4 I ( 110) SA (86) SC * (79) SCA * (65) SIA * Example 3 I (99) SA (70) SC * (66) SCA * (-5) Cr Comparative Example 5 I (131) SA ( 114) SC * (113) SCA * (23) SX 〃 6 I (108) SA (78) SC * (74) SCγ * (58) SCA * (52) Cr * () is the temperature (℃) Indicates. * In the above phase series, I is isotropic phase, SA is smectic A phase, SC
* Indicates a smectic C phase of a ferroelectric phase, SCA * indicates a smectic C phase of an antiferroelectric phase, and Cr indicates a crystalline phase.

【0036】[0036]

【表6】しきい値電圧およびチルト角 VTH1(V/μm) VTH2(V/μm) θ (°) 測定温度 (℃) 実施例2 6.0 3.0 32 113 比較例3 13.0 3.0 29 111 比較例4 5.3 2.9 27 68 実施例3 5.5 2.5 28 56 比較例5 15.0 12.0 29 100 比較例6 4.5 2.5 26 48 比較例3、5の液晶化合物はしきい値電圧が高く 30V以
下の電圧での駆動は困難である。また、比較例4、6の
液晶はチルト角が小さかった。
[Table 6] Threshold voltage and tilt angle VTH1 (V / μm) VTH2 (V / μm) θ (°) Measurement temperature (° C) Example 2 6.0 3.0 32 113 Comparative Example 3 13.0 3.0 29 111 Comparative Example 4 5.3 2.9 27 68 Example 3 5.5 2.5 28 56 Comparative Example 5 15.0 12.0 29 100 Comparative Example 6 4.5 2.5 26 48 The liquid crystal compounds of Comparative Examples 3 and 5 have a high threshold voltage and are difficult to drive at a voltage of 30 V or less. . Further, the tilt angles of the liquid crystals of Comparative Examples 4 and 6 were small.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】実施例1における液晶化合物のNMRスペクト
ルを示す。
FIG. 1 shows an NMR spectrum of a liquid crystal compound in Example 1.

【図2】実施例1における液晶化合物の印加電圧に対す
る光学応答を示す。
FIG. 2 shows the optical response of the liquid crystal compound in Example 1 to an applied voltage.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 松本 隆宏 茨城県つくば市和台22番地 三菱瓦斯化学 株式会社総合研究所内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Takahiro Matsumoto 22 Wadai, Tsukuba, Ibaraki Mitsubishi Gas Chemical Co., Ltd.

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 次の一般式(1) で表される新規な反強誘
電性液晶物質。 【化1】 (式中nは4、6、8の整数を表す、C* は不斉炭素で
あることを示す)。
1. A novel antiferroelectric liquid crystal substance represented by the following general formula (1). [Chemical 1] (In the formula, n represents an integer of 4, 6, or 8, and C * represents an asymmetric carbon).
【請求項2】 一般式(1) において、nが6である請求
項1記載の反強誘電性液晶物質。
2. The antiferroelectric liquid crystal substance according to claim 1, wherein n is 6 in the general formula (1).
JP6112942A 1994-05-26 1994-05-26 Antiferroelectric liquid crystal substance Pending JPH07316101A (en)

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