JPH07335732A - 静電チャック、これを用いたプラズマ処理装置及びこの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 ポリイミド樹脂とセラミックの両長所を兼ね
備えるようにして耐久性のある安価な静電チャックを提
供する。 【構成】 プラズマ処理室２８内の載置台３２に被処理
体Ｗを吸着保持するために設けられた、樹脂フィルム４
２，４４により絶縁された導電膜４０よりなる静電チャ
ック３８において、前記樹脂フィルムの被処理体載置面
にセラミックコーティング膜５０を形成する。これによ
り、残留吸着力の作用する時間を抑制しつつ表面の機械
的強度を向上させる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、静電チャック、これを
用いたプラズマ処理装置及びこの製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】一般に、半導体製品の製造工程において
は、半導体ウエハにＣＶＤ処理、エッチング処理、スパ
ッタ処理等を施すことが行われるが、このような各種の
処理を施す装置としてプラズマ処理装置が用いられる場
合がある。

【０００３】この種の従来のプラズマ処理装置の一例と
しては、例えばアルミニウム等よりなる処理容器内に２
つの平板型の電極を平行に設置し、その内の上部電極を
接地し、他方、下部電極に高周波電源としてＲＦパワー
を印加すると共にこれにウエハを載置支持させるように
なっている。そして、両電極間にエッチングガスを導入
してプラズマを誘起し、ウエハにプラズマ処理を施すよ
うになっている。

【０００４】これを図４に基づいて説明すると、アルミ
ニウム等よりなる処理容器２内に上部電極４が配置され
ると共にその下方にはサセプタとしての下部電極６が設
置され、この下部電極６には高周波電源８が接続されて
いる。この下部電極６の上面には、静電チャック１０が
設けられており、この表面に半導体ウエハＷを静電吸着
するようになっている。下部電極６は、冷却ジャケット
１２を有するサセプタ支持台１４上に支持され、プラズ
マ処理時に加熱された下部電極６を冷却するようになっ
ている。

【０００５】また、上部電極４には、処理ガスを処理空
間Ｓへ供給するための処理ガス供給ヘッダ１６が設けら
れており、ここに形成した多数のガス孔１８から処理空
間Ｓへシャワー状に処理ガスを供給するようになってい
る。

【０００６】また、上記静電チャック１０は、導電性材
料、例えば銅等を薄く延ばしてなる導電膜２０をポリイ
ミド樹脂等のフィルム状の絶縁膜２２によりサンドイッ
チ状に被覆して構成されており、この導電膜２０に直流
高電圧源２４より高圧直流を印加することにより発生す
るクーロン力によりこの上面に上述のようにウエハＷが
吸着保持される。

【０００７】プラズマ処理を行う場合には、上述のよう
なクーロン力により静電チャック１０の上面にウエハＷ
を吸着保持させた状態で上下の電極４、６間に高周波電
力を供給しつつ処理空間Ｓに処理ガスを供給し、所定の
減圧下に維持することによりこの処理空間Ｓにプラズマ
が立ち、ウエハ表面にエッチング等のプラズマ処理が施
されることになる。

【０００８】また、静電チャック１０の構造としては、
上述のように導電膜２０をフィルム状のポリイミド樹脂
絶縁膜２２で被覆するようにしたものの他に、導電膜２
０を耐久性に優れたセラミック材でその全面を被覆する
ようにしたものも知られている。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上述のよう
にポリイミド樹脂により構成された静電チャックにあっ
ては、クーロン力によるウエハ吸着力をある程度以上確
保するために、ポリイミド樹脂製の絶縁膜２２の厚みを
例えば５０μｍ程度に非常に薄くしなければならず、機
械的強度を高く設定することが比較的困難である。その
ため、例えば微小粒子であるパーティクルが静電チャッ
ク表面に落下して付着し、この状態でウエハＷを吸着保
持するとウエハ下面と静電チャック上面との間に挟み込
まれたパーティクルがウエハ吸着力によってポリイミド
樹脂製の絶縁膜２２を突き破って内部の導電膜２０に達
し、このために絶縁破壊を生じてしまうという問題点が
あった。

