JPH07334801A - 磁気ディスク装置 - Google Patents
磁気ディスク装置Info
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- JPH07334801A JPH07334801A JP12857194A JP12857194A JPH07334801A JP H07334801 A JPH07334801 A JP H07334801A JP 12857194 A JP12857194 A JP 12857194A JP 12857194 A JP12857194 A JP 12857194A JP H07334801 A JPH07334801 A JP H07334801A
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Abstract
(57)【要約】
【構成】データヘッドに搭載したＭＲ素子１７，１９の
センス電流をヘッドの動作状態に応じて制御する磁気デ
ィスク装置でＭＲ素子へのセンス電流をシーク中は定電
流回路２５とセンス電流スイッチ２３で遮断、又は最適
値より小さくし、ホローイング中は最適値に制御する。
また、データ面セクタサーボ方式ではホローイング中は
一定時間ごとに順次別のデータヘッドのＭＲ素子１７，
１９に電流を流し、サーボ信号を得るようにしたホロー
イング制御を行う。 【効果】ＭＲ素子の通電時間及び通電電流値を制御でき
るのでＭＲ素子の劣化を防止でき長寿命化を可能にし
た。
センス電流をヘッドの動作状態に応じて制御する磁気デ
ィスク装置でＭＲ素子へのセンス電流をシーク中は定電
流回路２５とセンス電流スイッチ２３で遮断、又は最適
値より小さくし、ホローイング中は最適値に制御する。
また、データ面セクタサーボ方式ではホローイング中は
一定時間ごとに順次別のデータヘッドのＭＲ素子１７，
１９に電流を流し、サーボ信号を得るようにしたホロー
イング制御を行う。 【効果】ＭＲ素子の通電時間及び通電電流値を制御でき
るのでＭＲ素子の劣化を防止でき長寿命化を可能にし
た。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はＭＲヘッドを用いた磁気
ディスク装置のＭＲ素子のセンス電流を制御し、ＭＲ素
子の劣化を防止し長寿命化を図る。
ディスク装置のＭＲ素子のセンス電流を制御し、ＭＲ素
子の劣化を防止し長寿命化を図る。
【０００２】
【従来の技術】従来は磁気ディスクの電源投入時よりイ
ンダクティブ素子とＭＲ素子を搭載したデータヘッドの
ＭＲ素子にセンス電流を流していた。
ンダクティブ素子とＭＲ素子を搭載したデータヘッドの
ＭＲ素子にセンス電流を流していた。
【０００３】また、サーボヘッドのインダクティブ素子
によりサーボ面からのサーボ信号を検出し、インダクテ
ィブ素子とＭＲ素子を搭載したデータヘッドをデータ面
のデータトラックに位置決めしていた。
によりサーボ面からのサーボ信号を検出し、インダクテ
ィブ素子とＭＲ素子を搭載したデータヘッドをデータ面
のデータトラックに位置決めしていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ＭＲ素子のセンス電流
を制御し、ＭＲ素子の劣化を防止し、長寿命化を図る。
磁気ディスクの情報読み出し用ＭＲ素子寸法は４×３×
０.０２μｍ3以下と非常に小さく、ＭＲ素子に流すセン
ス電流値は１×１０7Ａ／cm2以上と大きく発熱のため劣
化が問題であった。
を制御し、ＭＲ素子の劣化を防止し、長寿命化を図る。
磁気ディスクの情報読み出し用ＭＲ素子寸法は４×３×
０.０２μｍ3以下と非常に小さく、ＭＲ素子に流すセン
ス電流値は１×１０7Ａ／cm2以上と大きく発熱のため劣
化が問題であった。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、データヘッド
に搭載したデータを読み出すＭＲ素子の長寿命化を図る
ために、データヘッドの使用状態に応じてＭＲ素子のセ
ンス電流の電流値の大きさ及び通電時間を制御する。
に搭載したデータを読み出すＭＲ素子の長寿命化を図る
