JPH0732259B2 - 光電池装置の製造方法 - Google Patents
光電池装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH0732259B2 JPH0732259B2 JP60072495A JP7249585A JPH0732259B2 JP H0732259 B2 JPH0732259 B2 JP H0732259B2 JP 60072495 A JP60072495 A JP 60072495A JP 7249585 A JP7249585 A JP 7249585A JP H0732259 B2 JPH0732259 B2 JP H0732259B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photovoltaic
- thin film
- electrode means
- manufacturing
- continuous thin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、おおむね太陽電池の技術に係り、特に、複数
の光起電性領域が薄膜自体を介して直列に接続されたモ
ノリシック薄膜太陽電池を少なくとも有する光電池装置
の製造方法に関するものである。
の光起電性領域が薄膜自体を介して直列に接続されたモ
ノリシック薄膜太陽電池を少なくとも有する光電池装置
の製造方法に関するものである。
従来、薄膜太陽電池の複数のセルからなるアレイは、予
め選定されたパターンで該セルの光活性層を含む各層を
積層することにより製作されていた。他の場合には、各
層は、積層された後各セル間の層の部分を除去すること
によりパターン化されていた。最終的に得られる各セル
は、外部的に相互接続され、太陽電池アレイを形成す
る。この方法により形成されるアレイの例は、ハナクの
「アモルファスシリコンのモノリシック太陽電池パネ
ル」,Solar Energy 23,145-147(1979)、ボーデンの米
国特許第4,278,473号、およびハナクの米国特許第4,29
2,092号に記載されている。このようなアレイは、主と
して、光活性層を個別の素子にパターン化するときに必
要とされるステップに起因して、概してむしろ高価で且
つ製造が容易ではない。パターン化のプロセスは、ま
た、セルの活性領域を著しく縮小させる。
め選定されたパターンで該セルの光活性層を含む各層を
積層することにより製作されていた。他の場合には、各
層は、積層された後各セル間の層の部分を除去すること
によりパターン化されていた。最終的に得られる各セル
は、外部的に相互接続され、太陽電池アレイを形成す
る。この方法により形成されるアレイの例は、ハナクの
「アモルファスシリコンのモノリシック太陽電池パネ
ル」,Solar Energy 23,145-147(1979)、ボーデンの米
国特許第4,278,473号、およびハナクの米国特許第4,29
2,092号に記載されている。このようなアレイは、主と
して、光活性層を個別の素子にパターン化するときに必
要とされるステップに起因して、概してむしろ高価で且
つ製造が容易ではない。パターン化のプロセスは、ま
た、セルの活性領域を著しく縮小させる。
薄膜光起電性素子の他の形態は、クワノ他の米国特許第
4,281,208号に記載されている。そこに開示された実施
例の1つにおいては、多数の光起電性領域を有するパタ
ーン化されていない活性層が設けられている。電気的相
互接続は、活性層のエッジを越えて形成される。該構成
は、上述したものよりも製造が容易であるが、電流が内
部接続が形成されるセルの端部まで導かれなければなら
ずその電極のシート抵抗により、寸法が制限される。該
シート抵抗は、パネルの内部において生成された出力信
号のどの部分をも著しく減衰させるため、大部分の用途
において、開示された構成を非実用的とする。このクワ
ノ他の特許には、他の構成も開示されており、それによ
れば、活性層はパネル内部での接続を許容するためパタ
ーン化されている。
4,281,208号に記載されている。そこに開示された実施
例の1つにおいては、多数の光起電性領域を有するパタ
ーン化されていない活性層が設けられている。電気的相
互接続は、活性層のエッジを越えて形成される。該構成
は、上述したものよりも製造が容易であるが、電流が内
部接続が形成されるセルの端部まで導かれなければなら
ずその電極のシート抵抗により、寸法が制限される。該
シート抵抗は、パネルの内部において生成された出力信
号のどの部分をも著しく減衰させるため、大部分の用途
において、開示された構成を非実用的とする。このクワ
ノ他の特許には、他の構成も開示されており、それによ
れば、活性層はパネル内部での接続を許容するためパタ
ーン化されている。
したがって、多くの応用において、活性層が連続で且つ
パターン化されておらず、しかも薄膜の光起電性領域が
容易に直列接続され得る薄膜光起電性素子の製造方法を
提供することが望まれる。
パターン化されておらず、しかも薄膜の光起電性領域が
容易に直列接続され得る薄膜光起電性素子の製造方法を
提供することが望まれる。
すなわち、本発明の目的は、薄膜光起電性素子における
活性層が連続で且つパターン化されず、しかも薄膜の光
起電性領域が容易に直列接続され得る光電池装置の製造
方法を提供することにある。
活性層が連続で且つパターン化されず、しかも薄膜の光
起電性領域が容易に直列接続され得る光電池装置の製造
方法を提供することにある。
本発明の光電池装置の製造方法は、複数の光起電性領域
を定義する所定の全体厚の光起電性連続薄膜を有する光
電池装置を製造するにあたり、透明基板の主面上に、各
々が、実質的に光起電性連続薄膜の全体厚よりも厚い少
なくとも1つのコンタクト部を有する空隙を存して分離
配置された複数の透明前面電極手段を形成する工程と、
前面電極手段を覆って且つそれを挟んで基板の主面の上
方に光起電性連続薄膜を形成する工程と、該光起電性連
続薄膜上に空隙を存して分離配置され、各々がそれとの
間で光起電性領域を決定するある前面電極手段を実質的
に覆って配置され且つ隣接する光起電性領域の該電極手
段とコンタクト部においてオーバラップする複数の背面
電極手段を形成する工程とからなり、各背面電極手段と
それとオーバラップする上記コンタクト部との間に該光
起電性連続薄膜を通して電気的接続が完成されるように
する。好ましい実施例においては、各前面電極部は、上
記連続薄膜を介して上記背面電極に対する電気的接続を
完成するため、隣接する光起電性領域の背面電極と所定
領域においてオーバラップする相互接続部を備えてお
り、各相互接続部は、連続薄膜の前面に隣接する凹凸面
または肉厚部を有する少なくとも1つのコンタクト部す
なわち「スティッチバー」を備えている。望ましい凹凸
の度合いは、顕微鏡スケールの粗さである。
を定義する所定の全体厚の光起電性連続薄膜を有する光
電池装置を製造するにあたり、透明基板の主面上に、各
