JPH07332494A - 高強度無機質皮膜 - Google Patents
高強度無機質皮膜Info
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- JPH07332494A JPH07332494A JP14233594A JP14233594A JPH07332494A JP H07332494 A JPH07332494 A JP H07332494A JP 14233594 A JP14233594 A JP 14233594A JP 14233594 A JP14233594 A JP 14233594A JP H07332494 A JPH07332494 A JP H07332494A
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- JP
- Japan
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- columnar
- crystals
- crystal
- inorganic
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- Electroplating And Plating Baths Therefor (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
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- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Pistons, Piston Rings, And Cylinders (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 高強度な無機質皮膜を提供する。
【構成】 無機質皮膜４は母材２から成長した多数の柱
状無機質結晶５1 〜５4を備えている。それら柱状無機
質結晶５1 〜５4 における少なくとも一部のものは、そ
の成長方向ａに沿う側面９を最も原子密度の高い結晶面
より構成された高結合性柱状無機質結晶５1 である。こ
のような結晶面は、それに隣接する結晶の結晶面との結
合密度が高い。
状無機質結晶５1 〜５4を備えている。それら柱状無機
質結晶５1 〜５4 における少なくとも一部のものは、そ
の成長方向ａに沿う側面９を最も原子密度の高い結晶面
より構成された高結合性柱状無機質結晶５1 である。こ
のような結晶面は、それに隣接する結晶の結晶面との結
合密度が高い。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は高強度無機質皮膜、特
に、母材から成長した多数の柱状無機質結晶を備え、高
い強度を有する無機質皮膜に関する。
に、母材から成長した多数の柱状無機質結晶を備え、高
い強度を有する無機質皮膜に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種無機質皮膜としては、例え
ば内燃機関用ピストンピンにおいて、鋼製母材の外周面
に、耐摩耗性の向上を狙って設けられるＦｅメッキ層が
知られている。
ば内燃機関用ピストンピンにおいて、鋼製母材の外周面
に、耐摩耗性の向上を狙って設けられるＦｅメッキ層が
知られている。
【０００３】しかしながら、内燃機関が高速、且つ高出
力化の傾向にある現在の状況下では、従来の無機質皮膜
はその摺動面が比較的平滑であることに起因してオイル
保持性、つまり保油性が十分でなく、耐焼付き性が乏し
いという問題があった。
力化の傾向にある現在の状況下では、従来の無機質皮膜
はその摺動面が比較的平滑であることに起因してオイル
保持性、つまり保油性が十分でなく、耐焼付き性が乏し
いという問題があった。
【０００４】そこで、本出願人は、先に、無機質皮膜と
して、母材から成長した多数の柱状無機質結晶を備え、
それらの先端部を角錐状金属結晶より構成したものを開
発した（例えば、特開平４−３５１３３３号明細書およ
び図面参照）。
して、母材から成長した多数の柱状無機質結晶を備え、
