JPH07335754A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH07335754A JPH07335754A JP13062894A JP13062894A JPH07335754A JP H07335754 A JPH07335754 A JP H07335754A JP 13062894 A JP13062894 A JP 13062894A JP 13062894 A JP13062894 A JP 13062894A JP H07335754 A JPH07335754 A JP H07335754A
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- coating film
- sog
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 より膜質の向上を図ることができるＳＯＧの
アニール技術を提供すること。 【構成】 表面に段差を有する基板１上に、塗布膜５を
形成し、前記基板１を回転させることで、前記段差を埋
め込み、その後塗布膜５を熱処理して、表面が平坦化さ
れた絶縁膜５を形成する工程を少なくとも含む半導体装
置の製造方法。塗布膜５を熱処理する際に、酸化剤を含
むガス雰囲気および／または塩基性物質を含むガス雰囲
気で熱処理を行う。塗布膜５を形成する前に、その下地
層として、プラズマＣＶＤによる酸化シリコン膜４を成
膜することが好ましい。
アニール技術を提供すること。 【構成】 表面に段差を有する基板１上に、塗布膜５を
形成し、前記基板１を回転させることで、前記段差を埋
め込み、その後塗布膜５を熱処理して、表面が平坦化さ
れた絶縁膜５を形成する工程を少なくとも含む半導体装
置の製造方法。塗布膜５を熱処理する際に、酸化剤を含
むガス雰囲気および／または塩基性物質を含むガス雰囲
気で熱処理を行う。塗布膜５を形成する前に、その下地
層として、プラズマＣＶＤによる酸化シリコン膜４を成
膜することが好ましい。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造に係
り、さらに詳しくは、例えば、高度に微細化または高集
積化したメモリー素子等の集積半導体回路等の製造の際
に、層間膜を平坦化する工程に利用することができる平
坦化技術に関する。
り、さらに詳しくは、例えば、高度に微細化または高集
積化したメモリー素子等の集積半導体回路等の製造の際
に、層間膜を平坦化する工程に利用することができる平
坦化技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】デバイスの高密度化に伴って、配線技術
は、ますます微細化、多層化の方向に進んでいる。しか
し、高集積化は、一方ではデバイスの信頼性を低下させ
る要因になる場合がある。
は、ますます微細化、多層化の方向に進んでいる。しか
し、高集積化は、一方ではデバイスの信頼性を低下させ
る要因になる場合がある。
【０００３】なぜなら、配線の微細化と多層化の進展に
よって、層間絶縁膜の段差は大きく且つ急峻となり、そ
の上に形成される配線の加工精度、信頼性を低下させる
ためである。このため、Ａｌ配線の段差被覆性の大幅な
改善が出来ない現在、層間絶縁膜の平坦性を向上させる
必要がある。これは、リソグラフィーの短波長化に伴う
焦点深度の低下の点からも重要になりつつある。
よって、層間絶縁膜の段差は大きく且つ急峻となり、そ
の上に形成される配線の加工精度、信頼性を低下させる
ためである。このため、Ａｌ配線の段差被覆性の大幅な
改善が出来ない現在、層間絶縁膜の平坦性を向上させる
必要がある。これは、リソグラフィーの短波長化に伴う
焦点深度の低下の点からも重要になりつつある。
【０００４】これまでに、下記の表１に示すように、各
種の絶縁膜の形成技術および平坦化技術が開発されてき
たが、微細化または多層化した配線層に適用した場合、