々が、実質的に光起電性連続薄膜の全体厚よりも厚い少
なくとも1つのコンタクト部を有する空隙を存して分離
配置された複数の透明前面電極手段を形成する工程と、
前面電極手段を覆って且つそれを挟んで基板の主面の上
方に光起電性連続薄膜を形成する工程と、該光起電性連
続薄膜上に空隙を存して分離配置され、各々がそれとの
間で光起電性領域を決定するある前面電極手段を実質的
に覆って配置され且つ隣接する光起電性領域の該電極手
段とコンタクト部においてオーバラップする複数の背面
電極手段を形成する工程とからなり、各背面電極手段と
それとオーバラップする上記コンタクト部との間に該光
起電性連続薄膜を通して電気的接続が完成されるように
する。好ましい実施例においては、各前面電極部は、上
記連続薄膜を介して上記背面電極に対する電気的接続を
完成するため、隣接する光起電性領域の背面電極と所定
領域においてオーバラップする相互接続部を備えてお
り、各相互接続部は、連続薄膜の前面に隣接する凹凸面
または肉厚部を有する少なくとも1つのコンタクト部す
なわち「スティッチバー」を備えている。望ましい凹凸
の度合いは、顕微鏡スケールの粗さである。
本発明の製造方法により製造された装置は、薄膜活性層
の離間配置された光起電領域で定義される複数のセルを
有するモノリシック太陽電池パネルである。セルは、活
性層自体を通して横切って接続されるから、接続は、層
をパターン化することなく、どの所望位置においても完
成される。したがって、モノリシック太陽電池パネルの
製造上の実現可能性、サイズおよび形状における制限は
除去される。さらに、背面電極は、設置された半導体表
面上に、パターン化のために、それを処理装置から取去
ることなく、直接に設けられる。この寛容性は、背面電
極が設けられる前の半導体表面のコンタミネーションに
関して有利である。
の離間配置された光起電領域で定義される複数のセルを
有するモノリシック太陽電池パネルである。セルは、活
性層自体を通して横切って接続されるから、接続は、層
をパターン化することなく、どの所望位置においても完
成される。したがって、モノリシック太陽電池パネルの
製造上の実現可能性、サイズおよび形状における制限は
除去される。さらに、背面電極は、設置された半導体表
面上に、パターン化のために、それを処理装置から取去
ることなく、直接に設けられる。この寛容性は、背面電
極が設けられる前の半導体表面のコンタミネーションに
関して有利である。
本発明の概念は、多結晶質または単結晶薄膜を有する素
子においても有用であるが、微晶質薄膜(microcrystal
line thin film〜MTF)光起電性素子のような薄膜素子
の場合に最も有用である。これに関連して、「微晶質」
の語は、文献において一般に「アモルファス(非晶
質)」として漠然と定義される種々の薄膜をカバーしよ
うとするものである。そのような薄膜のほとんどは、故
意に生成されようとされまいと、微晶質部分を含んでい
る。そして、より正確には、一般に「微晶質」がそうで
あるように、目に見える結晶性を欠いているすべての薄
膜を意味していると考えられる。
子においても有用であるが、微晶質薄膜(microcrystal
line thin film〜MTF)光起電性素子のような薄膜素子
の場合に最も有用である。これに関連して、「微晶質」
の語は、文献において一般に「アモルファス(非晶
質)」として漠然と定義される種々の薄膜をカバーしよ
うとするものである。そのような薄膜のほとんどは、故
意に生成されようとされまいと、微晶質部分を含んでい
る。そして、より正確には、一般に「微晶質」がそうで
あるように、目に見える結晶性を欠いているすべての薄
膜を意味していると考えられる。
本発明のオーバラップする電極は、各セルを電気的に直
列接続するため、あるセルの背面と隣接するセルの前面
との間に、接続がなされることを可能とする。前面電極
のスティッチバーは、薄膜活性層近傍に凹凸面を有する
か、または該層よりも厚肉であるかのいずれかであり、
活性層はその上に施される。このため、活性層の電気的
な距離は、スティッチバーの近傍で非常に小さく、結果
的に該層を通して伸びる局部導電パスすなわち「短絡回
路」となる。導電は、均一であっても選択的であって
も、該電極またはその他の導電性誘起材料を活性層に拡
散させるための背面電極の加熱により、さらに一層向上
され得る。これらの構成の各々によって、活性層を通る
電流は、実質的に該層の厚みを横切る一つの電極部から
その他の電極部への流れに限定される。活性層は非常に
高いシート抵抗を有しているので、該層内に明白な電流
は存在しない。そして、各セルは、適切な高出力電圧レ
ベルを達成するために直列接続された個別の太陽電池と
して動作する。
列接続するため、あるセルの背面と隣接するセルの前面
との間に、接続がなされることを可能とする。前面電極
のスティッチバーは、薄膜活性層近傍に凹凸面を有する
か、または該層よりも厚肉であるかのいずれかであり、
活性層はその上に施される。このため、活性層の電気的
な距離は、スティッチバーの近傍で非常に小さく、結果
的に該層を通して伸びる局部導電パスすなわち「短絡回
路」となる。導電は、均一であっても選択的であって
も、該電極またはその他の導電性誘起材料を活性層に拡
散させるための背面電極の加熱により、さらに一層向上
され得る。これらの構成の各々によって、活性層を通る
電流は、実質的に該層の厚みを横切る一つの電極部から
その他の電極部への流れに限定される。活性層は非常に
高いシート抵抗を有しているので、該層内に明白な電流
は存在しない。そして、各セルは、適切な高出力電圧レ
ベルを達成するために直列接続された個別の太陽電池と
して動作する。
なお、電極オーバーラップ部分における背面電極の局部
加熱を付加してもよい。その場合、電極材料は、薄膜内
に拡散して、局部化された高導電性領域を生成する。こ
のことは、上述のように、活性層面内でなく該活性層を
横切って電球が流れ得るようにする。局部加熱は、レー
ザ、電子ビーム銃または他の適切な手段の使用により実
現し得る。レーザは、セルの活性領域を不当に制限する
ことのない、高度に局部化された導電領域の作成に有用
である。いくらかの応用においては、燐、硼素または砒
素のような導電誘起剤の薄いストリップを相互接続領域
に設けることも望ましい場合がある。該導電誘起剤は、
それ自体であるいは加熱されたときに活性層に拡散し、
導電相互接続を生成し得る。該導電誘起剤は、例えば、
スクリーン印刷プロセスにより、あるいは適宜な不純物
ガスを含むガス雰囲気中でのレーザビームによる局部領
域の加熱により設けられる。これらのどの構成も、電極
部のオーバラップおよび分離エリアを最小にし、高効率
の太陽電池パネルをもたらす。
加熱を付加してもよい。その場合、電極材料は、薄膜内
に拡散して、局部化された高導電性領域を生成する。こ
のことは、上述のように、活性層面内でなく該活性層を
横切って電球が流れ得るようにする。局部加熱は、レー
ザ、電子ビーム銃または他の適切な手段の使用により実
