JPH07335815A - リードフレーム及びこれを用いた半導体装置 - Google Patents
リードフレーム及びこれを用いた半導体装置Info
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- JPH07335815A JPH07335815A JP6130051A JP13005194A JPH07335815A JP H07335815 A JPH07335815 A JP H07335815A JP 6130051 A JP6130051 A JP 6130051A JP 13005194 A JP13005194 A JP 13005194A JP H07335815 A JPH07335815 A JP H07335815A
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 封止樹脂とダイパッドとの密着性を向上させ
て信頼性の高い半導体装置を得る。 【構成】 半導体チップを搭載するダイパッドを有する
樹脂封止型半導体装置に用いるリードフレームにおい
て、前記ダイパッドに切欠１２が設けられ、前記切欠１
２の縁部に、凹部および該凹部の底面から外方に突出す
る突起部を有するつぶし部１６が設けられたことを特徴
とする。
て信頼性の高い半導体装置を得る。 【構成】 半導体チップを搭載するダイパッドを有する
樹脂封止型半導体装置に用いるリードフレームにおい
て、前記ダイパッドに切欠１２が設けられ、前記切欠１
２の縁部に、凹部および該凹部の底面から外方に突出す
る突起部を有するつぶし部１６が設けられたことを特徴
とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はリードフレーム及びこれ
を用いた半導体装置に関する。
を用いた半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】樹脂封止型の半導体装置ではダイパッド
と封止樹脂との間の密着性が問題となっている。これは
封止樹脂が吸湿性を有することから、半導体装置を基板
などに実装する際のリフロー工程において加熱されると
封止樹脂中に取り込まれた水分がダイパッドの裏面と封
止樹脂との界面部分で気化して膨張し、当該個所でダイ
パッドと封止樹脂とを剥離させたり封止樹脂にクラック
を生じさせるといったことが起きるからである。とく
に、最近は大型の半導体チップを搭載するようになった
こととパッケージが薄型になっていることから、上記の
ような問題が起こりやすい。
と封止樹脂との間の密着性が問題となっている。これは
封止樹脂が吸湿性を有することから、半導体装置を基板
などに実装する際のリフロー工程において加熱されると
封止樹脂中に取り込まれた水分がダイパッドの裏面と封
止樹脂との界面部分で気化して膨張し、当該個所でダイ
パッドと封止樹脂とを剥離させたり封止樹脂にクラック
を生じさせるといったことが起きるからである。とく
に、最近は大型の半導体チップを搭載するようになった
こととパッケージが薄型になっていることから、上記の
ような問題が起こりやすい。
【０００３】このため、ダイパッドと封止樹脂との密着
性を向上させる方法が種々なされてきた。たとえば、ダ
イパッドの裏面にディンプル加工を施したり、ダイパッ
ドに透孔を設けたりして封止樹脂とのくい付きを改善す
るといった方法である。図１３はダイパッドと封止樹脂
との密着性を向上させる方法としてダイパッド５０の裏
面に円形状の穴５１を設け、穴５１の内周縁につぶし加
工を施す方法を示す（特開平1-278055号公報) 。この方
法では、ポンチ５３で十字形につぶし加工を施し、図１
４に示すように突起部５２を穴５１の内側に向けて形成
することによって突起部５２が封止樹脂にくい込み、封
止樹脂とダイパッド５０との密着性を向上させている。
性を向上させる方法が種々なされてきた。たとえば、ダ
イパッドの裏面にディンプル加工を施したり、ダイパッ
ドに透孔を設けたりして封止樹脂とのくい付きを改善す
るといった方法である。図１３はダイパッドと封止樹脂
との密着性を向上させる方法としてダイパッド５０の裏
