JPH07321509A - 周波数帯域可変フィルタ - Google Patents

周波数帯域可変フィルタ

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JPH07321509A
JPH07321509A JP12986394A JP12986394A JPH07321509A JP H07321509 A JPH07321509 A JP H07321509A JP 12986394 A JP12986394 A JP 12986394A JP 12986394 A JP12986394 A JP 12986394A JP H07321509 A JPH07321509 A JP H07321509A
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金見 佐々木
Katsumi Tanaka
勝己 田中
Hirotoshi Takahashi
宏寿 高橋
Kazuo Murata
和雄 村田
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Kokusai Electric Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【目的】マイクロ波帯の周波数帯域可変フィルタの耐電
力性を向上し、入出力直線性を改善する。 【構成】入力端子1側のコンデンサC1 と分布定数線路
1 、及び出力端子2側のコンデンサC2 と分布定数線
路Z2 の2つの直列共振回路を並列アームとして結合用
コイルL4 で接続し、直列共振回路と並列にコイル
3 ,L5 を設け、それぞれの共振回路の共振周波数を
減衰極とする帯域阻止フィルタの並列アームの中間点か
ら帯域可変用のコンデンサC3 ,C4 を介して接地間に
スイッチングダイオードD1 ,D2 を設ける。ダイオー
ドD1 ,D2 のアノード側に印加する制御電圧VCTL
よりダイオードD1 ,D2 をオン/オフしてコンデンサ
3 ,C4 を接/断することにより減衰極の周波数を可
変にできるように構成した。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はマイクロ波帯無線通信機
の分波器などに用いられるフィルタに関し、特に、通過
域及び阻止域を可変とする周波数帯域可変BEF(帯域
阻止ろ波器)に関するものである。
【0002】
【従来の技術】例えば、マイクロ波無線通信機に用いら
れている周波数帯域可変フィルタとして、通過帯域の中
心周波数を可変にすることができる電圧制御ろ波器があ
り、制御電圧によって帯域を可変設定できる。図1は上
記従来の周波数帯域可変フィルタの構成例であり、1は
入力端子、2は出力端子、3,4は制御電圧を与えるバ
イアス端子である。DR1 ,DR2 は誘電体共振器であ
り、C14,C15は可変周波数幅調整用コンデンサ、
1 ,X2 は可変容量ダイオード、R11,R12はバイア
ス電圧供給用抵抗、C11,C12,C13は結合用コンデン
サである。このような構成のバンドパスフィルタの通過
帯域の中心周波数は、可変容量ダイオードX1 ,X2
容量と、コンデンサC14,C15とのそれぞれの合成容
量、および誘電体共振器DR1 ,DR2 の共振周波数に
よって決まり、バイアス端子3,4に印加する電圧を変
化させて可変容量ダイオードX1 ,X2 の容量を変化さ
せることにより中心周波数を可変にすることができる。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記従来回路
における可変容量ダイオードは、耐電力性が低く、ま
た、C−V特性といわれる逆電圧対端子間容量特性がも
つ非線系性のため入出力の直線性が得られないという欠
点がある。このため、可変容量ダイオードを用いたフィ
ルタは、主に取り扱う電力が小さい受信機にしか用いら
れず、送信機に用いられることはなかった。近年、小形
化のために、一つののフィルタで帯域周波数の異なる複
数の特性が得られる周波数帯域可変フィルタの要求が強
く、送信機においても例外ではなく、これを実現する方
