JPH07334877A - Magneto-optical recording medium and information reproducing method of the medium - Google Patents

Magneto-optical recording medium and information reproducing method of the medium

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JPH07334877A
JPH07334877A JP6128779A JP12877994A JPH07334877A JP H07334877 A JPH07334877 A JP H07334877A JP 6128779 A JP6128779 A JP 6128779A JP 12877994 A JP12877994 A JP 12877994A JP H07334877 A JPH07334877 A JP H07334877A
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magnetic layer
layer
magnetic
reproducing
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知之 廣木
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 簡易な構成で、光の回折限界以下の記録マー
クを、高い信号品質で再生可能な光磁気記録媒体及び情
報再生方法の提供。 【構成】 室温で面内磁化膜で、GdFeCoを主体と
して構成され、以下を満足する第一磁性層と、 Gdx(Fe100-yCoy100-x, 24≦x≦32,
20≦y≦50 第一磁性層、第二磁性層よりキュリー温度が低い、Gd
FeCoを主体として構成され、以下を満足する第三磁
性層と、 Gdp(Fe100-qCoq100-p, 25≦p≦50,
0≦q≦20 希土類−鉄族元素非晶質合金からなる垂直磁化膜で、第
一磁性層よりキュリー温度が低い第二磁性層とを、その
順で基板上に積層してなる光磁気記録媒体及び該媒体を
用いた情報再生方法。
(57) [Summary] [Object] To provide a magneto-optical recording medium and an information reproducing method capable of reproducing a recording mark having a light diffraction limit or less with high signal quality with a simple structure. [Structure] An in-plane magnetized film at room temperature, which is mainly composed of GdFeCo and which satisfies the following conditions: Gd x (Fe 100-y Co y ) 100-x , 24 ≦ x ≦ 32,
20 ≦ y ≦ 50 Curie temperature lower than the first magnetic layer and the second magnetic layer, Gd
A third magnetic layer mainly composed of FeCo and satisfying the following: Gd p (Fe 100-q Co q ) 100-p , 25 ≦ p ≦ 50,
0 ≦ q ≦ 20 Magneto-optical recording in which a perpendicular magnetic film made of a rare earth-iron group element amorphous alloy and a second magnetic layer having a Curie temperature lower than that of the first magnetic layer are laminated in this order on the substrate. A medium and an information reproducing method using the medium.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、光ビームを用いて光学
的に情報の記録及び再生を行う光磁気記録媒体及び該媒
体の情報再生方法に関し、特に媒体の高密度化を可能と
する光磁気記録媒体及び該媒体の情報再生方法に関する
ものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a magneto-optical recording medium for optically recording and reproducing information by using a light beam and a method for reproducing information on the medium, and more particularly to an optical recording medium capable of increasing the density of the medium. The present invention relates to a magnetic recording medium and an information reproducing method for the medium.

【0002】[0002]

【従来の技術】書き換え可能な高密度記録方式として、
半導体レーザーの熱エネルギーを用いて、磁性薄膜に磁
区を書き込んで情報を記録し、磁気光学効果を用いて、
この情報を読み出す光磁気記録媒体が注目されている。
又、近年、この光磁気記録媒体の記録密度を高めて更に
大容量の記録媒体とする要求が高まっている。この光磁
気記録媒体等の光ディスクの線記録密度は、再生光学系
のレーザー波長λ、対物レンズの開口数NAに大きく依存
する。すなわち、再生光波長と対物レンズの開口数が決
まるとビームウエストの径が決まるため、最短マーク長
はλ/2NA程度が再生可能な限界となってしまう。一方ト
ラック密度は、主として隣接トラック間のクロストーク
によって制限され、最短マーク長と同様に再生ビームの
スポット径に依存している。したがって、従来の光ディ
スクで高密度化を実現するためには、再生光学系のレー
ザー波長を短くするか、対物レンズの開口数NAを大きく
する必要がある。しかしながら、レーザーの波長を短く
するのは素子の効率、発熱などの問題で容易ではなく、
又、対物レンズの開口数を大きくするとレンズの加工が
困難になるだけでなく、レンズとディスクの距離が近づ
き過ぎてディスクと衝突する等の機械的問題が発生す
る。このため、記録媒体の構成や読み取り方法を工夫
し、記録密度を改善する技術が開発されている。例え
ば、特開平6-124500号公報に開示された光磁気記録媒体
では、再生光の光学的な分解能以上の記録密度を実現す
る超解像技術として、図19に示すような媒体構成が提案
されている。図19(a) は、超解像技術の一例である光デ
ィスクの断面図を示している。基板20は通常ガラスある
いはポリカーボネートの様な透明な材料であり、あらか
じめ同心円状又はらせん状の溝(グループ6)がついて
おりガイドトラックを形成している。記録情報はランド
および/またはグループに沿って記録する。基板20上に
干渉層43、第一の磁性層(以下再生層と称する)41、第
二の磁性層(以下メモリ層と称する)42、保護層44の順
に積層する。干渉層43はカー効果を高めるため、保護層
44は磁性層の保護のために用いられるものである。磁性
層中の矢印は、膜中の鉄族元素副格子磁化の向きを表
す。メモリ層42は例えばTbFeCoやDyFeCoなどの垂直磁気
異方性の大きい膜で、記録情報はこの層の磁化が膜面に
対して上向きか下向きかによって磁区を形成し、保持さ
れる。再生層41は飽和磁化Msが大きく垂直磁気異方性が
小さい材料で希土類元素副格子磁化優勢な組成で構成さ
れている。図20に再生層41の静特性の一例を示す。室温
では面内磁化膜だが温度の上昇と共に飽和磁化Msは次第
に減少していき、所定温度に達すると垂直磁気異方性Ku
と2πMs2 の大小関係が逆転するために垂直磁化膜とな
る。図20は再生層単体での静特性を示したが、メモリ層
42と積層した場合にはメモリ層42との交換結合力が働く
ためにより低い温度Tth で垂直磁化膜となり、又垂直磁
化膜となるときの再生層41の磁化の向きはメモリ層42と
交換結合した向きとなる。このような媒体構成のディス
クに基板20側から情報再生用の光を照射すると、データ
トラック中心での温度勾配は図19(c) に示すようにな
り、これを基板20側から見ると、図19(b) の様にスポッ
ト内にTth の等温線が存在することになる。すると、先
述のようにTth 以下の部分では再生層41は面内磁化膜と
なるため極カー効果には寄与せず(フロントマスク4 を
形成する)、メモリ層42に保持された記録磁区はマスク
されて見えなくなる。一方Tth 以上の部分は再生層41が
垂直磁化膜になり、且つ磁化の向きはメモリ層42からの
交換結合により記録情報と同じ向きとなる。結果とし
て、スポット2 の大きさに比べて小さいアパーチャ3 の
部分だけにメモリ層42の記録磁区が転写されるので、超
解像が実現する。又、特開平3-93058 号公報及び特開平
4-255946号公報に開示された超解像再生方法では、図21
に示すように再生層31、第三の磁性層(以下中間層と称
する)32とメモリ層33からなる媒体を用いる。情報再生
に先立って初期化磁界21により再生層31の磁化の向きを
一方向に揃えてメモリ層33の磁区情報をマスクした後に
光スポット2 を照射し、その際に生じる媒体の温度分布
のうち、低温領域では再生層31に初期化状態を維持させ
(フロントマスク4 を形成する)、中間層32のキュリー
温度Tc2 以上の高温領域では再生層31を再生磁界22の方
向に強制的に配向させ(リアマスク5 を形成する)、中
温領域のみでメモリ層33の磁区情報が転写されるように
して再生スポットの実効的な大きさを小さくすることに
より、光の回折限界以下の記録マーク1 を再生可能と
し、線密度の向上を図っている。
2. Description of the Related Art As a rewritable high density recording system,
Using the thermal energy of a semiconductor laser to write magnetic domains in a magnetic thin film to record information, using the magneto-optical effect,
Attention has been paid to a magneto-optical recording medium for reading this information.
Further, in recent years, there is an increasing demand for increasing the recording density of this magneto-optical recording medium to make it a recording medium having a larger capacity. The linear recording density of an optical disk such as this magneto-optical recording medium largely depends on the laser wavelength λ of the reproducing optical system and the numerical aperture NA of the objective lens. That is, since the diameter of the beam waist is determined when the reproduction light wavelength and the numerical aperture of the objective lens are determined, the minimum mark length of about λ / 2NA is the limit of reproduction. On the other hand, the track density is limited mainly by crosstalk between adjacent tracks and depends on the spot diameter of the reproducing beam as well as the shortest mark length. Therefore, in order to realize high density in the conventional optical disc, it is necessary to shorten the laser wavelength of the reproducing optical system or increase the numerical aperture NA of the objective lens. However, it is not easy to shorten the laser wavelength due to problems such as element efficiency and heat generation.
Further, if the numerical aperture of the objective lens is increased, not only the processing of the lens becomes difficult, but also a mechanical problem occurs such that the distance between the lens and the disk becomes too short and the disk collides with the disk. Therefore, a technique for improving the recording density by devising the configuration of the recording medium and the reading method has been developed. For example, in the magneto-optical recording medium disclosed in Japanese Unexamined Patent Publication No. 6-124500, a medium configuration as shown in FIG. 19 is proposed as a super-resolution technique for realizing a recording density higher than the optical resolution of reproduction light. ing. FIG. 19 (a) shows a cross-sectional view of an optical disc, which is an example of super-resolution technology. Substrate 20 is usually a transparent material such as glass or polycarbonate and has pre-concentric or spiral grooves (group 6) to form guide tracks. Record information is recorded along the land and / or group. An interference layer 43, a first magnetic layer (hereinafter referred to as a reproduction layer) 41, a second magnetic layer (hereinafter referred to as a memory layer) 42, and a protective layer 44 are laminated in this order on a substrate 20. The interference layer 43 is a protective layer to enhance the Kerr effect.
44 is used for protection of the magnetic layer. The arrow in the magnetic layer indicates the direction of iron group element sublattice magnetization in the film. The memory layer 42 is, for example, a film having a large perpendicular magnetic anisotropy such as TbFeCo or DyFeCo, and the recorded information is retained by forming magnetic domains depending on whether the magnetization of this layer is upward or downward with respect to the film surface. The reproducing layer 41 is made of a material having a large saturation magnetization Ms and a small perpendicular magnetic anisotropy, and has a composition in which the rare earth element sublattice magnetization is dominant. FIG. 20 shows an example of static characteristics of the reproduction layer 41. Although it is an in-plane magnetized film at room temperature, the saturation magnetization Ms gradually decreases as the temperature rises, and when it reaches a predetermined temperature, the perpendicular magnetic anisotropy Ku
And the magnitude relationship of 2πMs 2 is reversed, and the film becomes a perpendicular magnetization film. Figure 20 shows the static characteristics of the playback layer alone.
When it is laminated with 42, an exchange coupling force with the memory layer 42 acts, so that it becomes a perpendicular magnetic film at a lower temperature Tth, and the magnetization direction of the reproducing layer 41 when it becomes a perpendicular magnetic film is exchange coupled with the memory layer 42. It will be the direction you did. When information reproducing light is radiated from the substrate 20 side to a disk having such a medium structure, the temperature gradient at the center of the data track becomes as shown in Fig. 19 (c). As shown in 19 (b), there is a Tth isotherm in the spot. Then, as described above, the reproducing layer 41 does not contribute to the polar Kerr effect (forms the front mask 4) in the portion below Tth because it becomes an in-plane magnetized film, and the recording domain retained in the memory layer 42 is masked. It becomes invisible. On the other hand, in the portion above Tth, the reproducing layer 41 is a perpendicularly magnetized film, and the magnetization direction is the same as the recorded information due to exchange coupling from the memory layer 42. As a result, the recording magnetic domain of the memory layer 42 is transferred only to the portion of the aperture 3 which is smaller than the size of the spot 2, so that super-resolution is realized. In addition, JP-A-3-93058 and JP-A-3-93058
In the super-resolution reproduction method disclosed in the 4-255946 publication, the method shown in FIG.
As shown in, a medium including a reproducing layer 31, a third magnetic layer (hereinafter referred to as an intermediate layer) 32, and a memory layer 33 is used. Prior to information reproduction, the magnetization direction of the reproduction layer 31 is aligned in one direction by the initialization magnetic field 21 to mask the magnetic domain information of the memory layer 33, and then the light spot 2 is irradiated. In the low temperature region, the reproduction layer 31 is maintained in the initialized state (the front mask 4 is formed), and in the high temperature region of the Curie temperature Tc2 or higher of the intermediate layer 32, the reproduction layer 31 is forcibly oriented in the direction of the reproduction magnetic field 22. (By forming the rear mask 5), the magnetic domain information of the memory layer 33 is transferred only in the middle temperature region to reduce the effective size of the reproducing spot, thereby reproducing the recording mark 1 below the light diffraction limit. It is possible and the linear density is improved.

【0003】これらの公知の超解像方式では、低温領域
でのフロントマスク4 が隣接するトラックの方向にのび
ているために、線記録密度と同時にトラック密度の向上
をも試みている。
In these known super-resolution methods, since the front mask 4 extends in the direction of the adjacent track in the low temperature region, an attempt is made to improve not only the linear recording density but also the track density.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとしている課題】しかしながら、特
開平6-124500号公報に開示された超解像再生方法ではフ
ロントマスク4 のみを用いるために、解像度を上げるた
めにマスクの領域を広げるとアパーチャ3 の位置がスポ
ット中心から外れてしまって信号品質が犠牲になるとい
う問題があった。又、特開平3-93058 号公報及び特開平
4-255946号公報に開示された方法では、信号品質を落と
さずに解像力を上げられる反面、情報再生に先立って再
生層31の磁化を一方向に揃えなければならず、そのため
の初期化磁石21を従来の装置に追加することが必要と
なる。
However, in the super-resolution reproducing method disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 6-124500, only the front mask 4 is used. Therefore, when the area of the mask is widened to increase the resolution, the aperture 3 There was a problem that the signal quality was sacrificed due to the position of the point deviating from the center of the spot. In addition, JP-A-3-93058 and JP-A-3-93058
According to the method disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 4-255946, while the resolution can be increased without degrading the signal quality, the magnetization of the reproducing layer 31 must be aligned in one direction prior to the information reproduction, and therefore the initialization magnet 21 for that purpose. Is required to be added to the conventional device.

【0005】以上のように、従来の超解像再生方法は、
解像力が十分上げられなかったり、光磁気記録再生装置
が複雑化し、コストが高くなる、小型化が難しい等の問
題点を有している。
As described above, the conventional super-resolution reproduction method is
There are problems that the resolution cannot be sufficiently increased, the magneto-optical recording / reproducing apparatus becomes complicated, the cost becomes high, and the size reduction is difficult.

【0006】本発明は、このような問題点の解決を図る
ものとして、再生時に初期化磁界及び再生磁界を必要と
しない簡易な構成で、光の回折限界以下の記録マーク
を、高い信号品質で再生可能な光磁気記録媒体及び該媒
体を用いた光学的情報再生方法の提供を目的とする。
In order to solve such a problem, the present invention has a simple structure which does not require an initializing magnetic field and a reproducing magnetic field at the time of reproducing, and makes a recording mark having a light diffraction limit or less with a high signal quality. An object of the present invention is to provide a reproducible magneto-optical recording medium and an optical information reproducing method using the medium.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段(及び作用)】本発明の前
記目的は、少なくとも第一の磁性層と第三の磁性層と第
二の磁性層とを、上記の順に基板上に積層して成る光磁
気記録媒体に於いて、前記第一の磁性層と第三の磁性層
は室温で面内磁化膜であり、前記第一の磁性層はGdF
eCoを主体として構成され、以下を満足する Gdx(Fe100-yCoy)100-x、24≦x ≦32(原子% )、20≦y
≦50(原子% )、 前記第三の磁性層はGdFeCoを主体として構成され、以下
を満足する Gdp(Fe100-qCoq)100-p、25≦p ≦50(原子% )、0 ≦q
≦20(原子% )、 前記第二の磁性層は希土類−鉄族元素非晶質合金からな
る垂直磁化膜で、該第二の磁性層のキュリー温度は前記
第一の磁性層のキュリー温度よりも低く前記第三の磁性
層のキュリー温度よりも高くすることによって達成され
る。
The above-mentioned object of the present invention is to form at least a first magnetic layer, a third magnetic layer and a second magnetic layer on a substrate in the above-mentioned order. In the magneto-optical recording medium, the first magnetic layer and the third magnetic layer are in-plane magnetized films at room temperature, and the first magnetic layer is GdF.
It is composed mainly of eCo and satisfies the following: Gd x (Fe 100-y Co y ) 100-x , 24 ≦ x ≦ 32 (atomic%), 20 ≦ y
≦ 50 (atomic%), the third magnetic layer is composed mainly of GdFeCo, and satisfies the following: Gd p (Fe 100-q Co q ) 100-p , 25 ≦ p ≦ 50 (atomic%), 0 ≤q
≦ 20 (atomic%), the second magnetic layer is a perpendicular magnetization film made of a rare earth-iron group element amorphous alloy, and the Curie temperature of the second magnetic layer is higher than the Curie temperature of the first magnetic layer. It is also achieved by setting it to be lower than the Curie temperature of the third magnetic layer.

【0008】又、少なくとも第一の磁性層と第三の磁性
層と第二の磁性層とを、上記の順に基板上に積層して成
る光磁気記録媒体であって、前記第一の磁性層と第三の
磁性層は室温で面内磁化膜であり、前記第一の磁性層は
GdFeCoを主体として構成され、以下を満足する Gdx(Fe100-yCoy)100-x、24≦x ≦32(原子% )、20≦y
≦50(原子% )、 前記第三の磁性層はGdFeCoを主体として構成され、以下
を満足する Gdp(Fe100-qCoq)100-p、25≦p ≦50(原子% )、0 ≦q
≦20(原子% )、 前記第二の磁性層は希土類−鉄族元素非晶質合金からな
る垂直磁化膜で、情報が蓄積されると共に前記第二の磁
性層のキュリー温度は前記第一の磁性層のキュリー温度
よりも低く前記第三の磁性層のキュリー温度よりも高い
光磁気記録媒体に光ビームを用いて記録された情報を再
生する情報再生方法において、前記第一の磁性層側から
光ビームを照射し、前記光ビームのスポット内の低温部
分における前記第一の磁性層を面内磁化膜のままとし、
前記スポット内の低温部分以外の部分で前記第一の磁性
層を垂直磁化膜として前記第二の磁性層と交換結合さ
せ、前記第一の磁性層に前記第二の磁性層に蓄積された
情報を転写し、前記光ビームの反射光を検出することに
より前記第二の磁性層に蓄積された情報の再生を行うこ
とによって達成される。
A magneto-optical recording medium comprising at least a first magnetic layer, a third magnetic layer and a second magnetic layer laminated on a substrate in the above-mentioned order, wherein the first magnetic layer And the third magnetic layer is an in-plane magnetized film at room temperature, and the first magnetic layer is
GdFeCo is the main constituent and satisfies the following Gd x (Fe 100-y Co y ) 100-x , 24 ≦ x ≦ 32 (atomic%), 20 ≦ y
≦ 50 (atomic%), the third magnetic layer is composed mainly of GdFeCo, and satisfies the following: Gd p (Fe 100-q Co q ) 100-p , 25 ≦ p ≦ 50 (atomic%), 0 ≤q
≦ 20 (atomic%), the second magnetic layer is a rare earth-iron group element amorphous alloy perpendicular magnetization film, information is accumulated and the Curie temperature of the second magnetic layer is the first magnetic layer. In an information reproducing method for reproducing information recorded by using a light beam on a magneto-optical recording medium lower than the Curie temperature of the magnetic layer and higher than the Curie temperature of the third magnetic layer, from the first magnetic layer side. Irradiating a light beam, leaving the first magnetic layer in the low temperature portion within the spot of the light beam as an in-plane magnetized film,
Information accumulated in the second magnetic layer in the first magnetic layer by exchange-coupling the first magnetic layer as a perpendicular magnetization film with the second magnetic layer in a portion other than the low temperature portion in the spot. Is recorded and the reflected light of the light beam is detected to reproduce the information stored in the second magnetic layer.

【0009】[0009]

【実施例】以下、本発明の実施例について図面を用いて
詳細に説明する。
Embodiments of the present invention will be described in detail below with reference to the drawings.

【0010】図1は本実施例における光ディスクの断面
図を示す。図1に示すように、本実施例に用いる光ディ
スクでは、基板20上に干渉層14、第一の磁性層(以下再
生層と称する)11、第三の磁性層(以下中間層と称す
る)12、第二の磁性層(以下メモリ層と称する)13、保
護層15の順に積層している。基板20は通常ガラスあるい
はポリカーボネートの様な透明な材料が使われる。
FIG. 1 is a sectional view of an optical disk according to this embodiment. As shown in FIG. 1, in the optical disk used in this embodiment, an interference layer 14, a first magnetic layer (hereinafter referred to as a reproduction layer) 11, a third magnetic layer (hereinafter referred to as an intermediate layer) 12 are formed on a substrate 20. A second magnetic layer (hereinafter referred to as a memory layer) 13 and a protective layer 15 are laminated in this order. The substrate 20 is usually made of a transparent material such as glass or polycarbonate.

【0011】これらの各層は、マグネトロンスパッタ装
置による連続スパッタリング、あるいは連続蒸着などに
よって被着形成できる。
Each of these layers can be deposited by continuous sputtering using a magnetron sputtering device, continuous vapor deposition, or the like.

【0012】干渉層14は磁気光学効果を高めるために設
けられ、例えばSi3N4 、AlN 、SiO2、SiO 、ZnS 、MgF2
などの透明な誘電体材料が用いられる。
The interference layer 14 is provided to enhance the magneto-optical effect, and is made of, for example, Si 3 N 4 , AlN, SiO 2 , SiO, ZnS, MgF 2
A transparent dielectric material such as

【0013】保護層15は磁性層の保護のために用いられ
るもので、干渉層14と同様の材料が用いられる。
The protective layer 15 is used for protecting the magnetic layer, and the same material as the interference layer 14 is used.

【0014】干渉層14及び保護層15は本発明の本質とは
無関係であるので、構成上省略しても差し支えなく、
又、ここでは詳細な説明は省略する。又、図1には示し
ていないが、膜の保護、あるいは磁界変調オーバーライ
ト用磁界ヘッドを用いるために、保護層15にさらに紫外
線硬化樹脂などのハードコート材を塗布しても良い。
Since the interference layer 14 and the protective layer 15 are irrelevant to the essence of the present invention, they may be omitted in the structure.
Further, detailed description is omitted here. Although not shown in FIG. 1, a hard coat material such as an ultraviolet curable resin may be further applied to the protective layer 15 in order to protect the film or use the magnetic field head for magnetic field modulation overwrite.

【0015】再生層11は、メモリ層13に保持した磁化情
報の再生を担う層で室温においては面内磁化膜で、室温
とキュリー温度の間の所定温度以上で垂直磁化膜となる
磁化特性を備える。又、再生層11は、中間層12、メモリ
層13に比べて光の入射に近い側に位置し、再生時にカー
回転角が劣化しないようにキュリー温度は少なくとも中
間層12、メモリ層13より高い。再生層11は希土類−鉄族
元素非晶質合金で垂直磁気異方性が小さいもの、具体的
にはGdFeCoが望ましい。また、これに短波長でのカー回
転角を大きくするためにNd,Pr,Smなどの軽希土類金属を
添加してもよい。好ましくは、室温とキュリー温度の間
に補償温度があるものが望ましい。尚、この補償温度は
後述する中間層12のキュリー温度近傍、即ち、中間層12
のキュリー温度を基準として−50℃〜+100℃、よ
り望ましくは−20℃〜+80℃の範囲に設定される。
The reproducing layer 11 is a layer responsible for reproducing the magnetization information held in the memory layer 13, is an in-plane magnetized film at room temperature, and has a magnetic characteristic that becomes a perpendicular magnetized film at a predetermined temperature or higher between room temperature and Curie temperature. Prepare The reproducing layer 11 is located closer to the incidence of light than the intermediate layer 12 and the memory layer 13, and the Curie temperature is at least higher than that of the intermediate layer 12 and the memory layer 13 so that the Kerr rotation angle does not deteriorate during reproduction. . The reproducing layer 11 is preferably a rare earth-iron group element amorphous alloy having a small perpendicular magnetic anisotropy, specifically GdFeCo. Further, a light rare earth metal such as Nd, Pr or Sm may be added to this to increase the Kerr rotation angle at a short wavelength. Preferably, the one having a compensation temperature between room temperature and Curie temperature is desirable. Incidentally, this compensation temperature is near the Curie temperature of the intermediate layer 12 described later, that is, the intermediate layer 12
The Curie temperature is set to -50 ° C to + 100 ° C, more preferably -20 ° C to + 80 ° C.

【0016】中間層12の設けられる目的は、以下の3つ
である。
The intermediate layer 12 is provided for the following three purposes.

【0017】(1)室温付近において、再生層11とメモ
リ層13の間の磁壁エネルギーを緩和し、再生層11が面内
磁化膜となるのを助ける。これは結果として再生層の膜
厚低減にも寄与する。
(1) At room temperature, the domain wall energy between the reproducing layer 11 and the memory layer 13 is relaxed, and the reproducing layer 11 serves as an in-plane magnetized film. As a result, this also contributes to the reduction of the thickness of the reproducing layer.

【0018】(2)所定温度以上に達すると再生層11と
ともに垂直磁化膜に遷移し、メモリ層13から再生層11へ
の交換結合を媒介する。
(2) When the temperature reaches a predetermined temperature or higher, it transits to the perpendicular magnetization film together with the reproducing layer 11, and mediates exchange coupling from the memory layer 13 to the reproducing layer 11.

【0019】(3)中間層12のキュリー温度以上では、
再生層11とメモリ層13の間の交換結合を切断する。
(3) Above the Curie temperature of the intermediate layer 12,
The exchange coupling between the reproducing layer 11 and the memory layer 13 is broken.

【0020】これらの目的を達成するために、中間層12
は再生層11とメモリ層13の間に位置し、キュリー温度を
室温より高く、再生層11及びメモリ層13のキュリー温度
より低くする。中間層12のキュリー温度は、再生時の光
スポット内の中温部で再生層11にメモリ層13からの交換
結合力を媒介できる程度に大きく、最高温度部で交換結
合力を切断できる程度に小さく、具体的には100 ℃以上
で220 ℃以下が良く、より望ましくは120 ℃以上で180
℃以下が良い。中間層12の材料としては、例えば希土類
−鉄族非晶質合金、具体的にはGdFeCoが良い。又キュリ
ー温度を低減するためにCr,Al,Si,Cu などの非磁性元素
を添加しても良い。
To achieve these ends, the intermediate layer 12
Is located between the reproducing layer 11 and the memory layer 13, and has a Curie temperature higher than room temperature and lower than the Curie temperatures of the reproducing layer 11 and the memory layer 13. The Curie temperature of the intermediate layer 12 is large enough to mediate the exchange coupling force from the memory layer 13 to the reproduction layer 11 at the middle temperature portion in the light spot during reproduction, and small enough to cut the exchange coupling force at the maximum temperature portion. , Specifically, it should be 100 ℃ or more and 220 ℃ or less, more preferably 180 ℃ or more.
℃ or less is good. The material of the intermediate layer 12 is, for example, a rare earth-iron group amorphous alloy, specifically GdFeCo. Further, in order to reduce the Curie temperature, a non-magnetic element such as Cr, Al, Si, Cu may be added.

【0021】メモリ層13は記録情報を保持する層で、1u
m 以下の微小な磁区を安定に保持できることが必要であ
る。メモリ層13の材料としては、垂直磁気異方性が大き
く安定に磁化状態が保持できるもの、例えばTbFeCo、Dy
FeCo,TbDyFeCo などの希土類−鉄族非晶質合金、ガーネ
ット、あるいは、白金族−鉄族周期構造膜、例えばPt/C
o 、Pd/Co 、また白金族−鉄族合金、例えばPtCo、PdCo
などであっても良い。
The memory layer 13 is a layer for holding recorded information and has a size of 1 u.
It is necessary to be able to stably hold a small magnetic domain of m or less. As a material of the memory layer 13, a material having a large perpendicular magnetic anisotropy and capable of maintaining a stable magnetization state, such as TbFeCo or Dy.
FeCo, TbDyFeCo and other rare earth-iron group amorphous alloys, garnet, or platinum group-iron group periodic structure film, for example Pt / C
o, Pd / Co, and platinum group-iron group alloys such as PtCo, PdCo
And so on.

【0022】再生層11と中間層12とメモリ層13には、A
l,Ti,Pt,Nb,Crなどの耐食性改善のための元素添加を行
なっても良い。また、熱伝導性改良のためAl,AlTa,AlT
i,AlCr,Cuなどの熱伝導性の良い層を設けても良い。ま
た、光変調オーバーライトを行なうために磁化を一方向
に揃えた初期化層、交換結合力または静磁結合力を調節
するための記録補助、再生補助のための補助層を設けて
も良い。
The reproducing layer 11, the intermediate layer 12 and the memory layer 13 are
Elements such as l, Ti, Pt, Nb and Cr may be added to improve the corrosion resistance. Also, to improve thermal conductivity, Al, AlTa, AlT
A layer having good thermal conductivity such as i, AlCr, or Cu may be provided. In addition, an initialization layer in which magnetization is aligned in one direction for performing light modulation overwrite, and an auxiliary layer for assisting recording and reproducing for adjusting exchange coupling force or magnetostatic coupling force may be provided.

【0023】本発明の光ディスクへのデータ信号の記録
は、媒体を移動させると同時に、一定方向の磁界を印加
しながらレーザパワーを変調して行う(光変調記録)
か、もしくはメモリ層13がキュリー温度Tc3 前後になる
ような一定のパワーのレーザ光を照射しながら外部磁界
を変調して行う(磁界変調記録)。前者の場合、光スポ
ット内の所定領域のみがTc3 になるようにレーザ光の強
度を調整すれば、光スポット径より小さい記録磁区が形
成でき、その結果光の回折限界以下の周期の信号を記録
する事が出来る。また後者の場合は磁界の変調周波数を
光スポットと媒体との相対速度(線速)に比較して高周
波にすることで、小さい記録磁区が形成できる。
Recording of a data signal on the optical disk of the present invention is performed by moving the medium and simultaneously modulating the laser power while applying a magnetic field in a fixed direction (optical modulation recording).
Alternatively, the external magnetic field is modulated while irradiating the laser light having a constant power such that the memory layer 13 has a Curie temperature around Tc3 (magnetic field modulation recording). In the former case, a recording magnetic domain smaller than the light spot diameter can be formed by adjusting the laser light intensity so that only a predetermined area within the light spot becomes Tc3, and as a result, a signal with a period less than the light diffraction limit is recorded. You can do it. In the latter case, a small recording magnetic domain can be formed by setting the modulation frequency of the magnetic field to a high frequency as compared with the relative velocity (linear velocity) between the light spot and the medium.

