JPH07331421A - 真空蒸着装置 - Google Patents
真空蒸着装置Info
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- JPH07331421A JPH07331421A JP12216394A JP12216394A JPH07331421A JP H07331421 A JPH07331421 A JP H07331421A JP 12216394 A JP12216394 A JP 12216394A JP 12216394 A JP12216394 A JP 12216394A JP H07331421 A JPH07331421 A JP H07331421A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 単一の蒸発源による蒸着だけではなく、複数
の蒸発源による蒸着であっても、個々の蒸着物質に対し
て最適な蒸発制御を可能とする。 【構成】 蒸着源7 による蒸着物質6 の加熱時の蒸発温
度を測定する非接触の放射温度計9 の測定温度に基づい
て、制御部5 が蒸発源7 の蒸着物質6 を加熱する温度を
制御し蒸発量を制御することにより、蒸発物質6 は最適
蒸発温度にて加熱・蒸発され、蒸発量を安定化すること
ができるとともに基板2 の蒸着状態の安定化を図ること
ができる。
の蒸発源による蒸着であっても、個々の蒸着物質に対し
て最適な蒸発制御を可能とする。 【構成】 蒸着源7 による蒸着物質6 の加熱時の蒸発温
度を測定する非接触の放射温度計9 の測定温度に基づい
て、制御部5 が蒸発源7 の蒸着物質6 を加熱する温度を
制御し蒸発量を制御することにより、蒸発物質6 は最適
蒸発温度にて加熱・蒸発され、蒸発量を安定化すること
ができるとともに基板2 の蒸着状態の安定化を図ること
ができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、蒸着物質を真空中で加
熱して蒸発させ、ガラス基板などの被蒸着物に蒸着する
真空蒸着装置に関する。
熱して蒸発させ、ガラス基板などの被蒸着物に蒸着する
真空蒸着装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、真空蒸着装置において、ガラス基
板などの被蒸着物に蒸着する蒸着物質の蒸発量は、例え
ば、抵抗加熱方式では蒸着物質を加熱して蒸発させる蒸
着源の電流値を可変にして蒸発量を制御している。この
蒸発量の制御は、通常、真空槽内の適宜位置に設置され
ている、例えば水晶振動子からなる膜厚測定手段などに
蒸着された物質の膜厚を間接的に測定し、この測定値を
基に蒸着源の電流値を変化させて蒸発量を制御してい
た。
板などの被蒸着物に蒸着する蒸着物質の蒸発量は、例え
ば、抵抗加熱方式では蒸着物質を加熱して蒸発させる蒸
着源の電流値を可変にして蒸発量を制御している。この
蒸発量の制御は、通常、真空槽内の適宜位置に設置され
ている、例えば水晶振動子からなる膜厚測定手段などに
蒸着された物質の膜厚を間接的に測定し、この測定値を
基に蒸着源の電流値を変化させて蒸発量を制御してい
た。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た蒸発量の制御方法では以下のように欠点があった。す
なわち、 （１）膜厚測定手段を取付ける位置が実際に蒸着が行な
われるべきガラス基板の位置と相違している場合には、
ガラス基板に対する成膜は測定手段のデータに基づく成
膜とは異なった成膜になってしまう。 （２）２個以上の蒸発源による蒸着においては、個々の
蒸発源の蒸発量を正確に制御することは困難である。 （３）２個以上の蒸発源により蒸着を行なう場合、膜厚
測定手段のデータに基づいて蒸発源の制御を行なうと、
各蒸着物質の最適蒸発条件で蒸着を行なうことができ
ず、安定した蒸着が困難となる。 などの欠点を有している。