ために、データヘッドの使用状態に応じてＭＲ素子のセ
ンス電流の電流値の大きさ及び通電時間を制御する。
【０００６】
【作用】ＭＲ素子のセンス電流が大きいと劣化が加速さ
れる。したがって、ＭＲ素子を使用しない時は、センス
電流値を１×１０6Ａ／cm2以下と小さくするか、通電を
遮断することが有効である。
れる。したがって、ＭＲ素子を使用しない時は、センス
電流値を１×１０6Ａ／cm2以下と小さくするか、通電を
遮断することが有効である。
【０００７】
【実施例】本発明の実施例を図１を用いて説明する。図
１は本発明のデータの書き込みにインダクティブ素子
を、データの読み出しにＭＲ素子を使用した磁気ディス
ク装置の構成を示す。また、データの書き込み動作をラ
イト、データの読み出し動作をリードと記す。データを
記録する磁気円板１，２，３，４は、回転軸５に取り付
けられ、スピンドルモータ６により一定回転で回転す
る。なお、円板３の片面はヘッドを半径方向の記録トラ
ックに位置決めするためのサーボ信号を記録してある。
また、円板上にはデータのリード，ライトのためのデー
タヘッド７，８，９，１０，１２，１３と、サーボ信号
をリード，ライトするためのサーボヘッド１１が配置さ
れている。これらデータヘッド，サーボヘッドは、ロー
タリアクチュエータ１４により円板の半径方向に移動さ
れ、各記録トラックに位置決めされる。ロータリアクチ
ュエータ１４は、ボイスコイルモータ１５によって駆動
される。データヘッドは、インダクティブ素子１６，１
８とＭＲ素子１７，１９よりなるデュアルヘッドであ
る。また、サーボヘッドはインダクティブ素子２０より
なる。データヘッドのリード・ライト動作をインダクテ
ィブ素子１６とＭＲ素子１７を用いて説明する。ＭＲ素
子１７には、定電流回路２５とセンス電流スイッチ２３
により一定のセンス電流を流す。ＭＲ素子１７の出力信
号は円板からの磁界によりその抵抗値が変化し、電圧の
変化となって現れる。
１は本発明のデータの書き込みにインダクティブ素子
を、データの読み出しにＭＲ素子を使用した磁気ディス
ク装置の構成を示す。また、データの書き込み動作をラ
イト、データの読み出し動作をリードと記す。データを
記録する磁気円板１，２，３，４は、回転軸５に取り付
けられ、スピンドルモータ６により一定回転で回転す
る。なお、円板３の片面はヘッドを半径方向の記録トラ
ックに位置決めするためのサーボ信号を記録してある。
また、円板上にはデータのリード，ライトのためのデー
タヘッド７，８，９，１０，１２，１３と、サーボ信号
をリード，ライトするためのサーボヘッド１１が配置さ
れている。これらデータヘッド，サーボヘッドは、ロー
タリアクチュエータ１４により円板の半径方向に移動さ
れ、各記録トラックに位置決めされる。ロータリアクチ
ュエータ１４は、ボイスコイルモータ１５によって駆動
される。データヘッドは、インダクティブ素子１６，１
８とＭＲ素子１７，１９よりなるデュアルヘッドであ
る。また、サーボヘッドはインダクティブ素子２０より
なる。データヘッドのリード・ライト動作をインダクテ
ィブ素子１６とＭＲ素子１７を用いて説明する。ＭＲ素
子１７には、定電流回路２５とセンス電流スイッチ２３
により一定のセンス電流を流す。ＭＲ素子１７の出力信
号は円板からの磁界によりその抵抗値が変化し、電圧の
変化となって現れる。
【０００８】ＭＲ素子の出力信号２１は、コンデンサ２
８，２９で直流分を除去し、円板の磁界の変化のみをリ
ード増幅器３２に入力される。リード増幅器３２で増幅
された信号は、セレクトスイッチ４０により選択され、
リードライト信号４２となり外部インタフェース回路４
３を経由して外部バス４４に出力される。また、ライト
信号は、外部バス４４より外部インタフェース４３に入
力されリードライト信号４２となる。リードライト信号
４２は、データリードライトセレクト４１のセレクトス
イッチ４０によって、ライト増幅器３７に入力される。
ライト増幅器３７は、インダクティブ素子１６に通電
し、インダクティブ素子１６の巻線より磁界を発生させ
て円板にデータを記録する。これらの動作回路をデータ
リードライト回路５９，６５とする。
８，２９で直流分を除去し、円板の磁界の変化のみをリ