【0024】また、後述のメカニズムから明らかなよう
に、本発明の超解像が安定して機能するためには、記録
マークの周囲の磁化がマークと逆の方向を向いている必
要がある。もっとも一般的な光変調記録では、まず一定
の磁界を印加した状態でレーザパワーをハイパワーで一
定とし、記録しようとするトラックの磁化を初期化(消
去動作)し、その後磁界の向きを反転した状態でレーザ
パワーを強度変調して所望の記録マークを形成する。そ
の時、記録マークの周囲に磁化の向きがランダムな部分
があると、再生の際ノイズの原因となるため、再生信号
品質を上げるためには記録マークよりも広い幅で消去し
ておくことが一般に行われている。したがって、記録さ
れた磁区の周囲の磁化は必ず磁区と逆を向いていること
になるため、本発明の超解像は従来の光変調記録のもと
では安定に動作する。
Further, as is clear from the mechanism described later, in order for the super-resolution of the present invention to function stably, the magnetization around the recording mark must be oriented in the opposite direction to the mark. In the most general optical modulation recording, first, the laser power is kept constant at a high power while a constant magnetic field is applied, the magnetization of the track to be recorded is initialized (erasing operation), and then the direction of the magnetic field is reversed. In this state, the laser power is intensity-modulated to form a desired recording mark. At that time, if there is a random magnetized portion around the recording mark, noise may occur during reproduction.In order to improve the quality of the reproduced signal, it is generally necessary to erase in a wider width than the recording mark. Has been done. Therefore, since the magnetization around the recorded magnetic domain always faces the opposite direction to the magnetic domain, the super-resolution of the present invention operates stably under the conventional optical modulation recording.

【0025】また、光変調記録のもう一つの方式とし
て、光変調オーバーライトがある。これは、特開昭62-1
75948 に記載されているような構成の媒体を用いるもの
で、記録に先立つ消去動作を必要としないものである。
この媒体は記録情報を保持するメモリ層の他に、記録に
先立って磁化が一方向に向けられている書き込み層を備
えている。この媒体に記録を行う場合には、書き込み層
とは逆向きの一定の磁界を印加しながら記録情報に応じ
てレーザ強度をPh,Pl (Ph>Pl )の間で変調する。媒体
がPhに相当する温度Thまで昇温すると、Thは書き込み
層のTcとほぼ等しく設定されているので、メモリ層と
書き込み層の磁化は外部磁界の方向を向いて磁区を形成
し、媒体がPl相当の温度Tlまでしか昇温しないとメモリ
層の磁化の向きは書き込み層と同じ向きとなる。このプ
ロセスはあらかじめ記録されていた磁区とは無関係に起
こる。ここで、媒体にPhのレーザを照射した時を考える
と、記録磁区を形成する部分はThに昇温しているが、こ
の時の温度分布は2次元的に広がった形となっているの
で、レーザをPhまで上げたとしても磁区の周囲には必ず
Tlまでしか昇温しない部分が生じる。したがって記録磁
区の周囲には反対向きの磁化を持った部分が存在するこ
とになる。すなわち、本発明の超解像は従来の光変調オ
ーバーライト記録のもとでも安定に動作する。
Another method of optical modulation recording is optical modulation overwrite. This is JP-A-62-1
It uses a medium having the structure described in 75948 and does not require an erasing operation prior to recording.
In addition to a memory layer that holds recorded information, this medium includes a write layer whose magnetization is oriented in one direction prior to recording. When recording is performed on this medium, the laser intensity is modulated between Ph and Pl (Ph> Pl) according to the recorded information while applying a constant magnetic field in the direction opposite to the writing layer. When the temperature of the medium is raised to a temperature Th corresponding to Ph, Th is set to be substantially equal to Tc of the writing layer, so that the magnetizations of the memory layer and the writing layer form magnetic domains in the direction of the external magnetic field, and the medium is If the temperature is raised only to the temperature Tl corresponding to Pl, the magnetization direction of the memory layer becomes the same as that of the writing layer. This process occurs independently of prerecorded magnetic domains. Here, considering the time when the medium is irradiated with the laser of Ph, the portion forming the recording magnetic domain is heated to Th, but since the temperature distribution at this time is two-dimensionally widened. , Even if you raise the laser to Ph, be sure to surround the magnetic domain
There is a portion where the temperature rises only up to Tl. Therefore, there is a portion having the opposite magnetization around the recording magnetic domain. That is, the super-resolution of the present invention operates stably even under the conventional optical modulation overwrite recording.

【0026】さらに別の記録方法として先述の磁界変調
記録が挙げられる。これは、レーザをハイパワーでDC照
射しながら外部磁界の向きを交番状に変化させるもので
あるが、前に記録されていた磁区の履歴を残さずに新た
な情報を記録するためには、磁区を形成する幅は常に一
定にしなければならない。したがって、この場合は何ら
かの処置を施さなければ記録磁区の周囲に磁化の向きが
ランダムな領域が存在してしまい、本発明の超解像は安
定に動作しないことになる。したがって、磁界変調記録
を行う場合には、媒体の出荷時あるいは一回目の記録に
先立って、通常の記録パワーよりも大きいパワーで記録
領域に対して初期化動作を行っておくか、ランド、グル
ーブの両方に対して全面的に磁化の初期化を行う必要が
ある。
As another recording method, the above-mentioned magnetic field modulation recording can be mentioned. This is to change the direction of the external magnetic field in an alternating manner while irradiating the laser with high power DC, but in order to record new information without leaving the history of the previously recorded magnetic domains, The width forming the magnetic domains must always be constant. Therefore, in this case, unless some measures are taken, there is a region where the magnetization direction is random around the recording magnetic domain, and the super-resolution of the present invention does not operate stably. Therefore, when performing magnetic field modulation recording, the recording area should be initialized with a power larger than the normal recording power before shipment of the medium or prior to the first recording, or the land or groove should be recorded. It is necessary to completely initialize the magnetization of both of them.

【0027】図2は本発明の光ディスクにレーザ光を照
射しながら、向かって右にディスクが移動したときのス
ポットの様子及び各磁性層の磁化状態を示している。こ
の時ディスクはおよそ9m/s程度で移動しており、レーザ
照射による熱の蓄積があるために、膜温度が最大となる
位置はレーザスポットの中心よりも後ろ側になる。
FIG. 2 shows the state of spots and the magnetization state of each magnetic layer when the disk moves rightward while irradiating the optical disk of the present invention with laser light. At this time, the disk is moving at about 9 m / s, and since heat is accumulated by laser irradiation, the position where the film temperature is maximum is behind the center of the laser spot.

【0028】まず、スポット2 の進行方向に対して前縁
側では、媒体の温度は室温からそれほど上がっていな
い。再生層11と中間層12の飽和磁化Msの温度依存性は例
えば図3、図4に示すようになっており、スポット中の
低温領域ではどちらの層も飽和磁化Msが大きく垂直磁気
異方性Kuが小さい。この時、再生層11の垂直磁気異方性
Ku1 、飽和磁化Ms1 、中間層12を介してメモリ層13から
の交換結合力によって再生層11の磁化を垂直方向に向け
るエネルギーをEw13とすると、 (数1)2πMs2>Ku+Ew13 が成り立つ場合には、再生層11の磁化は膜面内を向くこ
とになる。特に、中間層12の飽和磁化は再生層11よりも
さらに大きく面内異方性が強いので、垂直磁化膜である
メモリ層13と面内磁化膜である再生層11の間の界面磁壁
エネルギーを中間層12で吸収する作用がある。したがっ
て中間層12を入れることにより、中間層12がない場合
に比べて、再生層11の膜厚を薄くした場合でも磁化の
向きが膜面内になり、メモリ層13の磁化は転写されずに
フロントマスク4 を形成する。
First, the temperature of the medium on the front edge side with respect to the traveling direction of the spot 2 has not risen so much from room temperature. The temperature dependence of the saturation magnetization Ms of the reproducing layer 11 and the intermediate layer 12 is as shown in, for example, FIGS. 3 and 4, and both layers have a large saturation magnetization Ms in the low temperature region of the spot and the perpendicular magnetic anisotropy. Ku is small. At this time, the perpendicular magnetic anisotropy of the reproducing layer 11
If the energy that directs the magnetization of the reproducing layer 11 in the vertical direction by the exchange coupling force from the memory layer 13 via Ku1, the saturation magnetization Ms1, and the intermediate layer 12 is Ew13, (Equation 1) 2πMs 2 > Ku + Ew13 The magnetization of the reproducing layer 11 is oriented in the film plane. In particular, since the saturation magnetization of the intermediate layer 12 is larger than that of the reproducing layer 11 and the in-plane anisotropy is strong, the interface domain wall energy between the memory layer 13 which is a perpendicular magnetic film and the reproducing layer 11 which is an in-plane magnetic film is The intermediate layer 12 has an absorbing effect. Therefore, by inserting the intermediate layer 12, the direction of magnetization is in the film plane even when the film thickness of the reproducing layer 11 is smaller than that in the case where the intermediate layer 12 is not provided, and the magnetization of the memory layer 13 is not transferred. Form the front mask 4.

【0029】次に、スポット2 の照射により媒体温度が
上がってくると、再生層11、中間層12の飽和磁化Msは次
第に小さくなっていく。特に本発明の場合、再生層11の
補償温度と中間層12のキュリー温度が共に200 ℃前後と
近い値になっているので、媒体の昇温に従ってどちらも
急激に飽和磁化が下がる。そこで、媒体が所定温度Tth
に到達し、 (数2)2πMs2<Ku+Ew13 になると、再生層11は垂直磁化膜となると同時にメモリ
層13と交換結合するので、メモリ層13に保持された磁区
が再生層11に転写されてアパーチャ3 を形成する。さら
に温度が上がって中間層12のキュリー温度Tc2 よりも高
くなると、再生層11とメモリ層13との間の交換結合力が
なくなる。この温度で再生層11は希土類元素副格子磁化
優勢であり、メモリ層13が鉄族元素副格子磁化優勢にな
るようにあらかじめ組成を調整しておく(すなわちアン
チパラレル)。すると、Tc2 以下の温度で再生層11に転
写されていた磁区は、磁区を保持していたメモリ層13か
らの交換結合力がなくなると同時に、メモリ層13からの
静磁結合力が逆の方向に加わることになる。また再生層
11も補償温度に近いために再生層11自身の反磁界の影響
も少ないので、メモリ層13から転写されていた再生層11
の磁区はブロッホ磁壁エネルギーに抗じきれずに収縮し
て反転してしまう。すなわち、スポット2 内において中
間層12のキュリー温度Tc2 以上に昇温した部分では、再
生層に磁区が存在できずに同一方向に揃ってしまう領域
が生じる。この部分がすなわちリアマスク5 である。こ
のリアマスクの形成過程は、各磁性層間の相互作用に関
するエネルギーのバランス変化から生じるものなので、
特に再生用に外部磁界を加えずともマスクが形成され
る。
Next, when the medium temperature rises due to the irradiation of the spot 2, the saturation magnetization Ms of the reproducing layer 11 and the intermediate layer 12 gradually decreases. In particular, in the case of the present invention, both the compensation temperature of the reproducing layer 11 and the Curie temperature of the intermediate layer 12 are close to about 200 ° C., so that the saturation magnetization sharply decreases with increasing temperature of the medium. Therefore, the medium has a predetermined temperature Tth.
And (2) 2πMs 2 <Ku + Ew13, the reproducing layer 11 becomes a perpendicularly magnetized film and at the same time exchange-couples with the memory layer 13, so that the magnetic domain held in the memory layer 13 is transferred to the reproducing layer 11. Form aperture 3 When the temperature further rises and becomes higher than the Curie temperature Tc2 of the intermediate layer 12, the exchange coupling force between the reproducing layer 11 and the memory layer 13 disappears. At this temperature, the reproducing layer 11 has the rare earth element sublattice magnetization predominant, and the composition is adjusted in advance so that the memory layer 13 has the iron group element sublattice magnetization predominant (that is, antiparallel). Then, the magnetic domain transferred to the reproducing layer 11 at a temperature of Tc2 or less loses the exchange coupling force from the memory layer 13 which holds the magnetic domain, and at the same time, the magnetostatic coupling force from the memory layer 13 is in the opposite direction. Will join. Also reproduction layer
Since 11 is also close to the compensation temperature, the influence of the demagnetizing field of the reproducing layer 11 itself is small, so that the reproducing layer 11 transferred from the memory layer 13
Domain cannot contract the Bloch domain wall energy and contracts and inverts. That is, in the spot 2 where the temperature is raised to the Curie temperature Tc2 or higher of the intermediate layer 12, there is a region in which the magnetic domains cannot exist in the reproducing layer and are aligned in the same direction. This part is the rear mask 5. The process of forming this rear mask results from the change in the balance of energy related to the interaction between the magnetic layers.
In particular, the mask is formed without applying an external magnetic field for reproduction.

【0030】このアパーチャ部からリアマスクに移る過
程での、再生層11に転写された磁区の振る舞いについて
さらに詳細に述べる。
The behavior of the magnetic domains transferred to the reproducing layer 11 in the process of moving from the aperture portion to the rear mask will be described in more detail.

【0031】図5 には、メモリ層13から転写された再生
層11の記録磁区(以下、単に記録磁区と称する)が、光
スポットが移動する際に高温領域で収縮する過程を示し
た平面図と断面図である。簡便のため図5 では1つの記
録磁区の収縮過程を図示している。また、図5 では磁性
材料に希土類鉄族フェリ磁性体を想定しており、白抜き
矢印30は全体の磁化を、黒矢印31は鉄族副格子磁化を示
し、再生層11はREリッチの磁性層、メモリ層13はTMリッ
チの磁性層を例として記載した。媒体の温度分布は熱伝
導度に限界があるため、光スポット中心から光スポット
の移動と反対方向にずれる。
FIG. 5 is a plan view showing a process in which a recording magnetic domain of the reproducing layer 11 transferred from the memory layer 13 (hereinafter simply referred to as a recording magnetic domain) contracts in a high temperature region when a light spot moves. And FIG. For the sake of simplicity, Fig. 5 shows the shrinking process of one recording domain. In addition, in FIG. 5, a rare earth iron group ferrimagnetic material is assumed as the magnetic material. The white arrow 30 indicates the entire magnetization, the black arrow 31 indicates the iron group sublattice magnetization, and the reproducing layer 11 is the RE-rich magnetic material. As the layers and the memory layer 13, the TM-rich magnetic layer is described as an example. Since the temperature distribution of the medium has a limited thermal conductivity, it shifts from the center of the light spot in the direction opposite to the movement of the light spot.

【0032】図5 (a) は、記録磁区1 がアパーチャ領域
にある状態を示している。この記録磁区1 には、メモリ
層13からの交換結合力による実効的磁界Hwi以外に、
ブロッホ磁壁エネルギーによる実効的磁界Hwb、媒体
内部からの静磁界Hdが印加されている。Hwiは再生
層の記録磁区1 を安定に保持するように働くが、Hw
b、Hdは記録磁区を広げたり収縮させる方向に力が働
く。よって再生層11が安定的にメモリ層13の磁化を転写
するためには、記録磁区1 が高温領域5 に達するまで
に、(数3)の条件が必要である。
FIG. 5A shows a state where the recording magnetic domain 1 is in the aperture area. In the recording magnetic domain 1, in addition to the effective magnetic field Hwi due to the exchange coupling force from the memory layer 13,
An effective magnetic field Hwb due to Bloch domain wall energy and a static magnetic field Hd from the inside of the medium are applied. Hwi works to stably hold the recording magnetic domain 1 of the reproducing layer, but Hw
A force acts on b and Hd in the direction of expanding or contracting the recording magnetic domain. Therefore, in order for the reproducing layer 11 to stably transfer the magnetization of the memory layer 13, the condition of (Equation 3) is required before the recording magnetic domain 1 reaches the high temperature region 5.

【0033】 (数3) |Hwb−Hd|<Hc1+Hwi (T<Th−mask) 再生層11の保磁力Hc1 は、メモリ層13からの交換結合
力によって、見かけ上大きくなるため、容易に(数3)
は成立し、安定的にメモリ層13の磁化情報を転写して正
確に記録情報を再生することが可能となる。
(Equation 3) | Hwb−Hd | <Hc1 + Hwi (T <Th-mask) The coercive force Hc1 of the reproducing layer 11 apparently becomes large due to the exchange coupling force from the memory layer 13, so that 3)
Holds, and it becomes possible to stably transfer the magnetization information of the memory layer 13 and accurately reproduce the recorded information.