現し得る。レーザは、セルの活性領域を不当に制限する
ことのない、高度に局部化された導電領域の作成に有用
である。いくらかの応用においては、燐、硼素または砒
素のような導電誘起剤の薄いストリップを相互接続領域
に設けることも望ましい場合がある。該導電誘起剤は、
それ自体であるいは加熱されたときに活性層に拡散し、
導電相互接続を生成し得る。該導電誘起剤は、例えば、
スクリーン印刷プロセスにより、あるいは適宜な不純物
ガスを含むガス雰囲気中でのレーザビームによる局部領
域の加熱により設けられる。これらのどの構成も、電極
部のオーバラップおよび分離エリアを最小にし、高効率
の太陽電池パネルをもたらす。
第1図は、本発明の一実施例により構成のされたモノリ
シック薄膜太陽電池パネル10を示している。該パネル10
は、一対の外部リード線14の間で電気的に直列接続され
る複数の太陽電池セル12で定義される。各セル12は、直
列抵抗損失を最小とするように各対向する長手方向のエ
ッジに沿って接続され、幅の狭いストリップとして形成
される。セル間の接続は、太陽電池パネルのパターン化
されていない活性薄膜を通して、薄膜を中断することな
く達成される。入射光(hν)に応答してセルによって
生成される電流は、隣接するセルの対向電極に達する前
に各セル電極内の非常に短い距離を通過する。
シック薄膜太陽電池パネル10を示している。該パネル10
は、一対の外部リード線14の間で電気的に直列接続され
る複数の太陽電池セル12で定義される。各セル12は、直
列抵抗損失を最小とするように各対向する長手方向のエ
ッジに沿って接続され、幅の狭いストリップとして形成
される。セル間の接続は、太陽電池パネルのパターン化
されていない活性薄膜を通して、薄膜を中断することな
く達成される。入射光(hν)に応答してセルによって
生成される電流は、隣接するセルの対向電極に達する前
に各セル電極内の非常に短い距離を通過する。
第2図に示されるように、太陽電池パネル10は、透明基
板16、透明前面電極18、光起電性材料の連続薄膜20およ
びパターン化された背面電極22で構成される。該電極22
は、空隙26で分離され且つ実質的に薄膜の細長い光起電
性領域28の上方に重なる複数の背面電極部24を備えてい
る。前面電極18は、透明導電層29および一連のコンタク
ト部すなわち「スティッチバー」30を備えている。層29
は、空隙34で分離され、且つ実質的に光起電性領域の下
方に重なる複数の透明電極部32を形成するようにパター
ン化される。このように、光起電性領域は、背面電極部
24と前面電極部32との間に、該領域内で生成された電流
を収集すように効果的にサンドイッチされている。さら
に、各前面電極部は、隣接する光起電性領域の背面電極
部に所定領域36において部分的にオーバラップする。
板16、透明前面電極18、光起電性材料の連続薄膜20およ
びパターン化された背面電極22で構成される。該電極22
は、空隙26で分離され且つ実質的に薄膜の細長い光起電
性領域28の上方に重なる複数の背面電極部24を備えてい
る。前面電極18は、透明導電層29および一連のコンタク
ト部すなわち「スティッチバー」30を備えている。層29
は、空隙34で分離され、且つ実質的に光起電性領域の下
方に重なる複数の透明電極部32を形成するようにパター
ン化される。このように、光起電性領域は、背面電極部
24と前面電極部32との間に、該領域内で生成された電流
を収集すように効果的にサンドイッチされている。さら
に、各前面電極部は、隣接する光起電性領域の背面電極
部に所定領域36において部分的にオーバラップする。
本発明の主たる特徴は、各前面電極部と隣接する光起電
性領域の背面電極部との間で実質的に活性薄膜20を横切
る導電パスの提供である。光起電性領域を電気的に直列
に接続するための相互接続は、薄膜のパターン化または
他の中断なしに、電極のオーバラップ部分で達成され
る。
性領域の背面電極部との間で実質的に活性薄膜20を横切
る導電パスの提供である。光起電性領域を電気的に直列
に接続するための相互接続は、薄膜のパターン化または
他の中断なしに、電極のオーバラップ部分で達成され
る。
実施例の太陽電池薄膜10においては、スティッチバー30
は、該薄膜を介して電気的に短絡するために、薄膜20に
比して充分に高く且つ幅が狭い、および/または充分に
凸凹である。スティッチバーは、透明層29上に設けられ
たものとして図示されているが、次に設置される透明層
がそれらと電気的に接続される限り、それらを基板16の
表面上に直接に設けることも可能である。太陽電池パネ
ル10の最終的な構成は、第3図に示されたものが最善で
ある。そこでは、スティッチバーは、次に設けられる薄
膜20を、セル電圧に耐えられないような、相対的に薄い
領域38を作るように変形させる。この領域38を介して電
気的な伝導が生ずる。スティッチバーは、印加された電
界を集中させ且つ領域38の抵抗を最小とするため、それ
らの上面においてできるだけ粗いほうが有利である。
は、該薄膜を介して電気的に短絡するために、薄膜20に
比して充分に高く且つ幅が狭い、および/または充分に
凸凹である。スティッチバーは、透明層29上に設けられ
たものとして図示されているが、次に設置される透明層
がそれらと電気的に接続される限り、それらを基板16の
表面上に直接に設けることも可能である。太陽電池パネ
ル10の最終的な構成は、第3図に示されたものが最善で
ある。そこでは、スティッチバーは、次に設けられる薄
膜20を、セル電圧に耐えられないような、相対的に薄い
領域38を作るように変形させる。この領域38を介して電
気的な伝導が生ずる。スティッチバーは、印加された電
界を集中させ且つ領域38の抵抗を最小とするため、それ
らの上面においてできるだけ粗いほうが有利である。
スティッチバー30は、好ましくはほぼ25μの厚みを有
し、上記薄膜20およびパターン化された透明導電層29
は、それぞれ、ほぼ6,000および2,000Åの厚みである。
背面電極の厚みは、スクリーン印刷の場合ほぼ25μであ
り、蒸着の場合ほぼ2μである。ある一例におけるステ
ィッチバー30の位置では、薄膜20は、少なくとも薄膜の
最も厚い部分の40倍の厚みを有する一対の導電エレメン
トの間にサンドイッチされている。該厚みの比は、相対
的に薄い領域38、すなわち薄膜の厚みが5Åあるいはそ
れより小さい部分において一層大きい。このことは、各
スティッチバーの部分において薄膜を通る効果的な短絡
回路を作るが、薄膜20は非常に高いシート抵抗を有して
いるので、セル12を完全に短絡しつくしてしまうことは
ない。該シート抵抗は、光起電性領域内に延び且つオー
バラップ部分で電極間を通る横断電流のみを実質的に残
して、薄膜の面内における電流を除去する。
し、上記薄膜20およびパターン化された透明導電層29
は、それぞれ、ほぼ6,000および2,000Åの厚みである。
背面電極の厚みは、スクリーン印刷の場合ほぼ25μであ
り、蒸着の場合ほぼ2μである。ある一例におけるステ
