JPH07330427A - 誘電体磁器組成物 - Google Patents
誘電体磁器組成物Info
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- JPH07330427A JPH07330427A JP6118415A JP11841594A JPH07330427A JP H07330427 A JPH07330427 A JP H07330427A JP 6118415 A JP6118415 A JP 6118415A JP 11841594 A JP11841594 A JP 11841594A JP H07330427 A JPH07330427 A JP H07330427A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】ＡｇやＣｕ等の導体金属と同時に焼成できると
ともに、ガラスと誘電体粒子との反応を抑制して高い比
誘電率を得ることができる誘電体磁器組成物を提供す
る。 【構成】金属元素を少なくとも２種以上を含有する酸化
物からなり、その表面がアルミナで被覆されている誘電
体粒子３０〜７０体積％と、ガラス７０〜３０体積％と
からなるものであり、誘電体粒子としては、高周波用材
料として（Ｍｇ0. 95Ｃａ0.05）ＴｉＯ3 、Ｂａ2 Ｔｉ9
Ｏ20等のチタン酸塩やＢａ（Ｍｇ1/3 Ｔａ2/3 ）Ｏ3 、
コンデンサ材料として用いられるＢａＴｉＯ3 、ＣａＴ
ｉＯ3 、ＳｒＴｉＯ3 が使用される。
ともに、ガラスと誘電体粒子との反応を抑制して高い比
誘電率を得ることができる誘電体磁器組成物を提供す
る。 【構成】金属元素を少なくとも２種以上を含有する酸化
物からなり、その表面がアルミナで被覆されている誘電
体粒子３０〜７０体積％と、ガラス７０〜３０体積％と
からなるものであり、誘電体粒子としては、高周波用材
料として（Ｍｇ0. 95Ｃａ0.05）ＴｉＯ3 、Ｂａ2 Ｔｉ9
Ｏ20等のチタン酸塩やＢａ（Ｍｇ1/3 Ｔａ2/3 ）Ｏ3 、
コンデンサ材料として用いられるＢａＴｉＯ3 、ＣａＴ
ｉＯ3 、ＳｒＴｉＯ3 が使用される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、誘電体粒子とガラスか
らなる誘電体磁器組成物に関するものであり、特に高周
波領域で使用する電子回路基板や電子部品等に適用され
る誘電体磁器組成物に関するものである。
らなる誘電体磁器組成物に関するものであり、特に高周
波領域で使用する電子回路基板や電子部品等に適用され
る誘電体磁器組成物に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より誘電体材料として各種誘電体セ
ラミックスが電子回路基板や電子部品等に広く使用され
ており、近年、携帯電話に代表される移動体通信等の高
周波機器の発展と普及に伴い、高周波領域で使用する電
子回路基板や電子部品として誘電体セラミックスが積極
的に利用されるようになってきた。
ラミックスが電子回路基板や電子部品等に広く使用され
ており、近年、携帯電話に代表される移動体通信等の高
周波機器の発展と普及に伴い、高周波領域で使用する電
子回路基板や電子部品として誘電体セラミックスが積極
的に利用されるようになってきた。
【０００３】前記誘電体セラミックスからなる電子回路
基板等と導体とを同時焼成するに際しては、基板上に印
刷された導体が誘電体セラミックスの焼成温度で溶融す
ることがないように、該導体には、アルミナ、ステアタ
イト、フォルステライト等の誘電体セラミックスの焼成
温度よりも高い融点を有する、例えば、Ｐｔ、Ｐｄ、
Ｗ、Ｍｏ等の金属が用いられていた。
基板等と導体とを同時焼成するに際しては、基板上に印
刷された導体が誘電体セラミックスの焼成温度で溶融す
ることがないように、該導体には、アルミナ、ステアタ
イト、フォルステライト等の誘電体セラミックスの焼成
温度よりも高い融点を有する、例えば、Ｐｔ、Ｐｄ、
Ｗ、Ｍｏ等の金属が用いられていた。