それらの先端部を角錐状金属結晶より構成したものを開
発した（例えば、特開平４−３５１３３３号明細書およ
び図面参照）。
【０００５】このように構成すると、摺動面は多数の微
細な山部と、それら山部の間に形成された多数の微細な
谷部とからなる入組んだ様相を呈するので、無機質皮膜
の保油性が良好となる。これにより無機質皮膜の耐焼付
き性の向上が図られる。
細な山部と、それら山部の間に形成された多数の微細な
谷部とからなる入組んだ様相を呈するので、無機質皮膜
の保油性が良好となる。これにより無機質皮膜の耐焼付
き性の向上が図られる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところが、前記無機質
皮膜について種々検討を加えたところ、その無機質皮膜
においては柱状無機質結晶と、それに隣接する柱状また
は粒状無機質結晶との結合力が比較的低く、したがって
より苛酷な摺動環境に対応するためには前記結合力を高
め、柱状無機質結晶の成長方向と交差する方向の摺動荷
重に対する無機質皮膜の強度を向上させてその耐亀裂性
を改善することが必要である、ということが判明した。
皮膜について種々検討を加えたところ、その無機質皮膜
においては柱状無機質結晶と、それに隣接する柱状また
は粒状無機質結晶との結合力が比較的低く、したがって
より苛酷な摺動環境に対応するためには前記結合力を高
め、柱状無機質結晶の成長方向と交差する方向の摺動荷
重に対する無機質皮膜の強度を向上させてその耐亀裂性
を改善することが必要である、ということが判明した。
【０００７】本発明は前記要望を満足することのできる
前記高強度無機質皮膜を提供することを目的とする。
前記高強度無機質皮膜を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明に係る高強度無機
質皮膜は、母材から成長した多数の柱状無機質結晶を備
え、それら柱状無機質結晶における少なくとも一部のも
のは、その成長方向に沿う側面を最も原子密度の高い結
晶面より構成された高結合性柱状無機質結晶であること
を特徴とする。
質皮膜は、母材から成長した多数の柱状無機質結晶を備
え、それら柱状無機質結晶における少なくとも一部のも
のは、その成長方向に沿う側面を最も原子密度の高い結
晶面より構成された高結合性柱状無機質結晶であること
を特徴とする。
【０００９】
【作用】前記高結合性柱状無機質結晶において、前記側
面を最も原子密度の高い結晶面、したがって最密面より
構成すると、その最密面と、それに隣接する柱状または
粒状無機質結晶の結晶面との間の結合密度が高くなるの
で、それら結晶間の結合力が高められ、これにより柱状
無機質結晶の成長方向と交差する方向の荷重に対する無
機質皮膜の強度を向上させて、その耐亀裂性を改善する
ことができる。
面を最も原子密度の高い結晶面、したがって最密面より
構成すると、その最密面と、それに隣接する柱状または
粒状無機質結晶の結晶面との間の結合密度が高くなるの
で、それら結晶間の結合力が高められ、これにより柱状
無機質結晶の成長方向と交差する方向の荷重に対する無
機質皮膜の強度を向上させて、その耐亀裂性を改善する
ことができる。
【００１０】
【実施例】図１において、内燃機関用ピストンピン１は
鋼よりなるパイプ状母材２を有し、その母材２の外周面
３に、メッキ処理により層状摺動面構成体（無機質皮
膜）４が形成される。図２に示すように、摺動面構成体
４は、実施例では体心立方構造（ｂｃｃ構造）を持つ金
属結晶（無機質結晶）の集合体より構成され、その集合
体は、図３に示すように、母材２から成長した多数の柱
状金属結晶（柱状無機質結晶）５1 ，５2 ，５3 ，５4
を備える。また摺動面構成体４は多数の粒状金属結晶６
を有することもある。
鋼よりなるパイプ状母材２を有し、その母材２の外周面
３に、メッキ処理により層状摺動面構成体（無機質皮
膜）４が形成される。図２に示すように、摺動面構成体
４は、実施例では体心立方構造（ｂｃｃ構造）を持つ金
属結晶（無機質結晶）の集合体より構成され、その集合
体は、図３に示すように、母材２から成長した多数の柱
状金属結晶（柱状無機質結晶）５1 ，５2 ，５3 ，５4