ィッチバー30の位置では、薄膜20は、少なくとも薄膜の
最も厚い部分の40倍の厚みを有する一対の導電エレメン
トの間にサンドイッチされている。該厚みの比は、相対
的に薄い領域38、すなわち薄膜の厚みが5Åあるいはそ
れより小さい部分において一層大きい。このことは、各
スティッチバーの部分において薄膜を通る効果的な短絡
回路を作るが、薄膜20は非常に高いシート抵抗を有して
いるので、セル12を完全に短絡しつくしてしまうことは
ない。該シート抵抗は、光起電性領域内に延び且つオー
バラップ部分で電極間を通る横断電流のみを実質的に残
して、薄膜の面内における電流を除去する。
第2図および第3図をより詳細に参照すれば、パネル10
の各層と電極部は、実質的に、基板16の主面40上に設け
られる。該基板は、スティッチバー30と透明導電層29の
材料と両立性のあるガラスもしくは他の適切な透明材料
で構成される。
の各層と電極部は、実質的に、基板16の主面40上に設け
られる。該基板は、スティッチバー30と透明導電層29の
材料と両立性のあるガラスもしくは他の適切な透明材料
で構成される。
透明導電層29としては、酸化インジウム錫(TCO〜indiu
m tin oxide)、酸化錫(TO〜tinoxide)または酸化イ
ンジウム(IO〜indium oxide)のような透明導電性酸化
物(TCO〜transparent conductive oxide)を用いるこ
とが望ましい。化学的および/または電気的両立性の効
果を得、且つ装置のパフォーマンスを最適化するため
に、これらの材料層の組合せを用いることもできる。コ
ンタミネーションを最小にするため、スティッチバーの
設置に優先して透明導電層を設けることが望ましい。し
かしながら、設置の順序は、適切な予防措置がとられれ
ば、反転することもできる。
m tin oxide)、酸化錫(TO〜tinoxide)または酸化イ
ンジウム(IO〜indium oxide)のような透明導電性酸化
物(TCO〜transparent conductive oxide)を用いるこ
とが望ましい。化学的および/または電気的両立性の効
果を得、且つ装置のパフォーマンスを最適化するため
に、これらの材料層の組合せを用いることもできる。コ
ンタミネーションを最小にするため、スティッチバーの
設置に優先して透明導電層を設けることが望ましい。し
かしながら、設置の順序は、適切な予防措置がとられれ
ば、反転することもできる。
透明導電層29は、最初は連続層として設けられる。例え
ば、ITOは、300℃において酸素雰囲気中でグロー放電の
助けを借りてのインジウムと錫の真空蒸着により設けら
れる。グロー放電は、酸素を活性化して、高品質フィル
ムを作る。TOは、化学蒸着プロセスを用いて設けること
ができ、IOは、活性酸素雰囲気中におけるインジウムの
反応蒸着によって設けられる。
ば、ITOは、300℃において酸素雰囲気中でグロー放電の
助けを借りてのインジウムと錫の真空蒸着により設けら
れる。グロー放電は、酸素を活性化して、高品質フィル
ムを作る。TOは、化学蒸着プロセスを用いて設けること
ができ、IOは、活性酸素雰囲気中におけるインジウムの
反応蒸着によって設けられる。
透明導電層29の厚みは、それによる光の反射と吸収を最
小とするように選定される。確立した光学原理によれ
ば、透明コーティングによる内部反射損失は、該コーテ
ィングの厚みが、入射光の1/4波長の奇数倍をコーティ
ングの屈折率で割った値であるときに、最小化される。
この目的のために、適切な波長は、薄膜を形成している
光起電性材料のスペクトルレスポンスのピークに対応す
る。MTFシリコンの場合、それはほぼ5,400Åであり、屈
折率1.8で補正すると3,000Åとなり、1/4波長は750Å、
そして3/4波長は2,250Åとなる。多くの在来の透明導電
酸化物は、シート抵抗を許容できるレベルに減少させる
ことが要求されるが、実際には、光吸収を最小とするた
めに750Åの厚みが望まれる。
小とするように選定される。確立した光学原理によれ
ば、透明コーティングによる内部反射損失は、該コーテ
ィングの厚みが、入射光の1/4波長の奇数倍をコーティ
ングの屈折率で割った値であるときに、最小化される。
この目的のために、適切な波長は、薄膜を形成している
光起電性材料のスペクトルレスポンスのピークに対応す
る。MTFシリコンの場合、それはほぼ5,400Åであり、屈
折率1.8で補正すると3,000Åとなり、1/4波長は750Å、
そして3/4波長は2,250Åとなる。多くの在来の透明導電
酸化物は、シート抵抗を許容できるレベルに減少させる
ことが要求されるが、実際には、光吸収を最小とするた
めに750Åの厚みが望まれる。
スティッチバーは、スクリーン印刷かマスクを介しての
蒸着かにより、透明導電層上に設けられることが望まし
い。スクリーン印刷の場合、商業的に入手し得る適切な
スクリーン印刷ペーストは、パターン化されたスクリー
ンを介して塗布される。該ペーストは、例えば、銀(A
g)パウダ、ガラスフリットおよび適宜なる有機媒質す
なわちバインダを含むであろう。透明層を設けた後、ペ
ーストは、銀およびガラスフリットを残して上記有機媒
質を取除くために焼かれる。ガラスフリットは、基板に
融合しがちであって、強い結合性を提供し、また金属銀
は、スティッチバーを導電性とする。代りになるべきも
のとして、ガラスフリットを有しない、市販のスクリー
ン印刷ペーストが使用され得る。もしも、スティッチバ
ーが蒸着される場合は、それらは、銀、アルミニウムま
たは高品質コンタクトを提供し得るその他の材料で作ら
れる。
蒸着かにより、透明導電層上に設けられることが望まし
い。スクリーン印刷の場合、商業的に入手し得る適切な
スクリーン印刷ペーストは、パターン化されたスクリー
ンを介して塗布される。該ペーストは、例えば、銀(A
g)パウダ、ガラスフリットおよび適宜なる有機媒質す
なわちバインダを含むであろう。透明層を設けた後、ペ
ーストは、銀およびガラスフリットを残して上記有機媒
質を取除くために焼かれる。ガラスフリットは、基板に
融合しがちであって、強い結合性を提供し、また金属銀
は、スティッチバーを導電性とする。代りになるべきも
のとして、ガラスフリットを有しない、市販のスクリー
ン印刷ペーストが使用され得る。もしも、スティッチバ
ーが蒸着される場合は、それらは、銀、アルミニウムま
たは高品質コンタクトを提供し得るその他の材料で作ら
れる。
スティッチバー30は、電極がオーバラップしている所定
領域36を通過する格子線または格子線の断片として図示
されているが、それらが連続していたり、線状であった
りする必要はない。もしも、スティッチバーがスクリー
ン印刷されるならば、充分な動作のため、それらは、ほ
ぼ25μの高さが必要である。もし、蒸着であれば、それ
らは、約2μで、また望ましくは10μの高さが必要とな
る。各々の場合、スティッチバーの縦横比(高さ/幅)
および粗さすなわち面の凹凸度は、パネル10の動作を許
容する局部短絡回路を左右するパラメータとなる。もし
も、該バーの幅が、それらの高さに実質的に応じている
か、該バーが粗いというよりもむしろ平滑である場合、
その高さは上述した値を越えて増大させる必要がある。
粗さは、通常、高導電性通路を生じさせる支配的な要因
となる。このことは、スティッチバーを一連の点電位源
として動作させ得るようにし、該活性層を通しての導電
性を有意的に増大させる。いくつかの場合においては、
スティッチバーの設置プロセスによる結果としての表面
の凹凸性すなわち「マイクロラフネス」は、この目的を
達成し得る。
領域36を通過する格子線または格子線の断片として図示
されているが、それらが連続していたり、線状であった
りする必要はない。もしも、スティッチバーがスクリー
ン印刷されるならば、充分な動作のため、それらは、ほ
ぼ25μの高さが必要である。もし、蒸着であれば、それ
らは、約2μで、また望ましくは10μの高さが必要とな
る。各々の場合、スティッチバーの縦横比(高さ/幅)
および粗さすなわち面の凹凸度は、パネル10の動作を許
容する局部短絡回路を左右するパラメータとなる。もし
も、該バーの幅が、それらの高さに実質的に応じている
か、該バーが粗いというよりもむしろ平滑である場合、
その高さは上述した値を越えて増大させる必要がある。
粗さは、通常、高導電性通路を生じさせる支配的な要因
となる。このことは、スティッチバーを一連の点電位源
として動作させ得るようにし、該活性層を通しての導電
性を有意的に増大させる。いくつかの場合においては、
スティッチバーの設置プロセスによる結果としての表面
の凹凸性すなわち「マイクロラフネス」は、この目的を
達成し得る。
スティッチバーを設けた後、透明導電層29が、レーザス
クライビングのような在来の技術によりパターン化され
る。パネル10の場合、パターン化操作は、スティッチバ
ー30近傍の一連の平行線に沿う透明導電層の除去を必要
とし、それによって空隙34で分離された前面電極部32を
生成する。こうして、該前面電極部は、おおむね第1図
のセル12の部分に従った平行ストリップ群として形成さ
れる。しかしながら、前面電極部32およびセル12は、各
前面電極部が隣接する光起電性領域の背面電極部と部分
的にオーバラップする相互接続部を備えていさえすれ
ば、必ずしもストリップ状に形成される必要はない。層
29は、スティッチバー30より先にも後にもいずれにも設
けられ得るが、スティッチバーが設けられた後までパタ
ーン化されないことが望ましい。そして、スティッチバ
ー30は、層29をパターン化するためのガイドとして働
く。
クライビングのような在来の技術によりパターン化され
る。パネル10の場合、パターン化操作は、スティッチバ
ー30近傍の一連の平行線に沿う透明導電層の除去を必要
とし、それによって空隙34で分離された前面電極部32を
生成する。こうして、該前面電極部は、おおむね第1図
のセル12の部分に従った平行ストリップ群として形成さ
れる。しかしながら、前面電極部32およびセル12は、各
前面電極部が隣接する光起電性領域の背面電極部と部分
的にオーバラップする相互接続部を備えていさえすれ
ば、必ずしもストリップ状に形成される必要はない。層
29は、スティッチバー30より先にも後にもいずれにも設
けられ得るが、スティッチバーが設けられた後までパタ
ーン化されないことが望ましい。そして、スティッチバ
ー30は、層29をパターン化するためのガイドとして働
く。
薄膜20は、光を電気エネルギへ変換するための光結合を
特徴とするどんな光起電性材料をも含み得る。この実施
例においては、薄膜20は、第2図に示されたように、
N+、IおよびP+層44、46および48をそれぞれ有するMTF
シリコンである。代りに、それが、多結晶質、または単
結晶質材料であってもよい。MTFシリコンの場合、薄膜2
0は、パターン化またはマスキングを用いない在来のグ
ロー放電技術によって設けられる。該薄膜20は、連続的
に且つ完全にスティッチバー30、透明導電層29および空
隙34を横切って延設される。異なる導電型を有する3層
を完備した薄膜20の厚みは、ほほ6000Åである。この寸
法は、薄膜20の材質に依存するが、スティッチバー30
は、どの場合でも、薄膜の厚みに比して、高く且つ粗く
なければならない。さもなければ、薄膜を通る所望の導
電パスは存在しない。
特徴とするどんな光起電性材料をも含み得る。この実施
例においては、薄膜20は、第2図に示されたように、
N+、IおよびP+層44、46および48をそれぞれ有するMTF
シリコンである。代りに、それが、多結晶質、または単
結晶質材料であってもよい。MTFシリコンの場合、薄膜2
0は、パターン化またはマスキングを用いない在来のグ
ロー放電技術によって設けられる。該薄膜20は、連続的
に且つ完全にスティッチバー30、透明導電層29および空
隙34を横切って延設される。異なる導電型を有する3層
を完備した薄膜20の厚みは、ほほ6000Åである。この寸
法は、薄膜20の材質に依存するが、スティッチバー30
は、どの場合でも、薄膜の厚みに比して、高く且つ粗く
なければならない。さもなければ、薄膜を通る所望の導
電パスは存在しない。
背面電極22は、セル12の背面コンタクトとして働く。そ
れは、スクリーン印刷のような適宜な技術によって形成
され得る。スクリーン印刷の場合には、背面電極部24の
形状に選択的に導電銀を設けるのに在来のエポキシをベ
ースとする銀/グラファイト材料が使用され得る。その
とき、パネルは、エポキシを硬化させるため、ほぼ100
℃に加熱される。背面コンタクトにおける銀の代りに他
の材料、すなわちニッケル、パラジウムまたは金のよう
な材料も使用され得る。商業的な意味においては、コス
トを最小化するために貴金属は除外されると予測され
る。背面電極のさらなる可能性は、モリブデン/アルミ
ニウム/モリブデンの3つの材料が在来の技術によって
順次施されたサンドイッチ層である。アルミニウム層
は、光の向きを薄膜内に戻すための良好な反射性を提供
し、同時に外側のモリブデン層は、薄膜との良好な電気
的接触および良好なレーザ結合を約束する。レーザ結合
は以下に述べる実施例において重要である。
れは、スクリーン印刷のような適宜な技術によって形成
され得る。スクリーン印刷の場合には、背面電極部24の
形状に選択的に導電銀を設けるのに在来のエポキシをベ
ースとする銀/グラファイト材料が使用され得る。その
とき、パネルは、エポキシを硬化させるため、ほぼ100
℃に加熱される。背面コンタクトにおける銀の代りに他
の材料、すなわちニッケル、パラジウムまたは金のよう
な材料も使用され得る。商業的な意味においては、コス
トを最小化するために貴金属は除外されると予測され
る。背面電極のさらなる可能性は、モリブデン/アルミ
ニウム/モリブデンの3つの材料が在来の技術によって
順次施されたサンドイッチ層である。アルミニウム層
は、光の向きを薄膜内に戻すための良好な反射性を提供
し、同時に外側のモリブデン層は、薄膜との良好な電気
的接触および良好なレーザ結合を約束する。レーザ結合
は以下に述べる実施例において重要である。
薄膜20を通る短絡は、多くの状況において上述した構成
により達成されるが、太陽電池パネル10に対する加熱に
より、薄膜を通る局部導電性を増大させることが時には
望まれる。スティッチバー30が相対的に高く、狭く且つ
粗いときには、該加熱は、背面電極材料、あるいはステ
ィッチバー30の材料を半導体薄膜中に拡散させ得る。結
果として得られる拡散領域は、薄膜の実体部分よりも良
好な導電性を有し、セルの相互接続を増強させる。導電
金属材料は、個別の原子として薄膜内に拡散し、あるい
はフィルム内の格子間隙を占める粒子として存在する。
後者においては、薄膜の導電領域は、金属および半導体
粒子の混合物で構成される。
により達成されるが、太陽電池パネル10に対する加熱に
より、薄膜を通る局部導電性を増大させることが時には
望まれる。スティッチバー30が相対的に高く、狭く且つ
粗いときには、該加熱は、背面電極材料、あるいはステ
ィッチバー30の材料を半導体薄膜中に拡散させ得る。結
果として得られる拡散領域は、薄膜の実体部分よりも良
好な導電性を有し、セルの相互接続を増強させる。導電
金属材料は、個別の原子として薄膜内に拡散し、あるい
はフィルム内の格子間隙を占める粒子として存在する。
後者においては、薄膜の導電領域は、金属および半導体
粒子の混合物で構成される。
導電性を向上させるためパネル10を加熱するとき、所定
のオーバラップ部分内の局部領域のみを加熱することが
通常は望ましい。こうして、薄膜20の実体部分は熱によ
って変化されることがなく、金属電極材料が拡散されな
いので、オーバラップ部分で所望の拡散レベルを得るこ
とができる。このアプローチは、第3図の右側に示され
ており、そこではレーザビーム50が背面電極部に導か
れ、相対的に薄い領域38に導電領域51を生成する。レー
ザスクライバの出力であるレーザビーム50は、太陽電池
パネルを横切って移動され、スティッチバー30のパター
ンに沿って薄膜を加熱する。該加熱操作は、領域38の近
傍における薄膜内への金属電極材料の拡散を生じさせ
る。ビーム50は、背面コンタクトおよび薄膜材料を溶融
させ、領域51において両者の共融組成を形成させ、ある
いは単に充分に該材料を加熱し、拡散を促進する。背面
コンタクトがアルミニウムであり、薄膜がMTFシリコン
であるとき、2つの材料は化合して、薄膜の厚みを橋絡
する導電珪化物を形成する。
のオーバラップ部分内の局部領域のみを加熱することが
通常は望ましい。こうして、薄膜20の実体部分は熱によ
って変化されることがなく、金属電極材料が拡散されな
いので、オーバラップ部分で所望の拡散レベルを得るこ
とができる。このアプローチは、第3図の右側に示され
ており、そこではレーザビーム50が背面電極部に導か
れ、相対的に薄い領域38に導電領域51を生成する。レー
ザスクライバの出力であるレーザビーム50は、太陽電池
パネルを横切って移動され、スティッチバー30のパター
ンに沿って薄膜を加熱する。該加熱操作は、領域38の近
傍における薄膜内への金属電極材料の拡散を生じさせ
る。ビーム50は、背面コンタクトおよび薄膜材料を溶融
させ、領域51において両者の共融組成を形成させ、ある
いは単に充分に該材料を加熱し、拡散を促進する。背面
コンタクトがアルミニウムであり、薄膜がMTFシリコン
であるとき、2つの材料は化合して、薄膜の厚みを橋絡
する導電珪化物を形成する。
局部加熱は、レーザビームに関して上述したが、他の種
々の加熱技術が使用され得ることは容易に理解されるで
あろう。そのような技術には、拡散を生じさせるため電
子ビーム源または放射加熱ワイヤを使用することも含ま
れる。
々の加熱技術が使用され得ることは容易に理解されるで
あろう。そのような技術には、拡散を生じさせるため電
子ビーム源または放射加熱ワイヤを使用することも含ま
れる。
薄膜のシート抵抗は、相互接続のある位置からその他の
位置へのセルの短絡の防止を決定する。本発明の薄膜20
は、太陽光入射の条件で、単位面積あたり106Ωよりも
大きな抵抗率を有している。もしも、該薄膜が一層小さ
な抵抗率を有しているならば、半導体材料のいくらか
は、短絡防止のために、相互接続線に隣接して蝕刻除去
される。さらに、次のような動作パラメータの範囲が、
本発明の実施にあたって有用であると考えられる。
位置へのセルの短絡の防止を決定する。本発明の薄膜20
は、太陽光入射の条件で、単位面積あたり106Ωよりも
大きな抵抗率を有している。もしも、該薄膜が一層小さ
な抵抗率を有しているならば、半導体材料のいくらか
は、短絡防止のために、相互接続線に隣接して蝕刻除去
される。さらに、次のような動作パラメータの範囲が、
本発明の実施にあたって有用であると考えられる。
スティッチバー30の幅 10〜2500μ スティッチバー30の高さ 10〜5000μ 光活性薄膜20の厚み 0.05〜 100μ 背面電極22の厚み 100Å〜5000μ 間隙26および24 1〜2500μ 実用に際しては、太陽電池パネル10および10′は、透明
基板16と前面電極18を介して入射光(hν)を受けるよ
うに配置される。光は、領域28の光起電性材料によって
吸収され、セルの前面および背面電極部により収集する
ための電流に変換される。あるセルの前面電極部におけ
る電圧は、薄膜20の短絡領域によって、隣接するセルの
背面電極部に印加され、セルを直列接続する。2本のリ
ード線14間を横切る電圧は、各太陽電池セル12の電圧の
合計となり、パネル10全体として相対的に高い出力電圧
レベルを生ずる。
基板16と前面電極18を介して入射光(hν)を受けるよ
うに配置される。光は、領域28の光起電性材料によって
吸収され、セルの前面および背面電極部により収集する
ための電流に変換される。あるセルの前面電極部におけ
る電圧は、薄膜20の短絡領域によって、隣接するセルの
背面電極部に印加され、セルを直列接続する。2本のリ
ード線14間を横切る電圧は、各太陽電池セル12の電圧の
合計となり、パネル10全体として相対的に高い出力電圧
レベルを生ずる。
本発明によって作られたMTF太陽電池モジュールは良好
な結果が得られる。該モジュールは、10cm四方の7059ガ
ラス基板上に、18個の平行ストリップセルのアレイとし
て作られる。ガラス基板は、最初に洗剤、それから NH4OH/H2O2のエッチング、次いで水洗を用いて洗浄さ
れる。そして、該ガラスは、テトラメチル錫、CF3Brお
よびO2を含む混合ガスによる化学蒸着により設けられた
酸化錫(TO)により覆われる。結果として得られる導電
酸化物層(29)は、単位面積あたり5Ωのシート抵抗お
よび太陽光スペクトルにおける約80%の光透過を有す
る。導電層は、Thick Film Systemsにより「Conductrox
3347」の名で販売されている銀ペーストを使用して18
個の平行スティッチバー(30)のアレイとともに印刷さ
れ、該試料は550℃で焼灼されて、ほぼ0.008インチ幅の