【０００４】しかしながら、前記金属は導通抵抗が大き
いことから、従来の電子回路基板では、共振回路やイン
ダクタンスのＱ値が小さくなってしまい、導体線路の伝
送損失が大きくなる等の問題があった。従来、上記のよ
うな問題点を解消するために導通抵抗の小さいＡｇやＣ
ｕ等の金属を導体に採用し、低温で同時焼成できる磁器
として、特開昭５９−１０７５９６号公報に開示される
ものが知られている。
いことから、従来の電子回路基板では、共振回路やイン
ダクタンスのＱ値が小さくなってしまい、導体線路の伝
送損失が大きくなる等の問題があった。従来、上記のよ
うな問題点を解消するために導通抵抗の小さいＡｇやＣ
ｕ等の金属を導体に採用し、低温で同時焼成できる磁器
として、特開昭５９−１０７５９６号公報に開示される
ものが知られている。
【０００５】この公報に開示される磁器は、ガラスと、
セラミックフィラーとしての石英ガラス等からなること
が開示されている。
セラミックフィラーとしての石英ガラス等からなること
が開示されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この特
開昭５９−１０７５９６号公報に開示される磁器組成物
は多層配線回路基板に用いられるもので、電子回路の信
号伝達速度を高速とするため１ＭＨｚでの比誘電率εr
が５以下と非常に小さく、また誘電損失も大きいため、
高誘電率で高Ｑ値が要求される電子部品等の誘電体磁器
組成物としては全く適さなかった。
開昭５９−１０７５９６号公報に開示される磁器組成物
は多層配線回路基板に用いられるもので、電子回路の信
号伝達速度を高速とするため１ＭＨｚでの比誘電率εr
が５以下と非常に小さく、また誘電損失も大きいため、
高誘電率で高Ｑ値が要求される電子部品等の誘電体磁器
組成物としては全く適さなかった。
【０００７】また、従来、高い比誘電率を有する誘電体
磁器組成物としてＢａＴｉＯ3 、ＣａＴｉＯ3 が知られ
ているが、この誘電体磁器組成物をセラミックフィラー
とし、これにガラスを添加した場合には、フィラーとガ
ラスが反応し、高い比誘電率を有する誘電体材料を用い
たとしても、比誘電率が低下するという問題があった。
これは、フィラーとガラスが反応し、誘電体粒子の結晶
構造が崩れ、本来誘電体粒子が有する高誘電率、高Ｑ値
等の特性が得られなくなるからである。このような傾向
は、より低温で焼成するためにガラス成分を多量に添加
する程顕著となるため、従来では、比誘電率等を維持す
るためガラスの添加は僅かであり、焼成温度もこれに伴
い高かった。
磁器組成物としてＢａＴｉＯ3 、ＣａＴｉＯ3 が知られ
ているが、この誘電体磁器組成物をセラミックフィラー
とし、これにガラスを添加した場合には、フィラーとガ
ラスが反応し、高い比誘電率を有する誘電体材料を用い
たとしても、比誘電率が低下するという問題があった。
これは、フィラーとガラスが反応し、誘電体粒子の結晶
構造が崩れ、本来誘電体粒子が有する高誘電率、高Ｑ値
等の特性が得られなくなるからである。このような傾向
は、より低温で焼成するためにガラス成分を多量に添加
する程顕著となるため、従来では、比誘電率等を維持す
るためガラスの添加は僅かであり、焼成温度もこれに伴
い高かった。
【０００８】本発明は上記課題に鑑みなされたもので、
ガラス成分を比較的多量に含む誘電体磁器組成物であっ
て、８５０〜９５０℃の比較的低温でＡｇやＣｕ等の導
体金属と同時に焼成できるとともに、ガラスとセラミッ
クフィラーとの反応を抑制することができる誘電体磁器
組成物を提供することを目的とする。
ガラス成分を比較的多量に含む誘電体磁器組成物であっ
て、８５０〜９５０℃の比較的低温でＡｇやＣｕ等の導
体金属と同時に焼成できるとともに、ガラスとセラミッ
クフィラーとの反応を抑制することができる誘電体磁器
組成物を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、金属元素
を少なくとも２種以上を含有する酸化物で表面をアルミ
