JPH07320257A - 磁気記録媒体及びその製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体及びその製造方法Info
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- JPH07320257A JPH07320257A JP11246794A JP11246794A JPH07320257A JP H07320257 A JPH07320257 A JP H07320257A JP 11246794 A JP11246794 A JP 11246794A JP 11246794 A JP11246794 A JP 11246794A JP H07320257 A JPH07320257 A JP H07320257A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】簡便なプロセスにて製造され、耐食性に優れか
つ高記録密度を有する磁気記録媒体を得る。さらにこれ
を適用することにより高記録密度、高信頼性を有する磁
気ディスク装置を実現する。 【構成】磁気記録媒体の磁気記録層の保護膜層に接する
側の面が２５Å以下の膜厚で酸化されている。またこの
酸化膜層は、スパッタリングによる磁気記録層形成終期
にスパッタガス雰囲気中に酸素を５０％以上の割合で混
合するか、もしくは磁気記録層形成後に媒体を分圧２５
％以上含む酸素雰囲気中に保持する方法にて面内に均一
に形成され、いずれの場合もしかる後連続的にカーボン
を主成分とする保護膜層を形成する。 【効果】高耐食性を有し、かつ高記録密度化可能な磁気
記録媒体および高記録密度、高信頼性を有する磁気ディ
スク装置を実現することができる。
つ高記録密度を有する磁気記録媒体を得る。さらにこれ
を適用することにより高記録密度、高信頼性を有する磁
気ディスク装置を実現する。 【構成】磁気記録媒体の磁気記録層の保護膜層に接する
側の面が２５Å以下の膜厚で酸化されている。またこの
酸化膜層は、スパッタリングによる磁気記録層形成終期
にスパッタガス雰囲気中に酸素を５０％以上の割合で混
合するか、もしくは磁気記録層形成後に媒体を分圧２５
％以上含む酸素雰囲気中に保持する方法にて面内に均一
に形成され、いずれの場合もしかる後連続的にカーボン
を主成分とする保護膜層を形成する。 【効果】高耐食性を有し、かつ高記録密度化可能な磁気
記録媒体および高記録密度、高信頼性を有する磁気ディ
スク装置を実現することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は耐食性に優れ信頼性が高
く、かつ磁気ヘッドと磁気記録層間のスペースを小さく
することが可能な磁気記録媒体、及びその製造方法、製
造設備、磁気ディスク装置に関する。
く、かつ磁気ヘッドと磁気記録層間のスペースを小さく
することが可能な磁気記録媒体、及びその製造方法、製
造設備、磁気ディスク装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】磁気ディスク装置の記録密度の向上させ
るために磁気記録媒体の磁気記録層と磁気ヘッドの距離
を小さくする事が有効な手段の一つである。それに呼応
して磁気記録層を保護する保護膜層はいっそう薄膜化の
方向へと向かっている。この保護膜層には、従来よりス
パッタ法やＣＶＤ法等で作成されたカーボンを主成分と
する硬質カーボン保護膜（以下カーボン膜と略す）が広
く適用されている。これはカーボン膜自体が硬質で薄膜
化可能であることに加え、他の材料と較べて磁気記録層
に対する密着力、フルオロカーボン系の潤滑剤の吸着性
能に優れており、磁気記録媒体の耐摺動信頼性を確保す
るのに適しているからである。
るために磁気記録媒体の磁気記録層と磁気ヘッドの距離
を小さくする事が有効な手段の一つである。それに呼応
して磁気記録層を保護する保護膜層はいっそう薄膜化の
方向へと向かっている。この保護膜層には、従来よりス
パッタ法やＣＶＤ法等で作成されたカーボンを主成分と
する硬質カーボン保護膜（以下カーボン膜と略す）が広
く適用されている。これはカーボン膜自体が硬質で薄膜
化可能であることに加え、他の材料と較べて磁気記録層
に対する密着力、フルオロカーボン系の潤滑剤の吸着性
能に優れており、磁気記録媒体の耐摺動信頼性を確保す
るのに適しているからである。
【０００３】ところが、上記磁気記録媒体においてはカ
ーボン膜が均一に付着なされ、かつ微細な欠陥等が存在
しなくても、その磁気ディスク装置の環境や使用状況に
より磁気記録層及び、例えばＡｌ基板上Ｎｉ−Ｐメッキ
層のＮｉ，Ｃｒから成る下地層の金属原子が大気中の水
分子と何らかの反応を起こし結び付くことで磁気記録層
に腐食が起こるという問題が生じる。この腐食により磁
気記録層の磁気記録が消失するだけでなく、磁気ヘッド
の汚れが磁気記録媒体と垂直方向に成長し、その高さが
磁気記録媒体と磁気ヘッドとの距離より成長した場合、
他の部分の磁気記録破壊をも引き起こす。また、この腐
食は磁気記録層と磁気ヘッドの距離を小さくするために
カーボン膜の厚さを２００Å程度以下にするといっそう
顕著に発生する。
ーボン膜が均一に付着なされ、かつ微細な欠陥等が存在
しなくても、その磁気ディスク装置の環境や使用状況に
より磁気記録層及び、例えばＡｌ基板上Ｎｉ−Ｐメッキ
層のＮｉ，Ｃｒから成る下地層の金属原子が大気中の水
分子と何らかの反応を起こし結び付くことで磁気記録層
に腐食が起こるという問題が生じる。この腐食により磁
気記録層の磁気記録が消失するだけでなく、磁気ヘッド
の汚れが磁気記録媒体と垂直方向に成長し、その高さが
磁気記録媒体と磁気ヘッドとの距離より成長した場合、
他の部分の磁気記録破壊をも引き起こす。また、この腐
食は磁気記録層と磁気ヘッドの距離を小さくするために
カーボン膜の厚さを２００Å程度以下にするといっそう
顕著に発生する。
【０００４】そこで耐食性を向上させるため、この磁気
記録層とカーボン保護膜の間に非磁性金属酸化物もしく
は非金属酸化物を酸素雰囲気中でＲＦスパッタ法等によ
り形成することが知られている（特開平１−２７１９０
８号及び特開平１−２７１９１５号）。
記録層とカーボン保護膜の間に非磁性金属酸化物もしく
は非金属酸化物を酸素雰囲気中でＲＦスパッタ法等によ
り形成することが知られている（特開平１−２７１９０
８号及び特開平１−２７１９１５号）。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来技術によ
ると非磁性金属酸化物もしくは非金属酸化物と磁気記録
層、カーボン膜の密着性の問題から材料を充分考慮せね
ばならず、製造プロセス自体も煩雑になるという問題が
ある。
ると非磁性金属酸化物もしくは非金属酸化物と磁気記録
層、カーボン膜の密着性の問題から材料を充分考慮せね
ばならず、製造プロセス自体も煩雑になるという問題が
ある。
【０００６】また、ＲＦスパッタ法により非磁性金属膜
層もしくは非金属酸化物層を数１０Å以下で磁気ディス
ク上に形成しているためこの非磁性金属膜層もしくは非
金属酸化物層を均一に安定して形成することは極めて困
難である。そこで磁気記録媒体上をすべて被覆し所望の
耐食性を得るには、面内の平均値で５０Å程度以上形成
せねばならなかった。この場合、結果的に磁気記録層と
磁気ヘッドの距離が大きくなり、記録密度が劣化してし
まう。さらに、これによると酸化膜の成長に時間を要す
るという問題があった。
層もしくは非金属酸化物層を数１０Å以下で磁気ディス
ク上に形成しているためこの非磁性金属膜層もしくは非
金属酸化物層を均一に安定して形成することは極めて困
難である。そこで磁気記録媒体上をすべて被覆し所望の
耐食性を得るには、面内の平均値で５０Å程度以上形成
せねばならなかった。この場合、結果的に磁気記録層と
磁気ヘッドの距離が大きくなり、記録密度が劣化してし
まう。さらに、これによると酸化膜の成長に時間を要す
るという問題があった。
【０００７】そこで、本発明の目的は、簡便なプロセス
にて製造され、耐食性に優れかつ高記録密度を有する磁
気記録媒体及びその製造方法を提供することである。
にて製造され、耐食性に優れかつ高記録密度を有する磁
気記録媒体及びその製造方法を提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は上記課題を解決
するために、保護膜層に接する側の磁気記録層を酸化す
るものであり、酸化膜層の膜厚を２５Å程度以下として
充分な耐食性を得るものである。
するために、保護膜層に接する側の磁気記録層を酸化す
るものであり、酸化膜層の膜厚を２５Å程度以下として
充分な耐食性を得るものである。
【０００９】また、Ｎｅ，Ａｒ，Ｋｒ，Ｘｅのうち少な
くとも一種のガス雰囲気中でスパッタリングにより磁気
記録層を形成するに際し、所望の膜厚形成後に連続的に
スパッタ雰囲気ガス中に分圧で５０％以上の酸素を混合
することによって酸化膜を早急に成膜することができ
る。酸化膜層はＣｏ，Ｃｒ，Ｔａのうち少なくとも一元
