JPH07316875A - 電気銅めっき用添加剤及び電気銅めっき浴 - Google Patents
電気銅めっき用添加剤及び電気銅めっき浴Info
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- JPH07316875A JPH07316875A JP13258194A JP13258194A JPH07316875A JP H07316875 A JPH07316875 A JP H07316875A JP 13258194 A JP13258194 A JP 13258194A JP 13258194 A JP13258194 A JP 13258194A JP H07316875 A JPH07316875 A JP H07316875A
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- 238000007747 plating Methods 0.000 title claims abstract description 51
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 30
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 30
- 239000010949 copper Substances 0.000 title claims abstract description 30
- 239000000654 additive Substances 0.000 title claims abstract description 17
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 title claims abstract description 13
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims abstract description 10
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 claims abstract description 5
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims abstract description 5
- 150000005846 sugar alcohols Polymers 0.000 claims abstract description 5
- 230000001476 alcoholic effect Effects 0.000 claims abstract description 4
- -1 thio compound Chemical class 0.000 claims description 17
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 8
- 150000003460 sulfonic acids Chemical class 0.000 claims description 6
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 claims description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 4
- 150000001879 copper Chemical class 0.000 claims description 4
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 claims description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 4
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 claims description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims 1
- LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M Bisulfite Chemical compound OS([O-])=O LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M 0.000 abstract description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 2
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 12
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 11
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 11
- 159000000000 sodium salts Chemical class 0.000 description 11
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 6
- 229910000365 copper sulfate Inorganic materials 0.000 description 6
- ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L copper(II) sulfate Chemical compound [Cu+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 6
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical compound OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 description 6