スティッチバーが残される。そして、TOを各スティッチ
バーの側方の線に沿ってスクライブし、該TO層の溝状の
空隙を形成するのにレーザが使用される。該空隙は、各
セルを互いに絶縁するため約0.001インチの幅を有して
いる。基板の周辺における付加的なレーザスクライブ
は、セルをガラスのエッジを覆って延設されるTOから絶
縁する。
な結果が得られる。該モジュールは、10cm四方の7059ガ
ラス基板上に、18個の平行ストリップセルのアレイとし
て作られる。ガラス基板は、最初に洗剤、それから NH4OH/H2O2のエッチング、次いで水洗を用いて洗浄さ
れる。そして、該ガラスは、テトラメチル錫、CF3Brお
よびO2を含む混合ガスによる化学蒸着により設けられた
酸化錫(TO)により覆われる。結果として得られる導電
酸化物層(29)は、単位面積あたり5Ωのシート抵抗お
よび太陽光スペクトルにおける約80%の光透過を有す
る。導電層は、Thick Film Systemsにより「Conductrox
3347」の名で販売されている銀ペーストを使用して18
個の平行スティッチバー(30)のアレイとともに印刷さ
れ、該試料は550℃で焼灼されて、ほぼ0.008インチ幅の
スティッチバーが残される。そして、TOを各スティッチ
バーの側方の線に沿ってスクライブし、該TO層の溝状の
空隙を形成するのにレーザが使用される。該空隙は、各
セルを互いに絶縁するため約0.001インチの幅を有して
いる。基板の周辺における付加的なレーザスクライブ
は、セルをガラスのエッジを覆って延設されるTOから絶
縁する。
それから、上記基板は、メタノール中でリンスされ、MT
F被着反応炉中に配置されて、次のような特徴を有する
p−i−n層が作られる。
F被着反応炉中に配置されて、次のような特徴を有する
p−i−n層が作られる。
モジュールの最終層である背面コンタクト(24)は、シ
ャドウマスクを介しての蒸着によりほぼ2μの厚みに堆
積される。該マスクは、背面コンタクト層部分の間にほ
ぼ0.004インチの空隙を作り、ほぼ0.015インチの全相互
接続幅を得る。そして、該モジュールは、CF4+4%O2
100Wのグロー放電中で1.5分蝕刻され、空隙26の位置に
おける導電n型背面層によるセル間の短絡が除去され
る。
ャドウマスクを介しての蒸着によりほぼ2μの厚みに堆
積される。該マスクは、背面コンタクト層部分の間にほ
ぼ0.004インチの空隙を作り、ほぼ0.015インチの全相互
接続幅を得る。そして、該モジュールは、CF4+4%O2
100Wのグロー放電中で1.5分蝕刻され、空隙26の位置に
おける導電n型背面層によるセル間の短絡が除去され
る。
このようにして製造されたモジュールは次のような特性
を有する。
を有する。
Voc: 14.3V Isc: 70.7mA(AM-1の照光下で) フィルファクタ(FF):69.3% 効率: 7.0% 上述によれば、モノリシック薄膜太陽電池パネルの複数
のセルが連続光活性薄膜を介して直列に接続された光起
電性装置およびそれに関連する形成方法が提供されるこ
とがわかる。
のセルが連続光活性薄膜を介して直列に接続された光起
電性装置およびそれに関連する形成方法が提供されるこ
とがわかる。
以上では、代表として、本発明のある特定の実施例につ
いて述べたが、もちろん、本発明はこれらの特定の形態
に限定されるものではなく、その要旨の範囲に含まれる
全ての変形例に適用し得るものである。例えば、太陽電
池パネル10のセル12は、望むならば、ここに開示された
単なるストリップ形状以外の多種多様の形状とすること
ができる。また、その場合、セルの各面の電極は、同様
に形成され、少なくとも2個のセルを電気的に直列に接
続するため、ここに述べられた方法で相互接続される。
いて述べたが、もちろん、本発明はこれらの特定の形態
に限定されるものではなく、その要旨の範囲に含まれる
全ての変形例に適用し得るものである。例えば、太陽電
池パネル10のセル12は、望むならば、ここに開示された
単なるストリップ形状以外の多種多様の形状とすること
ができる。また、その場合、セルの各面の電極は、同様
に形成され、少なくとも2個のセルを電気的に直列に接
続するため、ここに述べられた方法で相互接続される。
本発明によれば、薄膜光起電性素子における活性層が連
続で且つパターン化されず、しかも薄膜の光起電性領域
が容易に直列接続され得る光電池装置の製造方法を提供
することができる。
続で且つパターン化されず、しかも薄膜の光起電性領域
が容易に直列接続され得る光電池装置の製造方法を提供
することができる。
第1図は本発明の一実施例により構成されるモノリシッ
ク薄膜太陽電池パネルの構成を示す斜視図、第2図は同
実施例の要部を詳細に示す第1図の2−2線に沿う断面
を展開して示す図、第3図は第2図の一部に対応する完
成状態を示す断面図である。 10……太陽電池パネル、12……太陽電池セル、14……リ
ード線、16……透明基板、18……前面電極、20……連続
薄膜、22……背面電極、24……背面電極部、28……光起
電性領域、30……スティッチバー、32……前面電極部。
ク薄膜太陽電池パネルの構成を示す斜視図、第2図は同
実施例の要部を詳細に示す第1図の2−2線に沿う断面
を展開して示す図、第3図は第2図の一部に対応する完
成状態を示す断面図である。 10……太陽電池パネル、12……太陽電池セル、14……リ
ード線、16……透明基板、18……前面電極、20……連続
薄膜、22……背面電極、24……背面電極部、28……光起
電性領域、30……スティッチバー、32……前面電極部。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ロバート・アール・ゲイ アメリカ合衆国,カリフオルニア州 91344,グラナダ・ヒルズ,カリー・アベ ニユー 11547 (72)発明者 ゲーリー,・ピー・ターナー アメリカ合衆国,カリフオルニア州 91307 カノガ・パーク,スカボロー・ピ ーク・ドライブ 7145 (56)参考文献 特開 昭58−155770(JP,A)
Claims (6)
- 【請求項1】複数の光起電性領域を定義する所定の全体
厚の光起電性連続薄膜を有する光電池装置を製造するに
あたり、 透明基板の主面上に、各々が、実質的に光起電性連続薄
膜の全体厚よりも厚い少なくとも1つのコンタクト部を
有する空隙を存して分離配置された複数の透明前面電極
手段を形成する工程と、 前面電極手段を覆って且つそれを挟んで基板の主面の上
方に光起電性連続薄膜を形成する工程と、 該光起電性連続薄膜上に空隙を存して分離配置され、各
々がそれとの間で光起電性領域を決定するある前面電極
手段を実質的に覆って配置され且つ隣接する光起電性領
域の該電極手段とコンタクト部においてオーバラップす
る複数の背面電極手段を形成する工程とからなり、 各背面電極手段とそれとオーバラップする上記コンタク
ト部との間に該光起電性連続薄膜を通して電気的接続が
