JPH07321119A - 単結晶シリコンウェーハの歪付け方法 - Google Patents
単結晶シリコンウェーハの歪付け方法Info
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- JPH07321119A JPH07321119A JP6109360A JP10936094A JPH07321119A JP H07321119 A JPH07321119 A JP H07321119A JP 6109360 A JP6109360 A JP 6109360A JP 10936094 A JP10936094 A JP 10936094A JP H07321119 A JPH07321119 A JP H07321119A
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- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P90/00—Preparation of wafers not covered by a single main group of this subclass, e.g. wafer reinforcement
- H10P90/12—Preparing bulk and homogeneous wafers
- H10P90/129—Preparing bulk and homogeneous wafers by polishing
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
- B24B37/042—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces operating processes therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P36/00—Gettering within semiconductor bodies
- H10P36/03—Gettering within semiconductor bodies within silicon bodies
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 従来よりも高密度の表面欠陥（最大で１０7
ｃｍ-2程度）を安定して発生させることができ、デバイ
スプロセスでの重金属汚染のゲッタリングに役立ち、ウ
ェーハ裏面からの発塵性を低下できる単結晶シリコンウ
ェーハの裏面歪付け方法を提供する。 【構成】 単結晶シリコンウェーハの裏面を砥粒と研磨
布で研磨することにより該裏面に歪層を形成するにあた
り、平均粒径０．１〜１０μｍのシリカ粒子を含むｐＨ
４〜９の研磨液を用いる。
ｃｍ-2程度）を安定して発生させることができ、デバイ
スプロセスでの重金属汚染のゲッタリングに役立ち、ウ
ェーハ裏面からの発塵性を低下できる単結晶シリコンウ
ェーハの裏面歪付け方法を提供する。 【構成】 単結晶シリコンウェーハの裏面を砥粒と研磨
布で研磨することにより該裏面に歪層を形成するにあた
り、平均粒径０．１〜１０μｍのシリカ粒子を含むｐＨ
４〜９の研磨液を用いる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、単結晶シリコンウェー
ハ（以下、単にウェーハということがある）に優れたゲ
ッタリング効果を付与することができ、ウェーハ裏面か
らの発塵性を低下できる単結晶シリコンウェーハの歪付
け方法に関する。
ハ（以下、単にウェーハということがある）に優れたゲ
ッタリング効果を付与することができ、ウェーハ裏面か
らの発塵性を低下できる単結晶シリコンウェーハの歪付
け方法に関する。
【０００２】
【関連技術】デバイスの製造工程において、ウェーハは
種々の熱処理を受け、その際結晶中の酸素や炭素、重金
属不純物等によって様々の結晶欠陥が誘起される。これ
らの欠陥はウェーハの表面及び表面付近にも発生するた
め、リーク電流の増大をまねき、デバイス特性の劣化と
歩留りの低下をもたらす。
種々の熱処理を受け、その際結晶中の酸素や炭素、重金
