JPH0732143B2 - 半導体ウエハの熱処理装置 - Google Patents
半導体ウエハの熱処理装置Info
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- JPH0732143B2 JPH0732143B2 JP61219525A JP21952586A JPH0732143B2 JP H0732143 B2 JPH0732143 B2 JP H0732143B2 JP 61219525 A JP61219525 A JP 61219525A JP 21952586 A JP21952586 A JP 21952586A JP H0732143 B2 JPH0732143 B2 JP H0732143B2
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- wafer
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、拡散装置,CVD装置など半導体ウエハの熱処理
装置に係り、特に多数のウエハを連続的に均一に熱処理
するのに好適な半導体ウエハの熱処理装置に関する。
装置に係り、特に多数のウエハを連続的に均一に熱処理
するのに好適な半導体ウエハの熱処理装置に関する。
従来の装置は、特公昭59-36417号公報に記載のように、
円筒状ヒータの一端からウエハを挿入し、ヒータ内を連
続移動の過程にて熱処理を行い、円筒状ヒータの他端か
らウエハを取り出していた。
円筒状ヒータの一端からウエハを挿入し、ヒータ内を連
続移動の過程にて熱処理を行い、円筒状ヒータの他端か
らウエハを取り出していた。
しかし、ヒータの上端が開放しているとヒータ内の高温
ガスが浮力によって開放口より流出し、上記流出にとも
ない、低温の外気がヒータ内に侵入する問題について配
慮されていなかった。
ガスが浮力によって開放口より流出し、上記流出にとも
ない、低温の外気がヒータ内に侵入する問題について配
慮されていなかった。
また、特開昭60-171723号公報に記載のように下方を開
放した縦形の円筒状ヒータの下方からウエハを一枚ごと
に高温炉内に挿入し、上方に移動させて熱処理後、再び
下方に移動し下方の開放口から取り出していた。しか
し、ヒータ内に挿入して熱処理する時間が長くなると、
時間当りのウエハ熱処理枚数が少なくなり、処理効率が
低下する問題については配慮されていなかった。
放した縦形の円筒状ヒータの下方からウエハを一枚ごと
に高温炉内に挿入し、上方に移動させて熱処理後、再び
下方に移動し下方の開放口から取り出していた。しか
し、ヒータ内に挿入して熱処理する時間が長くなると、
時間当りのウエハ熱処理枚数が少なくなり、処理効率が
低下する問題については配慮されていなかった。
上記従来技術では、円筒状ヒータの一端からウエハを連
続挿入し、他端から熱処理後のウエハを取り出す方式
は、ヒータ内への外気侵入のため、ウエハ面内の熱処理
温度がばらつくという問題があった。また、円筒状ヒー
タの下端から１枚ごとにウエハを挿入し、熱処理後のウ
エハも下端から取り出す方式は、ヒータ内への外気侵入
は小さいが、時間当りの熱処理枚数が少ないという問題
があった。
続挿入し、他端から熱処理後のウエハを取り出す方式
は、ヒータ内への外気侵入のため、ウエハ面内の熱処理
温度がばらつくという問題があった。また、円筒状ヒー
タの下端から１枚ごとにウエハを挿入し、熱処理後のウ
エハも下端から取り出す方式は、ヒータ内への外気侵入
は小さいが、時間当りの熱処理枚数が少ないという問題
があった。
本発明の目的は、ウエハを連続して比較的長時間熱処理
を行う場合に、時間当りの処理枚数が多く、ヒータ内へ
の外気侵入が小さい半導体ウエハの熱処理装置を提供す
ることにある。
を行う場合に、時間当りの処理枚数が多く、ヒータ内へ
の外気侵入が小さい半導体ウエハの熱処理装置を提供す
ることにある。
上記目的を達成するために、本発明の半導体ウエハの熱
処理装置は、容器の内壁にヒータを設けて高温炉を形成
し、該高温炉の内部に半導体ウエハを収納して熱処理す
る半導体ウエハの熱処理装置において、前記高温炉の下
部に、前記半導体ウエハを積層状に配列した偶数個の半
導体ウエハ積層体の移動を可能とする開口部を設け、該
半導体ウエハ積層体へ前記高温炉の外部から前記半導体
ウエハを挿入する挿入機構と、前記高温炉外部へ前記半
導体ウエハを取出す取出機構と、前記複数の半導体ウエ
ハ積層体を上下方向に移動可能にする駆動機構と、前記
