JPH0732287B2 - 半導体レ−ザ装置 - Google Patents
半導体レ−ザ装置Info
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- JPH0732287B2 JPH0732287B2 JP7351586A JP7351586A JPH0732287B2 JP H0732287 B2 JPH0732287 B2 JP H0732287B2 JP 7351586 A JP7351586 A JP 7351586A JP 7351586 A JP7351586 A JP 7351586A JP H0732287 B2 JPH0732287 B2 JP H0732287B2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/028—Coatings ; Treatment of the laser facets, e.g. etching, passivation layers or reflecting layers
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
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- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、光ディスクメモリの記録・消去や医療機器等
に用いられる半導体レーザ装置に関するものである。
に用いられる半導体レーザ装置に関するものである。
従来の技術 光出力が30〜40mW以上の高出力半導体レーザは、光ディ
スクメモリの記録・消去等に必要な素子であり、近年益
々その需要が増大している。
スクメモリの記録・消去等に必要な素子であり、近年益
々その需要が増大している。
半導体レーザの最大光出力を決める要因は、レーザ共振
器端面における光密度である。GaAlAs結晶から成る半導
体レーザでは、端面での光密度が106W／cm2を越える
と、熱のために結晶が溶融し端面が破壊される。端面で
の光密度を下げる方法として、端面での発光面積を大き
くするのと、端面反射率を下げる方法がとられる。
器端面における光密度である。GaAlAs結晶から成る半導
体レーザでは、端面での光密度が106W／cm2を越える
と、熱のために結晶が溶融し端面が破壊される。端面で
の光密度を下げる方法として、端面での発光面積を大き
くするのと、端面反射率を下げる方法がとられる。
半導体レーザは共振器を劈開によって作製するのが一般
的であり、端面反射率は約30％である。通常片側の端面
のレーザ光を利用し、他の端面からのレーザ光はモニタ
出力を得るために受光素子で受けることが多いので、モ
ニタ光を得る方の端面（後端面）の反射率は高くし、こ
の端面からの出射レーザ光は少なくする。レーザ光を外
部に取り出す方の端面（前端面）の反射率を下げると、
レーザ発振のしきい値は増大するが、微分効率は増大す
る。その結果、高出力では動作電流を減少させることが
できる。第４図に動作電流を最小にする前端面反射率の
計算結果を示す。光出力が高くなるほど、前面反射率を
低くする必要があることがわかる。
的であり、端面反射率は約30％である。通常片側の端面
のレーザ光を利用し、他の端面からのレーザ光はモニタ
出力を得るために受光素子で受けることが多いので、モ
ニタ光を得る方の端面（後端面）の反射率は高くし、こ
の端面からの出射レーザ光は少なくする。レーザ光を外
部に取り出す方の端面（前端面）の反射率を下げると、
レーザ発振のしきい値は増大するが、微分効率は増大す
る。その結果、高出力では動作電流を減少させることが
できる。第４図に動作電流を最小にする前端面反射率の
計算結果を示す。光出力が高くなるほど、前面反射率を
低くする必要があることがわかる。
端面反射率を下げる方法として、端面に薄膜を被着させ
るのが一般に用いられている。GaAs結晶にAl2O3膜を被
着させた時、Al2O3の膜厚が0.25波長（屈折率を1.65と
し、波長が8000Åとすると1212Å）のときに反射率は最
小（約２％）となる。
るのが一般に用いられている。GaAs結晶にAl2O3膜を被
着させた時、Al2O3の膜厚が0.25波長（屈折率を1.65と
し、波長が8000Åとすると1212Å）のときに反射率は最
小（約２％）となる。
発明が解決しようとする問題点 しかしながら、前記のような構成では、反射率を十分に
下げることができず、そのため高い光出力を得ることが
できなかった。
下げることができず、そのため高い光出力を得ることが
できなかった。
本発明は、前記欠点に鑑み、反射率のきわめて小さい端
面コート膜が被着された半導体レーザ装置を提供するも
のである。
面コート膜が被着された半導体レーザ装置を提供するも
のである。
問題点を解決するための手段 本発明は、端面にまずAl2O3膜を0.15波長の膜厚に被着
し、その上に0.035から0.050波長の膜厚のSi膜を被着す
るか、あるいはAl2O3膜を0.35波長の膜厚に被着し、こ
の上に0.45から0.47波長の膜厚のSi膜を被着させたもの
である。
し、その上に0.035から0.050波長の膜厚のSi膜を被着す
るか、あるいはAl2O3膜を0.35波長の膜厚に被着し、こ
の上に0.45から0.47波長の膜厚のSi膜を被着させたもの
である。
作用 このように端面に２層膜を付着させることにより、端面
反射率を２％以下にすることができる。
反射率を２％以下にすることができる。
実施例 本発明の実施例を以下に述べる。第１図は本発明による
端面コート膜を有する半導体レーザ装置の外観図であ
る。後端面からのレーザ光は、通常ホトダイオードで受
光してモニタ出力を得るのみに用いられるので、この端
面には0.25波長の膜厚のAl2O3１とSi2を交互に４層被着
し、端面反射率を約92％にまで高めている。前端面には
