JPH07321020A - Ｘ線マスク洗浄方法及びｘ線マスク洗浄装置 - Google Patents
Ｘ線マスク洗浄方法及びｘ線マスク洗浄装置Info
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- JPH07321020A JPH07321020A JP11612694A JP11612694A JPH07321020A JP H07321020 A JPH07321020 A JP H07321020A JP 11612694 A JP11612694 A JP 11612694A JP 11612694 A JP11612694 A JP 11612694A JP H07321020 A JPH07321020 A JP H07321020A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】Ｘ線マスクに損傷を与えることなくマスクを洗
浄することのできるＸ線マスク洗浄方法及びＸ線マスク
洗浄装置を提供すること。 【構成】上記目的は、複数のＸ線マスクをマスクカセッ
トに保持して溶液洗浄する第１の工程と、該Ｘ線マスク
を乾燥する第２の工程とを含むＸ線マスク洗浄方法にお
いて、上記第１の工程が、上記複数のＸ線マスク間に溶
液の層流を形成して行う溶液洗浄(ここで、溶液洗浄と
は、洗浄液による洗浄と水洗とを含む)であることを特
徴とするＸ線マスク洗浄方法、あるいは、上記第２の工
程が、上記複数のマスクを揮発性溶液に浸漬した後、自
然乾燥あるいは加熱乾燥することからなる工程であるこ
とを特徴とするＸ線マスク洗浄方法とすることによって
達成することができる。
浄することのできるＸ線マスク洗浄方法及びＸ線マスク
洗浄装置を提供すること。 【構成】上記目的は、複数のＸ線マスクをマスクカセッ
トに保持して溶液洗浄する第１の工程と、該Ｘ線マスク
を乾燥する第２の工程とを含むＸ線マスク洗浄方法にお
いて、上記第１の工程が、上記複数のＸ線マスク間に溶
液の層流を形成して行う溶液洗浄(ここで、溶液洗浄と
は、洗浄液による洗浄と水洗とを含む)であることを特
徴とするＸ線マスク洗浄方法、あるいは、上記第２の工
程が、上記複数のマスクを揮発性溶液に浸漬した後、自
然乾燥あるいは加熱乾燥することからなる工程であるこ
とを特徴とするＸ線マスク洗浄方法とすることによって
達成することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、高密度集積回路の製造
に用いるＸ線リソグラフィにおけるＸ線露光用マスクの
洗浄方法及び洗浄装置に係り、特に、Ｘ線マスクに損傷
を与えることなくマスクを洗浄することのできるＸ線マ
スク洗浄方法及びＸ線マスク洗浄装置に関する。
に用いるＸ線リソグラフィにおけるＸ線露光用マスクの
洗浄方法及び洗浄装置に係り、特に、Ｘ線マスクに損傷
を与えることなくマスクを洗浄することのできるＸ線マ
スク洗浄方法及びＸ線マスク洗浄装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】微細パタン転写について、急峻なパタン
転写が期待できるＸ線露光法が試みられ、微細パタン転
写に有効であることが報告されている(例えば、M.Suzuk
i ,T.Kaneko ,Y.Saitoh ; Replicated resist pattern
resolution synchrotron orbital radiation : J.Vac.S
ci.Technol. B7(1), Jan/Feb(1989)記載)。Ｘ線露光で
は、露光装置、Ｘ線マスク、レジスト感度等から総合的
に判断して、波長７〜14ÅのＸ線が用いられている。Ｘ
線露光用マスクの概略構成は図６に示す通りで、Ｘ線マ
スク本体17が、フレーム(シリコン製、厚さ１〜２mm)1
8、Ｘ線を吸収する吸収体20、および、これらを保持す
るマスクメンブレン19からなることを示す。ここで、マ
スクメンブレン19としては、Ｘ線を有効に透過し、有機
膜に比べて安定な SiN 膜、SiC 膜、ダイヤモンド膜等
の薄膜が用いられるが、現在最も良く使用されているマ
スクメンブレンは厚さ２μmの SiN 膜であり、石英基板
からなるホトマスクに比べて極めて弱い構造となってい