ード増幅器３２に入力される。リード増幅器３２で増幅
された信号は、セレクトスイッチ４０により選択され、
リードライト信号４２となり外部インタフェース回路４
３を経由して外部バス４４に出力される。また、ライト
信号は、外部バス４４より外部インタフェース４３に入
力されリードライト信号４２となる。リードライト信号
４２は、データリードライトセレクト４１のセレクトス
イッチ４０によって、ライト増幅器３７に入力される。
ライト増幅器３７は、インダクティブ素子１６に通電
し、インダクティブ素子１６の巻線より磁界を発生させ
て円板にデータを記録する。これらの動作回路をデータ
リードライト回路５９，６５とする。
【０００９】なお、データリードライトセレクト回路４
１のセレクトスイッチ４０の動作は、制御回路９０のヘ
ッドセレクト信号６３とリードライトセレクト信号６４
により決定される。これらの信号は、外部バス４４より
外部インタフェース４３に入力され制御信号６２となり
制御回路９０に入力される。
１のセレクトスイッチ４０の動作は、制御回路９０のヘ
ッドセレクト信号６３とリードライトセレクト信号６４
により決定される。これらの信号は、外部バス４４より
外部インタフェース４３に入力され制御信号６２となり
制御回路９０に入力される。
【００１０】次にサーボヘッドについて説明する。サー
ボヘッドはインダクティブ素子２０により、データのラ
イトとリードを行う。制御回路９０のサーボリードライ
ト信号８０とリードライトセレクト信号８２によりサー
ボリードライトセレクト回路７７のセレクトスイッチ７
８を選択し、ライト時にはライト増幅器７３でインダク
ティブ素子２０に電流を流し、円板にサーボ信号を記録
する。リード時はリード増幅器７２でインダクティブ素
子２０の出力信号を増幅し制御回路９０に出力する。
ボヘッドはインダクティブ素子２０により、データのラ
イトとリードを行う。制御回路９０のサーボリードライ
ト信号８０とリードライトセレクト信号８２によりサー
ボリードライトセレクト回路７７のセレクトスイッチ７
８を選択し、ライト時にはライト増幅器７３でインダク
ティブ素子２０に電流を流し、円板にサーボ信号を記録
する。リード時はリード増幅器７２でインダクティブ素
子２０の出力信号を増幅し制御回路９０に出力する。
【００１１】次に、リードライト時に目標トラックにデ
ータヘッドを位置決めする動作を説明する。図１はサー
ボヘッドでデータヘッドを位置決めするサーボ面サーボ
方式であって、円板に記録してある各トラックごとの位
置信号をサーボヘッド１１のインダクティブ素子２０に
より検出し、制御回路９０に入力する。制御回路９０
は、目標トラックへの近傍（１／４トラック）まで高速
でヘッドを動かすためボイスコイルモータ駆動回路９５
によりボイスコイルモータ１５に電流を流す。これをシ
ーク動作という。目標トラックの近傍（１／４トラッ
ク）に到達したところで目標トラックの中心にヘッドを
位置決めする動作に入り、サーボヘッドを目標トラック
の中心に位置決めする。これをホローイング動作とい
う。なお、スピンドルモータ６はスピンドルモータ制御
回路９６により一定回転に制御される。
ータヘッドを位置決めする動作を説明する。図１はサー
ボヘッドでデータヘッドを位置決めするサーボ面サーボ
方式であって、円板に記録してある各トラックごとの位
置信号をサーボヘッド１１のインダクティブ素子２０に
より検出し、制御回路９０に入力する。制御回路９０
は、目標トラックへの近傍（１／４トラック）まで高速
でヘッドを動かすためボイスコイルモータ駆動回路９５
によりボイスコイルモータ１５に電流を流す。これをシ
ーク動作という。目標トラックの近傍（１／４トラッ
ク）に到達したところで目標トラックの中心にヘッドを
位置決めする動作に入り、サーボヘッドを目標トラック
の中心に位置決めする。これをホローイング動作とい
う。なお、スピンドルモータ６はスピンドルモータ制御
回路９６により一定回転に制御される。
【００１２】次に、図２を用いて本発明の図１のＭＲ素
子のセンス電流の制御について説明する。１００はヘッ
ド移動時の速度を示す。１０１，１０６はセンス電流の
通電時点を示す。１０２，１０７はシーク動作１０３，