【００１０】このため、ポリイミド樹脂を用いた静電チ
ャックの場合には、絶縁破壊を生ずる前に交換しなけれ
ばならず、例えば通常の使用状態においては数ケ月に１
回程度の割合で静電チャックを交換しなければならない
ことからメンテナンス作業が煩雑になるのみならず、装
置の稼働率も低下してしまうという問題があった。

【００１１】これに対して、ポリイミド樹脂に代えてセ
ラミックにより導電膜２０を被覆した静電チャックの場
合には、機械的強度が比較的高くなることから上述した
ようなパーティクルによる絶縁破壊は生じ難くなって寿
命も延ばすことができる反面、価格がポリイミド樹脂製
の静電チャックに対して数倍も高くなり、コスト高を招
来するという問題がある。

【００１２】また、高圧直流を導電膜２０に印加する
と、絶縁膜自体が分極され、高圧電源を切ると放電によ
り分極状態が元に戻るが、この絶縁膜がポリイミド樹脂
により形成されている場合には、分極電荷が放電する時
の時定数は短いことからほとんど問題は生じないが、こ
の絶縁膜がセラミックにより形成している場合には、分
極電荷が放電する時の時定数はかなり大きくなり、その
ために残留吸着がかなり発生して吸着力が解除されるま
でにかなりの時間を要するという問題点があった。その
ために、残留吸着がなくなるまでの間、ウエハのリフタ
ピンによる持ち上げを待たねばならず、スループットの
低下の原因にもなっていた。

【００１３】本発明は、以上のような問題点に着目し、
これを有効に解決すべく創案されたものである。本発明
の目的は、ポリイミド樹脂とセラミックの両長所を兼ね
備えるようにして耐久性のある安価な静電チャック、こ
の製造方法及びプラズマ処理装置を提供することにあ
る。

【００１４】

【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
めに、第１の発明は、プラズマ処理室内の載置台に被処
理体を吸着保持するために設けられた、樹脂フィルムに
より絶縁された導電膜よりなる静電チャックにおいて、
前記樹脂フィルムの被処理体載置面にセラミックコーテ
ィング膜を形成するように構成したものである。

【００１５】第２の発明は、プラズマ処理室内の載置台
に被処理体を吸着保持するために、樹脂フィルムにより
絶縁された導電膜よりなる静電チャックを備えたプラズ
マ処理装置の製造方法において、前記静電チャックを予
め前記載置台の上部に取り付ける工程と、前記載置台上
に取り付けた少なくとも前記静電チャックの表面にセラ
ミックコーティング膜を形成する工程と前記載置台を前
記処理室内に取り付ける工程とを具備するようにしたも
のである。

【００１６】第３の発明は、プラズマ処理室内に載置台
を設け、この載置台上に被処理体を吸着保持するため
に、樹脂フィルムにより絶縁された導電膜よりなる静電
チャックを設けてなるプラズマ処理装置において、前記
静電チャックの被処理体載置面にセラミックコーティン
グ膜を形成するように構成したものである。

【００１７】

【作用】第１の発明によれば、樹脂フィルムの被処理体
載置面にセラミックコーティング膜を形成したので、樹
脂フィルムとセラミックの両者の長所を兼ね備えること
ができ、従って、残留吸着が少なく且つ耐久性にも優れ
た静電チャックを提供することができる。

【００１８】第２の発明によれば、樹脂フィルムにより
絶縁された導電膜よりなる静電チャッをプラズマ処理室
内に組み立て、装置を製造するに際して、まず、プラズ
マ処理室内へ装着する前の載置台に静電チャックを取り
付けて、この静電チャック表面に薄いセラミックコーテ
ィング膜を例えばイオンプレーティング法等により予め
形成する。その後、この載置台をプラズマ処理室内へ取
り付けるようにしたので、薄くて割れ易いセラミックコ
ーティング膜を壊すことなく形成することが可能とな
る。