素を含む金属酸化膜が好適である。
くとも一種のガス雰囲気中でスパッタリングにより磁気
記録層を形成するに際し、所望の膜厚形成後に連続的に
スパッタ雰囲気ガス中に分圧で５０％以上の酸素を混合
することによって酸化膜を早急に成膜することができ
る。酸化膜層はＣｏ，Ｃｒ，Ｔａのうち少なくとも一元
素を含む金属酸化膜が好適である。
【００１０】また酸化膜層を形成する別の方法として
は、スパッタリングによる磁気記録層形成時に連続的に
望ましくは２０Ｔｏｒｒ以下の酸素を含む雰囲気中に媒
体を一定時間保持することによって面内に均一に形成す
ることができる。２０Ｔｏｒｒ以下であることが望まし
い理由の一つは、水の分圧を一定以下に制御しやすいた
め、さらには隣接する成膜室の真空度を悪化させないた
めである。また、酸素雰囲気中の酸素分圧は２５％以上
にすることで耐食性に優れた酸化膜を短時間に形成する
ことができる。
は、スパッタリングによる磁気記録層形成時に連続的に
望ましくは２０Ｔｏｒｒ以下の酸素を含む雰囲気中に媒
体を一定時間保持することによって面内に均一に形成す
ることができる。２０Ｔｏｒｒ以下であることが望まし
い理由の一つは、水の分圧を一定以下に制御しやすいた
め、さらには隣接する成膜室の真空度を悪化させないた
めである。また、酸素雰囲気中の酸素分圧は２５％以上
にすることで耐食性に優れた酸化膜を短時間に形成する
ことができる。
【００１１】磁気記録層上に酸化膜層を設けることによ
り、この酸化膜層上に形成するカーボンを主成分とする
保護膜層は１５０Å以下であっても保護膜層としての充
分な機能を提供できる。
り、この酸化膜層上に形成するカーボンを主成分とする
保護膜層は１５０Å以下であっても保護膜層としての充
分な機能を提供できる。
【００１２】
【作用】本発明によれば、磁気記録層の保護膜層に接す
る面に酸化膜層が面内に均一に形成されているため、こ
の酸化膜層が不動態膜の役目を果たし大気中の水分と磁
気記録層もしくは下地層の金属原子が結び付くことを防
止し耐食性に優れた磁気記録媒体を得ることが可能とな
る。
る面に酸化膜層が面内に均一に形成されているため、こ
の酸化膜層が不動態膜の役目を果たし大気中の水分と磁
気記録層もしくは下地層の金属原子が結び付くことを防
止し耐食性に優れた磁気記録媒体を得ることが可能とな
る。
【００１３】また、この酸化膜層は本発明の製造方法を
用いることにより、酸化膜層の膜厚は２５Å以下で十分
腐食を防止することができ、カーボンを主成分とする保
護膜層の薄膜化が可能となり、磁気記録媒体の高記録密
度化が可能となる。
用いることにより、酸化膜層の膜厚は２５Å以下で十分
腐食を防止することができ、カーボンを主成分とする保
護膜層の薄膜化が可能となり、磁気記録媒体の高記録密
度化が可能となる。
【００１４】さらには、上記磁気記録媒体を用いて磁気
ディスク装置を製造することにより高信頼性の装置を得
ることができる。
ディスク装置を製造することにより高信頼性の装置を得
ることができる。
【００１５】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を用いて
説明する。
説明する。
【００１６】図１は本発明の一実施例である磁気記録媒
体の断面構造図である。
体の断面構造図である。
【００１７】アルミニウム合金基体１-１（外径９５m
m、内径２５mm、厚さ０．８mm）にＮｉ−Ｐメッキ１-２
を施した非磁性基板１は、表面を研磨して平滑にし、さ
らにテープと砥粒を用いてテクスチャ加工、及び洗浄を
行う。Ｃｒ下地層２、ＣｏＣｒＴａ磁気記録層３を順次
スパッタ法により成膜した後、この磁気記録層３のＣ
ｏ，Ｃｒ，Ｔａのうち少なくとも１元素で酸化させて酸
化膜層４を成膜する。次いでカーボン膜層５及びフルオ
ロカーボン系の潤滑層６を成膜して構成するものであ
る。
m、内径２５mm、厚さ０．８mm）にＮｉ−Ｐメッキ１-２
を施した非磁性基板１は、表面を研磨して平滑にし、さ
らにテープと砥粒を用いてテクスチャ加工、及び洗浄を
行う。Ｃｒ下地層２、ＣｏＣｒＴａ磁気記録層３を順次
スパッタ法により成膜した後、この磁気記録層３のＣ
ｏ，Ｃｒ，Ｔａのうち少なくとも１元素で酸化させて酸
化膜層４を成膜する。次いでカーボン膜層５及びフルオ
ロカーボン系の潤滑層６を成膜して構成するものであ
る。
【００１８】（実施例１）アルミニウム合金基体１-１
上にＮｉ−Ｐメッキ１-２を施した非磁性基板１を研磨
して平滑にし、さらにテープと砥粒を用いてテクスチャ
加工、及び洗浄を行った。その後、あらかじめ真空度が
