JPH0733065U - 密着形イメージセンサ - Google Patents

密着形イメージセンサ

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JPH0733065U
JPH0733065U JP6403693U JP6403693U JPH0733065U JP H0733065 U JPH0733065 U JP H0733065U JP 6403693 U JP6403693 U JP 6403693U JP 6403693 U JP6403693 U JP 6403693U JP H0733065 U JPH0733065 U JP H0733065U
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Abstract

(57)【要約】 【目的】大サイズ原稿の読取りを、安価に、かつ小型化
を図りながら実現可能な密着形イメージセンサを提供す
る。 【構成】LEDアレイ11-1、ロッドレンズアレイ15-1、
ミラー16-1およびイメージセンサアレイ17-1からなる読
取系とLEDアレイ11-2、ロッドレンズアレイ15-2、ミ
ラー16-2およびイメージセンサアレイ17-2からなる読取
系とを、主走査方向についてのそれぞれの読取位置P
1,P2が異なるように、かつ副走査方向に離間するよ
うに、さらにミラー16-1,16-2による光の反射方向が互
いに背面方向となるように配置した。すなわち、LED
アレイ11-1、ロッドレンズアレイ15-1、ミラー16-1およ
びイメージセンサアレイ17-1の組み合わせを主走査方向
および副走査方向にずらし、原稿の主走査方向を分担し
て読取るとともに、副走査方向に離隔した読取位置をメ
モリで補正したのち、多重化してインライン態様で出力
する。

Description

【考案の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】
本考案は、多数の光電変換素子を少なくとも一次元に配列してなるセンサアレ イを用いて原稿の画像を読み取る密着形イメージセンサに関する。
【0002】
【従来の技術】
ファクシミリ装置、イメージスキャナ、ディジタル複写機など原稿または図面 上の画像情報を読み取って入力する装置においては、照明光源からの光を原稿面 に照射し、その反射光をリニアイメージセンサに導いて光電変換することが行わ れている。
【0003】 このような装置には、原稿からの反射光像を球面レンズを用いて例えばICタ イプのCCDイメージセンサの受光素子の上に縮小して結像するように構成した ものと、原稿からの反射光像を、原稿幅と同じ長さに配列したリニアイメージセ ンサの受光素子上にロッドレンズアレイ等の等倍正立結像光学系を用いて1:1 に結像して読取走査を行うように構成したものとがある。後者の方法は密着形イ メージセンサと称され、前者の方法における球面レンズ光学系により光路長が大 きくなる欠点を改善できる特長があるところから、前述した装置の小形化のため に、近年その利用が増加している。
【0004】 図5は、前記した密着形イメージセンサの従来の構成例を示す断面図である。 同図において、51は上部に集光用のロッドレンズを有して原稿読取幅よりやや 長いLEDアレイであって、原稿面と約45゜の角度で照射すべく支持体52の斜 面に固定されている。原稿53の読取位置Pの下方には、結像光学系としてのロ ッドレンズアレイ54およびリニアイメージセンサ55が設けられ、支持体52 に固定されている。ロッドレンズアレイ54は、中心から半径方向周縁にいくに 従って屈折率が連続的に減少する、いわゆる屈折率分布型のロッドレンズを、そ の光軸が上下方向となり、かつ各ロッドレンズの光軸が平行になるように、一列 ストレートまたは二列俵積み状に多数並べたものである。さらに各ロッドレンズ は、長さ方向の中点に対して対称の位置に焦点を定め、該位置で対向するように 原稿面と受光素子を配置し、該原稿面の読取対象となる線状反射光像の等倍正立 像を前記受光素子上に形成させるようにしたものである。すなわち、LEDアレ イ51の照射光は、図に示す矢印の方向に進み、原稿面で反射した後にロッドレ ンズアレイ54により導かれて、リニアイメージセンサ55の受光素子上に結像 する。