１０５からホローイング動作１０４，１０８への切り換
え時点を示す。１１０は、センス電流の通電を制御する
信号で、１１１は通電エリアを示す。１１５は、リード
ライト時点を示す信号で、１１６は、データのリードラ
イトの実行エリアを示す。このようにシーク動作中はＭ
Ｒ素子へのセンス電流を零にし、ホローイング動作中は
センス電流を流すようにした。これにより、ＭＲ素子へ
のセンス電流の通電時間を少なくすることができるの
で、ＭＲ素子の劣化を防止し長寿命化が図れる。センス
電流の流す時点は、ホローイング動作時点１０２又は、
データのリードライトエリア１１６でも良い。また、図
９に磁気記録面にデータ記録領域とサーボ信号記録領域
を有する記録面２２７とサーボ信号を記録したサーボ面
２２８とを用いた磁気ディスク装置を示す。２２４は加
算器、また、２２５はボイスコイルモータを制御する制
御器、２２６はロータリアクチュエータ、２２９はデー
タヘッドのＭＲ素子、２３０はサーボヘッドのインダク
ティブ素子、２２１はローパスフィルタ、223はハイパ
スフィルタを示す。図９のシーク制御は図１と同様であ
って、ホローイング制御はサーボヘッドで検出したサー
ボ信号の高周波成分とデータヘッドで検出したサーボ信
号の低周波成分を加算したサーボ信号を用いる。この場
合、ＭＲ素子のセンス電流を流す時点をホローイング動
作１０２に入る少し前の時点101とすると良い。これ
は、ＭＲ素子の動作までの安定性を考慮したものであ
る。
子のセンス電流の制御について説明する。１００はヘッ
ド移動時の速度を示す。１０１，１０６はセンス電流の
通電時点を示す。１０２，１０７はシーク動作１０３，
１０５からホローイング動作１０４，１０８への切り換
え時点を示す。１１０は、センス電流の通電を制御する
信号で、１１１は通電エリアを示す。１１５は、リード
ライト時点を示す信号で、１１６は、データのリードラ
イトの実行エリアを示す。このようにシーク動作中はＭ
Ｒ素子へのセンス電流を零にし、ホローイング動作中は
センス電流を流すようにした。これにより、ＭＲ素子へ
のセンス電流の通電時間を少なくすることができるの
で、ＭＲ素子の劣化を防止し長寿命化が図れる。センス
電流の流す時点は、ホローイング動作時点１０２又は、
データのリードライトエリア１１６でも良い。また、図
９に磁気記録面にデータ記録領域とサーボ信号記録領域
を有する記録面２２７とサーボ信号を記録したサーボ面
２２８とを用いた磁気ディスク装置を示す。２２４は加
算器、また、２２５はボイスコイルモータを制御する制
御器、２２６はロータリアクチュエータ、２２９はデー
タヘッドのＭＲ素子、２３０はサーボヘッドのインダク
ティブ素子、２２１はローパスフィルタ、223はハイパ
スフィルタを示す。図９のシーク制御は図１と同様であ
って、ホローイング制御はサーボヘッドで検出したサー
ボ信号の高周波成分とデータヘッドで検出したサーボ信
号の低周波成分を加算したサーボ信号を用いる。この場
合、ＭＲ素子のセンス電流を流す時点をホローイング動
作１０２に入る少し前の時点101とすると良い。これ
は、ＭＲ素子の動作までの安定性を考慮したものであ
る。
【００１３】他の実施例を図３を用いて説明する。１３
５は、ＭＲ素子へのセンス電流値を制御する信号で、１
３６は最適値より小さい電流値エリアを示す。１３７は
最適値エリアを示す。このようにＭＲ素子からの信号が
不用の期間では、ＭＲ素子への電流値を小さくすること
により、ＭＲ素子の劣化を防止し長寿命化を図れる効果
がある。また、センス電流値の最適値エリアは、データ
のリードライトエリア１１６としても良い。なお、本発
明では、ホローイング時にサーボヘッドで検出したサー
ボ信号の高周波成分とデータヘッドで検出したサーボ信
号の低周波成分を加算したサーボ信号によるホローイン
グ制御にも使用できる。この場合、ＭＲ素子のセンス電
流値の最適値エリアをＭＲ素子動作の安定性を考慮し、
ホローイング（１／４トラック）に入る時点の少し前か
らデータのリードライト１１６の終了までとする。
５は、ＭＲ素子へのセンス電流値を制御する信号で、１
３６は最適値より小さい電流値エリアを示す。１３７は
最適値エリアを示す。このようにＭＲ素子からの信号が
不用の期間では、ＭＲ素子への電流値を小さくすること
により、ＭＲ素子の劣化を防止し長寿命化を図れる効果
がある。また、センス電流値の最適値エリアは、データ
のリードライトエリア１１６としても良い。なお、本発
明では、ホローイング時にサーボヘッドで検出したサー
ボ信号の高周波成分とデータヘッドで検出したサーボ信
号の低周波成分を加算したサーボ信号によるホローイン
グ制御にも使用できる。この場合、ＭＲ素子のセンス電
流値の最適値エリアをＭＲ素子動作の安定性を考慮し、
ホローイング（１／４トラック）に入る時点の少し前か
らデータのリードライト１１６の終了までとする。
【００１４】他の実施例を図４を用いて説明する。図４
は、磁気記録面にデータを記録する領域とサーボ信号を
記録する領域からなる円板とデータヘッドを用いてトラ
ック位置決め動作を行うデータ面セクタサーボ方式の場
合を示す。１３５はデータヘッドのＭＲ素子のセンス電
流の通電制御を示す。１３７はセンス電流通電エリアを
示す。１１６はデータのリードライトエリアを示す。１
５０，１５５はリードライト終了後の別のデータヘッド
のＭＲ素子へのセンス電流の通電制御を示す。１５１，
１５６はセンス電流の通電エリアを示す。これは、複数
のデータヘッドの内の一つのデータヘッドを用いて、目
標とするトラックへデータヘッドを位置決めし、データ
をリードライト１１６した後、ホローイング制御のため
のサーボ信号を別のデータヘッドより得るために、順次
別のデータヘッドのＭＲ素子に一定時間ごとにセンス電
流を一定時間流し、サーボ信号の入力を順次切り換えて
制御する。このようにすることにより、一つのデータヘ
ッドのＭＲ素子へのセンス電流の通電時間を少なくする
ことができるので、ＭＲ素子の劣化を防止し長寿命化が
図れる効果がある。
は、磁気記録面にデータを記録する領域とサーボ信号を
記録する領域からなる円板とデータヘッドを用いてトラ
ック位置決め動作を行うデータ面セクタサーボ方式の場
合を示す。１３５はデータヘッドのＭＲ素子のセンス電
流の通電制御を示す。１３７はセンス電流通電エリアを
示す。１１６はデータのリードライトエリアを示す。１
５０，１５５はリードライト終了後の別のデータヘッド
のＭＲ素子へのセンス電流の通電制御を示す。１５１，
１５６はセンス電流の通電エリアを示す。これは、複数
のデータヘッドの内の一つのデータヘッドを用いて、目
標とするトラックへデータヘッドを位置決めし、データ
をリードライト１１６した後、ホローイング制御のため
のサーボ信号を別のデータヘッドより得るために、順次
別のデータヘッドのＭＲ素子に一定時間ごとにセンス電
流を一定時間流し、サーボ信号の入力を順次切り換えて
制御する。このようにすることにより、一つのデータヘ
ッドのＭＲ素子へのセンス電流の通電時間を少なくする
ことができるので、ＭＲ素子の劣化を防止し長寿命化が
図れる効果がある。
【００１５】また、図４において図３と同様にデータヘ
ッドのシーク中は、ＭＲ素子へのセンス電流の値を最適
値よりも小さくし、ホローイング制御中は最適値のセン
ス電流にしても良い。さらにホローイング制御中に他の
データヘッドに順次切り換えていく場合、他のデータヘ
ッドのＭＲ素子のセンス電流値をホローイング中は最適
値とし、それ以外は最適値より小さくしても良い。この
ようにすることにより、データのリードライト時には、
ＭＲ素子のセンス電流を最適値とすることで、正確にト
ラックの中心でデータのリードライトが可能となり、そ
れ以外の時にはＭＲ素子への電流値を小さくして、トラ
ック中心への位置決め精度をゆるくする。これにより、
ＭＲ素子の寿命の劣化を防止でき、長寿命化に効果があ
る。
ッドのシーク中は、ＭＲ素子へのセンス電流の値を最適
値よりも小さくし、ホローイング制御中は最適値のセン
ス電流にしても良い。さらにホローイング制御中に他の
データヘッドに順次切り換えていく場合、他のデータヘ
ッドのＭＲ素子のセンス電流値をホローイング中は最適
値とし、それ以外は最適値より小さくしても良い。この
ようにすることにより、データのリードライト時には、
ＭＲ素子のセンス電流を最適値とすることで、正確にト
ラックの中心でデータのリードライトが可能となり、そ
れ以外の時にはＭＲ素子への電流値を小さくして、トラ
ック中心への位置決め精度をゆるくする。これにより、
ＭＲ素子の寿命の劣化を防止でき、長寿命化に効果があ
る。
【００１６】図５は、データヘッドに使用するインダク
ティブ素子２４０とＭＲ素子２４２と素子中心位置２４
１の関係を示す。
ティブ素子２４０とＭＲ素子２４２と素子中心位置２４
１の関係を示す。
【００１７】図６は、データヘッドのスライダを示す。
スライダ中央のレールの端面２６０に図５に示すインダ
クティブ素子２４０とＭＲ素子２４２を形成する。２６
１はインダクティブ素子とＭＲ素子の信号リード端子を
示す。２６２は負圧及び正圧発生用の加工面を示す。
スライダ中央のレールの端面２６０に図５に示すインダ
クティブ素子２４０とＭＲ素子２４２を形成する。２６
１はインダクティブ素子とＭＲ素子の信号リード端子を
示す。２６２は負圧及び正圧発生用の加工面を示す。
【００１８】図７にＭＲ素子のセンス電流の制御回路を
示す。１６０はセンス電流値信号で１６２はＤ／Ａ変換
器を示す。Ｄ／Ａ変換器１６２で設定された電圧により
ＭＲ素子１８２に一定電流を供給する。また、センス電
流ＯＮ信号１８０でセンス電流を通電遮断する。演算増
幅器１６８と抵抗１６６，１６７，１６９，１８３によ
り、ＭＲ素子１８２に一定電流を供給する。また、電界
効果トランジスタ170,ダイオード１７１，コンデンサ１
７２，トランジスタ１７６，抵抗１７３，178,１７４と
レベル変換回路１８１によりセンス電流を通電遮断す
る。１７９は正電圧、１６８は負電圧を示す。
示す。１６０はセンス電流値信号で１６２はＤ／Ａ変換
器を示す。Ｄ／Ａ変換器１６２で設定された電圧により
ＭＲ素子１８２に一定電流を供給する。また、センス電
流ＯＮ信号１８０でセンス電流を通電遮断する。演算増
幅器１６８と抵抗１６６，１６７，１６９，１８３によ
り、ＭＲ素子１８２に一定電流を供給する。また、電界
効果トランジスタ170,ダイオード１７１，コンデンサ１
７２，トランジスタ１７６，抵抗１７３，178,１７４と
レベル変換回路１８１によりセンス電流を通電遮断す
る。１７９は正電圧、１６８は負電圧を示す。
【００１９】ＭＲ素子１８２の出力信号はコンデンサ２
８，２９で直流分を除去してリード増幅器の入力信号３
０となる。
８，２９で直流分を除去してリード増幅器の入力信号３
０となる。
【００２０】図８にＭＲ素子のセンス電流の制御回路の
他の実施例を示す。１６０はセンス電流値信号で、２０
０はＤ／Ａ変換器を示す。Ｄ／Ａ変換器２００で設定さ
れた電圧はセンス電流スイッチ回路２０１でセンス電流
ＯＮ信号１８０とレベル変換器２１５により通電遮断す
る。センス電流スイッチ回路２０１の出力はトランジス
タ２０５，抵抗２０２，２０４，２０６の回路で増幅さ
れ、電界効果トランジスタ２１１のＯＮ抵抗を制御す
る。ＭＲ素子２１４をながれる電流は、電界効果トラン
ジスタ２１１，トランジスタ２１３，抵抗２１２，２１
０，２０９，ツエナーダイオード２０８により電界効果
トランジスタ２１１のＯＮ抵抗値と抵抗２１２で決定さ
れる一定電流値に制御される。ＭＲ素子の出力信号はコ
ンデンサ２８，２９で直流分を除去し、リード増幅器の
入力信号３０となる。
他の実施例を示す。１６０はセンス電流値信号で、２０
０はＤ／Ａ変換器を示す。Ｄ／Ａ変換器２００で設定さ
れた電圧はセンス電流スイッチ回路２０１でセンス電流
ＯＮ信号１８０とレベル変換器２１５により通電遮断す
る。センス電流スイッチ回路２０１の出力はトランジス
タ２０５，抵抗２０２，２０４，２０６の回路で増幅さ
れ、電界効果トランジスタ２１１のＯＮ抵抗を制御す
る。ＭＲ素子２１４をながれる電流は、電界効果トラン
ジスタ２１１，トランジスタ２１３，抵抗２１２，２１
０，２０９，ツエナーダイオード２０８により電界効果
トランジスタ２１１のＯＮ抵抗値と抵抗２１２で決定さ
れる一定電流値に制御される。ＭＲ素子の出力信号はコ
ンデンサ２８，２９で直流分を除去し、リード増幅器の
入力信号３０となる。
【００２１】
【発明の効果】データヘッドに搭載したＭＲ素子のセン
ス電流を制御状態に応じて通電遮断するようにしたの