る。しかし、マスクを厚さ２μmのメンブレン化する際
に、エッチング液として KOH 等の水溶液を用いてお
り、エッチング後の洗浄が不可欠で、これまで、これら
の洗浄は手洗浄で行われていた。
転写が期待できるＸ線露光法が試みられ、微細パタン転
写に有効であることが報告されている(例えば、M.Suzuk
i ,T.Kaneko ,Y.Saitoh ; Replicated resist pattern
resolution synchrotron orbital radiation : J.Vac.S
ci.Technol. B7(1), Jan/Feb(1989)記載)。Ｘ線露光で
は、露光装置、Ｘ線マスク、レジスト感度等から総合的
に判断して、波長７〜14ÅのＸ線が用いられている。Ｘ
線露光用マスクの概略構成は図６に示す通りで、Ｘ線マ
スク本体17が、フレーム(シリコン製、厚さ１〜２mm)1
8、Ｘ線を吸収する吸収体20、および、これらを保持す
るマスクメンブレン19からなることを示す。ここで、マ
スクメンブレン19としては、Ｘ線を有効に透過し、有機
膜に比べて安定な SiN 膜、SiC 膜、ダイヤモンド膜等
の薄膜が用いられるが、現在最も良く使用されているマ
スクメンブレンは厚さ２μmの SiN 膜であり、石英基板
からなるホトマスクに比べて極めて弱い構造となってい
る。しかし、マスクを厚さ２μmのメンブレン化する際
に、エッチング液として KOH 等の水溶液を用いてお
り、エッチング後の洗浄が不可欠で、これまで、これら
の洗浄は手洗浄で行われていた。
【０００３】また、Ｘ線露光においては、大気中露光の
際、空気中の水分、不純物ガス等が分解され、Ｘ線取り
出し窓を損傷することが知られている。これは、空気中
の水分と不純物ガスとから硝酸が生成され、Ｘ線取り出
し窓のベリリウムを酸化させることによるものである。
同様に、Ｘ線マスクにおいても、不純物によるマスクの
汚れが発生する。汚染されたマスクに金属粒子が付着す
ると、Ｘ線マスクメンブレン上に金属酸化物として残
り、転写欠陥が発生するため、Ｘ線マスクにおいても、
定期的な洗浄が必要になる。しかし、上記したように、
Ｘ線マスクは厚さ２μmの SiN 薄膜で構成されているた
め、マスク破損を起こすことなく洗浄を行うことは難し
く、そのため、これまで、メンブレン化したＸ線マスク
用の自動洗浄装置はなかった。
際、空気中の水分、不純物ガス等が分解され、Ｘ線取り
出し窓を損傷することが知られている。これは、空気中
の水分と不純物ガスとから硝酸が生成され、Ｘ線取り出
し窓のベリリウムを酸化させることによるものである。
同様に、Ｘ線マスクにおいても、不純物によるマスクの
汚れが発生する。汚染されたマスクに金属粒子が付着す
ると、Ｘ線マスクメンブレン上に金属酸化物として残
り、転写欠陥が発生するため、Ｘ線マスクにおいても、
定期的な洗浄が必要になる。しかし、上記したように、
Ｘ線マスクは厚さ２μmの SiN 薄膜で構成されているた
め、マスク破損を起こすことなく洗浄を行うことは難し
く、そのため、これまで、メンブレン化したＸ線マスク
用の自動洗浄装置はなかった。
【０００４】現在一般に用いられている半導体自動洗浄
装置では、Ｘ線マスクが厚さ２μmの薄膜で構成されて
おり、さらに、Ｘ線マスクのメンブレン部が30mm角以上
に大面積化されてきているため、流水によるリンスやス
ピンドライヤーによる乾燥の際に、マスクが破損する可
能性が非常に高い。例えば、現在ウェハの洗浄に用いら
れている自動洗浄装置のリンス槽は、図７に示すような
構成となっている。ここで、８はマスクカセット、11は
純水供給管、13は純水投入孔、24は純水の流れ、17はＸ
線マスクを示し、純水投入孔13からリンス槽内に投入さ
れる純水の流れ24は下方から任意の方向に放出される。
放出された流水はマスク面にその法線に近い角度で当た
る可能性があり、膜にかかる流水圧力が高くなる。特
に、洗浄マスク枚数が少ない場合には、直接流水の圧力
を受けるため、マスクメンブレン19が破損される可能性
が高くなる。
装置では、Ｘ線マスクが厚さ２μmの薄膜で構成されて
おり、さらに、Ｘ線マスクのメンブレン部が30mm角以上
に大面積化されてきているため、流水によるリンスやス