面に円形状の穴５１を設け、穴５１の内周縁につぶし加
工を施す方法を示す（特開平1-278055号公報) 。この方
法では、ポンチ５３で十字形につぶし加工を施し、図１
４に示すように突起部５２を穴５１の内側に向けて形成
することによって突起部５２が封止樹脂にくい込み、封
止樹脂とダイパッド５０との密着性を向上させている。
【０００４】図１５はダイパッドと封止樹脂との密着性
を向上させる他の従来例で、ダイパッド５０に複数の切
り込み５４を平行に設けて、ダイパッド５０と封止樹脂
とのくい付きを改善することによってダイパッド５０と
封止樹脂との密着性を向上させている（特開平4-307760
号公報) 。
を向上させる他の従来例で、ダイパッド５０に複数の切
り込み５４を平行に設けて、ダイパッド５０と封止樹脂
とのくい付きを改善することによってダイパッド５０と
封止樹脂との密着性を向上させている（特開平4-307760
号公報) 。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記のように、従来も
ダイパッドに種々の加工を施して、封止樹脂とダイパッ
ドとの密着性の向上を図ってきたが、従来方法ではダイ
パッドと封止樹脂との密着性が不十分な場合があった。
本発明は、ダイパッドと封止樹脂との密着性をさらに改
善することができ、大型の半導体チップを搭載するよう
な場合であっても封止樹脂の剥離やそれに伴って封止樹
脂にクラックが生じるといった問題を解消できる信頼性
の高いリードフレーム及びこれを用いた半導体装置を提
供することを目的とする。
ダイパッドに種々の加工を施して、封止樹脂とダイパッ
ドとの密着性の向上を図ってきたが、従来方法ではダイ
パッドと封止樹脂との密着性が不十分な場合があった。
本発明は、ダイパッドと封止樹脂との密着性をさらに改
善することができ、大型の半導体チップを搭載するよう
な場合であっても封止樹脂の剥離やそれに伴って封止樹
脂にクラックが生じるといった問題を解消できる信頼性
の高いリードフレーム及びこれを用いた半導体装置を提
供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するため次の構成を備える。すなわち、半導体チップを
搭載するダイパッドを有する樹脂封止型半導体装置に用
いるリードフレームにおいて、前記ダイパッドに貫通孔
および／または切欠きが設けられ、前記貫通孔または切
欠きの縁部に、凹部および該凹部の底面から外方に突出
する突起部を有するつぶし部が設けられたことを特徴と
する。また、前記凹部が隣接する貫通孔間あるいは切欠
き間のダイパッド面を横切って設けられたことを特徴と
する。また、前記リードフレームに半導体チップを搭載
して樹脂封止して成る半導体装置であって、前記ダイパ
ッドで前記凹部が形成されていない面上に前記半導体チ
ップが搭載されて樹脂封止されたことを特徴とする。ま
た、前記リードフレームに半導体チップを搭載して樹脂
封止して成る半導体装置であって、前記ダイパッドで前
記凹部を形成した面上に前記半導体チップが搭載されて
樹脂封止されたことを特徴とする。
するため次の構成を備える。すなわち、半導体チップを
搭載するダイパッドを有する樹脂封止型半導体装置に用
いるリードフレームにおいて、前記ダイパッドに貫通孔
および／または切欠きが設けられ、前記貫通孔または切
欠きの縁部に、凹部および該凹部の底面から外方に突出
する突起部を有するつぶし部が設けられたことを特徴と
する。また、前記凹部が隣接する貫通孔間あるいは切欠
き間のダイパッド面を横切って設けられたことを特徴と
する。また、前記リードフレームに半導体チップを搭載
して樹脂封止して成る半導体装置であって、前記ダイパ
ッドで前記凹部が形成されていない面上に前記半導体チ
ップが搭載されて樹脂封止されたことを特徴とする。ま
た、前記リードフレームに半導体チップを搭載して樹脂
封止して成る半導体装置であって、前記ダイパッドで前
記凹部を形成した面上に前記半導体チップが搭載されて
樹脂封止されたことを特徴とする。
【０００７】
【作用】本発明に係るリードフレームはダイパッドに貫
通孔および／または切欠きを設けたことによって半導体
チップの下面と封止樹脂とがじかに密着し、これによっ
て半導体チップと封止樹脂との密着性を向上させること
ができるとともに、貫通孔あるいは切欠きの縁部に設け
た凹部および突起によりさらに封止樹脂とのくい付きを
向上させて封止樹脂とダイパッドとの密着性を向上させ
る。
通孔および／または切欠きを設けたことによって半導体
チップの下面と封止樹脂とがじかに密着し、これによっ
て半導体チップと封止樹脂との密着性を向上させること
ができるとともに、貫通孔あるいは切欠きの縁部に設け
た凹部および突起によりさらに封止樹脂とのくい付きを
向上させて封止樹脂とダイパッドとの密着性を向上させ
る。
【０００８】
【実施例】以下、本発明の好適な実施例を添付図面に基
づいて詳細に説明する。図１は本発明に係るリードフレ
ームの一実施例を示す平面図で、封止樹脂との密着性が
問題となるダイパッド１０部分を拡大して示している。
この実施例のリードフレームはダイパッド１０の両側縁
から中央部に向けて細幅の切欠き１２を設け、細幅の支
持片１４が両側に延出した形状に形成される。そして、
各々の支持片１４の縁部に散点的につぶし部１６が形成
されている。１８はダイパッド１０に接続するステージ
サポートバーである。
づいて詳細に説明する。図１は本発明に係るリードフレ
ームの一実施例を示す平面図で、封止樹脂との密着性が
問題となるダイパッド１０部分を拡大して示している。
この実施例のリードフレームはダイパッド１０の両側縁
から中央部に向けて細幅の切欠き１２を設け、細幅の支
持片１４が両側に延出した形状に形成される。そして、
各々の支持片１４の縁部に散点的につぶし部１６が形成
されている。１８はダイパッド１０に接続するステージ
サポートバーである。
【０００９】図２、３は上記リードフレームをプレス抜
き加工によって製造する方法を示す。図２はリードフレ
ーム材に対しダイパッド１０の形成位置に合わせてスリ
ット孔２０を形成した状態を示し、次いで、図３に示す
ようにスリット孔２０の縁部分にポンチでつぶし加工を
施してつぶし部１６を形成する。これらの加工では、後
工程で切り離す支持片１４の先端部分をつなげて加工す
る方がダイパッド１０の変形を抑えることができる点で
好適である。
き加工によって製造する方法を示す。図２はリードフレ
ーム材に対しダイパッド１０の形成位置に合わせてスリ
ット孔２０を形成した状態を示し、次いで、図３に示す
ようにスリット孔２０の縁部分にポンチでつぶし加工を
施してつぶし部１６を形成する。これらの加工では、後
工程で切り離す支持片１４の先端部分をつなげて加工す
る方がダイパッド１０の変形を抑えることができる点で
好適である。
【００１０】そして、つぶし部１６を形成した後、支持
片１４の先端の連結部分を切り落とすことによって図１
に示すように、複数の切欠き１２を形成したダイパッド
１０が得られる。実際にリードフレームを製造する場合
は、帯状のリードフレーム材が複数の加工工程を次々と
経て所定形状のリードフレームに形成されていくから、
上記のスリット孔２０やつぶし部１６の加工はこれらの
一連の加工工程中に組み込んで行う。
片１４の先端の連結部分を切り落とすことによって図１
に示すように、複数の切欠き１２を形成したダイパッド
１０が得られる。実際にリードフレームを製造する場合
は、帯状のリードフレーム材が複数の加工工程を次々と
経て所定形状のリードフレームに形成されていくから、
上記のスリット孔２０やつぶし部１６の加工はこれらの
一連の加工工程中に組み込んで行う。
【００１１】なお、リードフレーム材を金型で抜いてい
く順序は製品によって適宜設定されるから、スリット孔
２０やつぶし部１６を形成する加工も全体の加工工程に
合わせて適宜設定すればよい。上記実施例ではダイパッ
ド１０の外形形状を成形してからスリット孔２０を抜い
ているが、スリット孔２０を先に抜き加工し、つぶし部
１６を形成した後にダイパッド１０の外周を抜き加工し
てダイパッド１０を成形することもできる。
く順序は製品によって適宜設定されるから、スリット孔
２０やつぶし部１６を形成する加工も全体の加工工程に
合わせて適宜設定すればよい。上記実施例ではダイパッ
ド１０の外形形状を成形してからスリット孔２０を抜い
ているが、スリット孔２０を先に抜き加工し、つぶし部
１６を形成した後にダイパッド１０の外周を抜き加工し
てダイパッド１０を成形することもできる。
【００１２】図４に上記方法によって形成した支持片１
４とつぶし部１６を拡大して示す。つぶし部１６は支持
片１４の縁部をポンチでつぶし加工することによって形
成した凹部１６ａと凹部１６ｂの底面から外方にひさし
状に突出する突起部１６ｂからなる。この突起部１６ｂ
は半導体チップを搭載して樹脂封止した際にダイパッド
と封止樹脂とのくい付き性を良好にする作用を奏する。
４とつぶし部１６を拡大して示す。つぶし部１６は支持
片１４の縁部をポンチでつぶし加工することによって形
成した凹部１６ａと凹部１６ｂの底面から外方にひさし
状に突出する突起部１６ｂからなる。この突起部１６ｂ
は半導体チップを搭載して樹脂封止した際にダイパッド
と封止樹脂とのくい付き性を良好にする作用を奏する。
【００１３】図５はダイパッド１０に半導体チップ２２
を搭載して樹脂封止した状態で、ダイパッド１０部分の
断面を拡大して示した図である。半導体チップ２０をダ
イパッド１０に搭載する場合、通常はディンプル加工等
を施した面を外側（半導体チップ搭載面の裏面）にして
搭載する。本実施例の場合もつぶし部１６を設けた面を
半導体チップ２２の搭載面の裏面としてダイパッド１０
に半導体チップ２２を搭載する。
を搭載して樹脂封止した状態で、ダイパッド１０部分の
断面を拡大して示した図である。半導体チップ２０をダ
イパッド１０に搭載する場合、通常はディンプル加工等
を施した面を外側（半導体チップ搭載面の裏面）にして
搭載する。本実施例の場合もつぶし部１６を設けた面を
半導体チップ２２の搭載面の裏面としてダイパッド１０
に半導体チップ２２を搭載する。
【００１４】半導体チップ２２は一定間隔をおいて形成
された支持片１４に支持される。この状態で樹脂封止す
ると、封止樹脂２４は図５に示すように支持片１４の隙
間部分に入り込んで硬化するから半導体チップ２２の下
面と封止樹脂２４とがじかに密着する。半導体チップ２
２の下面は通常コーティングされており、半導体チップ
２２の下面と封止樹脂２４との密着性は半導体チップ２
２とダイパッド１０との密着性よりも良好であるから、
この実施例のようにダイパッド１０に切欠き１２を設け
て半導体チップ２２と封止樹脂２４とがじかに密着する
ように構成することはダイパッドの裏面での剥離を防止
する上で効果的である。
された支持片１４に支持される。この状態で樹脂封止す
ると、封止樹脂２４は図５に示すように支持片１４の隙
間部分に入り込んで硬化するから半導体チップ２２の下
面と封止樹脂２４とがじかに密着する。半導体チップ２
２の下面は通常コーティングされており、半導体チップ
２２の下面と封止樹脂２４との密着性は半導体チップ２
２とダイパッド１０との密着性よりも良好であるから、
この実施例のようにダイパッド１０に切欠き１２を設け
て半導体チップ２２と封止樹脂２４とがじかに密着する
ように構成することはダイパッドの裏面での剥離を防止
する上で効果的である。
【００１５】また、実施例のリードフレームの場合は封
止樹脂２４がダイパッド１０の支持片１４の間に入り込
んで樹脂封止されるから、支持片１４が封止樹脂２４内
に埋没した状態となり、これによってダイパッド１０全
体と封止樹脂２４とのくい付き性を向上させることがで
きる。また、本実施例の場合は、図５に示すようにつぶ
し部１６に形成された突起部１６ｂが封止樹脂２４中に
くい込んで樹脂封止されるから、つぶし部１６によって
ダイパッド１０と封止樹脂２４とのくい付きをさらに向
上させる作用もある。
止樹脂２４がダイパッド１０の支持片１４の間に入り込
んで樹脂封止されるから、支持片１４が封止樹脂２４内
に埋没した状態となり、これによってダイパッド１０全
体と封止樹脂２４とのくい付き性を向上させることがで
きる。また、本実施例の場合は、図５に示すようにつぶ
し部１６に形成された突起部１６ｂが封止樹脂２４中に
くい込んで樹脂封止されるから、つぶし部１６によって
ダイパッド１０と封止樹脂２４とのくい付きをさらに向
上させる作用もある。
【００１６】なお、上記実施例では支持片１４に散点状
につぶし部１６を設けたが、図６に示すように支持片１
４の縁部に沿って比較的長くつぶし部１６を設けること
もできる。また、図７に示すようにダイパッド１０に切
欠き１２を設ける際に縦横に設けることも可能である。
この実施例の場合も、支持片１４の縁部につぶし部１６
を設けている。なお、これら実施例のようにダイパッド
１０に切欠き１２を設けるかわりに、図３に示すような
ダイパッド１０に貫通孔を設けて、貫通孔の縁部につぶ
し部１６を散点的に設けるようにした場合や、図示しな
いが縁部に沿って比較的長くつぶし部１６を設けるよう
にした場合でも上記実施例と同様な効果を得ることがで
きる。
につぶし部１６を設けたが、図６に示すように支持片１
４の縁部に沿って比較的長くつぶし部１６を設けること
もできる。また、図７に示すようにダイパッド１０に切
欠き１２を設ける際に縦横に設けることも可能である。
この実施例の場合も、支持片１４の縁部につぶし部１６
を設けている。なお、これら実施例のようにダイパッド
１０に切欠き１２を設けるかわりに、図３に示すような
ダイパッド１０に貫通孔を設けて、貫通孔の縁部につぶ
し部１６を散点的に設けるようにした場合や、図示しな
いが縁部に沿って比較的長くつぶし部１６を設けるよう
にした場合でも上記実施例と同様な効果を得ることがで
きる。
【００１７】ダイパッド１０に貫通孔を設けることによ
って半導体チップ２２の下面と封止樹脂２４とをじかに
密着させて半導体チップ２２と封止樹脂２４との密着性
を向上させることもできるし、貫通孔の縁部に設けたつ
ぶし部１６によって、封止樹脂２４とダイパッド１０と
の間のくい付きの効果も得ることができる。ただし、貫
通孔を設けた場合は上記切欠き１２を形成した場合より
も半導体チップ２２と封止樹脂２４との密着部分の面積
が制限される。
って半導体チップ２２の下面と封止樹脂２４とをじかに
密着させて半導体チップ２２と封止樹脂２４との密着性
を向上させることもできるし、貫通孔の縁部に設けたつ
ぶし部１６によって、封止樹脂２４とダイパッド１０と
の間のくい付きの効果も得ることができる。ただし、貫
通孔を設けた場合は上記切欠き１２を形成した場合より
も半導体チップ２２と封止樹脂２４との密着部分の面積
が制限される。
【００１８】図８はリードフレームのダイパッド１０部
分の他の実施例を示す平面図である。この実施例のリー
ドフレームもダイパッド１０に切欠き１２を設け、支持
片１４の上面につぶし部１６を設けているが、上記実施
例とは異なり各々の支持片１４の上面の幅全体につぶし
部１６を設けている。
分の他の実施例を示す平面図である。この実施例のリー
ドフレームもダイパッド１０に切欠き１２を設け、支持
片１４の上面につぶし部１６を設けているが、上記実施
例とは異なり各々の支持片１４の上面の幅全体につぶし
部１６を設けている。
【００１９】図９は図８に示すリードフレームを製造す
る方法を示す説明図で、リードフレーム材にダイパッド
１０部を形成し、スリット孔２０を設けた後、支持片１
４の幅方向の全体をポンチでつぶし加工してつぶし部１
６を形成する。本実施例の場合は一度に全部の支持片１
４を横切るポンチを使ってつぶし加工することができ
る。図１０に支持片１４に設けたつぶし部１６を示す。
本実施例の場合は図のように支持片１４の幅全体に凹部
１６ａが形成され、凹部１６ａの底面から外方に突起部
１６ｂが延出する。
る方法を示す説明図で、リードフレーム材にダイパッド
１０部を形成し、スリット孔２０を設けた後、支持片１
４の幅方向の全体をポンチでつぶし加工してつぶし部１
６を形成する。本実施例の場合は一度に全部の支持片１
４を横切るポンチを使ってつぶし加工することができ
る。図１０に支持片１４に設けたつぶし部１６を示す。
本実施例の場合は図のように支持片１４の幅全体に凹部
１６ａが形成され、凹部１６ａの底面から外方に突起部
１６ｂが延出する。
【００２０】図１１は本実施例のリードフレームに半導
体チップ２２を搭載して樹脂封止した状態で、ダイパッ
ド１０部分を拡大して示す。図はダイパッド１０の支持
片１４上でつぶし部１６を通過する面での断面図であ
る。本実施例のリードフレームに半導体チップ２２を搭
載する場合も図５に示すようにつぶし部１６を半導体チ
ップ２２の搭載面の裏面側に設けることも可能である
が、図１１ではつぶし部１６を設けたダイパッド１０面
側を半導体チップ２２の搭載面として樹脂封止した例を
示す。
体チップ２２を搭載して樹脂封止した状態で、ダイパッ
ド１０部分を拡大して示す。図はダイパッド１０の支持
片１４上でつぶし部１６を通過する面での断面図であ
る。本実施例のリードフレームに半導体チップ２２を搭
載する場合も図５に示すようにつぶし部１６を半導体チ
ップ２２の搭載面の裏面側に設けることも可能である
が、図１１ではつぶし部１６を設けたダイパッド１０面
側を半導体チップ２２の搭載面として樹脂封止した例を
示す。
【００２１】このようにつぶし部１６を半導体チップ２
２の搭載面側にして樹脂封止した場合は、支持片１４に
設けたつぶし部１６の凹部１６ａが支持片１４の上面で
幅方向に連通しているから、半導体チップ２２を搭載し
て樹脂封止した際に凹部１６ａ内に封止樹脂２４が入り
込んで封止樹脂２４とダイパッド１０が好適に一体化さ
れる。
２の搭載面側にして樹脂封止した場合は、支持片１４に
設けたつぶし部１６の凹部１６ａが支持片１４の上面で
幅方向に連通しているから、半導体チップ２２を搭載し
て樹脂封止した際に凹部１６ａ内に封止樹脂２４が入り
込んで封止樹脂２４とダイパッド１０が好適に一体化さ
れる。
【００２２】ダイパッド１０と半導体チップ２２とはダ
イ付けによって強力に接合されているから、上記のよう
につぶし部１６の凹部１６ａ内に封止樹脂２４を入り込
ませて一体に硬化させるようにすれば、封止樹脂２４と
ダイパッド１０との間の剥離を有効に防止することが可
能になる。なお、このようにつぶし部１６を形成した面
に半導体チップ２２を搭載する方法は先の実施例の場合
にも適用することは可能である。ただし、つぶし部１６
のつぶし深さは支持片１４の厚さにくらべて必ずしも深
くできないから、本実施例のように凹部１６ａが幅方向
に連通していない場合は封止樹脂２４とダイパッド１０
との剥離を抑制する作用は弱くなる。
イ付けによって強力に接合されているから、上記のよう
につぶし部１６の凹部１６ａ内に封止樹脂２４を入り込
ませて一体に硬化させるようにすれば、封止樹脂２４と
ダイパッド１０との間の剥離を有効に防止することが可
能になる。なお、このようにつぶし部１６を形成した面
に半導体チップ２２を搭載する方法は先の実施例の場合
にも適用することは可能である。ただし、つぶし部１６
のつぶし深さは支持片１４の厚さにくらべて必ずしも深
くできないから、本実施例のように凹部１６ａが幅方向
に連通していない場合は封止樹脂２４とダイパッド１０
との剥離を抑制する作用は弱くなる。
【００２３】また、上記図８に示すように支持片１４の
幅方向の全体につぶし部１６を設ける場合は、支持片１
４の他方の面にもつぶし部１６を設けるようにすること
も可能である。この場合は、半導体チップ２２を搭載す
る面とこの搭載面の裏面に設けたつぶし部の双方の作用
によって封止樹脂の剥離を防止することが可能になる。
幅方向の全体につぶし部１６を設ける場合は、支持片１
４の他方の面にもつぶし部１６を設けるようにすること
も可能である。この場合は、半導体チップ２２を搭載す
る面とこの搭載面の裏面に設けたつぶし部の双方の作用
によって封止樹脂の剥離を防止することが可能になる。
【００２４】上記実施例はプレス加工によって製造する
リードフレームの場合について説明したが、支持片１４
の上面に幅方向に連通する凹部１６ａを設けてダイパッ
ドと封止樹脂との剥離を防止する方法による場合は、エ
ッチング方法によって製造するリードフレームについて
も適用できる。図１２は支持片１４の一方の面にエッチ
ングを施して図１０に示すと同様な凹部１６ａを形成し
た例を示す。この実施例の場合も凹部１６ａを形成した
面を半導体チップの搭載面として樹脂封止することによ
って、ダイパッドと封止樹脂との密着性を向上させるこ
とができ、信頼性の高い半導体装置として提供すること
が可能になる。
リードフレームの場合について説明したが、支持片１４
の上面に幅方向に連通する凹部１６ａを設けてダイパッ
ドと封止樹脂との剥離を防止する方法による場合は、エ
ッチング方法によって製造するリードフレームについて
も適用できる。図１２は支持片１４の一方の面にエッチ
ングを施して図１０に示すと同様な凹部１６ａを形成し
た例を示す。この実施例の場合も凹部１６ａを形成した
面を半導体チップの搭載面として樹脂封止することによ
って、ダイパッドと封止樹脂との密着性を向上させるこ
とができ、信頼性の高い半導体装置として提供すること
が可能になる。
【００２５】
【発明の効果】本発明に係るリードフレーム及びこれを
用いた半導体装置によれば、上述したように、封止樹脂
とリードフレームのダイパッドとの間の密着性を有効に
向上させることができ、ダイパッドと封止樹脂とが剥離
したり封止樹脂にクラックが発生したりすることを好適
に防止して、信頼性の高い半導体装置として提供し得る
等の著効を奏する。
用いた半導体装置によれば、上述したように、封止樹脂
とリードフレームのダイパッドとの間の密着性を有効に
向上させることができ、ダイパッドと封止樹脂とが剥離
したり封止樹脂にクラックが発生したりすることを好適
に防止して、信頼性の高い半導体装置として提供し得る
等の著効を奏する。
【図１】リードフレームの一実施例を示す平面図であ
る。
る。
【図２】リードフレームの製造方法を示す説明図であ
る。
る。
【図３】リードフレームの製造方法を示す説明図であ
る。
る。
【図４】支持片に設けたつぶし部を拡大して示す斜視図
である。
である。
【図５】リードフレームに半導体チップを搭載して樹脂
封止した状態を示す説明図である。
封止した状態を示す説明図である。
【図６】ダイパッドに設けるつぶし部の他の例を示す説
明図である。
明図である。
【図７】ダイパッドの他の形態を示す説明図である。
【図８】ダイパッドに設けるつぶし部の他の形成例を示
す説明図である。
す説明図である。
【図９】リードフレームの製造方法を示す説明図であ
る。
る。
【図１０】支持片に設けたつぶし部を拡大して示す説明
図である。
図である。
【図１１】リードフレームに半導体チップを搭載して樹
脂封止した状態を示す説明図である。
脂封止した状態を示す説明図である。
【図１２】エッチング方法によって支持片に設けたつぶ
し部を拡大して示す説明図である。
し部を拡大して示す説明図である。
【図１３】従来のダイパッドの形成例を示す説明図であ
る。
る。
【図１４】従来のダイパッドの形成方法を示す説明図で
ある。
ある。
【図１５】ダイパッドの他の従来例を示す説明図であ
る。
る。
１０ ダイパッド １２ 切欠き １４ 支持片 １６ つぶし部 １６ａ 凹部 １６ｂ 突起部 ２０ スリット孔 ２２ 半導体チップ ２４ 封止樹脂
Claims (4)
- 【請求項１】 半導体チップを搭載するダイパッドを有
する樹脂封止型半導体装置に用いるリードフレームにお
いて、 前記ダイパッドに貫通孔および／または切欠きが設けら
れ、 前記貫通孔または切欠きの縁部に、凹部および該凹部の
底面から外方に突出する突起部を有するつぶし部が設け
られたことを特徴とするリードフレーム。 - 【請求項２】 前記凹部が隣接する貫通孔間あるいは切
欠き間のダイパッド面を横切って設けられたことを特徴
とする請求項１記載のリードフレーム。 - 【請求項３】 請求項１または２記載のリードフレーム
に半導体チップを搭載して樹脂封止して成る半導体装置
であって、 前記ダイパッドで前記凹部が形成されていない面上に前
記半導体チップが搭載されて樹脂封止されたことを特徴
とする半導体装置。 - 【請求項４】 請求項２記載のリードフレームに半導体
チップを搭載して樹脂封止して成る半導体装置であっ
て、 前記ダイパッドで前記凹部を形成した面上に前記半導体
チップが搭載されて樹脂封止されたことを特徴とする半
