JPH0733112Y2 - 直接加熱式ロータリキルン - Google Patents
直接加熱式ロータリキルンInfo
- Publication number
- JPH0733112Y2 JPH0733112Y2 JP1989012673U JP1267389U JPH0733112Y2 JP H0733112 Y2 JPH0733112 Y2 JP H0733112Y2 JP 1989012673 U JP1989012673 U JP 1989012673U JP 1267389 U JP1267389 U JP 1267389U JP H0733112 Y2 JPH0733112 Y2 JP H0733112Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- hot gas
- raw material
- rotary furnace
- rotary
- rotary kiln
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
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- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 39
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 15
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Landscapes
- Muffle Furnaces And Rotary Kilns (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本考案は固体原料焼成用の直接式のロータリキルンに関
する。
する。
第4図に従来技術による直接式ロータリキルンを示す。
第4図において、01は回転炉、02は回転炉の一端に設け
られた熱ガス導入口、03は回転炉の他端に設けられた原
料投入口である。
第4図において、01は回転炉、02は回転炉の一端に設け
られた熱ガス導入口、03は回転炉の他端に設けられた原
料投入口である。
本ロータリキルンにおいては、固体原料は回転炉01の端
部の原料投入口03より回転炉01の内部へ導入され、熱ガ
ス導入口02より、同様に回転炉01の内部へ導入された熱
ガスと直接接触することにより、焼成が行なわれ熱ガス
導入口02より回転炉01の外部へ製品として排出される。
一方、熱ガスは固体原料との熱交換により徐々に温度が
下り、原料投入口03より回転炉01の外部へ排出される。
部の原料投入口03より回転炉01の内部へ導入され、熱ガ
ス導入口02より、同様に回転炉01の内部へ導入された熱
ガスと直接接触することにより、焼成が行なわれ熱ガス
導入口02より回転炉01の外部へ製品として排出される。
一方、熱ガスは固体原料との熱交換により徐々に温度が
下り、原料投入口03より回転炉01の外部へ排出される。
このようなロータリキルンにおいては、原料の焼成を最
適に行うためには、回転炉01の内部における固体原料の
昇温速度,保持温度,降温速度等を適性に制御すること
が必要であるが、従来の直接加熱式ロータリキルンにお
いては上記の制御が不可能であるという問題があった。
適に行うためには、回転炉01の内部における固体原料の
昇温速度,保持温度,降温速度等を適性に制御すること
が必要であるが、従来の直接加熱式ロータリキルンにお
いては上記の制御が不可能であるという問題があった。
これを解決する1手段として、第5図に示す間接式ロー
タリキルンがある。同図において、01は回転炉、02は回
転炉の一端に設けられた熱ガス導入口、03は回転炉の他
端に設けられた原料投入口、04は加熱炉、05は加熱炉04
に配設された複数個のバーナである。
タリキルンがある。同図において、01は回転炉、02は回
転炉の一端に設けられた熱ガス導入口、03は回転炉の他
端に設けられた原料投入口、04は加熱炉、05は加熱炉04
に配設された複数個のバーナである。
本ロータリキルンにおいては、回転炉01は加熱炉04の内
部を貫通しており、固体原料の焼成に必要な熱は加熱用
バーナ05により回転炉01の外表面から間接的に固体原料
に与えられるが、複数個の加熱用バーナ05の燃焼量を調
整することにより、回転炉01内部の温度分布を任意に制
御することができる。しかしながら本ロータリキルン
は、間接式であるため、熱効率が悪くまた制御応答生が
悪いという問題に加え、設備費が高価という欠点があ
り、また排ガス等を焼成の熱源として有効利用できない
という欠点があった。
部を貫通しており、固体原料の焼成に必要な熱は加熱用
バーナ05により回転炉01の外表面から間接的に固体原料
に与えられるが、複数個の加熱用バーナ05の燃焼量を調
整することにより、回転炉01内部の温度分布を任意に制
御することができる。しかしながら本ロータリキルン
は、間接式であるため、熱効率が悪くまた制御応答生が
悪いという問題に加え、設備費が高価という欠点があ
り、また排ガス等を焼成の熱源として有効利用できない
という欠点があった。
上記の従来の直接加熱式ロータリキルンは、上に説明し
たように、固体原料の昇温速度,保持温度,降温速度等
を適性に制御することができないという問題点がある
が、それに加えて、乾燥用熱ガスは比重の差によってキ
ルンの回転炉の上部のものが温度が高いが原料はキルン
の回転炉の下部にあるために、熱交換の効率が悪く、従
って乾燥効率が悪くなるという問題点がある。
たように、固体原料の昇温速度,保持温度,降温速度等
を適性に制御することができないという問題点がある
が、それに加えて、乾燥用熱ガスは比重の差によってキ
ルンの回転炉の上部のものが温度が高いが原料はキルン
の回転炉の下部にあるために、熱交換の効率が悪く、従
って乾燥効率が悪くなるという問題点がある。
また、上記の間接加熱式ロータリキルンは、上に説明し
たように、熱効率と制御応答性が悪く、かつ、設備費が
高く排ガス等を焼成の熱源として有効利用できないとい
う問題点がある。
たように、熱効率と制御応答性が悪く、かつ、設備費が
高く排ガス等を焼成の熱源として有効利用できないとい
う問題点がある。
本考案は、従来のロータリキルンの問題点を解決した直
接加熱式ロータリキルンを提供しようとするものであ
る。
接加熱式ロータリキルンを提供しようとするものであ
る。
(1)本考案は、熱ガスを回転炉内へ導入し原料を直接
的に加熱焼成するロータリキルンにおいて、回転炉の中
央部に回転しない熱ガス導入管を配設し、同熱ガス導入
管の側部に複数の回転炉への熱ガス噴射孔を設けた。
的に加熱焼成するロータリキルンにおいて、回転炉の中
央部に回転しない熱ガス導入管を配設し、同熱ガス導入
管の側部に複数の回転炉への熱ガス噴射孔を設けた。
(2)また本考案は、上記ロータリキルンにおいて複数
の熱ガス噴射孔を熱ガス導入管の下半分に設けた。
の熱ガス噴射孔を熱ガス導入管の下半分に設けた。
上記(1)の本考案では、側部に設けられた複数の熱ガ
ス導入管の熱ガス噴射孔の数,位置及び大きさ等を選定
することによって、回転炉内の任意の位置に任意の量熱
ガスを導入できるため、回転炉内の温度が適性に制御さ
れる。
ス導入管の熱ガス噴射孔の数,位置及び大きさ等を選定
することによって、回転炉内の任意の位置に任意の量熱
ガスを導入できるため、回転炉内の温度が適性に制御さ
れる。
また、上記(2)の本考案では、上記(1)のロータリ
キルンにおいて、更に複数の熱ガス噴射孔を熱ガス導入
管の下半分に設けることによって、高温の熱ガスを、回
転炉の下部に存在する原料に直接噴射できるので、原料
と熱ガスとの熱交換の効率が向上し、原料の焼成効率が
向上する。
キルンにおいて、更に複数の熱ガス噴射孔を熱ガス導入
管の下半分に設けることによって、高温の熱ガスを、回
転炉の下部に存在する原料に直接噴射できるので、原料
と熱ガスとの熱交換の効率が向上し、原料の焼成効率が
向上する。
〔実施例〕 第1図ないし第3図によって、本考案の一実施例を説明
する。
する。
1は回転炉、2は回転炉1の一端に設けられた熱ガス導
入口、3は回転炉1の他端に設けられた原料導入口、6
は原料、9は熱ガス導入口に接続され回転炉1の中央部
を回転炉1の他端迄延びる熱ガス導入管で、その側部に
は複数の熱ガス噴出孔7が設けられている。8は回転炉
1の上記他端に設けられた排ガス排出口、11回転炉1の
熱ガス導入口2側の下部に設けられた製品出口である。
上記熱ガス導入管9は、熱ガス導入口2側は図示しない
固定部に支持され、排ガス出口8側は同排ガス出口8の
