JPH07333600A - 反射型液晶表示装置 - Google Patents
反射型液晶表示装置Info
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- JPH07333600A JPH07333600A JP6145337A JP14533794A JPH07333600A JP H07333600 A JPH07333600 A JP H07333600A JP 6145337 A JP6145337 A JP 6145337A JP 14533794 A JP14533794 A JP 14533794A JP H07333600 A JPH07333600 A JP H07333600A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 コントラストが高く、像のだぶりがないλ／
４ＧＨ方式の反射型液晶表示装置を提供する。 【構成】 電極を有する２枚の支持板と、前記支持板間
に挟まれた２色性色素を含む液晶層と、この液晶層に入
射した光を反射する反射板と、前記反射板と前記液晶層
との間に設けられた位相差板とを有する反射型液晶表示
装置において、前記２枚の支持板の一方の電極を前記反
射板に兼用するとともに、この反射板とする電極と前記
液晶層との間に前記位相差板を配置した。
４ＧＨ方式の反射型液晶表示装置を提供する。 【構成】 電極を有する２枚の支持板と、前記支持板間
に挟まれた２色性色素を含む液晶層と、この液晶層に入
射した光を反射する反射板と、前記反射板と前記液晶層
との間に設けられた位相差板とを有する反射型液晶表示
装置において、前記２枚の支持板の一方の電極を前記反
射板に兼用するとともに、この反射板とする電極と前記
液晶層との間に前記位相差板を配置した。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は外光の反射を用いて表示
を行う反射型液晶表示装置に関し、特に偏光板を用いな
い明るい反射型液晶表示装置に関する。
を行う反射型液晶表示装置に関し、特に偏光板を用いな
い明るい反射型液晶表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、反射型液晶表示装置として２枚の
偏光板の間に液晶を挟さみ液晶の複屈折を利用して表示
を行うＴｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ方式（以下ＴＮ
方式）やＳｕｐｅｒ Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ
方式（以下ＳＴＮ方式）が用いられている。これらの方
式では偏光板により外光の少なくとも５０％が吸収され
るため、表示が暗く視認性が悪いという問題があった。
これに対して２色性色素を含む液晶と１／４波長の位相
差を持つ位相差板とを利用する、いわゆるλ／４ゲスト
−ホスト方式（以下「λ／４ＧＨ方式」という）の反射
型液晶表示装置は、偏光板を用いないため明るい表示が
得られることが知られている（特開昭５２−１２９４５
０号、特公昭５９−４８３９２号、特公平３−１６４９
号公報等参照）。
偏光板の間に液晶を挟さみ液晶の複屈折を利用して表示
を行うＴｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ方式（以下ＴＮ
方式）やＳｕｐｅｒ Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ
方式（以下ＳＴＮ方式）が用いられている。これらの方
式では偏光板により外光の少なくとも５０％が吸収され
るため、表示が暗く視認性が悪いという問題があった。
これに対して２色性色素を含む液晶と１／４波長の位相
差を持つ位相差板とを利用する、いわゆるλ／４ゲスト
−ホスト方式（以下「λ／４ＧＨ方式」という）の反射
型液晶表示装置は、偏光板を用いないため明るい表示が
得られることが知られている（特開昭５２−１２９４５
０号、特公昭５９−４８３９２号、特公平３−１６４９
号公報等参照）。
【０００３】図５を用いて従来のλ／４ＧＨ方式の反射
型液晶表示装置を説明する。従来のλ／４ＧＨ方式の反