ナで被覆した誘電体粒子（セラミックフィラー）とガラ
スからなる誘電体磁器組成物は、ガラスとセラミックフ
ィラーとの反応を抑制することができることを見出し、
本発明に到った。
を少なくとも２種以上を含有する酸化物で表面をアルミ
ナで被覆した誘電体粒子（セラミックフィラー）とガラ
スからなる誘電体磁器組成物は、ガラスとセラミックフ
ィラーとの反応を抑制することができることを見出し、
本発明に到った。
【００１０】即ち、本発明の誘電体磁器組成物は、金属
元素を少なくとも２種以上を含有する酸化物からなり、
その表面がアルミナで被覆されている誘電体粒子３０〜
７０体積％と、ガラス７０〜３０体積％とからなるもの
である。
元素を少なくとも２種以上を含有する酸化物からなり、
その表面がアルミナで被覆されている誘電体粒子３０〜
７０体積％と、ガラス７０〜３０体積％とからなるもの
である。
【００１１】誘電体粒子としては、高周波材料として用
いられる（Ｍｇ0.95Ｃａ0.05）ＴｉＯ3 、Ｂａ2 Ｔｉ9
Ｏ20等のチタン酸塩やＢａ（Ｍｇ1/3 Ｔａ2/3 ）Ｏ3 、
Ｌａ（Ｍｇ1/3 Ｔｉ2/3 ）Ｏ3 −ＣａＴｉＯ3 、コンデ
ンサ材料として用いられるＢａＴｉＯ3 、ＣａＴｉ
Ｏ3 、ＳｒＴｉＯ3 等の金属元素を少なくとも２種以上
を含有したものが使用されるが、上記に限定されること
なく、従来知られている高誘電率材料であっても良い。
いられる（Ｍｇ0.95Ｃａ0.05）ＴｉＯ3 、Ｂａ2 Ｔｉ9
Ｏ20等のチタン酸塩やＢａ（Ｍｇ1/3 Ｔａ2/3 ）Ｏ3 、
Ｌａ（Ｍｇ1/3 Ｔｉ2/3 ）Ｏ3 −ＣａＴｉＯ3 、コンデ
ンサ材料として用いられるＢａＴｉＯ3 、ＣａＴｉ
Ｏ3 、ＳｒＴｉＯ3 等の金属元素を少なくとも２種以上
を含有したものが使用されるが、上記に限定されること
なく、従来知られている高誘電率材料であっても良い。
【００１２】本発明によれば、この誘電体粒子の表面が
アルミナにより被覆されている。アルミナの被覆は、例
えば、水酸化アルミニウムの溶液を誘電体粒子に吹き付
け、熱処理したり、また、誘電体粒子にスパッタリング
することにより行われるが、アルミナ被覆層は０．０１
〜１μｍ程度形成することが望ましい。このようにアル
ミナで被覆した誘電体粒子を用いることにより、焼結体
中において、誘電体粒子とガラスとの間にアルミナが存
在するため、誘電体粒子がガラスと直接接触することが
なく、分散された組織となる。これにより、誘電体粒子
とガラスとの反応が抑制され、高Ｑ値と高比誘電率をも
った材料が得られる。
アルミナにより被覆されている。アルミナの被覆は、例
えば、水酸化アルミニウムの溶液を誘電体粒子に吹き付
け、熱処理したり、また、誘電体粒子にスパッタリング
することにより行われるが、アルミナ被覆層は０．０１
〜１μｍ程度形成することが望ましい。このようにアル
ミナで被覆した誘電体粒子を用いることにより、焼結体
中において、誘電体粒子とガラスとの間にアルミナが存
在するため、誘電体粒子がガラスと直接接触することが
なく、分散された組織となる。これにより、誘電体粒子
とガラスとの反応が抑制され、高Ｑ値と高比誘電率をも
った材料が得られる。
【００１３】本発明において、磁器組成物中の誘電体粒
子量を３０〜７０体積％と、ガラス量を３０〜７０体積
％に限定したのは、誘電体粒子が３０体積％よりも少な
い場合（ガラスが７０体積％よりも多い場合）には、焼
成温度が低下し、Ｑ値および比誘電率が低下するからで
ある。誘電体粒子が７０体積％よりも多い場合（ガラス
が３０体積％よりも少ない場合）には、焼成温度が９５
０℃以上に上昇し、反応によるボイドが多数発生し、比
誘電率およびＱ値が低下するからである。誘電体粒子は
４０〜７０体積％、ガラスは６０〜３０体積％が望まし
い。
子量を３０〜７０体積％と、ガラス量を３０〜７０体積
％に限定したのは、誘電体粒子が３０体積％よりも少な
い場合（ガラスが７０体積％よりも多い場合）には、焼
成温度が低下し、Ｑ値および比誘電率が低下するからで
ある。誘電体粒子が７０体積％よりも多い場合（ガラス
が３０体積％よりも少ない場合）には、焼成温度が９５
０℃以上に上昇し、反応によるボイドが多数発生し、比
誘電率およびＱ値が低下するからである。誘電体粒子は
４０〜７０体積％、ガラスは６０〜３０体積％が望まし
い。
【００１４】本発明において用いられるガラスは、その
軟化温度Ｔｓが１０００℃以下であることが望ましい
が、これは、軟化温度Ｔｓが１０００℃よりも高い場合
には、８５０〜９５０℃の焼成温度では緻密化しなくな
るからである。具体的なガラスの組成としては、例え
ば、ＳｉＯ2 を３０〜８０重量％、Ｂ2 Ｏ3 を３〜２０
重量％、ＢａＯを５〜３０重量％、Ａｌ2 Ｏ3 を３〜１
０重量％、ＣａＯを３〜１５重量％からなるものがあ
る。
軟化温度Ｔｓが１０００℃以下であることが望ましい
が、これは、軟化温度Ｔｓが１０００℃よりも高い場合
には、８５０〜９５０℃の焼成温度では緻密化しなくな
るからである。具体的なガラスの組成としては、例え
ば、ＳｉＯ2 を３０〜８０重量％、Ｂ2 Ｏ3 を３〜２０
重量％、ＢａＯを５〜３０重量％、Ａｌ2 Ｏ3 を３〜１
０重量％、ＣａＯを３〜１５重量％からなるものがあ
る。
【００１５】本発明の誘電体磁器組成物は、例えば、そ
れ自体がコンデンサとなる電子部品や周知のガラスセラ
ミック基板内に内蔵される誘電体層として用いられる。
その場合ガラスセラミック基板と同時焼成も可能であ
る。
れ自体がコンデンサとなる電子部品や周知のガラスセラ
ミック基板内に内蔵される誘電体層として用いられる。
その場合ガラスセラミック基板と同時焼成も可能であ
る。
【００１６】本発明の誘電体磁器組成物は、先ず、アル
ミナで被覆した誘電体粒子を作製する。例えば、ＢａＴ
ｉＯ3 からなる誘電体粒子をアルミナで被覆する場合に
は、ＢａＴｉＯ3 の原料となるＢａＣＯ3 およびＴｉＯ
2 をボールミルを用いて湿式混合し、この混合物を乾燥
した後、１１００〜１４００℃で１〜４時間仮焼し、こ
れを粉砕してＢａＴｉＯ3 からなる誘電体粒子を得る。
このようなＢａＴｉＯ3 は原料として市販されているも
のを最初から使用しても良い。この後、水酸化アルミニ
ウムの溶液を誘電体粒子に吹き付け、水酸化アルミニウ
ムの被覆層を形成した後、１０００〜１２００℃で熱処
理することにより、誘電体粒子にアルミナを被覆する。
ミナで被覆した誘電体粒子を作製する。例えば、ＢａＴ
ｉＯ3 からなる誘電体粒子をアルミナで被覆する場合に
は、ＢａＴｉＯ3 の原料となるＢａＣＯ3 およびＴｉＯ
2 をボールミルを用いて湿式混合し、この混合物を乾燥
した後、１１００〜１４００℃で１〜４時間仮焼し、こ
れを粉砕してＢａＴｉＯ3 からなる誘電体粒子を得る。
このようなＢａＴｉＯ3 は原料として市販されているも
のを最初から使用しても良い。この後、水酸化アルミニ
ウムの溶液を誘電体粒子に吹き付け、水酸化アルミニウ
ムの被覆層を形成した後、１０００〜１２００℃で熱処
理することにより、誘電体粒子にアルミナを被覆する。
【００１７】そして、このようなアルミナで被覆された
誘電体粒子と、例えば、ＳｉＯ2 ，Ｂ2 Ｏ3 ，Ａｌ2 Ｏ
3 等を含有するガラスを上記した組成で添加混合し、こ
の混合物にバインダーを添加して整粒し、得られた粉末
を、例えば、ドクターブレード法やプレス成形により所
定形状に成形し、３００〜５００℃で２〜１２時間脱バ
インダー処理し、さらに８５０〜９５０℃の温度で０．
１〜２時間、大気中或いは窒素雰囲気中で焼成する。
誘電体粒子と、例えば、ＳｉＯ2 ，Ｂ2 Ｏ3 ，Ａｌ2 Ｏ
3 等を含有するガラスを上記した組成で添加混合し、こ
の混合物にバインダーを添加して整粒し、得られた粉末
を、例えば、ドクターブレード法やプレス成形により所
定形状に成形し、３００〜５００℃で２〜１２時間脱バ
インダー処理し、さらに８５０〜９５０℃の温度で０．
１〜２時間、大気中或いは窒素雰囲気中で焼成する。
【００１８】また、導体と同時に焼成する場合には上記
成形体表面にＡｇやＣｕの導体ペーストをスクリーン印