高温炉内の前記半導体ウエハ積層体間で半導体ウエハを
移し替える半導体ウエハ移動手段を設け、半導体ウエハ
移動手段により、前記半導体ウエハ積層体の移し替えを
該半導体ウエハ積層体の最上面のウエハについて行なう
ようにしたことを特徴とするものである。
処理装置は、容器の内壁にヒータを設けて高温炉を形成
し、該高温炉の内部に半導体ウエハを収納して熱処理す
る半導体ウエハの熱処理装置において、前記高温炉の下
部に、前記半導体ウエハを積層状に配列した偶数個の半
導体ウエハ積層体の移動を可能とする開口部を設け、該
半導体ウエハ積層体へ前記高温炉の外部から前記半導体
ウエハを挿入する挿入機構と、前記高温炉外部へ前記半
導体ウエハを取出す取出機構と、前記複数の半導体ウエ
ハ積層体を上下方向に移動可能にする駆動機構と、前記
高温炉内の前記半導体ウエハ積層体間で半導体ウエハを
移し替える半導体ウエハ移動手段を設け、半導体ウエハ
移動手段により、前記半導体ウエハ積層体の移し替えを
該半導体ウエハ積層体の最上面のウエハについて行なう
ようにしたことを特徴とするものである。
下端開放口以外は密閉した高温炉を用いることにより、
炉内の高温ガスは浮力によって外部に流出するようなこ
ともなく、従って炉内に外気が侵入することもない。ま
た、炉内では半導体ウエハが逆Ｕ字状の空間経路を積層
状に配列されて順次移動するため、炉内に多数のウエハ
を配列収納することができ、長時間熱処理を行なう場合
でも時間当りの熱処理個数を多くすることが出来る。
炉内の高温ガスは浮力によって外部に流出するようなこ
ともなく、従って炉内に外気が侵入することもない。ま
た、炉内では半導体ウエハが逆Ｕ字状の空間経路を積層
状に配列されて順次移動するため、炉内に多数のウエハ
を配列収納することができ、長時間熱処理を行なう場合
でも時間当りの熱処理個数を多くすることが出来る。
以下本発明の一実施例を第１図乃至第５図により説明す
る。第１図は半導体ウエハの熱処理装置の縦断面図を示
す。
る。第１図は半導体ウエハの熱処理装置の縦断面図を示
す。
二つの円筒状高温炉11,21は上端は壁にて閉塞され下端
は開放している。両高温炉11,12は内壁部には抵抗発熱
線をコイル状に巻き、全体として円筒状に形成されたヒ
ータ12,22が配設され、外側は断熱材の炉体15,25で覆わ
れている。上記ヒータの内側には、シリコンカーバイト
製或いはアルミナ等にて作られた円筒状の均熱管13,23
が配設され、更にその内側に石英ガラス製の反応管14,2
4が配置されている。この反応管14,24の下端は開放さ
れ、上端は壁にて閉塞され、上端よりやや下った位置に
て両反応管14,24を連通する扁平状の連通路10が設けら
れ、この連通路10の下壁中央には水平移動機構として例
えばウエハを反応管14,24の間を移動させる回転バー18
がモータ18bに連結して配設され、貫通部にはシール10a
が設けられている。上記両反応管14,24と連通路10にて
逆Ｕ字状の空間経路を形成している。反応九14,24内に
第２図に詳細に示すボート16,26が配設されている。ボ
ート16,26の下端には駆動機構17,27が設けられている。
19,29はウエハ１をボート16,26に挿入したり、取出した
りする挿入機構及び取出機構を示す。
は開放している。両高温炉11,12は内壁部には抵抗発熱
線をコイル状に巻き、全体として円筒状に形成されたヒ
ータ12,22が配設され、外側は断熱材の炉体15,25で覆わ
れている。上記ヒータの内側には、シリコンカーバイト
製或いはアルミナ等にて作られた円筒状の均熱管13,23
が配設され、更にその内側に石英ガラス製の反応管14,2
4が配置されている。この反応管14,24の下端は開放さ
れ、上端は壁にて閉塞され、上端よりやや下った位置に
て両反応管14,24を連通する扁平状の連通路10が設けら
れ、この連通路10の下壁中央には水平移動機構として例
えばウエハを反応管14,24の間を移動させる回転バー18
がモータ18bに連結して配設され、貫通部にはシール10a
が設けられている。上記両反応管14,24と連通路10にて
逆Ｕ字状の空間経路を形成している。反応九14,24内に
第２図に詳細に示すボート16,26が配設されている。ボ
ート16,26の下端には駆動機構17,27が設けられている。
19,29はウエハ１をボート16,26に挿入したり、取出した
りする挿入機構及び取出機構を示す。
第２図はボートの詳細を示す。図は一方のボート16につ
いて説明する。ボートは２個の長方形のフレーム31,32
を備え、このフレームは長片31a,短片31bにて形成さ
れ、対向する長片31aに多数個の対向状の溝33を形成し
た第１のフレーム31と、長片の長さが上記長片31aより
やや短い長片32aと短片は同じ長さの短片32bにて長方形
に形成され、同様な多数の溝34が設けられた第２のフレ
ーム32を備え、両フレーム31,32は夫々下部に駆動機構1
7a,17bが設けられている。両フレーム31,32の長片長さ
が異なるから第２のフレーム32は第１のフレーム31の内
方に図示の様に直交方向に配置され、両フレームは駆動
機構を介し上下方向に移動可能に形成されている。
いて説明する。ボートは２個の長方形のフレーム31,32
を備え、このフレームは長片31a,短片31bにて形成さ
れ、対向する長片31aに多数個の対向状の溝33を形成し
た第１のフレーム31と、長片の長さが上記長片31aより
やや短い長片32aと短片は同じ長さの短片32bにて長方形
に形成され、同様な多数の溝34が設けられた第２のフレ
ーム32を備え、両フレーム31,32は夫々下部に駆動機構1
7a,17bが設けられている。両フレーム31,32の長片長さ
が異なるから第２のフレーム32は第１のフレーム31の内
方に図示の様に直交方向に配置され、両フレームは駆動
機構を介し上下方向に移動可能に形成されている。
尚，対向長片に設けられた多数の溝33,34はウエハを挿
入載置する溝で、ウエハは各溝33,34に挿入され、フレ
ームに積層状に配列される。上記ボート16は高温炉11側
のものについて説明したが、他方の高温炉12側のボート
26も全く同様な構造を有するものである。
入載置する溝で、ウエハは各溝33,34に挿入され、フレ
ームに積層状に配列される。上記ボート16は高温炉11側
のものについて説明したが、他方の高温炉12側のボート
26も全く同様な構造を有するものである。
上記構造の熱処理装置の、反応管14,24及び連通路10内
の空間経路には、熱処理装置の使用条件に応じて窒素，
アルゴン，酸素，水蒸気などのガスが流れている。尚、
第１図の装置は、上記空間経路へのガスの供給管と排気
管の図示を省略して示している。
の空間経路には、熱処理装置の使用条件に応じて窒素，
アルゴン，酸素，水蒸気などのガスが流れている。尚、
第１図の装置は、上記空間経路へのガスの供給管と排気
管の図示を省略して示している。
上記の様に形成された熱処理装置の作用について説明す
る。先ず、ボートにウエハ１を積層状に載置する作用及
びウエハの移動作用について第３図乃至第５図を参照し
て説明する。図は第２図に示したボートの水平断面図を
示す。
る。先ず、ボートにウエハ１を積層状に載置する作用及
びウエハの移動作用について第３図乃至第５図を参照し
て説明する。図は第２図に示したボートの水平断面図を
示す。
先ず、一方の高温炉11側のボート16にウエハが積層配列
されているものとする。
されているものとする。
第１のフレーム31を第３図のようにＸ方向に移動し、フ
レーム31をフレーム32の短部に寄せ、ウエハ１から溝33
を外す。第１のフレーム31を駆動機構17aを介し、溝33
の半分のピッチだけ下降させ、同時に第２のフレーム32
を駆動機構17bを介し溝ピッチの半分だけ上昇させ、次
いで挿入機構19を介し、ウエハ１を第２のフレーム32の
下段の溝34に補給挿入する。次いで、第１のフレーム31
をＸ方向に戻しウエハ１に溝33を挿入し、第４図に示す
ようにウエハ１の中央部まで移動する。上記作用により
フレームに積層配列されていた各ウエハは溝を一段上昇
し、最下段の溝にウエハが一枚補給挿入される。
レーム31をフレーム32の短部に寄せ、ウエハ１から溝33
を外す。第１のフレーム31を駆動機構17aを介し、溝33
の半分のピッチだけ下降させ、同時に第２のフレーム32
を駆動機構17bを介し溝ピッチの半分だけ上昇させ、次
いで挿入機構19を介し、ウエハ１を第２のフレーム32の
下段の溝34に補給挿入する。次いで、第１のフレーム31
をＸ方向に戻しウエハ１に溝33を挿入し、第４図に示す
ようにウエハ１の中央部まで移動する。上記作用により
フレームに積層配列されていた各ウエハは溝を一段上昇
し、最下段の溝にウエハが一枚補給挿入される。
次に今度は、第２のフレーム32を第５図に示すようにＸ
方向に移動し、フレーム32をフレーム31の端部に寄せ、
溝34をウエハ１から外し、第２のフレーム32を半ピッチ
下降させ、同時に第１のフレーム31を半ピッチ上昇さ
せ、次いで第１フレーム31の下段の溝33にウエハ１を補
給挿入する。次いで、第２のフレーム32をＹ方向に戻
し、ウエハ１を溝34に挿入し乍ら第４図に示すようにウ
エハの中央部まで移動する。上記作用により、積層され
ている各ウエハは溝を更に一段上昇し、最下段の溝には
ウエハが一枚補給挿入される。上記作用を連続して繰返
すことによりボート16に積層配列された各ウエハ１は一
段ずつ上昇し、同時に下段の開放溝に一枚ずつウエハが
補給挿入される。ボート16の最上段の溝まで上昇したウ
エハは水平移動機構の回転バー18によって扁平状の連通
炉10内を移動し、他方の高温炉21のボート26の最上段の
溝に移される。
方向に移動し、フレーム32をフレーム31の端部に寄せ、
溝34をウエハ１から外し、第２のフレーム32を半ピッチ
下降させ、同時に第１のフレーム31を半ピッチ上昇さ
せ、次いで第１フレーム31の下段の溝33にウエハ１を補
給挿入する。次いで、第２のフレーム32をＹ方向に戻
し、ウエハ１を溝34に挿入し乍ら第４図に示すようにウ
エハの中央部まで移動する。上記作用により、積層され
ている各ウエハは溝を更に一段上昇し、最下段の溝には
ウエハが一枚補給挿入される。上記作用を連続して繰返
すことによりボート16に積層配列された各ウエハ１は一
段ずつ上昇し、同時に下段の開放溝に一枚ずつウエハが
補給挿入される。ボート16の最上段の溝まで上昇したウ
エハは水平移動機構の回転バー18によって扁平状の連通
炉10内を移動し、他方の高温炉21のボート26の最上段の
溝に移される。
次いでボート26のフレームの溝に挿入されたウエハは、
前述の上昇作用と逆の作用を行なうことにより、順次一
段ずつ下降し、最下段の溝から取出機構29により取り出
される。上述のように、ウエハは高温炉11,21の逆Ｕ字
状の空間経路を連続的に通過する間に熱処理が行なわれ
る。均熱管13,23は高温（1000度Ｃ程度）のヒータ12,22
から不純分子が飛び出し、ウエハを汚染することを防止
する作用をする。反応管14,24は管内にガスを流しゴミ
がウエハに付着するのを防止する。
前述の上昇作用と逆の作用を行なうことにより、順次一
段ずつ下降し、最下段の溝から取出機構29により取り出
される。上述のように、ウエハは高温炉11,21の逆Ｕ字
状の空間経路を連続的に通過する間に熱処理が行なわれ
る。均熱管13,23は高温（1000度Ｃ程度）のヒータ12,22
から不純分子が飛び出し、ウエハを汚染することを防止
する作用をする。反応管14,24は管内にガスを流しゴミ
がウエハに付着するのを防止する。
この実施例によれば、ウエハがヒータの中心軸上を並ん
で連続移動するため、ウエハの加熱処理が周方向に均一
となり、ウエハ面内の熱履歴を均一にすることが出来
る。
で連続移動するため、ウエハの加熱処理が周方向に均一
となり、ウエハ面内の熱履歴を均一にすることが出来
る。
本発明の他の実施例の熱処理装置の縦断面図を第６図に
示す。大直径の縦形高温炉41,円筒状ヒータ42,均熱管4
3,上壁で閉塞された反応管44,炉体の断熱材45で構成さ
れている。下端以外を密閉した一つの円筒状反応管44内
に２つのボート46,47が挿入されており、ボート46,47に
ウエハ１が積層状に乗せられている。各ボートの構造は
第２図に示したものと同じである。ボート46,47はウエ
ハ１を乗せたり、取り出したりする挿入機構19,取出機
構29及び一方のボート46から他方のボート47にウエハを
移動するための水平移動機構48が設けられている。
示す。大直径の縦形高温炉41,円筒状ヒータ42,均熱管4
3,上壁で閉塞された反応管44,炉体の断熱材45で構成さ
れている。下端以外を密閉した一つの円筒状反応管44内
に２つのボート46,47が挿入されており、ボート46,47に
ウエハ１が積層状に乗せられている。各ボートの構造は
第２図に示したものと同じである。ボート46,47はウエ
ハ１を乗せたり、取り出したりする挿入機構19,取出機
構29及び一方のボート46から他方のボート47にウエハを
移動するための水平移動機構48が設けられている。
以上のように構成された熱処理装置を用い、連続して挿
入されるウエハ１に熱処理を行う際の動作は前述の第１
図の実施例と同じである。
入されるウエハ１に熱処理を行う際の動作は前述の第１
図の実施例と同じである。
本実施例によれば、ボート46,47の上端において、一方
のボート46から他方のボート47へのウエハの移動を同じ
ヒータ42内の均一温度空間にて行うことができるため、
ウエハの熱履歴をより一層均一にすることができる。
のボート46から他方のボート47へのウエハの移動を同じ
ヒータ42内の均一温度空間にて行うことができるため、
ウエハの熱履歴をより一層均一にすることができる。
第７図は更に他の実施例を示す処理装置の縦断面図であ
る。この実施例が、第６図の実施例と相違するところ
は、ウエハ１を１枚ずつカートリッジ51に入れて高温炉
41内を移動させる構造及び下方にもカートリッジを水平
方向に移動させる回転バー等にてなる移動機構52を備え
た構造であり、その他の部分は第６図の実施例と同様で
あるから同符号を付しその説明を省略する。
る。この実施例が、第６図の実施例と相違するところ
は、ウエハ１を１枚ずつカートリッジ51に入れて高温炉
41内を移動させる構造及び下方にもカートリッジを水平
方向に移動させる回転バー等にてなる移動機構52を備え
た構造であり、その他の部分は第６図の実施例と同様で
あるから同符号を付しその説明を省略する。
第８図にカートリッジ51の斜視図を示す。カートリッジ
列51bの下段のカートリッジ51から取出機構29によりウ
エハが取り出され、空のカートリッジは水平移動機構52
によりカートリッジ列51aの最下段に移動され、挿入機
構19によりウエハ１が空のカートリッジ51a′に乗せら
れる。ウエハを収納したカートリッジ51は駆動機構17に
より順次上方に移動する。カートリッジ列51aの上端ま
で達したカートリッジは、水平移動機構48により、隣り
のカートリッジ列51bに移動される。次に駆動機構27を
介し順次下方に移動し、下端にて取出機構29により、カ
ートリッジ51からウエハ１が取り出される。空になった
カートリッジは、水平機構52により水平にカートリッジ
列51a側に移動し、また新らしいウエハが挿入されて上
記の動作を繰り返す。
列51bの下段のカートリッジ51から取出機構29によりウ
エハが取り出され、空のカートリッジは水平移動機構52
によりカートリッジ列51aの最下段に移動され、挿入機
構19によりウエハ１が空のカートリッジ51a′に乗せら
れる。ウエハを収納したカートリッジ51は駆動機構17に
より順次上方に移動する。カートリッジ列51aの上端ま
で達したカートリッジは、水平移動機構48により、隣り
のカートリッジ列51bに移動される。次に駆動機構27を
介し順次下方に移動し、下端にて取出機構29により、カ
ートリッジ51からウエハ１が取り出される。空になった
カートリッジは、水平機構52により水平にカートリッジ
列51a側に移動し、また新らしいウエハが挿入されて上
記の動作を繰り返す。
本実施例によれば、ウエハが一枚ごとにカートリッジに
収められて加熱されるため、ウエハごとの相互干渉が少
なく、更に均一に熱処理することができる。
収められて加熱されるため、ウエハごとの相互干渉が少
なく、更に均一に熱処理することができる。
上記各実施例の説明では、高温炉内に積層状に配列され
るウエハは、上方移動時と下方移動時とでウエハの配列
ピッチが等しい場合を示したが、この配列ピッチは異な
っていてもよい。即ち、上方移動により、上昇列の上端
に達したウエハを下降する列に水平移動した後、急速に
下方に移動し、そのまま外部に取り出すこともできる。
るウエハは、上方移動時と下方移動時とでウエハの配列
ピッチが等しい場合を示したが、この配列ピッチは異な
っていてもよい。即ち、上方移動により、上昇列の上端
に達したウエハを下降する列に水平移動した後、急速に
下方に移動し、そのまま外部に取り出すこともできる。
本発明によれば、高温炉内にウエハを積層状に連続して
配列することにより、比較的長時間の熱処理が要求され
る場合でも、小形でかつ時間当りの熱処理枚数を多くす
ることができる。また、ヒータ内に外気が侵入すること
がないため、ウエハの熱履歴を均一にし、消費電力を小
さくすることができる効果を有する。
配列することにより、比較的長時間の熱処理が要求され
る場合でも、小形でかつ時間当りの熱処理枚数を多くす
ることができる。また、ヒータ内に外気が侵入すること
がないため、ウエハの熱履歴を均一にし、消費電力を小
さくすることができる効果を有する。
【図面の簡単な説明】 第１図は、本発明の一実施例を示す熱処理装置の縦断面
図、第２図は第１図のポート部分の斜視図、第３図乃至
第５図はポートの動作を説明する水平方向断面図、第６
図は他の実施例を示す熱処理装置の縦断面図、第７図は
更に他の実施例を示す熱処理装置の縦断面図、第８図は
カートリッジの斜視図である。 １……ウエハ、11、21、41……高温炉、10……連通路、
14、24……反応管、16、26、46、47……ポート、17、27