ピンドライヤーによる乾燥の際に、マスクが破損する可
能性が非常に高い。例えば、現在ウェハの洗浄に用いら
れている自動洗浄装置のリンス槽は、図７に示すような
構成となっている。ここで、８はマスクカセット、11は
純水供給管、13は純水投入孔、24は純水の流れ、17はＸ
線マスクを示し、純水投入孔13からリンス槽内に投入さ
れる純水の流れ24は下方から任意の方向に放出される。
放出された流水はマスク面にその法線に近い角度で当た
る可能性があり、膜にかかる流水圧力が高くなる。特
に、洗浄マスク枚数が少ない場合には、直接流水の圧力
を受けるため、マスクメンブレン19が破損される可能性
が高くなる。
【０００５】また、現在の自動洗浄装置では、乾燥時に
ウェハを高速回転させて乾燥する方法(スピンドライ)が
用いられているが、この方法をＸ線マスクに適用した場
合には、高速回転時の風圧によってマスクが破損される
可能性が極めて高い。スピンドライヤーによる乾燥を避
け、リンス後に自然乾燥する方法を用いたとしても、マ
スク面上に水滴が残り、水滴の乾燥が遅いために乾燥シ
ミとして残りやすく、これらの乾燥シミは、Ｘ線照射に
よりマスク欠陥となり易い。
ウェハを高速回転させて乾燥する方法(スピンドライ)が
用いられているが、この方法をＸ線マスクに適用した場
合には、高速回転時の風圧によってマスクが破損される
可能性が極めて高い。スピンドライヤーによる乾燥を避
け、リンス後に自然乾燥する方法を用いたとしても、マ
スク面上に水滴が残り、水滴の乾燥が遅いために乾燥シ
ミとして残りやすく、これらの乾燥シミは、Ｘ線照射に
よりマスク欠陥となり易い。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従来技術は以上述べた
ような問題点を有していた。本発明の目的は、上記従来
技術の有していた課題を解決して、Ｘ線マスクに損傷を
与えることなくマスクを洗浄することのできるＸ線マス
ク洗浄方法及びＸ線マスク洗浄装置を提供することにあ
る。
ような問題点を有していた。本発明の目的は、上記従来
技術の有していた課題を解決して、Ｘ線マスクに損傷を
与えることなくマスクを洗浄することのできるＸ線マス
ク洗浄方法及びＸ線マスク洗浄装置を提供することにあ
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的は、複数のＸ線
マスクをマスクカセットに保持して溶液洗浄する第１の
工程と、該Ｘ線マスクを乾燥する第２の工程とを含むＸ
線マスク洗浄方法において、上記第１の工程が、上記複
数のＸ線マスク間に溶液の層流を形成して行う溶液洗浄
(ここで、溶液洗浄とは、洗浄液による洗浄と水洗とを
含む)であることを特徴とするＸ線マスク洗浄方法、あ
るいは、上記第２の工程が、上記複数のマスクを揮発性
溶液に浸漬した後、自然乾燥あるいは加熱乾燥すること
からなる工程であることを特徴とするＸ線マスク洗浄方
法とすることによって達成することができる。
マスクをマスクカセットに保持して溶液洗浄する第１の
工程と、該Ｘ線マスクを乾燥する第２の工程とを含むＸ
線マスク洗浄方法において、上記第１の工程が、上記複
数のＸ線マスク間に溶液の層流を形成して行う溶液洗浄
(ここで、溶液洗浄とは、洗浄液による洗浄と水洗とを
含む)であることを特徴とするＸ線マスク洗浄方法、あ
るいは、上記第２の工程が、上記複数のマスクを揮発性
溶液に浸漬した後、自然乾燥あるいは加熱乾燥すること
からなる工程であることを特徴とするＸ線マスク洗浄方
法とすることによって達成することができる。
【０００８】
【作用】本発明の作用は、保持するマスクに平行する方
向にフィンを有するマスクカセットを用いること、マス
クと平行方向にフィンを有する洗浄槽、リンス槽を用い
ること等により、洗浄槽、リンス槽等における洗浄液、
純水等の流れをマスクに平行な層流とすることによっ
て、Ｘ線マスクメンブレンに大きな水圧を及ぼすことな
くマスク洗浄を行うことにあり、現在半導体製造に使用
されているウェハ自動洗浄装置とは、洗浄槽の構造、槽
の構成、乾燥方法等が異なる。
向にフィンを有するマスクカセットを用いること、マス
クと平行方向にフィンを有する洗浄槽、リンス槽を用い
ること等により、洗浄槽、リンス槽等における洗浄液、
純水等の流れをマスクに平行な層流とすることによっ