【0005】 回路基板56は、端子57を介してリニアイメージセンサ55と電気的に接続 されており、受光素子群の走査読取を制御する駆動回路、該受光素子により光電 変換された原稿53の表面の濃淡画像情報を増幅、処理する回路などを含む電子 回路および本デバイスを使用する装置へ読み取った画像信号を送出するための接 栓58が実装されている。
【0006】 ところでリニアイメージセンサ55は、その製造法によって薄膜タイプとマル チチップタイプとに大別できる。前者はCdS 系やa-Siなどのセンサ材料を薄膜プ ロセスによってガラスなどの基板上に一体に形成するもので、現在B4サイズま で読取可能で、かつ読取速度が5〜10ms/line と中速度のものが実用化されて いる。後者はシリコンプロセスによって形成したCCDやバイポーラなどのIC 型センサを複数チップ直線状に並べて長尺化したもので、前者に比し読取速度が 速い利点はあるが、チップ継目の不規則性をなくすための工夫が必要である。
【0007】 このような構成の密着形イメージセンサは、前述の如く一体モジュール化され ているので、これを適用する装置の設計の自由度が上がるとともに小形化でき、 さらには組込みの際に調整が不要であるなどの利点があるが、その他に原稿の照 明光源であるLEDの寿命が長いことから、従来のレンズ縮小光学系による画像 読取装置における蛍光灯交換のようなメンテナンスが不要になるなど数々のメリ ットがある。そして、これら多くの有用性が認められて、近年では密着形イメー ジセンサの応用は拡大の一途にあり、前述したファクシミリ装置、イメージスキ ャナ、ディジタル複写機の他に、例えば電子ファイルやCAD等の装置と結合し て、画像情報の入力に利用される例がある。特にこのような電子ファイルやCA D等の装置に結合される場合は、図面や地図など極めて大きなサイズの画像が対 象となり、しかも高解像度の読み取りが必要となる。この点から例えばA1乃至 A0判の原稿(読取幅:600 〜900mm)の読み取りが可能で、かつ16pel/mmまたは 400DPI程度の解像度を有する密着形イメージセンサの出現が望まれている。
【0008】 しかし、前述した薄膜タイプおよびマルチチップタイプのいずれのタイプのリ ニアイメージセンサにおいても、現在のところ上述のようにA1乃至A0判の原 稿を読取可能な読取幅を得るのは困難である。すなわち、薄膜タイプではその製 造設備の関係から前記したような大サイズ、高解像度のセンサは製造が困難とさ れ実用化の例は少ない。またマルチチップタイプでは、原理的にはセンサチップ を多数直線状に配置すれば幾らでも長尺化できるが、センサチップを配置、実装 するための例えばセラミック基板に平面度の優れた大サイズのものを製造するこ とが困難であり、またセンサチップを高解像度を維持しながら多数配置、実装す るのも極めて難事である。マルチチップタイプでは、現在A1サイズ、400DPIの ものが実用化されているが、その価格は上述の事情から例えばA3サイズのもの に比較して1桁以上高価(例えば15倍程度)であり、サイズ比以上に極めて高 価である。
【0009】 そこで、読取幅の小さな密着形イメージセンサを複数用いて大きな読取幅に対 応することが考えられている。すなわち、例えばA1サイズの読取幅を得るため に、A3サイズの密着形イメージセンサを2つ使用する。このようにすることに よって、大サイズの高価なリニアイメージセンサを用いる場合に比較して安価に 実現することが可能となる。
【0010】 しかしながらこのように複数の密着形イメージセンサにより分担して読取りを 行う場合、主走査方向に関して抜けなく読取りを行うためには、隣り合う密着形 イメージセンサどうしを副走査方向にずらし、一方の密着形イメージセンサの読 取終端位置と他方の密着形イメージセンサの読取開始位置とが主走査方向に関し て連続するように配置しなければならない。このため、外形寸法が極めて大きく なってしまうとともに、隣り合う密着形イメージセンサのそれぞれの読取位置の 副走査方向へのずれ量が非常に大きいため、各密着形イメージセンサの出力信号 を合成して大きなサイズに対応する信号を生成するためにはいずれかの密着形イ メージセンサの出力信号を大容量の高価なメモリを用いて大幅に遅延させなけれ ばならない。
【0011】
【考案が解決しようとする課題】
以上のように従来は、読取幅の大きなリニアイメージセンサがサイズ比以上に 高価であるために、このようなリニアイメージセンサを用いると、製造コストが 極めて高くなってしまうという不具合があった。
【0012】 また小さな密着形イメージセンサを複数用いるようにした場合には、各密着形 イメージセンサのそれぞれの出力を合成するために大容量のメモリを必要とする ためにやはり製造コストが高く、しかも大型になってしまうという不具合があっ た。
【0013】 本考案はこのような事情を考慮してなされたものであり、その目的とするとこ ろは、安価かつ小型で実現可能でありながら大きな幅の原稿を読み取ることがで きる密着形イメージセンサを提供することにある。
【0014】
【課題を解決するための手段】
以上の目的を達成するために第1の考案は、原稿に対して光を照射するための 例えばLEDアレイなどの光源と、多数の光電変換素子を少なくとも一次元に配 列してなり入射光に応じた電気信号を発生するための例えばイメージセンサアレ イなどの光電変換手段と、所定の読取位置において前記原稿から反射した光を前 記光電変換素子に結像させるための例えばロッドレンズアレイなどの結像手段と 、前記所定の読取位置において前記原稿から反射した光の光路を曲げて前記光電 変換素子に導くための例えばミラーなどの光学手段とをそれぞれ有した複数の読 取手段を、所定の主走査方向についてのそれぞれの読取位置が異なるように、か つ少なくとも隣り合う読取手段が前記主走査方向に交差する所定の副走査方向に 離間するように、さらに隣り合う読取手段のそれぞれの光学手段による光の反射 方向が互いに背面方向となるように配置した。
【0015】 また第2の考案は、上記第1の考案における各光学手段の光の反射角度を約9 0°として光を各光電変換手段に導くとともに、前記光学手段により反射された 光の光軸に対して前記光電変換手段の受光面がほぼ垂直になるように前記光電変 換手段を配置した。
【0016】 また第3の考案は、上記第1および第2の考案における各光電変換手段を、そ の主走査方向を一致させるように配置した。 さらに第4の考案は、上記第1乃至第3の考案に加えて、副走査方向前側に位 置する読取手段の光電変換手段からの出力信号を隣り合う読取手段どうしの副走 査方向への離間距離に応じた所定の時間に亙り遅延させる例えばラインメモリな どの遅延手段と、副走査方向後側に位置する読取手段の光電変換手段からの出力 信号と副走査方向前側に位置する読取手段の光電変換手段からの出力信号を前記 遅延手段で遅延させたのちの信号とを所定の順序でシリアルに合成する例えばマ ルチプレクサなどの信号処理手段とを備えた。
【0017】
【作用】
これらの手段を講じたことにより、主走査方向については、複数の読取手段に よりそれぞれ異なる領域を分担して読み取られるので、全体としての読取幅は、 各読取手段のそれぞれの読取幅の和となる。しかも各読取手段は、少なくとも隣 り合う読取手段が前記主走査方向に交差する所定の副走査方向に離間するように 配置されているので、隣接する読取手段どうしの端部を近接させることによって それぞれの読取手段の読取領域を連続させることが容易で、さらに隣り合う読取 手段のそれぞれの光学手段による光の反射方向が互いに背面方向となるように配 置されているので、各光学手段のそれぞれの読取位置の離間距離よりも読取手段 どうしの離間距離を大きく取ることができる。
【0018】 また第2の考案によればさらに、各光学手段の光の反射角度が約90°である ので、隣り合う読取手段の光学手段どうしでは正反対の方向に光を反射し、しか もこのように反射された光を垂直に受けるべく光電変換手段が配置されているの で、各光電変換手段は互いに平行に、かつ対向して配置されることになり、張り 出し量が少なくなる。
【0019】 また第3の考案によればさらに、各光電変換手段の主走査方向が一致するので 、それぞれの出力信号を所定の順序で並べれば、一定の方向に走査した一連の信 号が容易に得られる。
【0020】 さらに第4の考案によればさらに、副走査方向前側に位置する読取手段の光電 変換手段からの出力信号が、遅延手段によってを隣り合う読取手段どうしの副走 査方向への離間距離に応じた所定の時間に亙り遅延されたのち、この遅延させた のちの信号と副走査方向後側に位置する読取手段の光電変換手段からの出力信号 とが信号処理手段によって所定の順序でシリアルに合成されるので、同一の主走 査位置を各読取手段によって読み取って得られた信号をシリアルに連ねた1本の 信号が生成されて出力される。
【0021】
【実施例】
以下、本考案の一実施例につき説明する。 図1は本考案の一実施例に係り、A3サイズ原稿の読取りが可能なイメージセ ンサアレイを2個用いてA1サイズの読取りを可能にした密着形イメージセンサ の構成を示す図である。同図において、11-1と11-2とはそれぞれA3サイズの原 稿幅とほぼ等しい照明範囲を有したLEDアレイである。このLEDアレイ11-1 ,11-2は、例えば透明なガラス板からなる原稿台12上に載置された原稿13の 表面を、それぞれ読取位置P1,P2にて30〜60゜程度の所定の角度で照明 可能なように支持体14に形成された斜面14a,14bに固定されている。な お図1において、支持体14は破断して示されている。
【0022】 読取位置P1,P2の下方には、ロッドレンズアレイ15-1,15-2およびミラー 16-1,16-2がそれぞれ設けられている。ロッドレンズアレイ15-1,15-2は、中心 から半径方向周縁にいくに従って屈折率が連続的に減少する、いわゆる屈折率分 布型のロッドレンズを、その光軸が上下方向となり、かつ各ロッドレンズの光軸 が平行になるように、一列ストレートまたは二列俵積み状に多数並べたものであ る。さらに各ロッドレンズは、長さ方向の中点に対して対称の位置に焦点が定め られており、この焦点に読取位置P1,P2およびセンサアレイ17-1,17-2の受 光素子17-1,17-2がそれぞれ位置するように位置決めされて支持体14に固定さ れている。またミラー16-1,16-2は、その反射面がロッドレンズアレイ15-1,15 -2の光軸に対して斜め45゜となるように支持体14の斜面14c,14dに固定 されている。すなわちミラー16-1,16-2は、読取位置P1,P2からロッドレン ズアレイ15-1,15-2を介して到来する光の向きをおのおの90°変化させる。た だし、ミラー16-1とミラー16-2とは、図に示すように反射面が互いに外側を向い ており、光を反対方向に反射する。
【0023】 センサアレイ17-1,17-2は、受光素子17a-1 ,17a-2 を多数、A3サイズの原 稿幅に匹敵する長さに亙って一定ピッチで一次元に配列してなる。このセンサア レイ17-1,17-2の短辺方向は、受光素子17a-1 ,17a-2 がミラー14c,14d の側を向く状態でロッドレンズアレイ15-1,15-2の光軸に対して平行に配置され ている。
【0024】 ところでイメージセンサアレイ17-1,17-2は、図2に示すように、イメージセ ンサアレイ17-1の受光素子17a-1 のうちの主走査方向終端に位置するものと、イ メージセンサアレイ17-2の受光素子17a-2 のうちの主走査方向始端に位置するも のとのピッチが、主走査方向については受光素子17a-1 どうしのピッチおよび受 光素子17a-2 どうしのピッチと等しくなるように、主走査方向(受光素子17a-1 ,17a-2 の配列方向)に関して近接させた状態で互いにずらして配置されている 。なお、LEDアレイ11-1、ロッドレンズアレイ15-1およびレンズ16-1はイメー ジセンサアレイ17-1に対応する位置に、またLEDアレイ11-2、ロッドレンズア レイ15-2およびレンズ16-2はイメージセンサアレイ17-2に対応する位置にそれぞ れ設けられており、LEDアレイ11-1,11-2どうし、ロッドレンズアレイ15-1, 15-2どうしおよびレンズ16-1,16-2どうしはそれぞれ、主走査方向に関しては図 2に示したイメージセンサアレイ17-1,17-2の位置関係とほぼ同様な位置関係に ある。すなわち、LEDアレイ11-1、ロッドレンズアレイ15-1、ミラー16-1およ びイメージセンサアレイ17-1が一対の読取系を、またLEDアレイ11-2、ロッド レンズアレイ15-2、ミラー16-2およびイメージセンサアレイ17-2が一対の読取系 をそれぞれ構成し、この2つの読取系が主走査方向にずらして配置されている。
【0025】 18-1,18-2はそれぞれ回路基板であり、導線19-1,19-2によりイメージセンサ アレイ17-1,17-2に電気的に接続されている。この回路基板18-1,18-2には、イ メージセンサアレイ17-1,17-2の受光素子17a-1 ,17a-2 の走査読取を制御する 駆動回路、受光素子17a-1 ,17a-2 により光電変換された原稿13の表面の濃淡 画像情報を増幅、処理する回路などを含む電子回路を搭載している。
【0026】 20は回路基板であり、回路基板18-1,18-2のそれぞれに搭載された各電子回 路においてそれぞれ得られた信号を合成するための電子回路および合成した信号 を本デバイスを使用する装置に与えるためのインタフェース回路と接栓などが実 装される。また回路基板20には、例えばアナログディジタル変換器、2値化や 各種中間調処理回路などを必要に応じて実装しても良い。
【0027】 図3は回路基板18-1,18-2および回路基板20に実装されている電子回路の機 能ブロック図であり、3-1 は回路基板18-1に実装された電子回路、3-2 は回路基 板18-2に実装された電子回路、そして4は回路基板20に実装された電子回路で ある。
【0028】 電子回路3-1 は、コントロール回路31-1、ドライバ32-1、バッファアンプ33-1 、サンプルホールド回路34-1、A/D変換回路35-1およびバッファ回路36-1を備 えている。また電子回路3-2 は、コントロール回路31-2、ドライバ32-2、バッフ ァアンプ33-2、サンプルホールド回路34-2、A/D変換回路35-2およびバッファ 回路36-2を備えている。
【0029】 コントロール回路31-1,31-2は、電子回路4から与えられるクロック信号およ びスタート信号に応じ、ドライバ32-1,32-2、サンプルホールド回路34-1,34-2 およびA/D変換回路35-1,35-2のそれぞれに対して種々の制御信号を供給して 各回路の動作タイミングを制御する。
【0030】 ドライバ32-1,32-2は、コントロール回路31-1,31-2から供給されるクロック パルス,シフトパルスおよびリセットパルスなどの制御用パルスを受け、これら を所定電圧まで増幅してイメージセンサアレイ17-1,17-2に供給する。
【0031】 バッファアンプ33-1,33-2は、イメージセンサアレイ17-1,17-2が出力するア ナログ画素信号に対し、電流増幅および所定レベルまでの電圧増幅を行う。 サンプルホールド回路34-1,34-2は、バッファアンプ33-1,33-2にて増幅され たアナログ画素信号を、コントロール回路31-1,31-2によるタイミング制御の下 にサンプリングしてホールドし、連続した画素信号を得る。
【0032】 A/D変換回路35-1,35-2は、サンプルホールド回路34-1,34-2から与えられ るアナログ画素信号のレベルに対応したバイナリな数ビット(例えば8ビット) のディジタル信号に変換する。
【0033】 バッファ回路36-1,36-2は、A/D変換回路35-1,35-2から与えられる信号を 電子回路4に与えるのに最適な状態としたのち、画像信号として出力する。 一方、電子回路4は、メインコントロール回路41、ラインメモリ42、マル チプレクサ43およびバッファ回路44を有してなる。
【0034】 メインコントロール回路41は、本密着形イメージセンサを組込んで使用して いる装置からクロック信号、スタート信号などの供給を受けて、電子回路3-1 用 および電子回路3-2 用のクロック信号およびスタート信号を生成し、電子回路3- 1 のコントロール回路31-1および電子回路3-2 のコントロール回路31-2にそれぞ れ与えるとともに、ラインメモリ42およびマルチプレクサ43のそれぞれに対 して種々の制御信号を供給して両回路の動作タイミングを制御する。
【0035】 ラインメモリ42は、読取位置P1と読取位置P2との離隔距離に相当する走 査線数(例えば100ライン)分の電子回路3-2 からの出力画像信号を記憶する 容量を有し、電子回路3-2 から出力される画像信号を読取位置P1と読取位置P 2との離隔距離に相当する走査線数の走査期間分に亙り遅延させる。
【0036】 マルチプレクサ43は、電子回路3-1 から出力された画像信号と、電子回路3- 2 から出力されてラインメモリ42により遅延された画像信号とを、1ライン分 毎に交互に出力して1本の画像信号に多重化する。
【0037】 バッファ回路44は、マルチプレクサ43から出力される画像信号を、インピ ーダンスを下げるなど、本密着形イメージセンサを組込んで使用している装置へ と与えるのに最適な形態としたのち、本密着形イメージセンサを組込んで使用し ている装置へと出力する。
【0038】 次に以上のように構成された密着形イメージセンサの動作を説明する。 まず、LEDアレイ11-1,11-2の照射光は、図に示す矢印の方向に進み、読取 位置P1,P2において原稿13の表面にて反射する。読取位置P1,P2から の反射光は、ロッドレンズアレイ15-1,15-2により導かれるとともに、ハーフミ ラー16-1,16-2によって直角に全反射されて受光素子17a-1 、17a-2 上に導かれ て結像する。
【0039】 この状態で電子回路3-1 ,3-2 においては、ドライバ32-1,32-2が、コントロ ール回路31-1,31-2から所定タイミングのクロック、シフトおよびリセットなど の制御用パルスを受けてこれを所定電圧まで増幅し、イメージセンサアレイ17-1 ,17-2に供給してこれを駆動する。これによってイメージセンサアレイ17-1,17 -2は、入射光の光量に応じたレベルの信号電荷の発生、すなわち原稿の濃淡情報 の光電変換を行うとともに、発生した信号電荷の蓄積および転送を行う。
【0040】 このときイメージセンサアレイ17-1,17-2の各受光素子17a-1 ,17a-2 からは 、読取原稿の濃淡に応じて数+ mV乃至数百 mVのパルス的なアナログ画素信号 がシリアルに出力される。この画素信号はインピーダンスが高くノイズを拾いや すいので、直ちにバッファアンプ33-1,33-2によって電流増幅および所定レベル までの電圧増幅が行われる。
【0041】 増幅されたアナログ画素信号は、サンプルホールド回路34-1,34-2によりサン プリングされるとともにホールドされ、連続した画素信号とされる。続いてこの 信号は、A/D変換回路35-1,35-2に供給され、アナログ画素信号のレベルに対 応したバイナリな数ビット(例えば8ビット)のディジタル信号に変換されたの ち、バッファ回路36-1,36-2を経て電子回路4へと出力される。
【0042】 なお、原稿13は図示しない原稿搬送系によって図1の矢印Aの方向に一定速 で搬送されており、イメージセンサアレイ17-1,17-2は原稿13が所定量搬送さ れる毎に1ライン分の読取り動作を行う。
【0043】 ところで、イメージセンサアレイ17-1,17-2は、主走査方向に関しては図2に 示すように互いにずれており、かつLEDアレイ11-1,11-2どうし、ロッドレン ズアレイ15-1,15-2どうしおよびレンズ16-1,16-2どうしもそれぞれ同様に互い にずれているので、イメージセンサアレイ17-1とイメージセンサアレイ17-2とは 、主走査方向に隣接する異なる領域、すなわちA1サイズの原稿13の右半分と 左半分とをそれぞれ読取り、各領域の濃淡情報に対応する画像信号を出力してい る。
【0044】 電子回路4では、イメージセンサアレイ17-1で得られる右半分の画像信号とイ メージセンサアレイ17-2で得られる左半分の画像信号とを合成して原稿3の全体 に対応する画像信号を生成する。すなわち、マルチプレクサ43において、電子 回路3-1 から出力された画像信号と電子回路3-2 から出力された画像信号とを、 1ライン分ずつ交互に出力することにより合成する。ただし、読取位置P2のほ うが読取位置P1よりも副走査方向(原稿13の搬送方向)の前側に位置し、従 って電子回路3-2 から出力される画像信号のほうが電子回路3-1 から出力される 画像信号よりも読取位置P1と読取位置P2との離隔距離に相当する走査線数分 進んでいるので、電子回路3-2 から出力される画像信号は合成されるのに先立っ て、ラインメモリ42において読取位置P1と読取位置P2との離隔距離に相当 する走査線数分の走査期間分に亙り遅延され、副走査方向の同一位置に対応する 画像信号どうしが連続するように合成される。
【0045】 かくして本実施例によれば、電子回路4から出力される画像信号は、見掛上は 、イメージセンサアレイ17-1の読取幅とイメージセンサアレイ17-2の読取幅との 和に相当する読取幅を有した1本の長尺センサアレイにより得られる信号と同等 な信号となる。ここでイメージセンサアレイ17-1,17-2は、それぞれA3幅相当 の読取幅を有しているので、A1幅の原稿まで読み取ることが可能である。しか も、本実施例の密着形イメージセンサは、既に安価に提供されているA3判対応 のイメージセンサアレイを用いることができるので、A1判対応の高価なイメー ジセンサアレイを用いる場合に比較して製造コストを著しく低下することができ る。
【0046】 また本実施例では、イメージセンサアレイ17-1,17-2どうし、LEDアレイ11 -1,11-2どうし、ロッドレンズアレイ15-1,15-2どうしおよびレンズ16-1,16-2 どうしはそれぞれ副走査方向に離間して配置されているので、主走査方向につい ては端部を近接乃至オーバーラップさせることが可能で、これにより両系統での それぞれの読取り領域を容易に連続させることができる。
【0047】 また本実施例では、ミラー16-1,16-2により反射光を互いに外側に反射したの ちにイメージセンサアレイ17-1,17-2の受光素子17a-1 ,17a-2 に入射させるよ うにしているので、イメージセンサアレイ17-1,17-2どうしの離間距離に拘らず に読取位置P1と読取位置P2との離間距離を極めて小さくすることができる。 これにより、イメージセンサアレイ17-2が出力する画像信号を遅延するためのラ インメモリの容量は最低限で良く、安価なものを用いることができる。
【0048】 さらに本実施例によれば、イメージセンサアレイ17-1,17-2の短辺方向を直立 させて対向させ、かつ互いに平行な状態で配置しているので、イメージセンサア レイ17-1,17-2どうしの間隔を最小限にすることができ、しかも張り出し量が小 さいので、全体としての外形寸法を最小限とすることができる。
【0049】 なお本考案は上記実施例に限定されるものではない。例えば上記実施例では、 A3判対応のイメージセンサアレイを2個用いてA1サイズの読取幅を得ている が、3個以上のイメージセンサアレイを用いるようにすれば、さらに長尺(例え ばA0判対応)な密着形イメージセンサを実現できる。この場合、例えば図4に 3個のイメージセンサアレイを用いる場合を例示するが、この図に示すようにイ メージセンサアレイ17-1,17-2,17-3を千鳥状に配置すると効率的に配置できる 。なお、このように3個以上のイメージセンサアレイを用いる場合、LEDアレ イ、ロッドレンズアレイ、ミラーおよび電子回路も各イメージセンサアレイに対 応付けて設けるのは当然のことである。
【0050】 また上記実施例では、イメージセンサアレイを直立させて対向させるとともに 互いに平行な状態で配置しているが、イメージセンサアレイを傾斜した状態で配 置することもできる。この場合ミラーは、イメージセンサアレイの傾斜角を考慮 した反射角とすることが望ましい。
【0051】 また上記実施例では、イメージセンサアレイのそれぞれから出力された画像信 号を1つの画像信号に合成してから出力するようにしているが、この合成処理は 、例えば本考案の密着形イメージセンサを搭載する装置などの外部の装置側で行 うようにしても良く、この場合には1つの画像信号に合成するための構成は設け なくても良い。 このほか、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変形実施が可能である。
【0052】
【考案の効果】
考案によれば、原稿に対して光を照射するための光源と、多数の光電変換素子 を少なくとも一次元に配列してなり入射光に応じた電気信号を発生するための光 電変換手段と、所定の読取位置において前記原稿から反射した光を所定の方向に 導いたのちに前記光電変換手段に入射させるための光学手段とをそれぞれ有した 複数の読取手段を、所定の主走査方向についてのそれぞれの読取位置が異なるよ うに、かつ少なくとも隣り合う読取手段が前記主走査方向に交差する所定の副走 査方向に離間するように、さらに隣り合う読取手段のそれぞれの光学手段による 光の反射方向が互いに背面方向となるように配置したので、安価かつ小型で実現 可能でありながら大きな幅の原稿の読取りが可能な密着形イメージセンサを得る ことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本考案の一実施例に係る密着形イメージセンサ
の構成を示す図。
【図2】イメージセンサアレイ17-1とイメージセンサア
レイ17-2との位置関係を示す斜視図。
【図3】図1中の回路基板18-1,18-2および回路基板2
0に実装されている電子回路の機能ブロック図。
【図4】イメージセンサアレイを3つ用いる場合の各イ
メージセンサアレイの位置関係を示す斜視図。
【図5】従来の密着形イメージセンサの構成例を示す断
面図。
【符号の説明】
11-1,11-2…LEDアレイ 12…原稿台 13…原稿 14…支持体 15-1,15-2…ロッドレンズアレイ 16-1,16-2…ミラー 17-1,17-2…イメージセンサアレイ 17a-1 ,17a-2 …受光素子 18-1,18-2,20…回路基板 3-1 ,3-2 ,4…電子回路 42…ラインメモリ 43…マルチプレクサ

Claims (4)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項1】 原稿に対して光を照射するための光源
    と、多数の光電変換素子を少なくとも一次元に配列して
    なり入射光に応じた電気信号を発生するための光電変換
    手段と、所定の読取位置において前記原稿から反射した
    光を前記光電変換素子に結像させるための結像手段と、
    前記所定の読取位置において前記原稿から反射した光の
    光路を曲げて前記光電変換素子に導くための光学手段と
    をそれぞれ有した複数の読取手段を、所定の主走査方向
    についてのそれぞれの読取位置が異なるように、かつ少
    なくとも隣り合う読取手段が前記主走査方向に交差する
    所定の副走査方向に離間するように、さらに隣り合う読
    取手段のそれぞれの光学手段による光の反射方向が互い
    に背面方向となるように配置してなることを特徴とする
    密着形イメージセンサ。
  2. 【請求項2】 各光学手段は光の反射角度を約90°と
    して光を各光電変換手段に導くとともに、前記光学手段
    により反射された光の光軸に対して前記光電変換手段の
    受光面がほぼ垂直になるように前記光電変換手段を配置
    したことを特徴とする請求項1に記載の密着形イメージ
    センサ。
  3. 【請求項3】 各光電変換手段の主走査方向を一致させ
    るように各光電変換素子を配置したことを特徴とする請
    求項1または請求項2に記載の密着形イメージセンサ。
  4. 【請求項4】 副走査方向前側に位置する読取手段の光
    電変換手段からの出力信号を隣り合う読取手段どうしの
    副走査方向への離間距離に応じた所定の時間に亙り遅延
    させる遅延手段と、 副走査方向後側に位置する読取手段の光電変換手段から
    の出力信号と副走査方向前側に位置する読取手段の光電
    変換手段からの出力信号を前記遅延手段で遅延させたの
    ちの信号とを所定の順序でシリアルに合成する信号処理
    手段とを具備したことを特徴とする請求項1乃至請求項
    3のいずれかに記載の密着形イメージセンサ。
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