……駆動機構、18、48、52……回転バー、19……挿入機
構、29……取出機構、31、32……フレーム、51……カー
トリッジ。
図、第２図は第１図のポート部分の斜視図、第３図乃至
第５図はポートの動作を説明する水平方向断面図、第６
図は他の実施例を示す熱処理装置の縦断面図、第７図は
更に他の実施例を示す熱処理装置の縦断面図、第８図は
カートリッジの斜視図である。 １……ウエハ、11、21、41……高温炉、10……連通路、
14、24……反応管、16、26、46、47……ポート、17、27
……駆動機構、18、48、52……回転バー、19……挿入機
構、29……取出機構、31、32……フレーム、51……カー
トリッジ。
Claims (3)
- 【請求項１】容器の内壁にヒータを設けて高温炉を形成
し、該高温炉の内部に半導体ウエハを収納して熱処理す
る半導体ウエハの熱処理装置において、前記高温炉の下
部に、前記半導体ウエハを積層状に配列した偶数個の半
導体ウエハ積層体の移動を可能とする開口部を設け、該
半導体ウエハ積層体へ前記高温炉の外部から前記半導体
ウエハを挿入する挿入機構と、前記高温炉外部へ前記半
導体ウエハを取出す取出機構と、前記複数の半導体ウエ
ハ積層体を上下方向に移動可能にする駆動機構と、前記
高温炉内の前記半導体ウエハ積層体間で半導体ウエハを
移し替える半導体ウエハ移動手段を設け、半導体ウエハ
移動手段により、前記半導体ウエハ積層体の移し替えを
該半導体ウエハ積層体の最上面のウエハについて行なう
ようにしたことを特徴とする半導体ウエハの熱処理装
置。 - 【請求項２】前記半導体ウエハの積層体は、半導体ウエ
ハを載置する多数の溝を有する長さの異なる２つの長方
形フレームを備え、これら２つのフレームを直交状に配
置し、該フレームは相互に直交軸方向および上下方向に
移動可能に設けられていることを特徴とする特許請求の
範囲第１項に記載の半導体ウエハの熱処理装置。 - 【請求項３】前記半導体ウエハの移動手段が回転バーを
備えた水平動機構であることを特徴とする特許請求の範
囲第１項又は２項に記載の半導体ウエハの熱処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61219525A JPH0732143B2 (ja) | 1986-09-19 | 1986-09-19 | 半導体ウエハの熱処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61219525A JPH0732143B2 (ja) | 1986-09-19 | 1986-09-19 | 半導体ウエハの熱処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6376419A JPS6376419A (ja) | 1988-04-06 |
| JPH0732143B2 true JPH0732143B2 (ja) | 1995-04-10 |
Family
ID=16736845
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61219525A Expired - Lifetime JPH0732143B2 (ja) | 1986-09-19 | 1986-09-19 | 半導体ウエハの熱処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0732143B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19882823T1 (de) * | 1997-11-19 | 2001-03-22 | Super Silicon Crystal Res Inst | Einrichtung zum Halten von Halbleiter-Wafer |
| JP2010177653A (ja) * | 2009-02-02 | 2010-08-12 | Koyo Thermo System Kk | 縦型炉装置 |
-
1986
- 1986-09-19 JP JP61219525A patent/JPH0732143B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6376419A (ja) | 1988-04-06 |
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