【００１９】第３の発明によれば、プラズマ処理室内
に、セラミックコーティング膜の施された静電チャック
を設けるようにしたので、前述のように残留吸着も少な
く、耐久性も向上させることができ、従って、静電チャ
ックの交換回数も、絶縁膜として樹脂のみを用いた静電
チャックの場合と比較して少なくできる。従って、その
分、稼働効率を上げてスループットを向上させることが
できる。

【００２０】

【実施例】以下に、本発明に係る静電チャック、この製
造方法及びプラズマ処理装置の一実施例を添付図面に基
づいて詳述する。図１は本発明に係る静電チャックを用
いたプラズマ処理装置の一例を示す断面図、図２は本発
明に係る静電チャックの取り付け状態を示す部分拡大
図、図３は本発明に係る静電チャックにセラミックコー
ティング膜を施す方法を説明するための説明図である。

【００２１】本実施例においてはプラズマ処理装置をプ
ラズマエッチング装置に適用した場合について説明す
る。図示するようにプラズマ処理装置としてのこのプラ
ズマエッチング装置２６は、例えばアルミニウム等の導
体により筒体状に成形されたプラズマ処理室２８を有し
ており、このプラズマ処理室２８は密閉状態になされて
接地されている。

【００２２】この処理室２８内には、上下方向に例えば
２０〜３０ｍｍ程度離間された一対の電極、すなわち上
部電極３０と載置台（サセプタ）としての下部電極３２
とが平行に配置されており、これらの電極間がプラズマ
処理空間Ｓとして構成される。

【００２３】載置台としての下部電極３２は、例えばア
ルマイト処理したアルミニウム等により中央部が凸状に
平坦になされた略円柱状に成形されており、この下部は
同じくアルミニウム等により円柱状になされたサセプタ
支持台３４により支持されると共にこのサセプタ支持台
３４は、処理室内の底部に絶縁材３６を介して設置され
ている。この下部電極３２は、高周波給電路３７を介し
てマッチングボックス３９及び例えば１３．５６ＭＨｚ
の高周波電源４１に接続されている。

【００２４】上記下部電極３２の上面平坦部には本発明
に係る静電チャック３８が接着剤により貼り付け固定さ
れており、この上面すなわち被処理体載置面に被処理体
としての半導体ウエハＷをクーロン力により吸着保持し
得るようになっている。この静電チャック３８は、例え
ば銅のような導電体の箔よりなる円形の導電膜４０とこ
の上下面を覆ってサンドイッチ状に積層して絶縁する、
例えばポリイミド樹脂等よりなる樹脂フィルム４２、４
４により主に形成される。

【００２５】この静電チャック３８を、下部電極３２の
上面に形成するには、図２に示すように例えばまず下部
電極３２の上面に接着剤４６を塗ってこの上に下側樹脂
フィルム４２を貼り付け、このフィルム４２上にこれよ
りも直径が僅かに小さな上記導電膜４０を付着させる。
更に、この導電膜４０の上面を含む下側樹脂フィルム４
２の露出面に接着剤４８を塗ってこの上に上側樹脂フィ
ルム４４を付着固定して取り付けを完了する。そして、
このように取り付けられた静電チャック３８の上面及び
側面及びこれに続く下部電極３２の上部側壁には、本発
明の特長とするセラックコーティング膜５０が形成され
ている。このコーティング膜５０の材料としては、Ａｌ
₂ Ｏ₃ 、ＳｉＯ₂ 、ＡｌＮ等のセラミック材を用いるこ
とができ、このコーティング膜５０の厚みＬ１は、過度
に厚くなると残留吸着力が大きくなることから１〜５μ
ｍの範囲内に設定する。この時、銅箔よりなる導電膜４
０の厚みＬ２は数μｍ以下、上側及び下側樹脂フィルム
４４、４６の厚みＬ３は２５〜５０μｍの範囲内にそれ
ぞれ設定される。尚、図２において接着剤４４、４６の
厚みは明確化のために大きく記載されているが実際には
数μｍ程度である。

【００２６】そして、上記静電チャック３８の導電膜４
０には、、下部電極３２、サセプタ支持台３４及びプラ
ズマ処理室２８の底部に対して絶縁状態になされた給電
ライン５２が接続され、このライン５２に抵抗５４及び
直流高電圧源５６を接続して上記導電膜４０に直流高電
圧を印加することによりウエハ吸着のためのクーロン力
を発生するようになっている。また、この給電ライン５
２は、抵抗５４と直流高電圧源５６との間で切替スイッ
チ５８が介設され、このスイッチ５８にはアースにつな
がる分岐ライン６０が接続されており、ウエハの吸引を
解除する時に導電膜４０に貯まった電荷を逃がすように
なっている。

【００２７】また、セラミックコーティング膜５０、静
電チャック３８、下部電極３２及びサセプタ支持台３４
を貫通して内部にリフタピン６２を挿通させたリフタピ
ン挿通孔６４が設けられており、このピン６２を上下動
することによりウエハの持ち上げ及び持ち下げが行なわ
れる。図１中においてはこのリフタピン６２は１本しか
記載していないが実際には載置面内に均等に例えば３本
配置されており、ウエハ下面を３点支持するようになっ
ている。

【００２８】そして、サセプタ支持台３４におけるリフ
タピン挿通孔６４の途中には拡張室６６が設けられ、こ
の部分を通るリフタピン６２にベローズ６８を介在させ
てこのリフタピン６２の上下動を許容しつつ処理室内の
シール性を維持している。

【００２９】同様にセラミックコーティング膜５０、静
電チャック３８、下部電極３２等を貫通して熱伝導ガス
供給路７０が形成され、これより熱伝導ガスとして例え
ばＨｅガスをウエハ裏面に供給することによりウエハと
静電チャック３８との間の熱伝導性を改善してウエハ温
度を適切に制御するようになっている。このガス供給路
７０に連通するガス放出孔は、静電チャック表面に多数
設けられている。また、プラズマ処理中にはウエハが加
熱することからこれを冷却する目的でサセプタ支持台３
４には、例えば冷却水を流す冷却ジャケット７２が設け
られる。

【００３０】一方、上部電極３０は、例えばエッチング
ガスやＡｒガスを供給するためにシャワーヘッド構造に
なされており、例えばアルミニウム等よりなる容器状の
シャワーヘッド７２に多数の拡散孔７４を有する２枚の
バッフル板７６、７８が配置されている。そして、内部
で拡散されたガスを上部電極３０の下面に設けた多数の
噴出孔８０から処理空間Ｓ内に均一にガスを供給するよ
うになっている。

【００３１】そして、プラズマ処理室２８の側壁には、
室内にウエハの搬入・搬出を行なう時に開閉されるゲー
トバルブ８２が設けられると共に底部には図示しない真
空ポンプに接続された排気口８４が設けられている。

【００３２】ここで、前述のように静電チャック３８の
表面にセラミックコーティング膜５０を形成する方法の
一例を具体的に説明する。コーティング膜５０は非常に
薄く且つ静電チャック３８自体も非常に可撓性に富むこ
とから単独の静電チャック３８にコーティング膜５０を
施し、これを下部電極であるサセプタ３２上に貼り付け
ようとすると、貼り付け工程時にチャック自体が撓んで
コーティング膜５０が割れてしまう恐れがある。そこ
で、本発明方法では静電チャック３８を予めサセプタ３
２上に貼り付けて支持させておき、この状態で表面全体
にコーティング膜５０を形成するようにする。

【００３３】セラミックコーティング膜を施すイオンプ
レーディング装置は、図３に示すように例えばアルミニ
ウム合金よりなる真空チャンバ８６の側壁に放電電力源
８９に接続された陰極システム８８を備えたプラズマガ
ン９０を有しており、このプラズマガン９０には、環状
の永久磁石を備えた第１の電極９２と、磁気コイルを備
えた第２の電極９４と、大口径磁気コイル９６が設けら
れ、導入されたキャリアガス９８をプラズマ化して放出
するようになっている。

【００３４】真空チャンバ８６内の下部にはアルミニウ
ム等の材料ペレット１００を収容した炉１０２がアース
状態で設置され、その上方にはチャンバ壁から絶縁され
てコーティングすべき処理体を保持するホルダ１０４が
設けられる。上記炉１０２とホルダ１０４との間には不
純物イオンをカットするために開閉可能になされたシャ
ッタ１０６が設けられると共にこれらの間にはバイアス
電源１０８が電気的に接続され、発生したイオンンバイ
アス電圧によりホルダ側へ吸引するようになっている。
また、真空チャンバ８６の側壁には、処理ガスを供給す
る処理ガス供給管１１０と図示しない真空ポンプに接続
された排気口１１２が設けられている。

【００３５】このような装置を用いてセラミック例えば
Ａｌ₂ Ｏ₃ のコーティング膜を形成する方法を説明す
る。まず、静電チャック３８を予め下部電極であるサセ
プタ３２に貼り付けてなる処理体をホルダ１０４に静電
チャック３８を下方にして取り付け固定する。この時、
バイアス電源１０８を印加するラインとして高周波給電
路３７や導電膜４０に接続された給電ライン５２を用い
ればよい。

【００３６】真空チャンバ８６内をベース圧力まで真空
排気し、プラズマのキャリアガスとして一定量のＡｒガ
スをプラズマガン９０を通してチャンバ内に導入する。
チャンバ内の圧力が所定の値に達した後に、プラズマガ
ン９０と炉１０２の間で放電を行ない、放電によって生
成したプラズマＰの電子ビーム成分は各電極９２、９４
やコイル９６によって下方向に直角に曲げられて炉１０
２中の、アルミニウムよりなる材料ペレットに集中され
これを溶解する。

【００３７】溶解したアルミニウムの温度が上がるとそ
の温度に応じた蒸気圧で蒸発を開始し、アルミニウムの
蒸発量が安定したらチャンバ内に処理ガス供給管１１０
を介して酸素を導入する。この時、炉１０２からある程
度離れている部分では蒸発したアルミニウムは酸素と反
応し、初期の不純物成分はシャッタ１０６によって捕獲
される。

【００３８】酸素導入後、プラズマが安定するとシャッ
タ１０６を開けて成膜を開始する。すなわちアルミニウ
ムと酸素と反応してＡｌ₂ Ｏ₃ イオンとなりこれがホル
ダ１０４に取り付けた静電チャック３８の表面やサセプ
タ３２の露出表面に付着堆積し、セラミックコーティン
グ膜５０が施されることになる。プラズマ中の電子はイ
オンよりも動き易いため、ホルダ１０４側には電子の方
が先に到達し、積極的にバイアスをかけなくてもサセプ
タ３２等はプラズマに対して数ボルトから数１０ボルト
の負の電位を持つことになり、イオンプレーティングが
進行する。コーティング膜の堆積時においては、イオン
は直進性に優れることから静電チャック表面に形成され
ているリフタピン用孔や熱伝導ガス放出孔が塞がれるこ
とはない。

【００３９】このようにしてセラミックコーティング膜
の施された静電チャック３８は、サセプタ３２ごとホル
ダ１０４から取り外され、この状態でプラズマ処理室２
８内のサセプタ支持台３４上に取り付け固定されること
になる。

【００４０】次に、以上のように構成された本実施例の
動作について述べる。まず、ゲートバルブ８２を介して
半導体ウエハＷを図示しない搬送アームによりプラズマ
処理室２８内に収容し、これをリフタピン６２を上昇さ
せることによりピン側に受け渡し、更にこのリフタピン
６２を降下させることによりウエハＷを静電チャック３
８の上面である被処理体載置面側に載置する。この静電
チャック３８内の導電膜４０には、直流高電圧源５６か
ら例えば、２．０ＫＶの直流電圧が印加され、分極によ
るクーロン力によりウエハＷを吸着保持する。

【００４１】そして、このプラズマ処理室２８内を所定
のプロセス圧力、例えば１０^-1Ｔｏｒｒ程度に維持し
て、シャワーヘッド７２からエッチングガス、例えばＨ
ＦガスやＡｒガス等を流量制御しつつ供給し、同時に高
周波電源４１より、例えば１３．５６ＭＨｚの高周波を
下部電極であるサセプタ３２に印加する。これにより、
サセプタ３２と上部電極３０との間にプラズマが発生
し、ウエハＷに対して異方性の高いエッチングを施す。

【００４２】ここでウエハＷのエッチング処理時にあっ
ては、プラズマによりウエハが加熱されるがサセプタ支
持台３４に設けた冷却ジャケット７２によりウエハＷは
冷却され、例えば静電チャック３８に用いた接着剤の耐
熱温度である１５０℃以下で処理を行なう。この場合、
熱伝導ガス供給路７０を介してウエハ下面と静電チャッ
ク上面との間には例えばＨｅガスが所定量供給されてい
るので、これらの間の熱伝導率は比較的高く維持され、
ウエハＷを効率的に冷却することができる。

【００４３】このようにして、ウエハＷのプラズマ処理
が終了したならばエッチングガスの供給や高周波電圧の
供給を停止すると共に、給電ライン５２に設けた切替ス
イッチ５８を切替えて静電チャック３８の導電膜４０を
アースすることによりここに貯まっていた電荷を逃し
て、ウエハＷの吸着を解除する。

【００４４】そして、ウエハＷの吸着が解除されたなら
ば再度リフタピン６２を上昇させることによりウエハを
持ち上げ、搬入時と逆の操作を行なって開いたゲートバ
ルブ８２よりこの処理済みウエハＷを搬出する。

【００４５】ところで、このような一連のプラズマ処理
工程において僅かなパーティクルが静電チャック表面に
付着した場合に、このパーティクルがウエハ下面と静電
チャック表面との間に挟まれて吸着されると、従来のポ
リイミド樹脂単独のチャックの場合には、パーティクル
がポリイミド樹脂内にめり込んで導電膜４０まで到達し
て絶縁破壊を生ずる恐れがあったが、本実施例にあって
はポリイミド製の樹脂フィルム４４の表面に硬くて薄い
セラミックコーティング膜５０が施してあることからパ
ーティクルがめり込まず、従って、絶縁破壊が起こり難
くなり、その分、耐久性を向上させることができる。従
って、ポリイミド樹脂を単独で用いた静電チャック交換
のためのメンテナンス作業も大幅に減少させることがで
きる。

【００４６】また、セラミックは、ポリイミド樹脂と比
較して分極状態から放電がなされて通常の状態に戻るま
での時定数が比較的長いことからこのコーティング膜５
０の厚みをあまり厚くすると耐久性が向上する反面、切
替スイッチ５８をアース側に切替えた後の残留吸着力の
接続時間が長くなり、その分、搬出時間が長くなってス
ループットが低下するが、本実施例にあっては、コーテ
ィング膜５０の厚みＬ１を、ある程度以上の機械的強度
を維持しつつ且つ残留吸着力の接続時間も少ない厚み、
例えば１〜５μｍの範囲内に設定しているのでスループ
ットが低下することがなく、これを高く維持することが
できる。また、従来のセラミック製静電チャックの場合
と比較して、その用いるセラミック量は非常に少ないの
で、これと比較して安価に提供することが可能となる。

【００４７】更には、静電チャック表面にセラミックコ
ーティング膜５０を形成する際は、可撓性に富む静電チ
ャック単独の状態にコーティング膜を形成するのではな
く、これをサセプタに予め貼り付けて支持させた状態で
コーティング膜を形成し、そのままこのサセプタをプラ
ズマ処理室内に取り付けるようにしたので、取り付け時
にコーティング膜が割れたりして破損する恐れがなく、
安定的にこの取り付け作業を行なうことが可能となる。

【００４８】尚、上記実施例においては、コーティング
膜形成方法との関係で、静電チャック表面のみならずサ
セプタの露出面にもコーティング膜を施した場合につい
て説明したが、静電チャック表面のみにコーティング膜
を施すようにしてもよいのは勿論である。また、コーテ
ィング膜の形成方法は、単に一例を示したに過ぎず、他
の成膜方法により形成してもよい。

【００４９】更に、上記実施例ではコーティング膜付き
の静電チャックを平行平板型のプラズマエッチング装置
に適用した場合について説明したが、これに限定されず
例えば処理室の天井部外側に永久磁石を回転可能に設置
した誘導磁界型プラズマ装置、上部電極に替えてマイク
ロ波を発射するアンテナを設けた誘導結合型プラズマ装
置等にも適用することができる。また、プラズマエッチ
ング装置のみならず他のプラズマ処理装置、例えばプラ
ズマアッシング装置にも本発明を適用することができ
る。

【００５０】

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば次の
ように優れた作用効果を発揮することができる。第１の
発明によれば、導電膜を絶縁する樹脂フィルム上に硬い
僅かな厚さのセラミックコーティング膜を施すようにし
たので、残留吸着力をほとんど発生させることなく機械
的強度を高くして耐久性を向上させることができる。従
って、表面に付着したパーティクルが内部にめり込んだ
りすることがなく、絶縁破壊等を生ずる恐れを大幅に減
少させることができる。また、セラミック製の静電チャ
ックと比較して使用するセラミックも少ないので安価に
提供することができる。第２の発明によれば、静電チャ
ックをサセプタよりなる載置台上に支持固定させた状態
でその表面にセラミックコーティング膜を施すようにし
たので、コーティング膜を破損することなく静電チャッ
クをプラズマ処理室内に設置することができる。第３の
発明によれば、上述のように耐久性のある静電チャック
を用いることにより、交換のための煩雑なメンテナンス
作業を少なくすることができ、その分、スループットを
向上させることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る静電チャックを用いたプラズマ処
理装置の一例を示す断面図である。

【図２】本発明に係る静電チャックの取り付け状態を示
す部分拡大図である。

【図３】本発明に係る静電チャックにセラミックコーテ
ィング膜を施す方法を説明するための説明図である。

【図４】従来のプラズマ処理装置の一例を示す断面図で
ある。

【符号の説明】

２６ プラズマエッチング装置（プラズマ処理装
置） ２８ プラズマ処理室 ３０ 上部電極 ３２ 下部電極（サセプタ、載置台） ３４ サセプタ支持台 ３８ 静電チャック ４０ 導電膜 ４１ 高周波電源 ４２、４４ 樹脂フィルム ４６、４８ 接着剤 ５０ セラミックコーティング膜 ７２ シャワーヘッド ８６ 真空チャンバ ８８ 陰極システム ９０ プラズマガン １００ 材料ペレット １０２ 炉 １０４ ホルダ Ｓ プラズマ処理空間 Ｗ 半導体ウエハ（被処理体）

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 プラズマ処理室内の載置台に被処理体を
   吸着保持するために設けられた、樹脂フィルムにより絶
   縁された導電膜よりなる静電チャックにおいて、前記樹
   脂フィルムの被処理体載置面にセラミックコーティング
   膜を形成するように構成したことを特徴とする静電チャ
   ック。
2. 【請求項２】 プラズマ処理室内の載置台に被処理体を
   吸着保持するために、樹脂フィルムにより絶縁された導
   電膜よりなる静電チャックを備えたプラズマ処理装置の
   製造方法において、前記静電チャックを予め前記載置台
   の上部に取り付ける工程と、前記載置台上に取り付けた
   少なくとも前記静電チャックの表面にセラミックコーテ
   ィング膜を形成する工程と前記載置台を前記処理室内に
   取り付ける工程とを具備したことを特徴とするプラズマ
   処理装置の製造方法。
3. 【請求項３】 プラズマ処理室内に載置台を設け、この
   載置台上に被処理体を吸着保持するために、樹脂フィル
   ムにより絶縁された導電膜よりなる静電チャックを設け
   てなるプラズマ処理装置において、前記静電チャックの
   被処理体載置面にセラミックコーティング膜を形成する
   ように構成したことを特徴とするプラズマ処理装置。