法が求められている。
【0004】本発明の目的は、以上の従来技術の課題を
解決し、耐電力性を向上させ、入出力直線性に優れた周
波数帯域可変フィルタを提供することにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項1に記載
した周波数帯域可変フィルタは、第1の実施例と第2の
実施例を包含するものであり、入力端子側の第1のコン
デンサと第1の分布定数線路からなる第1の直列共振回
路と、出力端子側の第2のコンデンサと第2の分布定数
線路からなる第2の直列共振回路とがそれぞれ並列アー
ムとして結合用コイルで接続され、前記第1及び第2の
直列共振回路と並列に第3及び第4のコイルがそれぞれ
接続され、前記第1の直列共振回路の共振周波数と前記
第2の直列共振回路の共振周波数とが相異なる減衰極と
なって阻止域を形成するローパス形フィルタにおいて、
前記第1及び第2のコンデンサと前記第1及び第2の分
布定数線路との接続点に一端が接続された帯域可変用の
第3のコンデンサ及び第4のコンデンサと、該第3のコ
ンデンサ及び第4のコンデンサの他端と接地間に接続さ
れた第1のスイッチング素子及び第2のスイッチング素
子とを備え、外部から該第1のスイッチング素子及び第
2のスイッチング素子に制御電圧を与えて前記他端と接
地間をオン/オフすることにより前記阻止域を変えるよ
うに構成したことを特徴とするものである。
【0006】本発明の請求項2に記載した周波数帯域可
変フィルタは、第1の実施例を示すものであり、前記第
1の分布定数線路及び第2の分布定数線路は、誘電体同
軸共振器であることを特徴とするものである。
【0007】本発明の請求項3に記載した周波数帯域可
変フィルタは、第1の実施例を示すものであり、前記第
1のスイッチング素子及び第2のスイッチング素子はス
イッチングダイオードであることを特徴とするものであ
る。
【0008】本発明の請求項4に記載した周波数帯域可
変フィルタは、第2の実施例を示すものであり、前記第
1のスイッチング素子及び第2のスイッチング素子はガ
リウム砒素FETであることを特徴とするものである。
【0009】本発明の請求項5に記載した周波数帯域可
変フィルタは、第3の実施例を示すものであり、請求項
1記載の第1のダイオード及び第2のダイオードは、そ
れぞれ2つのダイオードで構成され、該2つのアノード
同志が接続され、カソードは前記第3のコンデンサ及び
第4のコンデンサの他端と接地とにそれぞれ接続され、
前記アノード同志の接続点に前記制御電圧が与えられる
ように構成されたことを特徴とする のである。
【0010】本発明の請求項6に記載した周波数帯域可
変フィルタは、第4の実施例、及び第4の実施例と第2
の実施例とを組み合わせたものを包含するものであり、
入力端子側の第1のコンデンサと第1の分布定数線路か
らなる第1の直列共振回路と、出力端子側の第2のコン
デンサと第2の分布定数線路からなる第2の直列共振回
路とがそれぞれ並列アームとして結合用コイルで接続さ
れ、前記第1及び第2の直列共振回路と並列に第3及び
第4のコイルがそれぞれ接続され、前記第1の直列共振
回路の共振周波数と前記第2の直列共振回路の共振周波
数とが相異なる減衰極となって阻止域を形成するローパ
ス形フィルタにおいて、前記第1及び第2のコンデンサ
と前記第1及び第2の分布定数線路との接続点に一端が
接続された帯域可変用の第3のコンデンサと第5のコン
デンサ、及び第4のコンデンサと第6のコンデンサと、
該第3と第5のコンデンサの他端、及び第4と第6のコ
ンデンサの他端と接地間にそれぞれ接続された第1と第
3のスイッチング素子、及び第2と第4のスイッチング
素子とを備え、外部から該第1と第3のスイッチング素
子、及び第2と第4のスイッチング素子に制御電圧を与
えて前記他端と接地間をオン/オフすることにより前記
阻止域を変えるように構成したことを特徴とするもので
ある。
【0011】本発明の請求項7に記載した周波数帯域可
変フィルタは、第4の実施例を示すものであり、請求項
6記載の第1と第3のスイッチング素子、及び第2と第
4のスイッチング素子はスイッチングダイオードである
とを特徴とするものである。