属不純物等によって様々の結晶欠陥が誘起される。これ
らの欠陥はウェーハの表面及び表面付近にも発生するた
め、リーク電流の増大をまねき、デバイス特性の劣化と
歩留りの低下をもたらす。
【０００３】しかしながら、ウェーハの鏡面と反対側の
裏面またはウェーハ内部に作った微小結晶欠陥や歪み
は、デバイス特性に有害な影響を与える不純物を捕獲、
固着したり、または欠陥発生に関与している点欠陥など
を取り込む作用がある。この作用はゲッタリングと呼ば
れ、前者はエクストリンシックゲッタリング（以下ＥＧ
という。）、後者はイントリンシックゲッタリング（Ｉ
Ｇ）と呼ばれている。
裏面またはウェーハ内部に作った微小結晶欠陥や歪み
は、デバイス特性に有害な影響を与える不純物を捕獲、
固着したり、または欠陥発生に関与している点欠陥など
を取り込む作用がある。この作用はゲッタリングと呼ば
れ、前者はエクストリンシックゲッタリング（以下ＥＧ
という。）、後者はイントリンシックゲッタリング（Ｉ
Ｇ）と呼ばれている。
【０００４】このＥＧを付与する手段としては、ウェー
ハ裏面にＳｉＯ2 等の微粉を高圧噴射して機械的に損傷
を与えることにより、熱処理で発生する積層欠陥や転移
などの歪をゲッタリング源とする方法、ウェーハ裏面に
多結晶シリコン膜又はＳｉ3Ｎ4 膜を堆積し、基板とな
るウェーハとの境界に発生した積層欠陥や転移、堆積膜
中の境界に発生する歪などをゲッタリング源とする方法
等が知られている。
ハ裏面にＳｉＯ2 等の微粉を高圧噴射して機械的に損傷
を与えることにより、熱処理で発生する積層欠陥や転移
などの歪をゲッタリング源とする方法、ウェーハ裏面に
多結晶シリコン膜又はＳｉ3Ｎ4 膜を堆積し、基板とな
るウェーハとの境界に発生した積層欠陥や転移、堆積膜
中の境界に発生する歪などをゲッタリング源とする方法
等が知られている。
【０００５】このゲッタリング効果の大きさは、歪付け
の大きさが大きくなるにしたがって増大する。この歪付
けの大きさを評価する方法として、ウェーハを１１００
℃で熱酸化処理したのち、化学的な選択エッチング（セ
コエッチング）をすることにより観察できる熱酸化積層
欠陥や転移等の表面欠陥の面密度（以下、表面欠陥密度
と称する）を測定する方法がある。
の大きさが大きくなるにしたがって増大する。この歪付
けの大きさを評価する方法として、ウェーハを１１００
℃で熱酸化処理したのち、化学的な選択エッチング（セ
コエッチング）をすることにより観察できる熱酸化積層
欠陥や転移等の表面欠陥の面密度（以下、表面欠陥密度
と称する）を測定する方法がある。
【０００６】ところで前記、ウェーハ裏面にＳｉＯ2 等
の微粉を高圧噴射する方法では１０ 6 ｃｍ-2程度の表面
欠陥を発生させるのが限界であり、また歪付部からの発
塵が大きいという問題がある。また、ウェーハ裏面に多
結晶シリコン膜又はＳｉ3 Ｎ 4 膜を堆積する方法ではコ
ストが高くなるという問題がある。
の微粉を高圧噴射する方法では１０ 6 ｃｍ-2程度の表面
欠陥を発生させるのが限界であり、また歪付部からの発
塵が大きいという問題がある。また、ウェーハ裏面に多
結晶シリコン膜又はＳｉ3 Ｎ 4 膜を堆積する方法ではコ
ストが高くなるという問題がある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記した従
来技術の問題点に鑑みなされたもので、従来よりも高密
度の表面欠陥（最大で１０7 ｃｍ-2程度）を安定して発
生させることができ、デバイス製造工程での重金属汚染
のゲッタリングに役立ち、ウェーハ裏面からの発塵性を
も低下できる単結晶シリコンウェーハの裏面歪付け方法
を提供することを目的とする。
来技術の問題点に鑑みなされたもので、従来よりも高密
度の表面欠陥（最大で１０7 ｃｍ-2程度）を安定して発
生させることができ、デバイス製造工程での重金属汚染
のゲッタリングに役立ち、ウェーハ裏面からの発塵性を
も低下できる単結晶シリコンウェーハの裏面歪付け方法
を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明方法においては、単結晶シリコンウェーハの裏
面を砥粒と研摩布で研摩することにより該裏面に歪層を
