JPH0733174B2 - ウェハー搬送ロボット - Google Patents
ウェハー搬送ロボットInfo
- Publication number
- JPH0733174B2 JPH0733174B2 JP3174688A JP17468891A JPH0733174B2 JP H0733174 B2 JPH0733174 B2 JP H0733174B2 JP 3174688 A JP3174688 A JP 3174688A JP 17468891 A JP17468891 A JP 17468891A JP H0733174 B2 JPH0733174 B2 JP H0733174B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- metal plate
- transfer robot
- wafer transfer
- particles
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Manipulator (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はウェハー搬送ロボット、
特にクリーンルーム内で作動する半導体製造用ウェハー
搬送ロボットに関するものである。
特にクリーンルーム内で作動する半導体製造用ウェハー
搬送ロボットに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図２，図３において１はウェハー搬送ロ
ボット、２はその回転ドラム、３，４は夫々駆動モータ
を内蔵する互いに連結したアーム、５はアーム４の先端
に固定したフィンガーを示し、このフィンガー５の先端
にはウェハー保持部６が形成されている。
ボット、２はその回転ドラム、３，４は夫々駆動モータ
を内蔵する互いに連結したアーム、５はアーム４の先端
に固定したフィンガーを示し、このフィンガー５の先端
にはウェハー保持部６が形成されている。
【０００３】半導体産業の高集積化の牽引力となってい
るＤＲＡＭは、４Ｍビットの本格的な量産体制に入ろう
としている。このような半導体製造に用いるウェハーは
一般にクリーンルーム内で処理されているが、今後と
も、粒子・ガス・イオンなどの多岐の形態にわたる汚染
物質の制御は、一層厳しいものになって行くと考えられ
る。これらの汚染物質のうち、粒子の沈着に関連する分
野では、多くの理論的・実験的研究がなされている。こ
れらの研究の成果の１つとして、サブミクロン以下の粒
子沈着には、特に静電気力の寄与の大きいことが解明さ
れている。
るＤＲＡＭは、４Ｍビットの本格的な量産体制に入ろう
としている。このような半導体製造に用いるウェハーは
一般にクリーンルーム内で処理されているが、今後と
も、粒子・ガス・イオンなどの多岐の形態にわたる汚染
物質の制御は、一層厳しいものになって行くと考えられ
る。これらの汚染物質のうち、粒子の沈着に関連する分
野では、多くの理論的・実験的研究がなされている。こ
れらの研究の成果の１つとして、サブミクロン以下の粒
子沈着には、特に静電気力の寄与の大きいことが解明さ
れている。
【０００４】また、これらの微粒子の発生源としては、
クリーンルーム内の自動化の進展に伴い、クリーンルー
ム自身や人体から製造装置へと変化している。半導体製
造装置では、減圧下で動作するものが多く、反応ガスの
急激な圧力低下・断熱膨張によって粒子の成長が促進さ
れ、装置内壁に沈着する。ゲート開放時の圧力のアンバ
ランスなどから装置内のウェハーだけでなく、装置近傍
の搬送中のウェハーにまで粒子汚染の危険が及ぶことに
なる。
クリーンルーム内の自動化の進展に伴い、クリーンルー
ム自身や人体から製造装置へと変化している。半導体製
造装置では、減圧下で動作するものが多く、反応ガスの
急激な圧力低下・断熱膨張によって粒子の成長が促進さ
れ、装置内壁に沈着する。ゲート開放時の圧力のアンバ
ランスなどから装置内のウェハーだけでなく、装置近傍
の搬送中のウェハーにまで粒子汚染の危険が及ぶことに
なる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記のような半導体製
造においてはクリーンルーム内をＵＬＰＡフィルターを
用いて清浄ならしめているが、半導体製造において特に
ウェハー搬送ロボット及びその駆動モータから発生し、
ウェハーに対し有害となる１μｍ〜０．１μｍ、特に
０．３μｍ程度の粒子沈着を抑える方法として有効なも
のは現在提案されていない。本発明は上記の要望を達成
することを目的とする。
造においてはクリーンルーム内をＵＬＰＡフィルターを
用いて清浄ならしめているが、半導体製造において特に
ウェハー搬送ロボット及びその駆動モータから発生し、
ウェハーに対し有害となる１μｍ〜０．１μｍ、特に
０．３μｍ程度の粒子沈着を抑える方法として有効なも
のは現在提案されていない。本発明は上記の要望を達成
することを目的とする。
【０００６】本発明のウェハー搬送ロボットは、半導体
製造用ウェハーを載置するウェハー保持部を金属板と
し、この金属板の下面にヒーターを取り付け、上面に電
気的絶縁板を介して、接地用金属板を取り付け、この接
地用金属板上にウェハーを載置し、ウェハーを加熱して
これを雰囲気温度より約１０℃高い温度ならしめ、ウェ
ハーに対する１μｍ〜０．１μｍの粒子沈着と帯電を阻
止できるようにしたことを特徴とする。
製造用ウェハーを載置するウェハー保持部を金属板と
し、この金属板の下面にヒーターを取り付け、上面に電
気的絶縁板を介して、接地用金属板を取り付け、この接
地用金属板上にウェハーを載置し、ウェハーを加熱して
これを雰囲気温度より約１０℃高い温度ならしめ、ウェ
ハーに対する１μｍ〜０．１μｍの粒子沈着と帯電を阻
止できるようにしたことを特徴とする。
【０００７】
【実施例】以下図面によって本発明の実施例を説明す
る。
る。
【０００８】本発明者は種々実験，研究の結果ウェハー
を雰囲気温度より約１０℃以上に加熱すれば上記粒子の
沈着を抑え得ることを見出した。
を雰囲気温度より約１０℃以上に加熱すれば上記粒子の
沈着を抑え得ることを見出した。
【０００９】本発明は上記実験結果をもとにして成され
たものであって、本発明においては図１に示すようにウ
ェハー保持部６を、アルミニウム等の金属板７と、この
金属板７の下面に取り付けたシリコンラバーヒーター等
のヒーター８と、上記金属板７の上面に電気的絶縁板９
を介して載置した接地用金属板１０とにより構成せし
め、上記接地用金属板１０上にウェハーを載せたときウ
ェハーを雰囲気温度より約１０℃、好ましくは２０℃〜
３０℃高く加熱できるようにすると共に、接地用金属板
１０を接地しウェハーの帯電を除去できるようにする。
たものであって、本発明においては図１に示すようにウ
ェハー保持部６を、アルミニウム等の金属板７と、この
金属板７の下面に取り付けたシリコンラバーヒーター等
のヒーター８と、上記金属板７の上面に電気的絶縁板９
を介して載置した接地用金属板１０とにより構成せし
め、上記接地用金属板１０上にウェハーを載せたときウ
ェハーを雰囲気温度より約１０℃、好ましくは２０℃〜
３０℃高く加熱できるようにすると共に、接地用金属板
１０を接地しウェハーの帯電を除去できるようにする。
【００１０】尚本発明における粒子沈着阻止効果は下記
のような実験により確かめた。
のような実験により確かめた。
【００１１】Ａｒレーザー（出力４Ｗ）のシート状ビー
ムを、ウェハー表面上に約７．３°の角度で照射し、表
面近傍に到達した粒子の前方錯乱光により粒子を可視化
した。これらの可視化粒子の挙動をイメージインテンシ
ファイアを内蔵したカメラを通してＶＴＲに収録し、ウ
ェハー表面上の粒子沈着数及び分布を測定した。粒子濃
度は、発生ノズルの直下０．０１ｍの位置においてＫＣ
−０１Ａ（リオン製：吸引流量５×１０-4ｍ3 ／ｍｉ
ｎ．）でサンプリングを行い、後でウェハー面上の濃度
に換算した。
ムを、ウェハー表面上に約７．３°の角度で照射し、表
面近傍に到達した粒子の前方錯乱光により粒子を可視化
した。これらの可視化粒子の挙動をイメージインテンシ
ファイアを内蔵したカメラを通してＶＴＲに収録し、ウ
ェハー表面上の粒子沈着数及び分布を測定した。粒子濃
度は、発生ノズルの直下０．０１ｍの位置においてＫＣ
−０１Ａ（リオン製：吸引流量５×１０-4ｍ3 ／ｍｉ
ｎ．）でサンプリングを行い、後でウェハー面上の濃度
に換算した。
【００１２】尚上記レーザー可視化法による粒子の検出
限界は０．３μｍ程度であり、これより小さい粒子の沈
着阻止効果は確認できなかったが、蛍光粒子を用いた蛍
光分析を用いれば０．３μｍ以下の粒子沈着阻止効果も
明らかになるものと思われる。
限界は０．３μｍ程度であり、これより小さい粒子の沈
着阻止効果は確認できなかったが、蛍光粒子を用いた蛍
光分析を用いれば０．３μｍ以下の粒子沈着阻止効果も
明らかになるものと思われる。
【００１３】
【発明の効果】本発明のウェハー搬送ロボットは上記の
ような構成であるから、ヒーター８によってウェハーを
加熱することによってウェハー搬送ロボット及びその駆
動モータから発生し、ウェハーに対し有害となる１μｍ
〜０．１μｍ、特に０．３μｍ程度の粒子沈着を有効に
阻止し、必要に応じてウェハーに生じた帯電を除去して
粒子沈着阻止効果を向上できる大きな利益がある。
ような構成であるから、ヒーター８によってウェハーを
加熱することによってウェハー搬送ロボット及びその駆
動モータから発生し、ウェハーに対し有害となる１μｍ
〜０．１μｍ、特に０．３μｍ程度の粒子沈着を有効に
阻止し、必要に応じてウェハーに生じた帯電を除去して
粒子沈着阻止効果を向上できる大きな利益がある。
【図１】本発明のウェハー搬送ロボットのウェハー保持
部の詳細説明用断面図である。
部の詳細説明用断面図である。
【図２】ウェハー搬送ロボットの説明用正面図である。
【図３】ウェハー搬送ロボットのフィンガー部分の平面
図である。
図である。
１ ウェハー搬送ロボット ２ 回転ドラム ３ アーム ４ アーム ５ フィンガー ６ ウェハー保持部 ７ 金属板 ８ ヒーター ９ 絶縁板 １０ 接地用金属板
Claims (1)
- 【請求項１】半導体製造用ウェハーを載置するウェハー
保持部を金属板とし、この金属板の下面にヒーターを取
り付け、上面に電気的絶縁板を介して、接地用金属板を
取り付け、この接地用金属板上にウェハーを載置し、ウ
ェハーを加熱してこれを雰囲気温度より約１０℃高い温
度ならしめ、ウェハーに対する１μｍ〜０．１μｍの粒
子沈着と帯電を阻止できるようにしたことを特徴とする
ウェハー搬送ロボット。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3174688A JPH0733174B2 (ja) | 1991-06-20 | 1991-06-20 | ウェハー搬送ロボット |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3174688A JPH0733174B2 (ja) | 1991-06-20 | 1991-06-20 | ウェハー搬送ロボット |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04372385A JPH04372385A (ja) | 1992-12-25 |
| JPH0733174B2 true JPH0733174B2 (ja) | 1995-04-12 |
Family
ID=15982948
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3174688A Expired - Lifetime JPH0733174B2 (ja) | 1991-06-20 | 1991-06-20 | ウェハー搬送ロボット |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0733174B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4623715B2 (ja) * | 2004-05-13 | 2011-02-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板搬送機構及び該基板搬送機構を備える基板搬送装置 |
| US7656506B2 (en) | 2004-12-23 | 2010-02-02 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing a substrate handler |
| JP4949439B2 (ja) * | 2004-12-30 | 2012-06-06 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． | 基板ハンドラ |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS609386B2 (ja) * | 1981-12-22 | 1985-03-09 | 辰夫 松田 | 電話の通話相手呼び出し装置 |
| JPS5939040A (ja) * | 1982-08-27 | 1984-03-03 | Toshiba Corp | チツプ部品取外し装置 |
| JPS63133644A (ja) * | 1986-11-26 | 1988-06-06 | Hitachi Electronics Eng Co Ltd | ウエハ搬送フオ−ク |
| JPS63187631A (ja) * | 1987-01-30 | 1988-08-03 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置 |
-
1991
- 1991-06-20 JP JP3174688A patent/JPH0733174B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04372385A (ja) | 1992-12-25 |
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