射型液晶表示装置は、液晶セル１、位相差板３０、およ
び反射板２０とからなる。液晶セル１は、電極２１と配
向膜４１とが順次形成された支持板１１と、電極２２と
配向膜４２とが順次形成された支持板１２と、これらの
間に挟まれた液晶層５０とからなる。位相差板３０の位
相差は可視光に対して１／４波長となるように設定さ
れ、白雲母、水晶などの無機結晶やポリビニルアルコー
ル、ポリメチルメタクリレート、ポリカーボネートなど
高分子材料の延伸フィルムなどが使用される。反射板２
０には、Ａｌ、Ａｇ、Ｃｒなど高反射率の金属材料が、
電極２１，２２にはＳｎＯ2やＩｎ2Ｏ3などの透光性導
電材料が利用される。液晶層５０には２色性色素を含む
ネマチック液晶が用いられる。液晶層５０の配向方向
は、電圧無印加時に支持板面に平行で、かつ位相差板３
０の光学軸と４５°をなすよう規定する。具体的にはラ
ビング処理した高分子膜よりなる配向膜４１，４２を設
けることにより前記の配向を実現することができる。液
晶層５０には電圧印加時に支持板面に垂直に配向するよ
うに誘電異方性が正のネマチック液晶を用いる。
型液晶表示装置を説明する。従来のλ／４ＧＨ方式の反
射型液晶表示装置は、液晶セル１、位相差板３０、およ
び反射板２０とからなる。液晶セル１は、電極２１と配
向膜４１とが順次形成された支持板１１と、電極２２と
配向膜４２とが順次形成された支持板１２と、これらの
間に挟まれた液晶層５０とからなる。位相差板３０の位
相差は可視光に対して１／４波長となるように設定さ
れ、白雲母、水晶などの無機結晶やポリビニルアルコー
ル、ポリメチルメタクリレート、ポリカーボネートなど
高分子材料の延伸フィルムなどが使用される。反射板２
０には、Ａｌ、Ａｇ、Ｃｒなど高反射率の金属材料が、
電極２１，２２にはＳｎＯ2やＩｎ2Ｏ3などの透光性導
電材料が利用される。液晶層５０には２色性色素を含む
ネマチック液晶が用いられる。液晶層５０の配向方向
は、電圧無印加時に支持板面に平行で、かつ位相差板３
０の光学軸と４５°をなすよう規定する。具体的にはラ
ビング処理した高分子膜よりなる配向膜４１，４２を設
けることにより前記の配向を実現することができる。液
晶層５０には電圧印加時に支持板面に垂直に配向するよ
うに誘電異方性が正のネマチック液晶を用いる。
【０００４】次にλ／４ＧＨ方式の反射型液晶表示装置
の原理を説明する。電圧無印加時には液晶層５０は支持
板面に平行に配向している。外部から支持板１１を通し
て液晶層５０に入射する光線のうち、液晶層５０の配向
方向と平行な振動面を持つ偏光成分は吸収を受け、それ
に直交する偏光成分は液晶層５０を透過する。液晶層５
０を透過した光線は位相差板３０を透過し、反射板２０
で反射され、再び位相差板３０を透過した後に、液晶の
配向方向と平行な振動面を持つ直線偏光となる。このた
め外部から入射した光はすべて液晶層５０に吸収され暗
表示となる。一方、電圧印加時には液晶層５０は支持板
面に垂直に配向する。外部から入射した光はほとんど吸
収を受けないため明表示となる。電圧無印加時の液晶層
５０の配向にねじれ配向を用いても同様の表示効果が得
られる。また誘電異方性が負のネマチック液晶と垂直配
向膜とを用いて、電圧無印加時に明表示となり、電圧印
加時に暗表示とすることもできる。
の原理を説明する。電圧無印加時には液晶層５０は支持
板面に平行に配向している。外部から支持板１１を通し
て液晶層５０に入射する光線のうち、液晶層５０の配向
方向と平行な振動面を持つ偏光成分は吸収を受け、それ
に直交する偏光成分は液晶層５０を透過する。液晶層５
０を透過した光線は位相差板３０を透過し、反射板２０
で反射され、再び位相差板３０を透過した後に、液晶の
配向方向と平行な振動面を持つ直線偏光となる。このた
め外部から入射した光はすべて液晶層５０に吸収され暗
表示となる。一方、電圧印加時には液晶層５０は支持板
面に垂直に配向する。外部から入射した光はほとんど吸
収を受けないため明表示となる。電圧無印加時の液晶層
５０の配向にねじれ配向を用いても同様の表示効果が得
られる。また誘電異方性が負のネマチック液晶と垂直配
向膜とを用いて、電圧無印加時に明表示となり、電圧印
加時に暗表示とすることもできる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、このようなλ
／４ＧＨ方式の反射型液晶表示装置を用いてドットマト
リクス型の表示装置を構成しようとした場合、以下のよ
うな問題点があった。１つは液晶層５０はその明暗で表
示画像を形成するが、観測者には同じ像が反射層２０に
映ってみえるため像がだぶり視認性を低下させる。また
画素ピッチが小さくなるにしたがって、コントラストが
低下するという問題がある。この原因は、液晶層５０と
反射板２０とが隔たっているために、明表示部を通った
光線が隣接する暗表示部に入射したり、暗表示部を通っ
た光線が隣接する明表示部を透過したりすることに起因
する。すなわち反射板２０での反射の前後で、表示状態
の異なる画素を通過するため、前記の作用が働かずコン
トラスト低下が生じる。この現象は画素の一辺の長さ
が、液晶層５０と反射板２０との距離と同程度か、それ
より小さくなると顕著に現れる。すなわち高精細化が進
むほど問題は顕著になり、とくに支持面に斜め方向から
表示を観察した場合に顕著に観察される。
／４ＧＨ方式の反射型液晶表示装置を用いてドットマト
リクス型の表示装置を構成しようとした場合、以下のよ
うな問題点があった。１つは液晶層５０はその明暗で表
示画像を形成するが、観測者には同じ像が反射層２０に
映ってみえるため像がだぶり視認性を低下させる。また
画素ピッチが小さくなるにしたがって、コントラストが
低下するという問題がある。この原因は、液晶層５０と
反射板２０とが隔たっているために、明表示部を通った
光線が隣接する暗表示部に入射したり、暗表示部を通っ
た光線が隣接する明表示部を透過したりすることに起因
する。すなわち反射板２０での反射の前後で、表示状態
の異なる画素を通過するため、前記の作用が働かずコン
トラスト低下が生じる。この現象は画素の一辺の長さ
が、液晶層５０と反射板２０との距離と同程度か、それ
より小さくなると顕著に現れる。すなわち高精細化が進
むほど問題は顕著になり、とくに支持面に斜め方向から
表示を観察した場合に顕著に観察される。
【０００６】さらに、アクティブマトリクス方式の構成
にした場合に表示が暗いという問題があった。λ／４Ｇ
Ｈ方式の液晶表示装置は電圧−反射率特性の立ち上がり
が緩慢なため、単純マトリクス方式の構成では走査線本
数が多くなった場合に十分なコントラストをとることが
できない。走査線本数を多くしてもコントラストの低下
を招かない表示方法として、１画素１画素に能動素子を
設けるアクティブマトリクス方式が知られている。例え
ば能動素子として薄膜トランジスタ（以下「ＴＦＴ」と
いう）を用いたアクティブマトリクス方式では、画素と
なる電極（画素電極という）以外に、走査電極、データ
電極、ＴＦＴ、蓄積容量などを支持板上に形成する。こ
のため全面積に占める画素電極面積の割合である開口率
は高々４０％に過ぎない。従来のλ／４ＧＨ方式におい
て支持板１２をアクティブマトリクス基板とした場合、
外部から入射した光はＴＦＴが形成された支持板１２を
通り、反射板２０で反射した後、再度支持板１２を透過
する。すなわち支持板１２を２回透過するため、液晶表
示装置の平均反射率は開口率の二乗に比例する。前述の
ごとく開口率は高々４０％に過ぎないので、液晶表示装
置の平均反射率は１６％（＝０．４2）を越えることは
なく、極めて暗く視認性の低い表示となっていた。そこ
で本発明はかかる従来のλ／４ＧＨ方式の反射型液晶表
示装置の問題を解決し、高精細化してもコントラストが
高く、像のだぶりがなく、またアクティブマトリクス方
式の場合の平均反射率低下を防止したλ／４ＧＨ方式の
反射型液晶表示装置を提供することを目的とする。
にした場合に表示が暗いという問題があった。λ／４Ｇ
Ｈ方式の液晶表示装置は電圧−反射率特性の立ち上がり
が緩慢なため、単純マトリクス方式の構成では走査線本
数が多くなった場合に十分なコントラストをとることが
できない。走査線本数を多くしてもコントラストの低下
を招かない表示方法として、１画素１画素に能動素子を
設けるアクティブマトリクス方式が知られている。例え
ば能動素子として薄膜トランジスタ（以下「ＴＦＴ」と
いう）を用いたアクティブマトリクス方式では、画素と
なる電極（画素電極という）以外に、走査電極、データ
電極、ＴＦＴ、蓄積容量などを支持板上に形成する。こ
のため全面積に占める画素電極面積の割合である開口率
は高々４０％に過ぎない。従来のλ／４ＧＨ方式におい
て支持板１２をアクティブマトリクス基板とした場合、
外部から入射した光はＴＦＴが形成された支持板１２を
通り、反射板２０で反射した後、再度支持板１２を透過
する。すなわち支持板１２を２回透過するため、液晶表
示装置の平均反射率は開口率の二乗に比例する。前述の
ごとく開口率は高々４０％に過ぎないので、液晶表示装
置の平均反射率は１６％（＝０．４2）を越えることは
なく、極めて暗く視認性の低い表示となっていた。そこ
で本発明はかかる従来のλ／４ＧＨ方式の反射型液晶表
示装置の問題を解決し、高精細化してもコントラストが
高く、像のだぶりがなく、またアクティブマトリクス方
式の場合の平均反射率低下を防止したλ／４ＧＨ方式の
反射型液晶表示装置を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、電極を有する
２枚の支持板と、前記支持板間に挟まれた２色性色素を
含む液晶層と、この液晶層に入射した光を反射する反射
板と、前記反射板と前記液晶層との間に設けられた位相
差板とを有する反射型液晶表示装置において、前記２枚
の支持板の一方の電極を前記反射板に兼用するととも
に、この反射板とする電極と前記液晶層との間に前記位
相差板を配置したことを特徴とする。
２枚の支持板と、前記支持板間に挟まれた２色性色素を
含む液晶層と、この液晶層に入射した光を反射する反射
板と、前記反射板と前記液晶層との間に設けられた位相
差板とを有する反射型液晶表示装置において、前記２枚
の支持板の一方の電極を前記反射板に兼用するととも
に、この反射板とする電極と前記液晶層との間に前記位
相差板を配置したことを特徴とする。
【０００８】
【作用】本発明においては、２枚の支持板の一方の電極
を前記反射板に兼用するとともに、この反射板とする電
極と前記液晶層との間に前記位相差板を配置したため、
液晶層と反射板とを近接して配置することができ、この
ため液晶層による表示像のコントラスト低下とだぶりを
抑えることができる。
を前記反射板に兼用するとともに、この反射板とする電
極と前記液晶層との間に前記位相差板を配置したため、
液晶層と反射板とを近接して配置することができ、この
ため液晶層による表示像のコントラスト低下とだぶりを
抑えることができる。
【０００９】
【実施例】以下、実施例に基づいて、本発明を具体的に
説明する。 （実施例１）図１は本発明の第１の実施例を示す斜視図
である。この実施例の反射型液晶表示装置は、透光性電
極２１、配向膜４１が順次形成された支持板１１と、電
極２３、配向膜４３、位相差板３０、配向膜４２が順次
形成された支持板１２と、これらの間に挟まれた液晶層
５０とから構成される。支持板１１，１２には、ほう珪
酸ガラス、石英ガラスなどのガラスや、ポリアクリル、
ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネートなどの
透光性樹脂など、透光性と機械強度と表面平坦性を有す
る材料から選ぶことができる。この反射型液晶表示装置
は次のように作成される。まず支持板１１上に、ＳｎＯ
2やＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）など
の透光性導電材料を、蒸着法やスパッタリング法によっ
て成膜したのち、フォトエッチング法にて所望の形状に
パターニングして電極２１を形成する。電極２１上にポ
リイミドなどの配向材料よりなる配向膜４１を形成、ラ
ビング処理する。
説明する。 （実施例１）図１は本発明の第１の実施例を示す斜視図
である。この実施例の反射型液晶表示装置は、透光性電
極２１、配向膜４１が順次形成された支持板１１と、電
極２３、配向膜４３、位相差板３０、配向膜４２が順次
形成された支持板１２と、これらの間に挟まれた液晶層
５０とから構成される。支持板１１，１２には、ほう珪
酸ガラス、石英ガラスなどのガラスや、ポリアクリル、
ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネートなどの
透光性樹脂など、透光性と機械強度と表面平坦性を有す
る材料から選ぶことができる。この反射型液晶表示装置
は次のように作成される。まず支持板１１上に、ＳｎＯ
2やＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）など
の透光性導電材料を、蒸着法やスパッタリング法によっ
て成膜したのち、フォトエッチング法にて所望の形状に
パターニングして電極２１を形成する。電極２１上にポ
リイミドなどの配向材料よりなる配向膜４１を形成、ラ
ビング処理する。
【００１０】一方、Ａｌ、Ａｇ、Ｃｒなど高反射率な金
属を、鏡面となる条件下で、蒸着法、スパッタリング法
などの方法を用いて支持板１２上に成膜する。一般に低
温、高成膜速度、薄膜厚に成膜するほど鏡面を得易い。
次にこれを所望の形状にパターニングして電極２３を形
成する。電極２３の厚みは、外光を完全に反射し、かつ
十分低電気抵抗となる範囲で選ばれ、通常０．１〜２．
０μｍの範囲で好適に使用される。支持板１２上に電極
２３を形成した後、液晶性高分子よりなる位相差板３０
を形成する。このためまず電極２３上にポリイミドなど
の配向材料よりなる配向膜４３を形成、ラビング処理す
る。次に液晶性高分子としてｐｏｌｙ−６ＣＢＡ（化
１）をシクロヘキサノンに２０ｗｔ％溶解して前記配向
膜上にスピン塗布した。これを溶媒乾燥し、等方相まで
昇温したのち、徐冷して位相差板３０を得た。
属を、鏡面となる条件下で、蒸着法、スパッタリング法
などの方法を用いて支持板１２上に成膜する。一般に低
温、高成膜速度、薄膜厚に成膜するほど鏡面を得易い。
次にこれを所望の形状にパターニングして電極２３を形
成する。電極２３の厚みは、外光を完全に反射し、かつ
十分低電気抵抗となる範囲で選ばれ、通常０．１〜２．
０μｍの範囲で好適に使用される。支持板１２上に電極
２３を形成した後、液晶性高分子よりなる位相差板３０
を形成する。このためまず電極２３上にポリイミドなど
の配向材料よりなる配向膜４３を形成、ラビング処理す
る。次に液晶性高分子としてｐｏｌｙ−６ＣＢＡ（化
１）をシクロヘキサノンに２０ｗｔ％溶解して前記配向
膜上にスピン塗布した。これを溶媒乾燥し、等方相まで
昇温したのち、徐冷して位相差板３０を得た。
【００１１】
【化１】
【００１２】液晶性高分子の材料としては前記のｐｏｌ
ｙ−６ＣＢＡ以外に、ポリアクリレート、ポリメタクリ
レート、ポリシロキサンなどの側鎖型液晶性高分子や、
ポリエステル、ポリアミド、ポリカーボネート、ポリエ
ステルイミドなどの主鎖型液晶性高分子が利用できる。
モノドメイン配向を得るためには、前記液晶性高分子
が、ある温度範囲で液晶性を示すサーモトロピック液晶
であり、かつ液晶相より低温側の温度でガラス相に相転
移して配向状態を凍結できる必要がある。ｐｏｌｙ−６
ＣＢＡの複屈折は０．２３であったので、５５０ｎｍの
可視光に対して１／４波長となるように、厚みを０．６
０μｍに設定した。位相差板３０上にポリビニルブチラ
ールの５ｗｔ％エチルセロソルブ溶液をスピン塗布、溶
媒乾燥した後、位相差板３０の液晶性高分子の配向方向
と４５°をなす方向にラビング処理して配向膜４２を形
成した。このようにして準備した支持板１１と支持板１
２とを、液晶層５０がホモジニアス配向するように貼り
合わせ液晶セルを作製した。液晶層５０には２色性色素
を含むネマチック液晶を用いた。２色性色素としてアゾ
系色素を主成分とする黒色２色性色素（三井東圧化学
（株）製，Ｓ−３４４）１．４ｗｔ％を、ホストのフェ
ニルシクロヘキサン系ネマチック液晶（Ｅ．Ｍｅｒｃｋ
（株）製，ＺＬＩ−１８４０）に添加した。
ｙ−６ＣＢＡ以外に、ポリアクリレート、ポリメタクリ
レート、ポリシロキサンなどの側鎖型液晶性高分子や、
ポリエステル、ポリアミド、ポリカーボネート、ポリエ
ステルイミドなどの主鎖型液晶性高分子が利用できる。
モノドメイン配向を得るためには、前記液晶性高分子
が、ある温度範囲で液晶性を示すサーモトロピック液晶
であり、かつ液晶相より低温側の温度でガラス相に相転
移して配向状態を凍結できる必要がある。ｐｏｌｙ−６
ＣＢＡの複屈折は０．２３であったので、５５０ｎｍの
可視光に対して１／４波長となるように、厚みを０．６
０μｍに設定した。位相差板３０上にポリビニルブチラ
ールの５ｗｔ％エチルセロソルブ溶液をスピン塗布、溶
媒乾燥した後、位相差板３０の液晶性高分子の配向方向
と４５°をなす方向にラビング処理して配向膜４２を形
成した。このようにして準備した支持板１１と支持板１
２とを、液晶層５０がホモジニアス配向するように貼り
合わせ液晶セルを作製した。液晶層５０には２色性色素
を含むネマチック液晶を用いた。２色性色素としてアゾ
系色素を主成分とする黒色２色性色素（三井東圧化学
（株）製，Ｓ−３４４）１．４ｗｔ％を、ホストのフェ
ニルシクロヘキサン系ネマチック液晶（Ｅ．Ｍｅｒｃｋ
（株）製，ＺＬＩ−１８４０）に添加した。
【００１３】（実施例２）図２は本発明の第２の実施例
を示す斜視図である。支持板１１上に光散乱層７０を形
成した点が実施例１と異なる。光散乱層７０は以下のよ
うにして準備した。亜鉛華１ｇと、樹脂濃度１５％のア
クリル樹脂溶液（日本合成ゴム（株）オプトマーＳＳ１
１５１Ｅ）１０ｇと、直径１ｍｍのガラスビーズ適量と
を混合し、密封容器に収めた後、サンプルシェーカーで
１時間混錬した。ガラスビーズを除去後、この分散液を
支持板１１上に滴下し、２０００ｒｐｍ，５秒間スピン
コートしたのち、オーブン中で１８０°Ｃ，１時間、熱
処理して光散乱層７０を得た。以下、実施例１と同様に
して反射型液晶表示装置を構成した。亜鉛華の代わりに
他の白色顔料も利用できるが、光散乱層７０を通して液
晶層５０を観察するため、光散乱層７０は後方散乱が小
さく、前方散乱が大きな材料が好ましい。本実施例によ
れば、光散乱層７０の働きにより、外界の映りこみを排
することができ、表示品質をより向上させることができ
る。
を示す斜視図である。支持板１１上に光散乱層７０を形
成した点が実施例１と異なる。光散乱層７０は以下のよ
うにして準備した。亜鉛華１ｇと、樹脂濃度１５％のア
クリル樹脂溶液（日本合成ゴム（株）オプトマーＳＳ１
１５１Ｅ）１０ｇと、直径１ｍｍのガラスビーズ適量と
を混合し、密封容器に収めた後、サンプルシェーカーで
１時間混錬した。ガラスビーズを除去後、この分散液を
支持板１１上に滴下し、２０００ｒｐｍ，５秒間スピン
コートしたのち、オーブン中で１８０°Ｃ，１時間、熱
処理して光散乱層７０を得た。以下、実施例１と同様に
して反射型液晶表示装置を構成した。亜鉛華の代わりに
他の白色顔料も利用できるが、光散乱層７０を通して液
晶層５０を観察するため、光散乱層７０は後方散乱が小
さく、前方散乱が大きな材料が好ましい。本実施例によ
れば、光散乱層７０の働きにより、外界の映りこみを排
することができ、表示品質をより向上させることができ
る。
【００１４】（実施例３）図３は本発明の第３の実施例
を示す斜視図である。電極２３上に凹凸を設けた点が実
施例１と異なる。このような電極は、支持板１２に擦り
ガラスを用いてその凹凸上にＡｌ，Ａｇなど高反射率の
金属を蒸着する方法、支持板１２をフォトエッチングに
より凹凸に加工しその凹凸上にＡｌ，Ａｇなど高反射率
の金属を蒸着する方法、蒸着した金属膜をフォトエッチ
ングして凹凸を形成する方法などが利用できる。凹凸の
サイズが可視光の波長に対して小さすぎると、偏光解消
が生じてコントラストが低下するので、可視光の波長よ
り十分に大きい必要がある。また表示の均一性を確保す
る観点から、画素サイズより十分に小さくなくてはなら
ない。このことから凹凸のサイズは１〜５０μｍの範
囲、より好ましくは１〜１０μｍの範囲が好適に使用さ
れる。また明るい外観を得るためには、凹凸の平均斜度
を５〜１０°にする必要がある。
を示す斜視図である。電極２３上に凹凸を設けた点が実
施例１と異なる。このような電極は、支持板１２に擦り
ガラスを用いてその凹凸上にＡｌ，Ａｇなど高反射率の
金属を蒸着する方法、支持板１２をフォトエッチングに
より凹凸に加工しその凹凸上にＡｌ，Ａｇなど高反射率
の金属を蒸着する方法、蒸着した金属膜をフォトエッチ
ングして凹凸を形成する方法などが利用できる。凹凸の
サイズが可視光の波長に対して小さすぎると、偏光解消
が生じてコントラストが低下するので、可視光の波長よ
り十分に大きい必要がある。また表示の均一性を確保す
る観点から、画素サイズより十分に小さくなくてはなら
ない。このことから凹凸のサイズは１〜５０μｍの範
囲、より好ましくは１〜１０μｍの範囲が好適に使用さ
れる。また明るい外観を得るためには、凹凸の平均斜度
を５〜１０°にする必要がある。
【００１５】（実施例４）図４は能動素子に薄膜トラジ
スタを用いた本発明の第４の実施例を示す断面図であ
る。以下、製造方法に従って本実施例を説明する。まず
ガラスよりなる支持板１２上に、Ｃｒ，Ａｌ，Ｔａ，Ｍ
ｏなどの金属材料よりなる走査電極を形成する。これら
の金属材料はスパッタリング法によって成膜され、つぎ
にフォトエッチング法により所望の形状にパターニング
される。走査電極上にＳｉＯ2，ＳｉＮｘなどのゲート
絶縁膜、アモルファスＳｉよりなる半導体膜、ゲート絶
縁膜と同様の材料よりなる上部絶縁膜を、プラズマ化学
気相成長法にて連続的に成膜する。絶縁耐圧向上のため
に、走査電極上部を陽極酸化してあらかじめ絶縁膜を形
成した後に、前記絶縁膜を成膜してゲート絶縁膜を２層
構造としてもよい。上部絶縁膜をパターニングしたの
ち、Ｐなどの不純物を添加したアモルファスＳｉなどの
ｎ+半導体膜を成膜し、前記ｎ+半導体膜と前記半導体膜
とを同時にパターニングする。
スタを用いた本発明の第４の実施例を示す断面図であ
る。以下、製造方法に従って本実施例を説明する。まず
ガラスよりなる支持板１２上に、Ｃｒ，Ａｌ，Ｔａ，Ｍ
ｏなどの金属材料よりなる走査電極を形成する。これら
の金属材料はスパッタリング法によって成膜され、つぎ
にフォトエッチング法により所望の形状にパターニング
される。走査電極上にＳｉＯ2，ＳｉＮｘなどのゲート
絶縁膜、アモルファスＳｉよりなる半導体膜、ゲート絶
縁膜と同様の材料よりなる上部絶縁膜を、プラズマ化学
気相成長法にて連続的に成膜する。絶縁耐圧向上のため
に、走査電極上部を陽極酸化してあらかじめ絶縁膜を形
成した後に、前記絶縁膜を成膜してゲート絶縁膜を２層
構造としてもよい。上部絶縁膜をパターニングしたの
ち、Ｐなどの不純物を添加したアモルファスＳｉなどの
ｎ+半導体膜を成膜し、前記ｎ+半導体膜と前記半導体膜
とを同時にパターニングする。
【００１６】次にＳｉＯ2，ＳｉＮｘ，ポリイミドなど
よりなる第一層間絶縁膜を形成し、その上にＡｌなどの
低抵抗金属よりなるデータ電極を配線する。この時同時
に画素電極２３を形成してもよいが、Ａｌ，Ｃｒ，Ａ
ｇ，Ｐｔなど高反射率金属を用いて別途、画素電極２３
を形成してもよい。上記の手順で能動素子６０を形成し
た支持板１２上に配向膜４３、位相差板３０、配向膜４
２を形成する。また支持板１１上に光散乱層７０、電極
２１、配向膜４１を形成し、実施例２と同様にλ／４Ｇ
Ｈ方式の液晶表示装置の構成とした。本実施例の構成の
よれば、外光が支持板１２を２回透過することによる平
均反射率の低下を防止できるため、従来のλ／４ＧＨ方
式を用いたものと比較して明るい表示を得ることができ
た。この実施例では、能動素子をＴＦＴとしたが、能動
素子にダイオード、ＭＩＭ、バリスタ等を用いた場合に
も同様に適用できる。またＴＦＴの構造として、逆スタ
ガ型の構造と製法を例示したが、正スタガ型、プレーナ
型の場合にも本発明の効果は同様に有効である。
よりなる第一層間絶縁膜を形成し、その上にＡｌなどの
低抵抗金属よりなるデータ電極を配線する。この時同時
に画素電極２３を形成してもよいが、Ａｌ，Ｃｒ，Ａ
ｇ，Ｐｔなど高反射率金属を用いて別途、画素電極２３
を形成してもよい。上記の手順で能動素子６０を形成し
た支持板１２上に配向膜４３、位相差板３０、配向膜４
２を形成する。また支持板１１上に光散乱層７０、電極
２１、配向膜４１を形成し、実施例２と同様にλ／４Ｇ
Ｈ方式の液晶表示装置の構成とした。本実施例の構成の
よれば、外光が支持板１２を２回透過することによる平
均反射率の低下を防止できるため、従来のλ／４ＧＨ方
式を用いたものと比較して明るい表示を得ることができ
た。この実施例では、能動素子をＴＦＴとしたが、能動
素子にダイオード、ＭＩＭ、バリスタ等を用いた場合に
も同様に適用できる。またＴＦＴの構造として、逆スタ
ガ型の構造と製法を例示したが、正スタガ型、プレーナ
型の場合にも本発明の効果は同様に有効である。
【００１７】
【発明の効果】本発明によれば、高精細化してもコント
ラストが高く、像のだぶりがない反射型液晶表示装置を
提供できる。またアクティブマトリクス方式と組み合せ
ることによって、高コントラスト化、大表示容量化が可
能となる。
ラストが高く、像のだぶりがない反射型液晶表示装置を
提供できる。またアクティブマトリクス方式と組み合せ
ることによって、高コントラスト化、大表示容量化が可
能となる。
【図１】本発明の第１の実施例を示す斜視図である。
【図２】本発明の第２の実施例を示す斜視図である。
【図３】本発明の第３の実施例を示す斜視図である。
【図４】アクティブマトリクス方式を用いた本発明の第
４の実施例を示す断面図である。
４の実施例を示す断面図である。
【図５】従来技術の構成を示す斜視図である。
１ 液晶セル １１，１２ 支持板 ２０ 反射板 ２１，２２ 電極 ２３ 反射板を兼ねた電極 ３０ 位相差板 ４１，４２ 配向膜 ５０ 液晶層 ６０ 能動素子 ７０ 光拡散板 １０１ 位相差板の光学軸の方向 １０２ 配向膜４２のラビング方向 １０３ 配向膜４１のラビング方向 １０５ 電極２２上に形成された凹凸
Claims (1)
- 【請求項１】 電極を有する２枚の支持板と、前記支持
板間に挟まれた２色性色素を含む液晶層と、この液晶層
に入射した光を反射する反射板と、前記反射板と前記液
晶層との間に設けられた位相差板とを有する反射型液晶
表示装置において、前記２枚の支持板の一方の電極を前
記反射板に兼用するとともに、この反射板とする電極と
前記液晶層との間に前記位相差板を配置したことを特徴
とする反射型液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6145337A JPH07333600A (ja) | 1994-06-03 | 1994-06-03 | 反射型液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6145337A JPH07333600A (ja) | 1994-06-03 | 1994-06-03 | 反射型液晶表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07333600A true JPH07333600A (ja) | 1995-12-22 |
Family
ID=15382847
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6145337A Pending JPH07333600A (ja) | 1994-06-03 | 1994-06-03 | 反射型液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07333600A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0737882A3 (en) * | 1995-04-11 | 1997-04-23 | Sony Corp | Reflective liquid crystal device of the guest-host type |
| US5798809A (en) * | 1996-08-16 | 1998-08-25 | Fujitsu Limited | Liquid crystal display panel |
| JP2012128000A (ja) * | 2010-12-13 | 2012-07-05 | Japan Display Central Co Ltd | 液晶表示装置 |
-
1994
- 1994-06-03 JP JP6145337A patent/JPH07333600A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0737882A3 (en) * | 1995-04-11 | 1997-04-23 | Sony Corp | Reflective liquid crystal device of the guest-host type |
| US5798809A (en) * | 1996-08-16 | 1998-08-25 | Fujitsu Limited | Liquid crystal display panel |
| JP2012128000A (ja) * | 2010-12-13 | 2012-07-05 | Japan Display Central Co Ltd | 液晶表示装置 |
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