を備える。また摺動面構成体４は多数の粒状金属結晶６
を有することもある。
【００１１】柱状金属結晶５1 〜５4 は、例えば、ミラ
ー指数で（ｈｈｈ）面を、摺動面４ａ側に向けた（ｈｈ
ｈ）配向性金属結晶であり、この場合、柱状金属結晶５
1 〜５4 の先端部を、図４に示すように摺動面４ａにお
いて六角錐状金属結晶７に、または図５に示すように三
角錐状金属結晶８に形成することができる。六角錐状金
属結晶７は、三角錐状金属結晶８に比べて平均粒径が小
さく、且つ粒径も略均一である。（ｈｈｈ）配向性金属
結晶において、粒径と高さとの間には相関関係があり、
したがって粒径が略均一である、ということは高さも略
等しいということである。
ー指数で（ｈｈｈ）面を、摺動面４ａ側に向けた（ｈｈ
ｈ）配向性金属結晶であり、この場合、柱状金属結晶５
1 〜５4 の先端部を、図４に示すように摺動面４ａにお
いて六角錐状金属結晶７に、または図５に示すように三
角錐状金属結晶８に形成することができる。六角錐状金
属結晶７は、三角錐状金属結晶８に比べて平均粒径が小
さく、且つ粒径も略均一である。（ｈｈｈ）配向性金属
結晶において、粒径と高さとの間には相関関係があり、
したがって粒径が略均一である、ということは高さも略
等しいということである。
【００１２】また柱状金属結晶５1 〜５4 における少な
くとも一部のものは、図６に示すように、その成長方向
ａに沿う全側面１０を最も原子密度が高い結晶面、した
がって最密面である、ミラー指数で（ｈｈ０）面（図２
参照）より構成された高結合性柱状金属結晶５1 であ
る。
くとも一部のものは、図６に示すように、その成長方向
ａに沿う全側面１０を最も原子密度が高い結晶面、した
がって最密面である、ミラー指数で（ｈｈ０）面（図２
参照）より構成された高結合性柱状金属結晶５1 であ
る。
【００１３】高結合性柱状金属結晶５1 において、全側
面９を（ｈｈ０）面より構成すると、その（ｈｈ０）面
と隣接する柱状金属結晶（または粒状金属結晶）の結晶
面との間の結合密度が高くなるので、それら結晶間の結
合力が高められ、これにより柱状金属結晶５1 〜５4 の
成長方向ａと交差する方向ｂ（図３参照）の摺動荷重に
対する摺動面構成体４の強度を向上させて、その耐亀裂
性を改善することができる。
面９を（ｈｈ０）面より構成すると、その（ｈｈ０）面
と隣接する柱状金属結晶（または粒状金属結晶）の結晶
面との間の結合密度が高くなるので、それら結晶間の結
合力が高められ、これにより柱状金属結晶５1 〜５4 の
成長方向ａと交差する方向ｂ（図３参照）の摺動荷重に
対する摺動面構成体４の強度を向上させて、その耐亀裂
性を改善することができる。
【００１４】高結合性柱状金属結晶５1 は、図３，６に
示すように、その結晶５1 の基端が結合する母材２外周
面の極微細部分をミクロ的に平面と見たとき、その平面
より略均一な粒径を持って略垂直に成長したものであ
る。このような粒径制御は、電気メッキ処理において
は、陰極電流密度をメッキ時間の経過に伴って減少させ
ることによって達成される。この場合、陰極電流密度の
減少度合を変えることによって高結合性柱状金属結晶５
1 の存在率が高レベルにおいて変化する。なお、陰極電
流密度を一定に設定しても、その値によって高結合性柱
状金属結晶５1 の存在率は低レベルにおいて変化する。
示すように、その結晶５1 の基端が結合する母材２外周
面の極微細部分をミクロ的に平面と見たとき、その平面
より略均一な粒径を持って略垂直に成長したものであ
る。このような粒径制御は、電気メッキ処理において
は、陰極電流密度をメッキ時間の経過に伴って減少させ
ることによって達成される。この場合、陰極電流密度の
減少度合を変えることによって高結合性柱状金属結晶５
1 の存在率が高レベルにおいて変化する。なお、陰極電
流密度を一定に設定しても、その値によって高結合性柱
状金属結晶５1 の存在率は低レベルにおいて変化する。
【００１５】図３，７に示すように、柱状金属結晶が、
先太状若しくは先細状に成長したもの５2 ，５3 である
場合、または成長方向ａに対して傾き角θを持つように
成長したもの５4 である場合には、その全側面９は原子
密度の低い結晶面、したがって高指数面、例えば、ミラ