完成されるようにした光電池装置の製造方法。 - 【請求項2】コンタクト部の上面が実質的に粗面とされ
ることを特徴とする特許請求の範囲第1項に記載の光電
池装置の製造方法。 - 【請求項3】各背面電極手段とオーバラップするコンタ
クト部との間の電気的接続が、該コンタクト部における
背面電極手段と光起電性連続薄膜との局部加熱により促
進されることを特徴とする特許請求の範囲第1項に記載
の光電池装置の製造方法。 - 【請求項4】背面電極手段および光起電性連続薄膜は、
所定位置においてレーザビームにより加熱される特許請
求の範囲第3項に記載の光電池装置の製造方法。 - 【請求項5】背面電極手段および光起電性連続薄膜は、
所定位置においてレーザビームにより不純物中で加熱さ
れる特許請求の範囲第3項に記載の光電池装置の製造方
法。 - 【請求項6】粉体成分を有するペーストをスクリーン印
刷により施してコンタクト部を形成させることを特徴と
する特許請求の範囲第1項に記載の光電池装置の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60072495A JPH0732259B2 (ja) | 1985-04-05 | 1985-04-05 | 光電池装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60072495A JPH0732259B2 (ja) | 1985-04-05 | 1985-04-05 | 光電池装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61234574A JPS61234574A (ja) | 1986-10-18 |
| JPH0732259B2 true JPH0732259B2 (ja) | 1995-04-10 |
Family
ID=13490962
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60072495A Expired - Lifetime JPH0732259B2 (ja) | 1985-04-05 | 1985-04-05 | 光電池装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0732259B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0650996Y2 (ja) * | 1987-01-17 | 1994-12-21 | 三洋電機株式会社 | 集積型光起電力装置 |
| JPH0217858U (ja) * | 1988-07-20 | 1990-02-06 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5853870A (ja) * | 1981-09-26 | 1983-03-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜太陽電池 |
| JPS58155770A (ja) * | 1982-03-10 | 1983-09-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | アモルフアスシリコン太陽電池用基板 |
-
1985
- 1985-04-05 JP JP60072495A patent/JPH0732259B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61234574A (ja) | 1986-10-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0195148B1 (en) | Photovoltaic device and method of manufacture | |
| US4754544A (en) | Extremely lightweight, flexible semiconductor device arrays | |
| US5133809A (en) | Photovoltaic device and process for manufacturing the same | |
| US4865999A (en) | Solar cell fabrication method | |
| US4849029A (en) | Energy conversion structures | |
| US6468828B1 (en) | Method of manufacturing lightweight, high efficiency photovoltaic module | |
| US5259891A (en) | Integrated type solar battery | |
| US5385614A (en) | Series interconnected photovoltaic cells and method for making same | |
| JP2986875B2 (ja) | 集積化太陽電池 | |
| EP0189976A2 (en) | Extremely lightweight, flexible semiconductor device arrays and method of making same | |
| JPH0851229A (ja) | 集積型太陽電池およびその製造方法 | |
| JPH0744286B2 (ja) | 非晶質光発電素子モジュールの製造方法 | |
| JP2000150929A (ja) | 光起電力素子およびその製造方法 | |
| JPH0732259B2 (ja) | 光電池装置の製造方法 | |
| GB2108755A (en) | Thin film devices having diffused interconnections | |
| JP4082651B2 (ja) | 太陽電池モジュールの製造方法 | |
| JP6792709B2 (ja) | 光電変換装置、それを備える太陽電池ストリングおよびそれらのいずれかを備える太陽電池モジュール | |
| JP3696757B2 (ja) | 太陽電池の接続方法および接続金具ならびに太陽電池モジュール | |
| JP2598967B2 (ja) | 光起電力装置の製造方法 | |
| JPH07105511B2 (ja) | 光起電力装置の製造方法 | |
| CN121665821A (zh) | 一种钙钛矿太阳电池串联组件及其集成制备方法 | |
| JPH04320380A (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
| JPH06177408A (ja) | 薄膜太陽電池およびその製造方法 | |
| JP2726045B2 (ja) | 光発電装置 | |
| JP2002270868A (ja) | 集積型光起電力装置及びその製造方法 |