刷して所望により積層圧着した後、上記と同様な条件で
焼成すれば良い。Ｃｕの導体を同時焼成する場合には、
酸化を防止するため窒素雰囲気中で焼成する。
成形体表面にＡｇやＣｕの導体ペーストをスクリーン印
刷して所望により積層圧着した後、上記と同様な条件で
焼成すれば良い。Ｃｕの導体を同時焼成する場合には、
酸化を防止するため窒素雰囲気中で焼成する。
【００１９】本発明は、アルミナで被覆した誘電体粒子
とガラスからなるものであるが、誘電体粒子やガラスか
ら混入する不純物が混入しても良いし、さらに、製造過
程においては、粉砕用のボールから混入する元素等を含
有しても良い。
とガラスからなるものであるが、誘電体粒子やガラスか
ら混入する不純物が混入しても良いし、さらに、製造過
程においては、粉砕用のボールから混入する元素等を含
有しても良い。
【００２０】
【作用】本発明の誘電体磁器組成物では、比較的ガラス
を多量に含有する場合であっても、ガラスと誘電体粒子
との反応を抑制することができるとともに、８５０〜９
５０℃の比較的低温でＡｇやＣｕ等の導体金属と同時に
焼成でき、さらに、高い比誘電率を得ることができる。
を多量に含有する場合であっても、ガラスと誘電体粒子
との反応を抑制することができるとともに、８５０〜９
５０℃の比較的低温でＡｇやＣｕ等の導体金属と同時に
焼成でき、さらに、高い比誘電率を得ることができる。
【００２１】
【実施例】以下、本発明の誘電体磁器組成物を実施例に
基づいて詳細に説明する。先ず、（Ｍｇ0.95Ｃａ0.05）
ＴｉＯ3 からなる誘電体粒子を作製するために、出発原
料としてＭｇＣＯ3 ，ＣａＣＯ3 ，ＴｉＯ2 を準備し、
組成が上記組成となるように秤量後、純水を加え、めの
う玉石を用いて２４時間湿式混合を行った。この混合物
を乾燥後、１２００℃で１時間仮焼した。さらに、純水
とめのう玉石を用いて平均結晶粒径が０．５〜５μｍの
適度な粒径に調製し、これを誘電体粒子とした。
基づいて詳細に説明する。先ず、（Ｍｇ0.95Ｃａ0.05）
ＴｉＯ3 からなる誘電体粒子を作製するために、出発原
料としてＭｇＣＯ3 ，ＣａＣＯ3 ，ＴｉＯ2 を準備し、
組成が上記組成となるように秤量後、純水を加え、めの
う玉石を用いて２４時間湿式混合を行った。この混合物
を乾燥後、１２００℃で１時間仮焼した。さらに、純水
とめのう玉石を用いて平均結晶粒径が０．５〜５μｍの
適度な粒径に調製し、これを誘電体粒子とした。
【００２２】そして、この誘電体粒子を水酸化アルミニ
ウムの溶液を吹き付け、１０００℃で熱処理することに
より、誘電体粒子をアルミナで被覆した。
ウムの溶液を吹き付け、１０００℃で熱処理することに
より、誘電体粒子をアルミナで被覆した。
【００２３】また、ＳｉＯ2 を５０重量％、Ｂ2 Ｏ3 を
１０重量％、ＢａＯを２５重量％、Ａｌ2 Ｏ3 を５重量
％、ＣａＯを１２重量％を含有する硼珪酸ガラス（軟化
温度Ｔｓ８００℃）を準備し、前述した誘電体粒子と硼
珪酸ガラスを、その比が表１になるように秤量後、純水
を添加し、めのう玉石を用いて２４時間湿式混合を行っ
た。この混合物に約１重量％のバインダーとしてポリビ
ニルアルコールを添加して整粒し、得られた粉末を１ｔ
ｏｎ／ｃｍ2 の圧力でプレス成形し、直径２０ｍｍ、高
さ１０ｍｍの歪みのない円柱状の成形体を作製した。こ
の後、この成形体を４００℃で４時間脱バインダー処理
し、さらに表１に示す温度で３０分間大気中で焼成し
た。
１０重量％、ＢａＯを２５重量％、Ａｌ2 Ｏ3 を５重量
％、ＣａＯを１２重量％を含有する硼珪酸ガラス（軟化
温度Ｔｓ８００℃）を準備し、前述した誘電体粒子と硼
珪酸ガラスを、その比が表１になるように秤量後、純水
を添加し、めのう玉石を用いて２４時間湿式混合を行っ
た。この混合物に約１重量％のバインダーとしてポリビ
ニルアルコールを添加して整粒し、得られた粉末を１ｔ
ｏｎ／ｃｍ2 の圧力でプレス成形し、直径２０ｍｍ、高
さ１０ｍｍの歪みのない円柱状の成形体を作製した。こ
の後、この成形体を４００℃で４時間脱バインダー処理
し、さらに表１に示す温度で３０分間大気中で焼成し
た。
【００２４】得られた磁器を平面研磨および円筒研削し
試料を得た。この試料を用いて誘電体円柱共振器法によ
り共振周波数６ＧＨｚにて比誘電率，Ｑ値を測定し、ま
た、−４０〜＋８５℃までの温度範囲における共振周波
数の温度変化を測定し共振周波数の温度係数（τｆ）を
計算した。これらの結果を表１に示した。
試料を得た。この試料を用いて誘電体円柱共振器法によ
り共振周波数６ＧＨｚにて比誘電率，Ｑ値を測定し、ま
た、−４０〜＋８５℃までの温度範囲における共振周波
数の温度変化を測定し共振周波数の温度係数（τｆ）を
計算した。これらの結果を表１に示した。
【００２５】
【表１】
【００２６】この表１の結果から、本発明の誘電体磁器
組成物では、８５０〜９５０℃で焼成することができる
とともに、比誘電率が９．５以上、Ｑ値が５８０以上、
温度係数（τｆ）が０〜５ｐｐｍ／℃以内であり、焼結
体自体のボイド状態も良好であった。
組成物では、８５０〜９５０℃で焼成することができる
とともに、比誘電率が９．５以上、Ｑ値が５８０以上、
温度係数（τｆ）が０〜５ｐｐｍ／℃以内であり、焼結
体自体のボイド状態も良好であった。
【００２７】尚、本発明者等は、得られた試料Ｎo.２〜
６をＸ線回折装置により誘電体粒子を調べたところ、誘
電体粒子の相が殆ど残存していることを確認でき、ガラ
スと誘電体粒子が反応していないことを確認した。
６をＸ線回折装置により誘電体粒子を調べたところ、誘
電体粒子の相が殆ど残存していることを確認でき、ガラ
スと誘電体粒子が反応していないことを確認した。
【００２８】また、比較例としてアルミナをコーティン
グしなかった試料（試料Ｎo.８）を作製したところ、比
誘電率が低く、また、Ｑ値が低くて測定不能であった。
グしなかった試料（試料Ｎo.８）を作製したところ、比
誘電率が低く、また、Ｑ値が低くて測定不能であった。
【００２９】実施例２ 本発明者等は、上記実施例１において、誘電体粒子をＢ
ａ（Ｍｇ1/3 Ｔａ2/3）Ｏ3 、Ｂａ2 Ｔｉ9 Ｏ20に置き
換えた以外は上記実施例と同様にして実験を行った。こ
の結果を表１に示した。
ａ（Ｍｇ1/3 Ｔａ2/3）Ｏ3 、Ｂａ2 Ｔｉ9 Ｏ20に置き
換えた以外は上記実施例と同様にして実験を行った。こ
の結果を表１に示した。
【００３０】また、誘電体粒子を、ＢａＴｉＯ3 、Ｃａ
ＴｉＯ3 、ＳｒＴｉＯ3 に置き換えた以外は上記実施例
と同様にして実験を行った。この結果を表２に示した。
ＴｉＯ3 、ＳｒＴｉＯ3 に置き換えた以外は上記実施例
と同様にして実験を行った。この結果を表２に示した。
【００３１】
【表２】
【００３２】尚、ＢａＴｉＯ3 、ＣａＴｉＯ3 、ＳｒＴ
ｉＯ3 はコンデンサ材料として使用されるため、温度係
数（τｆ）は測定しなかった。
ｉＯ3 はコンデンサ材料として使用されるため、温度係
数（τｆ）は測定しなかった。
【００３３】これらの表１，２より、本発明の誘電体磁
器組成物では、８５０〜９５０℃で焼成することができ
るとともに、高い比誘電率を得ることができ、焼結体自
体のボイド状態も良好であった。
器組成物では、８５０〜９５０℃で焼成することができ
るとともに、高い比誘電率を得ることができ、焼結体自
体のボイド状態も良好であった。
【００３４】
【発明の効果】本発明の誘電体磁器組成物は、８５０〜
９５０℃の比較的低温でＡｇやＣｕ等の導体金属と同時
に焼成でき、さらに、ガラスと誘電体粒子との反応を抑
制して高い比誘電率を得ることができ、高周波電子回路
基板の小型化と高性能化を実現できる。また、コンデン
サ材料としても優れた特性を有する。
９５０℃の比較的低温でＡｇやＣｕ等の導体金属と同時
に焼成でき、さらに、ガラスと誘電体粒子との反応を抑
制して高い比誘電率を得ることができ、高周波電子回路
基板の小型化と高性能化を実現できる。また、コンデン
サ材料としても優れた特性を有する。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 井本 晃 鹿児島県国分市山下町１番１号 京セラ株 式会社鹿児島国分工場内 (72)発明者 藤川 信儀 鹿児島県国分市山下町１番４号 京セラ株 式会社総合研究所内
Claims (1)
- 【請求項１】金属元素を少なくとも２種以上を含有する
酸化物からなり、その表面がアルミナで被覆されている
誘電体粒子３０〜７０体積％と、ガラス７０〜３０体積
％とからなることを特徴とする誘電体磁器組成物。
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| JP06118415A JP3085625B2 (ja) | 1994-05-31 | 1994-05-31 | 誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
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Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006046361A1 (ja) * | 2004-10-26 | 2006-05-04 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | セラミック原料組成物、セラミック基板および非可逆回路素子 |
| JP2007508458A (ja) * | 2003-10-13 | 2007-04-05 | サントル、ナショナール、ド、ラ、ルシェルシュ、シアンティフィク、（セーエヌエルエス） | 複合強誘電体を得るための方法 |
| US7439203B2 (en) * | 2005-04-04 | 2008-10-21 | Tdk Corporation | Electronic device, dielectric ceramic composition and the production method |
| JP2017154900A (ja) * | 2016-02-29 | 2017-09-07 | 株式会社豊田中央研究所 | 誘電体組成物 |
-
1994
- 1994-05-31 JP JP06118415A patent/JP3085625B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JP2007508458A (ja) * | 2003-10-13 | 2007-04-05 | サントル、ナショナール、ド、ラ、ルシェルシュ、シアンティフィク、（セーエヌエルエス） | 複合強誘電体を得るための方法 |
| JP4932487B2 (ja) * | 2003-10-13 | 2012-05-16 | サントル、ナショナール、ド、ラ、ルシェルシュ、シアンティフィク、（セーエヌエルエス） | 複合強誘電体を得るための方法 |
| WO2006046361A1 (ja) * | 2004-10-26 | 2006-05-04 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | セラミック原料組成物、セラミック基板および非可逆回路素子 |
| US8455381B2 (en) | 2004-10-26 | 2013-06-04 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Ceramic material composition, ceramic substrate, and nonreciprocal circuit device |
| US7439203B2 (en) * | 2005-04-04 | 2008-10-21 | Tdk Corporation | Electronic device, dielectric ceramic composition and the production method |
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