た蒸発量の制御方法では以下のように欠点があった。す
なわち、 （１）膜厚測定手段を取付ける位置が実際に蒸着が行な
われるべきガラス基板の位置と相違している場合には、
ガラス基板に対する成膜は測定手段のデータに基づく成
膜とは異なった成膜になってしまう。 （２）２個以上の蒸発源による蒸着においては、個々の
蒸発源の蒸発量を正確に制御することは困難である。 （３）２個以上の蒸発源により蒸着を行なう場合、膜厚
測定手段のデータに基づいて蒸発源の制御を行なうと、
各蒸着物質の最適蒸発条件で蒸着を行なうことができ
ず、安定した蒸着が困難となる。 などの欠点を有している。
【０００４】本発明は、上記事情に鑑みてなされたもの
で、単一の蒸発源による蒸着だけではなく、複数の蒸発
源による蒸着であっても、個々の蒸着物質に対して最適
な蒸発制御を可能とする真空蒸着装置を提供することを
目的とする。
で、単一の蒸発源による蒸着だけではなく、複数の蒸発
源による蒸着であっても、個々の蒸着物質に対して最適
な蒸発制御を可能とする真空蒸着装置を提供することを
目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、真空槽内で被蒸着物に蒸着膜を成膜する
真空蒸着装置において、上記真空槽内に設置され蒸着物
質を可変可能に加熱して蒸発させ上記被蒸着物に蒸着膜
を成膜する少なくとも１個の蒸発源と、この蒸発源にお
ける上記蒸着物質の蒸発温度を測定する非接触の温度測
定手段と、この温度測定手段の測定温度に基づいて上記
蒸発源の上記蒸着物質を加熱する温度を制御して蒸発量
を制御する制御手段とを具備したことを特徴とする。
成するために、真空槽内で被蒸着物に蒸着膜を成膜する
真空蒸着装置において、上記真空槽内に設置され蒸着物
質を可変可能に加熱して蒸発させ上記被蒸着物に蒸着膜
を成膜する少なくとも１個の蒸発源と、この蒸発源にお
ける上記蒸着物質の蒸発温度を測定する非接触の温度測
定手段と、この温度測定手段の測定温度に基づいて上記
蒸発源の上記蒸着物質を加熱する温度を制御して蒸発量
を制御する制御手段とを具備したことを特徴とする。
【０００６】また、本発明の真空蒸着装置は、複数の蒸
発源を設置し、これら複数の蒸発源に対応して複数の温
度測定手段を設けたことを特徴とする。
発源を設置し、これら複数の蒸発源に対応して複数の温
度測定手段を設けたことを特徴とする。
【０００７】また、本発明の真空蒸着装置は、被蒸着物
の近傍に蒸着された蒸着物質の膜厚を測定する膜厚測定
手段を設置し、この膜厚測定手段によって測定された膜
厚と温度測定手段によって測定された測定温度に基づい
て制御手段は蒸発源の蒸着物質を加熱する温度を制御し
て蒸発量を制御することを特徴とする。
の近傍に蒸着された蒸着物質の膜厚を測定する膜厚測定
手段を設置し、この膜厚測定手段によって測定された膜
厚と温度測定手段によって測定された測定温度に基づい
て制御手段は蒸発源の蒸着物質を加熱する温度を制御し
て蒸発量を制御することを特徴とする。
【０００８】
【作用】本発明は上記のように構成したので、蒸着源に
よる蒸着物質の加熱時の蒸発温度を測定する温度測定手
段の測定温度に基づいて、制御手段が蒸発源の蒸着物質
を加熱する温度を制御し蒸発量を制御することにより、
蒸発物質は最適蒸発温度にて加熱・蒸発され、蒸発量を
安定化することができるとともに基板の蒸着状態の安定
化を図ることができる。
よる蒸着物質の加熱時の蒸発温度を測定する温度測定手
段の測定温度に基づいて、制御手段が蒸発源の蒸着物質
を加熱する温度を制御し蒸発量を制御することにより、
蒸発物質は最適蒸発温度にて加熱・蒸発され、蒸発量を
安定化することができるとともに基板の蒸着状態の安定
化を図ることができる。
【０００９】また、本発明は、複数の蒸発源に対応して
複数の温度測定手段を設けたので、各蒸発源の加熱温度
が蒸発物質の最適蒸発温度に設定されることにより、各
蒸発源による蒸着物質の蒸発量を安定化することができ
るとともに基板の蒸着状態の安定化を図ることができ
る。
複数の温度測定手段を設けたので、各蒸発源の加熱温度
が蒸発物質の最適蒸発温度に設定されることにより、各
蒸発源による蒸着物質の蒸発量を安定化することができ
るとともに基板の蒸着状態の安定化を図ることができ
る。
【００１０】また、本発明は、膜厚測定手段によって測
定された膜厚と温度測定手段によって測定された測定温
度に基づいて、制御手段が蒸発源の蒸着物質を加熱する
温度を制御して蒸発量を制御するので、成膜される蒸着
膜の膜厚と連動して蒸発源の加熱温度を制御することに
より、蒸着物質の蒸発量をより精密に制御することがで
き、蒸着膜の蒸着状態をより安定化することができる。
定された膜厚と温度測定手段によって測定された測定温
度に基づいて、制御手段が蒸発源の蒸着物質を加熱する
温度を制御して蒸発量を制御するので、成膜される蒸着
膜の膜厚と連動して蒸発源の加熱温度を制御することに
より、蒸着物質の蒸発量をより精密に制御することがで
き、蒸着膜の蒸着状態をより安定化することができる。
【００１１】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を説明
する。
する。
【００１２】図１は本発明の一実施例の真空蒸着装置の
概略構成を示す図である。
概略構成を示す図である。
【００１３】同図において、1 は、例えば径が１２００
mm以上の大型の真空槽で、この真空槽1 の上方には被蒸
着物であるガラス基板などの基板2 が装着されるドーム
3 が配設されており、このドーム3 には真空槽1 外のド
ーム回転モータ（不図示）からリングギアなどからなる
適宜手段を介して駆動力が与えられ、ドーム2 はガイド
レール4 に案内されて回転する。ドーム回転モータは、
例えばコンピュータからなり真空蒸着装置全体の動作の
制御を司る制御部5 に制御され、その回転周期が設定さ
れている。
mm以上の大型の真空槽で、この真空槽1 の上方には被蒸
着物であるガラス基板などの基板2 が装着されるドーム
3 が配設されており、このドーム3 には真空槽1 外のド
ーム回転モータ（不図示）からリングギアなどからなる
適宜手段を介して駆動力が与えられ、ドーム2 はガイド
レール4 に案内されて回転する。ドーム回転モータは、
例えばコンピュータからなり真空蒸着装置全体の動作の
制御を司る制御部5 に制御され、その回転周期が設定さ
れている。
【００１４】また、真空槽1 の下方にはドーム3 に装着
されている基板2 に蒸着される蒸着物質6 を蒸発する、
例えば抵抗加熱方式の蒸発源7 が設置されている。この
蒸発源7 は蒸着物質6 を加熱する際の電流値を可変にす
る電気信号を制御部5 からケーブル8 を介して供給さ
れ、蒸着物質6 を加熱する加熱温度が可変になるように
構成されている。
されている基板2 に蒸着される蒸着物質6 を蒸発する、
例えば抵抗加熱方式の蒸発源7 が設置されている。この
蒸発源7 は蒸着物質6 を加熱する際の電流値を可変にす
る電気信号を制御部5 からケーブル8 を介して供給さ
れ、蒸着物質6 を加熱する加熱温度が可変になるように
構成されている。
【００１５】また、真空槽1 内の側壁部には蒸発源7 に
おける蒸着物質6 の蒸発温度を測定するために、温度
計、例えば放射温度計9 が設置されている。この放射温
度計9は、蒸着物質6 の表面から放射されるエネルギー
を光−エネルギー変換手段9aに受け、光−エネルギー変
換手段9aの出力に基づいて温度検出部9bが蒸着物質6 の
表面温度を検出することにより、蒸着物質6 の蒸発温度
を測定している。このようにして放射温度計9 により測
定された蒸着物質6 の蒸発温度の監視状態を示す温度デ
ータS1が制御部5 を構成する温度コントローラ（不図
示）に送信・入力される。制御部5 は、蒸着物質6 の蒸
発温度を一定の温度に維持するために、入力された温度
データS1に基づいて蒸発源7 に蒸着物質6 を加熱する温
度を制御する制御信号をケーブル8 を介して出力する。
おける蒸着物質6 の蒸発温度を測定するために、温度
計、例えば放射温度計9 が設置されている。この放射温
度計9は、蒸着物質6 の表面から放射されるエネルギー
を光−エネルギー変換手段9aに受け、光−エネルギー変
換手段9aの出力に基づいて温度検出部9bが蒸着物質6 の
表面温度を検出することにより、蒸着物質6 の蒸発温度
を測定している。このようにして放射温度計9 により測
定された蒸着物質6 の蒸発温度の監視状態を示す温度デ
ータS1が制御部5 を構成する温度コントローラ（不図
示）に送信・入力される。制御部5 は、蒸着物質6 の蒸
発温度を一定の温度に維持するために、入力された温度
データS1に基づいて蒸発源7 に蒸着物質6 を加熱する温
度を制御する制御信号をケーブル8 を介して出力する。
【００１６】ところで、蒸着物質6 の蒸発温度を測定す
る温度計は本実施例で適用している放射温度計9 のよう
な非接触式の温度計が好ましい。その理由は、蒸着物質
6 が蒸発源7 によって加熱されて蒸発するので、接触式
の温度計を適用すると、その温度計の接触部が溶融して
蒸着物質6 に混入してしまい、基板2 に成膜された蒸着
膜に悪影響を及ぼしてしまうためである。要するに、温
度計としては非接触で温度検出が可能なものであればよ
く、放射温度計9 以外には、例えば、被加熱体から放射
される電磁波を赤外線検出器で検知して被加熱体表面の
温度を検出するサーモグラフィを適用するようにしても
よい。
る温度計は本実施例で適用している放射温度計9 のよう
な非接触式の温度計が好ましい。その理由は、蒸着物質
6 が蒸発源7 によって加熱されて蒸発するので、接触式
の温度計を適用すると、その温度計の接触部が溶融して
蒸着物質6 に混入してしまい、基板2 に成膜された蒸着
膜に悪影響を及ぼしてしまうためである。要するに、温
度計としては非接触で温度検出が可能なものであればよ
く、放射温度計9 以外には、例えば、被加熱体から放射
される電磁波を赤外線検出器で検知して被加熱体表面の
温度を検出するサーモグラフィを適用するようにしても
よい。
【００１７】また、真空槽1 の天井中央部には基板2 に
蒸着される蒸着膜の膜厚を検出・監視するために、膜厚
計、例えば水晶振動子式膜厚監視装置10が設置されてい
る。この水晶振動子式膜厚監視装置10は、ドーム3 の曲
面近傍、つまり、ドーム3 に装着されている基板2 の近
傍に設置され、基板2 と同様の蒸着膜が付着する水晶振
動子からなる水晶膜厚センサ10a と、この水晶膜厚セン
サ10a に付着した蒸着膜の厚さを水晶振動子の振動数の
変化として読取る水晶膜厚計10b とからなり、基板2 に
付着した蒸着膜の厚さを水晶膜厚センサ10a に付着した
蒸着膜の厚さと見做して水晶膜厚計10b が基板2 に成膜
された膜厚を検出し、水晶膜厚計10b が検出した膜厚デ
ータS2は、放射温度計9 により測定された温度データと
同様に、制御部5 を構成する膜厚コントローラ（不図
示）に送信・入力される。制御部5は、基板2 に成膜さ
れる膜厚の制御のための蒸着速度制御用として、入力さ
れた膜厚データS2に基づいて蒸発源7 に蒸着物質6 を加
熱する温度を制御する制御信号をケーブル8 を介して出
力する。
蒸着される蒸着膜の膜厚を検出・監視するために、膜厚
計、例えば水晶振動子式膜厚監視装置10が設置されてい
る。この水晶振動子式膜厚監視装置10は、ドーム3 の曲
面近傍、つまり、ドーム3 に装着されている基板2 の近
傍に設置され、基板2 と同様の蒸着膜が付着する水晶振
動子からなる水晶膜厚センサ10a と、この水晶膜厚セン
サ10a に付着した蒸着膜の厚さを水晶振動子の振動数の
変化として読取る水晶膜厚計10b とからなり、基板2 に
付着した蒸着膜の厚さを水晶膜厚センサ10a に付着した
蒸着膜の厚さと見做して水晶膜厚計10b が基板2 に成膜
された膜厚を検出し、水晶膜厚計10b が検出した膜厚デ
ータS2は、放射温度計9 により測定された温度データと
同様に、制御部5 を構成する膜厚コントローラ（不図
示）に送信・入力される。制御部5は、基板2 に成膜さ
れる膜厚の制御のための蒸着速度制御用として、入力さ
れた膜厚データS2に基づいて蒸発源7 に蒸着物質6 を加
熱する温度を制御する制御信号をケーブル8 を介して出
力する。
【００１８】なお、本実施例では膜厚計として水晶振動
子式膜厚監視装置10を適用したが、水晶振動子式膜厚監
視装置10の代わりにモニター用ガラスに付着した蒸着膜
の厚さを光学的に読取る光学膜厚計を適用することも可
能である。
子式膜厚監視装置10を適用したが、水晶振動子式膜厚監
視装置10の代わりにモニター用ガラスに付着した蒸着膜
の厚さを光学的に読取る光学膜厚計を適用することも可
能である。
【００１９】次に、上記構成の本発明の作用について説
明する。
明する。
【００２０】まず、基板2 への成膜の前準備として、ド
ーム3 への所定数の基板2 の装着、および蒸発源7 への
蒸発物質6 のセットが行なわれる。
ーム3 への所定数の基板2 の装着、および蒸発源7 への
蒸発物質6 のセットが行なわれる。
【００２１】前準備の完了後、蒸着物質6 を加熱する温
度が予め設定されている一定の温度、例えば蒸発物質6
の最適蒸発温度になるように、制御部5 から蒸発源7 に
制御信号が出力され、蒸発源7 は制御信号に従った電流
値で蒸着物質6 を加熱する。蒸発源7 による蒸着物質6
の加熱が始まると、蒸着物質6 は蒸発され、蒸発源7側
に面している基板2 および水晶膜厚センサ10a の面上に
蒸着膜が付着する。
度が予め設定されている一定の温度、例えば蒸発物質6
の最適蒸発温度になるように、制御部5 から蒸発源7 に
制御信号が出力され、蒸発源7 は制御信号に従った電流
値で蒸着物質6 を加熱する。蒸発源7 による蒸着物質6
の加熱が始まると、蒸着物質6 は蒸発され、蒸発源7側
に面している基板2 および水晶膜厚センサ10a の面上に
蒸着膜が付着する。
【００２２】一方、放射温度計9 は、蒸着物質6 の表面
温度を検出して蒸発温度を測定し、その測定した温度デ
ータS1を制御部5 に送信する。制御部5 は、入力された
温度データS1に基づいて蒸発源7 に蒸着物質6 を加熱す
る温度を制御する制御信号を出力し、蒸着物質6 の蒸発
温度を最適蒸発温度に維持する。
温度を検出して蒸発温度を測定し、その測定した温度デ
ータS1を制御部5 に送信する。制御部5 は、入力された
温度データS1に基づいて蒸発源7 に蒸着物質6 を加熱す
る温度を制御する制御信号を出力し、蒸着物質6 の蒸発
温度を最適蒸発温度に維持する。
【００２３】また、水晶振動子式膜厚監視装置10は水晶
膜厚センサ10a に付着した蒸着膜の膜厚、つまり基板2
に付着した蒸着膜の膜厚に対応した膜厚データS2を制御
部5に送信する。制御部5 は、入力された膜厚データS2
に基づいて蒸発源7 に蒸着物質6 を加熱する温度を制御
する制御信号を出力し、基板2 に成膜される膜厚の蒸着
速度を制御する。そして、基板2 に付着した蒸着膜の膜
厚が所定の厚さに到達すると、制御部5 は蒸発部7 に蒸
着物質6 の加熱を停止する制御信号を出力し、基板2 へ
の蒸着物質6 の蒸着を停止する。
膜厚センサ10a に付着した蒸着膜の膜厚、つまり基板2
に付着した蒸着膜の膜厚に対応した膜厚データS2を制御
部5に送信する。制御部5 は、入力された膜厚データS2
に基づいて蒸発源7 に蒸着物質6 を加熱する温度を制御
する制御信号を出力し、基板2 に成膜される膜厚の蒸着
速度を制御する。そして、基板2 に付着した蒸着膜の膜
厚が所定の厚さに到達すると、制御部5 は蒸発部7 に蒸
着物質6 の加熱を停止する制御信号を出力し、基板2 へ
の蒸着物質6 の蒸着を停止する。
【００２４】上記したように、本発明の実施例によれ
ば、放射温度計9 が蒸着物質6 の表面温度を検出して蒸
発温度を測定することにより、蒸着物質6 を最適蒸発温
度で加熱することが可能となって蒸着物質6 の蒸発量を
安定化することができ、基板2の蒸着状態の安定化を図
ることができる。
ば、放射温度計9 が蒸着物質6 の表面温度を検出して蒸
発温度を測定することにより、蒸着物質6 を最適蒸発温
度で加熱することが可能となって蒸着物質6 の蒸発量を
安定化することができ、基板2の蒸着状態の安定化を図
ることができる。
【００２５】また、制御部5 が入力された温度データS1
に基づいて蒸着物質6 を加熱する温度を制御しているこ
とにより、蒸着物質6 を一定温度の最適蒸発温度まで昇
温させる時間を短時間で行なうことができる。
に基づいて蒸着物質6 を加熱する温度を制御しているこ
とにより、蒸着物質6 を一定温度の最適蒸発温度まで昇
温させる時間を短時間で行なうことができる。
【００２６】また、放射温度計9 による蒸着物質6 の蒸
発温度の測定に連動して、水晶振動子式膜厚監視装置10
による基板2 に成膜される膜厚の測定を行なっているこ
とにより、蒸着物質の蒸発量をより精密に制御すること
ができ、蒸着膜の蒸着状態をより安定化することができ
る。
発温度の測定に連動して、水晶振動子式膜厚監視装置10
による基板2 に成膜される膜厚の測定を行なっているこ
とにより、蒸着物質の蒸発量をより精密に制御すること
ができ、蒸着膜の蒸着状態をより安定化することができ
る。
【００２７】なお、本発明は、上記実施例では、単一の
蒸発源7 と単一の放射温度計9 としたが、これに限るこ
とはなく、複数の蒸発源7 を設置し、これらの蒸発源7
にそれぞれ対応して放射温度計9 を設ける構成としても
よく、このように構成することにより、各蒸発源7 の加
熱温度が蒸発物質の最適蒸発温度に設定されることによ
り、各蒸発源7 による蒸着物質6 の蒸発量を安定化する
ことができるとともに基板7 の蒸着状態の安定化を図る
ことができる。
蒸発源7 と単一の放射温度計9 としたが、これに限るこ
とはなく、複数の蒸発源7 を設置し、これらの蒸発源7
にそれぞれ対応して放射温度計9 を設ける構成としても
よく、このように構成することにより、各蒸発源7 の加
熱温度が蒸発物質の最適蒸発温度に設定されることによ
り、各蒸発源7 による蒸着物質6 の蒸発量を安定化する
ことができるとともに基板7 の蒸着状態の安定化を図る
ことができる。
【００２８】また、本発明は、上記実施例では、放射温
度計9 による蒸着物質6 の蒸発温度の測定と水晶振動子
式膜厚監視装置10による基板2 に成膜される膜厚の測定
を連動して蒸発源7 による蒸着物質6 の加熱温度を制御
するようにしたが、放射温度計9 による蒸着物質6 の蒸
発温度の測定のみを単独で行なうようにしてもよく、蒸
発温度の測定のみで加熱温度を制御するようにしても、
蒸発源7 による蒸着物質6 の蒸発量の安定化を十分に図
ることができる。
度計9 による蒸着物質6 の蒸発温度の測定と水晶振動子
式膜厚監視装置10による基板2 に成膜される膜厚の測定
を連動して蒸発源7 による蒸着物質6 の加熱温度を制御
するようにしたが、放射温度計9 による蒸着物質6 の蒸
発温度の測定のみを単独で行なうようにしてもよく、蒸
発温度の測定のみで加熱温度を制御するようにしても、
蒸発源7 による蒸着物質6 の蒸発量の安定化を十分に図
ることができる。
【００２９】また、本発明は上記実施例に限定されるこ
となく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、種々
変形可能なことは勿論である。
となく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、種々
変形可能なことは勿論である。
【００３０】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明の真空蒸着
装置によれば、蒸着源による蒸着物質の加熱時の蒸発温
度を測定する温度測定手段の測定温度に基づいて、制御
手段が蒸発源の蒸着物質を加熱する温度を制御し蒸発量
を制御することにより、蒸発物質は最適蒸発温度にて加
熱・蒸発され、蒸発量を安定化することができるととも
に基板の蒸着状態の安定化を図ることができる。
装置によれば、蒸着源による蒸着物質の加熱時の蒸発温
度を測定する温度測定手段の測定温度に基づいて、制御
手段が蒸発源の蒸着物質を加熱する温度を制御し蒸発量
を制御することにより、蒸発物質は最適蒸発温度にて加
熱・蒸発され、蒸発量を安定化することができるととも
に基板の蒸着状態の安定化を図ることができる。
【００３１】また、本発明は、複数の蒸発源に対応して
複数の温度測定手段を設けたので、各蒸発源の加熱温度
が蒸発物質の最適蒸発温度に設定されることにより、各
蒸発源による蒸着物質の蒸発量を安定化することができ
るとともに基板の蒸着状態の安定化を図ることができ
る。
複数の温度測定手段を設けたので、各蒸発源の加熱温度
が蒸発物質の最適蒸発温度に設定されることにより、各
蒸発源による蒸着物質の蒸発量を安定化することができ
るとともに基板の蒸着状態の安定化を図ることができ
る。
【００３２】また、本発明は、膜厚測定手段によって測
定された膜厚と温度測定手段によって測定された測定温
度に基づいて、制御手段が蒸発源の蒸着物質を加熱する
温度を制御して蒸発量を制御するので、成膜される蒸着
膜の膜厚と連動して蒸発源の加熱温度を制御することに
より、蒸着物質の蒸発量をより精密に制御することがで
き、蒸着膜の蒸着状態をより安定化することができる。
定された膜厚と温度測定手段によって測定された測定温
度に基づいて、制御手段が蒸発源の蒸着物質を加熱する
温度を制御して蒸発量を制御するので、成膜される蒸着
膜の膜厚と連動して蒸発源の加熱温度を制御することに
より、蒸着物質の蒸発量をより精密に制御することがで
き、蒸着膜の蒸着状態をより安定化することができる。
【図１】本発明の一実施例の真空蒸着装置の概略構成を
示す図である。
示す図である。
1 …真空槽 2 …基板（被蒸着物） 5 …制御部（制御手段） 6 …蒸着物質 7 …蒸発源 9 …放射温度計（温度測定手段） 10…水晶振動子式膜厚監視装置（膜厚測定手段）
Claims (3)
- 【請求項１】 真空槽内で被蒸着物に蒸着膜を成膜する
真空蒸着装置において、上記真空槽内に設置され蒸着物
質を可変可能に加熱して蒸発させ上記被蒸着物に蒸着膜
を成膜する少なくとも１個の蒸発源と、この蒸発源にお
ける上記蒸着物質の蒸発温度を測定する非接触の温度測
定手段と、この温度測定手段の測定温度に基づいて上記
蒸発源の上記蒸着物質を加熱する温度を制御して蒸発量
を制御する制御手段とを具備したことを特徴とする真空
蒸着装置。 - 【請求項２】 複数の蒸発源を設置し、これら複数の蒸
発源に対応して複数の温度測定手段を設けたことを特徴
とする請求項１記載の真空蒸着装置。 - 【請求項３】 被蒸着物の近傍に蒸着された蒸着物質の
膜厚を測定する膜厚測定手段を設置し、この膜厚測定手
段によって測定された膜厚と温度測定手段によって測定
された測定温度に基づいて制御手段は蒸発源の蒸着物質
を加熱する温度を制御して蒸発量を制御することを特徴
とする請求項１および２記載の真空蒸着装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12216394A JPH07331421A (ja) | 1994-06-03 | 1994-06-03 | 真空蒸着装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12216394A JPH07331421A (ja) | 1994-06-03 | 1994-06-03 | 真空蒸着装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07331421A true JPH07331421A (ja) | 1995-12-19 |
Family
ID=14829150
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12216394A Pending JPH07331421A (ja) | 1994-06-03 | 1994-06-03 | 真空蒸着装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07331421A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998052075A1 (fr) * | 1997-05-16 | 1998-11-19 | Hoya Kabushiki Kaisha | Mecanisme servant a rendre hydrophobes deux cotes simultanement |
| US6264751B1 (en) * | 1998-05-18 | 2001-07-24 | Hoya Corporation | Mechanism for performing water repellency processing on both sides simultaneously |
| JP2010037627A (ja) * | 2008-08-07 | 2010-02-18 | Showa Shinku:Kk | 成膜装置及び膜厚測定方法 |
| JP2012502177A (ja) * | 2008-09-05 | 2012-01-26 | エスエヌユー プレシジョン カンパニー，リミテッド | 蒸着装置及びこれを利用する蒸着方法 |
| WO2017195674A1 (ja) * | 2016-05-13 | 2017-11-16 | 株式会社アルバック | 有機薄膜製造装置、有機薄膜製造方法 |
-
1994
- 1994-06-03 JP JP12216394A patent/JPH07331421A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998052075A1 (fr) * | 1997-05-16 | 1998-11-19 | Hoya Kabushiki Kaisha | Mecanisme servant a rendre hydrophobes deux cotes simultanement |
| US6264751B1 (en) * | 1998-05-18 | 2001-07-24 | Hoya Corporation | Mechanism for performing water repellency processing on both sides simultaneously |
| JP2010037627A (ja) * | 2008-08-07 | 2010-02-18 | Showa Shinku:Kk | 成膜装置及び膜厚測定方法 |
| JP2012502177A (ja) * | 2008-09-05 | 2012-01-26 | エスエヌユー プレシジョン カンパニー，リミテッド | 蒸着装置及びこれを利用する蒸着方法 |
| WO2017195674A1 (ja) * | 2016-05-13 | 2017-11-16 | 株式会社アルバック | 有機薄膜製造装置、有機薄膜製造方法 |
| JPWO2017195674A1 (ja) * | 2016-05-13 | 2018-11-22 | 株式会社アルバック | 有機薄膜製造装置、有機薄膜製造方法 |
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