【0012】本発明の請求項8に記載した周波数帯域可
変フィルタは、第4の実施例と第2の実施例とを組み合
わせたものをであり、請求項6記載の第1と第3のスイ
ッチング素子、及び第2と第4のスイッチング素子はガ
リウム砒素FETであることを特徴とするものである。
【0013】本発明の請求項9に記載した周波数帯域可
変フィルタは、第5の実施例、及び第5の実施例と第2
の実施例とを組み合わせたものを包含するものであり、
入力端子側の第1のコンデンサと第1の分布定数線路か
らなる第1の直列共振回路と、出力端子側の第2のコン
デンサと第2の分布定数線路からなる第2の直列共振回
路とがそれぞれ並列アームとして結合用コンデンサで接
続され、前記第1及び第2の直列共振回路と並列に第3
及び第4のコンデンサがそれぞれ接続され、前記第1の
直列共振回路の共振周波数と前記第2の直列共振回路の
共振周波数とが相異なる減衰極となって阻止域を形成す
るハイパス形フィルタにおいて、前記第1及び第2のコ
ンデンサと前記第1及び第2の分布定数線路との接続点
に一端が接続された帯域可変用の第5のコンデンサ及び
第6のコンデンサと、該第5のコンデンサ及び第6のコ
ンデンサの他端と接地間に接続された第1のスイッチン
グ素子及び第2のスイッチング素子とを備え、外部から
該第1のスイッチング素子及び第2のスイッチング素子
に制御電圧を与えて前記他端と接地間をオン/オフする
ことにより前記阻止域を変えるように構成したことを特
徴とするものである。
【0014】本発明の請求項10に記載した周波数帯域
可変フィルタは、第4の実施例を示すものであり、請求
項9記載の第1の分布定数線路及び第2の分布定数線路
は、誘電体同軸共振器であることを特徴とするものであ
る。
【0015】本発明の請求項11に記載した周波数帯域
可変フィルタは、第4の実施例を示すものであり、請求
項9記載の第1のスイッチング素子及び第2のスイッチ
ング素子はスイッチングダイオードであることを特徴と
するものである。
【0016】本発明の請求項12に記載した周波数帯域
可変フィルタは、第4の実施例、及び第4の実施例と第
2の実施例とを組み合わせたものを包含するものであ
り、請求項9記載の第1のスイッチング素子及び第2の
スイッチング素子はガリウム砒素FETであることを特
徴とするものである。
【0017】本発明の請求項13に記載した周波数帯域
可変フィルタは、第4の実施例と第3の実施例とを組み
合わせたものであり、請求項9記載の第1のダイオード
及び第2のダイオードは、それぞれ2つのダイオードで
構成され、該2つのアノード同志が接続され、カソード
は前記第5のコンデンサ及び第6のコンデンサの他端と
接地とにそれぞれ接続され、前記アノード同志の接続点
に前記制御電圧が与えられるように構成されたことを特
徴とするものである。
【0018】
【実施例】本発明の構成及び作用について述べる。図2
は本発明の第1の実施例を示す構成図である。その減衰
特性は図3(A)のようにローパス形ノッチフィルタ特
性となる。Z1 ,Z2 は特性インピーダンスを有する分
布定数線路である。高誘電体材料により構成された同軸
共振器でもよい。C1 ,C2 は阻止域減衰量の大きさを
決める結合コンデンサである。C3,C4 は2つの減衰
極周波数をそれぞれ変更するためのコンデンサであり、
分布定数線路Z1 ,Z2 による誘導性リアクタンスを変
える働きをする。D1 ,D2はスイッチングダイオード
である。バイアス端子に印加する制御電圧VCTL として
正の電圧を与えると、抵抗R1 ,R2 により電流が制限
されるが、ダイオードD1 ,D2 はオン状態となる。こ
れにより、コンデンサC3 ,C4 はダイオードD1 ,D
2 を経て接地され、2つの減衰極周波数は共に低くな
る。また、制御電圧VCTL として負の電圧を与えると、
ダイオードD1 ,D2 はオフ状態になり、コンデンサC
3 ,C4 は開放状態となり、2つの減衰極周波数は共に
高くなる。このとき、ダイオードD1 ,D2 は小さな静
電容量をもち、コンデンサC3 ,C4 による周波数可変
効果が十分できないときがある。そのときは、この容量
によるリアクタンスを打ち消すような値の誘導性リアク
タンス値をもつインダクタンス値になるようにチョーク
コイルL1 ,L2 を設定すればよい。以上のように、本
実施例では、1つのフィルタにより、2つの相異なる周
波数帯域特性を得ることができる。
【0019】本実施例においては、そのフィルタの最大
入力電力は、ダイオードD1 ,D2がオンの時は、ダイ
オードの直列抵抗による発熱で決まり、ダイオード
1 ,D2 がオフの時は、ダイオードの両端に印加され
る高周波電圧によってダイオードがオン状態にならない
ような制御電圧VCTL が設定される。この値はダイオー
ドの逆バイアス電圧によって決定される。上記本発明の
構成によれば、図1の従来回路のように、可変容量ダイ
オードのC−V特性の非線系性によって制約を受けない
ため、本発明は比較にならないほどの大きな電力を取り
扱うことができる。
【0020】図4は本発明の第2の実施例を示す構成図
である。この例は、図2の第1の実施例のスイッチ素子
としてFETQ1 ,Q2 を使った例である。FET
1 ,Q2 はダイオードのようにオンの時に電流を必要
としないため、低消費電力化に優れている。現在、Ga
As(ガリウム砒素)FETを用いると、1GHzでオ
ンの時の抵抗値が0.6Ω、オフのときの容量が1.1
pFであり、高周波スイッチングダイオードと同様の性
能のものを容易に入手することができる。低消費電力が
要求される携帯電話などの端末機へのフィルタとして有
用である。
【0021】図5は、本発明の第3の実施例を示す構成
図であり、図2の第1の実施例を発展させ、さらに耐電
力性を向上させた回路である。図2の例では、入力電力
印加の直線性は、ダイオードの消費電力が小さいため、
オフの時の逆バイアス電圧値で決定されることがほとん
どである。これをさらに向上させるためには、制御電圧
CTL を高く設定すればよいわけであるが、小形の装置
ではむやみに高電圧を作ることができない。そこで、ダ
イオードD1 〜D4 を図5の第3の実施例のように接続
すると、同じVCTL で2倍のVCTL が与えられているの
と同様の効果がある。実際に本実施例を作る場合は、ダ
イオードD1 ,D2 が図のように接続されている3端子
SMD(面実装形)パッケージのダイオードが市販され
ているので容易に実現することができる。
【0022】図6は、本発明の第4の実施例を示す構成
図であり、図2の第1の実施例を発展させ、その可変帯
域の種類を2から4にした回路である。制御電圧
CTL1,VCTL2のオン/オフの組合せで、1つのフィル
タで4つの周波数帯域を可変設定できるフィルタを実現
することができる。
【0023】図7は、この第4の実施例の特性例図であ
り、(A)は伝送特性例、(B)は反射特性例を示す。
分布定数線路Z1 ,Z2 としては、比誘電率が90の同
軸共振器を用い、コンデンサの容量値はそれぞれ,C3
=0.45pF、C7 =0.8pF、C4 =0.45p
F、C8 =0.85pF、C1 ,C2 =2.5pFで構
成され、ダイオードD1 〜D4は、帯域切換用スイッチ
ングダイオード(オン抵抗=0.5Ω,オフ容量=1p
F)を用いた。本例において、ダイオードが全てオンの
時ダイオードの順方向電流2mAにおいて、+35dB
m入力においても飽和することがなかった。また、ダイ
オードが全てオフの時は、逆バイアス電圧−20Vにお
いて、入力が+32dBmで飽和が始まった。さらに、
図5のようなダイオード接続にしたときは、同じ逆バイ
アス値で、入力が+40dBmで飽和が始まり、図5の
回路でも効用が確認された。
【0024】図8は、本発明の第5の実施例を示す構成
図であり、図3(B)に示すようなハイパスノッチ形フ
ィルタの特性を実現した例である。C22では、2つの直
列共振回路を接続する結合コンデンサであり、コンデン
サC21,C23は、第2の直列共振回路のコンデンサ
1 ,C3 ,分布定数線路Z1 、及び第2の共振回路の
コンデンサC2 ,C4 ,分布定数線路Z2 により、誘導
性リアクタンスとなる通過域で反共振させるようにその
値が選択される。作用は図2の第1の実施例と同様であ
り、図4〜図6に対応する変形も同様である。
【0025】
【発明の効果】本発明を実施することにより、次の効果
が得られる。 (1)従来例で得られない耐電力性に優れた可変フィル
タが実現できる。 (2)このため、高電力を扱う送信機用のフィルタとし
て利用可能となった。
【図面の簡単な説明】
【図1】従来の回路構成例図である。
【図2】本発明の第1の実施例を示す構成図である。
【図3】本発明の対象とするフィルタ特性説明図であ
る。
【図4】本発明の第2の実施例を示す構成図である。
【図5】本発明の第3の実施例を示す構成図である。
【図6】本発明の第4の実施例を示す構成図である。
【図7】図6の特性例図である。
【図8】本発明の第5の実施例を示す構成図である。
【符号の説明】
1 入力端子 2 出力端子 3,4 バイアス端子 C1 ,C2 共振用コンデンサ C3 ,C4 ,C7 ,C8 帯域可変用コンデンサ C5 ,C6 ,C9 ,C10 コンデンサ L1 ,L2 ,L3 ,L5 ,L6 ,L7 コイル L4 結合用コイル Z1 ,Z2 分布定数線路 D1 ,D2 ,D3 ,D4 スイッチングダイオード VCTL 制御電圧 R1 ,R2 ,R3 ,R4 制御電圧供給用抵抗 Q1 ,Q2 FET C22 結合コンデンサ C21,C23 コンデンサ DR1 ,DR2 誘電体共振器 X1 ,X2 可変容量ダイオード C14,C15 周波数幅調整用コンデンサ C11,C12,C13 結合用コンデンサ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 村田 和雄 東京都中野区東中野三丁目14番20号 国際 電気株式会社内

Claims (13)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 入力端子側の第1のコンデンサと第1の
    分布定数線路からなる第1の直列共振回路と、出力端子
    側の第2のコンデンサと第2の分布定数線路からなる第
    2の直列共振回路とがそれぞれ並列アームとして結合用
    コイルで接続され、前記第1及び第2の直列共振回路と
    並列に第3及び第4のコイルがそれぞれ接続され、前記
    第1の直列共振回路の共振周波数と前記第2の直列共振
    回路の共振周波数とが相異なる減衰極となって阻止域を
    形成するローパス形フィルタにおいて、 前記第1及び第2のコンデンサと前記第1及び第2の分
    布定数線路との接続点に一端が接続された帯域可変用の
    第3のコンデンサ及び第4のコンデンサと、 該第3のコンデンサ及び第4のコンデンサの他端と接地
    間に接続された第1のスイッチング素子及び第2のスイ
    ッチング素子とを備え、 外部から該第1のスイッチング素子及び第2のスイッチ
    ング素子に制御電圧を与えて前記他端と接地間をオン/
    オフすることにより前記阻止域を変えるように構成した
    ことを特徴とする周波数帯域可変フィルタ。
  2. 【請求項2】 前記第1の分布定数線路及び第2の分布
    定数線路は、誘電体同軸共振器であることを特徴とする
    請求項1記載の周波数帯域可変フィルタ。
  3. 【請求項3】 前記第1のスイッチング素子及び第2の
    スイッチング素子はスイッチングダイオードであること
    を特徴とする請求項1記載の周波数帯域可変フィルタ。
  4. 【請求項4】 前記第1のスイッチング素子及び第2の
    スイッチング素子はガリウム砒素FETであることを特
    徴とする請求項1記載の周波数帯域可変フィルタ。
  5. 【請求項5】 請求項1記載の第1のダイオード及び第
    2のダイオードは、それぞれ2つのダイオードで構成さ
    れ、該2つのアノード同志が接続され、カソードは前記
    第3のコンデンサ及び第4のコンデンサの他端と接地と
    にそれぞれ接続され、前記アノード同志の接続点に前記
    制御電圧が与えられるように構成されたことを特徴とす
    る請求項1記載の周波数帯域可変フィルタ。
  6. 【請求項6】 入力端子側の第1のコンデンサと第1の
    分布定数線路からなる第1の直列共振回路と、出力端子