壁部に支持部材10によって支持され、回転炉1内におい
て回転しないように配置されている。また、複数の熱ガ
ス噴射孔7は、熱ガス導入管9の下半部に設けられ、原
料導入口3に近い方ではその数を多くし、製品出口11に
近い方ではその数が少くなるように設けられており、熱
ガス導入管9の排ガス出口8側の端部は閉鎖されてい
る。
入口、3は回転炉1の他端に設けられた原料導入口、6
は原料、9は熱ガス導入口に接続され回転炉1の中央部
を回転炉1の他端迄延びる熱ガス導入管で、その側部に
は複数の熱ガス噴出孔7が設けられている。8は回転炉
1の上記他端に設けられた排ガス排出口、11回転炉1の
熱ガス導入口2側の下部に設けられた製品出口である。
上記熱ガス導入管9は、熱ガス導入口2側は図示しない
固定部に支持され、排ガス出口8側は同排ガス出口8の
壁部に支持部材10によって支持され、回転炉1内におい
て回転しないように配置されている。また、複数の熱ガ
ス噴射孔7は、熱ガス導入管9の下半部に設けられ、原
料導入口3に近い方ではその数を多くし、製品出口11に
近い方ではその数が少くなるように設けられており、熱
ガス導入管9の排ガス出口8側の端部は閉鎖されてい
る。
本実施例では、原料導入口3より回転炉1内へ投入され
た原料6は、回転炉1の回転に従って製品出口11の方へ
進み回転炉1外へ排出される。原料6の焼成は原料が原
料導入口3より導入され回転炉1の製品出口11から排出
される間に、第2図中に矢印で示すように熱ガス導入管
9の側部に設けられた複数の熱ガス噴射孔7から回転炉
1内へ噴射された熱ガスによって行われる。原料の加熱
を行ったガスは排ガス排出口8から排出される。
た原料6は、回転炉1の回転に従って製品出口11の方へ
進み回転炉1外へ排出される。原料6の焼成は原料が原
料導入口3より導入され回転炉1の製品出口11から排出
される間に、第2図中に矢印で示すように熱ガス導入管
9の側部に設けられた複数の熱ガス噴射孔7から回転炉
1内へ噴射された熱ガスによって行われる。原料の加熱
を行ったガスは排ガス排出口8から排出される。
原料焼成の温度プログラムは第3図に示すように焼成の
初期段階で温度が高く後期段階で温度を低めに設定する
ことが望ましいが、本実施例では、上記のように熱ガス
導入管9の下半分に設けた複数の熱ガス噴射孔7を原料
入口近傍で数を多くし、製品出口近傍では数を少なくし
ているために、原料6に噴射される熱ガス量が、原料入
口側で多く製品出口側で少なくすることができるので、
第3図に示すような望ましい温度プログラムで原料を焼
成することができる。このように、本実施例では、熱ガ
ス導入管9の複数の熱ガス噴射孔7の位置と大きさを適
宜選定することによって、回転炉1内の任意の位置に任
意の量の熱ガスを導入することができ、回転炉1内の温
度を適性に制御することができる。
初期段階で温度が高く後期段階で温度を低めに設定する
ことが望ましいが、本実施例では、上記のように熱ガス
導入管9の下半分に設けた複数の熱ガス噴射孔7を原料
入口近傍で数を多くし、製品出口近傍では数を少なくし
ているために、原料6に噴射される熱ガス量が、原料入
口側で多く製品出口側で少なくすることができるので、
第3図に示すような望ましい温度プログラムで原料を焼
成することができる。このように、本実施例では、熱ガ
ス導入管9の複数の熱ガス噴射孔7の位置と大きさを適
宜選定することによって、回転炉1内の任意の位置に任
意の量の熱ガスを導入することができ、回転炉1内の温
度を適性に制御することができる。
また更に、本実施例では、回転しないガス導入管9の下
半部に複数の熱ガス噴射孔7を設けており、回転炉1の
下部に存在する原料に向って熱ガスを噴射して原料と熱
ガスとの熱交換の効率を上げることができる。
半部に複数の熱ガス噴射孔7を設けており、回転炉1の
下部に存在する原料に向って熱ガスを噴射して原料と熱
ガスとの熱交換の効率を上げることができる。
なお、本考案における熱ガス噴射孔の形状は、円形はも
ちろん、回転炉の軸方向又は円周方向に延びるスロット
状等とすることができ、またその数も適宜の数とするこ
とができる。
ちろん、回転炉の軸方向又は円周方向に延びるスロット
状等とすることができ、またその数も適宜の数とするこ
とができる。
本考案は、回転炉の中央部に配設された回転しない熱ガ
ス導入管の側部に設けられた複数のガス噴射孔の個数、