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N Propylene glycol Chemical compound CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- SRRKNRDXURUMPP-UHFFFAOYSA-N sodium disulfide Chemical compound [Na+].[Na+].[S-][S-] SRRKNRDXURUMPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005282 brightening Methods 0.000 description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 3
- 235000011187 glycerol Nutrition 0.000 description 3
- JWAZRIHNYRIHIV-UHFFFAOYSA-N 2-naphthol Chemical compound C1=CC=CC2=CC(O)=CC=C21 JWAZRIHNYRIHIV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DLFVBJFMPXGRIB-UHFFFAOYSA-N Acetamide Chemical compound CC(N)=O DLFVBJFMPXGRIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HRPVXLWXLXDGHG-UHFFFAOYSA-N Acrylamide Chemical compound NC(=O)C=C HRPVXLWXLXDGHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KXDAEFPNCMNJSK-UHFFFAOYSA-N Benzamide Chemical compound NC(=O)C1=CC=CC=C1 KXDAEFPNCMNJSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002125 Sokalan® Polymers 0.000 description 2
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 2
- WERYXYBDKMZEQL-UHFFFAOYSA-N butane-1,4-diol Chemical compound OCCCCO WERYXYBDKMZEQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 2
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 2
- SUMDYPCJJOFFON-UHFFFAOYSA-N isethionic acid Chemical compound OCCS(O)(=O)=O SUMDYPCJJOFFON-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004584 polyacrylic acid Substances 0.000 description 2
- QLNJFJADRCOGBJ-UHFFFAOYSA-N propionamide Chemical compound CCC(N)=O QLNJFJADRCOGBJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 2
- 125000000446 sulfanediyl group Chemical group *S* 0.000 description 2
- UMGDCJDMYOKAJW-UHFFFAOYSA-N thiourea Chemical compound NC(N)=S UMGDCJDMYOKAJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DNIAPMSPPWPWGF-VKHMYHEASA-N (+)-propylene glycol Chemical compound C[C@H](O)CO DNIAPMSPPWPWGF-VKHMYHEASA-N 0.000 description 1
- YPFDHNVEDLHUCE-UHFFFAOYSA-N 1,3-propanediol Substances OCCCO YPFDHNVEDLHUCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RIWZPKBKKYYMCQ-UHFFFAOYSA-N 1-(2-sulfopropyldisulfanyl)propane-2-sulfonic acid Chemical compound OS(=O)(=O)C(C)CSSCC(C)S(O)(=O)=O RIWZPKBKKYYMCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LCZVSXRMYJUNFX-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-hydroxypropoxy)propoxy]propan-1-ol Chemical compound CC(O)COC(C)COC(C)CO LCZVSXRMYJUNFX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZUFMFTGDCZKQRE-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxy-3-[(2-hydroxy-3-sulfopropyl)disulfanyl]propane-1-sulfonic acid Chemical compound OS(=O)(=O)CC(O)CSSCC(O)CS(O)(=O)=O ZUFMFTGDCZKQRE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HSXUNHYXJWDLDK-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxypropane-1-sulfonic acid Chemical compound CC(O)CS(O)(=O)=O HSXUNHYXJWDLDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LMPMFQXUJXPWSL-UHFFFAOYSA-N 3-(3-sulfopropyldisulfanyl)propane-1-sulfonic acid Chemical compound OS(=O)(=O)CCCSSCCCS(O)(=O)=O LMPMFQXUJXPWSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WRBSVISDQAINGQ-UHFFFAOYSA-N 3-(dimethylcarbamothioylsulfanyl)propane-1-sulfonic acid Chemical compound CN(C)C(=S)SCCCS(O)(=O)=O WRBSVISDQAINGQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DDLBHIIDBLGOTE-UHFFFAOYSA-N 3-chloro-2-hydroxypropane-1-sulfonic acid Chemical compound ClCC(O)CS(O)(=O)=O DDLBHIIDBLGOTE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WQPMYSHJKXVTME-UHFFFAOYSA-N 3-hydroxypropane-1-sulfonic acid Chemical compound OCCCS(O)(=O)=O WQPMYSHJKXVTME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YYILFFUYOXLCTG-UHFFFAOYSA-N 4-(4-sulfobutyldisulfanyl)butane-1-sulfonic acid Chemical compound OS(=O)(=O)CCCCSSCCCCS(O)(=O)=O YYILFFUYOXLCTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LUENVHHLGFLMFJ-UHFFFAOYSA-N 4-[(4-sulfophenyl)disulfanyl]benzenesulfonic acid Chemical compound C1=CC(S(=O)(=O)O)=CC=C1SSC1=CC=C(S(O)(=O)=O)C=C1 LUENVHHLGFLMFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002134 Carboxymethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N Ethylene oxide Chemical compound C1CO1 IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- CNCOEDDPFOAUMB-UHFFFAOYSA-N N-Methylolacrylamide Chemical compound OCNC(=O)C=C CNCOEDDPFOAUMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- GOOHAUXETOMSMM-UHFFFAOYSA-N Propylene oxide Chemical compound CC1CO1 GOOHAUXETOMSMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N Urea Natural products NC(N)=O XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001400 block copolymer Polymers 0.000 description 1
- 239000001768 carboxy methyl cellulose Substances 0.000 description 1
- 235000010948 carboxy methyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 239000008112 carboxymethyl-cellulose Substances 0.000 description 1
- 150000001804 chlorine Chemical class 0.000 description 1
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- SZXQTJUDPRGNJN-UHFFFAOYSA-N dipropylene glycol Chemical compound OCCCOCCCO SZXQTJUDPRGNJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940045996 isethionic acid Drugs 0.000 description 1
- FQPSGWSUVKBHSU-UHFFFAOYSA-N methacrylamide Chemical compound CC(=C)C(N)=O FQPSGWSUVKBHSU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QRWZCJXEAOZAAW-UHFFFAOYSA-N n,n,2-trimethylprop-2-enamide Chemical compound CN(C)C(=O)C(C)=C QRWZCJXEAOZAAW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JMCVCHBBHPFWBF-UHFFFAOYSA-N n,n-diethyl-2-methylprop-2-enamide Chemical compound CCN(CC)C(=O)C(C)=C JMCVCHBBHPFWBF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OVHHHVAVHBHXAK-UHFFFAOYSA-N n,n-diethylprop-2-enamide Chemical compound CCN(CC)C(=O)C=C OVHHHVAVHBHXAK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940088644 n,n-dimethylacrylamide Drugs 0.000 description 1
- YLGYACDQVQQZSW-UHFFFAOYSA-N n,n-dimethylprop-2-enamide Chemical compound CN(C)C(=O)C=C YLGYACDQVQQZSW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N phenol group Chemical group C1(=CC=CC=C1)O ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001451 polypropylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 229920000166 polytrimethylene carbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- XAEFZNCEHLXOMS-UHFFFAOYSA-M potassium benzoate Chemical compound [K+].[O-]C(=O)C1=CC=CC=C1 XAEFZNCEHLXOMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- KCXFHTAICRTXLI-UHFFFAOYSA-N propane-1-sulfonic acid Chemical compound CCCS(O)(=O)=O KCXFHTAICRTXLI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229940045998 sodium isethionate Drugs 0.000 description 1
- LADXKQRVAFSPTR-UHFFFAOYSA-M sodium;2-hydroxyethanesulfonate Chemical compound [Na+].OCCS([O-])(=O)=O LADXKQRVAFSPTR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- OYHHGYJKBOUMOB-UHFFFAOYSA-M sodium;oxido-oxo-propyl-sulfanylidene-$l^{6}-sulfane Chemical compound [Na+].CCCS([O-])(=O)=S OYHHGYJKBOUMOB-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 125000004079 stearyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- ZIBGPFATKBEMQZ-UHFFFAOYSA-N triethylene glycol Chemical compound OCCOCCOCCO ZIBGPFATKBEMQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)
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- Electroplating And Plating Baths Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 多価アルコール、アルカノールスルホン酸及
びその塩、並びにアルカノールスルホン酸のアルキレン
オキサイド付加物及びその塩から選ばれるアルコール性
水酸基を有する分子量３００以下の化合物からなる電気
銅めっき用添加剤。 【効果】 本発明の電気銅めっき用添加剤は、めっき皮
膜の低電流密度部分のつきまわりを改良することができ
る。
びその塩、並びにアルカノールスルホン酸のアルキレン
オキサイド付加物及びその塩から選ばれるアルコール性
水酸基を有する分子量３００以下の化合物からなる電気
銅めっき用添加剤。 【効果】 本発明の電気銅めっき用添加剤は、めっき皮
膜の低電流密度部分のつきまわりを改良することができ
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電気銅めっき皮膜を装
飾的又は機能的用途に用いる際、特にスルホールを有す
るプリント配線板に電気銅めっきを施す際に電気銅めっ
き浴に添加する電気銅めっき用添加剤及び該添加剤を添
加してなる電気銅めっき浴に関する。
飾的又は機能的用途に用いる際、特にスルホールを有す
るプリント配線板に電気銅めっきを施す際に電気銅めっ
き浴に添加する電気銅めっき用添加剤及び該添加剤を添
加してなる電気銅めっき浴に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】従来、
光沢のある銅めっき皮膜を得るため、電気銅めっき浴に
光沢剤として有機チオ化合物などの有機化合物を添加す
ることが行われている。
光沢のある銅めっき皮膜を得るため、電気銅めっき浴に
光沢剤として有機チオ化合物などの有機化合物を添加す
ることが行われている。
【０００３】しかし、従来知られた電気銅めっき用の光
沢剤は、銅めっき皮膜の低電流密度部分における光沢、
つきまわりを悪くし、粗雑な皮膜を形成させ、その機械
的特性、特に硬度、延びの低下を生じさせる場合があ
る。これは、スルホールの有るプリント配線板ではスル
ホールのコーナー部でのクラック、いわゆる熱衝撃、機
械的歪み等によるコーナークラックを生じ、これは結果
として配線の断線のトラブルの原因となるので電子工業
界では重大な問題となる。
沢剤は、銅めっき皮膜の低電流密度部分における光沢、
つきまわりを悪くし、粗雑な皮膜を形成させ、その機械
的特性、特に硬度、延びの低下を生じさせる場合があ
る。これは、スルホールの有るプリント配線板ではスル
ホールのコーナー部でのクラック、いわゆる熱衝撃、機
械的歪み等によるコーナークラックを生じ、これは結果
として配線の断線のトラブルの原因となるので電子工業
界では重大な問題となる。
【０００４】本発明は上記事情に鑑みなされたもので、
低電流密度部分のつきまわりを改良することができる電