0.15波長の膜厚のAl2O3と、0.04波長の膜厚のSi4を被着
している。
端面コート膜を有する半導体レーザ装置の外観図であ
る。後端面からのレーザ光は、通常ホトダイオードで受
光してモニタ出力を得るのみに用いられるので、この端
面には0.25波長の膜厚のAl2O3１とSi2を交互に４層被着
し、端面反射率を約92％にまで高めている。前端面には
0.15波長の膜厚のAl2O3と、0.04波長の膜厚のSi4を被着
している。
第２図に、0.15と0.35波長のAl2O3膜上に、Siを被着さ
せた時の反射率の変化を示す。
せた時の反射率の変化を示す。
Al2O3が0.15波長のときは、Siが約0.045波長で反射率が
極小となり、その値は約0.01％である。またAl2O3が0.3
5波長のときは、Siが約0.455波長で極小の反射率とな
る。実際に用いる場合には、Si膜に若干の吸収があるた
め、Si膜を薄くする条件の前者の方がより良い。
極小となり、その値は約0.01％である。またAl2O3が0.3
5波長のときは、Siが約0.455波長で極小の反射率とな
る。実際に用いる場合には、Si膜に若干の吸収があるた
め、Si膜を薄くする条件の前者の方がより良い。
第３図に本発明の端面コート膜を有する半導体レーザ装
置の電流−光出力特性を示す。後端面はどちらも、Al2O
3/Siの４層コートで反射率を92％としている。Ｂの素子
は、前面に0.25波長の膜厚のAl2O3が被着され、反射率
は２％程度となっている。本発明のコートを施した素子
Ａでは、40mW以上の光出力で動作電流がそれ以上の光出
力ではＢの素子よりも小さくなっている。動作電流がよ
り減少することと、端面での結晶内部の光密度の減少に
よって、半導体レーザ装置の高出力での信頼性が向上す
る。
置の電流−光出力特性を示す。後端面はどちらも、Al2O
3/Siの４層コートで反射率を92％としている。Ｂの素子
は、前面に0.25波長の膜厚のAl2O3が被着され、反射率
は２％程度となっている。本発明のコートを施した素子
Ａでは、40mW以上の光出力で動作電流がそれ以上の光出
力ではＢの素子よりも小さくなっている。動作電流がよ
り減少することと、端面での結晶内部の光密度の減少に
よって、半導体レーザ装置の高出力での信頼性が向上す
る。
発明の効果 以上のように本発明による端面コート膜を用いれば、高
出力半導体レーザ装置が得られ、また信頼性も向上し、
大なる効果を有する。
出力半導体レーザ装置が得られ、また信頼性も向上し、
大なる効果を有する。
第１図は本発明の半導体レーザ装置の外観図、第２図は
Si膜の膜厚に対する反射率を示す図、第３図は電流−光
出力特性を示す図、そして第４図は動作電流を最小にす
る端面反射率の計算結果を示す図である。 1,3……Al2O3膜、2,4……Si膜。
Si膜の膜厚に対する反射率を示す図、第３図は電流−光
出力特性を示す図、そして第４図は動作電流を最小にす
る端面反射率の計算結果を示す図である。 1,3……Al2O3膜、2,4……Si膜。
Claims (1)
- 【請求項１】共振器端面の少なくとも一方に、0.15波長
に相当する厚さのAl2O3膜と、その上に0.035波長から0.
050波長に相当する厚さのSi膜を有するか、もしくは、
0.35波長に相当する厚さのAl2O3膜と、その上に0.45波
長から0.47波長に相当する厚さのSi膜を有していること
を特徴とする半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7351586A JPH0732287B2 (ja) | 1986-03-31 | 1986-03-31 | 半導体レ−ザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7351586A JPH0732287B2 (ja) | 1986-03-31 | 1986-03-31 | 半導体レ−ザ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62230076A JPS62230076A (ja) | 1987-10-08 |
| JPH0732287B2 true JPH0732287B2 (ja) | 1995-04-10 |
Family
ID=13520458
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7351586A Expired - Lifetime JPH0732287B2 (ja) | 1986-03-31 | 1986-03-31 | 半導体レ−ザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0732287B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5031186A (en) * | 1989-03-15 | 1991-07-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor laser device |
| JP4286683B2 (ja) | 2004-02-27 | 2009-07-01 | ローム株式会社 | 半導体レーザ |
| JP2008060472A (ja) | 2006-09-01 | 2008-03-13 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体レーザ及びその製造方法 |
-
1986
- 1986-03-31 JP JP7351586A patent/JPH0732287B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62230076A (ja) | 1987-10-08 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |