JPH07333655A - アクティブマトリクス型表示装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 アクティブマトリクス型表示装置に集積形成
されるスイッチング用薄膜トランジスタの遮光性を改善
する。 【構成】 アクティブマトリクス型表示装置は駆動基板
と対向基板と両者の間に保持された電気光学物質とを備
えたパネル構造を有する。駆動基板には画素電極１と薄
膜トランジスタＴＦＴが集積形成されている。ＴＦＴ
は、チャネル領域とその一端側に位置するソース領域Ｓ
と、その他端側に位置し且つ画素電極１に接続するドレ
イン領域Ｄと、金属膜からなりソース領域Ｓに接続する
配線電極と、チャネル領域に重なるゲート電極とを備え
ている。さらに配線電極と同層の金属膜からなる遮光パ
タン２が形成されており、チャネル領域とソース領域Ｓ
の接合部及びチャネル領域とドレイン領域Ｄの接合部の
少なくとも一方を被覆する。加えてブラックマスク３が
形成されており、画素電極１に整合する開口部４とＴＦ
Ｔを外光から遮閉する遮閉部５とを有している。個々の
ＴＦＴはソース領域Ｓ及びドレイン領域Ｄが周囲の開口
部４から最も遠く離間する様に最適配置されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明はアクティブマトリクス型
の表示装置に関する。より詳しくは、表示装置の駆動基
板に集積形成されたスイッチング用薄膜トランジスタの
遮光構造に関する。

【０００２】

【従来の技術】アクティブマトリクス型の表示装置はそ
の応用範囲が拡大されており、例えば投射型のプロジェ
クタに応用されている。図１１を参照してプロジェクタ
用表示装置の構造を簡潔に説明する。この表示装置は入
射側の透明対向板１０１と、出射側の透明駆動板１０２
と、両基板の間に保持された液晶等の電気光学物質１０
３とからなるパネル構造を有する。駆動基板１０２の内
表面には透明な画素電極１０４とスイッチング用の薄膜
トランジスタＴＦＴとが集積的に形成されている。ＴＦ
Ｔのドレイン領域Ｄには前述した画素電極１０４が接続
され、ソース領域Ｓには配線電極１０５が接続してい
る。一方対向基板１０１の内表面にはブラックマスク１
０６が形成されており、開口部１０７と遮閉部１０８と
を有する。開口部１０７は駆動基板１０２側の画素電極
１０４に整合する一方、遮閉部１０８はＴＦＴを入射光
から遮閉している。ブラックマスク１０６の上には絶縁
膜１０９を介して透明な対向電極１１０が形成されてい
る。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】投射型プロジェクタで
は十分に輝度の高い投影画像を得る為、光源は例えば百
万LUX 程度の光量を放射する。ここで表示装置がスイッ
チング素子としてＴＦＴを使用している場合、強度の極
めて高い入射光により光リーク電流が発生し、クロスト
ークやコントラストの低下が生じるという課題がある。
ＴＦＴは光に対して敏感な多結晶シリコン等の半導体薄
膜１１１を素子領域として用いている。従来の表示装置
ではＴＦＴを遮閉する為、入射側に位置する対向基板１
０１の内表面にブラックマスク１０６を設けている。し
かしながら、開口部１０７の端部近傍を斜めに通過する
入射光１１２ａは半導体薄膜１１１を直接照射する惧れ
がある。例えば斜め入射光１１２ａが半導体薄膜１１１
のドレイン領域Ｄ端部を照射した場合には光励起による
キャリアが発生し、ＴＦＴの光リークが起り画像品位に
悪影響を及ぼす。又、入射光の中には直接的ばかりでな
く間接的に半導体薄膜１１１を照射する光束も含まれ
る。例えば開口部１０７の中央部を通過した入射光１１
２ｂは駆動基板１０２の内表面や外表面及び対向基板１
０１の内表面で反射を繰り返し、間接的に半導体薄膜１
１１を照射する可能性がある。この場合にもドレイン領
域近傍で光励起によるキャリアが発生しＴＦＴの光リー
クが起り画像品位に悪影響を及ぼす。

【０００４】

【課題を解決するための手段】上述した従来の技術の課
題に鑑み、本発明はアクティブマトリクス型表示装置の
スイッチング用薄膜トランジスタに直接的もしくは間接
的に入射する外光を効率的に除去する遮光構造を提供す
る事を目的とする。かかる目的を達成する為に以下の二
通りの手段を講じた。第一の手段によれば、本発明にか
かるアクティブマトリクス型表示装置は基本的な構成と
して駆動基板と対向基板と両者の間に保持された電気光
学物質とを備えたパネル構造を有する。駆動基板には画
素電極とスイッチング用の薄膜トランジスタが集積形成
されている一方、対向基板には透明な対向電極が形成さ
れている。前記薄膜トランジスタは、チャネル領域と、
その一端側に位置するソース領域と、その他端側に位置
し且つ画素電極に接続するドレイン領域と、金属膜から
なり該ソース領域に接続する配線電極と、該チャネル領
域に重なるゲート電極とを備えている。特徴事項とし
て、該配線電極と同層の金属膜からなる遮光パタンが形
成されており、チャネル領域とソース領域の接合部及び
チャネル領域とドレイン領域の接合部の少なくとも一方
を被覆する。好ましくは、前記遮光パタンはチャネル領
域とソース領域の接合部及びチャネル領域とドレイン領
域の接合部の両方を被覆する。場合によっては、前記遮
光パタンは該接合部に隣接するチャネル領域に及んで被
覆を行なっても良い。

【０００５】一態様によれば、前記薄膜トランジスタは
ＬＤＤ構造を有しており該接合部にはソース領域及びド
レイン領域より不純物濃度の低いＬＤＤ領域が介在して
いる。この場合、前記遮光パタンは該ＬＤＤ領域を被覆
する事になる。他の態様によれば、前記薄膜トランジス
タはマルチゲート構造を有しており直列配置した複数の
チャネル領域及び対応する複数のゲート電極を備えてい
る。この場合、前記遮光パタンは少なくとも一個のチャ
ネル領域に属する接合部を被覆する。

【０００６】第二の手段によれば、本発明にかかるアク
ティブマトリクス型表示装置は基本的な構成として、駆
動基板と対向基板と両者の間に保持された電気光学物質
とを備えたパネル構造を有する。駆動基板にはマトリク
ス状の画素電極と、個々の画素電極に接続するドレイン
領域及び信号入力側となるソース領域を備えた薄膜トラ
ンジスタとが集積形成されている。対向基板には透明な
対向電極が形成されている。さらに両基板の片方には画
素電極に整合する開口部と薄膜トランジスタを外光から
遮閉する遮閉部とからなるブラックマスクが形成されて
いる。特徴事項として、個々の薄膜トランジスタは、ソ
ース領域及びドレイン領域が周囲の開口部から最も遠く
離間する様に最適配置されている。一態様では、前記薄
膜トランジスタがＬＤＤ構造を有しておりソース領域及
びドレイン領域の一部分に不純物濃度の低いＬＤＤ領域
を備えている。この場合、薄膜トランジスタは該ＬＤＤ
領域を基準にして最適配置される。なお、本発明では前
記電気光学物質は例えば液晶等を用いる事ができる。

【０００７】

【作用】本発明の第一手段によれば、配線電極と同層の
金属膜からなる遮光パタンを薄膜トランジスタ上に設け
チャネル領域とソース領域の接合部及びチャネル領域と
ドレイン領域の接合部の少なくとも一方を被覆してい
る。従って、開口部を斜めに進入した入射光が薄膜トラ
ンジスタに到達しても、遮光パタンが介在する為接合部
は光照射を受けない。この為光励起によるキャリアが発
生せず、薄膜トランジスタに光リークが起きない。又、
本発明の第二手段によれば、個々の薄膜トランジスタ
は、ソース領域及びドレイン領域が周囲の開口部から最
も遠く離間する様に最適配置されている。従って、開口
部から進入した入射光がパネル内で反射を繰り返し横方
向に拡散しても、ソース領域及びドレイン領域が開口部
から遠く離間している為到達し得ず光照射を受ける確率
が極端に低くなる。これにより、薄膜トランジスタの間
接照射による光リークを有効に防止する事ができる。

【０００８】

【実施例】以下図面を参照して本発明の好適な実施例を
詳細に説明する。図１は本発明にかかるアクティブマト
リクス型表示装置の基本的な構成を示す模式的な平面図
である。本表示装置は駆動基板と対向基板と両者の間に
保持された電気光学物質とを備えたパネル構造を有す
る。駆動基板にはマトリクス状の画素電極１とスイッチ
ング用の薄膜トランジスタＴＦＴが集積形成されてい
る。一方対向基板には透明な対向電極が形成されてい
る。薄膜トランジスタはチャネル領域と、その一端側に
位置するソース領域Ｓと、その他端側に位置し且つ画素
電極１に電気接続するドレイン領域Ｄとを有する。又金
属膜からなる配線電極（図示せず）がソース領域Ｓに接
続している。さらに、チャネル領域に重なるゲート電極
を備えており、図１では説明の都合上チャネル領域とゲ
ート電極の重なった部分をゲート領域Ｇとして表わして
いる。

【０００９】第一の特徴事項として、配線電極と同層の
金属膜からなる遮光パタン２が形成されており、チャネ
ル領域（即ちゲート領域Ｇ）とソース領域Ｓの接合部及
びゲート領域Ｇとドレイン領域Ｄの接合部の少なくとも
一方を被覆する。本例ではゲート領域Ｇとソース領域Ｓ
の接合部及びゲート領域Ｇとドレイン領域Ｄの接合部の
両方を被覆している。又、本例では薄膜トランジスタＴ
ＦＴはＬＤＤ構造を有しており、上述した接合部にはソ
ース領域Ｓ及びドレイン領域Ｄより不純物濃度の低いＬ
ＤＤ領域が介在している。従って、本例では遮光パタン
２はＬＤＤ領域を被覆する事になる。

【００１０】引き続き図１を参照して本発明の第二の特
徴を説明する。前述した様に、駆動基板にはマトリクス
状の画素電極１と、個々の画素電極に接続するドレイン
領域Ｄ及び信号入力側となるソース領域Ｓを備えた薄膜
トランジスタＴＦＴとが集積形成され、対向基板には透
明な対向電極が形成されている。さらに、両基板の片側
（例えば対向基板側）にはブラックマスク３が形成され
ており、画素電極１に整合する開口部４とＴＦＴを外光
から遮閉する遮閉部５とを有する。特徴事項として、個
々のＴＦＴは、ソース領域Ｓ及びドレイン領域Ｄが周囲
の開口部４から最も遠く離間する様に最適配置されてい
る。図示の例では、一個のＴＦＴが上下に位置する一対
の開口部４から等距離に配置されており、ソース領域Ｓ
及びドレイン領域Ｄは上下何れの開口部４から最も遠く
離間している事になる。なお前述した様に本例ではＴＦ
ＴがＬＤＤ構造を有しており、ソース領域Ｓ及びドレイ
ン領域Ｄの一部分に不純物濃度の低いＬＤＤ領域を備え
ている。この場合、ＬＤＤ領域を基準にしてＴＦＴを最
適配置する。換言すると、光に対して敏感なＬＤＤ領域
を周囲の開口部４から最も遠く離間する様にＴＦＴを最
適配置する。

【００１１】図２は参考として最適配置から外れたＴＦ
Ｔのレイアウトを表わしている。理解を容易にする為、
図１と対応する部分には対応する参照番号を付するとと
もに、ＴＦＴのレイアウトと直接関連しない部分につい
ては図示を省略している。この参考例ではＴＦＴが上下
に位置する一対の開口部４に対して偏って配置されてい
る。従って最適配置とはならず、ＴＦＴのソース領域Ｓ
及びドレイン領域Ｄが下側の開口部４に接近している。
この為、開口部４から入射した光の照射を受けやすい構
造となっている。

【００１２】図３は、図１に示したアクティブマトリク
ス型表示装置に含まれる画素一個に相当する等価回路図
である。図示する様にＴＦＴのゲート電極はゲート線に
接続されている。ソース領域は上述した配線電極を介し
て信号線に接続している。ドレイン領域は画素電極に接
続している。画素電極と対向電極との間に電気光学物質
として液晶が保持され、微小な液晶セルＬＣを構成す
る。ブラックマスク３に形成された開口部４から液晶セ
ルＬＣが露出する事になる。なお、液晶セルＬＣと並列
に保持容量Ｃｓも形成されている。保持容量Ｃｓの一端
はＴＦＴのドレイン領域に接続され、他端は補助ライン
を介して対向電極に接続している。液晶セルＬＣを構成
する画素電極を除いてＴＦＴを含む全ての構成要素がブ
ラックマスク３の遮閉部５により外光から遮閉されてい
る。

【００１３】図４は、図１に示す様に最適配置したＴＦ
Ｔの光リーク電流と、図２に示した様に最適配置されて
いないＴＦＴの光リーク電流を測定して比較表示したグ
ラフである。なお、この測定に当たっては純粋にＴＦＴ
の配置関係に依存する効果のみを抽出する為、遮光パタ
ンを除いたサンプルを対象にしている。図４のグラフは
ＴＦＴのオフ状態で所定量の入射光を照射した時、ソー
ス／ドレイン間に流れる光リーク電流ＩＤＳとソース／
ドレイン間電圧ＶＤＳとの関係を示している。カーブＡ
はＴＦＴを最適配置した場合であり、カーブＢは最適配
置から外れた場合を表わしている。グラフから明らかな
様に、ＴＦＴをブラックマスク３に対して最適配置する
事により光リーク電流を激減させる事が可能になる。換
言すると、周囲の開口部に対してＴＦＴを略中央に配置
する事により、何れの開口部からも遠く離間してソース
領域及びドレイン領域をレイアウトできる。従って、開
口部から進入した入射光がパネル内で反射を繰り返し横
方向に拡散してもソース領域及びドレイン領域に到達す
る確率が低くなる。

【００１４】以上、本発明の第二の特徴事項を先に詳細
に説明したが、次に図５を参照して第一の特徴事項につ
き詳細な説明を加える。図５はＴＦＴの表面に形成され
る遮光パタン２の具体例を示す模式的な平面図である。
具体例（Ａ）ではＴＦＴが通常の構造を有しており、ソ
ース領域Ｓとゲート領域Ｇが直接接するとともに、ゲー
ト領域Ｇとドレイン領域Ｄも直接接触している。本例で
はゲート領域Ｇとドレイン領域Ｄとの接合部のみに遮光
パタン２を設けている。ＴＦＴではドレイン近傍で光励
起によるキャリアが発生しやすく、ここを入射光から遮
閉する事は光リーク電流の抑制に効果的である。遮光パ
タン２を設ける事により開口部を斜めに進入した入射光
が直接ＴＦＴを照射しても接合部を保護する事が可能に
なる。次の具体例（Ｂ）は遮光パタン２がドレイン領域
Ｄ側の接合部のみならずゲート領域Ｇにまで及んで被覆
している。例えば遮光パタン２としてアルミニウム又は
アルミニウム合金を採用した場合、パタニングの微細化
に限度がある為、場合によっては接合部のみならずゲー
ト領域も被覆する事になる。

【００１５】次の具体例（Ｃ）は先の具体例（Ａ）と逆
に、ソース領域Ｓ側の接合部に遮光パタン２を設けたも
のである。電気光学物質として液晶を採用した場合一般
に交流反転駆動が行なわれ、ソース領域Ｓとドレイン領
域Ｄは極性反転に応じて交互に役割が交換する。従っ
て、ソース領域Ｓ側の接合部に遮光パタン２を設けると
光リーク電流を抑制できる。但し、構造的にはドレイン
領域Ｄ側の接合部がソース領域Ｓ側の接合部に比べ画素
電極に近くなる為相対的に開口部に接近し光照射を受け
る確率が高い。次の具体例（Ｄ）は具体例（Ｃ）に比べ
さらに遮光パタン２をゲート領域Ｇ側に延設したもので
ある。次の具体例（Ｅ）はソース領域Ｓ側の接合部とド
レイン領域Ｄ側の接合部の両者に整合して遮光パタン２
を設けている。具体例（Ｆ）は具体例（Ｅ）に比べさら
に遮光パタン２をゲート領域Ｇにまで拡大し連続化した
ものである。具体例（Ｅ）に比べパタニングが容易にな
る。

【００１６】具体例（Ｇ）では、ＴＦＴがＬＤＤ構造を
有しており、接合部にはソース領域Ｓ及びドレイン領域
Ｄより不純物濃度の低いＬＤＤ領域が介在している。こ
のＬＤＤ領域は一般にＴＦＴの電気的リークを抑制する
為に設けられている。具体例（Ｇ）ではドレイン領域Ｄ
側のＬＤＤ領域と整合する様に遮光パタン２を設けてお
り、上述した電気的リークに加え光リークも抑制する様
にしている。次の具体例（Ｈ）は具体例（Ｇ）に比べ遮
光パタン２をさらにゲート領域Ｇまで拡大した例であ
る。次の具体例（Ｉ）は具体例（Ｇ）と逆に、ソース領
域Ｓ側のＬＤＤ領域を遮閉する様に遮光パタン２が形成
されている。次の具体例（Ｊ）は具体例（Ｉ）に比べ、
遮光パタン２をゲート領域Ｇ側まで延長したものであ
る。具体例（Ｋ）はソース領域Ｓ側のＬＤＤ領域とドレ
イン領域Ｄ側のＬＤＤ領域の両者を２本の遮光パタン２
で被覆したものである。この具体例（Ｋ）は図１に示し
た構造と対応している。最後の具体例（Ｌ）は具体例
（Ｋ）の構造からさらに遮光パタン２をゲート領域Ｇ上
に拡大し連続化したものである。

【００１７】図６は通常構造のＴＦＴにつき遮光パタン
の効果を測定したグラフである。横軸にＶＤＳをとり縦
軸にＩＤＳをとってある。カーブａは遮光パタンを設け
ないＴＦＴのリーク電流を表わしており、カーブｂはド
レイン領域側接合部又はソース領域側接合部の一方にの
み遮光パタン２を設けたＴＦＴのリーク電流を表わして
おり、カーブｃは両方の接合部に遮光パタンを被覆した
ＴＦＴのリーク電流を表わしている。遮光する部位によ
り効果は異なるものの、本発明が光リークに対して効果
的である事が図６のグラフより明らかである。

【００１８】図７はＬＤＤ構造を有するＴＦＴについて
本発明の効果を測定したグラフである。図６のグラフと
同様に横軸にＶＤＳをとり縦軸にＩＤＳをとってある。
カーブｄは遮光パタンを形成しないＴＦＴのリーク電流
を表わし、カーブｅはソース端のＬＤＤ領域又はドレイ
ン端のＬＤＤ領域の一方を遮光パタンで被覆したＴＦＴ
のリーク電流を表わし、カーブｆは両方のＬＤＤ領域を
遮光パタンで被覆したＴＦＴのリーク電流を表わしてい
る。図６のグラフと同様に、遮光パタンを設ける事によ
りリーク電流のうち光リークに起因する部分が顕著に低
減化できる。さらに、ＬＤＤ構造とした事により図６の
通常構造に比べ、電気的リークも低減化されている。

【００１９】図８は、本発明にかかるアクティブマトリ
クス型表示装置の一実施例を示す模式的な断面図であ
る。本表示装置は透過型であり、入射側の透明対向基板
１１と、出射側の透明駆動基板１２と、両者の間に保持
された液晶１３とからなるパネル構造を有する。透明駆
動基板１２の内表面には透明画素電極１４と、入射光に
対し遮光されたスイッチング用の薄膜トランジスタＴＦ
Ｔとが集積的に形成されている。ＴＦＴは多結晶シリコ
ン等の半導体薄膜１６を素子領域として用いている。半
導体薄膜１６の上にはゲート絶縁膜１７を介してゲート
電極１５がパタニング形成されている。ゲート電極１５
の直下にはチャネル領域Ｃｈが設けられ、その両側には
ドレイン領域Ｄとソース領域Ｓが設けられる。かかる構
成を有するＴＦＴは第一層間絶縁膜１８により被覆され
ている。第一層間絶縁膜１８の上にはアルミニウム又は
アルミニウム合金等からなる配線電極１９がパタニング
形成されており、ＴＦＴのソース領域Ｓと電気接続して
いる。又、配線電極１９と同一層のアルミニウム膜又は
アルミニウム合金膜により遮光パタン３０が形成されて
おり、ＴＦＴの素子領域を入射光から遮閉している。配
線電極１９及び遮光パタン３０の表面は第二層間絶縁膜
２０により被覆されている。前述した透明画素電極１４
は第二層間絶縁膜２０の上に形成されており、コンタク
トホールを介してＴＦＴのドレイン領域Ｄに電気接続し
ている。透明画素電極１４の表面は配向膜２１により被
覆されている。

【００２０】一方透明対向基板１１の内表面にはブラッ
クマスク２２が形成されており、透明画素電極１４と整
合する開口２３を有している。この開口２３からドレイ
ン領域Ｄ及びソース領域Ｓが最も遠ざかる様にＴＦＴが
最適配置されている。ブラックマスク２２は金属材料か
らなる。その表面には絶縁膜２５を介して対向電極２４
が全面的に形成されている。場合によってはカラーフィ
ルタ膜が設けられておりカラー表示が可能になってい
る。対向電極２４は配向膜２１により被覆されている。

【００２１】図９は本発明をマルチゲート構造のＴＦＴ
に適用した実施例を表わす模式的な断面図である。図示
するＴＦＴはｎチャネル型であり画素駆動用スイッチン
グ素子を構成する。石英基板５１の上にはパタニングさ
れた多結晶半導体薄膜が形成されている。この薄膜には
ソース領域５３とソース／ドレイン領域５４とドレイン
領域５５と、この三者の間に位置する一対のチャネル領
域５２とが形成されている。ソース領域５３、ソース／
ドレイン領域５４及びドレイン領域５５と、各チャネル
領域５２との間には夫々ソース領域及びドレイン領域と
同一導電型の低濃度不純物領域即ちＬＤＤ領域５６が合
計四箇所形成されている。各チャネル領域５２の上方に
は夫々ゲート絶縁膜を介して対応するゲート電極５９が
形成されている。ゲート絶縁膜は二層構造を有しゲート
酸化膜５７とゲート窒化膜５８とからなる。石英基板５
１はＰＳＧ等からなる第一層間絶縁膜６０により被覆さ
れている。第一層間絶縁膜６０に形成されたコンタクト
ホールを介して、アルミニウム等からなる配線電極６１
がソース領域５３に電気接続されている。同じくコンタ
クトホールを介してＩＴＯ等の透明導電材料からなる画
素電極６３がドレイン領域５５に電気接続されている。
この画素電極６３はＰＳＧ等からなる第二層間絶縁膜６
２の上に成膜されている。本発明の特徴事項として、配
線電極６１と同層のアルミニウム膜からなる遮光パタン
７０が形成されており、前述したＬＤＤ領域５６を上方
から被覆している。本例では合計四個の遮光パタン７０
が設けられており、全てのＬＤＤ領域５６に対応してい
る。この遮光パタン７０は配線電極６０と電気的に接続
していても良く、あるいは電気的に分離したパタンであ
っても良い。

【００２２】図１０は、マルチゲート構造のＴＦＴを採
用したアクティブマトリクス型液晶表示装置の一画素分
を切り取って示した等価回路図である。スイッチング素
子はＴＦＴ１〜ＴＦＴｎの直列接続からなり、各々のゲ
ート電極は夫々共通にゲート線に接続されている。ＴＦ
Ｔ１のソース領域端部は信号線に接続されている一方、
ＴＦＴｎのドレイン領域端部は画素電極を介して液晶セ
ルＬＣを駆動する。なお、液晶セルＬＣと並列に保持容
量Ｃｓも接続されている。

【００２３】最後に、図９に示したマルチゲート構造と
ＬＤＤ構造を併せ持つＴＦＴの利点を参考の為説明す
る。一般に、ＴＦＴの活性領域となる多結晶シリコン薄
膜は単結晶シリコンに比し欠陥密度が大きいので電気的
なリーク電流が増大する傾向にある。この為、通常水素
拡散処理を施し欠陥密度を減少させてＴＦＴのリーク電
流を下げる様にしている。水素化が進むと多結晶シリコ
ンの欠陥準位が減少し、結晶粒界のエネルギー障壁が小
さくなるのでＬＤＤ抵抗が減少する。ＬＤＤ抵抗は水素
化の程度に大きく左右されるので、水素化の状態によっ
てはウェハ内での個々のＴＦＴのＬＤＤ抵抗が大きくば
らつく。この結果、従来ある統計的な確率でリーク電流
の大きい異常ＴＦＴが出現していた。これに対しマルチ
ゲート構造で且つＬＤＤ構造のＴＦＴでは、図１０に示
した様に等価回路的に直列接続された複数のＴＦＴのう
ち最もオフ電流の小さいＴＦＴでリーク電流の実効値が
決定される。この為、水素化の程度の相違によるリーク
電流のバラツキを激減できる。これに加え、本発明によ
ればＬＤＤ領域に整合して遮光パタンを設けており、光
照射に起因するリーク電流も顕著に抑制している。

【００２４】

【発明の効果】以上説明した様に、本発明によれば、配
線電極と同層の金属膜からなる遮光パタンを設け、チャ
ネル領域とソース領域の接合部及びチャネル領域とドレ
イン領域の接合部の少なくとも一方を被覆している。こ
の遮光パタンは配線電極用フォトマスクの一部を変更す
るだけで形成でき、プロセスの増加なしに画素スイッチ
ング用薄膜トランジスタの光リークを低減する事ができ
るという効果がある。又、個々の薄膜トランジスタはソ
ース領域及びドレイン領域が周囲の開口部から最も遠く
離間する様に最適配置されている。この最適配置は薄膜
トランジスタの製造用フォトマスクの一部を変更するだ
けで実現でき、プロセスの増加なしに光リークを低減す
る事ができるという効果がある。以上により、アクティ
ブマトリクス型表示装置の画像品位が向上し、輝点欠陥
やクロストーク等の不良が低減する為、製造歩留りが向
上するという効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明にかかるアクティブマトリクス型表示装
置の基本的な構成を示す模式的な平面図である。

【図２】アクティブマトリクス型表示装置の参考例を示
す模式的な平面図である。

【図３】一画素分の等価回路図である。

【図４】薄膜トランジスタの光リーク電流特性を示すグ
ラフである。

【図５】薄膜トランジスタに形成される遮光パタンの具
体例を示す模式的な平面図である。

【図６】薄膜トランジスタのリーク電流特性を示すグラ
フである。

【図７】同じく薄膜トランジスタのリーク電流特性を示
すグラフである。

【図８】本発明にかかるアクティブマトリクス型表示装
置の一実施例を示す模式的な部分断面図である。

【図９】本発明にかかるアクティブマトリクス型表示装
置の他の実施例を示す模式的な部分断面図である。

【図１０】マルチゲート構造を有する薄膜トランジスタ
の等価回路図である。

【図１１】従来のアクティブマトリクス型表示装置の一
例を示す模式的な部分断面図である。

【符号の説明】

１ 画素電極 ２ 遮光パタン ３ ブラックマスク ４ 開口部 ５ 遮閉部 Ｓ ソース領域 Ｄ ドレイン領域 Ｇ ゲート領域 ＴＦＴ 薄膜トランジスタ

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 駆動基板と対向基板と両者の間に保持さ
   れた電気光学物質とを備えたパネル構造を有し、該駆動
   基板には画素電極とスイッチング用の薄膜トランジスタ
   が集積形成されている一方該対向基板には透明な対向電
   極が形成されているアクティブマトリクス型表示装置で
   あって、 前記薄膜トランジスタは、チャネル領域と、その一端側
   に位置するソース領域と、その他端側に位置し且つ画素
   電極に接続するドレイン領域と、金属膜からなり該ソー
   ス領域に接続する配線電極と、該チャネル領域に重なる
   ゲート電極と、該配線電極と同層の金属膜からなりチャ
   ネル領域とソース領域の接合部及びチャネル領域とドレ
   イン領域の接合部の少なくとも一方を被覆する遮光パタ
   ンとを有する事を特徴とするアクティブマトリクス型表
   示装置。
2. 【請求項２】 前記遮光パタンは、チャネル領域とソー
   ス領域との接合部及びチャネル領域とドレイン領域との
   接合部の両方を被覆する事を特徴とする請求項１記載の
   アクティブマトリクス型表示装置。
3. 【請求項３】 前記遮光パタンは、該接合部に隣接する
   チャネル領域に及んで被覆する事を特徴とする請求項１
   記載のアクティブマトリクス型表示装置。
4. 【請求項４】 前記薄膜トランジスタはＬＤＤ構造を有
   しており該接合部にはソース領域及びドレイン領域より
   不純物濃度の低いＬＤＤ領域が介在し、前記遮光パタン
   は該ＬＤＤ領域を被覆する事を特徴とする請求項１記載
   のアクティブマトリクス型表示装置。
5. 【請求項５】 前記薄膜トランジスタはマルチゲート構
   造を有しており直列配置した複数のチャネル領域及び対
   応する複数のゲート電極を備え、前記遮光パタンは少な
   くとも一個のチャネル領域に属する接合部を被覆する事
   を特徴とする請求項１又は４記載のアクティブマトリク
   ス型表示装置。
6. 【請求項６】 駆動基板と対向基板と両者の間に保持さ
   れた電気光学物質とを備えたパネル構造を有し、該駆動
   基板にはマトリクス状の画素電極と、個々の画素電極に
   接続するドレイン領域及び信号入力側となるソース領域
   を備えた薄膜トランジスタとが集積形成され、該対向基
   板には透明な対向電極が形成され、両基板の片方には画
   素電極に整合する開口部と薄膜トランジスタを外光から
   遮閉する遮閉部とからなるブラックマスクが形成されて
   いるアクティブマトリクス型表示装置であって、 個々の薄膜トランジスタは、ソース領域及びドレイン領
   域が周囲の開口部から最も遠く離間する様に最適配置さ
   れている事を特徴とするアクティブマトリクス型表示装
   置。
7. 【請求項７】 前記薄膜トランジスタはＬＤＤ構造を有
   しておりソース領域及びドレイン領域の一部分に不純物
   濃度の低いＬＤＤ領域を備え、該ＬＤＤ領域を基準にし
   て薄膜トランジスタを最適配置する事を特徴とする請求
   項６記載のアクティブマトリクス型表示装置。
8. 【請求項８】 前記電気光学物質は液晶からなる事を特
   徴とする請求項１又は６記載のアクティブマトリクス型
   表示装置。