JPH07336053A - セラミック多層配線基板 - Google Patents
セラミック多層配線基板Info
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- JPH07336053A JPH07336053A JP13200994A JP13200994A JPH07336053A JP H07336053 A JPH07336053 A JP H07336053A JP 13200994 A JP13200994 A JP 13200994A JP 13200994 A JP13200994 A JP 13200994A JP H07336053 A JPH07336053 A JP H07336053A
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Landscapes
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 内蔵導体と表面導体の導通が高く、接着強度
を高めることにより、高信頼性で生産性が高く、小型化
・高密度化に有効なセラミック多層配線基板を提供す
る。 【構成】 Ｗ及び／又はＭｏを主成分とする導体層を内
蔵したセラミック多層配線基板において、上記内蔵導体
層と接続される表面導体がＰｂＯ成分を１重量％以上５
重量％以下含有するＣｕを主成分とする導体層であるこ
とを特徴とするセラミック多層配線基板、及びＷ及び／
又はＭｏを主成分とする導体層を内蔵したセラミック多
層配線基板において、上記内蔵導体層にＰｂＯ成分を１
重量％以上５重量％以下含有するＣｕを主成分とする導
体層が中間層として接続され、上記中間層を介してＣｕ
を主成分とする導体層が表面導体として接続されている
ことを特徴とするセラミック多層配線基板。
を高めることにより、高信頼性で生産性が高く、小型化
・高密度化に有効なセラミック多層配線基板を提供す
る。 【構成】 Ｗ及び／又はＭｏを主成分とする導体層を内
蔵したセラミック多層配線基板において、上記内蔵導体
層と接続される表面導体がＰｂＯ成分を１重量％以上５
重量％以下含有するＣｕを主成分とする導体層であるこ
とを特徴とするセラミック多層配線基板、及びＷ及び／
又はＭｏを主成分とする導体層を内蔵したセラミック多
層配線基板において、上記内蔵導体層にＰｂＯ成分を１
重量％以上５重量％以下含有するＣｕを主成分とする導
体層が中間層として接続され、上記中間層を介してＣｕ
を主成分とする導体層が表面導体として接続されている
ことを特徴とするセラミック多層配線基板。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は電子回路部品として使
用されるセラミック多層配線基板に関する。
用されるセラミック多層配線基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、集積回路に使用されるセラミック
多層配線基板において、Ｗ及び／又はＭｏ等の高融点金
属を内蔵導体とし、その内蔵導体を表面基板のスルーホ
ールから露出させ、そこに銅を主成分とする金属厚膜を
表面導体として連接したものが知られている。しかし、
このような構成においては接触抵抗が高く接着強度も弱
くなる欠点がある。そこでこのような欠点を防ぐ提案が
なされており、例えば特開平３−２１８６９３号公報に
は、基板と内部配線導体とを同時焼成した後、スルーホ
ールから露出している内部配線導体の表面部分をＰｔ，
Ｐｄなどのメタロオーがニックペーストにより覆って焼
成し、メタライズ層を形成し、さらにその上を覆ってＣ
ｕを主成分とするペーストを印刷等により塗布し、焼成
することにより銅厚膜よりなる表面導体を形成すること
が開示されている。