約３．０×１０−７Ｔｏｒｒ以下まで排気されたＤＣマ
グネトロン型スパッタ装置内に上記テクスチャ加工、及
び洗浄が施された基板１を導入し加熱室で２８０℃に加
熱した。この基板１を下地層形成室に搬送しＣｒ下地層
２を基体温度：２７０℃、Ａｒガス圧：３ｍＴｏｒｒで
厚さ５００Å成膜した。次に磁気記録層形成室に搬送
し、ＣｏＣｒＴａ磁気記録層３を基板温度：２７０℃、
Ａｒガス圧：３ｍＴｏｒｒで厚さ２６０Å成膜した後そ
のスパッタ雰囲気中に酸素を導入しＡｒ：酸素の比率を
５０：５０に混合し、Ｃｏ，Ｃｒ，Ｔａの酸化膜層４を
基板温度：２７０℃、ガス圧：５ｍＴｏｒｒで厚さを５
〜２５Å変化させ成膜した。この酸化膜層４の膜厚は投
入電力一定にし成膜時間で制御した。次いで、保護膜層
形成室に搬送しカーボン膜層５を基板温度：２６０℃、
Ａｒガス圧：４ｍＴｏｒｒで厚さ１５０Å成膜した。室
温低下後にテープクリーニングを施し、フルオロカーボ
ン系の潤滑層６を２５Å設けサンプルＮｏ．１〜３を作
成した。
上にＮｉ−Ｐメッキ１-２を施した非磁性基板１を研磨
して平滑にし、さらにテープと砥粒を用いてテクスチャ
加工、及び洗浄を行った。その後、あらかじめ真空度が
約３．０×１０−７Ｔｏｒｒ以下まで排気されたＤＣマ
グネトロン型スパッタ装置内に上記テクスチャ加工、及
び洗浄が施された基板１を導入し加熱室で２８０℃に加
熱した。この基板１を下地層形成室に搬送しＣｒ下地層
２を基体温度：２７０℃、Ａｒガス圧：３ｍＴｏｒｒで
厚さ５００Å成膜した。次に磁気記録層形成室に搬送
し、ＣｏＣｒＴａ磁気記録層３を基板温度：２７０℃、
Ａｒガス圧：３ｍＴｏｒｒで厚さ２６０Å成膜した後そ
のスパッタ雰囲気中に酸素を導入しＡｒ：酸素の比率を
５０：５０に混合し、Ｃｏ，Ｃｒ，Ｔａの酸化膜層４を
基板温度：２７０℃、ガス圧：５ｍＴｏｒｒで厚さを５
〜２５Å変化させ成膜した。この酸化膜層４の膜厚は投
入電力一定にし成膜時間で制御した。次いで、保護膜層
形成室に搬送しカーボン膜層５を基板温度：２６０℃、
Ａｒガス圧：４ｍＴｏｒｒで厚さ１５０Å成膜した。室
温低下後にテープクリーニングを施し、フルオロカーボ
ン系の潤滑層６を２５Å設けサンプルＮｏ．１〜３を作
成した。
【００１９】表１はサンプルＮｏ．と各条件の関係を示
している。
している。
【００２０】
【表１】
【００２１】（実施例２）実施例１と同様の製法により
酸化膜層４を成膜した時のスパッタ雰囲気中のＡｒ：酸
素の比率を０：１００にしてサンプルＮｏ．４〜６を作
成した。
酸化膜層４を成膜した時のスパッタ雰囲気中のＡｒ：酸
素の比率を０：１００にしてサンプルＮｏ．４〜６を作
成した。
【００２２】（実施例３）実施例１と同様の製法により
酸化膜層４成膜時のスパッタ雰囲気中のＡｒ：酸素の比
率を８０：２０にしてサンプルＮｏ．７〜９を作成し
た。
酸化膜層４成膜時のスパッタ雰囲気中のＡｒ：酸素の比
率を８０：２０にしてサンプルＮｏ．７〜９を作成し
た。
【００２３】〈比較例１〉実施例１と同様の製法により
酸化膜層４を設けずカーボン膜層５を１５０ないし４０
０Åに成膜してサンプルＮｏ．１０、１１を作成した。
酸化膜層４を設けずカーボン膜層５を１５０ないし４０
０Åに成膜してサンプルＮｏ．１０、１１を作成した。
【００２４】〈比較例２〉実施例１と同様の製法により
酸化膜層４を５０ないし１００Å成膜し、サンプルＮ
ｏ．１２、１３を作成した。
酸化膜層４を５０ないし１００Å成膜し、サンプルＮ
ｏ．１２、１３を作成した。
【００２５】（実施例４）図２は酸化膜層形成室を有し
たＤＣマグネトロン型スパッタリング成膜装置の概略図
であり、図３はこの内の酸化膜層形成室１１の図であ
る。
たＤＣマグネトロン型スパッタリング成膜装置の概略図
であり、図３はこの内の酸化膜層形成室１１の図であ
る。
【００２６】アルミニウム合金基体１-１上にＮｉ−Ｐ
メッキ１-２を施した非磁性基板１を研磨して平滑に
し、さらにテープと砥粒を用いてテクスチャ加工、及び
洗浄を行った。その後、あらかじめ真空度が約３．０×
１０~7Ｔｏｒｒ以下まで排気された酸化膜層形成室を有
したＤＣマグネトロン型スパッタ装置の基板仕込室７に
テクスチャ加工、及び洗浄が施された基板１を導入し、
次に加熱室８でヒーター１４により２８０℃に加熱し
た。この基板１を下地層形成室９に搬送しスパッタリン
グカソード１５によりＣｒ下地層２を基板温度：２７０
℃、Ａｒガス圧：３ｍＴｏｒｒで厚さ５００Å成膜し
た。次に磁気記録層形成室１０に搬送し、スパッタリン
グカソード１６により基板温度：２７０℃、Ａｒガス
圧：３ｍＴｏｒｒでＣｏＣｒＴａ磁気記録層３を厚さ２
６０Å成膜した。続いて酸化膜層形成室１１に導入し
た。ここでは図３に示されるように酸化膜層形成用ガス
導入口１９よりＡｒに対し酸素を１０〜１００％の割合
で混合したガスを導入し、同時に排気口２０から排気す
ることによりガス圧２０Ｔｏｒｒに平衡に維持し、この
雰囲気中にＣｏＣｒＴａ磁気記録層３まで形成された媒
体を１０秒保持し酸化膜層４を形成した。次いで、保護
膜層形成室１２に搬送しカーボン膜層５を基板温度：２
５０℃、Ａｒガス圧：４ｍＴｏｒｒで厚さ１５０Å成膜
し基板取出室１３より取り出した。室温低下後にテープ
クリーニングを施し、フルオロカーボン系の潤滑層６を
３０Å設けサンプルＮｏ．１４〜１７を作成した。Ｘ線
光電子分光分析法（ＥＳＣＡ）を用いてこの酸化膜層４
の厚さを測定したところ２〜５Åであった。サンプルＮ
ｏ．と各条件の関係は表１に示す。
メッキ１-２を施した非磁性基板１を研磨して平滑に
し、さらにテープと砥粒を用いてテクスチャ加工、及び
洗浄を行った。その後、あらかじめ真空度が約３．０×
１０~7Ｔｏｒｒ以下まで排気された酸化膜層形成室を有
したＤＣマグネトロン型スパッタ装置の基板仕込室７に
テクスチャ加工、及び洗浄が施された基板１を導入し、
次に加熱室８でヒーター１４により２８０℃に加熱し
た。この基板１を下地層形成室９に搬送しスパッタリン
グカソード１５によりＣｒ下地層２を基板温度：２７０
℃、Ａｒガス圧：３ｍＴｏｒｒで厚さ５００Å成膜し
た。次に磁気記録層形成室１０に搬送し、スパッタリン
グカソード１６により基板温度：２７０℃、Ａｒガス
圧：３ｍＴｏｒｒでＣｏＣｒＴａ磁気記録層３を厚さ２
６０Å成膜した。続いて酸化膜層形成室１１に導入し
た。ここでは図３に示されるように酸化膜層形成用ガス
導入口１９よりＡｒに対し酸素を１０〜１００％の割合
で混合したガスを導入し、同時に排気口２０から排気す
ることによりガス圧２０Ｔｏｒｒに平衡に維持し、この
雰囲気中にＣｏＣｒＴａ磁気記録層３まで形成された媒
体を１０秒保持し酸化膜層４を形成した。次いで、保護
膜層形成室１２に搬送しカーボン膜層５を基板温度：２
５０℃、Ａｒガス圧：４ｍＴｏｒｒで厚さ１５０Å成膜
し基板取出室１３より取り出した。室温低下後にテープ
クリーニングを施し、フルオロカーボン系の潤滑層６を
３０Å設けサンプルＮｏ．１４〜１７を作成した。Ｘ線
光電子分光分析法（ＥＳＣＡ）を用いてこの酸化膜層４
の厚さを測定したところ２〜５Åであった。サンプルＮ
ｏ．と各条件の関係は表１に示す。
【００２７】上記のようにして作成したサンプル（Ｎ
ｏ．１〜１７）について、温度６０℃、湿度８０％の条
件下に１２０時間保持したときの欠陥数の変化を、Ｈｅ
−Ｎｅレーザー光（６３２８Å）を入射したときの散乱
光を検出する方式による磁気ディスク表面検査装置を用
いて調べた。図４〜図７はこの欠陥検査結果を示してい
る。 図４は実施例１（サンプルＮｏ．１〜３）、比較
例１（サンプルＮｏ．１０，１１）及び比較例２（Ｎ
ｏ．１２、１３）の欠陥検査結果を示す。酸化膜層の無
い比較例１の場合、カーボン膜６の膜厚が１５０Åサン
プルＮｏ．１０は欠陥数が２００個以上にまで増加して
しまい、カーボン膜６の膜厚が４００ÅのサンプルＮ
ｏ．１１でも８０個にまで増加する。この欠陥を任意に
選択しエネルギー分散型螢光Ｘ線分析装置（ＥＤＸ）で
定性分析を行った結果、Ｎｉ，Ｃｒ，Ｃｏの析出物であ
り腐食生成物であることが確認できた。一方、実施例１
のサンプルＮｏ．１，２，３及び比較例２のＮｏ．１
２、１３は欠陥数が２５個程度までしか増加せず、磁気
記録層３上にＡｒ：酸素＝５０：５０の反応性スパッタ
により酸化膜層４を設けることで媒体の耐食性が向上す
ることが明らかである。特に膜厚２５Å以上のサンプル
Ｎｏ．３、１２、１３は特に安定した耐食性が得られ、
これらの間の差異はほとんど無い。
ｏ．１〜１７）について、温度６０℃、湿度８０％の条
件下に１２０時間保持したときの欠陥数の変化を、Ｈｅ
−Ｎｅレーザー光（６３２８Å）を入射したときの散乱
光を検出する方式による磁気ディスク表面検査装置を用
いて調べた。図４〜図７はこの欠陥検査結果を示してい
る。 図４は実施例１（サンプルＮｏ．１〜３）、比較
例１（サンプルＮｏ．１０，１１）及び比較例２（Ｎ
ｏ．１２、１３）の欠陥検査結果を示す。酸化膜層の無
い比較例１の場合、カーボン膜６の膜厚が１５０Åサン
プルＮｏ．１０は欠陥数が２００個以上にまで増加して
しまい、カーボン膜６の膜厚が４００ÅのサンプルＮ
ｏ．１１でも８０個にまで増加する。この欠陥を任意に
選択しエネルギー分散型螢光Ｘ線分析装置（ＥＤＸ）で
定性分析を行った結果、Ｎｉ，Ｃｒ，Ｃｏの析出物であ
り腐食生成物であることが確認できた。一方、実施例１
のサンプルＮｏ．１，２，３及び比較例２のＮｏ．１
２、１３は欠陥数が２５個程度までしか増加せず、磁気
記録層３上にＡｒ：酸素＝５０：５０の反応性スパッタ
により酸化膜層４を設けることで媒体の耐食性が向上す
ることが明らかである。特に膜厚２５Å以上のサンプル
Ｎｏ．３、１２、１３は特に安定した耐食性が得られ、
これらの間の差異はほとんど無い。
【００２８】図５は実施例２（サンプルＮｏ．４〜６）
と比較例１（サンプルＮｏ．１０，１１）の欠陥検査結
果であり、実施例２のサンプルＮｏ．４，５，６はとも
に安定した耐食性が得られた。
と比較例１（サンプルＮｏ．１０，１１）の欠陥検査結
果であり、実施例２のサンプルＮｏ．４，５，６はとも
に安定した耐食性が得られた。
【００２９】図６は実施例３（サンプルＮｏ．７〜９）
と比較例１（サンプルＮｏ．１０，１１）の欠陥検査結
果であり、実施例３のサンプルＮｏ．７，８，９は欠陥
数が８０個程度以下で、実施例１，２と較べて耐食性は
劣るが酸化膜層４を設けずカーボン膜を４００Åとした
比較例１のサンプルＮｏ．１１と同等であり、やはり酸
化膜層４を設けたことにより耐食性が向上することが確
認できた。
と比較例１（サンプルＮｏ．１０，１１）の欠陥検査結
果であり、実施例３のサンプルＮｏ．７，８，９は欠陥
数が８０個程度以下で、実施例１，２と較べて耐食性は
劣るが酸化膜層４を設けずカーボン膜を４００Åとした
比較例１のサンプルＮｏ．１１と同等であり、やはり酸
化膜層４を設けたことにより耐食性が向上することが確
認できた。
【００３０】以上のことから、実施例１ないし３の手法
で酸化膜層４を形成する際には酸素分圧を５０％程度以
上にすることで安定した酸化膜層４を得られることが判
る。ただし、５０％以下であっても欠陥数の増加低減で
きることから耐食性が向上することに変わりは無い。
で酸化膜層４を形成する際には酸素分圧を５０％程度以
上にすることで安定した酸化膜層４を得られることが判
る。ただし、５０％以下であっても欠陥数の増加低減で
きることから耐食性が向上することに変わりは無い。
【００３１】図７は実施例４（サンプルＮｏ．１４〜１
７）と比較例１（サンプルＮｏ．１０，１１）の欠陥検
査結果を示すものである。これによれば、分圧２５％以
上の酸素雰囲気中に保持して酸化膜層４を形成した実施
例４の酸素分圧２５％以上のサンプルＮｏ．１５，１
６，１７は欠陥数４０個程度以下となり安定して耐食性
が向上することが明らかである。酸素分圧１０％のサン
プルＮｏ．１４は欠陥数が１５０個程度に増加し酸化膜
層４を形成せずカーボン膜を１００Åとした比較例のサ
ンプルＮｏ．１０より耐食性が良いもののさほど顕著な
向上ではない。従って、実施例４の手法で酸化膜層４を
形成する際には酸素分圧を２５％以上にすることで安定
した酸化膜層４を得られることが判る。
７）と比較例１（サンプルＮｏ．１０，１１）の欠陥検
査結果を示すものである。これによれば、分圧２５％以
上の酸素雰囲気中に保持して酸化膜層４を形成した実施
例４の酸素分圧２５％以上のサンプルＮｏ．１５，１
６，１７は欠陥数４０個程度以下となり安定して耐食性
が向上することが明らかである。酸素分圧１０％のサン
プルＮｏ．１４は欠陥数が１５０個程度に増加し酸化膜
層４を形成せずカーボン膜を１００Åとした比較例のサ
ンプルＮｏ．１０より耐食性が良いもののさほど顕著な
向上ではない。従って、実施例４の手法で酸化膜層４を
形成する際には酸素分圧を２５％以上にすることで安定
した酸化膜層４を得られることが判る。
【００３２】なお、実施例４における製造方法でガスの
導入にそれぞれのノズルを設けずあらかじめ特定の割合
でガスが混合されている混合ボンベを用いてもよい。ま
た、保持時間はある程度以上長い方が安定した酸化膜層
を形成できるのでタクトタイムが許せば１０秒以上でも
よく、その場合酸素分圧を低下してもよいことは言うま
でもない。
導入にそれぞれのノズルを設けずあらかじめ特定の割合
でガスが混合されている混合ボンベを用いてもよい。ま
た、保持時間はある程度以上長い方が安定した酸化膜層
を形成できるのでタクトタイムが許せば１０秒以上でも
よく、その場合酸素分圧を低下してもよいことは言うま
でもない。
【００３３】さらに、振動試料型磁力計（ＶＳＭ）を用