導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6130051A JPH07335815A (ja) | 1994-06-13 | 1994-06-13 | リードフレーム及びこれを用いた半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6130051A JPH07335815A (ja) | 1994-06-13 | 1994-06-13 | リードフレーム及びこれを用いた半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07335815A true JPH07335815A (ja) | 1995-12-22 |
Family
ID=15024891
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6130051A Pending JPH07335815A (ja) | 1994-06-13 | 1994-06-13 | リードフレーム及びこれを用いた半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07335815A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1024532A3 (en) * | 1999-01-28 | 2001-04-18 | Fujitsu Limited | Semiconductor device and method of producing the same |
| EP1073116A3 (en) * | 1999-07-09 | 2002-03-27 | Shinko Electric Industries Co. Ltd. | Lead frame and semiconductor device |
| KR100476667B1 (ko) * | 1997-09-25 | 2005-08-10 | 삼성전자주식회사 | 리드프레임및이를이용한반도체칩패키지 |
| JP2006005281A (ja) * | 2004-06-21 | 2006-01-05 | Nippon Inter Electronics Corp | リードフレーム及びその製造方法並びに樹脂封止型半導体装置 |
| US7964942B2 (en) | 2003-05-28 | 2011-06-21 | Yamaha Corporation | Lead frame having a die stage smaller than a semiconductor device and a semiconductor device using the same |
| JP2017059781A (ja) * | 2015-09-18 | 2017-03-23 | 日本精工株式会社 | 半導体モジュールと、これを備えた駆動装置、電動パワーステアリング装置および車両 |
-
1994
- 1994-06-13 JP JP6130051A patent/JPH07335815A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100476667B1 (ko) * | 1997-09-25 | 2005-08-10 | 삼성전자주식회사 | 리드프레임및이를이용한반도체칩패키지 |
| EP1024532A3 (en) * | 1999-01-28 | 2001-04-18 | Fujitsu Limited | Semiconductor device and method of producing the same |
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| JP2006005281A (ja) * | 2004-06-21 | 2006-01-05 | Nippon Inter Electronics Corp | リードフレーム及びその製造方法並びに樹脂封止型半導体装置 |
| JP2017059781A (ja) * | 2015-09-18 | 2017-03-23 | 日本精工株式会社 | 半導体モジュールと、これを備えた駆動装置、電動パワーステアリング装置および車両 |
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