て、Ｘ線マスクメンブレンに大きな水圧を及ぼすことな
くマスク洗浄を行うことにあり、現在半導体製造に使用
されているウェハ自動洗浄装置とは、洗浄槽の構造、槽
の構成、乾燥方法等が異なる。
【０００９】
【実施例】以下、本発明のＸ線マスク洗浄方法及び洗浄
装置について、実施例によって具体的に説明する。
装置について、実施例によって具体的に説明する。
【００１０】
【実施例１】図１は本発明Ｘ線マスク洗浄装置の一実施
例の概略構成を示す図で、洗浄装置本体１、洗浄開始時
にマスクカセットを設置する前室２、実際にマスクを洗
浄する洗浄槽３、洗浄後洗浄液を除去するためのリンス
槽４、リンス槽でマスク上に付着した水滴を均一でかつ
比較的揮発性に富んだアルコール類で置換する置換槽
５、マスクを自然乾燥させる乾燥室６、各室、各槽にマ
スクカセットを搬送する自動搬送機構７、マスクを保持
するマスクカセット８、洗浄装置に清浄空気を送り込む
ためのフィルター９等からなることを示し、また、10は
清浄空気の流れを示す。
例の概略構成を示す図で、洗浄装置本体１、洗浄開始時
にマスクカセットを設置する前室２、実際にマスクを洗
浄する洗浄槽３、洗浄後洗浄液を除去するためのリンス
槽４、リンス槽でマスク上に付着した水滴を均一でかつ
比較的揮発性に富んだアルコール類で置換する置換槽
５、マスクを自然乾燥させる乾燥室６、各室、各槽にマ
スクカセットを搬送する自動搬送機構７、マスクを保持
するマスクカセット８、洗浄装置に清浄空気を送り込む
ためのフィルター９等からなることを示し、また、10は
清浄空気の流れを示す。
【００１１】上記洗浄装置を用いて行う洗浄の手順は下
記の通りである。すなわち、洗浄すべきマスクをまずマ
スクカセット８にセットし、前室２に設置する。次い
で、該マスカセットを、自動搬送機構７によって、洗浄
槽３に搬送する。洗浄槽３では、予め調合しておいた調
合液を用いてマスクを洗浄する。洗浄液としては、硫酸
・過酸化水素水混合液、あるいは、微粒子洗浄に有効な
アンモニア・過酸化水素水、あるいは、金属粒子の洗浄
に有効な塩酸・過酸化水素水を用いることができる。こ
こで、洗浄液の供給は、手動で行うこともでき、また、
従来から半導体製造に使用されている自動洗浄装置と同
様の、液面センサ、薬液自動供給装置等を用いた自動供
給を利用することもできる。なお、洗浄槽の数を増やし
て、上記薬液を複合させた洗浄を行うこともできる。洗
浄槽３で洗浄したＸ線マスクは自動搬送機構７によって
リンス槽４に搬送する。
記の通りである。すなわち、洗浄すべきマスクをまずマ
スクカセット８にセットし、前室２に設置する。次い
で、該マスカセットを、自動搬送機構７によって、洗浄
槽３に搬送する。洗浄槽３では、予め調合しておいた調
合液を用いてマスクを洗浄する。洗浄液としては、硫酸
・過酸化水素水混合液、あるいは、微粒子洗浄に有効な
アンモニア・過酸化水素水、あるいは、金属粒子の洗浄
に有効な塩酸・過酸化水素水を用いることができる。こ
こで、洗浄液の供給は、手動で行うこともでき、また、
従来から半導体製造に使用されている自動洗浄装置と同
様の、液面センサ、薬液自動供給装置等を用いた自動供
給を利用することもできる。なお、洗浄槽の数を増やし
て、上記薬液を複合させた洗浄を行うこともできる。洗
浄槽３で洗浄したＸ線マスクは自動搬送機構７によって
リンス槽４に搬送する。
【００１２】図２は、リンス槽の概略構成図で、リンス
槽に純水を供給する純水供給管11、純水の流れを層流と
するためのフィン12、純水をリンス槽に投入するための
純水投入孔からなることを示す。純水は、純水供給管11
を通り、純水投入孔13からリンス槽４に投入されるが、
このとき、純水はフィン12によって流れ方向が制限さ
れ、マスク面と平行な流れ14が形成されて、マスク面と
平行な層流となる。従って、マスクメンブレン19は大き
な水圧を受けることなくリンスされる。
槽に純水を供給する純水供給管11、純水の流れを層流と
するためのフィン12、純水をリンス槽に投入するための
純水投入孔からなることを示す。純水は、純水供給管11
を通り、純水投入孔13からリンス槽４に投入されるが、
このとき、純水はフィン12によって流れ方向が制限さ
れ、マスク面と平行な流れ14が形成されて、マスク面と
平行な層流となる。従って、マスクメンブレン19は大き
な水圧を受けることなくリンスされる。
【００１３】リンスを終了したＸ線マスク17は、純水で
濡れた状態で、置換槽５に搬送される。置換槽には親水
性でかつ揮発性の高いアルコール、アセトン等を満たし
ておき、ここで純水で濡れたＸ線マスク17の表面を揮発
性の高いアルコール等によって置換する。次いで、マス
ク17をマスクカセット８とともに極めてゆっくりした速
度で置換槽５から引き上げると、Ｘ線マスク17は清浄空
気10によってほぼ乾燥された状態となるが、さらに、乾
燥室６に搬送して乾燥を行い、マスク洗浄を完了する。
濡れた状態で、置換槽５に搬送される。置換槽には親水
性でかつ揮発性の高いアルコール、アセトン等を満たし
ておき、ここで純水で濡れたＸ線マスク17の表面を揮発
性の高いアルコール等によって置換する。次いで、マス
ク17をマスクカセット８とともに極めてゆっくりした速
度で置換槽５から引き上げると、Ｘ線マスク17は清浄空
気10によってほぼ乾燥された状態となるが、さらに、乾
燥室６に搬送して乾燥を行い、マスク洗浄を完了する。
【００１４】
【実施例２】図３に本発明のフィン付きマスクカセット
の概略構成を示す。ここで、21はフィン付きマスクカセ
ット、22はマスクカセットに付けたフィン、23はカセッ
ト21のフィン22とリンス槽４のフィン12とを対応させる
ための位置決め板である。自動搬送機構７によって洗浄
槽３から搬送されたマスクカセット22はリンス槽４に投
入され、位置決め板23によって位置決めされる。その結
果、マスクカセット21のフィン22はリンス槽４のフィン
12と対応して設置される。マスクカセット21のフィン22
の数はリンス槽４のフィン12の数の1/2としてあり、マ
スクカセットのフィン22はリンス槽４のフィン12と１枚
おきに対応する。マスク17をマスクカセット21に設置す
ることにより、リンス槽のフィン12とマスクカセットの
フィン22、マスク17とが対応して、純水の流れ14がマス
ク面と平行な層流となる。従って、マスクメンブレン19
は大きな水圧を受けることなくリンスされる。リンスさ
れたマスク17は、実施例１の場合と同様に、置換槽５を
経て乾燥される。なお、フィンを持たないカセットで
も、マスクを１枚ごとにセットすることで、フィン付き
カセットに近い効果を得ることができる。
の概略構成を示す。ここで、21はフィン付きマスクカセ
ット、22はマスクカセットに付けたフィン、23はカセッ
ト21のフィン22とリンス槽４のフィン12とを対応させる
ための位置決め板である。自動搬送機構７によって洗浄
槽３から搬送されたマスクカセット22はリンス槽４に投
入され、位置決め板23によって位置決めされる。その結
果、マスクカセット21のフィン22はリンス槽４のフィン
12と対応して設置される。マスクカセット21のフィン22
の数はリンス槽４のフィン12の数の1/2としてあり、マ
スクカセットのフィン22はリンス槽４のフィン12と１枚
おきに対応する。マスク17をマスクカセット21に設置す
ることにより、リンス槽のフィン12とマスクカセットの
フィン22、マスク17とが対応して、純水の流れ14がマス
ク面と平行な層流となる。従って、マスクメンブレン19
は大きな水圧を受けることなくリンスされる。リンスさ
れたマスク17は、実施例１の場合と同様に、置換槽５を
経て乾燥される。なお、フィンを持たないカセットで
も、マスクを１枚ごとにセットすることで、フィン付き
カセットに近い効果を得ることができる。
【００１５】
【実施例３】上記の例ではリンス槽４にフィン12を設け
ることについて説明したが、同様にして、洗浄槽にフィ
ンを設け、層流を作ることも可能である。図４に、フィ
ンを設けた洗浄層の概略構成図を示す。ここで、25は硫
酸・過酸化水素水供給管、26は硫酸・過酸化水素水層流形
成用のフィン、27は硫酸・過酸化水素水投入孔、28は硫
酸・過酸化水素水の流れ、29は硫酸・過酸化水素水の排出
管、30は硫酸・過酸化水素水の循環槽、31はフィルタ、3
2は循環ポンプ、33は硫酸・過酸化水素水の流れ方向を示
す。すなわち、洗浄槽３に薬液循環槽30と該薬液循環用
のポンプとを設け、さらに、洗浄槽３内に薬液が層流と
なるようにフィン26を設けて、Ｘ線マスク17を洗浄する
ものである。
ることについて説明したが、同様にして、洗浄槽にフィ
ンを設け、層流を作ることも可能である。図４に、フィ
ンを設けた洗浄層の概略構成図を示す。ここで、25は硫
酸・過酸化水素水供給管、26は硫酸・過酸化水素水層流形
成用のフィン、27は硫酸・過酸化水素水投入孔、28は硫
酸・過酸化水素水の流れ、29は硫酸・過酸化水素水の排出
管、30は硫酸・過酸化水素水の循環槽、31はフィルタ、3
2は循環ポンプ、33は硫酸・過酸化水素水の流れ方向を示
す。すなわち、洗浄槽３に薬液循環槽30と該薬液循環用
のポンプとを設け、さらに、洗浄槽３内に薬液が層流と
なるようにフィン26を設けて、Ｘ線マスク17を洗浄する
ものである。
【００１６】この場合、循環槽30内の薬液は、ポンプ32
によって、硫酸・過酸化水素水供給管25を通り、投入孔2
7から洗浄槽３内に投入される。投入された薬液は、フ
ィン26により流れ方向が制限され、マスク面と平行な流
れ28が形成される。従って、マスク面に強い圧力がかか
ることなく、マスク洗浄が行われる。洗浄に用いられた
薬液は排出管29を通って循環槽30内に戻る。ここで、薬
液はフィルタ31でフィルタリングされて送り出される。
用いる薬液は、上記のように、アンモニア・過酸化水素
水や塩酸・過酸化水素水でもよい。マスク洗浄後のリン
ス、置換、乾燥は、上記実施例の場合と同様の方法で行
う。
によって、硫酸・過酸化水素水供給管25を通り、投入孔2
7から洗浄槽３内に投入される。投入された薬液は、フ
ィン26により流れ方向が制限され、マスク面と平行な流
れ28が形成される。従って、マスク面に強い圧力がかか
ることなく、マスク洗浄が行われる。洗浄に用いられた
薬液は排出管29を通って循環槽30内に戻る。ここで、薬
液はフィルタ31でフィルタリングされて送り出される。
用いる薬液は、上記のように、アンモニア・過酸化水素
水や塩酸・過酸化水素水でもよい。マスク洗浄後のリン
ス、置換、乾燥は、上記実施例の場合と同様の方法で行
う。
【００１７】
【実施例４】本発明洗浄方法の他の実施例(乾燥方法)に
ついて図５によって説明する。図において、６は乾燥
室、９はフィルター、10は清浄空気、15はヒータ加熱機
構、16は空気加熱機構を示す。
ついて図５によって説明する。図において、６は乾燥
室、９はフィルター、10は清浄空気、15はヒータ加熱機
構、16は空気加熱機構を示す。
【００１８】本実施例の方法において、洗浄からリンス
までは前記実施例の場合と同様に処理し、リンスしたマ
スクはカセットと共に置換槽に搬送する。ここで、マス
ク表面の残留水滴等がアルコール等の高揮発性の液によ
って置換され、次いで乾燥室６に搬送される。置換槽か
らのマスク引上げ速度は比較的速くても構わない。乾燥
室６には、フィルター９によって清浄化した空気10を流
してあり、Ｘ線マスク17はここで自然乾燥される。この
とき、図５に示すように、カセット設置箇所にヒータ加
熱機構15を設けるか、または、清浄空気10の流れの途中
に空気加熱機構16を設けることによって、乾燥を速める
こともできる。
までは前記実施例の場合と同様に処理し、リンスしたマ
スクはカセットと共に置換槽に搬送する。ここで、マス
ク表面の残留水滴等がアルコール等の高揮発性の液によ
って置換され、次いで乾燥室６に搬送される。置換槽か
らのマスク引上げ速度は比較的速くても構わない。乾燥
室６には、フィルター９によって清浄化した空気10を流
してあり、Ｘ線マスク17はここで自然乾燥される。この
とき、図５に示すように、カセット設置箇所にヒータ加
熱機構15を設けるか、または、清浄空気10の流れの途中
に空気加熱機構16を設けることによって、乾燥を速める
こともできる。
【００１９】
【発明の効果】以上述べてきたように、Ｘ線マスク洗浄
方法及び洗浄装置を本発明構成の洗浄方法及び洗浄装置
とすることによって、従来技術の有していた課題を解決
して、Ｘ線マスクに損傷を与えることなくマスクを洗浄
することのできるＸ線マスク洗浄方法及びＸ線マスク洗
浄装置を提供することができた。すなわち、保持するマ
スクに平行する方向にフィンを有するマスクカセットを
用いること、マスクと平行方向にフィンを有する洗浄槽
を用いること等により、洗浄槽、リンス槽等における洗