多層配線基板において、Ｗ及び／又はＭｏ等の高融点金
属を内蔵導体とし、その内蔵導体を表面基板のスルーホ
ールから露出させ、そこに銅を主成分とする金属厚膜を
表面導体として連接したものが知られている。しかし、
このような構成においては接触抵抗が高く接着強度も弱
くなる欠点がある。そこでこのような欠点を防ぐ提案が
なされており、例えば特開平３−２１８６９３号公報に
は、基板と内部配線導体とを同時焼成した後、スルーホ
ールから露出している内部配線導体の表面部分をＰｔ，
Ｐｄなどのメタロオーがニックペーストにより覆って焼
成し、メタライズ層を形成し、さらにその上を覆ってＣ
ｕを主成分とするペーストを印刷等により塗布し、焼成
することにより銅厚膜よりなる表面導体を形成すること
が開示されている。
【０００３】上記従来例に示したものは、多層基板とし
て優れたものではあるが、焼成工程が内蔵導体の焼成、
メタライズ層の焼成、表面導体の焼成と３段階となり、
さらなる工程の短縮が望まれる。又、焼成に伴う寸法の
バラツキが発生し、メタライズ層でスルーホール部を完
全に覆わないと内蔵導体が直接表面導体に接触する部分
が発生して接続不良が発生する。このように安全を見越
してメタライズ層を幅広く形成するため、さらなる小型
化配線の需要には完全には応えされない。
て優れたものではあるが、焼成工程が内蔵導体の焼成、
メタライズ層の焼成、表面導体の焼成と３段階となり、
さらなる工程の短縮が望まれる。又、焼成に伴う寸法の
バラツキが発生し、メタライズ層でスルーホール部を完
全に覆わないと内蔵導体が直接表面導体に接触する部分
が発生して接続不良が発生する。このように安全を見越
してメタライズ層を幅広く形成するため、さらなる小型
化配線の需要には完全には応えされない。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は従来の問題点
を除去し、内蔵導体と表面導体の導通が高く、接着強度
を高めることにより、高信頼性で生産性が高く、小型化
・高密度化に有効なセラミック多層配線基板を提供す
る。
を除去し、内蔵導体と表面導体の導通が高く、接着強度
を高めることにより、高信頼性で生産性が高く、小型化
・高密度化に有効なセラミック多層配線基板を提供す
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者らは鋭意検討し
た結果、Ｗ及び／又はＭｏ導電体上のＣｕ膜の接着強度
低下メカニズムはＣｕペーストに含まれるガラスフリッ
ト中のＰｂＯがＷ及び／又はＭｏによって還元され、ガ
ラスフリットの流動性が低下した結果、Ｃｕ膜が空隙の
多い膜質となり、半田がこの空隙を通って容易に浸透し
てＣｕとＷ及び／又はＭｏ接合界面の接着強度を劣化さ
せるものであるとの知見を得、本発明に至った。即ち、
本発明は、Ｗ及び／又はＭｏを主成分とする導体層を内
蔵したセラミック多層配線基板において、上記Ｗ及び／
又はＭｏを主成分とする内蔵導体層と接続される表面導
体がＰｂＯ成分を１重量％以上５重量％以下含有するＣ
ｕを主成分とする導体層であるセラミック多層配線基
板、及びＷ及び／又はＭｏを主成分とする導体層を内蔵
したセラミック多層配線基板において、上記Ｗ及び／又
はＭｏを主成分とする内蔵導体層にＰｂＯ成分を１重量
％以上５重量％以下含有するＣｕを主成分とする導体層
が中間層として接続され、上記中間層を介してＣｕを主
成分とする導体層が表面導体として接続されているセラ
ミック多層配線基板である。ここでＣｕを主成分とする
導体としては、通常Ｃｕ導体として使用されるＰｂＯ
１％以下を含有するＣｕ導体を含むものとする。
た結果、Ｗ及び／又はＭｏ導電体上のＣｕ膜の接着強度
低下メカニズムはＣｕペーストに含まれるガラスフリッ
ト中のＰｂＯがＷ及び／又はＭｏによって還元され、ガ
ラスフリットの流動性が低下した結果、Ｃｕ膜が空隙の
多い膜質となり、半田がこの空隙を通って容易に浸透し
てＣｕとＷ及び／又はＭｏ接合界面の接着強度を劣化さ
せるものであるとの知見を得、本発明に至った。即ち、
本発明は、Ｗ及び／又はＭｏを主成分とする導体層を内
蔵したセラミック多層配線基板において、上記Ｗ及び／
又はＭｏを主成分とする内蔵導体層と接続される表面導
体がＰｂＯ成分を１重量％以上５重量％以下含有するＣ
ｕを主成分とする導体層であるセラミック多層配線基
板、及びＷ及び／又はＭｏを主成分とする導体層を内蔵
したセラミック多層配線基板において、上記Ｗ及び／又
はＭｏを主成分とする内蔵導体層にＰｂＯ成分を１重量
％以上５重量％以下含有するＣｕを主成分とする導体層
が中間層として接続され、上記中間層を介してＣｕを主
成分とする導体層が表面導体として接続されているセラ
ミック多層配線基板である。ここでＣｕを主成分とする
導体としては、通常Ｃｕ導体として使用されるＰｂＯ
１％以下を含有するＣｕ導体を含むものとする。
【０００６】本発明の構造を図面を用いて説明する。図
１は本発明のセラミック多層基板のスルーホールの表面
部分の断面概略図である。多層のアルミナ質などの絶縁
基板の最外層の表面部分にスルーホール３が開けられて
おり、上記スルーホール内には内部配線と接続したＷ及
び／又はＭｏを主成分とする内蔵導体層２が充填されて
いる。上記Ｗ及び／又はＭｏを主成分とする内蔵導体層
２はセラミック基板の表面付近で表面導体層４と接続さ
れている。ここで表面導体層４はＰｂＯ成分を１重量％
以上５重量％以下含有されたＣｕを主成分とするもので
ある。本発明は上記構成を採用することにより、表面導
体層の焼成による基板表面の配線、厚膜抵抗体の形成、
電気部品の接続などの昇温時に、Ｃｕペーストに含まれ
るガラスフリット中のＰｂＯがＷ及び／又はＭｏによっ
て還元されても、これを補充するに足るＰｂＯがＣｕペ
ースト中に含まれているため、Ｃｕを主成分とする表面
導体層に空隙が生じることが少なくなり、ＣｕとＷ及び
／又はＭｏ接合界面の接着強度の低下を防止するもので
ある。
１は本発明のセラミック多層基板のスルーホールの表面
部分の断面概略図である。多層のアルミナ質などの絶縁
基板の最外層の表面部分にスルーホール３が開けられて
おり、上記スルーホール内には内部配線と接続したＷ及
び／又はＭｏを主成分とする内蔵導体層２が充填されて
いる。上記Ｗ及び／又はＭｏを主成分とする内蔵導体層
２はセラミック基板の表面付近で表面導体層４と接続さ
れている。ここで表面導体層４はＰｂＯ成分を１重量％
以上５重量％以下含有されたＣｕを主成分とするもので
ある。本発明は上記構成を採用することにより、表面導
体層の焼成による基板表面の配線、厚膜抵抗体の形成、
電気部品の接続などの昇温時に、Ｃｕペーストに含まれ
るガラスフリット中のＰｂＯがＷ及び／又はＭｏによっ
て還元されても、これを補充するに足るＰｂＯがＣｕペ
ースト中に含まれているため、Ｃｕを主成分とする表面
導体層に空隙が生じることが少なくなり、ＣｕとＷ及び
／又はＭｏ接合界面の接着強度の低下を防止するもので
ある。
【０００７】図２は本発明の他のセラミック多層基板の
スルーホールの表面部分の断面概略図である。多層のア
ルミナ質などの絶縁基板の最外層の表面部分にスルーホ
ール３が開けられており、上記スルーホール内には内部
配線と接続したＷ及び／又はＭｏを主成分とする内蔵導
体層２が充填されている。上記Ｗ及び／又はＭｏを主成
分とする内蔵導体層２はセラミック基板の表面付近でＰ
ｂＯ成分を１重量％以上５重量％以下含有するＣｕを主
成分とする導体層からなる中間層４に表面を覆われた状
態で接続されている。更に上記中間層を介してＣｕを主
成分とする導体層が表面導体として接続されている。本
発明は上記構成を採用することにより、表面導体層の焼