配線間隔が広い場合の平坦化の不足や、配線間隔に於け
る層間膜での”鬆”の発生により、配線間における接続
不良等が関心事となっている。そこで”鬆”の発生のな
い良好なギャップフィル特性を示す層間平坦化膜の形成
法が必要になってくる。
種の絶縁膜の形成技術および平坦化技術が開発されてき
たが、微細化または多層化した配線層に適用した場合、
配線間隔が広い場合の平坦化の不足や、配線間隔に於け
る層間膜での”鬆”の発生により、配線間における接続
不良等が関心事となっている。そこで”鬆”の発生のな
い良好なギャップフィル特性を示す層間平坦化膜の形成
法が必要になってくる。
【０００５】
【表１】
【０００６】そこで、この問題を改善する手段として、
いわゆるＳＯＧ（Spin-On-Glass ）と呼ばれる、有機ま
たは無機のシリコン化合物を溶剤に溶かして、それを基
板上に塗布して、乾燥、燒結させ、シリコン酸化膜とす
る技術や、酸化剤として水を添加した有機シランのプラ
ズマＣＶＤや、Ｏ3 を酸化剤として添加した有機シラン
の常圧ＣＶＤなどにより、高アスペクト比のＡｌ配線上
を平坦化する技術が注目されている。この種の技術につ
いては、例えば、１９９１年第３８回応用物理学会関係
連合講演会（P632 29P-V-8,29-V-9)などにその記載があ
る。
いわゆるＳＯＧ（Spin-On-Glass ）と呼ばれる、有機ま
たは無機のシリコン化合物を溶剤に溶かして、それを基
板上に塗布して、乾燥、燒結させ、シリコン酸化膜とす
る技術や、酸化剤として水を添加した有機シランのプラ
ズマＣＶＤや、Ｏ3 を酸化剤として添加した有機シラン
の常圧ＣＶＤなどにより、高アスペクト比のＡｌ配線上
を平坦化する技術が注目されている。この種の技術につ
いては、例えば、１９９１年第３８回応用物理学会関係
連合講演会（P632 29P-V-8,29-V-9)などにその記載があ
る。
【０００７】これらの方法のうち、ＳＯＧなどの塗布膜
による方法は、プロセスが簡単で、高価な設備投資も必
要とせず、最近注目されている技術である。
による方法は、プロセスが簡単で、高価な設備投資も必
要とせず、最近注目されている技術である。
【０００８】
【発明が解決すべき課題】しかし、よく知られているよ
うに、ＳＯＧ自体は塗布しただけでは絶縁膜とはなり得
ず、乾燥、ベークの工程を経て、層間絶縁膜となるので
ある。さらにＳＯＧ自体にも、酸化膜以外の有機成分や
無機成分を含んでおり、これをベークの際、充分除去す
る必要がある。また、このベークが不十分だと水分を吸
着しやすく、後の配線形成工程で、ポイズンドビア（po
isoned via）などの不良の原因になったりする。
うに、ＳＯＧ自体は塗布しただけでは絶縁膜とはなり得
ず、乾燥、ベークの工程を経て、層間絶縁膜となるので
ある。さらにＳＯＧ自体にも、酸化膜以外の有機成分や
無機成分を含んでおり、これをベークの際、充分除去す
る必要がある。また、このベークが不十分だと水分を吸
着しやすく、後の配線形成工程で、ポイズンドビア（po
isoned via）などの不良の原因になったりする。
【０００９】また、従来のＳＯＧはシロキサン結合を有
しているが、最近では、シラザン結合を有したＳＯＧが
現れている。例えば、第５４回応用物理学会学術講演会
講演予稿集第７５１頁の講演番号２９ａ−Ｘ−１０や、
同じく第７５２頁の同２９ａ−Ｘ−１１、１９９３ １
０ｔｈ VLSI Multilevel Interconnection Confere
nceの予稿集には、シラザン結合を有したＳＯＧの記載
がある。
しているが、最近では、シラザン結合を有したＳＯＧが
現れている。例えば、第５４回応用物理学会学術講演会
講演予稿集第７５１頁の講演番号２９ａ−Ｘ−１０や、
同じく第７５２頁の同２９ａ−Ｘ−１１、１９９３ １
０ｔｈ VLSI Multilevel Interconnection Confere
nceの予稿集には、シラザン結合を有したＳＯＧの記載
がある。
【００１０】このシラザン結合を有するＳＯＧ膜は、厚