形成するにあたり、平均粒径０．１〜１０μｍのシリカ
粒子を含むｐＨ４〜９の水性研摩液を用いるものであ
る。
に本発明方法においては、単結晶シリコンウェーハの裏
面を砥粒と研摩布で研摩することにより該裏面に歪層を
形成するにあたり、平均粒径０．１〜１０μｍのシリカ
粒子を含むｐＨ４〜９の水性研摩液を用いるものであ
る。
【０００９】上記シリカ粒子の平均粒径の範囲の下限値
は０．１μｍであり、好ましくは、０．５μｍであり、
さらに好ましくは０．６μｍである。平均粒径が０．１
μｍに満たない場合には、歪がほとんど入らない。ま
た、シリカ粒子の平均粒径の範囲の上限値は１０μｍで
あり、好ましくは、４．０μｍ、さらに好ましくは１．
０μｍである。１０μｍを越えると歪層とは異なる加工
傷（クラック）が発生しやすくなる。
は０．１μｍであり、好ましくは、０．５μｍであり、
さらに好ましくは０．６μｍである。平均粒径が０．１
μｍに満たない場合には、歪がほとんど入らない。ま
た、シリカ粒子の平均粒径の範囲の上限値は１０μｍで
あり、好ましくは、４．０μｍ、さらに好ましくは１．
０μｍである。１０μｍを越えると歪層とは異なる加工
傷（クラック）が発生しやすくなる。
【００１０】上記研摩液のｐＨの範囲の下限値はｐＨ４
であり、好ましくはｐＨ６、さらに好ましくはｐＨ７で
ある。ｐＨ４に満たない場合には水中に分散しているシ
リカ粒子が凝集してしまう。また、研摩液のｐＨの範囲
の上限値はｐＨ９である。ｐＨ９を越えると、研磨時に
化学的エッチング作用が同時に作用して、歪層の形成が
阻害されてしまう。
であり、好ましくはｐＨ６、さらに好ましくはｐＨ７で
ある。ｐＨ４に満たない場合には水中に分散しているシ
リカ粒子が凝集してしまう。また、研摩液のｐＨの範囲
の上限値はｐＨ９である。ｐＨ９を越えると、研磨時に
化学的エッチング作用が同時に作用して、歪層の形成が
阻害されてしまう。
【００１１】上記研摩布の材質については特別の限定は
なく、発泡ポリウレタン、ポリエステル、不織布等が用
いられるが、発泡ポリウレタンが好適である。
なく、発泡ポリウレタン、ポリエステル、不織布等が用
いられるが、発泡ポリウレタンが好適である。
【００１２】
【実施例】次に本発明を、実施例により説明する。
【００１３】（実験例１）直接観察法による平均シリカ
粒子径が０．０１、０．１５及び４μの砥粒をそれぞれ
含む（シリカ粒子含有量：２％）ｐＨ５．０の３種の研
摩液により、研摩布として発泡ポリウレタンを用い、圧
力４００ｇ／ｃｍ2 、回転数１６０ｒｐｍの条件で３枚
の試料ウェーハ（直径１５０ｍｍ、結晶方位＜１００
＞）に歪付けを行った。なお、研磨液は水であり希釈塩
酸、アンモニア水等でｐＨ調整を行った。この３種の歪
付けを行った試料ウェーハの表面欠陥密度を測定し、そ
の結果を表１及び図１に示した。
粒子径が０．０１、０．１５及び４μの砥粒をそれぞれ
含む（シリカ粒子含有量：２％）ｐＨ５．０の３種の研
摩液により、研摩布として発泡ポリウレタンを用い、圧
力４００ｇ／ｃｍ2 、回転数１６０ｒｐｍの条件で３枚
の試料ウェーハ（直径１５０ｍｍ、結晶方位＜１００
＞）に歪付けを行った。なお、研磨液は水であり希釈塩
酸、アンモニア水等でｐＨ調整を行った。この３種の歪
付けを行った試料ウェーハの表面欠陥密度を測定し、そ
の結果を表１及び図１に示した。
【００１４】
【表１】
【００１５】別途行った表面欠陥密度とゲッタリング効
果の関係を求めた実験により、５×１０5 ｃｍ-2程度の
表面欠陥密度があれば、ゲッタリング効果があることが
わかっており、図１に示すように、研摩液のｐＨが５．
０の場合には、シリカ粒子の平均粒径が０．１〜１０μ
ｍの範囲でゲッタリング効果が期待できることが判明し
た。なお、１０μｍ以上の平均粒径のものは先に述べた
理由から試験範囲から除外した。
果の関係を求めた実験により、５×１０5 ｃｍ-2程度の
表面欠陥密度があれば、ゲッタリング効果があることが
わかっており、図１に示すように、研摩液のｐＨが５．
０の場合には、シリカ粒子の平均粒径が０．１〜１０μ
ｍの範囲でゲッタリング効果が期待できることが判明し
た。なお、１０μｍ以上の平均粒径のものは先に述べた
理由から試験範囲から除外した。
【００１６】（実験例２）直接観察法による平均シリカ
粒子径が３．５μｍの砥粒を含み（シリカ粒子含有量：
２％）、ｐＨを５、８及び１１に希釈塩酸およびアンモ
ニア水等で調整した３種の研摩液により、研摩布として
発泡ポリウレタンを用い、圧力４００ｇ／ｃｍ2 、回転
数１６０ｒｐｍの条件で３枚の試料ウェーハ（直径１５
０ｍｍ、結晶方位＜１００＞）に歪付けを行った。この
３種の歪付けを行った試料ウェーハの表面欠陥密度を測
定し、その結果を表２及び図２に示した。
粒子径が３．５μｍの砥粒を含み（シリカ粒子含有量：
２％）、ｐＨを５、８及び１１に希釈塩酸およびアンモ
ニア水等で調整した３種の研摩液により、研摩布として
発泡ポリウレタンを用い、圧力４００ｇ／ｃｍ2 、回転
数１６０ｒｐｍの条件で３枚の試料ウェーハ（直径１５
０ｍｍ、結晶方位＜１００＞）に歪付けを行った。この
３種の歪付けを行った試料ウェーハの表面欠陥密度を測
定し、その結果を表２及び図２に示した。
【００１７】
【表２】
【００１８】図２に示したように、研摩液に含まれるシ
リカ粒子の平均粒子径が３．５μｍの場合には、研摩液
のｐＨが４〜９の範囲でゲッタリング効果が期待できる
ことが判明した。
リカ粒子の平均粒子径が３．５μｍの場合には、研摩液
のｐＨが４〜９の範囲でゲッタリング効果が期待できる
ことが判明した。
【００１９】（実験例３）直接観察法による平均シリカ
粒子径が０．５０μｍの砥粒を含み、水・アンモニア水
でｐＨ８．０とした研摩液により、研摩布として発泡ポ
リウレタンを用い、圧力４００ｇ／ｃｍ2 、回転数１６
０ｒｐｍの条件で、試料ウェーハ（直径１５０ｍｍ、結
晶方位＜１００＞）に歪付けを行った。この歪付けを行
った試料ウェーハ及び従来のサンドブラスト加工品の裏
面の発塵性の評価（裏面上の異物の個数を測定）をそれ
ぞれ行った。従来のサンドブラスト加工品の測定値は８
０００個／１５０ｍｍφとなり、これに対して、本発明
で歪付けを行ったウェーハの測定値は２０５個／１５０
ｍｍφであった。その結果を図３に示した。
粒子径が０．５０μｍの砥粒を含み、水・アンモニア水
でｐＨ８．０とした研摩液により、研摩布として発泡ポ
リウレタンを用い、圧力４００ｇ／ｃｍ2 、回転数１６
０ｒｐｍの条件で、試料ウェーハ（直径１５０ｍｍ、結
晶方位＜１００＞）に歪付けを行った。この歪付けを行
った試料ウェーハ及び従来のサンドブラスト加工品の裏
面の発塵性の評価（裏面上の異物の個数を測定）をそれ
ぞれ行った。従来のサンドブラスト加工品の測定値は８
０００個／１５０ｍｍφとなり、これに対して、本発明
で歪付けを行ったウェーハの測定値は２０５個／１５０
ｍｍφであった。その結果を図３に示した。
【００２０】実験例３の結果から、本発明方法による歪
付けを行った場合には、そのウェーハ裏面からの発塵性
が従来のサンドブラスト法に比べて大幅に低下すること
が確認できた。
付けを行った場合には、そのウェーハ裏面からの発塵性
が従来のサンドブラスト法に比べて大幅に低下すること
が確認できた。
【００２１】なお、ウェーハ面の発塵性を評価するため
の装置としては、図４に示した装置を用い、図５に示し
た手順により、試料ウェーハおよび参照ウェーハを処理
し、参照ウェーハの被押圧面に転写されるパーティクル
をパーティクルカウンターで検査し、発塵性の評価を行
った。
の装置としては、図４に示した装置を用い、図５に示し
た手順により、試料ウェーハおよび参照ウェーハを処理
し、参照ウェーハの被押圧面に転写されるパーティクル
をパーティクルカウンターで検査し、発塵性の評価を行
った。
【００２２】図４の前記発塵性評価装置について、本出
願人は特願平５−１８７１６４号としてすでに提案して
いるが、この構造について説明すると、この装置はウェ
ーハを吸着固定するための吸着部材１１と、ウェーハ同
士を押圧密着させるための押圧部材２１とからなるもの
である。
願人は特願平５−１８７１６４号としてすでに提案して
いるが、この構造について説明すると、この装置はウェ
ーハを吸着固定するための吸着部材１１と、ウェーハ同
士を押圧密着させるための押圧部材２１とからなるもの
である。
【００２３】前記吸着部材１１はセラミック、ガラスま
たは硬質プラスチック製の円形板体に多数の吸気孔１２
を形成してなる吸着盤１３を、金属製の長方形基盤１４
の片面に取り付け、該基盤１４に設けたノズル１５の一
端を前記吸気孔１２に連通させると共に他端を管路を介
して真空ポンプ（図示せず）に連絡して構成する。
たは硬質プラスチック製の円形板体に多数の吸気孔１２
を形成してなる吸着盤１３を、金属製の長方形基盤１４
の片面に取り付け、該基盤１４に設けたノズル１５の一
端を前記吸気孔１２に連通させると共に他端を管路を介
して真空ポンプ（図示せず）に連絡して構成する。
【００２４】前記押圧部材２１はダイアフラム２２、該
ダイアフラムの片面側に設けたウェーハ押圧板２３等に
より密閉室３１を形成して構成する。
ダイアフラムの片面側に設けたウェーハ押圧板２３等に
より密閉室３１を形成して構成する。
【００２５】すなわち、可撓性材料からなる円形シート
である前記ダイアフラム２２に、セラミックまたはガラ
ス製の円板である前記押圧板２３を接着材や取付け具等
により同心状に取り付け、ダイアフラム２２の外周部
を、金属製の長方形基盤２６に設けた円環体２７の端部
に固定することにより前記密閉室３１を形成する。そし
て、該密閉室３１に設けたノズル３２の一端を密閉室３
１内に連通させると共に、他端を管路を介してコンプレ
ッサ（図示せず）に連絡する。
である前記ダイアフラム２２に、セラミックまたはガラ
ス製の円板である前記押圧板２３を接着材や取付け具等
により同心状に取り付け、ダイアフラム２２の外周部
を、金属製の長方形基盤２６に設けた円環体２７の端部
に固定することにより前記密閉室３１を形成する。そし
て、該密閉室３１に設けたノズル３２の一端を密閉室３
１内に連通させると共に、他端を管路を介してコンプレ
ッサ（図示せず）に連絡する。
【００２６】さらに、吸着部材１１と押圧部材２１の間
に棒状（または環状）のスペーサ４１を挿入し、これら
の部材をボルト４２でスペーサ４１に着脱可能に取り付
け、吸着盤１３と押圧板２３との間に参照ウェーハＷｒ
と試料ウェーハＷｓ重ね合わせて挟持させる。
に棒状（または環状）のスペーサ４１を挿入し、これら
の部材をボルト４２でスペーサ４１に着脱可能に取り付
け、吸着盤１３と押圧板２３との間に参照ウェーハＷｒ
と試料ウェーハＷｓ重ね合わせて挟持させる。
【００２７】前記ダイアフラム２２を構成する可撓性材
料としては、従来ダイアフラム弁に用いられているもの
を適用することができるが、中でもゴム系材料が好まし
く、ウェーハ同士の押圧密着を、その押圧面全面にわた
って、より均等の圧力で行うことができる。
料としては、従来ダイアフラム弁に用いられているもの
を適用することができるが、中でもゴム系材料が好まし
く、ウェーハ同士の押圧密着を、その押圧面全面にわた
って、より均等の圧力で行うことができる。
【００２８】つぎに、図４の装置を用いた発塵性の評価
要領について説明する。試料ウェーハとして本発明方法
により得られたウェーハ及び従来品ウェーハを用い、参
照ウェーハとしてはＦＺ法で得られた鏡面研磨ウェーハ
を用いた。
要領について説明する。試料ウェーハとして本発明方法
により得られたウェーハ及び従来品ウェーハを用い、参
照ウェーハとしてはＦＺ法で得られた鏡面研磨ウェーハ
を用いた。
【００２９】予め、押圧処理前の参照ウェーハの鏡面研
磨面について、パーティクルカウンタＬＳ−６０００
（ＨＩＴＡＣＨＩ ＤＥＣＯ）により検査してから、該
検査ずみのウェーハについて押圧処理を行い、図５の手
順で発塵性評価を行った。
磨面について、パーティクルカウンタＬＳ−６０００
（ＨＩＴＡＣＨＩ ＤＥＣＯ）により検査してから、該
検査ずみのウェーハについて押圧処理を行い、図５の手
順で発塵性評価を行った。
【００３０】図４の装置を使用するに際しては、まず装
置本体から吸着部材１１を取り外し、試料ウェーハＷｓ
を、その発塵性評価を行う主面を上に向けて吸着盤１３
上に載置した後、前記真空ポンプの作動により試料ウェ
ーハＷｓを吸着固定する。次いで、参照ウェーハＷｒの
鏡面側を下に向けて試料ウェーハＷｓ上に重ね合わせ、
吸着部材１１を装置本体に固定して図４の状態とする。
置本体から吸着部材１１を取り外し、試料ウェーハＷｓ
を、その発塵性評価を行う主面を上に向けて吸着盤１３
上に載置した後、前記真空ポンプの作動により試料ウェ