気銅めっき用添加剤及び該添加剤を添加した電気銅めっ
き浴を提供することを目的とする。
低電流密度部分のつきまわりを改良することができる電
気銅めっき用添加剤及び該添加剤を添加した電気銅めっ
き浴を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段及び作用】本発明者は、上
記目的を達成するため鋭意検討を行った結果、多価アル
コール、アルカノールスルホン酸及びその塩、並びにア
ルカノールスルホン酸のアルキレンオキサイド付加物及
びその塩から選ばれるアルコール性水酸基を有する分子
量３００以下の化合物を水溶性銅塩と酸とを含む酸性電
気銅めっき浴に添加することにより、めっき皮膜の低電
流密度部分のつきまわりを改良すること、特に有機チオ
化合物、分子量５００以上の酸素含有高分子有機化合
物、有機酸アミド類等の公知の光沢剤、添加剤と併用し
た場合、光沢効果、平滑性を改良し、とりわけ低電流密
度部分の皮膜特性が改良されることを知見し、本発明を
なすに至ったものである。
記目的を達成するため鋭意検討を行った結果、多価アル
コール、アルカノールスルホン酸及びその塩、並びにア
ルカノールスルホン酸のアルキレンオキサイド付加物及
びその塩から選ばれるアルコール性水酸基を有する分子
量３００以下の化合物を水溶性銅塩と酸とを含む酸性電
気銅めっき浴に添加することにより、めっき皮膜の低電
流密度部分のつきまわりを改良すること、特に有機チオ
化合物、分子量５００以上の酸素含有高分子有機化合
物、有機酸アミド類等の公知の光沢剤、添加剤と併用し
た場合、光沢効果、平滑性を改良し、とりわけ低電流密
度部分の皮膜特性が改良されることを知見し、本発明を
なすに至ったものである。
【０００６】なお、上記フェノール性水酸基を有する分
子量３００以下の化合物の作用は必ずしも明確ではない
が、有機チオ化合物等の添加量を増すと低電部への光沢
のつきまわりが更に悪くなることから、有機チオ化合物
等は低電部に吸着しやすい傾向があり、これを抑えるこ
とで低電部への光沢のつきまわりを改善するものと推定
される。
子量３００以下の化合物の作用は必ずしも明確ではない
が、有機チオ化合物等の添加量を増すと低電部への光沢
のつきまわりが更に悪くなることから、有機チオ化合物
等は低電部に吸着しやすい傾向があり、これを抑えるこ
とで低電部への光沢のつきまわりを改善するものと推定
される。
【０００７】以下、本発明につき更に詳述すると、本発
明の電気銅めっき用添加剤は、多価アルコール、アルカ
ノールスルホン酸及びその塩、並びにアルカノールスル
ホン酸のアルキレンオキサイド付加物及びその塩から選
ばれるアルコール性水酸基を有する分子量３００以下の
化合物の１種又は２種以上からなるものである。
明の電気銅めっき用添加剤は、多価アルコール、アルカ
ノールスルホン酸及びその塩、並びにアルカノールスル
ホン酸のアルキレンオキサイド付加物及びその塩から選
ばれるアルコール性水酸基を有する分子量３００以下の
化合物の１種又は２種以上からなるものである。
【０００８】ここで、多価アルコールとしては、エチレ
ングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレング
リコール、プロピレングリコール、ジプロピレングリコ
ール、トリプロピレングリコール、１，３−プロパンジ
オール、１，４−ブタンジオール、グリセリンなどが挙
げられ、またアルカノールスルホン酸としては、イセチ
オン酸、３−ヒドロキシプロパンスルホン酸、２−ヒド
ロキシプロパンスルホン酸、３−クロロ−２−ヒドロキ
シプロパンスルホン酸等が挙げられ、アルカノールスル
ホン酸の塩としては、ナトリウム塩が挙げられる。ま
た、アルキレンオキサイドとしては、エチレンオキサイ
ド、プロピレンオキサイドなどが挙げられる。
ングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレング
リコール、プロピレングリコール、ジプロピレングリコ
ール、トリプロピレングリコール、１，３−プロパンジ
オール、１，４−ブタンジオール、グリセリンなどが挙
げられ、またアルカノールスルホン酸としては、イセチ
オン酸、３−ヒドロキシプロパンスルホン酸、２−ヒド
ロキシプロパンスルホン酸、３−クロロ−２−ヒドロキ
シプロパンスルホン酸等が挙げられ、アルカノールスル
ホン酸の塩としては、ナトリウム塩が挙げられる。ま
た、アルキレンオキサイドとしては、エチレンオキサイ
ド、プロピレンオキサイドなどが挙げられる。
【０００９】本発明の添加剤は、水溶性銅塩と酸とを含
む酸性銅めっき浴に添加されて使用されるが、この場合
その添加量は０．０１〜３ｇ／ｌ、特に０．０２〜２ｇ
／ｌとすることが好ましい。
む酸性銅めっき浴に添加されて使用されるが、この場合
その添加量は０．０１〜３ｇ／ｌ、特に０．０２〜２ｇ
／ｌとすることが好ましい。
【００１０】ここで、上記銅めっき浴を構成する水溶性
銅塩としては硫酸銅が用いられ、その配合量は３０〜２
５０ｇ／ｌ、特に３０〜１００ｇ／ｌとすることが好ま
しい。また、酸としては硫酸が挙げられ、その配合量は
５０〜２５０ｇ／ｌ、特に１００〜２５０ｇ／ｌとする
ことが好ましい。なお、上記めっき浴には通常微量（１
０〜２００ｍｇ／ｌ程度）の塩素が添加される。この塩
素としては、水溶性塩化物、例えばＮａＣｌ等を添加す
ることにより含有させることができる。
銅塩としては硫酸銅が用いられ、その配合量は３０〜２
５０ｇ／ｌ、特に３０〜１００ｇ／ｌとすることが好ま
しい。また、酸としては硫酸が挙げられ、その配合量は
５０〜２５０ｇ／ｌ、特に１００〜２５０ｇ／ｌとする
ことが好ましい。なお、上記めっき浴には通常微量（１
０〜２００ｍｇ／ｌ程度）の塩素が添加される。この塩
素としては、水溶性塩化物、例えばＮａＣｌ等を添加す
ることにより含有させることができる。
【００１１】本発明の銅めっき浴には、本発明の添加剤
に加え、公知の光沢剤、添加剤、例えば有機チオ化合
物、分子量５００以上の酸素含有高分子有機化合物、有
機酸アミド類などを添加することが好ましく、これらの
光沢剤、添加剤と本発明の添加剤とを併用することによ
り、めっき皮膜の低電流密度部分の光沢のつきまわりを
効果的に改良し得ることができる。
に加え、公知の光沢剤、添加剤、例えば有機チオ化合
物、分子量５００以上の酸素含有高分子有機化合物、有
機酸アミド類などを添加することが好ましく、これらの
光沢剤、添加剤と本発明の添加剤とを併用することによ
り、めっき皮膜の低電流密度部分の光沢のつきまわりを
効果的に改良し得ることができる。
【００１２】この場合、有機チオ化合物としては、ジ−
ｎ−プロピル−チオエーテル−ジ−３−スルホン酸（２
ナトリウム塩）、ビス（３−スルホプロピル）ジサルフ
ァィド（２ナトリウム塩）、ビス（２−スルホプロピ
ル）ジサルファィド（２ナトリウム塩）、ビス（３−ス
ルホ−２−ヒドロキシプロピル）ジサルファィド（２ナ
トリウム塩）、ビス（４−スルホブチル）ジサルファィ
ド（２ナトリウム塩）、ビス（ｐ−スルホフェニル）ジ
サルファィド（２ナトリウム塩）、３−（ベンゾチアゾ
リル−２−チオ）プロピルスルホン酸（ナトリウム
塩）、Ｎ，Ｎ−ジメチル−ジチオカルバミン酸−（３−
スルホプロピル）エステル（ナトリウム塩）、Ｏ−エチ
ル−ジエチル炭酸−Ｓ−（３−スルホプロピル）エステ
ル（カリウム塩）、チオ尿素及びその誘導体、Ｓ−（２
−エチルアミド）−チオプロパンスルホン酸（ナトリウ
ム塩）、Ｓ−（３−プロピルアミド）−チオプロパンス
ルホン酸（ナトリウム塩）、Ｓ−（４−ブチルアミド）
−チオプロパンスルホン酸（ナトリウム塩）、Ｓ−（３
−ブチルアミド）−チオプロパンスルホン酸（ナトリウ
ム塩）、Ｓ−（３−プロピルアミド）−チオプロピル−
２−ヒドロキシ−３−スルホン酸（ナトリウム塩）、Ｓ
−（３−プロピルアミド）−チオフェニルスルホン酸
（ナトリウム塩）、Ｓ−（Ｎ，Ｎ−ジメチル−３−プロ
ピルアミド）−チオプロパンスルホン酸（ナトリウム
塩）、Ｓ−（Ｎ−フェニル−３−プロピルアミド）−チ
オプロパンスルホン酸（ナトリウム塩）等が挙げられ、
０．０００５〜０．１ｇ／ｌの濃度で添加することがで
きる。
ｎ−プロピル−チオエーテル−ジ−３−スルホン酸（２
ナトリウム塩）、ビス（３−スルホプロピル）ジサルフ
ァィド（２ナトリウム塩）、ビス（２−スルホプロピ
ル）ジサルファィド（２ナトリウム塩）、ビス（３−ス
ルホ−２−ヒドロキシプロピル）ジサルファィド（２ナ
トリウム塩）、ビス（４−スルホブチル）ジサルファィ
ド（２ナトリウム塩）、ビス（ｐ−スルホフェニル）ジ
サルファィド（２ナトリウム塩）、３−（ベンゾチアゾ
リル−２−チオ）プロピルスルホン酸（ナトリウム
塩）、Ｎ，Ｎ−ジメチル−ジチオカルバミン酸−（３−
スルホプロピル）エステル（ナトリウム塩）、Ｏ−エチ
ル−ジエチル炭酸−Ｓ−（３−スルホプロピル）エステ
ル（カリウム塩）、チオ尿素及びその誘導体、Ｓ−（２
−エチルアミド）−チオプロパンスルホン酸（ナトリウ
ム塩）、Ｓ−（３−プロピルアミド）−チオプロパンス
ルホン酸（ナトリウム塩）、Ｓ−（４−ブチルアミド）
−チオプロパンスルホン酸（ナトリウム塩）、Ｓ−（３
−ブチルアミド）−チオプロパンスルホン酸（ナトリウ
ム塩）、Ｓ−（３−プロピルアミド）−チオプロピル−
２−ヒドロキシ−３−スルホン酸（ナトリウム塩）、Ｓ
−（３−プロピルアミド）−チオフェニルスルホン酸
（ナトリウム塩）、Ｓ−（Ｎ，Ｎ−ジメチル−３−プロ
ピルアミド）−チオプロパンスルホン酸（ナトリウム
塩）、Ｓ−（Ｎ−フェニル−３−プロピルアミド）−チ
オプロパンスルホン酸（ナトリウム塩）等が挙げられ、
０．０００５〜０．１ｇ／ｌの濃度で添加することがで
きる。
【００１３】また、分子量５００以上の酸素含有高分子
有機化合物としては、ポリビニルアルコール、カルボキ
シメチルセルロース、ポリエチレングリコール、ポリプ
ロピレングリコール、ステアリン酸−ポリエチレングリ
コールエステル、ステアリルアルコール−ポリエチレン
グリコールエーテル、ノニルフェノール−ポリエチレン
グリコールエーテル、オクチルフェノール−ポリエチレ
ングリコールエーテル、ポリエチレン−プロピレングリ
コール（共重合体又はブロック共重合体）、β−ナフト
ールポリエチレングリコールエーテル等が挙げられ、
０．１〜１０ｇ／ｌの濃度で添加することができる。
有機化合物としては、ポリビニルアルコール、カルボキ
シメチルセルロース、ポリエチレングリコール、ポリプ
ロピレングリコール、ステアリン酸−ポリエチレングリ
コールエステル、ステアリルアルコール−ポリエチレン
グリコールエーテル、ノニルフェノール−ポリエチレン
グリコールエーテル、オクチルフェノール−ポリエチレ
ングリコールエーテル、ポリエチレン−プロピレングリ
コール（共重合体又はブロック共重合体）、β−ナフト
ールポリエチレングリコールエーテル等が挙げられ、
０．１〜１０ｇ／ｌの濃度で添加することができる。
【００１４】更に、有機酸アミド類としては、アセトア
ミド、プロピルアミド、ベンズアミド、アクリルアミ
ド、メタアクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアクリルア
ミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルメタアクリルアミド、Ｎ，Ｎ−
ジエチルアクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルメタアクリ
ルアミド、Ｎ−（ヒドロキシメチル）アクリルアミド、
ポリアクリル酸アミド、ポリアクリル酸アミド加水分解
物等が挙げられ、０．００１〜１０ｇ／ｌの濃度で添加
することができる。
ミド、プロピルアミド、ベンズアミド、アクリルアミ
ド、メタアクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアクリルア
ミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルメタアクリルアミド、Ｎ，Ｎ−
ジエチルアクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルメタアクリ
ルアミド、Ｎ−（ヒドロキシメチル）アクリルアミド、
ポリアクリル酸アミド、ポリアクリル酸アミド加水分解
物等が挙げられ、０．００１〜１０ｇ／ｌの濃度で添加
することができる。
【００１５】なお、本発明のめっき浴のｐＨは１以下で
ある。本発明のめっき浴を用いて電気銅めっきを行う場
合のめっき条件としては、めき温度２０〜３０℃、陰極
電流密度１〜８Ａ／ｄｍ2が好ましく、また空気撹拌、
カソードロッキング等の撹拌を行うことが好ましい。陽
極としては、銅板、不溶性陽極を用いることができる。
ある。本発明のめっき浴を用いて電気銅めっきを行う場
合のめっき条件としては、めき温度２０〜３０℃、陰極