    側の第2のコンデンサと第2の分布定数線路からなる第
    2の直列共振回路とがそれぞれ並列アームとして結合用
    コイルで接続され、前記第1及び第2の直列共振回路と
    並列に第3及び第4のコイルがそれぞれ接続され、前記
    第1の直列共振回路の共振周波数と前記第2の直列共振
    回路の共振周波数とが相異なる減衰極となって阻止域を
    形成するローパス形フィルタにおいて、 前記第1及び第2のコンデンサと前記第1及び第2の分
    布定数線路との接続点に一端が接続された帯域可変用の
    第3のコンデンサと第5のコンデンサ、及び第4のコン
    デンサと第6のコンデンサと、 該第3と第5のコンデンサの他端、及び第4と第6のコ
    ンデンサの他端と接地間にそれぞれ接続された第1と第
    3のスイッチング素子、及び第2と第4のスイッチング
    素子とを備え、 外部から該第1と第3のスイッチング素子、及び第2と
    第4のスイッチング素子に制御電圧を与えて前記他端と
    接地間をオン/オフすることにより前記阻止域を変える
    ように構成したことを特徴とする周波数帯域可変フィル
    タ。
  7. 【請求項7】 請求項6記載の第1と第3のスイッチン
    グ素子、及び第2と第4のスイッチング素子はスイッチ
    ングダイオードであることを特徴とする請求項6記載の
    周波数帯域可変フィルタ。
  8. 【請求項8】 請求項6記載の第1と第3のスイッチン
    グ素子、及び第2と第4のスイッチング素子はガリウム
    砒素FETであることを特徴とする請求項6記載の周波
    数帯域可変フィルタ。
  9. 【請求項9】 入力端子側の第1のコンデンサと第1の
    分布定数線路からなる第1の直列共振回路と、出力端子
    側の第2のコンデンサと第2の分布定数線路からなる第
    2の直列共振回路とがそれぞれ並列アームとして結合用
    コンデンサで接続され、前記第1及び第2の直列共振回
    路と並列に第3及び第4のコンデンサがそれぞれ接続さ
    れ、前記第1の直列共振回路の共振周波数と前記第2の
    直列共振回路の共振周波数とが相異なる減衰極となって
    阻止域を形成するハイパス形フィルタにおいて、 前記第1及び第2のコンデンサと前記第1及び第2の分
    布定数線路との接続点に一端が接続された帯域可変用の
    第5のコンデンサ及び第6のコンデンサと、 該第5のコンデンサ及び第6のコンデンサの他端と接地
    間に接続された第1のスイッチング素子及び第2のスイ
    ッチング素子とを備え、 外部から該第1のスイッチング素子及び第2のスイッチ
    ング素子に制御電圧を与えて前記他端と接地間をオン/
    オフすることにより前記阻止域を変えるように構成した
    ことを特徴とする周波数帯域可変フィルタ。
  10. 【請求項10】 請求項9記載の第1の分布定数線路及
    び第2の分布定数線路は、誘電体同軸共振器であること
    を特徴とする請求項9記載の周波数帯域可変フィルタ。
  11. 【請求項11】 請求項9記載の第1のスイッチング素
    子及び第2のスイッチング素子はスイッチングダイオー
    ドであることを特徴とする請求項9記載の周波数帯域可
    変フィルタ。
  12. 【請求項12】 請求項9記載の第1のスイッチング素
    子及び第2のスイッチング素子はガリウム砒素FETで
    あることを特徴とする請求項9記載の周波数帯域可変フ
    ィルタ。
  13. 【請求項13】 請求項9記載の第1のダイオード及び
    第2のダイオードは、それぞれ2つのダイオードで構成
    され、該2つのアノード同志が接続され、カソードは前
    記第5のコンデンサ及び第6のコンデンサの他端と接地
    とにそれぞれ接続され、前記アノード同志の接続点に前
    記制御電圧が与えられるように構成されたことを特徴と
    する請求項9記載の周波数帯域可変フィルタ。
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