位置及び大きさ等を選定することによって、焼成温度を
高くしたいゾーンでは熱ガスの量を多くし、焼成温度を
低くしたいゾーンでは熱ガスの量を少くすることがで
き、回転炉内の原料を任意の焼成プログラムで焼成する
ことができる。
ス導入管の側部に設けられた複数のガス噴射孔の個数、
位置及び大きさ等を選定することによって、焼成温度を
高くしたいゾーンでは熱ガスの量を多くし、焼成温度を
低くしたいゾーンでは熱ガスの量を少くすることがで
き、回転炉内の原料を任意の焼成プログラムで焼成する
ことができる。
また、複数の熱ガス噴射孔を熱ガス導入管の下半部に設
けることにより、原料の存在する回転炉の下部へ熱ガス
を噴射することができるので、熱ガスと原料との熱交換
が効率よくでき焼成に必要なエネルギーを低減させるこ
とができる。
けることにより、原料の存在する回転炉の下部へ熱ガス
を噴射することができるので、熱ガスと原料との熱交換
が効率よくでき焼成に必要なエネルギーを低減させるこ
とができる。
第1図は本考案の一実施例に係るロータリキルンの構造
図、第2図は第1図のA−A断面図、第3図は上記実施
例の原料焼成温度プログラムを示すグラフ、第4図は従
来の直接式ロータリキルンの構造図、第5図は従来の間
接式ロータリキルンの構造図である。 1…回転炉、2…熱ガス導入口、3…原料導入口、6…
原料、7…熱ガス噴射孔、8…熱ガス排出口、9…熱ガ
ス導入管、10…支持部材、11…製品出口。
図、第2図は第1図のA−A断面図、第3図は上記実施
例の原料焼成温度プログラムを示すグラフ、第4図は従
来の直接式ロータリキルンの構造図、第5図は従来の間
接式ロータリキルンの構造図である。 1…回転炉、2…熱ガス導入口、3…原料導入口、6…
原料、7…熱ガス噴射孔、8…熱ガス排出口、9…熱ガ
ス導入管、10…支持部材、11…製品出口。
Claims (2)
- 【請求項1】熱ガスを回転炉内へ導入し原料を直接的に
加熱焼成するロータリキルンにおいて、回転炉の中央部
に回転しない熱ガス導入管を配設し、同熱ガス導入管の
側部に複数の回転炉への熱ガス噴射孔を設けたことを特
徴とする直接加熱式ロータリキルン。 - 【請求項2】上記複数の熱ガス噴射孔を熱ガス導入管の
下半分に設けたことを特徴とする直接加熱式ロータリキ
ルン。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1989012673U JPH0733112Y2 (ja) | 1989-02-07 | 1989-02-07 | 直接加熱式ロータリキルン |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1989012673U JPH0733112Y2 (ja) | 1989-02-07 | 1989-02-07 | 直接加熱式ロータリキルン |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02106593U JPH02106593U (ja) | 1990-08-24 |
| JPH0733112Y2 true JPH0733112Y2 (ja) | 1995-07-31 |
Family
ID=31222325
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1989012673U Expired - Lifetime JPH0733112Y2 (ja) | 1989-02-07 | 1989-02-07 | 直接加熱式ロータリキルン |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0733112Y2 (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6143615Y2 (ja) * | 1980-08-02 | 1986-12-09 |
-
1989
- 1989-02-07 JP JP1989012673U patent/JPH0733112Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02106593U (ja) | 1990-08-24 |
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