【0034】Hwiは、再生層11とメモリ層13の界面磁
壁エネルギーをσwi、再生層11の記録磁区1 の飽和磁化
をMs1、再生層の膜厚をh1とすると(数4)で表さ
れるが、さらに光スポット (数4) Hwi=σwi/2Ms1h1 が移動して高温領域5 に入ると、Hwiは中間層12のキ
ュリー温度付近に到達してσwiは急激に小さくなりHw
iは減少する。よって再生層11が本来の保磁力の小さい
状態に戻って(数5)となり、記録磁区1 のブロッホ磁
壁8 は容易に移動するようになる。
Hwi is represented by (Equation 4), where σwi is the interfacial domain wall energy between the reproducing layer 11 and the memory layer 13, Ms1 is the saturation magnetization of the recording magnetic domain 1 of the reproducing layer 11, and h1 is the film thickness of the reproducing layer. However, when the light spot (Equation 4) Hwi = σwi / 2Ms1h1 moves and enters the high temperature region 5, Hwi reaches the vicinity of the Curie temperature of the intermediate layer 12 and σwi sharply decreases.
i decreases. Therefore, the reproducing layer 11 returns to the original state of small coercive force (Equation 5), and the Bloch domain wall 8 of the recording magnetic domain 1 easily moves.

【0035】 (数5) |Hwb−Hd|>Hc1+Hwi (T>Th−mask) Hwbは再生層11のブロッホ磁壁エネルギーをσwb、再
生層11の記録磁区1 の半径をrとすると(数6)で表さ
れ、記録磁区1 を収縮させる方向に働く(図6)。
(Equation 5) | Hwb−Hd |> Hc1 + Hwi (T> Th-mask) Hwb is the Bloch domain wall energy of the reproducing layer 11 σwb, and the radius of the recording magnetic domain 1 of the reproducing layer 11 is r (Equation 6) , And acts in the direction to shrink the recording domain 1 (Fig. 6).

【0036】(数6)Hwb=σwb/2Ms1r よってHwbーHdが正(符号が+ )に優勢となって
(数7)となれば、記録磁区1 は収縮する。
(Equation 6) Hwb = σwb / 2Ms1r Therefore, if Hwb-Hd becomes positive (sign +) and becomes (Equation 7), the recording magnetic domain 1 contracts.

【0037】 (数7)Hwb−Hd>Hc1+Hwi (T>Th−mask) こうして、図5 (b) に示すように記録磁区1 は高温領域
5 にはいると収縮して反転し、最終的に図5 (c) に示す
ように、磁化はすべて消去方向に配向する。
(Equation 7) Hwb−Hd> Hc1 + Hwi (T> Th-mask) Thus, as shown in FIG. 5B, the recording magnetic domain 1 is in the high temperature region.
When it enters 5, it contracts and reverses, and finally, as shown in Fig. 5 (c), all the magnetization is oriented in the erasing direction.

【0038】即ち、図2に示すように、光スポット2内
の高温領域5 においては、再生層11は常に消去方向に配
向した垂直磁化膜となるので、光学的なマスク(リアマ
スク5 )として機能する。よって図2に示したように光
スポット2 は、見かけ上、高温領域5 および低温の面内
磁化膜の領域(フロントマスク)を除いた狭い領域に絞
られることとなり、それ以外の領域では、アパーチャー
領域3 となり、検出限界以下の周期の記録磁区(記録マ
ーク)が検出可能となる。
That is, as shown in FIG. 2, in the high temperature region 5 in the light spot 2, since the reproducing layer 11 is always a perpendicular magnetization film oriented in the erasing direction, it functions as an optical mask (rear mask 5). To do. Therefore, as shown in FIG. 2, the light spot 2 is apparently narrowed down to a narrow region excluding the high temperature region 5 and the low temperature in-plane magnetized film region (front mask), and the apertures in other regions. Area 3 is reached, and recording magnetic domains (recording marks) with a period below the detection limit can be detected.

【0039】なお、従来の超解像方法は、特開平4-2559
47に記載されているように外部磁界Hrを用いて(数
8)の関係によってマスクを形成する。
A conventional super-resolution method is disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 4-2559.
As described in 47, the external magnetic field Hr is used to form the mask according to the relationship of (Equation 8).

【0040】(数8)Hr>Hc1+Hwi 本発明では外部磁界Hrの代わりに媒体内部の実効的磁
界Hw−Hdの大きさを変化させることによってマスク
を形成するため外部磁界が不要となる。
(Equation 8) Hr> Hc1 + Hwi In the present invention, since the mask is formed by changing the magnitude of the effective magnetic field Hw−Hd inside the medium instead of the external magnetic field Hr, the external magnetic field is unnecessary.

【0041】次に、高温で実効的磁界Hw−Hdを正に
優勢とさせる、即ち、記録磁区1 を収縮させる方法につ
いてさらに具体的に述べる。(数7)のHdは周囲の消
去磁化からの漏洩磁界Hleak、メモリ層13の磁化か
らの静磁界Hstなどからなり(数9)で表される。
Next, the method of making the effective magnetic field Hw-Hd positively dominant at high temperature, that is, contracting the recording magnetic domain 1 will be described in more detail. Hd of (Equation 7) is composed of a leakage magnetic field Hleak from the surrounding erase magnetization, a static magnetic field Hst from the magnetization of the memory layer 13, and the like, and is represented by (Equation 9).

【0042】(数9) Hd=Hleak±Hst このうちHleakは図6 で示すように記録磁区1 を拡
大させる方向に働く。
(Equation 9) Hd = Hleak ± Hst Among these, Hleak works in the direction of expanding the recording magnetic domain 1 as shown in FIG.

【0043】高温領域で記録磁区1 をより容易に収縮さ
せる第1の方法は、Hleakを小さくして記録磁区1
の反転を妨げる磁界を減少させる方法である。Hlea
kは消失させる記録磁区周辺の再生層11の飽和磁化をM
s1”、記録磁区1 の半径をrとするとおおまかに(数
10)で表される。
The first method of shrinking the recording magnetic domain 1 more easily in the high temperature region is to reduce the Hleak to reduce the recording magnetic domain 1.
This is a method of reducing the magnetic field that prevents the reversal of. Hlea
k is the saturation magnetization of the reproducing layer 11 around the recording magnetic domain to be eliminated
If s1 ″ and the radius of the recording magnetic domain 1 are r, they are roughly expressed by (Equation 10).

【0044】 (数10)Hleak=4πMs1”h1/(h1+3/2r) (数10)のうち記録磁区半径rと再生層膜厚h1は、
容易には変更できないのでMs1”を小さくすることが
必要となる。このような場合、再生層に室温とキュリー
温度の間に補償温度のある材料を選択すればよい。補償
温度では磁化が小さくなるので、Hleakを小さくす
ることができる。
(Formula 10) Hleak = 4πMs1 ″ h1 / (h1 + 3 / 2r) In (Formula 10), the recording domain radius r and the reproducing layer film thickness h1 are
Since it cannot be easily changed, it is necessary to reduce Ms1 ″. In such a case, a material having a compensation temperature between room temperature and the Curie temperature may be selected for the reproducing layer. At the compensation temperature, the magnetization becomes small. Therefore, Hleak can be reduced.

【0045】例として再生層11にGdFeCoを用いた
場合について述べる。図8 (a) 〜(c) は、それぞれ補償
温度の異なるGdFeCoのMsの温度依存性である
が、再生時の媒体上の最高温度は再生パワーによって異
なるが一般的に図に示した最高温度はおおよそ160〜
220℃に達し、中温領域はそれより20〜60℃程度
低い領域であるので図8 (b) ,図8 (c) のような場合に
はMs1”は大きい。このため、Hleakは大きくな
ってしまう。図8 (a) のように補償温度が室温とキュリ
ー温度の間にある組成を再生層11に用いると、中温およ
び高温領域のMsが低減してHdを減少させることがで
きる。GdFeCoを再生層11に用いた場合、補償温度
は図8のように特に希土類元素(Gd)の組成に強く依
存するので、主にGdFeCoを含む磁性層を再生層11
に用いた場合、Gd量を25〜35at%に設定するの
が望ましい。
As an example, a case where GdFeCo is used for the reproducing layer 11 will be described. Figures 8 (a) to 8 (c) show the temperature dependence of Ms of GdFeCo with different compensation temperatures. The maximum temperature on the medium during reproduction depends on the reproducing power, but the maximum temperature shown in the figure is generally shown. Is about 160 ~
Since the temperature reaches 220 ° C and the middle temperature region is lower by about 20 to 60 ° C, Ms1 "is large in the cases as shown in Figs. 8 (b) and 8 (c). Therefore, Hleak becomes large. When a composition having a compensation temperature between room temperature and Curie temperature is used for the reproducing layer 11 as shown in Fig. 8 (a), Ms in the middle temperature and high temperature regions can be reduced and Hd can be reduced. When used in the reproducing layer 11, the compensation temperature strongly depends on the composition of the rare earth element (Gd) as shown in FIG. 8, so that the reproducing layer 11 is mainly composed of the magnetic layer containing GdFeCo.
When used in, it is desirable to set the Gd amount to 25 to 35 at%.

【0046】第2の方法は、メモリ層13からの静磁界H
stを負に大きくして記録磁区1 の反転を促す方法であ
る。(数7)のうちHstは、交換結合領域から高温領
域に入った時点で再生層11とメモリ層13がパラレルタイ
プかアンチパラレルタイプかによって記録磁区1 が収縮
する方向に働くかそのまま保たれるように働くかが決ま
る。これは以下の理由による。
The second method is the static magnetic field H from the memory layer 13.
This is a method of increasing st to a negative value to promote the reversal of the recording magnetic domain 1. Hst in (Equation 7) is maintained as it is when the recording magnetic domain 1 contracts depending on whether the reproducing layer 11 and the memory layer 13 are of the parallel type or the anti-parallel type when the high temperature region is entered from the exchange coupling region. Decides how to work. This is for the following reason.

【0047】図7 に示したように交換結合力は交換力の
強いTM副格子磁化の向きにならい、静磁結合力は全体の
磁化の向きにならう。図7 (a) は再生層11がREリッチ
でメモリ層13がTMリッチであるアンチパラレルタイプ
を示しているが、この場合、中間層12がキュリー温度付
近に達して交換結合が切断するとメモリ層13との静磁結
合力によって記録磁区1 は磁化反転しようとする(Hs
tは負となる)。逆に図7 (b) に示したようにパラレル
タイプ(図では両層ともTMリッチの場合を示してい
る)の場合には静磁結合力は交換結合状態を持続する方
向に働く(Hstは正となる)。よって記録磁区1 を反
転させるためには、アンチパラレルタイプの構成にする
ことが望ましい。
As shown in FIG. 7, the exchange coupling force follows the direction of the TM sublattice magnetization having a strong exchange force, and the magnetostatic coupling force follows the direction of the entire magnetization. FIG. 7 (a) shows an anti-parallel type in which the reproducing layer 11 is RE-rich and the memory layer 13 is TM-rich. In this case, when the intermediate layer 12 reaches the Curie temperature and the exchange coupling is broken, the memory layer is The magnetic domain 1 tries to reverse the magnetization due to the magnetostatic coupling force with 13 (Hs
t is negative). On the contrary, as shown in Fig. 7 (b), in the case of the parallel type (both layers show the case of TM rich), the magnetostatic coupling force acts in the direction to maintain the exchange coupling state (Hst is Be positive). Therefore, in order to invert the recording magnetic domain 1, it is desirable to adopt an anti-parallel type configuration.

【0048】具体的には、例えば再生層11とメモリ層13
をフェリ磁性として、優勢な副格子磁化の種類をお互い
に逆にすれば良い。例えば再生層11及びメモリ層13を希
土類(RE)鉄族(TM)元素合金から構成し、再生層
11が希土類元素副格子磁化優勢(REリッチ)な磁性層
で、メモリ層13が室温で鉄族元素副格子磁化優勢(TM
リッチ)の構成とする。尚このアンチパラレルの構成は
少なくとも記録磁区1が収縮する時点の温度(上述の中
温〜高温領域5 において)で達成されることが必要であ
る。
Specifically, for example, the reproducing layer 11 and the memory layer 13
Is assumed to be ferrimagnetic, and the types of dominant sublattice magnetization may be reversed. For example, the reproducing layer 11 and the memory layer 13 are composed of a rare earth (RE) iron group (TM) element alloy,
11 is a magnetic layer having a rare earth element sublattice magnetization predominant (RE-rich), and memory layer 13 is an iron group element sublattice magnetization predominant (TM) at room temperature.
Rich). The anti-parallel structure needs to be achieved at least at the temperature at which the recording magnetic domain 1 contracts (in the above-mentioned middle temperature to high temperature region 5).

【0049】また、Hstの値は、円筒形磁区を想定し
記録磁区1 の半径、メモリ層13の磁区からの距離、メモ
リ層の磁化Ms2を用いて大まかに、計算することがで
きる(名古屋大学博士論文、1993.3月. ”希土類−鉄族
非晶質合金薄膜及びその複合膜の磁性と磁気光学効果に
関する研究”小林正のP40〜41参照)。Hstは、
メモリ層の飽和磁化Ms2に比例する(数11)。
The value of Hst can be roughly calculated by using the radius of the recording magnetic domain 1, the distance from the magnetic domain of the memory layer 13, and the magnetization Ms2 of the memory layer assuming a cylindrical magnetic domain (Nagoya University). Doctoral dissertation, March 1993. "Research on the magnetism and magneto-optical effect of rare earth-iron group amorphous alloy thin films and their composite films", see Kobayashi Tadashi, P40-41). Hst is
It is proportional to the saturation magnetization Ms2 of the memory layer (Equation 11).

【0050】(数11) Hst∝Ms2 そのため、Ms2は記録情報の安定性が悪化しない程
度、消去磁化が反転しない程度に大きくするのが望まし
い。
(Equation 11) Hst∝Ms2 Therefore, it is desirable to increase Ms2 so that the stability of recorded information does not deteriorate and the erase magnetization does not reverse.

【0051】また上述のメモリ層13からの静磁界Hst
は、消去方向の磁化にも働く。しかし消去方向の磁化
は、Hstによって反転した場合、高温領域5 の広範囲
にわたって磁壁が形成されるため磁壁エネルギーが大き
く上昇する。したがって磁化反転せずに同じ消去方向の
磁化を保つ。このため高温領域5 においては常に消去方
向に磁化配向した領域が生成し、ここがリアマスク5 と
なる。消去磁化が反転した場合のブロッホ磁壁エネルギ
ーの実効的磁界Hwb’は、反転磁区半径をRとすると
(数12)で表される。
Further, the static magnetic field Hst from the memory layer 13 described above is used.
Also acts on the magnetization in the erasing direction. However, when the magnetization in the erasing direction is reversed by Hst, the domain wall is formed over a wide range of the high temperature region 5, so that the domain wall energy greatly increases. Therefore, the magnetization in the same erasing direction is maintained without reversing the magnetization. Therefore, in the high temperature region 5, a region that is magnetically oriented in the erasing direction is always generated, and this becomes the rear mask 5. The effective magnetic field Hwb ′ of the Bloch domain wall energy when the erase magnetization is reversed is represented by (Equation 12) where R is the reversal domain radius.

【0052】(数12)Hwb’=σwb/2Ms1R よって消去磁化がHstによって反転しない条件は(数
13)となる。
(Equation 12) Hwb ′ = σwb / 2Ms1R Therefore, the condition that the erase magnetization is not inverted by Hst is (Equation 13).

【0053】(数13)Hwb’>Hst 以上の記録磁区1 を容易に反転させて消去状態にする2
つの方法―Hleakを低減する方法及びHstを負に
大きくする方法―は、どちらか片方の方法のみを用いて
も良いが、2つの方法を併用する場合に最もよく超解像
効果を発揮する。以上のように本発明の光磁気記録媒体
を用いれば 再生時に外部磁界を印加せずに光スポット
の高温領域5 で一様な方向に磁化配向させることがで
き、メモリ層13の磁化を光学的にマスクすることができ
る。
(Equation 13) Hwb '> Hst The recording magnetic domain 1 above is easily inverted to the erased state 2
One of the two methods-a method for reducing Hleak and a method for increasing Hst negatively-may be used alone, but the super-resolution effect is best exhibited when the two methods are used in combination. As described above, when the magneto-optical recording medium of the present invention is used, the magnetization of the memory layer 13 can be optically aligned in a uniform direction in the high temperature region 5 of the light spot without applying an external magnetic field during reproduction. Can be masked to.

【0054】以上説明したようなメカニズムにより、本
発明の光磁気記録媒体においては最も効率の良い超解
像、すなわち情報再生用スポットの中心付近のみが情報
再生に寄与するため高い再生信号品質が期待でき、また
さらに膜特性を最適化することでフロントマスクが形成
でき、隣接トラックからのクロストークにも強い超解像
方式が、外部磁界など従来の再生装置に新たな部品を加
えることなしに実現できるものである。
With the mechanism as described above, in the magneto-optical recording medium of the present invention, the most efficient super-resolution, that is, only the vicinity of the center of the information reproducing spot contributes to the information reproduction, so that high reproduction signal quality is expected. Moreover, the front mask can be formed by further optimizing the film characteristics, and the super-resolution method that is strong against crosstalk from adjacent tracks is realized without adding new parts such as an external magnetic field to the conventional reproducing device. It is possible.

【0055】以下に実験例をもって本発明を更に詳細に
説明するが、本発明はその要旨を越えない限り以下の実
験例に限定されるものではない。
Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to experimental examples, but the present invention is not limited to the following experimental examples as long as the gist thereof is not exceeded.

【0056】(実験例1)直流マグネトロンスパッタリ
ング装置に、Si、Gd、Tb、Fe、Coの各ターゲットを取り
付け、直径130mm のガラス基板及びピッチ1.6um のプリ
グルーブ付きポリカーボネイト基板をターゲットからの
距離が150mm になる位置に設置された基板ホルダーに固
定した後、1x10-5Pa以下の高真空になるまでチャンバー
内をクライオポンプで真空排気した。真空排気をしなが
らArガスを0.4Pa となるまでチャンバー内に導入した
後、SiN 干渉層を90nm、Gd28(Fe60Co40)72再生層を40n
m、Gd37Fe63中間層を10nm、Tb20(Fe80Co20)80メモリ層
を30nm、SiN 保護層を70nmを各々順々に成膜して図1の
構成の媒体を得た。各SiN 誘電体層成膜時には、Arガス
に加えてN2ガスを導入し、その混合比を調節しながら屈
折率が2.1 となるように反応性スパッタにより成膜し
た。Gd28(Fe60Co40)72再生層は、室温で希土類元素副格
子磁化優勢であり、飽和磁化Msは225emu/cc 、補償温度
は217 ℃、キュリー温度は300 ℃以上となる様に設定し
た。
(Experimental Example 1) Each target of Si, Gd, Tb, Fe and Co was attached to a DC magnetron sputtering apparatus, and a glass substrate having a diameter of 130 mm and a polycarbonate substrate with a pregroove having a pitch of 1.6 μm were set at a distance from the target. After fixing to a substrate holder installed at a position of 150 mm, the inside of the chamber was evacuated by a cryopump until a high vacuum of 1x10-5 Pa or less was obtained. After evacuating and introducing Ar gas into the chamber until the pressure reached 0.4 Pa, the SiN interference layer was 90 nm and the Gd 28 (Fe 60 Co 40 ) 72 reproduction layer was 40 n.
An m, Gd 37 Fe 63 intermediate layer having a thickness of 10 nm, a Tb 20 (Fe 80 Co 20 ) 80 memory layer having a thickness of 30 nm, and a SiN protective layer having a thickness of 70 nm were sequentially formed to obtain a medium having the structure shown in FIG. At the time of depositing each SiN dielectric layer, N 2 gas was introduced in addition to Ar gas, and reactive sputtering was performed so that the refractive index became 2.1 while adjusting the mixing ratio. The reproduction layer of Gd 28 (Fe 60 Co 40 ) 72 has a rare earth element sublattice magnetization predominance at room temperature, a saturation magnetization Ms of 225 emu / cc, a compensation temperature of 217 ° C, and a Curie temperature of 300 ° C or higher. .

【0057】Gd37Fe63中間層は、室温で希土類元素副格
子磁化優勢であり、飽和磁化Msは470emu/cc 、キュリー
温度は190 ℃となる様に設定した。
The Gd 37 Fe 63 intermediate layer has a rare earth element sublattice magnetization predominant at room temperature, a saturation magnetization Ms of 470 emu / cc, and a Curie temperature of 190 ° C.

【0058】Tb20(Fe80Co20)80メモリ層は、室温で鉄族
元素副格子磁化優勢であり飽和磁化Msは250emu/cc 、キ
ュリー温度は270 ℃となる様に設定した。
The Tb 20 (Fe 80 Co 20 ) 80 memory layer was set so that the iron group element sublattice magnetization was dominant at room temperature, the saturation magnetization Ms was 250 emu / cc, and the Curie temperature was 270 ° C.

【0059】この光磁気記録媒体に0.78umのマーク長の
磁区を記録した後、830nm の半導体レーザーにより光照
射しながら偏光顕微鏡で磁区観察を行なった。レーザー
パワーを上げると、あるレーザーパワーにおいては光ス
ポットの中心部(高温の領域)において記録磁区が収縮
して消去方向に磁化が配向することが確認された。
After recording a magnetic domain with a mark length of 0.78 μm on this magneto-optical recording medium, the magnetic domain was observed with a polarization microscope while irradiating light with a semiconductor laser of 830 nm. It was confirmed that when the laser power was increased, the recording magnetic domain contracted in the central portion (high temperature region) of the light spot and the magnetization was oriented in the erasing direction at a certain laser power.

【0060】次にこの光磁気記録媒体を用いて、記録再
生特性を測定した。測定は、対物レンズのNA0.53、レー
ザー波長は780nm の光ヘッドを用い、線速9m/s、記録パ
ワーは10mWとした。初めに媒体の全面を消去した後に、
11.3MHz の周波数でレーザを変調して長さ0.40umのマー
クを記録しておき、再生パワーを0.8mW から4.4mW まで
変化させた時のC/N の変化を測定した。結果を図9に示
す。
Next, using this magneto-optical recording medium, recording / reproducing characteristics were measured. The measurement was performed using an optical head with an NA of 0.53 for the objective lens and a laser wavelength of 780 nm, a linear velocity of 9 m / s, and a recording power of 10 mW. After first erasing the entire surface of the medium,
The laser was modulated at a frequency of 11.3MHz to record a mark of 0.40um in length, and the change in C / N was measured when the reproducing power was changed from 0.8mW to 4.4mW. The results are shown in Fig. 9.

【0061】本発明の光磁気記録媒体では、再生パワー
が1.0mW 以下の場合には媒体の温度が十分に上がらない
ので再生層の磁化はほぼ膜面内を向いている。従ってメ
モリ層に記録されたマークは再生層にマスクされてしま
うためにほとんどC/N が出ない。再生パワーを2.0〜2.8
mW 程度にまで上げると、再生スポット内に中温領域、
すなわちアパーチャが形成されてメモリ層の磁区が再生
層に転写されるためにC/N が上がっていく。この時のア
パーチャの形状は、図19に示した従来の面内膜を用いた
2 層構成の超解像とほぼ同様となり、超解像現象は起こ
っているがアパーチャの大きさと位置が最適になってい
ないために、C/N としては36dB程度しか得られない。更
に再生パワーを3.2〜4.0mW に上げると、スポット内で
中間層がキュリー温度に達する部分が現れ、すなわち、
リアマスクが形成される。するとアパーチャ形状は図2
に示したようにスポットに対して最適な形状となるの
で、C/N も45dBが得られた。再生パワーが4.0mW を越え
ると、最高温度がメモリ層のキュリー温度を超えてしま
うために記録データが破壊され、C/N は下がってしま
う。
In the magneto-optical recording medium of the present invention, when the reproducing power is 1.0 mW or less, the temperature of the medium does not rise sufficiently, so that the magnetization of the reproducing layer is oriented almost in the plane of the film. Therefore, the mark recorded in the memory layer is masked by the reproducing layer, so that C / N hardly occurs. Playback power 2.0 to 2.8
When raised to about mW, the medium temperature area in the playback spot,
That is, the aperture is formed and the magnetic domain of the memory layer is transferred to the reproducing layer, so that C / N increases. The shape of the aperture at this time was the conventional in-plane film shown in FIG.
It is almost the same as the super-resolution of the two-layer structure, and the super-resolution phenomenon occurs, but the size and position of the aperture are not optimal, so only about 36 dB can be obtained as C / N. When the reproducing power is further raised to 3.2 to 4.0 mW, the part where the intermediate layer reaches the Curie temperature appears in the spot, that is,
A rear mask is formed. Then the aperture shape is shown in Fig. 2.
As shown in, the optimum shape for the spot was obtained, so a C / N of 45 dB was obtained. When the reproducing power exceeds 4.0 mW, the maximum temperature exceeds the Curie temperature of the memory layer, the recorded data is destroyed, and the C / N decreases.

【0062】次に、同じ媒体に対して記録時のレーザ変
調周波数を5.8 、9.0 、11.3、15MHz (それぞれマーク
長0.78、0.50、0.40、0.30umに相当する)と変化させ
て、C/N のマーク長依存性を調べた。結果を図10に示
す。図に示すように、本発明の記録媒体では良好な空間
周波数特性が得られた。
Next, the laser modulation frequency at the time of recording was changed to 5.8, 9.0, 11.3, and 15 MHz (corresponding to mark lengths of 0.78, 0.50, 0.40, and 0.30 um) for the same medium, and the C / N ratio was changed. The mark length dependence was investigated. The results are shown in Fig. 10. As shown in the drawing, good spatial frequency characteristics were obtained with the recording medium of the present invention.

【0063】次に、隣接トラックとのクロストーク(以
下、クロストークと称する)の測定を行なった。これ
は、ランド、グルーブともに全面消去を行った後、ラン
ド部に上述の方法でマーク長0.78umの信号を記録してキ
ャリアレベル(これをCLとする)を測定した後、隣接グ
ルーブにトラッキングをかけた時のキャリアレベル(こ
れをCGとする)を測定し、それらの比CL/CG として表し
た。つまり、ランド、グルーブの両方にデータ記録する
ことを想定して実験を行っているので、実効的なトラッ
クピッチは0.8um である。この時の結果を図11に示す。
図から明らかなように、この媒体に対して最適な再生パ
ワーである3.2〜4.0mW の範囲でクロストークは-28dB
程度に抑えられており、本媒体が狭トラックピッチ化に
対しても効果があることを示している。
Next, crosstalk with adjacent tracks (hereinafter referred to as crosstalk) was measured. This is because after erasing the entire land and groove, recording a signal with a mark length of 0.78um on the land part and measuring the carrier level (CL), then tracking the adjacent groove. The carrier level at the time of application (measured as CG) was measured and expressed as the ratio CL / CG. In other words, since the experiment is conducted assuming that data is recorded on both the land and the groove, the effective track pitch is 0.8um. The result at this time is shown in FIG.
As is clear from the figure, the crosstalk is -28 dB in the optimum reproducing power range of 3.2 to 4.0 mW for this medium.
It is suppressed to some extent, which shows that this medium is also effective for narrowing the track pitch.

【0064】以上示したデータは全て初期化磁界、再生
磁界を印加せずに測定しており、従来の情報記録再生装
置と同様の装置で、高密度記録のマークについて良好な
結果が得られている。また、最適条件でのC/N 及び同じ
再生パワーでのクロストークを表1の実験例1にまとめ
る。
All the data shown above were measured without applying an initializing magnetic field and a reproducing magnetic field, and good results were obtained for high-density recording marks with the same device as the conventional information recording / reproducing device. There is. Moreover, the C / N under the optimum conditions and the crosstalk under the same reproducing power are summarized in Experimental Example 1 in Table 1.

【0065】(実験例2)実験例1と同様の装置、方法
でポリカーボネイト基板上にSiN 干渉層を90nm、Gdx(Fe
60Co40)100-x再生層を40nm、GdpFe100-p中間層を10nm、
Tb20(Fe80Co20)80メモリ層を30nm、SiN 保護層を70nmを
各々順々に成膜して図1と同様の構成の媒体を作成し
た。但し、今回は再生層、中間層各々のGd含有量x 、p
を様々に変化させて、各組成に対する特性の変化を調べ
た。
(Experimental Example 2) An SiN interference layer of 90 nm and Gd x (Fe) was formed on a polycarbonate substrate by the same apparatus and method as in Experimental Example 1.
60 Co 40 ) 100-x reproducing layer 40 nm, Gd p Fe 100-p intermediate layer 10 nm,
A Tb 20 (Fe 80 Co 20 ) 80 memory layer having a thickness of 30 nm and a SiN protective layer having a thickness of 70 nm were sequentially deposited to form a medium having the same structure as that shown in FIG. However, this time, the Gd contents x and p of the reproduction layer and intermediate layer respectively
Was changed variously, and the change in the characteristics for each composition was investigated.

【0066】実験例1と同じ条件で各サンプルに長さ0.
40umのマークを記録したときの、再生層中のGd含有量x
(at%)とC/N の関係を図12に示す。例えば中間層のGd含
有量p(at%)が30の時のカーブを見てみると、x=30付近で
極大値を持つ上に凸のカーブとなっている。これは、x
が小さいと再生層の飽和磁化Msが小さくなるので再生層
の面内異方性が小さくなり、すなわちメモリ層との交換
結合によって磁化が垂直になる温度が低くなるためにフ
ロントマスクの効果が薄れ、C/N が下がると考えられ
る。逆にx が大きすぎると、フロントマスクが強すぎて
アパーチャが十分に開かない内に中間層がキュリー温度
に達してしまうため、やはりC/N は悪化する。フロント
マスクの効果は、再生層、中間層それぞれの面内異方性
のバランス関係で決まり、再生層の面内異方性が弱くな
ると中間層の面内異方性を強くしなければならない。つ
まり、中間層のGd含有量p が大きくなると、x の最適値
は小さくなる。したがって、図12に示すようにp の変化
によってC/N のピーク位置がシフトしていく。後で述べ
るように、面内磁化膜を使った従来の2 層構成の超解像
媒体においては、0.40umのマーク長に対して37dB程度の
C/N が得られているので、これと比較すると本発明の媒
体により優れた超解像効果が得られていることが分か
る。情報再生の高信頼性を確保するためには、C/N は43
dB以上得られることが必要であるので、本発明の超解像
媒体における再生層中のGd含有量x(at%)は、24≦x ≦32
の範囲にあるといえる。また、さらに高い信頼性を確保
するためには45dB程度のC/N が得られることが望まし
く、その為には26≦x ≦30の範囲に設定することがより
望ましい。
Under the same conditions as in Experimental Example 1, each sample had a length of 0.
Gd content x in playback layer when recording 40um mark x
Figure 12 shows the relationship between (at%) and C / N. For example, looking at the curve when the Gd content p (at%) of the intermediate layer is 30, it is an upwardly convex curve having a maximum value near x = 30. This is x
Is smaller, the in-plane anisotropy of the reproducing layer is smaller because the saturation magnetization Ms of the reproducing layer is smaller, that is, the temperature at which the magnetization becomes perpendicular due to exchange coupling with the memory layer is lower, and the effect of the front mask is weakened. , C / N is expected to decrease. Conversely, if x is too large, the front mask is too strong and the intermediate layer reaches the Curie temperature before the aperture is sufficiently opened, which again deteriorates the C / N. The effect of the front mask is determined by the balance relationship between the in-plane anisotropies of the reproducing layer and the intermediate layer. When the in-plane anisotropy of the reproducing layer becomes weak, the in-plane anisotropy of the intermediate layer must be increased. That is, as the Gd content p of the intermediate layer increases, the optimum value of x decreases. Therefore, as shown in Fig. 12, the peak position of C / N shifts as p changes. As will be described later, in a conventional two-layer super-resolution medium that uses an in-plane magnetized film, it is about 37 dB for a mark length of 0.40 um.
Since the C / N is obtained, it can be seen that a superior super-resolution effect is obtained by the medium of the present invention by comparison with this. In order to ensure high reliability of information reproduction, C / N is 43
Since it is necessary to obtain dB or more, the Gd content x (at%) in the reproducing layer in the super-resolution medium of the present invention is 24 ≦ x ≦ 32.
Can be said to be in the range. Further, in order to secure higher reliability, it is desirable to obtain C / N of about 45 dB, and for that purpose, it is more desirable to set in the range of 26≤x≤30.

【0067】次に、本実験例における各媒体について実
験1と同様の方法でクロストークの測定を行った。結果
を図13に示す。例えば中間層のGd含有量p(at%)が30の時
のカーブを見てみると、x=30付近で極大値を持つ下に凸
のカーブとなっている。これは、同じ中間層組成に対し
て、x が大きいと再生層の面内異方性が大きすぎてフロ
ントマスクの効果が強すぎ、ランドでのキャリアレベル
が上がらないためにグルーブで再生した時との差が出に
くく、逆にx が小さいときはフロントマスクの効果が小
さくなってグルーブ再生時にクロストークの影響を受け
やすくなるからである。したがってクロストークに関し
ても両者のバランスがもっとも取れたところに最適値が
存在する。後述のように、TbFeCo単層ディスクに対して
同様の実験を行うと-22dB 程度のクロストークとなるこ
とを鑑みると、x≧24の時に本発明の超解像媒体におけ
るフロントマスクの効果が現れる。これはすなわち先述
の、C/N の観点から見た、再生層の最適Gd含有量x(at%)
の範囲では、フロントマスクが形成されており、クロス
トークに対しても効果を発揮するといってよい。
Next, crosstalk was measured for each medium in this experimental example by the same method as in Experiment 1. The results are shown in Figure 13. For example, looking at the curve when the Gd content p (at%) of the intermediate layer is 30, it is a downwardly convex curve with a maximum value near x = 30. This is because when the x is large for the same intermediate layer composition, the in-plane anisotropy of the reproducing layer is too large and the effect of the front mask is too strong, and the carrier level at the land does not rise, so when reproducing in the groove This is because when the x is small, the effect of the front mask is small, and when the groove is reproduced, it is easily affected by the crosstalk. Therefore, regarding crosstalk, there is an optimum value where the two are most balanced. As will be described later, considering that a similar experiment is performed on a TbFeCo single layer disc, a crosstalk of about -22 dB occurs, and when x ≧ 24, the effect of the front mask appears in the super-resolution medium of the present invention. . This means that the optimum Gd content x (at%) of the reproducing layer from the viewpoint of C / N is as described above.
In the range of 1, the front mask is formed and it can be said that the effect is also exerted on crosstalk.

【0068】次に、同じデータを中間層Gd含有量p(at%)
に関する依存性の形にして図10、11に示す。
Next, the same data was applied to the intermediate layer Gd content p (at%)
10 and 11 in the form of a dependency on.

【0069】図14はC/N のデータで、図12と同様に上に
凸のカーブとなっている。これは、中間層Gd含有量が少
ない場合には面内異方性が小さいと同時にキュリー温度
が高くなるので中間層がキュリー温度に達するまで再生
パワーを増大させるとスポット中にアパーチャが広がり
すぎて解像度が上がらなくなり、逆に中間層Gd含有量が
多い場合には低パワーで中間層がキュリー温度に達し、
メモリ層との交換結合が十分に行われないことによる。
再生層Gd含有量依存性の場合と同様に、情報再生の高信
頼性を確保するために、C/N は43dB以上得られる範囲を
考えると、本発明の光磁気記録媒体による効果が得られ
るのは20≦p ≦50の範囲にあるといえる。また、さらに
高い信頼性のために45dB程度のC/N を確保するためには
30≦p ≦45の範囲がより望ましい。
FIG. 14 shows the C / N data, which has a convex curve similar to FIG. This is because when the intermediate layer Gd content is small, the in-plane anisotropy is small and the Curie temperature rises at the same time, so increasing the reproducing power until the intermediate layer reaches the Curie temperature causes the aperture to spread too much in the spot. If the resolution does not improve, and the Gd content in the intermediate layer is high, the Curie temperature of the intermediate layer will be reached with low power,
This is due to insufficient exchange coupling with the memory layer.
Similar to the case where the reproduction layer Gd content is dependent, in order to ensure high reliability of information reproduction, considering the range where C / N is 43 dB or more, the effect of the magneto-optical recording medium of the present invention can be obtained. Can be said to be in the range of 20≤p≤50. Also, in order to secure C / N of about 45 dB for higher reliability,
The range of 30 ≦ p ≦ 45 is more desirable.

【0070】しかし、図15のクロストークのデータをみ
ると、中間層Gd含有量に対してクロストークは大きく変
化していることがわかる。これは中間層Gd含有量が、面
内異方性及び再生パワーの双方の低下に影響することか
ら、フロントマスクの効果に対して大きく影響している
ことによる。図15の結果によると、C/N43dB 以上が得ら
れている組成で必ずしもクロストークが改善されている
わけではなく、TbFeCo単層ディスクで得られる-22dB を
基準にすると、p≧25のときにフロントマスクの効果が
得られている。
However, looking at the crosstalk data in FIG. 15, it can be seen that the crosstalk greatly changes with respect to the Gd content in the intermediate layer. This is because the Gd content of the intermediate layer affects both the in-plane anisotropy and the reduction of the reproducing power, and thus has a great influence on the effect of the front mask. According to the results in Fig. 15, the crosstalk is not necessarily improved in the composition where C / N is 43 dB or more. Based on the -22 dB obtained with the TbFeCo single layer disc, when p ≧ 25, The effect of the front mask is obtained.

【0071】以上の結果から、本発明の中間層のGd含有
量p(at%)は25≦x ≦50に設定するのがよく、より望まし
くは30≦x ≦45にするのがよい。また、本実験例で得ら
れたデータの一部を表1に記す。
From the above results, the Gd content p (at%) of the intermediate layer of the present invention is preferably set to 25≤x≤50, and more preferably 30≤x≤45. Table 1 shows some of the data obtained in this experimental example.

【0072】また、本実験例は比較のためにすべてのサ
ンプルで再生層、中間層の膜厚をそれぞれ40nm,10nm と
して実験を行ったが、再生層のマスク効果を考えると、
再生層膜厚は20nm以上あれば差し支えない。また中間層
はキュリー温度以上で再生層、メモリ層の交換結合を切
断する働きから鑑みて、膜厚は3nm 以上あればよい。さ
らにメモリ層は、安定に磁区が保存されるために10nm以
上の膜厚が得られれば本発明の効果を実現する媒体が得
られる。逆に、情報の記録再生に必要なパワーから見る
と、磁性層全体の膜厚は200nm 以下に抑えることが望ま
しい。
Also, in this experimental example, for comparison, all the samples were tested with the thicknesses of the reproducing layer and the intermediate layer being 40 nm and 10 nm, respectively. Considering the masking effect of the reproducing layer,
The thickness of the reproducing layer may be 20 nm or more. The thickness of the intermediate layer may be 3 nm or more in view of the function of breaking the exchange coupling between the reproducing layer and the memory layer at the Curie temperature or higher. Further, in the memory layer, magnetic domains are stably stored, so that if the film thickness is 10 nm or more, a medium realizing the effect of the present invention can be obtained. On the contrary, in view of the power required for recording / reproducing information, it is desirable that the thickness of the entire magnetic layer is suppressed to 200 nm or less.

【0073】従って、膜厚に関しては以上に述べた範囲
にあれば、本発明の思想から逸脱するものではない。
Therefore, the film thickness does not depart from the idea of the present invention as long as it is within the above-mentioned range.

【0074】(実験例3)実験例1と同様の装置、方法
でポリカーボネイト基板上にSiN 干渉層を90nm、Gdx(Fe
100-yCoy)100-x再生層を40nm、GdpFe100-p中間層を10n
m、Tb20(Fe80Co20)80メモリ層を30nm、SiN 保護層を70n
mを各々順々に成膜して図1と同様の構成の媒体を作成
した。但し、今回は実験例2で得られた再生層、中間層
各々のGd含有量x,p に対して再生層のCo含有量y(at%)を
様々に変化させた。
(Experimental Example 3) A SiN interference layer having a thickness of 90 nm and Gd x (Fe) was formed on a polycarbonate substrate by the same apparatus and method as in Experimental Example 1.
100-y Co y ) 100-x 40-nm reproducing layer, Gd p Fe 100-p 10n intermediate layer
m, Tb 20 (Fe 80 Co 20 ) 80 30 nm memory layer, 70 n SiN protective layer
Films of m were formed in order, and a medium having the same structure as in FIG. 1 was prepared. However, this time, the Co content y (at%) of the reproduction layer was variously changed with respect to the Gd contents x and p of the reproduction layer and the intermediate layer obtained in Experimental Example 2.

【0075】GdFeCo合金におけるCo含有量は様々な物性
値に影響を与えるが、この場合影響が大きい項目は垂直
磁気異方性Ku及びキュリー温度Tcである。本発明におけ
る再生層の役割としては、すでに述べたマスク効果のほ
かに、アパーチャ部分でのカー効果を高めるという働き
がある。つまり、垂直磁化膜に偏光ビームを照射したと
きに得られるカー回転角は一般的にキュリー温度が高い
材料の方が大きく、再生信号の品位が高いので、再生層
の組成としてはある程度キュリー温度を高めに設定して
おくことが望ましい。GdFeCo合金内でCo量を減らすとキ
ュリー温度は下がる傾向にあるために、再生層にはある
程度のCoを添加することが望まれる。本実験例では再生
層にGd24(Fe80Co20)76を用いた。結果は表1に示すとお
り、0.40umのマークに対しても42dBのC/N が得られ、本
発明の効果があることが確認できた。しかし、再生層の
Co含有量を19at% 以下にまで減少させると、キュリー温
度の低下によりC/N が39dBまで低下した。
The Co content in the GdFeCo alloy affects various physical property values, and in this case, the items having a large influence are the perpendicular magnetic anisotropy Ku and the Curie temperature Tc. The role of the reproducing layer in the present invention is to increase the Kerr effect in the aperture portion in addition to the mask effect already described. In other words, the Kerr rotation angle obtained when a perpendicularly magnetized film is irradiated with a polarized beam is generally higher in a material with a higher Curie temperature, and the quality of the reproduction signal is higher. It is desirable to set it higher. When the amount of Co in the GdFeCo alloy is reduced, the Curie temperature tends to decrease, so it is desirable to add some Co to the reproducing layer. In this experimental example, Gd 24 (Fe 80 Co 20 ) 76 was used for the reproducing layer. As shown in Table 1, the C / N of 42 dB was obtained even for the mark of 0.40 um, and it was confirmed that the effect of the present invention was obtained. However, in the playback layer
When the Co content was reduced to 19 at% or less, the C / N was lowered to 39 dB due to the lower Curie temperature.

【0076】一方、再生層のCo含有量が多すぎると、垂
直磁気異方性の低下により、レーザによって加熱しても
再生層が垂直磁化膜に遷移しにくくなり、すなわちメモ
リ層との交換結合が弱くなるのでC/N は低下する。再生
層にGd32(Fe50Co50)68を用いた時の結果を表1に示す。
このように、0.40umのマークに対しても42dBのC/N が得
られた。しかし、再生層のCo含有量を51at% 以上にまで
増加させると、アパーチャ部分での交換結合が十分に行
われないことによりC/N が38dBまで低下した。
On the other hand, if the Co content of the reproducing layer is too large, the perpendicular magnetic anisotropy is lowered, so that the reproducing layer is unlikely to transition to the perpendicular magnetization film even when heated by a laser, that is, exchange coupling with the memory layer. Becomes weaker and C / N decreases. Table 1 shows the results when Gd 32 (Fe 50 Co 50 ) 68 was used for the reproducing layer.
In this way, a C / N of 42 dB was obtained for the 0.40um mark. However, when the Co content in the reproducing layer was increased to 51 at% or more, the C / N was reduced to 38 dB due to insufficient exchange coupling in the aperture part.

【0077】以上の結果から、本発明における再生層の
Co含有量y(at%)は20≦y ≦50に設定するのがよい。
From the above results, the reproduction layer of the present invention
The Co content y (at%) is preferably set to 20 ≦ y ≦ 50.

【0078】(実験例4)実験例1と同様の装置、方法
でポリカーボネイト基板上にSiN 干渉層を90nm、Gdx(Fe
100-yCoy)100-x再生層を40nm、Gdp(Fe100-qCoq)100-p
間層を10nm、Tb20(Fe80Co20)80メモリ層を30nm、SiN 保
護層を70nmを各々順々に成膜して図1と同様の構成の媒
体を作成した。但し、今回は実験例2、3で得られた再
生層、中間層各々のGd含有量x,p 、Co含有量y に対して
中間層のCo含有量q(at%)を様々に変化させた。
(Experimental Example 4) A SiN interference layer having a thickness of 90 nm and Gd x (Fe) was formed on a polycarbonate substrate by the same device and method as in Experimental Example 1.
100-y Co y ) 100-x reproducing layer 40 nm, Gd p (Fe 100-q Co q ) 100-p intermediate layer 10 nm, Tb 20 (Fe 80 Co 20 ) 80 memory layer 30 nm, SiN protective layer Films having a thickness of 70 nm were sequentially formed to prepare a medium having the same structure as that shown in FIG. However, this time, the Co content q (at%) of the intermediate layer was variously changed with respect to the Gd content x, p and the Co content y of each of the reproduction layer and the intermediate layer obtained in Experimental Examples 2 and 3. It was

【0079】中間層のCo含有量はキュリー温度に関係
し、それは媒体に対する再生パワーを決定する重要な要
因の一つである。例えば線速が9m/sの時に再生パワーが
4mW 以上であるとすると、パワーマージンの関係からデ
ータの消去に必要なレーザパワーは7mW 以上が要求され
る。さらに光変調記録時はレーザはパルス点灯であるの
で記録パワーは13mW程度必要となりドライブ装置の信頼
性が著しく制限される。従って情報再生時のレーザパワ
ーは4mW 以下、望ましくは3mW 以下がよい。そのために
は中間層のキュリー温度は220 ℃以下でなければならな
い。
The Co content of the intermediate layer is related to the Curie temperature, which is one of the important factors determining the reproducing power for the medium. For example, when the linear velocity is 9m / s, the playback power is
If it is 4 mW or more, the laser power required for erasing data is required to be 7 mW or more because of the power margin. Further, since the laser is pulse-lighted during the optical modulation recording, a recording power of about 13 mW is required and the reliability of the drive device is significantly limited. Therefore, the laser power at the time of reproducing information is 4 mW or less, preferably 3 mW or less. For that purpose, the Curie temperature of the intermediate layer must be 220 ° C or lower.

【0080】表1に示したデータは中間層にGd45(Fe80C
o20)55を用いた場合である。中間層のCo含有量が20at%
の時キュリー温度は220 ℃となり、信頼性の高い情報再
生が可能である。しかし、Co含有量が20at% を越えると
再生パワーが高くなり、ドライブ装置の信頼性が著しく
損なわれる。
The data shown in Table 1 shows that Gd 45 (Fe 80 C
o 20 ) 55 . Co content of the middle layer is 20 at%
At that time, the Curie temperature is 220 ° C, which enables highly reliable information reproduction. However, if the Co content exceeds 20 at%, the reproducing power becomes high, and the reliability of the drive device is significantly impaired.

【0081】本実験例では中間層にGdFeCoを用いた場合
について説明しているが、キュリー温度だけを考えるな
らば、耐食性向上の目的でAl,Cr などの非磁性元素を添
加することでキュリー温度が下がるので、Coを20at% 以
上添加した場合でも非磁性元素の添加により同等のキュ
リー温度が得られる。しかしこの場合、非磁性元素の添
加により全体として磁性体としての性質が損なわれるこ
とになり、かつCoの添加により垂直磁気異方性が下がる
ことになるので、アパーチャ部分でのメモリ層との交換
結合が弱くなりS/N の良い再生信号が得られにくくな
る。以上のことから、本発明における中間層はGdp(Fe
100-qCoq)100-pを主成分とし、さらに他の元素を添加し
た場合であってもCo含有量q(at%)は0 ≦q ≦20に設定す
るのがよい。
In this experimental example, the case where GdFeCo is used for the intermediate layer is explained, but if only the Curie temperature is considered, the Curie temperature can be improved by adding a non-magnetic element such as Al and Cr for the purpose of improving the corrosion resistance. Therefore, even if Co is added at 20 at% or more, the same Curie temperature can be obtained by adding the nonmagnetic element. However, in this case, the addition of the non-magnetic element will impair the properties as a magnetic body as a whole, and the addition of Co will reduce the perpendicular magnetic anisotropy. Therefore, replacement with the memory layer at the aperture portion is required. This weakens the coupling and makes it difficult to obtain a playback signal with good S / N. From the above, the intermediate layer in the present invention is Gd p (Fe
100-q Co q ) 100-p is the main component, and the Co content q (at%) is preferably set to 0 ≤ q ≤ 20 even when other elements are added.

【0082】(実験例5)次に実験例1と同様の装置、
方法でポリカーボネイト基板上にSiN 干渉層を90nm、Gd
x(Fe100-yCoy)100-x再生層を40nm、Gdp(Fe100-qCoq)
100-p中間層を10nm、Tba(Fe100-bCob)100-aメモリ層を3
0nm、SiN 保護層を70nmを各々順々に成膜して図1と同
様の構成の媒体を作成した。但し、今回は実験例2、
3、4で得られた再生層、中間層各々のGd含有量x,p 、
Co含有量y,q に対してメモリ層のTb含有量a(at%)、Co含
有量b(at%)を様々に変化させた。
(Experimental Example 5) Next, the same apparatus as in Experimental Example 1,
Method to form SiN interference layer on polycarbonate substrate by 90nm, Gd
x (Fe 100-y Co y ) 100-x reproducing layer 40nm, Gd p (Fe 100-q Co q )
100-p intermediate layer 10 nm, Tb a (Fe 100-b Co b ) 100-a memory layer 3
A 0 nm thick SiN protective layer and a 70 nm thick SiN protective layer were formed in this order to prepare a medium having the same structure as in FIG. However, this time, Experimental Example 2,
Gd content x, p of each of the reproduction layer and the intermediate layer obtained in 3 and 4,
The Tb content a (at%) and the Co content b (at%) of the memory layer were variously changed with respect to the Co content y and q.

【0083】図16は、メモリ層のTb含有量a(at%)とC/N
の関係とを示している(マーク長0.40um)。但し、この
時のメモリ層のCo含有量b(at%)は、キュリー温度がほぼ
270℃で一定になるようにTb含有量に応じて変化させて
いる。
FIG. 16 shows the Tb content a (at%) and C / N of the memory layer.
(Mark length 0.40um). However, the Co content b (at%) of the memory layer at this time is almost equal to the Curie temperature.
It is changed according to the Tb content so as to be constant at 270 ° C.

【0084】図からわかるように、C/N から見たメモリ
層の組成マージンは十分に広く、18≦a ≦31の範囲でほ
ぼ一定のC/N が得られている。Tb含有量a が18at% 以下
になると、飽和磁化が250emu/cc 以上(鉄族元素副格子
磁化優勢)となるために反磁界の影響が強くなり、磁区
の内部でさらに微小な磁区(マイクロドメイン)が形成
されたり、磁区の形状に歪みを生じてノイズ成分が増え
るためにC/N が悪化する。逆にTb含有量a が31at% 以上
になると、飽和磁化が200emu/cc 以上(希土類元素副格
子磁化優勢)で且つ補償温度が200 ℃以上となる。この
場合、メモリ層の補償温度が中間層のキュリー温度より
も高くなるために、再生層との交換結合が切断された温
度でのメモリ層は希土類元素副格子磁化優勢である。す
ると、メモリ層から再生層に対して働く静磁結合力は低
温での交換結合力と同じ向きとなるので、再生層に転写
された磁区がリアマスクで反転するのを阻害する方向に
働く。したがって超解像効果が次に薄れていきC/N は低
下していく。
As can be seen from the figure, the composition margin of the memory layer viewed from C / N is sufficiently wide, and a substantially constant C / N is obtained within the range of 18 ≦ a ≦ 31. When the Tb content a is 18 at% or less, the saturation magnetization becomes 250 emu / cc or more (iron group element sublattice magnetization dominance), so the influence of the demagnetizing field becomes strong, and even smaller magnetic domains (microdomains) inside the magnetic domains. ) Is formed or the shape of the magnetic domain is distorted and the noise component increases, so that C / N deteriorates. On the other hand, when the Tb content a is 31 at% or more, the saturation magnetization is 200 emu / cc or more (rare earth element sublattice magnetization dominant) and the compensation temperature is 200 ° C or more. In this case, since the compensation temperature of the memory layer is higher than the Curie temperature of the intermediate layer, the memory layer at the temperature at which the exchange coupling with the reproducing layer is broken has a rare earth element sublattice magnetization predominance. Then, the magnetostatic coupling force exerted on the reproducing layer from the memory layer has the same direction as the exchange coupling force at a low temperature, so that the magnetic domains transferred to the reproducing layer act in the direction of hindering reversal by the rear mask. Therefore, the super-resolution effect fades next, and the C / N decreases.

【0085】図16の結果と、従来の面内磁化膜を使った
2 層構成の超解像の行える光磁気記録媒体でのデータを
比較すると、本発明の光磁気記録媒体による効果が得ら
れるのは14≦a ≦33の範囲にあるといえる。また、信頼
性向上のために42dB以上のC/N を確保するためには16≦
a ≦32の範囲がより望ましい。さらにまた、組成マージ
ンから見て安定したC/N が得られるためには18≦a ≦31
の範囲がより望ましい。
The results of FIG. 16 and the conventional in-plane magnetized film were used.
Comparing the data in the super-resolution magneto-optical recording medium having the two-layer structure, it can be said that the effect of the magneto-optical recording medium of the present invention is obtained in the range of 14 ≦ a 3 ≦ 33. In addition, in order to secure C / N of 42 dB or more to improve reliability, 16 ≦
The range of a ≤ 32 is more preferable. Furthermore, in order to obtain stable C / N from the composition margin, 18 ≤ a ≤ 31
Is more desirable.

【0086】(実験例6)次に実験例1と同様の装置、
方法でポリカーボネイト基板上にSiN 干渉層を90nm、Gd
x(Fe100-yCoy)100-x再生層を40nm、Gdp(Fe100-qCoq)
100-p中間層を10nm、Tba(Fe100-bCob)100-aメモリ層を3
0nm、SiN 保護層を70nmを各々順々に成膜して図1と同
様の構成の媒体を作成した。但し、今回は実験例2、
3、4、5で得られた再生層、中間層各々のGd含有量x,
p 、Co含有量y,q 、メモリ層のTb含有量aに対してメモ
リ層のCo含有量b(at%)を様々に変化させた。結果の一例
を表1に示す。
(Experimental Example 6) Next, the same apparatus as in Experimental Example 1,
Method to form SiN interference layer on polycarbonate substrate by 90nm, Gd
x (Fe 100-y Co y ) 100-x reproducing layer 40nm, Gd p (Fe 100-q Co q )
100-p intermediate layer 10 nm, Tb a (Fe 100-b Co b ) 100-a memory layer 3
A 0 nm thick SiN protective layer and a 70 nm thick SiN protective layer were formed in this order to prepare a medium having the same structure as in FIG. However, this time, Experimental Example 2,
Gd content of each of the reproducing layer and the intermediate layer obtained in 3, 4, and 5 x,
The Co content b (at%) of the memory layer was variously changed with respect to p, Co content y, q, and Tb content a of the memory layer. An example of the results is shown in Table 1.

【0087】メモリ層のCo含有量はキュリー温度に関係
し、これはすなわち記録時のレーザパワーを決定する重
要なパラメータである。また、媒体上での情報の保存安
定性を考えるとメモリ層のキュリー温度はある程度高温
である必要がある。これらのことからメモリ層のキュリ
ー温度は180〜280 ℃程度が望ましい。したがって、実
験例5で述べたTb含有量の範囲でこのキュリー温度を確
保するためには、Co含有量b(at%)は14≦b ≦45に設定す
るのがよい。
The Co content of the memory layer is related to the Curie temperature, which is an important parameter that determines the laser power during recording. Further, considering the storage stability of information on the medium, the Curie temperature of the memory layer needs to be high to some extent. From these facts, the Curie temperature of the memory layer is preferably about 180 to 280 ° C. Therefore, in order to secure this Curie temperature in the range of the Tb content described in Experimental Example 5, the Co content b (at%) is preferably set to 14 ≦ b 2 ≦ 45.

【0088】(実験例7)次に実験例1と同様の装置、
方法でポリカーボネイト基板上にSiN 干渉層を90nm、Gd
28(Fe60Co40)72再生層を40nm、Gd37Fe63中間層を10nm、
Tb20(Fe80Co20)80メモリ層を30nm、SiN 保護層を70nmを
各々順々に成膜し、さらに熱特性を改善するためにAlの
放熱層を60nm成膜して図17に示す構成の媒体を作成し
た。放熱層を加えることにより、熱特性の線速依存性が
改善されることはすでに知られており、本発明において
も放熱層を追加すると記録、再生パワーの線速依存性が
改善される。
(Experimental Example 7) Next, the same apparatus as in Experimental Example 1 was used.
Method to form SiN interference layer on polycarbonate substrate by 90nm, Gd
28 (Fe 60 Co 40 ) 72 Playback layer 40 nm, Gd 37 Fe 63 Intermediate layer 10 nm,
Tb 20 (Fe 80 Co 20 ) 80 memory layer 30 nm, SiN protective layer 70 nm in sequence, and Al heat dissipation layer 60 nm to improve thermal characteristics are shown in Fig. 17. Created the medium of composition. It is already known that the addition of the heat dissipation layer improves the linear velocity dependence of the thermal characteristics. In the present invention, the addition of the heat dissipation layer also improves the linear velocity dependence of the recording and reproducing power.

【0089】この効果は実験例1〜6 で述べた光変調記
録でも得られるが、磁界変調記録方式でも同様の効果が
得られる。また磁界変調記録の場合、記録時の媒体の温
度分布形状に従って記録マークの形が弓状(いわゆる矢
羽マーク)になることが知られており、放熱層をつけた
場合にはマークの円弧の部分の曲率が低減されるという
効果がある。
This effect can be obtained by the optical modulation recording described in Experimental Examples 1 to 6, but the same effect can be obtained by the magnetic field modulation recording method. Also, in the case of magnetic field modulation recording, it is known that the shape of the recording mark becomes arcuate (so-called arrow mark) according to the temperature distribution shape of the medium at the time of recording. This has the effect of reducing the curvature of the part.

【0090】本実験例の媒体に磁界変調記録を行った場
合のキャリア、ノイズの記録パワー依存性を図18に示
す。このように、本実験例によれば磁界変調記録を行っ
た場合でも微小なマーク(0.40um)に対しても44dBとい
う良好なC/N が得られ、本発明の目的である超解像の効
果を発揮できることがわかった。
FIG. 18 shows the recording power dependence of carriers and noise when magnetic field modulation recording is performed on the medium of this experimental example. Thus, according to this experimental example, a good C / N of 44 dB was obtained even for a minute mark (0.40 um) even when magnetic field modulation recording was performed, and the super-resolution of the object of the present invention It turns out that it can exert an effect.

【0091】(実験例8)実験例1と同様の装置、方法
でポリカーボネイト基板上にSiN 干渉層を90nm、Gd28(F
e60Co40)72再生層を40nm、Gd37Fe63中間層を10nm、Dy25
(Fe70Co30)75メモリ層を30nm、SiN 保護層を70nmを各々
順々に成膜して図1と同様の構成の媒体を作成した。
(Experimental Example 8) A SiN interference layer of 90 nm and Gd 28 (F) was formed on a polycarbonate substrate by the same device and method as in Experimental Example 1.
e 60 Co 40 ) 72 Playback layer 40 nm, Gd 37 Fe 63 Intermediate layer 10 nm, Dy 25
A (Fe 70 Co 30 ) 75 memory layer and a SiN protective layer having a thickness of 30 nm and 70 nm, respectively, were sequentially deposited to form a medium having the same structure as in FIG.

【0092】本実験例ではメモリ層としてTbFeCoの代わ
りにDyFeCoを用いたが、C/N 、クロストークともに実験
1とほぼ同様の良好な結果が得られ、本発明の主旨はTb
FeCoメモリ層に限定されないことを確認した。
In the present experimental example, DyFeCo was used as the memory layer instead of TbFeCo. However, good results similar to those in Experiment 1 were obtained for both C / N and crosstalk.
It was confirmed that it is not limited to the FeCo memory layer.

【0093】次に、本発明の効果をより明確にするた
め、従来知られていた媒体構成で同様の実験を行い比較
を行った。
Next, in order to further clarify the effect of the present invention, a similar experiment was performed with a conventionally known medium structure and a comparison was made.

【0094】(比較実験例1)実験例1と同様の装置、
方法でポリカーボネイト基板上にSiN 干渉層を90nm、Tb
20(Fe80Co20)80メモリ層を80nm、SiN 護層を70nmを各々
順々に成膜した。つまり、実験例1で用いたメモリ層の
みを磁性層とした単層ディスクを作成した。まず、本実
験例で作成した媒体にマーク長0.40umのマークを記録
し、キャリア、ノイズの再生パワー依存性を測定した。
結果を図9 に示す。このように、再生パワーの増加に従
ってキャリアレベルは増加していくものの、本発明の媒
体で見られたようなマスク効果が得られないために傾斜
は緩やかである。
(Comparative Experimental Example 1) An apparatus similar to Experimental Example 1,
Method to form a SiN interference layer on a polycarbonate substrate by 90 nm, Tb
A 20 (Fe 80 Co 20 ) 80 memory layer and a SiN protective layer having a thickness of 80 nm and 70 nm, respectively, were sequentially formed. That is, a single-layer disk having only the memory layer used in Experimental Example 1 as a magnetic layer was prepared. First, a mark having a mark length of 0.40 μm was recorded on the medium prepared in this experimental example, and the reproduction power dependence of carrier and noise was measured.
The results are shown in Figure 9. As described above, although the carrier level increases as the reproducing power increases, the slope is gentle because the masking effect as seen in the medium of the present invention cannot be obtained.

【0095】次に本実験例の媒体に様々な大きさのマー
クを記録して、空間周波数特性を測定した。結果は図10
に示すように、マーク長が0.78umと大きいときには十分
なC/N が得られているのに対し、光学系のカットオフ周
波数を超えると急激に解像力が低下していくことがわか
る。
Next, marks of various sizes were recorded on the medium of this experimental example, and the spatial frequency characteristics were measured. The result is Figure 10
As shown in Fig. 7, it is clear that when the mark length is as large as 0.78um, sufficient C / N is obtained, but when the cutoff frequency of the optical system is exceeded, the resolution sharply decreases.

【0096】また、クロストークの測定でも、実効的ト
ラックピッチ0.8um では再生スポットに対して狭い上
に、単層ディスクの場合にはマスク効果がないために、
図11に示すように-22dB 程度のクロストークしか得られ
なかった。
Also in the crosstalk measurement, the effective track pitch of 0.8 um is narrow with respect to the reproduction spot, and in the case of a single-layer disc, there is no mask effect.
As shown in Fig. 11, only crosstalk of about -22 dB was obtained.

【0097】(比較実験例2)実験例1と同様の装置、
方法でポリカーボネイト基板上にSiN 干渉層を90nm、Gd
28(Fe60Co40)72再生層を70nm、Tb20(Fe80Co20)80メモリ
層を30nm、SiN 保護層を70nmを各々順々に成膜して図19
と同様の構成の媒体を作成した。
(Comparative Experimental Example 2) The same device as in Experimental Example 1,
Method to form SiN interference layer on polycarbonate substrate by 90nm, Gd
28 (Fe 60 Co 40 ) 72 Reproduction layer 70 nm, Tb 20 (Fe 80 Co 20 ) 80 Memory layer 30 nm, SiN protective layer 70 nm
A medium having the same structure as the above was created.

【0098】まず、本実験例で作成した媒体にマーク長
0.40umのマークを記録し、キャリア、ノイズの再生パワ
ー依存性を測定した。結果を図9 に示す。このように、
本実験例の媒体でも低温で面内磁化膜を用いることによ
る超解像効果があるので、再生パワーが0.8〜2.8mW の
範囲では実験例1の媒体と同様にキャリアレベルが増加
していく。しかし、本実験例の2層構成超解像媒体で
は、さらに再生パワーを3mW 以上に増加してもリアマス
クが出現することはないので、実験例1の媒体のような
急激なキャリアの増加は見られない。
First, the mark length was added to the medium created in this experimental example.
A 0.40um mark was recorded, and the dependence of carrier and noise on the reproducing power was measured. The results are shown in Figure 9. in this way,
Since the medium of the present experimental example also has a super-resolution effect by using the in-plane magnetized film at a low temperature, the carrier level increases in the range of the reproducing power of 0.8 to 2.8 mW as in the medium of the experimental example 1. However, in the two-layer super-resolution medium of this experimental example, the rear mask does not appear even when the reproducing power is further increased to 3 mW or more, so that a sharp increase in carriers as in the medium of experimental example 1 is seen. I can't.

【0099】次に本実験例の媒体に様々な大きさのマー
クを記録して、空間周波数特性を測定した。結果は図10
に示すように、単層ディスクに比べると高周波域での解
像度は上がっているものの、リアマスクの効果がなく又
アパーチャとスポットとの位置関係が最適になっていな
いために、実験例1のディスクに比べると解像力は劣っ
ている。
Next, marks of various sizes were recorded on the medium of this experimental example, and the spatial frequency characteristics were measured. The result is Figure 10
As shown in, although the resolution in the high frequency range is higher than that of the single-layer disc, the disc of Experimental Example 1 is selected because the rear mask has no effect and the positional relationship between the aperture and the spot is not optimal. The resolution is inferior in comparison.

【0100】しかし、クロストークに関しては、フロン
トマスクが大きく影響しリアマスクは関係しない。した
がって、図11に示すように実験例1の媒体と同等の-30d
B 程度のクロストークが得られた。
However, with respect to crosstalk, the front mask has a great influence and the rear mask has no relation. Therefore, as shown in FIG. 11, -30d equivalent to that of the medium of Experimental Example 1 was obtained.
A crosstalk of about B was obtained.

【0101】[0101]

【表1】 [Table 1]

【0102】[0102]

【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明の光
磁気記録媒体及び該媒体の情報再生方法を用いれば、再
生磁界および/または初期化磁界が不要である簡素な装
置(従来と同様の装置)を用いて、ビームスポット系よ
り小さい磁区の再生が可能で、線記録密度もしくは線密
度とトラック密度の両方を大幅に向上して高密度記録の
達成が可能となった。
As described above in detail, when the magneto-optical recording medium and the information reproducing method for the medium of the present invention are used, a simple apparatus (similar to the prior art) which does not require a reproducing magnetic field and / or an initializing magnetic field. It is possible to reproduce magnetic domains smaller than the beam spot system by using the device), and it is possible to achieve high density recording by significantly improving the linear recording density or both the linear density and the track density.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の一実施例の構成図。FIG. 1 is a configuration diagram of an embodiment of the present invention.

【図2】本発明における超解像のメカニズムを説明する
図。
FIG. 2 is a diagram for explaining the mechanism of super-resolution in the present invention.

【図3】本発明の第一磁性層の飽和磁化曲線を示す図。FIG. 3 is a diagram showing a saturation magnetization curve of the first magnetic layer of the present invention.

【図4】本発明の第三磁性層の飽和磁化曲線を示す図。FIG. 4 is a diagram showing a saturation magnetization curve of a third magnetic layer of the present invention.

【図5】(a)(b)(c)は本発明の光磁気記録媒体の再生時
の状態を示す図。
5 (a), (b) and (c) are diagrams showing a reproducing state of the magneto-optical recording medium of the present invention.

【図6】再生層に転写された記録磁区にかかる静磁界H
leak,Hst及びブロッホ磁壁エネルギーによる実
効的磁界Hwbを示した図。
FIG. 6 is a static magnetic field H applied to a recording magnetic domain transferred to a reproducing layer.
The figure which showed the effective magnetic field Hwb by leak, Hst, and Bloch domain wall energy.

【図7】(a) はアンチパラレルタイプの層構成について
各々交換結合力及び静磁結合力が支配的に作用する場合
に安定な磁化の向きを示した図、(b) はパラレルタイプ
の層構成について各々交換結合力、静磁結合力が支配的
に作用する場合に安定な磁化の向きを示した図。
FIG. 7 (a) is a diagram showing a stable magnetization direction when an exchange coupling force and a magnetostatic coupling force predominantly act on an antiparallel type layer structure, and (b) is a parallel type layer. The figure which showed the direction of stable magnetization when each exchange coupling force and magnetostatic coupling force act predominantly about a structure.

【図8】(a)(b)(c)は磁化の温度変化を補償温度の異な
るGdFeCoについて示した図。
8 (a), (b) and (c) are diagrams showing changes in magnetization with temperature for GdFeCo having different compensation temperatures.

【図9】キャリア、ノイズの再生パワー依存性を示す
図。
FIG. 9 is a diagram showing reproduction power dependence of carrier and noise.

【図10】C/N のマーク長依存性を示す図。FIG. 10 is a diagram showing the mark length dependence of C / N.

【図11】クロストークの再生パワー依存性を示す図。FIG. 11 is a diagram showing the reproduction power dependence of crosstalk.

【図12】本発明におけるC/N の再生層Gd含有量依存性
を示す図。
FIG. 12 is a graph showing the dependence of C / N on the reproduction layer Gd content in the present invention.

【図13】本発明におけるクロストークの再生層Gd含有
量依存性を示す図。
FIG. 13 is a diagram showing the dependence of crosstalk in the reproducing layer Gd content in the present invention.

【図14】本発明におけるC/N の中間層Gd含有量依存性
を示す図。
FIG. 14 is a graph showing the dependence of C / N on the Gd content in the intermediate layer in the present invention.

【図15】本発明におけるクロストークの中間層Gd含有
量依存性を示す図。
FIG. 15 is a diagram showing the dependence of crosstalk in the intermediate layer Gd content in the present invention.

【図16】本発明におけるC/N のメモリ層Tb含有量依存
性を示す図。
FIG. 16 is a view showing the dependency of C / N on the memory layer Tb content in the present invention.

【図17】本発明の他の実施例の構成図。FIG. 17 is a configuration diagram of another embodiment of the present invention.

【図18】本発明の媒体に磁界変調記録を行ったときの
キャリア、ノイズの記録パワー依存性を示す図。
FIG. 18 is a diagram showing recording power dependence of carriers and noise when magnetic field modulation recording is performed on the medium of the present invention.

【図19】(a)(b)(c)は従来の面内磁化膜を用いた2層
構成超解像の原理図。
19 (a), (b) and (c) are principle diagrams of a two-layer constitution super resolution using a conventional in-plane magnetized film.

【図20】従来の面内磁化膜を用いた2層構成超解像の
一磁性層の静特性を示す図。
FIG. 20 is a diagram showing static characteristics of a single magnetic layer having a two-layer structure super-resolution using a conventional in-plane magnetized film.

【図21】(a)(b)(c)は従来の垂直磁化膜を用いた3層
構成超解像の原理図。
21 (a), (b), and (c) are principle diagrams of a three-layer structure super resolution using a conventional perpendicular magnetization film.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 記録マーク 2 再生スポット 3 アパーチャ 4 フロントマスク 5 リアマスク 6 グルーブ 7 ランド 11 再生層 12 中間層 13 メモリ層 14 干渉層 15 保護層 16 放熱層 20 基板 1 recording mark 2 reproducing spot 3 aperture 4 front mask 5 rear mask 6 groove 7 land 11 reproducing layer 12 intermediate layer 13 memory layer 14 interference layer 15 protective layer 16 heat dissipation layer 20 substrate

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 少なくとも第一の磁性層と第三の磁性層
と第二の磁性層とを、上記の順に基板上に積層して成る
光磁気記録媒体に於いて、 前記第一の磁性層と第三の磁性層は室温で面内磁化膜で
あり、 前記第一の磁性層はGdFeCoを主体として構成され、以下
を満足する Gdx(Fe100-yCoy)100-x、24≦x ≦32(原子% )、20≦y
≦50(原子% )、 前記第三の磁性層はGdFeCoを主体として構成され、以下
を満足する Gdp(Fe100-qCoq)100-p、25≦p ≦50(原子% )、0 ≦q
≦20(原子% )、 前記第二の磁性層は希土類−鉄族元素非晶質合金からな
る垂直磁化膜で、該第二の磁性層のキュリー温度は前記
第一の磁性層のキュリー温度よりも低く前記第三の磁性
層のキュリー温度よりも高いことを特徴とする光磁気記
録媒体。
1. A magneto-optical recording medium comprising at least a first magnetic layer, a third magnetic layer and a second magnetic layer laminated on a substrate in the above-mentioned order, wherein the first magnetic layer And the third magnetic layer is an in-plane magnetized film at room temperature, the first magnetic layer is mainly composed of GdFeCo, satisfying the following Gd x (Fe 100-y Co y ) 100-x , 24 ≦ x ≤ 32 (atomic%), 20 ≤ y
≦ 50 (atomic%), the third magnetic layer is composed mainly of GdFeCo, and satisfies the following: Gd p (Fe 100-q Co q ) 100-p , 25 ≦ p ≦ 50 (atomic%), 0 ≤q
≦ 20 (atomic%), the second magnetic layer is a perpendicular magnetization film made of a rare earth-iron group element amorphous alloy, and the Curie temperature of the second magnetic layer is higher than the Curie temperature of the first magnetic layer. And a Curie temperature of the third magnetic layer which is lower than the Curie temperature of the third magnetic layer.
【請求項2】 請求項1において、 前記第一、第二、第三の磁性層は、室温と第三磁性層の
キュリー温度の間の温度で交換結合すると共に前記第一
の磁性層の磁化は、前記第三の磁性層のキュリー温度以
上では一方向に揃えられる。
2. The magnetization of the first magnetic layer according to claim 1, wherein the first, second and third magnetic layers are exchange-coupled at a temperature between room temperature and the Curie temperature of the third magnetic layer. Are aligned in one direction above the Curie temperature of the third magnetic layer.
【請求項3】 請求項1において、 前記第二の磁性層はTbFeCoを主体として構成され、以下
を満足する Tba(Fe100-bCob)100-a、14≦a ≦33(原子% )、14≦b
≦45(原子% )。
3. The TbFeCo mainly composed of TbFeCo according to claim 1, wherein Tb a (Fe 100-b Co b ) 100-a , 14 ≦ a ≦ 33 (atomic% ), 14 ≦ b
≦ 45 (atomic%).
【請求項4】 請求項1において、 前記第二の磁性層はDyFeCoを主体として構成されてな
る。
4. The method according to claim 1, wherein the second magnetic layer is mainly composed of DyFeCo.
【請求項5】 請求項1において、 前記第一の磁性層は補償温度を有し、前記補償温度は前
記第三の磁性層のキュリー温度近傍にある。
5. The first magnetic layer according to claim 1, wherein the first magnetic layer has a compensation temperature, and the compensation temperature is near the Curie temperature of the third magnetic layer.
【請求項6】 少なくとも第一の磁性層と第三の磁性層
と第二の磁性層とを、上記の順に基板上に積層して成る
光磁気記録媒体であって、 前記第一の磁性層と第三の磁性層は室温で面内磁化膜で
あり、 前記第一の磁性層はGdFeCoを主体として構成され、以下
を満足する Gdx(Fe100-yCoy)100-x、24≦x ≦32(原子% )、20≦y
≦50(原子% )、 前記第三の磁性層はGdFeCoを主体として構成され、以下
を満足する Gdp(Fe100-qCoq)100-p、25≦p ≦50(原子% )、0 ≦q
≦20(原子% )、 前記第二の磁性層は希土類−鉄族元素非晶質合金からな
る垂直磁化膜で、情報が蓄積されると共に前記第二の磁
性層のキュリー温度は前記第一の磁性層のキュリー温度
よりも低く前記第三の磁性層のキュリー温度よりも高い
光磁気記録媒体に光ビームを用いて記録された情報を再
生する情報再生方法において、 前記第一の磁性層側から光ビームを照射し、前記光ビー
ムのスポット内の低温部分における前記第一の磁性層を
面内磁化膜のままとし、前記スポット内の低温部分以外
の部分で前記第一の磁性層を垂直磁化膜として前記第二
の磁性層と交換結合させ、前記第一の磁性層に前記第二
の磁性層に蓄積された情報を転写し、前記光ビームの反
射光を検出することにより前記第二の磁性層に蓄積され
た情報の再生を行うことを特徴とする情報再生方法。
6. A magneto-optical recording medium comprising at least a first magnetic layer, a third magnetic layer and a second magnetic layer laminated on a substrate in the above-mentioned order, wherein the first magnetic layer And the third magnetic layer is an in-plane magnetized film at room temperature, the first magnetic layer is mainly composed of GdFeCo, satisfying the following Gd x (Fe 100-y Co y ) 100-x , 24 ≦ x ≤ 32 (atomic%), 20 ≤ y
≦ 50 (atomic%), the third magnetic layer is composed mainly of GdFeCo, and satisfies the following: Gd p (Fe 100-q Co q ) 100-p , 25 ≦ p ≦ 50 (atomic%), 0 ≤q
≦ 20 (atomic%), the second magnetic layer is a rare earth-iron group element amorphous alloy perpendicular magnetization film, information is accumulated and the Curie temperature of the second magnetic layer is the first magnetic layer. In an information reproducing method of reproducing information recorded by using a light beam on a magneto-optical recording medium lower than the Curie temperature of the magnetic layer and higher than the Curie temperature of the third magnetic layer, from the first magnetic layer side. Irradiating the light beam, leaving the first magnetic layer in the low temperature portion in the spot of the light beam as an in-plane magnetized film, and perpendicularly magnetizing the first magnetic layer in the portion other than the low temperature portion in the spot. The film is exchange-coupled with the second magnetic layer, the information accumulated in the second magnetic layer is transferred to the first magnetic layer, and the second reflected light of the light beam is detected. To reproduce the information stored in the magnetic layer Information reproducing method according to claim.
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