いサンプルＮｏ．１〜１７の静磁気特性を測定した結果
を表２に示す。
いサンプルＮｏ．１〜１７の静磁気特性を測定した結果
を表２に示す。
【００３４】
【表２】
【００３５】実施例１，２，３及び４のサンプルＮｏ．
１〜９，１４〜１７は比較例１と有意差の無い保磁力を
示した。ところが、比較例２のサンプルＮｏ．１２，１
３は保磁力が低い値を示した。このことから、酸化膜層
４はいかに薄くて耐食性を発揮できるかを課題としてお
り、膜厚を２５Å程度以上に形成しても耐食性を損なう
ことが無いが２５Å程度以上の膜厚では静磁気特性に悪
影響を及ぼし、高密度記録化の妨げとなることが判る。
従って図４に表されているように、耐食性についてはサ
ンプルＮｏ．３、１２、１３の間の差異はほとんど無い
が、高密度記録化についてはサンプルＮｏ．１２、１３
はサンプルＮｏ．３より不利である。
１〜９，１４〜１７は比較例１と有意差の無い保磁力を
示した。ところが、比較例２のサンプルＮｏ．１２，１
３は保磁力が低い値を示した。このことから、酸化膜層
４はいかに薄くて耐食性を発揮できるかを課題としてお
り、膜厚を２５Å程度以上に形成しても耐食性を損なう
ことが無いが２５Å程度以上の膜厚では静磁気特性に悪
影響を及ぼし、高密度記録化の妨げとなることが判る。
従って図４に表されているように、耐食性についてはサ
ンプルＮｏ．３、１２、１３の間の差異はほとんど無い
が、高密度記録化についてはサンプルＮｏ．１２、１３
はサンプルＮｏ．３より不利である。
【００３６】尚、基体はアルミニウム合金に限られるも
のではなく、ガラス、セラミクス、等が適用可能であ
る。また、Ｃｒ下地層は他の材料の適用も可能であり、
また無くても良い。磁気記録層３に用いるＣｏ合金はＣ
ｏＣｒＴａに限定されるものではなくＣｏＮｉＣｒやＣ
ｏＣｒＰｔ等でも良い。また、カーボン膜の形成方法は
ＤＣスパッタ法に限られるものではなくＲＦスパッタ法
やＣＶＤ法を用いても良い。
のではなく、ガラス、セラミクス、等が適用可能であ
る。また、Ｃｒ下地層は他の材料の適用も可能であり、
また無くても良い。磁気記録層３に用いるＣｏ合金はＣ
ｏＣｒＴａに限定されるものではなくＣｏＮｉＣｒやＣ
ｏＣｒＰｔ等でも良い。また、カーボン膜の形成方法は
ＤＣスパッタ法に限られるものではなくＲＦスパッタ法
やＣＶＤ法を用いても良い。
【００３７】
【発明の効果】以上により、磁気記録層の保護膜層に接
する側の面を２５Å以下の膜厚で面内に均一に酸化する
ことで耐食性に優れ、かつ高記録密度化可能な磁気記録
媒体を得ることが可能となる。
する側の面を２５Å以下の膜厚で面内に均一に酸化する
ことで耐食性に優れ、かつ高記録密度化可能な磁気記録
媒体を得ることが可能となる。
【図１】本発明の一実施例における磁気記録媒体の断面
図。
図。
【図２】本発明の他の実施例に用いる酸化膜層形成室を
有するＤＣスパッタ成膜装置の概略図。
有するＤＣスパッタ成膜装置の概略図。
【図３】本発明の他の実施例に用いる酸化膜層形成室を
示す概略図。
示す概略図。
【図４】実施例１と比較例１の欠陥検査結果を示す図。
【図５】実施例２と比較例１の欠陥検査結果を示す図。
【図６】実施例３と比較例１の欠陥検査結果を示す図。
【図７】実施例４と比較例１の欠陥検査結果を示す図。
１…基板 １−１…Ａｌ合金基体 １−２…Ｎｉ−Ｐメ
ッキ層 ２…下地層 ３…磁気記録層 ４…酸化膜層 ５…カー
ボン膜層 ６…潤滑層 ７…基板仕込室 ８…加熱室 ９…下地層
形成室 １０…磁気記録層形成室 １１…酸化膜層形成室 １２…カーボン膜形成室 １３…基板取出室 １４…ヒ
ーター １５、１６、１７…スパッタリングカソード １８…酸化膜形成用ガス導入口 １９…排気口
ッキ層 ２…下地層 ３…磁気記録層 ４…酸化膜層 ５…カー
ボン膜層 ６…潤滑層 ７…基板仕込室 ８…加熱室 ９…下地層
形成室 １０…磁気記録層形成室 １１…酸化膜層形成室 １２…カーボン膜形成室 １３…基板取出室 １４…ヒ
ーター １５、１６、１７…スパッタリングカソード １８…酸化膜形成用ガス導入口 １９…排気口
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 加藤 章 神奈川県小田原市国府津2880番地 株式会 社日立製作所ストレージシステム事業部内
Claims (5)
- 【請求項１】基体上に磁気記録層が形成され、該磁気記
録層上に当該磁気記録層を構成する金属元素の少なくと
も１元素が酸化された金属酸化膜層が形成され、更に該
金属酸化膜層上にカーボンを主成分とする保護膜層が形
成され、該金属酸化膜層の厚さが２５Å以下であること
を特徴とする磁気記録媒体。 - 【請求項２】Ｎｅ，Ａｒ，Ｋｒ，Ｘｅのうち少なくとも
一種のスパッタガス雰囲気中でスパッタリングを行なう
ことにより基体上に磁気記録層を形成し、該磁気記録層
形成後に連続的に該スパッタガス雰囲気中に分圧で５０
％以上の酸素を混合することにより当該磁気記録層を構
成する金属元素の少なくとも１元素の酸化を行い金属酸
化膜層を形成し、更にカーボンを主成分とする保護膜層
を形成する工程より成ることを特徴とする磁気記録媒体
の製造方法。 - 【請求項３】Ｎｅ，Ａｒ，Ｋｒ，Ｘｅのうち少なくとも
一種のガス雰囲気中でスパッタリングを行なうことによ
り基体上に磁気記録層を形成し、該磁気記録層形成後に
酸素雰囲気中に磁気記録媒体を一定時間保持することに
より当該磁気記録層を構成する金属元素の少なくとも１
元素の酸化を行い金属酸化膜層を形成し、更にカーボン
を主成分とする保護膜層を形成する工程より成ることを
特徴とする磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項４】上記酸素雰囲気は分圧で２５％以上の酸素
より成ることを特徴とする請求項３記載の磁気記録媒体
の製造方法。 - 【請求項５】請求項１記載の磁気記録媒体を用いたこと
を特徴とする磁気ディスク装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11246794A JPH07320257A (ja) | 1994-05-26 | 1994-05-26 | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11246794A JPH07320257A (ja) | 1994-05-26 | 1994-05-26 | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07320257A true JPH07320257A (ja) | 1995-12-08 |
Family
ID=14587377
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11246794A Pending JPH07320257A (ja) | 1994-05-26 | 1994-05-26 | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07320257A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7998607B2 (en) | 2009-07-31 | 2011-08-16 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands, B.V. | Partially-oxidized cap layer for hard disk drive magnetic media |
| JP2022119230A (ja) * | 2021-02-04 | 2022-08-17 | 昭和電工株式会社 | 磁気記録媒体、磁気記録再生装置及び磁気記録媒体の製造方法 |
-
1994
- 1994-05-26 JP JP11246794A patent/JPH07320257A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7998607B2 (en) | 2009-07-31 | 2011-08-16 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands, B.V. | Partially-oxidized cap layer for hard disk drive magnetic media |
| JP2022119230A (ja) * | 2021-02-04 | 2022-08-17 | 昭和電工株式会社 | 磁気記録媒体、磁気記録再生装置及び磁気記録媒体の製造方法 |
| US12217779B2 (en) | 2021-02-04 | 2025-02-04 | Resonac Hard Disk Corporation | Method of manufacturing magnetic recording medium |
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