電流密度１〜８Ａ／ｄｍ2が好ましく、また空気撹拌、
カソードロッキング等の撹拌を行うことが好ましい。陽
極としては、銅板、不溶性陽極を用いることができる。
【００１６】電気銅めっきが施される被めっき物は特に
制限されないが、本発明のめっき浴は特にスルホールを
有するプリント配線基板、その他の電気・電子部品への
めっきに有効である。
制限されないが、本発明のめっき浴は特にスルホールを
有するプリント配線基板、その他の電気・電子部品への
めっきに有効である。
【００１７】
【発明の効果】本発明の電気銅めっき用添加剤は、めっ
き皮膜の低電流密度部分のつきまわりを改良することが
できる。
き皮膜の低電流密度部分のつきまわりを改良することが
できる。
【００１８】
【実施例】以下、実施例と比較例を示し、本発明を具体
的に示すが、本発明は下記の実施例に制限されるもので
はない。
的に示すが、本発明は下記の実施例に制限されるもので
はない。
【００１９】〔実施例１〕 下記組成 硫酸銅（ＣｕＳＯ4・５Ｈ2Ｏ） ８０ ｇ／ｌ 濃硫酸 ２００ ｇ／ｌ ＮａＣｌ １００ｍｇ／ｌ ｐＨ ＜１ からなる銅めっき液に、ビス（３−スルホプロピル）ジ
スルファイド２ナトリウムを３ｍｇ／ｌ、ポリエチレン
グリコール（＃１０，０００）を３ｇ／ｌ、エチレング
リコールを１００ｍｇ／ｌ加えためっき浴を用い、総電
流０．５Ａ、時間４０分でハルセル試験器を用いてめっ
きを行った。その結果、析出物は下記条件で良好な光沢
を有するものであった。 温度 ２５℃ 陰極電流密度 ０．０４〜１Ａ／ｄ
ｍ2
スルファイド２ナトリウムを３ｍｇ／ｌ、ポリエチレン
グリコール（＃１０，０００）を３ｇ／ｌ、エチレング
リコールを１００ｍｇ／ｌ加えためっき浴を用い、総電
流０．５Ａ、時間４０分でハルセル試験器を用いてめっ
きを行った。その結果、析出物は下記条件で良好な光沢
を有するものであった。 温度 ２５℃ 陰極電流密度 ０．０４〜１Ａ／ｄ
ｍ2
【００２０】〔実施例２〕 下記組成 硫酸銅（ＣｕＳＯ4・５Ｈ2Ｏ） ８０ ｇ／ｌ 濃硫酸 ２００ ｇ／ｌ ＮａＣｌ １００ｍｇ／ｌ ｐＨ ＜１ からなる銅めっき液に、Ｓ−（３−プロピルアミド）−
チオプロパンスルホン酸ナトリウムを３ｍｇ／ｌ、ポリ
エチレングリコール（＃１０，０００）を３ｇ／ｌ、イ
セチオン酸ナトリウムを３００ｍｇ／ｌ加えためっき浴
を用い、総電流０．５Ａ、時間４０分でハルセル試験器
を用いてめっきを行った。その結果、析出物は下記条件
で良好な光沢を有するものであった。 温度 ２５℃ 陰極電流密度 ０．０４〜１Ａ／ｄ
ｍ2
チオプロパンスルホン酸ナトリウムを３ｍｇ／ｌ、ポリ
エチレングリコール（＃１０，０００）を３ｇ／ｌ、イ
セチオン酸ナトリウムを３００ｍｇ／ｌ加えためっき浴
を用い、総電流０．５Ａ、時間４０分でハルセル試験器
を用いてめっきを行った。その結果、析出物は下記条件
で良好な光沢を有するものであった。 温度 ２５℃ 陰極電流密度 ０．０４〜１Ａ／ｄ
ｍ2
【００２１】〔実施例３〕 下記組成 硫酸銅（ＣｕＳＯ4・５Ｈ2Ｏ） ８０ ｇ／ｌ 濃硫酸 ２００ ｇ／ｌ ＮａＣｌ １００ｍｇ／ｌ ｐＨ ＜１ からなる銅めっき液に、ビス（３−スルホプロピル）ジ
スルファイド２ナトリウムを３ｍｇ／ｌ、ポリエチレン
グリコール（＃６，０００）を０．３ｇ／ｌ、グリセリ
ンを２００ｍｇ／ｌ加えためっき浴を用い、総電流０．
５Ａ、時間４０分でハルセル試験器を用いてめっきを行
った。その結果、析出物は下記条件で良好な光沢を有す
るものであった。 温度 ２５℃ 陰極電流密度 ０．０４〜１Ａ／ｄ
ｍ2
スルファイド２ナトリウムを３ｍｇ／ｌ、ポリエチレン
グリコール（＃６，０００）を０．３ｇ／ｌ、グリセリ
ンを２００ｍｇ／ｌ加えためっき浴を用い、総電流０．
５Ａ、時間４０分でハルセル試験器を用いてめっきを行
った。その結果、析出物は下記条件で良好な光沢を有す
るものであった。 温度 ２５℃ 陰極電流密度 ０．０４〜１Ａ／ｄ
ｍ2
【００２２】〔実施例４〕 下記組成 硫酸銅（ＣｕＳＯ4・５Ｈ2Ｏ） ８０ ｇ／ｌ 濃硫酸 ２００ ｇ／ｌ ＮａＣｌ １００ｍｇ／ｌ ｐＨ ＜１ からなる銅めっき液に、ビス（３−スルホプロピル）ジ
スルファイド２ナトリウムを３ｍｇ／ｌ、ポリエチレン
グリコール（＃６，０００）を０．３ｇ／ｌ、アクリル
アミドを１ｇ／ｌ、グリセリンを２００ｍｇ／ｌ加えた
めっき浴を用い、総電流０．５Ａ、時間４０分でハルセ
ル試験器を用いてめっきを行った。その結果、析出物は
下記条件で良好な光沢を有するものであった。 温度 ２５℃ 陰極電流密度 ０．０４〜１Ａ／ｄ
ｍ2
スルファイド２ナトリウムを３ｍｇ／ｌ、ポリエチレン
グリコール（＃６，０００）を０．３ｇ／ｌ、アクリル
アミドを１ｇ／ｌ、グリセリンを２００ｍｇ／ｌ加えた
めっき浴を用い、総電流０．５Ａ、時間４０分でハルセ
ル試験器を用いてめっきを行った。その結果、析出物は
下記条件で良好な光沢を有するものであった。 温度 ２５℃ 陰極電流密度 ０．０４〜１Ａ／ｄ
ｍ2
【００２３】〔比較例〕 下記組成 硫酸銅（ＣｕＳＯ4・５Ｈ2Ｏ） ８０ ｇ／ｌ 濃硫酸 ２００ ｇ／ｌ ＮａＣｌ １００ｍｇ／ｌ ｐＨ ＜１ からなる銅めっき液に、ビス（３−スルホプロピル）ジ
スルファイド２ナトリウムを３ｍｇ／ｌ、ポリエチレン
グリコール（＃１０，０００）を３ｇ／ｌ加えためっき
浴を用い、総電流０．５Ａ、時間４０分でハルセル試験
器を用いてめっきを行った。その結果、析出物は下記条
件で低電部（０．２Ａ／ｄｍ2以下）にくもりのあるハ
ルセル面が得られた。 温度 ２５℃ 陰極電流密度 ０．０４〜１Ａ／ｄ
ｍ2
スルファイド２ナトリウムを３ｍｇ／ｌ、ポリエチレン
グリコール（＃１０，０００）を３ｇ／ｌ加えためっき
浴を用い、総電流０．５Ａ、時間４０分でハルセル試験
器を用いてめっきを行った。その結果、析出物は下記条
件で低電部（０．２Ａ／ｄｍ2以下）にくもりのあるハ
ルセル面が得られた。 温度 ２５℃ 陰極電流密度 ０．０４〜１Ａ／ｄ
ｍ2
Claims (3)
- 【請求項１】 多価アルコール、アルカノールスルホン
酸及びその塩、並びにアルカノールスルホン酸のアルキ
レンオキサイド付加物及びその塩から選ばれるアルコー
ル性水酸基を有する分子量３００以下の化合物からなる
電気銅めっき用添加剤。 - 【請求項２】 水溶性銅塩と酸とを含有する酸性電気銅
めっき浴に請求項１記載の添加剤を添加してなる電気銅
めっき浴。 - 【請求項３】 有機チオ化合物、分子量５００以上の酸