浄液、純水等の流れをマスクに平行な層流とすることに
よって、Ｘ線マスクメンブレンに大きな水圧を及ぼすこ
となくマスク洗浄を行うことが可能となった結果、これ
までメンブレン状態での洗浄が難しかったＸ線マスクの
洗浄が可能となった。
方法及び洗浄装置を本発明構成の洗浄方法及び洗浄装置
とすることによって、従来技術の有していた課題を解決
して、Ｘ線マスクに損傷を与えることなくマスクを洗浄
することのできるＸ線マスク洗浄方法及びＸ線マスク洗
浄装置を提供することができた。すなわち、保持するマ
スクに平行する方向にフィンを有するマスクカセットを
用いること、マスクと平行方向にフィンを有する洗浄槽
を用いること等により、洗浄槽、リンス槽等における洗
浄液、純水等の流れをマスクに平行な層流とすることに
よって、Ｘ線マスクメンブレンに大きな水圧を及ぼすこ
となくマスク洗浄を行うことが可能となった結果、これ
までメンブレン状態での洗浄が難しかったＸ線マスクの
洗浄が可能となった。
【図１】本発明Ｘ線マスク洗浄装置の概略構成を示す
図。
図。
【図２】本発明Ｘ線マスク洗浄装置のリンス槽の構造を
示す断面図。
示す断面図。
【図３】本発明のフィン付きＸ線マスクカセットの構成
を示す断面図。
を示す断面図。
【図４】実施例３の洗浄槽の概略構成を示す断面図。
【図５】実施例４のＸ線マスクの乾燥方法を説明するた
めの乾燥室断面図。
めの乾燥室断面図。
【図６】Ｘ線マスクの概略構造を示す断面図。
【図７】従来のウェハ洗浄装置のリンス槽の概略構成を
示す断面図。
示す断面図。
１…洗浄装置本体、２…カセットを設置するための前
室、３…洗浄槽、４…リンス槽、５…置換槽、６…乾燥
室、７…自動搬送機構、８…マスクカセット、９…フィ
ルター、10…清浄空気、11…純水供給管、12…フィン、
13…純水投入孔、14…フィンがある場合の純水の流れ、
15…ヒータ加熱機構、16…空気加熱機構、17…Ｘ線マス
ク、18…マスクフレーム、19…マスクメンブレン、20…
Ｘ線吸収体、21…フィン付きカセット、22…カセットの
フィン、23…位置決め板、24…フィンのない場合の純水
の流れ、25…硫酸・過酸化水素供給管、26…硫酸・過酸化
水素水の層流を形成するフィン、27…硫酸・過酸化水素
水投入孔、28…硫酸・過酸化水素水の流れ、29…硫酸・過
酸化水素水排出管、30…硫酸・過酸化水素水循環槽、31
…フィルタ、32…循環ポンプ、33…硫酸・過酸化水素水
の流れ方向。
室、３…洗浄槽、４…リンス槽、５…置換槽、６…乾燥
室、７…自動搬送機構、８…マスクカセット、９…フィ
ルター、10…清浄空気、11…純水供給管、12…フィン、
13…純水投入孔、14…フィンがある場合の純水の流れ、
15…ヒータ加熱機構、16…空気加熱機構、17…Ｘ線マス
ク、18…マスクフレーム、19…マスクメンブレン、20…
Ｘ線吸収体、21…フィン付きカセット、22…カセットの
フィン、23…位置決め板、24…フィンのない場合の純水
の流れ、25…硫酸・過酸化水素供給管、26…硫酸・過酸化
水素水の層流を形成するフィン、27…硫酸・過酸化水素
水投入孔、28…硫酸・過酸化水素水の流れ、29…硫酸・過
酸化水素水排出管、30…硫酸・過酸化水素水循環槽、31
…フィルタ、32…循環ポンプ、33…硫酸・過酸化水素水
の流れ方向。
Claims (5)
- 【請求項１】複数のＸ線マスクをマスクカセットに保持
して溶液洗浄する第１の工程と、該Ｘ線マスクを乾燥す
る第２の工程とを含むＸ線マスク洗浄方法において、上
記第１の工程が、上記複数のＸ線マスク間に溶液の層流
を形成して行う溶液洗浄(ここで、溶液洗浄とは、洗浄
液による洗浄と水洗とを含む)であることを特徴とする
Ｘ線マスク洗浄方法。 - 【請求項２】複数のＸ線マスクをマスクカセットに保持
して溶液洗浄する第１の工程と、該Ｘ線マスクを乾燥す
る第２の工程とを含むＸ線マスク洗浄方法において、上
記第２の工程が、上記複数のマスクを揮発性溶液に浸漬
した後、自然乾燥あるいは加熱乾燥することからなる工
程であることを特徴とするＸ線マスク洗浄方法。 - 【請求項３】上記マスクカセットが、保持するＸ線マス
クに平行する方向にフィンを有するマスクカセットであ
ることを特徴とする請求項１及び２記載のＸ線マスク洗
浄方法。 - 【請求項４】複数のＸ線マスクを保持する機構と、溶液
洗浄を行う洗浄槽と、Ｘ線マスクを乾燥する乾燥室とを
有するＸ線マスク洗浄装置において、上記洗浄槽が上記
Ｘ線マスク保持機構に保持されたＸ線マスクに平行な方
向にフィンを有する洗浄槽であることを特徴とするＸ線
マスク洗浄装置。 - 【請求項５】複数のＸ線マスクを保持する機構と、溶液
洗浄を行う洗浄槽と、Ｘ線マスクを乾燥する乾燥室とを
有するＸ線マスク洗浄装置において、上記複数のＸ線マ
スクの保持機構が、保持するＸ線マスクに平行な方向に
フィンを有することを特徴とするＸ線マスク洗浄装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11612694A JP3260551B2 (ja) | 1994-05-30 | 1994-05-30 | Ｘ線マスク洗浄方法及びｘ線マスク洗浄装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11612694A JP3260551B2 (ja) | 1994-05-30 | 1994-05-30 | Ｘ線マスク洗浄方法及びｘ線マスク洗浄装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07321020A true JPH07321020A (ja) | 1995-12-08 |
| JP3260551B2 JP3260551B2 (ja) | 2002-02-25 |
Family
ID=14679356
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11612694A Expired - Fee Related JP3260551B2 (ja) | 1994-05-30 | 1994-05-30 | Ｘ線マスク洗浄方法及びｘ線マスク洗浄装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3260551B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102247964A (zh) * | 2010-05-21 | 2011-11-23 | 上海微电子装备有限公司 | 掩模版的洁净装置和掩模版的洁净方法 |
| CN113387062A (zh) * | 2020-05-14 | 2021-09-14 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 光掩膜盒及其防尘方法 |
| US11703754B2 (en) | 2020-05-14 | 2023-07-18 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. | Particle prevention method in reticle pod |
-
1994
- 1994-05-30 JP JP11612694A patent/JP3260551B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102247964A (zh) * | 2010-05-21 | 2011-11-23 | 上海微电子装备有限公司 | 掩模版的洁净装置和掩模版的洁净方法 |
| CN113387062A (zh) * | 2020-05-14 | 2021-09-14 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 光掩膜盒及其防尘方法 |
| US11703754B2 (en) | 2020-05-14 | 2023-07-18 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. | Particle prevention method in reticle pod |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3260551B2 (ja) | 2002-02-25 |
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