JPH07335816A - 放熱板 - Google Patents
放熱板Info
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- JPH07335816A JPH07335816A JP6130737A JP13073794A JPH07335816A JP H07335816 A JPH07335816 A JP H07335816A JP 6130737 A JP6130737 A JP 6130737A JP 13073794 A JP13073794 A JP 13073794A JP H07335816 A JPH07335816 A JP H07335816A
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- semiconductor element
- inner lead
- mounting portion
- heat dissipation
- dissipation plate
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- H10W72/30—Die-attach connectors
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10W72/01—Manufacture or treatment
- H10W72/013—Manufacture or treatment of die-attach connectors
- H10W72/01308—Manufacture or treatment of die-attach connectors using permanent auxiliary members, e.g. using alignment marks
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W72/851—Dispositions of multiple connectors or interconnections
- H10W72/874—On different surfaces
- H10W72/884—Die-attach connectors and bond wires
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/731—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors
- H10W90/736—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】半導体装置の小型化を妨げることなく、インナ
リードと放熱板および半導体素子との短絡を防止すると
ともに、半導体素子とワイヤとの接触を防止し、生産性
を向上することのできる放熱板を提供する。 【構成】放熱板１２には、両側端部にインナリード取付
部１２ａが設けられている。そのインナリード取付部１
２ａより内側の放熱板１２ほぼ中央には素子収納用凹部
１２ｂが形成されている。この素子収納用凹部１２ａに
は半導体素子１５が半田１６を介して搭載されている。
また、インナリード取付部１２ａには、インナリード１
３が絶縁性接着剤１７を介して固着されている。半導体
素子１５の電極とインリード１３とがワイヤ１８によっ
て電気的に接続されている。そしてこのように構成され
た半導体装置は半導体素子１５およびワイヤ１８を保護
するためにモールド樹脂１９により封止されている。
リードと放熱板および半導体素子との短絡を防止すると
ともに、半導体素子とワイヤとの接触を防止し、生産性
を向上することのできる放熱板を提供する。 【構成】放熱板１２には、両側端部にインナリード取付
部１２ａが設けられている。そのインナリード取付部１
２ａより内側の放熱板１２ほぼ中央には素子収納用凹部
１２ｂが形成されている。この素子収納用凹部１２ａに
は半導体素子１５が半田１６を介して搭載されている。
また、インナリード取付部１２ａには、インナリード１
３が絶縁性接着剤１７を介して固着されている。半導体
素子１５の電極とインリード１３とがワイヤ１８によっ
て電気的に接続されている。そしてこのように構成され
た半導体装置は半導体素子１５およびワイヤ１８を保護
するためにモールド樹脂１９により封止されている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は放熱板に関し、特にその
表面端部にインナリードが固着された放熱板に関する。
表面端部にインナリードが固着された放熱板に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に半導体装置において、半導体素子
に発生した熱を外部に放出するための放熱板を備えたリ
ードフレームは図８に示すような構造になっている。リ
ードフレーム３１は放熱板３２とインナリード３３及び
アウタリード３４からなる複数のリードとにより構成さ
れている。前記放熱板３２は略長方形をしており、その
表面ほぼ中央には半導体素子３５が半田３６を介して接
合されている。放熱板３２の端部には複数のインナリー
ド３３が絶縁性接着剤３７を介して固着されている。こ
のインナリード３３はワイヤ３８によって半導体素子３
５と電気的に接続されている。そして、これらワイヤ３
８及び半導体素子３５を保護するためモールド樹脂３９
により封止されている。このように構成された半導体装
置において、半導体素子３５に電流が流れているときに
発生する熱は半田３６を介して放熱板３２に伝導され外
部へ放出されるようになっている。
に発生した熱を外部に放出するための放熱板を備えたリ
ードフレームは図８に示すような構造になっている。リ
ードフレーム３１は放熱板３２とインナリード３３及び
アウタリード３４からなる複数のリードとにより構成さ
れている。前記放熱板３２は略長方形をしており、その
表面ほぼ中央には半導体素子３５が半田３６を介して接
合されている。放熱板３２の端部には複数のインナリー
ド３３が絶縁性接着剤３７を介して固着されている。こ
のインナリード３３はワイヤ３８によって半導体素子３
５と電気的に接続されている。そして、これらワイヤ３
８及び半導体素子３５を保護するためモールド樹脂３９
により封止されている。このように構成された半導体装
置において、半導体素子３５に電流が流れているときに
発生する熱は半田３６を介して放熱板３２に伝導され外
部へ放出されるようになっている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところが、近年の半導
体装置の小型化に伴って、インナリード３３と半導体素
子３５との間隔も狭くなる傾向にある。その結果、半導
体素子３５を放熱板３２に接合する際に、ペレット状の
シート半田３６の載置位置または半導体素子３５の搭載
位置に少しでも位置ずれが生じていると、リフロー炉に
通したときに半田３６がはみ出して、インナリード３３
の方向へ流れ出てしまうことがある。そして、図９に示
すように半田３６がインナリード３３にまで及び、ブリ
ッジを形成した場合にはインナリード３３と放熱板３２
とが互いに接続し、放熱板３２は半田３６を介して半導
体素子３５の裏面電極と電気的に接続しているため、つ
いにはインナリード３３と半導体素子３５が短絡してし
まうことになる。その結果、半導体素子３５は正常な動
作ができなくなるので、検査工程において不良品と判断
され、生産性が上がらないという不具合が生じる。
体装置の小型化に伴って、インナリード３３と半導体素
子３５との間隔も狭くなる傾向にある。その結果、半導
体素子３５を放熱板３２に接合する際に、ペレット状の
シート半田３６の載置位置または半導体素子３５の搭載
位置に少しでも位置ずれが生じていると、リフロー炉に
通したときに半田３６がはみ出して、インナリード３３
の方向へ流れ出てしまうことがある。そして、図９に示
すように半田３６がインナリード３３にまで及び、ブリ
ッジを形成した場合にはインナリード３３と放熱板３２
とが互いに接続し、放熱板３２は半田３６を介して半導
体素子３５の裏面電極と電気的に接続しているため、つ
いにはインナリード３３と半導体素子３５が短絡してし
まうことになる。その結果、半導体素子３５は正常な動
作ができなくなるので、検査工程において不良品と判断
され、生産性が上がらないという不具合が生じる。
【０００４】また、上記問題点とは別に次のような問題
点も生じていた。半導体素子３５とインナリード３３と
をワイヤ３８で接続したときに、この両者の高さが異な
るためワイヤ３８が少しでも変形すると、ワイヤ３８が
半導体素子３５のエッジ部３５ａに接触してしまい、半
導体素子３５が正常に動作しなくなる。このときもまた
検査工程において不良品となり、生産性が上がらなくな
る。
点も生じていた。半導体素子３５とインナリード３３と
をワイヤ３８で接続したときに、この両者の高さが異な
るためワイヤ３８が少しでも変形すると、ワイヤ３８が
半導体素子３５のエッジ部３５ａに接触してしまい、半
導体素子３５が正常に動作しなくなる。このときもまた
検査工程において不良品となり、生産性が上がらなくな
る。
【０００５】本発明は上記問題点を解決するためになさ
れたものであって、その第１の目的は半導体装置の小型
化を妨げることなく、インナリードと放熱板および半導
体素子との短絡を防止し、生産性を向上することのでき
る放熱板を提供することにある。また、第２の目的は半
導体素子とワイヤとの接触を防止し、生産性を向上する
ことのできる放熱板を提供することにある。
れたものであって、その第１の目的は半導体装置の小型
化を妨げることなく、インナリードと放熱板および半導
体素子との短絡を防止し、生産性を向上することのでき
る放熱板を提供することにある。また、第２の目的は半
導体素子とワイヤとの接触を防止し、生産性を向上する
ことのできる放熱板を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は上記問題点を解
決するため、請求項１記載の発明は、インナリードが固
着されるインナリード取付部と、その内側に半導体素子
が搭載される半導体素子搭載部とを有する放熱板におい
て、半導体素子搭載部がインナリード取付部より低く形
成されていることをその要旨とする。
決するため、請求項１記載の発明は、インナリードが固
着されるインナリード取付部と、その内側に半導体素子
が搭載される半導体素子搭載部とを有する放熱板におい
て、半導体素子搭載部がインナリード取付部より低く形
成されていることをその要旨とする。
【０００７】請求項２記載の発明は、請求項１記載の放
熱板において、前記半導体素子搭載部の低さが、半導体
素子が搭載されたときにその半導体素子の上面とインナ
リードの上面とがほぼ同一の高さとなるように形成され
ていることをその要旨とする。請求項３記載の発明は、
インナリードが固着されるインナリード取付部と、その
内側に半導体素子が搭載される半導体素子搭載部とを有
する放熱板において、半導体素子搭載部とインナリード
取付部との間に溝部が形成されていることをその要旨と
する。
熱板において、前記半導体素子搭載部の低さが、半導体
素子が搭載されたときにその半導体素子の上面とインナ
リードの上面とがほぼ同一の高さとなるように形成され
ていることをその要旨とする。請求項３記載の発明は、
インナリードが固着されるインナリード取付部と、その
内側に半導体素子が搭載される半導体素子搭載部とを有
する放熱板において、半導体素子搭載部とインナリード
取付部との間に溝部が形成されていることをその要旨と
する。
【０００８】
【作用】従って、請求項１記載の発明によれば、放熱板
の半導体素子搭載部にダイボンド剤を載置して、その上
に半導体素子を搭載する。このとき、インナリード取付
部と半導体素子搭載部との間には高さが異なることによ
る段差が存在するので、ダイボンド剤または半導体素子
に多少の位置ずれが生じたとしてもダイボンド剤がイン
ナリードの方向へはみ出すことがない。
の半導体素子搭載部にダイボンド剤を載置して、その上
に半導体素子を搭載する。このとき、インナリード取付
部と半導体素子搭載部との間には高さが異なることによ
る段差が存在するので、ダイボンド剤または半導体素子
に多少の位置ずれが生じたとしてもダイボンド剤がイン
ナリードの方向へはみ出すことがない。
【０００９】請求項２記載の発明によれば、半導体素子
を半導体素子搭載部に搭載したときに、半導体素子の上
面とインナリードの上面とがほぼ同一の高さであるた
め、この両者をワイヤにて接続した際に、ワイヤが多少
の変形を起こしたとしても半導体素子のエッジ部に接触
することがない。請求項３記載の発明によれば、放熱板
の半導体素子搭載部にダイボンド剤を載置して、その上
に半導体素子を搭載する。このとき、ダイボンド剤また
は半導体素子に多少の位置ずれが生じても、はみ出した
ダイボンド剤は溝部に流れ込むので、インナリードにま
で及ぶことはない。
を半導体素子搭載部に搭載したときに、半導体素子の上
面とインナリードの上面とがほぼ同一の高さであるた
め、この両者をワイヤにて接続した際に、ワイヤが多少
の変形を起こしたとしても半導体素子のエッジ部に接触
することがない。請求項３記載の発明によれば、放熱板
の半導体素子搭載部にダイボンド剤を載置して、その上
に半導体素子を搭載する。このとき、ダイボンド剤また
は半導体素子に多少の位置ずれが生じても、はみ出した
ダイボンド剤は溝部に流れ込むので、インナリードにま
で及ぶことはない。
【００１０】
（第１実施例）以下、本発明をパッケージの両側部から
リードが出ているタイプの半導体装置、例えば図３に示
すようなＤＩＰ（Ｄｕａｌ Ｉｎ−ｌｉｎｅ Ｐａｃｋ
ａｇｅ）に具体化した一実施例を図１および図２に従っ
て説明する。
リードが出ているタイプの半導体装置、例えば図３に示
すようなＤＩＰ（Ｄｕａｌ Ｉｎ−ｌｉｎｅ Ｐａｃｋ
ａｇｅ）に具体化した一実施例を図１および図２に従っ
て説明する。
【００１１】図１および図２に示すように、リードフレ
ーム１１は放熱板１２とインナリード１３及びアウタリ
ード１４からなるリードによって構成されている。放熱
板１２には、両側端部にインナリード取付部１２ａが設
けられている。また、そのインナリード取付部１２ａよ
り内側の放熱板１２ほぼ中央には半導体素子搭載部とし
ての素子収納用凹部１２ｂが形成されている。
ーム１１は放熱板１２とインナリード１３及びアウタリ
ード１４からなるリードによって構成されている。放熱
板１２には、両側端部にインナリード取付部１２ａが設
けられている。また、そのインナリード取付部１２ａよ
り内側の放熱板１２ほぼ中央には半導体素子搭載部とし
ての素子収納用凹部１２ｂが形成されている。
【００１２】この素子収納用凹部１２ａには半導体素子
１５がダイボンド剤としての半田１６を介して搭載され
ている。また、インナリード取付部１２ａには、インナ
リード１３が絶縁性接着剤１７を介して外側へ突出する
ようにして接着されている。そして、半導体素子１５の
電極とインリード１３とがワイヤ１８によって電気的に
接続されている。このとき、素子収納用凹部１２ｂの深
さがインナリード１３の上面と半導体素子２５の上面と
がほぼ同一の高さとなるように設定されているので、ワ
イヤ１８が半導体素子１５のエッジ部１５ａに接触しな
いようになっている。そしてこのように構成された半導
体装置は半導体素子１５およびワイヤ１８を保護するた
めにモールド樹脂１９により封止されている。
１５がダイボンド剤としての半田１６を介して搭載され
ている。また、インナリード取付部１２ａには、インナ
リード１３が絶縁性接着剤１７を介して外側へ突出する
ようにして接着されている。そして、半導体素子１５の
電極とインリード１３とがワイヤ１８によって電気的に
接続されている。このとき、素子収納用凹部１２ｂの深
さがインナリード１３の上面と半導体素子２５の上面と
がほぼ同一の高さとなるように設定されているので、ワ
イヤ１８が半導体素子１５のエッジ部１５ａに接触しな
いようになっている。そしてこのように構成された半導
体装置は半導体素子１５およびワイヤ１８を保護するた
めにモールド樹脂１９により封止されている。
【００１３】次に上記のように構成される半導体装置の
製造方法について説明する。まず、放熱板１２のインナ
リード取付部１２ａにインナリード１３をポリイミド系
の絶縁性接着剤１７を介して接着する。次に、素子収納
用凹部１２ｂにシート半田１６を載置し、その上に半導
体素子１５を搭載する。そして、この状態でリフロー炉
へ通し、シート半田１６を溶融させ、半導体素子１５を
素子収納用凹部１２ｂに接合する。
製造方法について説明する。まず、放熱板１２のインナ
リード取付部１２ａにインナリード１３をポリイミド系
の絶縁性接着剤１７を介して接着する。次に、素子収納
用凹部１２ｂにシート半田１６を載置し、その上に半導
体素子１５を搭載する。そして、この状態でリフロー炉
へ通し、シート半田１６を溶融させ、半導体素子１５を
素子収納用凹部１２ｂに接合する。
【００１４】その後、インナリード１３と半導体素子１
５の電極部とをワイヤ１８にてボンディングし、その半
導体素子１５、ワイヤ１８およびインナリード１３をモ
ールド樹脂１９にて封止する。このように本実施例によ
れば、放熱板１２表面のインナリード取付部１２ａより
内側に素子収納用凹部１２ｂが形成され、この素子収納
用凹部１２ｂに半導体素子１５を半田１６を介して搭載
する。従って、シート半田１６の載置位置または半導体
素子１５の搭載位置に多少のずれが生じたとしても、は
み出した半田１６が素子収納用凹部１２ｂの側壁に止め
られてインナリード１３にまで及ぶことがない。従っ
て、インナリード１３と放熱板１２との短絡が防止され
るとともに、ワイヤ１８をインナリード１３にボンディ
ングする際にも半田１６が妨げとなることはない。その
結果、製造時の不良品率が下がり生産性が向上する。
５の電極部とをワイヤ１８にてボンディングし、その半
導体素子１５、ワイヤ１８およびインナリード１３をモ
ールド樹脂１９にて封止する。このように本実施例によ
れば、放熱板１２表面のインナリード取付部１２ａより
内側に素子収納用凹部１２ｂが形成され、この素子収納
用凹部１２ｂに半導体素子１５を半田１６を介して搭載
する。従って、シート半田１６の載置位置または半導体
素子１５の搭載位置に多少のずれが生じたとしても、は
み出した半田１６が素子収納用凹部１２ｂの側壁に止め
られてインナリード１３にまで及ぶことがない。従っ
て、インナリード１３と放熱板１２との短絡が防止され
るとともに、ワイヤ１８をインナリード１３にボンディ
ングする際にも半田１６が妨げとなることはない。その
結果、製造時の不良品率が下がり生産性が向上する。
【００１５】また、シート半田１６を載置する際にも、
シート半田１６は素子収納用凹部１２ｂ内により位置決
めされるので、載置位置の精度は比較的低くても良く、
シート半田１６の載置工程の作業性が向上する。また、
素子収納用凹部１２ｂの深さがインナリード１３の上面
と半導体素子１５の上面とがほぼ同一の高さとなるよう
に予め設定されているので、ワイヤ１８が理想的な曲線
を描かずにつぶれてしまった場合にも半導体素子１５の
エッジ部１５ａに接触しないようになっている。その結
果、半導体素子１５とワイヤ１８との短絡が防止され、
製造時の不良品率が下がり生産性が向上する。 （第２実施例）次に、本発明を具体化した第２実施例を
図４および図５にて説明する。第１実施例と同一構成に
ついては同一番号を付して説明を省略する。
シート半田１６は素子収納用凹部１２ｂ内により位置決
めされるので、載置位置の精度は比較的低くても良く、
シート半田１６の載置工程の作業性が向上する。また、
素子収納用凹部１２ｂの深さがインナリード１３の上面
と半導体素子１５の上面とがほぼ同一の高さとなるよう
に予め設定されているので、ワイヤ１８が理想的な曲線
を描かずにつぶれてしまった場合にも半導体素子１５の
エッジ部１５ａに接触しないようになっている。その結
果、半導体素子１５とワイヤ１８との短絡が防止され、
製造時の不良品率が下がり生産性が向上する。 （第２実施例）次に、本発明を具体化した第２実施例を
図４および図５にて説明する。第１実施例と同一構成に
ついては同一番号を付して説明を省略する。
【００１６】放熱板１２表面のインナリード取付部１２
ａより内側には半導体素子搭載部１２ｃを囲むようにし
て溝部２０が設けられている。この溝部２０は半導体素
子１５が半田１６を介して放熱板１２に接合されるとき
に、シート半田１６の載置位置または半導体素子１５の
載置位置に多少のずれが生じた際にも、流れ出た半田１
６がこの溝部２０へ流れ込んでインナリード１３にまで
は及ばないようになっている。従って、半田１６を介し
たインナリード１３と放熱板１２および半導体素子１５
との短絡が防止されるとともに、ワイヤ１８をインナリ
ード１３にボンディングする際にも半田１６が妨げとな
ることはない。その結果、製造時の不良品率が下がり生
産性が向上する。
ａより内側には半導体素子搭載部１２ｃを囲むようにし
て溝部２０が設けられている。この溝部２０は半導体素
子１５が半田１６を介して放熱板１２に接合されるとき
に、シート半田１６の載置位置または半導体素子１５の
載置位置に多少のずれが生じた際にも、流れ出た半田１
６がこの溝部２０へ流れ込んでインナリード１３にまで
は及ばないようになっている。従って、半田１６を介し
たインナリード１３と放熱板１２および半導体素子１５
との短絡が防止されるとともに、ワイヤ１８をインナリ
ード１３にボンディングする際にも半田１６が妨げとな
ることはない。その結果、製造時の不良品率が下がり生
産性が向上する。
【００１７】なお、本発明は上記実施例に限定されるも
のでなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において、例
えば次のように変更してもよい。 （１）上記第１実施例では、半導体素子搭載部として周
囲が側壁で囲まれた素子収納用凹部１２ｂが形成されて
いたが、上記したＤＩＰのようにパッケージの４側部の
うち向かい合う２側部からのみリードが出ているタイプ
であれば、図６に示すような形状であってもよい。すな
わち、素子収納用凹部１２ｂはインナリード１３が固着
されていない放熱板１２の２側部には側壁のない形状で
あってもよい。この場合も製造時の不良品率が下がり生
産性を向上することができる。
のでなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において、例
えば次のように変更してもよい。 （１）上記第１実施例では、半導体素子搭載部として周
囲が側壁で囲まれた素子収納用凹部１２ｂが形成されて
いたが、上記したＤＩＰのようにパッケージの４側部の
うち向かい合う２側部からのみリードが出ているタイプ
であれば、図６に示すような形状であってもよい。すな
わち、素子収納用凹部１２ｂはインナリード１３が固着
されていない放熱板１２の２側部には側壁のない形状で
あってもよい。この場合も製造時の不良品率が下がり生
産性を向上することができる。
【００１８】また、第２実施例においても半導体素子搭
載部１２ｃとインナリード取付部１２ａとの間に形成さ
れる溝部２０が半導体素子搭載部１２ｃを囲むようにし
て設けられているが、前述したようにＤＩＰのようなパ
ッケージの４側部のうち向かい合う２側部からのみリー
ドが出ているタイプであれば、溝部２０はインナリード
１３と半導体素子搭載部１２ｃとの間にのみ形成されて
いれば良い。すなわち、図７に示すようにインナリード
１３が固着されていない放熱板１２の側端部には溝部２
０は形成されていなくても良い。この場合も製造時の不
良品率が下がり生産性を向上することができる。
載部１２ｃとインナリード取付部１２ａとの間に形成さ
れる溝部２０が半導体素子搭載部１２ｃを囲むようにし
て設けられているが、前述したようにＤＩＰのようなパ
ッケージの４側部のうち向かい合う２側部からのみリー
ドが出ているタイプであれば、溝部２０はインナリード
１３と半導体素子搭載部１２ｃとの間にのみ形成されて
いれば良い。すなわち、図７に示すようにインナリード
１３が固着されていない放熱板１２の側端部には溝部２
０は形成されていなくても良い。この場合も製造時の不
良品率が下がり生産性を向上することができる。
【００１９】（２）上記実施例では、ＤＩＰのようにパ
ッケージの４側部のうち向かい合う２側部からのみリー
ドが出ているタイプの半導体装置に具体化した場合を示
したが、パッケージの４側部全てからリードが出ている
タイプの半導体装置、例えばＳＯＰ（Ｓｍａｌｌ Ｏｕ
ｔ−ｌｉｎｅ Ｐａｃｋａｇｅ）の場合に適用してもよ
い。この場合、第１実施例においては素子収納用凹部１
２ｂは周囲が側壁で囲まれた形状が、第２実施例におい
ては溝部２０は半導体素子搭載部１２ｃを囲むようにし
て設けられた形状がそれぞれ好適である。
ッケージの４側部のうち向かい合う２側部からのみリー
ドが出ているタイプの半導体装置に具体化した場合を示
したが、パッケージの４側部全てからリードが出ている
タイプの半導体装置、例えばＳＯＰ（Ｓｍａｌｌ Ｏｕ
ｔ−ｌｉｎｅ Ｐａｃｋａｇｅ）の場合に適用してもよ
い。この場合、第１実施例においては素子収納用凹部１
２ｂは周囲が側壁で囲まれた形状が、第２実施例におい
ては溝部２０は半導体素子搭載部１２ｃを囲むようにし
て設けられた形状がそれぞれ好適である。
【００２０】また、ＳＩＰ（Ｓｉｎｇｌｅ Ｉｎ−ｌｉ
ｎｅ Ｐａｃｋａｇｅ）のように、パッケージの４側部
のうち１側部からのみリードが出ているタイプの半導体
装置に適用してもよい。この場合、第１実施例において
は素子収納用凹部１２ｂがインナリード取付部１２ａよ
り低く形成されてさえいればよく、凹部である必要はな
い。また、第２実施例においては溝部２０は放熱板１２
のインナリード１３が固着された１側部にのみ設けられ
ていればよい。
ｎｅ Ｐａｃｋａｇｅ）のように、パッケージの４側部
のうち１側部からのみリードが出ているタイプの半導体
装置に適用してもよい。この場合、第１実施例において
は素子収納用凹部１２ｂがインナリード取付部１２ａよ
り低く形成されてさえいればよく、凹部である必要はな
い。また、第２実施例においては溝部２０は放熱板１２
のインナリード１３が固着された１側部にのみ設けられ
ていればよい。
【００２１】（３）上記第１実施例では、素子収納用凹
部１２ｂの深さがインナリード１３の上面と半導体素子
１５の上面とがほぼ同一の高さとなるように設定されて
いたが、素子収納用凹部１２ｂの深さは特にこれに限定
されない。例えば、インナリード取付部１２ａと素子収
納用凹部１２ｂとの段差が大きい場合には、より半田１
６がインナリード１３の方向へ流れ出しにくくなり、さ
らに不良品率が下がり生産性が向上する。
部１２ｂの深さがインナリード１３の上面と半導体素子
１５の上面とがほぼ同一の高さとなるように設定されて
いたが、素子収納用凹部１２ｂの深さは特にこれに限定
されない。例えば、インナリード取付部１２ａと素子収
納用凹部１２ｂとの段差が大きい場合には、より半田１
６がインナリード１３の方向へ流れ出しにくくなり、さ
らに不良品率が下がり生産性が向上する。
【００２２】また、インナリード取付部１２ａと素子収
納用凹部１２ｂとの段差が小さい場合、このときも少な
くともその段差が０．２ｍｍ、好ましくは０．３ｍｍ以
上あれば、半田１６がインナリード１３の方向へ流れ出
しにくく、生産性が向上するという効果が得られる。 （４）上記実施例では、ダイボンド剤として半田１６が
用いられていたが、エポキシ樹脂等の導電性接着剤であ
ってもよい。この場合も、導電性接着剤と放熱板１２お
よび半導体素子１５との短絡が防止されるとともに、ワ
イヤ１８をインナリード１３にボンディングする際にも
半田１６が妨げとなることはない。その結果、製造時の
不良品率が下がり生産性を向上することができる。ただ
し、熱伝導性が半田よりも低いので半導体素子の放熱性
の点では少し劣るようになる。
納用凹部１２ｂとの段差が小さい場合、このときも少な
くともその段差が０．２ｍｍ、好ましくは０．３ｍｍ以
上あれば、半田１６がインナリード１３の方向へ流れ出
しにくく、生産性が向上するという効果が得られる。 （４）上記実施例では、ダイボンド剤として半田１６が
用いられていたが、エポキシ樹脂等の導電性接着剤であ
ってもよい。この場合も、導電性接着剤と放熱板１２お
よび半導体素子１５との短絡が防止されるとともに、ワ
イヤ１８をインナリード１３にボンディングする際にも
半田１６が妨げとなることはない。その結果、製造時の
不良品率が下がり生産性を向上することができる。ただ
し、熱伝導性が半田よりも低いので半導体素子の放熱性
の点では少し劣るようになる。
【００２３】さらに、ダイボンド剤としてポリイミド系
接着剤のような絶縁性接着剤を用いる場合に適用しても
よい。この場合も接着剤がはみ出したとしても、インナ
リード１３まで及ぶことはなく、ワイヤ１８をインナリ
ード１３にボンディングする際に接着剤が妨げとなるこ
とはない。その結果、製造時の不良品率が下がり生産性
を向上することができる。
接着剤のような絶縁性接着剤を用いる場合に適用しても
よい。この場合も接着剤がはみ出したとしても、インナ
リード１３まで及ぶことはなく、ワイヤ１８をインナリ
ード１３にボンディングする際に接着剤が妨げとなるこ
とはない。その結果、製造時の不良品率が下がり生産性
を向上することができる。
【００２４】（５）上記実施例では、半導体素子１５の
放熱板１２への接合がリフロー炉を用いて行われていた
が、その接合方法は特に限定されることはなく、例えば
ダイボンダーを用いて行うようにしてもよい。この場合
も、放熱板を加熱して半田を溶融する際に、半田がイン
ナリードまではみ出すことがなく、半田と放熱板および
半導体素子との短絡が防止される。
放熱板１２への接合がリフロー炉を用いて行われていた
が、その接合方法は特に限定されることはなく、例えば
ダイボンダーを用いて行うようにしてもよい。この場合
も、放熱板を加熱して半田を溶融する際に、半田がイン
ナリードまではみ出すことがなく、半田と放熱板および
半導体素子との短絡が防止される。
【００２５】
【発明の効果】以上詳述したように請求項１記載の発明
によれば、ダイボンド剤がインナリードの方向へ流れ出
しにくくなる。従って、インナリードと放熱板および半
導体素子との短絡を防止することができるとともに、ワ
イヤをインナリードにボンディングする際にもダイボン
ド剤が妨げとなることはない。その結果、製造時の不良
品率が下がり生産性が向上するという優れた効果があ
る。
によれば、ダイボンド剤がインナリードの方向へ流れ出
しにくくなる。従って、インナリードと放熱板および半
導体素子との短絡を防止することができるとともに、ワ
イヤをインナリードにボンディングする際にもダイボン
ド剤が妨げとなることはない。その結果、製造時の不良
品率が下がり生産性が向上するという優れた効果があ
る。
【００２６】請求項２記載の発明によれば、ワイヤが多
少変形をした場合にも、ワイヤと半導体素子のエッジ部
との接触が防止され、生産性が向上するという優れた効
果がある。請求項３記載の発明によれば、ダイボンド剤
がインナリードの方向へ流れ出した場合にも、ダイボン
ド剤は溝部へ流れ込むので、インナリードまで及ぶこと
はない。従って、インナリードと放熱板および半導体素
子との短絡を防止することができるとともに、ワイヤを
インナリードにボンディングする際にもダイボンド剤が
妨げとなることはない。その結果、製造時の不良品率が
下がり生産性が向上するという優れた効果がある。
少変形をした場合にも、ワイヤと半導体素子のエッジ部
との接触が防止され、生産性が向上するという優れた効
果がある。請求項３記載の発明によれば、ダイボンド剤
がインナリードの方向へ流れ出した場合にも、ダイボン
ド剤は溝部へ流れ込むので、インナリードまで及ぶこと
はない。従って、インナリードと放熱板および半導体素
子との短絡を防止することができるとともに、ワイヤを
インナリードにボンディングする際にもダイボンド剤が
妨げとなることはない。その結果、製造時の不良品率が
下がり生産性が向上するという優れた効果がある。
【図１】本発明を具体化した第１実施例の半導体装置を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図２】第１実施例の放熱板を示す斜視図である。
【図３】図１の外観を示す斜視図である。
【図４】第２実施例の半導体装置を示す断面図である。
【図５】第２実施例の放熱板を示す斜視図である。
【図６】第１実施例の別例を示す斜視図である。
【図７】第２実施例の別例を示す斜視図である。
【図８】従来の放熱板を示す断面図である。
【図９】図８の要部拡大断面図である。
１１…リードフレーム、１２…放熱板、１２ａ…インナ
リード取付部、１２ｂ…半導体素子搭載部としての素子
収納用凹部、１２ｃ…半導体素子搭載部、１３…インナ
リード、１５…半導体素子、１６…ダイボンド剤として
の半田、２０…溝部。
リード取付部、１２ｂ…半導体素子搭載部としての素子
収納用凹部、１２ｃ…半導体素子搭載部、１３…インナ
リード、１５…半導体素子、１６…ダイボンド剤として
の半田、２０…溝部。
Claims (3)
- 【請求項１】 インナリードが固着されるインナリード
取付部と、その内側に半導体素子が搭載される半導体素
子搭載部とを有する放熱板において、 前記半導体素子搭載部がインナリード取付部より低く形
成されている放熱板。 - 【請求項２】 請求項１記載の放熱板において、 前記半導体素子搭載部の低さが、半導体素子が搭載され
たときにその半導体素子の上面とインナリードの上面と
がほぼ同一の高さとなるように形成されている放熱板。 - 【請求項３】 インナリードが固着されるインナリード
取付部と、その内側に半導体素子が搭載される半導体素
子搭載部とを有する放熱板において、 前記半導体素子搭載部とインナリード取付部との間に溝
部が形成されている放熱板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6130737A JPH07335816A (ja) | 1994-06-14 | 1994-06-14 | 放熱板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6130737A JPH07335816A (ja) | 1994-06-14 | 1994-06-14 | 放熱板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07335816A true JPH07335816A (ja) | 1995-12-22 |
Family
ID=15041426
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6130737A Pending JPH07335816A (ja) | 1994-06-14 | 1994-06-14 | 放熱板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07335816A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2023126979A (ja) * | 2019-03-26 | 2023-09-12 | ローム株式会社 | 電子装置 |
-
1994
- 1994-06-14 JP JP6130737A patent/JPH07335816A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2023126979A (ja) * | 2019-03-26 | 2023-09-12 | ローム株式会社 | 電子装置 |
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