ーハＷｓを吸着固定する。次いで、参照ウェーハＷｒの
鏡面側を下に向けて試料ウェーハＷｓ上に重ね合わせ、
吸着部材１１を装置本体に固定して図４の状態とする。
【００３１】そして、前記コンプレッサから加圧流体と
して圧縮空気を供給し、圧力１ｋｇｆ／ｃｍ2 で参照ウ
ェーハＷｒを試料ウェーハＷｓに押圧して互いに圧着さ
せ、その後圧縮空気の供給を止め、逆に真空ポンプで減
圧にして加圧板２３を参照ウェーハＷｒより離脱させ、
吸着部材１１を装置本体より取り出し、得られた参照ウ
ェーハＷｒの被押圧面（鏡面）について、パーティクル
カウンタＬＳ−６０００（ＨＩＴＡＣＨＩ ＤＥＣＯ）
により検査を行った。
して圧縮空気を供給し、圧力１ｋｇｆ／ｃｍ2 で参照ウ
ェーハＷｒを試料ウェーハＷｓに押圧して互いに圧着さ
せ、その後圧縮空気の供給を止め、逆に真空ポンプで減
圧にして加圧板２３を参照ウェーハＷｒより離脱させ、
吸着部材１１を装置本体より取り出し、得られた参照ウ
ェーハＷｒの被押圧面（鏡面）について、パーティクル
カウンタＬＳ−６０００（ＨＩＴＡＣＨＩ ＤＥＣＯ）
により検査を行った。
【００３２】
【発明の効果】以上述べたごとく、本発明によれば、従
来よりも高密度のＯＳＦ（最大で１０ 7 ｃｍ-2程度）を
安定して発生させることができ、したがって、ウェーハ
に優れたゲッタリング効果を付与することができ、ウェ
ーハ裏面からの発塵性を低下できる。
来よりも高密度のＯＳＦ（最大で１０ 7 ｃｍ-2程度）を
安定して発生させることができ、したがって、ウェーハ
に優れたゲッタリング効果を付与することができ、ウェ
ーハ裏面からの発塵性を低下できる。
【図１】実験例１における平均シリカ粒径と表面欠陥密
度（ｃｍ-2）の関係を示すグラフである。
度（ｃｍ-2）の関係を示すグラフである。
【図２】実験例２における研摩液ｐＨと表面欠陥密度
（ｃｍ-2）の関係を示すグラフである。
（ｃｍ-2）の関係を示すグラフである。
【図３】実験例３における本発明方法による歪付けを行
なったウェーハと従来のサンドブラスト法による歪付け
を行なったウェーハについての発塵性を示すグラフであ
る。
なったウェーハと従来のサンドブラスト法による歪付け
を行なったウェーハについての発塵性を示すグラフであ
る。
【図４】ウェーハ裏面の発塵性を評価するための装置の
側面説明図である。
側面説明図である。
【図５】ウェーハ裏面の発塵性評価方法の手順を示す説
明図である。
明図である。
１１ 吸着部材 ２１ 押圧部材
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 工藤 秀雄 福島県西白河郡西郷村大字小田倉字大平 150 信越半導体株式会社半導体白河研究 所内
Claims (2)
- 【請求項１】 単結晶シリコンウェーハの裏面を砥粒と
研摩布で研摩することにより該裏面に歪層を形成するに
あたり、平均粒径０．１〜１０μｍのシリカ粒子を含む
ｐＨ４〜９の研摩液を用いることを特徴とする単結晶シ
リコンウェーハの歪付け方法。 - 【請求項２】 上記研摩布の材質が発泡ポリウレタンで
あることを特徴とする請求項１記載の単結晶シリコンウ
ェーハの歪付け方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6109360A JP2719113B2 (ja) | 1994-05-24 | 1994-05-24 | 単結晶シリコンウェーハの歪付け方法 |
| US08/435,656 US5759087A (en) | 1994-05-24 | 1995-05-05 | Method for inducing damage for gettering to single crystal silicon wafer |
| EP95303124A EP0684638A3 (en) | 1994-05-24 | 1995-05-09 | Process for creating defects on platelets. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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