素含有高分子有機化合物及び有機酸アミド類から選ばれ
る１種又は２種以上を添加した請求項２記載のめっき
浴。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13258194A JPH07316875A (ja) | 1994-05-23 | 1994-05-23 | 電気銅めっき用添加剤及び電気銅めっき浴 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13258194A JPH07316875A (ja) | 1994-05-23 | 1994-05-23 | 電気銅めっき用添加剤及び電気銅めっき浴 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07316875A true JPH07316875A (ja) | 1995-12-05 |
Family
ID=15084684
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13258194A Pending JPH07316875A (ja) | 1994-05-23 | 1994-05-23 | 電気銅めっき用添加剤及び電気銅めっき浴 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07316875A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002031228A1 (fr) * | 2000-10-10 | 2002-04-18 | Learonal Japan Inc. | Cuivrage electrolytique a anode insoluble |
| JP2003041400A (ja) * | 2001-08-01 | 2003-02-13 | Toppan Printing Co Ltd | プリント配線基板の製造装置および製造方法 |
| JP2003129270A (ja) * | 2001-10-02 | 2003-05-08 | Shipley Co Llc | 基体上に金属層を堆積させるためのメッキ浴および方法 |
| JP2003147572A (ja) * | 2001-10-02 | 2003-05-21 | Shipley Co Llc | 基体上に金属層を堆積させるためのメッキ浴および方法 |
| US6776893B1 (en) | 2000-11-20 | 2004-08-17 | Enthone Inc. | Electroplating chemistry for the CU filling of submicron features of VLSI/ULSI interconnect |
| WO2007114196A1 (ja) | 2006-03-28 | 2007-10-11 | Fujifilm Corporation | 導電膜及びその製造方法、並びに透光性電磁波シールド膜 |
| EP1975698A1 (en) | 2007-03-23 | 2008-10-01 | FUJIFILM Corporation | Method and apparatus for producing conductive material |
| WO2021111919A1 (ja) * | 2019-12-04 | 2021-06-10 | 株式会社Adeka | 電解銅めっき液、その製造方法及び電解銅めっき方法 |
-
1994
- 1994-05-23 JP JP13258194A patent/JPH07316875A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002031228A1 (fr) * | 2000-10-10 | 2002-04-18 | Learonal Japan Inc. | Cuivrage electrolytique a anode insoluble |
| US6776893B1 (en) | 2000-11-20 | 2004-08-17 | Enthone Inc. | Electroplating chemistry for the CU filling of submicron features of VLSI/ULSI interconnect |
| JP2003041400A (ja) * | 2001-08-01 | 2003-02-13 | Toppan Printing Co Ltd | プリント配線基板の製造装置および製造方法 |
| JP2003129270A (ja) * | 2001-10-02 | 2003-05-08 | Shipley Co Llc | 基体上に金属層を堆積させるためのメッキ浴および方法 |
| JP2003147572A (ja) * | 2001-10-02 | 2003-05-21 | Shipley Co Llc | 基体上に金属層を堆積させるためのメッキ浴および方法 |
| WO2007114196A1 (ja) | 2006-03-28 | 2007-10-11 | Fujifilm Corporation | 導電膜及びその製造方法、並びに透光性電磁波シールド膜 |
| EP1975698A1 (en) | 2007-03-23 | 2008-10-01 | FUJIFILM Corporation | Method and apparatus for producing conductive material |
| WO2021111919A1 (ja) * | 2019-12-04 | 2021-06-10 | 株式会社Adeka | 電解銅めっき液、その製造方法及び電解銅めっき方法 |
| JPWO2021111919A1 (ja) * | 2019-12-04 | 2021-06-10 | ||
| CN114761621A (zh) * | 2019-12-04 | 2022-07-15 | 株式会社Adeka | 电解镀铜液、其制造方法以及电解镀铜方法 |
| TWI901613B (zh) * | 2019-12-04 | 2025-10-21 | 日商Ａｄｅｋａ股份有限公司 | 電解鍍銅液、其製造方法及電解鍍銅方法 |
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