膜塗布ができることがその大きな特徴となっているが、
シラザン結合を有しているため、ベーク時に、充分、酸
化反応を進めておかないと酸化膜にならないという欠点
がある。このようにＳＯＧのタイプに依らず、膜質を向
上させるために、ベーク時に酸化反応は勿論のこと、有
機成分などの脱離を充分に進めておく必要があるという
問題があった。
膜塗布ができることがその大きな特徴となっているが、
シラザン結合を有しているため、ベーク時に、充分、酸
化反応を進めておかないと酸化膜にならないという欠点
がある。このようにＳＯＧのタイプに依らず、膜質を向
上させるために、ベーク時に酸化反応は勿論のこと、有
機成分などの脱離を充分に進めておく必要があるという
問題があった。
【００１１】
【発明の目的】本発明は、このような実情に鑑みて成さ
れ、より膜質の向上を図ることができるＳＯＧのアニー
ル技術を提供することを目的とする。
れ、より膜質の向上を図ることができるＳＯＧのアニー
ル技術を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】より膜質の向上を図るこ
とができるＳＯＧのアニール技術について、本発明者
は、鋭意考察を行った結果、ベーク時に酸化反応が充分
進むように、酸化剤を含むガス雰囲気で熱処理（ベー
ク）を行うことで、本発明の目的を達成できることを見
い出した。酸化剤としては、活性なＯ3 を用いれば良
い。
とができるＳＯＧのアニール技術について、本発明者
は、鋭意考察を行った結果、ベーク時に酸化反応が充分
進むように、酸化剤を含むガス雰囲気で熱処理（ベー
ク）を行うことで、本発明の目的を達成できることを見
い出した。酸化剤としては、活性なＯ3 を用いれば良
い。
【００１３】即ち、本発明の第１の観点に係る半導体装
置の製造方法は、表面に段差を有する基板上に、塗布膜
を形成し、前記基板を回転させることで、前記段差を埋
め込み、その後塗布膜を熱処理して、表面が平坦化され
た絶縁膜を形成する工程を少なくとも含む半導体装置の
製造方法であって、前記塗布膜を熱処理する際に、酸化
剤を含むガス雰囲気で熱処理を行うことを特徴とする。
置の製造方法は、表面に段差を有する基板上に、塗布膜
を形成し、前記基板を回転させることで、前記段差を埋
め込み、その後塗布膜を熱処理して、表面が平坦化され
た絶縁膜を形成する工程を少なくとも含む半導体装置の
製造方法であって、前記塗布膜を熱処理する際に、酸化
剤を含むガス雰囲気で熱処理を行うことを特徴とする。
【００１４】前記塗布膜を形成する前に、その下地層と
して、プラズマＣＶＤによる酸化シリコン膜を成膜する
ことが好ましい。この下地層の厚さは、特に限定されな
いが、５０〜３００ｎｍ程度が好ましい。その下地層と
しては、プラズマＣＶＤによる酸化シリコン膜に限定さ
れず、窒化膜などであっても良い。
して、プラズマＣＶＤによる酸化シリコン膜を成膜する
ことが好ましい。この下地層の厚さは、特に限定されな
いが、５０〜３００ｎｍ程度が好ましい。その下地層と
しては、プラズマＣＶＤによる酸化シリコン膜に限定さ
れず、窒化膜などであっても良い。
【００１５】前記酸化剤としては、Ｏ3 、Ｈ2 Ｏ、Ｄ2
ＯまたはＮＯ2 などを好ましく用いることができる。前
記塗布膜としては、いわゆるＳＯＧ膜が用いられるが、
その材質は、特に限定されず、有機ＳＯＧ、無機ＳＯＧ
などを用いることができる。本発明の第１の観点では、
塗布膜として、分子内にシラザン結合を有する化合物を
含有する無機ＳＯＧも用いることができる。分子内にシ
ラザン結合を有する化合物としては、特に限定されない
が、たとえばパーハイドロシラザン（perhydrosilazan
e）、あるいはその他の化合物を用いることができる。
ＯまたはＮＯ2 などを好ましく用いることができる。前
記塗布膜としては、いわゆるＳＯＧ膜が用いられるが、
その材質は、特に限定されず、有機ＳＯＧ、無機ＳＯＧ
などを用いることができる。本発明の第１の観点では、