で、ＭＲ素子の劣化を防止でき長寿命化に効果がある。
たま、制御状態によって、センス電流値を最適値より小
さくするようにしたのでＭＲ素子の劣化を防止でき長寿
命化に効果がある。
ス電流を制御状態に応じて通電遮断するようにしたの
で、ＭＲ素子の劣化を防止でき長寿命化に効果がある。
たま、制御状態によって、センス電流値を最適値より小
さくするようにしたのでＭＲ素子の劣化を防止でき長寿
命化に効果がある。
【図１】本発明のデータヘッドにインダクティブ素子と
ＭＲ素子を用いたサーボ面サーボ方式の磁気ディスク装
置のブロック図。
ＭＲ素子を用いたサーボ面サーボ方式の磁気ディスク装
置のブロック図。
【図２】ＭＲ素子のセンス電流制御の実施例のタイミン
グチャート。
グチャート。
【図３】ＭＲ素子のセンス電流制御の他の実施例のタイ
ミングチャート。
ミングチャート。
【図４】ＭＲ素子のセンス電流制御の他の実施例のタイ
ミングチャート。
ミングチャート。
【図５】データヘッドのインダクティブ素子とＭＲ素子
の位置関係の説明図。
の位置関係の説明図。
【図６】インダクティブ素子とＭＲ素子を構成したスラ
イダの構成の説明図。
イダの構成の説明図。
【図７】ＭＲ素子のセンス電流制御回路図。
【図８】ＭＲ素子のセンス電流制御回路図。
【図９】サーボ面のサーボ信号とデータ面のサーボ信号
を用いた位置決め制御の実施例のブロック図。
を用いた位置決め制御の実施例のブロック図。
１７，１９…ＭＲ素子、２０…インダクティブ素子、２
３…センス電流スイッチ、２５…定電流回路。
３…センス電流スイッチ、２５…定電流回路。
Claims (7)
- 【請求項１】磁気記録円板はデータを記録する記録面と
サーボ信号を記録する記録面を有し、データの書き込み
用インダクティブ素子と読み出し用ＭＲ素子を搭載した
データヘッドとサーボ信号を検出するサーボヘッドにイ
ンダクティブ素子を用いた磁気ディスク装置において、
前記サーボヘッドで読み取ったサーボ信号により目標と
するデータトラックへ前記データヘッドを移動する制御
の間は、前記ＭＲ素子にセンス電流を流さないように
し、データを書き込む又は読み出す間のみセンス電流を
流すようにしたことを特徴とする磁気ディスク装置。 - 【請求項２】請求項１において、前記サーボヘッドで読
み取ったサーボ信号により目標とするデータトラックに
前記データヘッドを移動する制御の間とデータの書き込
み又は読み出しの終了した後は、ＭＲ素子のセンス電流
値を最適値より小さい値にし、データを書き込む又は読
み出す間はセンス電流値を最適値にするようにした磁気
ディスク装置。 - 【請求項３】磁気記録円板はデータを記録する領域とサ
ーボ信号を記録する領域からなる記録面とサーボ信号を
記録する記録面を有し、データの書き込み用インダクテ
ィブ素子とデータ及びサーボ信号を検出する読み出し用
ＭＲ素子を搭載したデータヘッドとサーボ信号を検出す
るサーボヘッドにインダクティブ素子を用いた磁気ディ
スク装置において、目標とするデータトラックの近傍へ
前記データヘッドを移動する制御は、前記サーボヘッド
のインダクティブ素子で読み取ったサーボ信号により制
御し、さらに目標とするデータトラックの中心にデータ
ヘッドを位置決めする制御は、前記サーボヘッドのイン
ダクティブ素子で検出したサーボ信号の高域の周波数成
分と、前記データヘッドのＭＲ素子で読み取ったサーボ
信号の低域の周波数成分を加算したサーボ信号を用いて
制御し、ＭＲ素子のセンス電流をデータトラックの中心
にデータヘッドのインダクティブ素子又はＭＲ素子を位
置決めする制御からデータの読み出しと書き込みが終了
するまでの間、通電するようにしたことを特徴とする磁
気ディスク装置。 - 【請求項４】請求項３において、目標とするデータトラ
ックの近傍へ前記データヘッドを移動する制御の間とデ
ータの読み出しと書き込みが終了した後は、ＭＲ素子の
センス電流値を最適値より小さい値にし、データトラッ
クの中心にデータヘッドのインダクティブ素子又はＭＲ
素子を位置決めする制御からデータの読み出しと書き込
みが終了する間はセンス電流値を最適値にする磁気ディ
スク装置。 - 【請求項５】磁気記録円板は、データを記録する領域と
サーボ信号を記録する領域からなる円板であって書き込
み用インダクティブ素子と読み出し用ＭＲ素子を搭載し
たデータヘッドを用いた磁気ディスク装置において、前
記データヘッドのＭＲ素子で読み取ったサーボ信号によ
り、目標とするデータトラックの近傍へ前記データヘッ
ドを移動する制御の間とデータの読み出しと書き込みが
終了した後は、ＭＲ素子のセンス電流値を最適値より小
さい値とし、目標とするトラックの中心にデータヘッド
のインダクティブ素子とＭＲ素子を位置決めする制御か
らデータの読み出しと書き込みが終了するまでの間セン
ス電流値を最適値にしたことを特徴とする磁気ディスク
装置。 - 【請求項６】複数の磁気記録円板は、データを記録する
領域とサーボ信号を記録する領域からなる円板であっ
て、書き込み用インダクティブ素子と読み出し用ＭＲ素
子を搭載したデータヘッドを複数用いた磁気ディスク装
置において、前記複数のデータヘッドの内の一つのデー
タヘッドのＭＲ素子で読み取ったサーボ信号によって、
目標とするデータトラックの中心へ前記データヘッドを
移動する制御からデータの読み出しと書き込みが終了す
るまでの間、前記ＭＲ素子のセンス電流を通電し、デー
タの読み出しと書き込みが終了した後は、一定時間ごと
に他のデータヘッドのＭＲ素子にセンス電流を一定時間
流し、そこで検出されるサーボ信号を入力して位置決め
制御を複数のデータヘッドのサーボ信号により順次行う
ようにしたことを特徴とする磁気ディスク装置。 - 【請求項７】請求項６において、複数のデータヘッドを
順次切り換えて一定時間ごとに各ＭＲ素子からのサーボ
信号によって位置決め制御をしている間のＭＲ素子のセ
ンス電流値は最適値とし、それ以外でのＭＲ素子のセン
ス電流値は最適値より小さい値とした磁気ディスク装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12857194A JPH07334801A (ja) | 1994-06-10 | 1994-06-10 | 磁気ディスク装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12857194A JPH07334801A (ja) | 1994-06-10 | 1994-06-10 | 磁気ディスク装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07334801A true JPH07334801A (ja) | 1995-12-22 |
Family
ID=14988052
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12857194A Pending JPH07334801A (ja) | 1994-06-10 | 1994-06-10 | 磁気ディスク装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07334801A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7436614B2 (en) | 2004-06-02 | 2008-10-14 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Data storage device and data storage device control |
-
1994
- 1994-06-10 JP JP12857194A patent/JPH07334801A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7436614B2 (en) | 2004-06-02 | 2008-10-14 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Data storage device and data storage device control |
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