成による基板表面の配線、厚膜抵抗体の形成、電気部品
の接続などの昇温時に、Ｃｕペーストに含まれるガラス
フリット中のＰｂＯがＷ及び／又はＭｏによって還元さ
れても、これを補充するに足るＰｂＯが中間層のＣｕペ
ースト中に含まれているため、Ｃｕを主成分とする中間
層に空隙が生じることが少なくなり、ＣｕとＷ及び／又
はＭｏ接合界面の接着強度の低下を防止するものであ
る。
スルーホールの表面部分の断面概略図である。多層のア
ルミナ質などの絶縁基板の最外層の表面部分にスルーホ
ール３が開けられており、上記スルーホール内には内部
配線と接続したＷ及び／又はＭｏを主成分とする内蔵導
体層２が充填されている。上記Ｗ及び／又はＭｏを主成
分とする内蔵導体層２はセラミック基板の表面付近でＰ
ｂＯ成分を１重量％以上５重量％以下含有するＣｕを主
成分とする導体層からなる中間層４に表面を覆われた状
態で接続されている。更に上記中間層を介してＣｕを主
成分とする導体層が表面導体として接続されている。本
発明は上記構成を採用することにより、表面導体層の焼
成による基板表面の配線、厚膜抵抗体の形成、電気部品
の接続などの昇温時に、Ｃｕペーストに含まれるガラス
フリット中のＰｂＯがＷ及び／又はＭｏによって還元さ
れても、これを補充するに足るＰｂＯが中間層のＣｕペ
ースト中に含まれているため、Ｃｕを主成分とする中間
層に空隙が生じることが少なくなり、ＣｕとＷ及び／又
はＭｏ接合界面の接着強度の低下を防止するものであ
る。
【０００８】使用するセラミック絶縁体材料としては特
に制限されず、例えばアルミナ質などの絶縁材料が用い
られる。代表的なものとしては、アルミナを主成分とし
てこれにシリカ、カルシア等の焼結助材及び有機バイン
ダー等を加えて材料とする。かかる材料を積層して基板
とするためには、グリーンシートを使用したグリーンシ
ート積層法やグリーンシート印刷積層法が用いられる。
グリーンシート積層法を用いる場合には、セラミック絶
縁体材料粉末をドクターブレード法により成形し、厚み
０．１〜０．５ｍｍ程度のグリーンシートを得る。そし
て必要な配線パターンをＷ及び／又はＭｏを主成分とす
る導体材料ペーストを使用してスクリーン印刷する。ま
た、他の導体層が接続できるように、打ち抜き金型やパ
ンチングマシーンでグリーンシートに０．２〜０．５ｍ
ｍφ程度のスルーホールを形成し、導体材料を充填して
おく。同様の方法で回路を形成するのに必要なだけ、他
のグリーンシートにも配線パターンを印刷する。これら
のグリーンシートを積層した後、８０〜１５０℃、５０
〜２５０ｋｇ／ｃｍ2の条件で熱圧着し一体化する。
に制限されず、例えばアルミナ質などの絶縁材料が用い
られる。代表的なものとしては、アルミナを主成分とし
てこれにシリカ、カルシア等の焼結助材及び有機バイン
ダー等を加えて材料とする。かかる材料を積層して基板
とするためには、グリーンシートを使用したグリーンシ
ート積層法やグリーンシート印刷積層法が用いられる。
グリーンシート積層法を用いる場合には、セラミック絶
縁体材料粉末をドクターブレード法により成形し、厚み
０．１〜０．５ｍｍ程度のグリーンシートを得る。そし
て必要な配線パターンをＷ及び／又はＭｏを主成分とす
る導体材料ペーストを使用してスクリーン印刷する。ま
た、他の導体層が接続できるように、打ち抜き金型やパ
ンチングマシーンでグリーンシートに０．２〜０．５ｍ
ｍφ程度のスルーホールを形成し、導体材料を充填して
おく。同様の方法で回路を形成するのに必要なだけ、他
のグリーンシートにも配線パターンを印刷する。これら
のグリーンシートを積層した後、８０〜１５０℃、５０
〜２５０ｋｇ／ｃｍ2の条件で熱圧着し一体化する。
【０００９】グリーンシート印刷法を用いる場合には、
グリーンシート積層法と同様の方法で、０．３〜２．０
ｍｍ程度のグリーンシートを得る。このグリーンシート
上に、グリーンシートと同材質のセラミック絶縁体ペー
ストと前記Ｗ及び／又はＭｏを主成分とする導体ペース
トを交互に印刷し、多層配線パターンを得る。導体層間
の接続には、直径０．２〜０．５ｍｍ程度のビアホール
により行う。表面導体となるＣｕ系導体は、以上の方法
で得られたセラミック多層配線基板上にＰｂＯ成分を上
記のように含有するＣｕ系導体材料ペーストを使用して
スクリーン印刷により配線パターンを形成した後、中性
もしくは還元雰囲気で焼成する。このＣｕ導体の焼成
は、５００〜１０００℃の焼成温度で行われる。図３及
び図４は本発明の基板の構成を示す概念図で、図３中、
１はグリーンシートより形成されたセラミック絶縁体層
で、図の場合は４層により構成される。２はＷ及び／又
はＭｏを主成分とする内蔵導体で３のスルーホール内に
も充填して回路を形成している。４は表面に形成したＰ
ｂＯを１重量％以上５重量％以下含有するＣｕ系導体
で、６はハンダである。抵抗体は、表面に形成されても
よい。７は電子部品であり表面導体４に半田６で固着さ
れている。
グリーンシート積層法と同様の方法で、０．３〜２．０
ｍｍ程度のグリーンシートを得る。このグリーンシート
上に、グリーンシートと同材質のセラミック絶縁体ペー
ストと前記Ｗ及び／又はＭｏを主成分とする導体ペース
トを交互に印刷し、多層配線パターンを得る。導体層間
の接続には、直径０．２〜０．５ｍｍ程度のビアホール
により行う。表面導体となるＣｕ系導体は、以上の方法
で得られたセラミック多層配線基板上にＰｂＯ成分を上
記のように含有するＣｕ系導体材料ペーストを使用して
スクリーン印刷により配線パターンを形成した後、中性
もしくは還元雰囲気で焼成する。このＣｕ導体の焼成
は、５００〜１０００℃の焼成温度で行われる。図３及
び図４は本発明の基板の構成を示す概念図で、図３中、
１はグリーンシートより形成されたセラミック絶縁体層
で、図の場合は４層により構成される。２はＷ及び／又
はＭｏを主成分とする内蔵導体で３のスルーホール内に
も充填して回路を形成している。４は表面に形成したＰ
ｂＯを１重量％以上５重量％以下含有するＣｕ系導体
で、６はハンダである。抵抗体は、表面に形成されても
よい。７は電子部品であり表面導体４に半田６で固着さ
れている。
【００１０】図４中、１はグリーンシートより形成され
たセラミック絶縁層であり、２はＷ及び／又はＭｏを主
成分とする内部導体である。４は内部導体２の表面部分
を覆う中間層で、ＰｂＯ成分が１重量％以上５重量％以
下のＣｕ系導体からなる。上記中間層４を介してＣｕ系
導体からなる表面導体８が表面に形成されている。更に
ハンダ６によって電子部品が固着されている。製品仕様
上の要求により、Ｃｕ導体として含有するＰｂＯ量が中
間層４に用いるＣｕ導体と同じ組成範囲を使用すること
ができない場合には、表面配線層としてＰｂＯ量組成範
囲が中間層と異なるＣｕを主成分とするＣｕ導体を図４
のように、中間層上に接続させることが可能である。図
３及び図４においてはグリーンシート積層法を例にして
説明したが、本発明ではグリーンシート印刷法を用いる
こともできる。
たセラミック絶縁層であり、２はＷ及び／又はＭｏを主
成分とする内部導体である。４は内部導体２の表面部分
を覆う中間層で、ＰｂＯ成分が１重量％以上５重量％以
下のＣｕ系導体からなる。上記中間層４を介してＣｕ系
導体からなる表面導体８が表面に形成されている。更に
ハンダ６によって電子部品が固着されている。製品仕様
上の要求により、Ｃｕ導体として含有するＰｂＯ量が中
間層４に用いるＣｕ導体と同じ組成範囲を使用すること
ができない場合には、表面配線層としてＰｂＯ量組成範
囲が中間層と異なるＣｕを主成分とするＣｕ導体を図４
のように、中間層上に接続させることが可能である。図
３及び図４においてはグリーンシート積層法を例にして
説明したが、本発明ではグリーンシート印刷法を用いる
こともできる。
【００１１】
【実施例】実施例に基づいて本発明を更に詳細に説明す
る。 実施例１ スルーホールを開けたアルミナ系基板に図１のようにＷ
を充填し、ＰｂＯ含有量が１．７３重量％のＣｕペース
ト（Ａ）を、スルーホール部を中心に２ｍｍ×２ｍｍ角
の大きさに印刷して焼成し製品とした、この製品の接着
強度を以下のように評価した。測定方法は２３５±５℃
溶融半田槽に製品を浸漬後、２ｍｍ×２ｍｍ角の大きさ
のランドに引張試験用のリード線（線径０．６ｍｍφ）
を半田付けし、プル引張法により接着強度を測定した。
又、電気的導通並びにハンダ濡れ性を実用に供する
（○）か供しない（×）かを評価した。 実施例２ ＰｂＯ含有量が１．２３重量％のＣｕペースト（Ｂ）を
用いて実施例１と同様の実験を行った。
る。 実施例１ スルーホールを開けたアルミナ系基板に図１のようにＷ
を充填し、ＰｂＯ含有量が１．７３重量％のＣｕペース
ト（Ａ）を、スルーホール部を中心に２ｍｍ×２ｍｍ角
の大きさに印刷して焼成し製品とした、この製品の接着
強度を以下のように評価した。測定方法は２３５±５℃
溶融半田槽に製品を浸漬後、２ｍｍ×２ｍｍ角の大きさ
のランドに引張試験用のリード線（線径０．６ｍｍφ）
を半田付けし、プル引張法により接着強度を測定した。
又、電気的導通並びにハンダ濡れ性を実用に供する
（○）か供しない（×）かを評価した。 実施例２ ＰｂＯ含有量が１．２３重量％のＣｕペースト（Ｂ）を
用いて実施例１と同様の実験を行った。
【００１２】比較例１，２ 比較のため市販Ｃｕペースト（デュポン社製）でＰｂＯ
含有量が０．８３重量％のもの（Ｃ）と０．３３重量％
のもの（Ｄ）を用いて、実施例１と同様の実験を行っ
た。 比較例３ スルーホールを開けたアルミナ系基板に図２のようにＷ
を充填し、ＰｂＯ含有量が５．４３重量％のＣｕペース
ト（Ｅ）を中間層（図２の４）として用いて、実施例１
と同様の評価を行った。実施例１，２及び比較例１〜３
の評価結果を表１に示す。
含有量が０．８３重量％のもの（Ｃ）と０．３３重量％
のもの（Ｄ）を用いて、実施例１と同様の実験を行っ
た。 比較例３ スルーホールを開けたアルミナ系基板に図２のようにＷ
を充填し、ＰｂＯ含有量が５．４３重量％のＣｕペース
ト（Ｅ）を中間層（図２の４）として用いて、実施例１
と同様の評価を行った。実施例１，２及び比較例１〜３
の評価結果を表１に示す。
【００１３】
【表１】
【００１４】表１より明らかなように、ＰｂＯ含有量が
１重量％以上５重量％以下のペーストＡ，Ｂにおいては
結果が良好であり、ＰｂＯ含有量が本発明の範囲外であ
るＣｕペーストＣ，Ｄにおいては強度の不足が顕著であ
りＡ，Ｂに対して劣っている。又、ペーストＥにおいて
はＣｕの中間層を用いたために接着強度は高いものの導
通抵抗が高く、半田濡れ性も劣化しており、基板の必要
な特性を満足できなかった。
１重量％以上５重量％以下のペーストＡ，Ｂにおいては
結果が良好であり、ＰｂＯ含有量が本発明の範囲外であ
るＣｕペーストＣ，Ｄにおいては強度の不足が顕著であ
りＡ，Ｂに対して劣っている。又、ペーストＥにおいて
はＣｕの中間層を用いたために接着強度は高いものの導
通抵抗が高く、半田濡れ性も劣化しており、基板の必要
な特性を満足できなかった。
【００１５】本発明は、セラミックがアルミナの場合に
ついて説明したが、窒化アルミニウム、ムライト等のセ
ラミックにも適用できる。
ついて説明したが、窒化アルミニウム、ムライト等のセ
ラミックにも適用できる。
【００１６】
【発明の効果】以上のように本発明は実用性に優れたも
のであり、セラミック多層配線基板の高密度化、高品質
化、生産性の向上に有効である。
のであり、セラミック多層配線基板の高密度化、高品質
化、生産性の向上に有効である。
【図１】本発明の配線基板のスルーホール付近の断面
図、
図、
【図２】本発明の他の配線基板のスルーホール付近の断
面図、
面図、
【図３】本発明の多層配線基板の概略図、
【図４】本発明の他の多層配線基板の概略図。
１ セラミック絶縁層 ２ 内部導体 ３ スルーホール ４ ＰｂＯ高含有Ｃｕ系導体 ６ ハンダ ７ 電子部品 ８ Ｃｕ系導体
Claims (2)
- 【請求項１】 Ｗ及び／又はＭｏを主成分とする導体層
を内蔵したセラミック多層配線基板において、上記Ｗ及
び／又はＭｏを主成分とする内蔵導体層と接続される表
面導体がＰｂＯ成分を１重量％以上５重量％以下含有す
るＣｕを主成分とする導体層であることを特徴とするセ
ラミック多層配線基板。 - 【請求項２】 Ｗ及び／又はＭｏを主成分とする導体層
を内蔵したセラミック多層配線基板において、上記Ｗ及
び／又はＭｏを主成分とする内蔵導体層にＰｂＯ成分を
１重量％以上５重量％以下含有するＣｕを主成分とする
導体層が中間層として接続され、上記中間層を介してＣ
ｕを主成分とする導体層が表面導体として接続されてい
ることを特徴とするセラミック多層配線基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13200994A JPH07336053A (ja) | 1994-06-14 | 1994-06-14 | セラミック多層配線基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13200994A JPH07336053A (ja) | 1994-06-14 | 1994-06-14 | セラミック多層配線基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07336053A true JPH07336053A (ja) | 1995-12-22 |
Family
ID=15071413
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13200994A Pending JPH07336053A (ja) | 1994-06-14 | 1994-06-14 | セラミック多層配線基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07336053A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007507865A (ja) * | 2003-09-30 | 2007-03-29 | エプコス アクチエンゲゼルシャフト | セラミック多層構成素子およびその製造方法 |
-
1994
- 1994-06-14 JP JP13200994A patent/JPH07336053A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007507865A (ja) * | 2003-09-30 | 2007-03-29 | エプコス アクチエンゲゼルシャフト | セラミック多層構成素子およびその製造方法 |
| US8776364B2 (en) | 2003-09-30 | 2014-07-15 | Epcos Ag | Method for producing a multilayer ceramic component |
| US9186870B2 (en) | 2003-09-30 | 2015-11-17 | Epcos Ag | Ceramic multi-layer component and method for the production thereof |
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