塗布膜として、分子内にシラザン結合を有する化合物を
含有する無機ＳＯＧも用いることができる。分子内にシ
ラザン結合を有する化合物としては、特に限定されない
が、たとえばパーハイドロシラザン（perhydrosilazan
e）、あるいはその他の化合物を用いることができる。
【００１６】本発明の第２の観点に係る半導体装置の製
造方法は、表面に段差を有する基板上に、塗布膜を形成
し、前記基板を回転させることで、前記段差を埋め込
み、その後塗布膜を熱処理して、表面が平坦化された絶
縁膜を形成する工程を少なくとも含む半導体装置の製造
方法であって、前記塗布膜を熱処理する際に、塩基性物
質を含むガス雰囲気で熱処理を行うことを特徴とする。
造方法は、表面に段差を有する基板上に、塗布膜を形成
し、前記基板を回転させることで、前記段差を埋め込
み、その後塗布膜を熱処理して、表面が平坦化された絶
縁膜を形成する工程を少なくとも含む半導体装置の製造
方法であって、前記塗布膜を熱処理する際に、塩基性物
質を含むガス雰囲気で熱処理を行うことを特徴とする。
【００１７】前記塗布膜としては、いわゆるＳＯＧ膜が
用いられるが、その材質は、特に限定されず、有機ＳＯ
Ｇ、無機ＳＯＧなどを用いることができる。前記塗布膜
を形成する前に、その下地層として、プラズマＣＶＤに
よる酸化シリコン膜を成膜することが好ましい。この下
地層の厚さは、特に限定されないが、５０〜３００ｎｍ
程度が好ましい。その下地層としては、プラズマＣＶＤ
による酸化シリコン膜に限定されず、窒化膜などであっ
ても良い。
用いられるが、その材質は、特に限定されず、有機ＳＯ
Ｇ、無機ＳＯＧなどを用いることができる。前記塗布膜
を形成する前に、その下地層として、プラズマＣＶＤに
よる酸化シリコン膜を成膜することが好ましい。この下
地層の厚さは、特に限定されないが、５０〜３００ｎｍ
程度が好ましい。その下地層としては、プラズマＣＶＤ
による酸化シリコン膜に限定されず、窒化膜などであっ
ても良い。
【００１８】前記塩基性物質としては、ＮＨ3 に限ら
ず、有機塩基としてのメチルアミン、エチルアミンまた
はイソプロピルアミンなども用いることができる。
ず、有機塩基としてのメチルアミン、エチルアミンまた
はイソプロピルアミンなども用いることができる。
【００１９】
【発明の作用】良く知られているように、Ｏ3 は活性な
酸化剤であり、従来タイプのシロキサン結合を有するＳ
ＯＧのみならず、シラザン結合を有するＳＯＧでも充分
に酸化反応を進め、効率的にシロキサン結合を有する化
合物に変化させることができるので、良質の平坦化膜を
得ることができる。分子内にシラザン結合を有する化合
物を含有する無機ＳＯＧは、厚膜塗布が可能なことか
ら、平坦化特性に優れている。
酸化剤であり、従来タイプのシロキサン結合を有するＳ
ＯＧのみならず、シラザン結合を有するＳＯＧでも充分
に酸化反応を進め、効率的にシロキサン結合を有する化
合物に変化させることができるので、良質の平坦化膜を
得ることができる。分子内にシラザン結合を有する化合
物を含有する無機ＳＯＧは、厚膜塗布が可能なことか
ら、平坦化特性に優れている。
【００２０】また、本出願人による技術報告（例えば、
信学技報ＳＤＭ９３−１２４の第４１頁）に記載されて
いるように、アンモニアなどの塩基性物質を添加した酸
化剤と有機シリコンとの反応では、塩基性物質の触媒的
な働きで脱水縮合反応が進み、膜中の有機成分を低減で
きることがわかっている。この現象からの類推で、ＳＯ
Ｇを塩基性の雰囲中でベークすれば、脱水縮合反応が進
み、膜質が向上すると考えられる。
信学技報ＳＤＭ９３−１２４の第４１頁）に記載されて
いるように、アンモニアなどの塩基性物質を添加した酸
化剤と有機シリコンとの反応では、塩基性物質の触媒的
な働きで脱水縮合反応が進み、膜中の有機成分を低減で
きることがわかっている。この現象からの類推で、ＳＯ
Ｇを塩基性の雰囲中でベークすれば、脱水縮合反応が進
み、膜質が向上すると考えられる。
【００２１】
【実施例】以下に、本発明の具体的な実施例について説
明する。第１実施例 本実施例は、アルミニウム（Ａｌ）配線層間を平坦化し
た実施例である。
明する。第１実施例 本実施例は、アルミニウム（Ａｌ）配線層間を平坦化し
た実施例である。
【００２２】まず、図１（Ａ）に示すように、単結晶シ
リコン等から成る半導体基板１上に、酸化シリコン等か
ら成る第１の層間絶縁膜２およびＡｌ配線層３を形成し
た。半導体基板１と第１の層間絶縁膜２との間には、複
数の導電層および絶縁層が形成されていても良い。
リコン等から成る半導体基板１上に、酸化シリコン等か
ら成る第１の層間絶縁膜２およびＡｌ配線層３を形成し
た。半導体基板１と第１の層間絶縁膜２との間には、複
数の導電層および絶縁層が形成されていても良い。
【００２３】次に、ＳＯＧによる第２の層間絶縁膜の形
成に先立ち、以下の表２に示す条件で、第１の層間絶縁
膜およびＡｌ配線層３が形成された半導体基板１の表面
に、同図（Ｂ）に示すように、プラズマＣＶＤ層４を形
成した。ＣＶＤ装置としては、通常のプラズマＣＶＤ装
置を用いた。
成に先立ち、以下の表２に示す条件で、第１の層間絶縁
膜およびＡｌ配線層３が形成された半導体基板１の表面
に、同図（Ｂ）に示すように、プラズマＣＶＤ層４を形
成した。ＣＶＤ装置としては、通常のプラズマＣＶＤ装
置を用いた。
【００２４】
【表２】 ガス流量 ：ＴＥＯＳ/ Ｏ2 ＝６６０/ ５００SCCM 圧力 ：１３３０Ｐａ （１０Ｔｏｒｒ） 温度 ：４００°C ＲＦ ：７００Ｗ 上記条件で成膜されるプラズマＣＶＤ膜４の膜厚は、２
００ｎｍであった。
００ｎｍであった。
【００２５】次に同図（Ｃ）に示すように、ＳＯＧ法を
用いて、第２の層間絶縁膜５を形成した。本実施例で
は、シロキサン結合を有する分子構造のＳＯＧを用い
た。層間絶縁膜５の形成は、ＳＯＧコーター装置を用い
て、以下の表３に示す条件で行った。
用いて、第２の層間絶縁膜５を形成した。本実施例で
は、シロキサン結合を有する分子構造のＳＯＧを用い
た。層間絶縁膜５の形成は、ＳＯＧコーター装置を用い
て、以下の表３に示す条件で行った。
【００２６】
【表３】 使用ＳＯＧ ：無機タイプ （Ｓｉ−５９０００ＳＧ） 粘度 ：１．０４ｃｐ 回転数 ：３５００ｒｐｍ 回転時間 ：２０秒 ベーク条件 ：150 °C,1 分→200 °C,1 分→250 °C,
1 分→400 °C,60分 ベーク雰囲気：ＮＨ3 ベーク（熱処理）は、通常の場合、窒素ガスを用いる
が、ここでは窒素ガスの代わりにアンモニアガスを流し
た。
1 分→400 °C,60分 ベーク雰囲気：ＮＨ3 ベーク（熱処理）は、通常の場合、窒素ガスを用いる
が、ここでは窒素ガスの代わりにアンモニアガスを流し
た。
【００２７】本実施例では、アンモニア雰囲気下でベー
クしたので、脱水縮合反応が進み、膜中の有機成分や水
分を低減することができた。本実施例では、塩基性物質
を添加して、触媒のような働きをさせた。第２実施例 本実施例も、Ａｌ配線層間を平坦化した実施例である。
クしたので、脱水縮合反応が進み、膜中の有機成分や水
分を低減することができた。本実施例では、塩基性物質
を添加して、触媒のような働きをさせた。第２実施例 本実施例も、Ａｌ配線層間を平坦化した実施例である。
【００２８】実施例１と同じく、図２（Ａ）に示すよう
に、まず、単結晶シリコン等からなる半導体基板１上
に、酸化シリコン等からなる第１の層間絶縁膜２および
Ａｌ配線層３を形成した。半導体基板１と第１の層間絶
縁膜２との間には、複数の導電層および絶縁層が形成さ
れていても良い。
に、まず、単結晶シリコン等からなる半導体基板１上
に、酸化シリコン等からなる第１の層間絶縁膜２および
Ａｌ配線層３を形成した。半導体基板１と第１の層間絶
縁膜２との間には、複数の導電層および絶縁層が形成さ
れていても良い。
【００２９】次に、ＳＯＧによる第２の層間絶縁膜の形
成に先立ち、以下の表４に示す条件で、第１の層間絶縁
膜およびＡｌ配線層３が形成された半導体基板１の表面
に、同図（Ｂ）に示すように、プラズマＣＶＤ層４を形
成した。ＣＶＤ装置としては、通常のプラズマＣＶＤ装
置を用いた。
成に先立ち、以下の表４に示す条件で、第１の層間絶縁
膜およびＡｌ配線層３が形成された半導体基板１の表面
に、同図（Ｂ）に示すように、プラズマＣＶＤ層４を形
成した。ＣＶＤ装置としては、通常のプラズマＣＶＤ装
置を用いた。
【００３０】
【表４】 ガス流量 ：ＴＥＯＳ/ Ｏ2 ＝６６０/ ５００SCCM 圧力 ：１３３０Ｐａ （１０Ｔｏｒｒ） 温度 ：４００°C ＲＦ ：７００Ｗ 上記条件で成膜されるプラズマＣＶＤ膜４の膜厚は、２
００ｎｍであった。
００ｎｍであった。
【００３１】次に同図（Ｃ）に示すように、ＳＯＧ法を
用いて、第２の層間絶縁膜５ａを形成した。本実施例で
は、シロキサン結合を有する分子構造のＳＯＧを用い
た。層間絶縁膜５ａの形成は、ＳＯＧコーター装置を用
いて、以下の表５に示す条件で行った。
用いて、第２の層間絶縁膜５ａを形成した。本実施例で
は、シロキサン結合を有する分子構造のＳＯＧを用い
た。層間絶縁膜５ａの形成は、ＳＯＧコーター装置を用
いて、以下の表５に示す条件で行った。
【００３２】
【表５】 使用ＳＯＧ ：商品名セラメートＣＩＰ（触媒化成
（株）製） 粘度 ：１．０４ｃｐ 回転数 ：３５００ｒｐｍ 回転時間 ：２０秒 ベーク温度 ：150°C,1分→200°C,1分→250°C,1分→
460°C,60分 ベーク雰囲気：Ｏ3 ベークは、通常の場合、窒素ガスを用いるが、本実施例
では、窒素ガスの代わりにオゾンガスを流した。本実施
例では、オゾン雰囲気下でベークしたので、従来の方法
に比べ、酸化反応が進み、膜中のシザラン結合を効率的
にシロキサン結合に変えることができた。
（株）製） 粘度 ：１．０４ｃｐ 回転数 ：３５００ｒｐｍ 回転時間 ：２０秒 ベーク温度 ：150°C,1分→200°C,1分→250°C,1分→
460°C,60分 ベーク雰囲気：Ｏ3 ベークは、通常の場合、窒素ガスを用いるが、本実施例
では、窒素ガスの代わりにオゾンガスを流した。本実施
例では、オゾン雰囲気下でベークしたので、従来の方法
に比べ、酸化反応が進み、膜中のシザラン結合を効率的
にシロキサン結合に変えることができた。
【００３３】本実施例では、オゾンのみを用いたが、Ｈ
2 Ｏ、Ｄ2 Ｏ、Ｎ2 Ｏ等の他の酸化性ガスを添加して用
いることも考えられる。なお、、本発明は、当然のこと
ながら上記実施例に限定されるものではなく、本発明の
主旨を逸脱しない範囲内で、構造、条件等は適宜変更可
能である。
2 Ｏ、Ｄ2 Ｏ、Ｎ2 Ｏ等の他の酸化性ガスを添加して用
いることも考えられる。なお、、本発明は、当然のこと
ながら上記実施例に限定されるものではなく、本発明の
主旨を逸脱しない範囲内で、構造、条件等は適宜変更可
能である。
【００３４】
【発明の効果】以上述べたように、本発明を用いれば、
膜質の良いＳＯＧによる平滑化形状を有した層間絶縁膜
を作ることができる。従って、超ＬＳＩを信頼性の良い
プロセスで歩留まり良く、しかも、安価で製造すること
ができる。
膜質の良いＳＯＧによる平滑化形状を有した層間絶縁膜
を作ることができる。従って、超ＬＳＩを信頼性の良い
プロセスで歩留まり良く、しかも、安価で製造すること
ができる。
【図１】図１は本発明の一実施例に係る半導体装置の製
造過程を示す概略図である。
造過程を示す概略図である。
【図２】図２は本発明の他の実施例に係る半導体装置の
製造過程を示す概略図である。
製造過程を示す概略図である。
１… 半導体基板 ２… 第１の層間絶縁膜 ３… Ａｌ配線層 ４… プラズマＣＶＤ層 ５，５ａ… 第２の層間絶縁膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/90 Ｒ
Claims (5)
- 【請求項１】表面に段差を有する基板上に、塗布膜を形
成し、前記基板を回転させることで、前記段差を埋め込
み、その後塗布膜を熱処理して、表面が平坦化された絶
縁膜を形成する工程を少なくとも含む半導体装置の製造
方法であって、 前記塗布膜を熱処理する際に、酸化剤を含むガス雰囲気
で熱処理を行うことを特徴とする半導体装置の製造方
法。 - 【請求項２】前記酸化剤として、Ｏ3 、Ｈ2 Ｏ、Ｄ2 Ｏ
およびＮＯ2 のうちの少なくともいずれかを含む請求項
１に記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】前記塗布膜が、分子内にシラザン結合を有
する化合物を含有する請求項１または２に記載の半導体
装置の製造方法。 - 【請求項４】表面に段差を有する基板上に、塗布膜を形
成し、前記基板を回転させることで、前記段差を埋め込
み、その後塗布膜を熱処理して、表面が平坦化された絶
縁膜を形成する工程を少なくとも含む半導体装置の製造
方法であって、 前記塗布膜を熱処理する際に、塩基性物質を含むガス雰
囲気で熱処理を行うことを特徴とする半導体装置の製造
方法。 - 【請求項５】前記塩基性物質は、ＮＨ3 、メチルアミ
ン、エチルアミンおよびイソプロピルアミンのうちの少
なくともいずれかを含む請求項第４に記載の半導体装置
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13062894A JPH07335754A (ja) | 1994-06-13 | 1994-06-13 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13062894A JPH07335754A (ja) | 1994-06-13 | 1994-06-13 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07335754A true JPH07335754A (ja) | 1995-12-22 |
Family
ID=15038795
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13062894A Pending JPH07335754A (ja) | 1994-06-13 | 1994-06-13 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07335754A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6069400A (en) * | 1996-11-28 | 2000-05-30 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device and method of fabricating the same |
| JP2013517616A (ja) * | 2010-01-06 | 2013-05-16 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 酸化物ライナを使用する流動可能な誘電体 |
-
1994
- 1994-06-13 JP JP13062894A patent/JPH07335754A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6069400A (en) * | 1996-11-28 | 2000-05-30 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device and method of fabricating the same |
| JP2013517616A (ja) * | 2010-01-06 | 2013-05-16 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 酸化物ライナを使用する流動可能な誘電体 |
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