ー指数で（ｈ３ｈ５ｈ）面より構成され、このような結
晶面によったのでは両結晶間の結合力向上効果は低い。
先太状若しくは先細状に成長したもの５2 ，５3 である
場合、または成長方向ａに対して傾き角θを持つように
成長したもの５4 である場合には、その全側面９は原子
密度の低い結晶面、したがって高指数面、例えば、ミラ
ー指数で（ｈ３ｈ５ｈ）面より構成され、このような結
晶面によったのでは両結晶間の結合力向上効果は低い。
【００１６】ｂｃｃ構造を持つ金属結晶としては、Ｆ
ｅ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｖ等の単体ま
たは合金の結晶を挙げることができる。
ｅ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｖ等の単体ま
たは合金の結晶を挙げることができる。
【００１７】摺動面構成体４を形成するためのメッキ処
理において、電気Ｆｅメッキ処理を行う場合のメッキ浴
および陰極電流密度条件は、表１の通りである。
理において、電気Ｆｅメッキ処理を行う場合のメッキ浴
および陰極電流密度条件は、表１の通りである。
【００１８】
【表１】 メッキ処理としては、電気メッキ処理の外に、例えば気
相メッキ法であるＰＶＤ法、ＣＶＤ法、スパッタ法、イ
オンプレーティング等を挙げることができる。スパッタ
法によりＷ、Ｍｏメッキを行う場合の条件は、例えばＡ
ｒ圧力 ０．２〜１Ｐａ、平均Ａｒ加速電力 直流１〜
１．５ｋＷ、母材温度 １５０〜３００℃であり、この
場合の粒径制御は、平均Ａｒ加速電力をスパッタ時間の
経過に伴って減少させることによって行われる。ＣＶＤ
法によりＷメッキを行う場合の条件は、例えば原材料
ＷＦ6 、ガス流量 ２〜１５cc／min 、チャンバ内圧力
５０〜３００Ｐａ、母材温度４００〜６００℃、ＡｒＦ
エキシマレーザの平均出力 ５〜４０Ｗであり、この場
合の粒径制御は、ＡｒＦエキシマレーザの平均出力を成
膜時間の経過に伴って減少させることによって行われ
る。
相メッキ法であるＰＶＤ法、ＣＶＤ法、スパッタ法、イ
オンプレーティング等を挙げることができる。スパッタ
法によりＷ、Ｍｏメッキを行う場合の条件は、例えばＡ
ｒ圧力 ０．２〜１Ｐａ、平均Ａｒ加速電力 直流１〜
１．５ｋＷ、母材温度 １５０〜３００℃であり、この
場合の粒径制御は、平均Ａｒ加速電力をスパッタ時間の
経過に伴って減少させることによって行われる。ＣＶＤ
法によりＷメッキを行う場合の条件は、例えば原材料
ＷＦ6 、ガス流量 ２〜１５cc／min 、チャンバ内圧力
５０〜３００Ｐａ、母材温度４００〜６００℃、ＡｒＦ
エキシマレーザの平均出力 ５〜４０Ｗであり、この場
合の粒径制御は、ＡｒＦエキシマレーザの平均出力を成
膜時間の経過に伴って減少させることによって行われ
る。
【００１９】以下、具体例について説明する。
【００２０】鋼（ＪＩＳ ＳＣＭ４２０）よりなるパイ
プ状母材２の外周面３に、電気Ｆｅメッキ処理を施すこ
とによりＦｅ結晶の集合体より構成された厚さ１５μｍ
の摺動面構成体４を形成して複数の内燃機関用ピストン
ピン１を製造した。
プ状母材２の外周面３に、電気Ｆｅメッキ処理を施すこ
とによりＦｅ結晶の集合体より構成された厚さ１５μｍ
の摺動面構成体４を形成して複数の内燃機関用ピストン
ピン１を製造した。
【００２１】摺動面構成体の各例において、表２は例１
〜７の、表３は例８〜１４の、表４は例１５〜２１の、
表５は例２２〜２８の電気Ｆｅメッキ処理条件をそれぞ
れ示す。
〜７の、表３は例８〜１４の、表４は例１５〜２１の、
表５は例２２〜２８の電気Ｆｅメッキ処理条件をそれぞ
れ示す。
【００２２】
【表２】
【００２３】
【表３】
【００２４】
【表４】
【００２５】
【表５】 表６は例１〜７、表７は例８〜１４、表８は例１５〜２
１、表９は例２２〜２８に関する柱状Ｆｅ結晶の面積率
Ｂおよび高結合性柱状Ｆｅ結晶の存在率Ａをそれぞれ示
す。
１、表９は例２２〜２８に関する柱状Ｆｅ結晶の面積率
Ｂおよび高結合性柱状Ｆｅ結晶の存在率Ａをそれぞれ示
す。
【００２６】
【表６】
【００２７】
【表７】
【００２８】
【表８】
【００２９】
【表９】 柱状Ｆｅ結晶の面積率Ｂは、各例の縦断面の面積を
Ｃ1 、その縦断面において全部の柱状Ｆｅ結晶が占める
面積をＣ2 としたとき、Ｂ＝（Ｃ2 ／Ｃ1 ）×１００
（％）として求められた。なお、柱状Ｆｅ結晶以外の部
分は粒状Ｆｅ結晶より構成されている。また高結合性柱
状Ｆｅ結晶の存在率Ａは、高結合性柱状Ｆｅ結晶を含む
全部の柱状Ｆｅ結晶の個数をＤ1 、全部の高結合性Ｆｅ
結晶の個数をＤ2 としたとき、Ａ＝（Ｄ2 ／Ｄ1 ）×１
００（％）として求められた。
Ｃ1 、その縦断面において全部の柱状Ｆｅ結晶が占める
面積をＣ2 としたとき、Ｂ＝（Ｃ2 ／Ｃ1 ）×１００
（％）として求められた。なお、柱状Ｆｅ結晶以外の部
分は粒状Ｆｅ結晶より構成されている。また高結合性柱
状Ｆｅ結晶の存在率Ａは、高結合性柱状Ｆｅ結晶を含む
全部の柱状Ｆｅ結晶の個数をＤ1 、全部の高結合性Ｆｅ
結晶の個数をＤ2 としたとき、Ａ＝（Ｄ2 ／Ｄ1 ）×１
００（％）として求められた。
【００３０】図８は、例５のＸ線回折図（Ｘ線照射方向
は摺動面に対して直角方向）である。図中、例えば｛２
２２｝とは｛２２２｝配向性Ｆｅ結晶を意味し、この
｛２２２｝配向性Ｆｅ結晶とは｛２２２｝面を摺動面４
ａ側に向けた配向性Ｆｅ結晶のことである。また数値は
各配向性Ｆｅ結晶の存在率（％）を意味し、その存在率
Ｓは次式から求められた。 ｛２１１｝配向性Ｆｅ結晶：Ｓ211 ＝｛（Ｉ211 ／ＩＡ
211 ）／Ｔ｝×１００、 ｛２２２｝配向性Ｆｅ結晶：Ｓ222 ＝｛（Ｉ222 ／ＩＡ
222 ）／Ｔ｝×１００ ここで、Ｉ211 、Ｉ222 は各結晶面のＸ線反射強度の測
定値（ｃｐｓ）であり、またＩＡ211 、ＩＡ222 はＡＳ
ＴＭカードにおける各結晶面のＸ線反射強度比で、ＩＡ
211 ＝３０、ＩＡ222 ＝６である。さらにＴは、Ｔ＝
（Ｉ211 ／ＩＡ211 ）＋（Ｉ222 ／ＩＡ222 ）である。
は摺動面に対して直角方向）である。図中、例えば｛２
２２｝とは｛２２２｝配向性Ｆｅ結晶を意味し、この
｛２２２｝配向性Ｆｅ結晶とは｛２２２｝面を摺動面４
ａ側に向けた配向性Ｆｅ結晶のことである。また数値は
各配向性Ｆｅ結晶の存在率（％）を意味し、その存在率
Ｓは次式から求められた。 ｛２１１｝配向性Ｆｅ結晶：Ｓ211 ＝｛（Ｉ211 ／ＩＡ
211 ）／Ｔ｝×１００、 ｛２２２｝配向性Ｆｅ結晶：Ｓ222 ＝｛（Ｉ222 ／ＩＡ
222 ）／Ｔ｝×１００ ここで、Ｉ211 、Ｉ222 は各結晶面のＸ線反射強度の測
定値（ｃｐｓ）であり、またＩＡ211 、ＩＡ222 はＡＳ
ＴＭカードにおける各結晶面のＸ線反射強度比で、ＩＡ
211 ＝３０、ＩＡ222 ＝６である。さらにＴは、Ｔ＝
（Ｉ211 ／ＩＡ211 ）＋（Ｉ222 ／ＩＡ222 ）である。
【００３１】図９は例５における縦断面の結晶構造を示
す顕微鏡写真であり、多数の柱状Ｆｅ結晶が観察され
る。この場合、表６に示すように、柱状Ｆｅ結晶の面積
率ＢはＢ＝１００％である。この柱状Ｆｅ結晶は（ｈｈ
ｈ）面、したがって｛２２２｝面を摺動面側に向けた
｛２２２｝配向性Ｆｅ結晶であり、その｛２２２｝配向
性Ｆｅ結晶の存在率Ｓは、図８に示すように、Ｓ＝９１
％である。
す顕微鏡写真であり、多数の柱状Ｆｅ結晶が観察され
る。この場合、表６に示すように、柱状Ｆｅ結晶の面積
率ＢはＢ＝１００％である。この柱状Ｆｅ結晶は（ｈｈ
ｈ）面、したがって｛２２２｝面を摺動面側に向けた
｛２２２｝配向性Ｆｅ結晶であり、その｛２２２｝配向
性Ｆｅ結晶の存在率Ｓは、図８に示すように、Ｓ＝９１
％である。
【００３２】次に、例５における高結合性柱状Ｆｅ結晶
の側面に沿うスライス片を作製し、そのスライス片にそ
れの深さ方向に電子線を照射したところ、図１０に示す
電子回折パターンを得た。図１０より、高結合性柱状Ｆ
ｅ結晶の側面が（ｈｈ０）面より構成されていることが
判る。
の側面に沿うスライス片を作製し、そのスライス片にそ
れの深さ方向に電子線を照射したところ、図１０に示す
電子回折パターンを得た。図１０より、高結合性柱状Ｆ
ｅ結晶の側面が（ｈｈ０）面より構成されていることが
判る。
【００３３】図１１は、例１における縦断面の結晶構造
を示す顕微鏡写真であり、多数の柱状Ｆｅ結晶が観察さ
れる。ただし、全部の柱状Ｆｅ結晶が先太状若しくは先
細状、または傾き角θをもって成長しているため、これ
ら柱状Ｆｅ結晶中には高結合性柱状Ｆｅ結晶は存在しな
い。
を示す顕微鏡写真であり、多数の柱状Ｆｅ結晶が観察さ
れる。ただし、全部の柱状Ｆｅ結晶が先太状若しくは先
細状、または傾き角θをもって成長しているため、これ
ら柱状Ｆｅ結晶中には高結合性柱状Ｆｅ結晶は存在しな
い。
【００３４】さらに、各例を母材より剥離し、各例につ
いて引張り試験を行ったところ、表１０の結果を得た。
引張り試験は、各例の両端を柱状Ｆｅ結晶の成長方向と
交差する方向に、引張り速度０．０５mm／min で引張る
ことによって行われた。
いて引張り試験を行ったところ、表１０の結果を得た。
引張り試験は、各例の両端を柱状Ｆｅ結晶の成長方向と
交差する方向に、引張り速度０．０５mm／min で引張る
ことによって行われた。
【００３５】
【表１０】 図１２は、表６〜１０に基づいて、各例における高結合
性柱状Ｆｅ結晶の存在率Ａと引張強さとの関係をグラフ
化したものである。図中、点（１）〜（２８）は例１〜
２８にそれぞれ対応する。図１２より、高結合性柱状Ｆ
ｅ結晶の存在率ＡがＡ≧１５％になると引張強さが向上
し、また１５％≦Ａ≦３５％では引張強さが略一定とな
り、さらにＡ≧４０％になると引張強さが急激に向上す
ることが判る。
性柱状Ｆｅ結晶の存在率Ａと引張強さとの関係をグラフ
化したものである。図中、点（１）〜（２８）は例１〜
２８にそれぞれ対応する。図１２より、高結合性柱状Ｆ
ｅ結晶の存在率ＡがＡ≧１５％になると引張強さが向上
し、また１５％≦Ａ≦３５％では引張強さが略一定とな
り、さらにＡ≧４０％になると引張強さが急激に向上す
ることが判る。
【００３６】一方、柱状Ｆｅ結晶の面積率Ｂが低くなる
に従って引張強さが高くなるが、これはランダムに成長
した密着強さの高い粒状Ｆｅ結晶の存在量が多くなるこ
とに起因する。
に従って引張強さが高くなるが、これはランダムに成長
した密着強さの高い粒状Ｆｅ結晶の存在量が多くなるこ
とに起因する。
【００３７】なお、柱状無機質結晶には、柱状金属結晶
に限らず柱状セラミック結晶等も含まれる。また本発明
は各種用途に適用され、摺動面構成体のみに限定されな
い。
に限らず柱状セラミック結晶等も含まれる。また本発明
は各種用途に適用され、摺動面構成体のみに限定されな
い。
【００３８】
【発明の効果】本発明によれば、前記のように特定され
た結晶構造を具備させることによって、高強度化を達成
された無機質皮膜を提供することができる。
た結晶構造を具備させることによって、高強度化を達成
された無機質皮膜を提供することができる。
【図１】ピストンピンの要部破断斜視図である。
【図２】体心立方構造およびその（ｈｈｈ）面、（ｈｈ
０）面を示す斜視図である。
０）面を示す斜視図である。
【図３】図１の３−３線拡大断面図である。
【図４】六角錐状金属結晶の平面図である。
【図５】三角錐状金属結晶の平面図である。
【図６】高結合性柱状金属結晶の要部斜視図である。
【図７】先太状柱状金属結晶の要部斜視図である。
【図８】摺動面構成体のＸ線回折図である。
【図９】摺動面構成体の一例における縦断面の結晶構造
を示す顕微鏡写真である。
を示す顕微鏡写真である。
【図１０】高結合性柱状Ｆｅ結晶側面の電子線回折写真
である。
である。
【図１１】摺動面構成体の他例における縦断面の結晶構
造を示す顕微鏡写真である。
造を示す顕微鏡写真である。
【図１２】高結合性柱状Ｆｅ結晶の存在率と引張強さと
の関係を示すグラフである。
の関係を示すグラフである。
【符号の説明】 ４ 摺動面構成体（無機質皮膜） ５1 高結合性柱状金属結晶（高結合性柱状無機
質結晶） ５2 〜５4 柱状金属結晶（柱状無機質結晶） ９ 側面 ａ 成長方向
質結晶） ５2 〜５4 柱状金属結晶（柱状無機質結晶） ９ 側面 ａ 成長方向
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 川人 康 埼玉県和光市中央１丁目４番１号 株式会 社本田技術研究所内
Claims (3)
- 【請求項１】 母材（２）から成長した多数の柱状無機
質結晶（５1 〜５4）を備え、それら柱状無機質結晶
（５1 〜５4 ）における少なくとも一部のものは、その
成長方向（ａ）に沿う側面（９）を最も原子密度の高い
結晶面より構成された高結合性柱状無機質結晶（５1 ）
であることを特徴とする高強度無機質皮膜。 - 【請求項２】 全柱状無機質結晶（５1 〜５4 ）におけ
る前記高結合性柱状無機質結晶（５1 ）の存在率ＡがＡ
≧１５％である、請求項１記載の高強度無機質皮膜。 - 【請求項３】 全柱状無機質結晶（５1 〜５4 ）におけ
る前記高結合性柱状無機質結晶（５1 ）の存在率ＡがＡ
≧４０％である、請求項１記載の高強度無機質皮膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14233594A JP3311151B2 (ja) | 1994-06-01 | 1994-06-01 | 高強度無機質皮膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14233594A JP3311151B2 (ja) | 1994-06-01 | 1994-06-01 | 高強度無機質皮膜 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07332494A true JPH07332494A (ja) | 1995-12-22 |
| JP3311151B2 JP3311151B2 (ja) | 2002-08-05 |
Family
ID=15312971
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14233594A Expired - Fee Related JP3311151B2 (ja) | 1994-06-01 | 1994-06-01 | 高強度無機質皮膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3311151B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999066099A1 (en) * | 1998-06-17 | 1999-12-23 | Tanaka Kikinzoku Kogyo K.K. | Target material for spattering |
| US6875324B2 (en) | 1998-06-17 | 2005-04-05 | Tanaka Kikinzoku Kogyo K.K. | Sputtering target material |
-
1994
- 1994-06-01 JP JP14233594A patent/JP3311151B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999066099A1 (en) * | 1998-06-17 | 1999-12-23 | Tanaka Kikinzoku Kogyo K.K. | Target material for spattering |
| GB2343684A (en) * | 1998-06-17 | 2000-05-17 | Tanaka Precious Metal Ind | Target material for spattering |
| GB2343684B (en) * | 1998-06-17 | 2003-04-23 | Tanaka Precious Metal Ind | Sputtering target material |
| US6875324B2 (en) | 1998-06-17 | 2005-04-05 | Tanaka Kikinzoku Kogyo K.K. | Sputtering target material |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3311151B2 (ja) | 2002-08-05 |
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| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |