JPH073379B2 - Touch sensor - Google Patents
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- JPH073379B2 JPH073379B2 JP63186959A JP18695988A JPH073379B2 JP H073379 B2 JPH073379 B2 JP H073379B2 JP 63186959 A JP63186959 A JP 63186959A JP 18695988 A JP18695988 A JP 18695988A JP H073379 B2 JPH073379 B2 JP H073379B2
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Links
- 230000035807 sensation Effects 0.000 claims description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 10
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 10
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 3
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
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- Force Measurement Appropriate To Specific Purposes (AREA)
- Manipulator (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、例えばロボットのハンドに装着して把持物か
ら受ける力を検出する接触覚センサに関する。Description: TECHNICAL FIELD The present invention relates to a tactile sensor that is mounted on, for example, a hand of a robot and detects a force received from a grasped object.
[従来の技術] 近年、産業用ロボットの技術進歩にはめざましいものが
ある。特にロボットのハンドに接触覚センサを取付けて
ロボットを知能化する傾向が益々高まっている。[Prior Art] In recent years, technological progress of industrial robots has been remarkable. In particular, there is an increasing tendency to attach a touch sensor to a robot hand to make the robot intelligent.
接触覚センサに要求される性能・条件として次のものが
挙げられる。The following are the performances and conditions required of the touch sensor.
高感度:力を検出する感度が高いこと。1つの素子で
数グラムを検出できることが望ましい。High sensitivity: High sensitivity to detect force. It is desirable to be able to detect several grams with one element.
高分解能:センサの素子は小型で、密度の高いものが
望まれる。High resolution: The sensor elements are desired to be small and have high density.
広いダイナミックレンジ:できるだけ動作範囲が広く
とれること。Wide dynamic range: A wide operating range is possible.
高信頼性・高耐久性:過酷な環境,長時間の使用に耐
えること。High reliability and durability: Withstands harsh environments and long-term use.
直線性とヒステリリシス:圧力と出力が比例し、ヒス
テリシスがないこと。Linearity and Hysteresis: Pressure and output are proportional and have no hysteresis.
応答速度:物を把握したとき、その信号が制御部へ早
く伝わること。Response speed: When the object is grasped, the signal is transmitted to the control section quickly.
柔軟性:人間の手の皮膚のように軟らかいことが好ま
しい。Flexibility: It is preferable that it is as soft as the skin of a human hand.
すべり感覚:圧力だけでなく、すべりも検出するこ
と。Slip sensation: Detecting slip as well as pressure.
小型・廉価:薄くて小型で廉価なこと。Small size and low price: Thin, small and inexpensive.
これらのいくつかを満足する接触覚センサがいろいろ提
案ないし開発されてきた。例えば、押ボタン方式や導電
ゴム方式などの接触覚センサがある。押ボタン方式の接
触覚センサは、コイルばねで支えられた金属製押ボタン
が通常加圧のない状態では電気的にOFFとなっている
が、加圧されると接点が閉じてONとなるものである。し
かし、こり方式はONとOFFの状態しか分からず、連続的
な力の検出には不向きであるという欠点がある。Various touch sensors satisfying some of these have been proposed or developed. For example, there is a touch sensor such as a push button type or a conductive rubber type. A push-button type touch sensor normally turns off electrically when the metal push button supported by the coil spring is normally not pressed, but when it is pressed, the contact closes and turns on. Is. However, there is a drawback that the lump method only knows the ON and OFF states and is not suitable for continuous force detection.
一方、導電ゴム方式の接触覚センサは、導電ゴムシート
の両面を電極で挟み、センサ表面に力が加わると導電ゴ
ムの電気抵抗(導電率)が低下するのを利用したもので
ある。しかし、この方式にも力とゴムの導電率との間に
非直線性やヒステリシスが生ずるという問題がある。On the other hand, the conductive rubber type contact sensor uses the fact that both sides of a conductive rubber sheet are sandwiched by electrodes, and the electric resistance (conductivity) of the conductive rubber decreases when force is applied to the sensor surface. However, this method also has a problem that nonlinearity and hysteresis occur between the force and the conductivity of rubber.
これら以外に提案されている各種方式の接触覚センサも
それぞれに一長一短があり、十分に満足されていないば
かりか、圧力の方向がいずれも一方向、すなわち接触面
に垂直な方向のみを感ずるものであり、接触面に平行な
力をも検出するものは極めて少ないのが現状である。In addition to these, the various types of contact sensors that have been proposed have their respective merits and demerits, and not only are they not sufficiently satisfied, but also the pressure direction is unidirectional, that is, only the direction perpendicular to the contact surface is felt. However, at present, there are very few that also detect a force parallel to the contact surface.
[発明が解決しようとする課題] 最近、3分力を検出できる接触覚センサが開発される傾
向にある。例えば、本出願人が提案した先願の特願昭62
−049996号などである。しかし、このような従来の接触
覚センサでは、感度および配線の信頼性という点で十分
な配慮がなされていなかった。すなわち、従来の接触覚
センサは、感度が低く、かつクロスオーバー(配線の重
なり)による断線の心配があり、上記〜に示した諸
要求の全てを満足するには至らなかった。[Problems to be Solved by the Invention] Recently, there is a tendency to develop a touch sensor capable of detecting a three-minute force. For example, Japanese Patent Application No. Sho 62, which is a prior application proposed by the applicant.
For example, −049996. However, in such a conventional touch sensor, sufficient consideration has not been given in terms of sensitivity and wiring reliability. That is, the conventional touch sensor has low sensitivity and there is a fear of disconnection due to crossover (overlapping of wiring), so that it is not possible to satisfy all of the above requirements.
本発明は、上述した従来の欠点を解消し、薄型構造で、
しかも3方向の力をより高い感度で検出し、かつ配線上
もクロスオーバーのない高い信頼性のある接触覚センサ
を提供することを目的とする。The present invention eliminates the above-mentioned conventional drawbacks and has a thin structure,
Moreover, it is an object of the present invention to provide a highly reliable contact sensor that detects forces in three directions with higher sensitivity and does not cause crossover on wiring.
[課題を解決するための手段] 上記の目的を達成するために、本発明によれば、3方向
の力に対応して3組の歪検出素子が配設されているセン
サセルの中央部に受圧柱を設け、この受圧柱の上面に力
が作用した時にモーメントの作用によって前記3組の歪
検出素子に高い応力を発生させるように前記受圧柱の寸
法を設定し、かつ前記センサセルに配設された前記3組
の歪検出素子の配線が互いに重なって交叉することのな
いように構成した接触覚センサを、前記受圧柱の高さ
を、この受圧柱の直径の2倍以上ないし3倍以下と成
し、前記3方向の力に対応した歪検出素子を、2組の歪
ゲージを2枚用いてハーフブリッジと成し、他の1組を
歪ゲージを4枚用いてフルブリッジと成したものとす
る。[Means for Solving the Problems] In order to achieve the above object, according to the present invention, pressure is received in the central portion of a sensor cell in which three sets of strain sensing elements are arranged corresponding to forces in three directions. A column is provided, and the dimension of the pressure receiving column is set so that a high stress is generated in the three sets of strain detecting elements by the action of a moment when a force is applied to the upper surface of the pressure receiving column, and the column is arranged in the sensor cell. In addition, the contact sensation sensor configured such that the wirings of the three sets of strain detection elements do not overlap and do not cross each other, and the height of the pressure receiving column is set to be 2 to 3 times the diameter of the pressure receiving column. The strain detecting element corresponding to the force in the three directions is a half bridge using two sets of strain gauges and the other one is a full bridge using four strain gauges. And
[作用] 本発明によれば、接触覚センサセル内に3分力FX,FY,
FZに対応させて歪ゲージを簡単な構造で配置し、かつセ
ンサセルの中央部に突出させた受圧柱の高さをその直径
の2倍以上に長くして、受圧柱を介してFX,FY,FZによ
るモーメントを作用させるようにしたので、受圧柱の上
面に水平方向の力が加わったとき、モーメントの作用に
よって歪ゲージに大きな歪を発生させて検出感度を高め
ることができるので、小型で薄く、高い感度で3分力を
検出でき、かつクロスオーバーのない配線にしたので断
線などの心配が不要となる。[Operation] According to the present invention, three-component forces F X , F Y , and
Strain gauges are arranged with a simple structure corresponding to F Z , and the height of the pressure receiving column protruding in the center of the sensor cell is made twice or more its diameter, and F X , Since a moment due to F Y and F Z is applied, when a horizontal force is applied to the upper surface of the pressure receiving column, a large strain is generated in the strain gauge due to the action of the moment, and the detection sensitivity can be increased. Since the wiring is small and thin, capable of detecting 3 minutes force with high sensitivity, and has no crossover, there is no need to worry about disconnection.
[実施例] 以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明す
る。Embodiments Embodiments of the present invention will be described in detail below with reference to the drawings.
第1図(A)〜(C)は、本発明による接触覚センサの
基本動作を説明する図であり、同図(A)は上面図、
(B)は断面図、(C)は歪ゲージの応力分布図であ
る。ここで、1はセンサセル(接触覚センサセル)であ
り、その外形は正方形で、その中央部には円柱状の受圧
柱3が一体的に突出して形成されている。4はセンサセ
ル1の外縁部全周に沿って突出させた固定部、5は受圧
柱3と固定部4間に形成された環状溝形の薄肉部であ
る。薄肉部5には本図に図示するような直径方向の位置
の2ヶ所に半導体ウェハプロセス等の何らかの方法で歪
ゲージ2A,2Bが形成されている。1 (A) to 1 (C) are views for explaining the basic operation of the touch sensor according to the present invention, and FIG. 1 (A) is a top view,
(B) is a sectional view and (C) is a stress distribution diagram of the strain gauge. Here, 1 is a sensor cell (contact sensor cell), the outer shape of which is square, and a cylindrical pressure-receiving column 3 is integrally formed at the center of the cell. Reference numeral 4 denotes a fixing portion that projects along the entire circumference of the outer edge portion of the sensor cell 1, and reference numeral 5 denotes an annular groove-shaped thin portion formed between the pressure receiving column 3 and the fixing portion 4. Strain gauges 2A and 2B are formed in the thin portion 5 at two positions in the diametrical direction as shown in the figure by some method such as a semiconductor wafer process.
今、受圧柱3の上面(受圧面)にその面と平行な力Fが
作用すると、受圧柱3の腕の長さlによって受圧柱3に
はモーメントF×lが働く。このモーメントによって、
一方の歪ゲージ2Aには圧縮応力(−δ)が、他方の歪ゲ
ージ2Bには引張応力(+δ)が作用する。そのため、こ
のときの両者の歪ゲージ2A,2Bの応力分布は第1図
(C)に示すようになる。When a force F parallel to the upper surface (pressure receiving surface) of the pressure receiving column 3 is applied, a moment F × l acts on the pressure receiving column 3 due to the arm length l of the pressure receiving column 3. By this moment,
Compressive stress (−δ) acts on one strain gauge 2A, and tensile stress (+ δ) acts on the other strain gauge 2B. Therefore, the stress distributions of the strain gauges 2A and 2B on both sides at this time are as shown in FIG. 1 (C).
第2図は、本発明による接触覚センサにおいて3方向の
力FX,FY,FZを検出するための歪ゲージの配列例と、各
歪ゲージの応力分布を示す。X1とX2はX方向の力FXを検
出するための歪ゲージで、薄肉部5の同一直径上にあ
り、それぞれ長手方向を半径方向に揃えてある。Y1とY2
はY方向の力FYを検出するための歪ゲージで、歪ゲージ
X1,X2と直交する方向に配設される。Z1とZ2は垂直方向
の力FZを検出するための歪ゲージで、X1,X2,Y1,Y2と
それぞれ45°の方向に配設される。FIG. 2 shows an arrangement example of strain gauges for detecting forces F X , F Y and F Z in three directions in the touch sensor according to the present invention, and a stress distribution of each strain gauge. X 1 and X 2 are strain gauges for detecting the force F X in the X direction, which are on the same diameter of the thin portion 5 and whose longitudinal directions are aligned in the radial direction. Y 1 and Y 2
Is a strain gauge for detecting the force F Y in the Y direction.
It is arranged in the direction orthogonal to X 1 and X 2 . Z 1 and Z 2 are strain gauges for detecting the force F Z in the vertical direction, and are arranged at 45 ° with respect to X 1 , X 2 , Y 1 , and Y 2 .
今、第2図(A)においてFXの力が本図の矢印のX方向
に働いたとすると、第1図と同じようにX1とX2の中心線
上での応力分布は第2図(C)のようになる。すなわ
ち、歪ゲージX1側では引張応力(+δ)が作用し、歪ゲ
ージX2側では圧縮応力(−δ)が作用する。同様に、第
2図(A)においてFYの力が本図の矢印のY方向に働い
た場合には、歪ゲージY1,Y2は本図(D)のような応力
分布になる。さらに、FZの力が第2図(B)の矢印のZ
方向(垂直方向)に働いた場合には、歪ゲージZ1,Z2は
第2図(E)のような応力分布になる。Now, assuming that the force of F X acts in the X direction of the arrow in this figure in FIG. 2 (A), the stress distribution on the center lines of X 1 and X 2 is as shown in FIG. It becomes like C). That acts tensile stress (+ [delta]) is a strain gauge X 1 side, compressive stress (- [delta) acts on a strain gauge X 2 side. Similarly, in FIG. 2A, when the force F Y acts in the Y direction of the arrow in this figure, the strain gauges Y 1 and Y 2 have a stress distribution as shown in this figure (D). Furthermore, the force of F Z is Z in the arrow in FIG. 2 (B).
When acting in the direction (vertical direction), the strain gauges Z 1 and Z 2 have a stress distribution as shown in FIG. 2 (E).
ただし、いずれも受圧柱3や固定部4での応力は歪ゲー
ジに比べて相対的に極めて小さいので、ゼロとして表示
されている。このような応力分布の最大のところに各歪
ゲージX1,X2,Y1,Y2,Z1,Z2を配設すれば、最大の検
出感度が得られる。However, in both cases, the stress in the pressure receiving column 3 and the fixed portion 4 is relatively extremely smaller than that in the strain gauge, and thus is displayed as zero. If the strain gauges X 1 , X 2 , Y 1 , Y 2 , Z 1 , and Z 2 are arranged at the maximum points of such stress distribution, the maximum detection sensitivity can be obtained.
次に、上述の原理に基づいて具体的に実施する場合の配
線等について以下に説明する。特に、第2図(A)に示
すように1つのセンサセル1内に3対の歪ゲージX1,
X2,Y1,Y2,Z1,Z2が共存しているので、相互干渉の問
題がある。この問題を解消するために接触覚センサに加
えられる力をどのように分離するかということと、配線
をどのようにするかということについて述べる。Next, the wiring and the like in the case of being concretely implemented based on the above principle will be described below. In particular, as shown in FIG. 2 (A), three pairs of strain gauges X 1 ,
Since X 2 , Y 1 , Y 2 , Z 1 , and Z 2 coexist, there is a problem of mutual interference. In order to solve this problem, how to separate the force applied to the touch sensor and how to make the wiring are described.
まず、上述のFX,FY,FZの力がそれぞれ単独に作用した
場合の検出方法について説明する。第3図(A),
(B),(C)はX方向の力FXの検出を説明する図であ
る。同図(A)は第2図(A)に示した歪ゲージのうち
X1,X2の配線を示し、同図(B)は同図(A)に示す力
FXが受圧柱3に作用することによって生じる各歪ゲージ
(X1,X2,Y1,Y2,Z1,Z2)でのゲージ抵抗の変化を示
し、同図(C)は歪ゲージX1,X2で構成されるハーフブ
リッシの等価回路を示す。センサセル1は半導体シリコ
ンで作られ、各歪ゲージは半導体ウェハプロセスで形成
される。また、電極(接続端子)6,7,9はこぶ状のはん
だで形成され、各電極6,7,9と歪ゲージX1,X2を接続す
る配線8はアルミで形成される。電極6は出力電極VXの
電極、電極7は接地(アース)Gの電極、電極9はブリ
ッジ電圧(入力電圧)Eの電極である。First, a detection method when the above-mentioned forces of F X , F Y , and F Z act independently will be described. Fig. 3 (A),
(B), (C) is a figure explaining the detection of force F X in the X direction. Of the strain gauges shown in FIG. 2A, FIG.
The wiring of X 1 and X 2 is shown. The figure (B) shows the force shown in the figure (A).
The change in gauge resistance at each strain gauge (X 1 , X 2 , Y 1 , Y 2 , Z 1 , Z 2 ) caused by F X acting on the pressure receiving column 3 is shown. An equivalent circuit of a half-brush composed of gauges X 1 and X 2 is shown. The sensor cell 1 is made of semiconductor silicon, and each strain gauge is formed by a semiconductor wafer process. The electrode (connection terminal) 6, 7, 9 are formed in nodular solder, wire 8 connecting the respective electrodes 6, 7, 9 a strain gauge X 1, X 2 may be formed of aluminum. Electrode 6 is an electrode of output electrode V X , electrode 7 is an electrode of ground (earth) G, and electrode 9 is an electrode of bridge voltage (input voltage) E.
第3図(B)は同図(A)に示すX方向の力FXが受圧柱
3に作用した時に各歪ゲージの抵抗値の変化を示す。当
然のことながら、X方向の歪ゲージX1にはその長手方向
に加わる引張応力+δに対応する抵抗値変化FX1が生
じ、またX方向の歪ゲージX2にはその長手方向に加わる
圧縮応力−δに対応する抵抗値変化−FX2が生ずる。こ
の時、Y方向の歪ゲージY1とY2にはほとんど抵抗値の変
化は見られない。しかし、垂直方向の歪ゲージZ1とZ2に
はFXによるみかけ上の抵抗値の変化、すなわち+FZ1と
−FZ2が現われる。FIG. 3B shows a change in resistance value of each strain gauge when the force F X in the X direction shown in FIG. 3A acts on the pressure receiving column 3. As a matter of course, the strain gauge X 1 in the X direction undergoes a resistance value change F X1 corresponding to the tensile stress + δ applied in the longitudinal direction, and the strain gauge X 2 in the X direction has a compressive stress applied in the longitudinal direction. A resistance change corresponding to −δ −F X2 occurs. At this time, the resistance values of the strain gauges Y 1 and Y 2 in the Y direction hardly change. However, the vertical strain gauges Z 1 and Z 2 show an apparent change in resistance value due to F X , that is, + F Z1 and −F Z2 .
このような抵抗値の変化から、X方向の力FXが生じたこ
とを読み取るには、単純に+FX1と−FX2の抵抗値の変化
を検知すればよい。一方、みかけ上の抵抗値の変化+F
Z1と−FZ2はFZ1=FZ2であるから、(+FZ1)と(−
FZ2)の和をとれば相殺してゼロになり、FXによるみか
け上のFZは検出されない。In order to read that the force F X in the X direction is generated from such a change in the resistance value, it suffices to simply detect the change in the resistance value of + F X1 and −F X2 . On the other hand, apparent resistance change + F
Since Z1 and −F Z2 are F Z1 = F Z2 , (+ F Z1 ) and (−
The sum of F Z2 ) cancels each other out to zero, and the apparent F Z due to F X is not detected.
上述のような抵抗値の変化は、例えば第3図(C)に示
すようなハーフブリッジ回路において、電圧(入力電
圧)Eをかけておき、歪ゲージX1と歪ゲージX2の抵抗値
が変化すれば、出力電圧VXが変化するから、この出力電
圧VXの変化から検知することができる。To change the resistance value as described above, for example, in a half bridge circuit as shown in FIG. 3 (C), a voltage (input voltage) E is applied and the resistance values of the strain gauges X 1 and X 2 are changed. If it changes, the output voltage V X changes, so that it can be detected from the change of the output voltage V X.
第4図(A),(B),(C)はY方向の力FYの検出を
説明する図である。なお、同図(A)と同図(C)は前
述の第3図(A),(C)と同じような構成であるの
で、その説明は省略する。第4図(B)において、X方
向の歪ゲージX1とX2には抵抗値の変化はほとんど生じな
い。Y方向の歪ゲージY1とY2には当然のことながらそれ
ぞれ+FY1と−FY2の顕著な抵抗値の変化を生じる。この
時、垂直方向の歪ゲージZ1とZ2にも+FZ1と−FZ2の抵抗
値の変化が生ずるが、(+FZ1)と(−FZ2)は相殺され
るので、垂直方向の力FZはみかけ上検出されない。従っ
て、Y方向の力FYの検出は歪ゲージY1とY2の接点とアー
スG間の電圧VYを測定するのみで可能である。4 (A), (B), and (C) are diagrams for explaining the detection of the force F Y in the Y direction. Note that FIGS. 3A and 3C have the same configurations as those in FIGS. 3A and 3C described above, and therefore description thereof will be omitted. In FIG. 4B, the resistance values of the strain gauges X 1 and X 2 in the X direction hardly change. As a matter of course, the strain gauges Y 1 and Y 2 in the Y direction undergo remarkable resistance value changes of + F Y1 and −F Y2 , respectively. At this time, the resistance values of + F Z1 and −F Z2 also change in the strain gauges Z 1 and Z 2 in the vertical direction, but (+ F Z1 ) and (−F Z2 ) cancel each other out, so the vertical force F Z is apparently not detected. Therefore, the force F Y in the Y direction can be detected only by measuring the voltage V Y between the contacts of the strain gauges Y 1 and Y 2 and the ground G.
第5図(A),(B),(C)は受圧柱3の表面に垂直
(歪ゲージ設置面に垂直)な力FZが働いた場合の検出を
説明する図である。同図(A)は歪ゲージの配置と結線
を示し、第2図で説明した歪ゲージZ1,Z2の他に、円周
方向に長手方向をもつダミーゲージZ3,Z4が配設され、
各ゲージZ1〜Z4で同図(C)に示すようなフルブリッジ
回路を構成している。9は入力電圧Eの電極、11は出力
電圧VZの電極である。歪ゲージZ1とZ2は同じ方向の抵抗
値の変化を示す。歪ゲージZ3とZ4は温度補償を兼ねて、
かつ歪が発生しない。すなわち抵抗値の変化のないダミ
ーゲージである。FIGS. 5 (A), (B), and (C) are diagrams for explaining detection when a force F Z perpendicular to the surface of the pressure receiving column 3 (perpendicular to the strain gauge installation surface) acts. FIG. 3A shows the arrangement and connection of strain gauges. In addition to the strain gauges Z 1 and Z 2 described in FIG. 2 , dummy gauges Z 3 and Z 4 having a longitudinal direction in the circumferential direction are arranged. Is
In each gauge Z 1 to Z 4 constitute a full bridge circuit as shown in FIG. (C). Reference numeral 9 is an input voltage E electrode, and 11 is an output voltage V Z electrode. The strain gauges Z 1 and Z 2 show changes in resistance value in the same direction. The strain gauges Z 3 and Z 4 also serve as temperature compensation,
And no distortion occurs. That is, the dummy gauge has no change in resistance value.
また、垂直方向の力FZが作用した場合の応力分布は同図
(B)に示すようになる。すなわち、各歪ゲージX1,
X2,Y1,Y2,Z1,Z2は同じ方向で等しい大きさの抵抗値
変化を示す。しかし、X方向の歪ゲージX1とX2およびY
方向の歪ゲージY1とY2の抵抗値変化は相殺してゼロにす
ればよい。なぜなら、X方向の力FYXやY方向の力FYが
働けば、歪ゲージX1とX2および歪ゲージY1とY2はそれぞ
れ異なる方向の抵抗値変化を示すからである。従って、
垂直方向の力FZが作用した場合は垂直方向の歪ゲージZ1
とZ2の抵抗値変化、すなわち同図(C)のブリッジ回路
で示す出力電圧VZを測定すればよいことになる。The stress distribution when the vertical force F Z acts is as shown in FIG. That is, each strain gauge X 1 ,
X 2, Y 1, Y 2 , Z 1, Z 2 denotes a resistance value change of equal magnitude in the same direction. However, strain gauges X 1 and X 2 in the X direction and Y
The resistance value changes of the strain gauges Y 1 and Y 2 in the direction may be canceled out to zero. This is because, if able to work force F YX and Y direction force F Y in the X direction, strain gauges X 1 and X 2, and strain gauge Y 1 and Y 2 is because show different directions of the change in resistance value, respectively. Therefore,
Vertical strain gauge Z 1 when vertical force F Z is applied
And Z 2 resistance changes, that is, the output voltage V Z shown by the bridge circuit in FIG.
次に、2つ以上の力が受圧柱3の表面に同時に作用した
場合のFX,FY,FZの検出について説明する。Next, detection of F X , F Y , and F Z when two or more forces act on the surface of the pressure receiving column 3 at the same time will be described.
第6図(A)〜(D)は2つ以上の力が受圧柱3の表面
に同時に作用した場合の各歪ゲージの抵抗値変化を示
す。同図(A)はFXとFY、同図(B)はFYとFZ、同図
(C)はFZとFX、同図(D)はFXとFYとFZが同時に作用
した場合である。FIGS. 6A to 6D show changes in resistance value of each strain gauge when two or more forces act on the surface of the pressure receiving column 3 at the same time. The figure (A) is F X and F Y , the figure (B) is F Y and F Z , the figure (C) is F Z and F X , and the figure (D) is F X , F Y and F Z. Is when they act simultaneously.
まず、第6図(A)において、力FXとFZが同時に作用す
るから歪ゲージX1とX2には抵抗値変化FX1とFX2が現われ
るので、第3図(C)のハーフブリッジを用いてFX1とF
X2の和から力FXが求められる。同時に、歪ゲージY1とY2
には抵抗値変化FY1とFY2が現われるから、第4図(C)
のハーフブリッジを用いてFY1とFY2の和から力FYを求め
ることができる。歪ゲージZ1とZ2の抵抗値変化はFZ1とF
Z2であって、出力の方向が異なるので、第5図(C)の
ブリッジを用いてFZ1とFZ2を相殺すれば出力がゼロ、す
なわち力FZはみかけ上検出されないことになる。なお、
同図(A)において、斜線部は本来の真の出力、白枠部
分は他の力の影響によるみかけの出力を意味する。この
ことは同図(B),(C),(D)においても同様であ
る。First, in FIG. 6 (A), since the forces F X and F Z act simultaneously, resistance value changes F X1 and F X2 appear on the strain gauges X 1 and X 2 , respectively. F X1 and F with bridge
The force F X is obtained from the sum of X2 . At the same time, strain gauges Y 1 and Y 2
Resistance changes F Y1 and F Y2 appear in Fig. 4 (C).
The force F Y can be calculated from the sum of F Y1 and F Y2 using the half bridge of. The resistance change of strain gauges Z 1 and Z 2 is F Z1 and F
Since it is Z2 and the output direction is different, the output is zero, that is, the force F Z is apparently not detected if F Z1 and F Z2 are canceled by using the bridge of FIG. 5 (C). In addition,
In FIG. 7A, the shaded portion means the original true output, and the white frame portion means the apparent output due to the influence of other forces. This also applies to FIGS. 7B, 7C and 7D.
第6図(B)では力FYとFZが同時に作用した場合である
ので、X方向の歪ゲージX1とX2に垂直方向の力FZの影響
が現われているが、これは第3図(C)のハーフブリッ
ジで相殺してゼロとする。Y方向の歪ゲージY1とY2には
本来の真の出力(FY1とFY2)とみかけの出力FZが現われ
ているが、Y1側値をFY1+FZ,Y2側値をFY2−FZと考え
て、両者の和をとれば、和=(FY1+FZ)+(FY2−FZ)
=FY1+FY2となってFZの項が消えるので、第4図(C)
のハーフブリッジで純粋にFY1とFY2を検出することがで
きる。垂直方向の歪ゲージZ1とZ2についても同様であ
り、Z1側の抵抗値変化FZ1+FYとZ2側の抵抗値変化FZ2−
FYの和をとれば、和=(FZ1+FY)+(FZ2−FY)=FZ1
+FZ2となってFYが消え、第5図(C)のフルブリッジ
で純粋にFYとFZを検出することができる。Since the forces F Y and F Z act simultaneously in FIG. 6 (B), the influence of the force F Z in the vertical direction appears on the strain gauges X 1 and X 2 in the X direction. The half bridge in Fig. 3 (C) cancels it out to zero. The original true output (F Y1 and F Y2 ) and the apparent output F Z appear on the strain gauges Y 1 and Y 2 in the Y direction, but the Y 1 side value is the F Y1 + F Z , Y 2 side value. Is calculated as F Y2 −F Z, and the sum of the two is calculated, the sum = (F Y1 + F Z ) + (F Y2 −F Z ).
= F Y1 + F Y2 and the term of F Z disappears, so Fig. 4 (C)
It is possible to detect F Y1 and F Y2 purely with the half bridge. The same applies to the strain gauges Z 1 and Z 2 in the vertical direction, and the resistance value change on the Z 1 side F Z1 + F Y and the resistance value change on the Z 2 side F Z2 −
If the sum of F Y is taken, the sum = (F Z1 + F Y ) + (F Z2 −F Y ) = F Z1
It becomes + F Z2 and F Y disappears, and F Y and F Z can be detected purely by the full bridge in FIG. 5 (C).
さらに第6図(C)は力FZとFXが同時に作用した場合で
あるので、上述のFZとFXが同時に作用した場合と同じよ
うにして、力FZとFXをそれぞれ検出することができる。
すなわち、X方向の歪ゲージX1とX2にはそれぞれFX1+F
ZとFX2−FZが生ずるので、第3図(C)のハーフブリッ
ジでこれらの和をとれば、和=(FX1+FZ)+(FX2−
FZ)=FX1+FX2となり、FXが検出される。また、Y方向
の歪ゲージY1とY2では垂直方向の力FZによる影響が同じ
方向に出ているので、第4図(C)のハーフブリッジで
相殺してゼロにできる。垂直方向の歪ゲージZ1とZ2では
それぞれFZ1+FXとFZ2−FXが出ているので、第5図
(C)のフルブリッジでこれらの和をとれば、和=(F
Z1+FX)+(FZ2−FX)=FZ1+FZ2となって、垂直方向
のFZのみが検出できる。Furthermore, since Figure 6 (C) shows a case where the force F Z and F X is applied simultaneously, in the same way that the above-mentioned F Z and F X acts simultaneously detect forces F Z and F X, respectively can do.
That is, strain gauges X 1 and X 2 in the X direction are F X1 + F
Since Z and F X2 −F Z are generated, if the sum of these is taken by the half bridge of FIG. 3 (C), the sum = (F X1 + F Z ) + (F X2 −
F Z ) = F X1 + F X2 and F X is detected. Further, the strain gauges Y 1 and Y 2 in the Y direction are affected in the same direction by the force F Z in the vertical direction, so that they can be canceled out by the half bridge in FIG. 4 (C) to zero. The strain gauges Z 1 and Z 2 in the vertical direction have F Z1 + F X and F Z2 −F X , respectively. Therefore, if these are summed with the full bridge in FIG. 5 (C), the sum = (F
Z1 + F X ) + (F Z2 −F X ) = F Z1 + F Z2 and only F Z in the vertical direction can be detected.
最後に、第6図(D)はX方向のFXとY方向のFYと垂直
方向ののFZの3つの力が同時に受圧柱3の表面に作用し
た場合の抵抗値変化を示す。この場合も以下のようにし
てFXとFYとFZの3つの力をそれぞれ分離して検出でき
る。Finally, FIG. 6 (D) shows a change in resistance value when three forces, F X in the X direction, F Y in the Y direction, and F Z in the vertical direction, act on the surface of the pressure receiving column 3 at the same time. Also in this case, the three forces of F X , F Y and F Z can be detected separately as follows.
X方向の歪ゲージX1とX2において、(FX1+FZ)と(FX2
−FZ)の抵抗値変化が出ているので、その和をとれば、
和=(FX1+FZ)+(FX2−FZ)=FX1+FX2によって、X
方向の力FXが求まる。この場合FYの影響は現われない。For strain gauges X 1 and X 2 in the X direction, (F X1 + F Z ) and (F X2
Since the resistance value change of −F Z ) is occurring, take the sum and
Sum = (F X1 + F Z ) + (F X2 −F Z ) = F X1 + F X2
The direction force F X is obtained. In this case, the effect of F Y does not appear.
Y方向の歪ゲージY1とY2においても同じように、FXの影
響が現われないから、抵抗値変化(FY1+FZ)と(FY2−
FZ)の和をとれば、和=(FY1+FZ)+(FY2−FZ)=F
Y1+FY2となって、Y方向の力FYのみを検出できる。Similarly, in the strain gauges Y 1 and Y 2 in the Y direction, since the influence of F X does not appear, the resistance change (F Y1 + F Z ) and (F Y2 −
Taking the sum of F Z), the sum = (F Y1 + F Z) + (F Y2 -F Z) = F
It becomes Y1 + F Y2 and only the force F Y in the Y direction can be detected.
垂直方向の歪ゲージZ1とZ2も同様であるが、FXとFYが同
時に影響しているので、このことを考慮して(FZ1+FY
+FX)と(FZ2−FX−FY)の和をとれば、和=(FZ1+FY
+FX)+(FZ2−FX−FY)=FZ1+FZ2となり、垂直方向
の力FZのみが検出できる。The strain gauges Z 1 and Z 2 in the vertical direction are similar, but since F X and F Y affect at the same time, (F Z1 + F Y
+ F X ) and (F Z2 −F X −F Y ), the sum = (F Z1 + F Y
+ F X ) + (F Z2 −F X −F Y ) = F Z1 + F Z2 , and only the vertical force F Z can be detected.
要するに、いずれの場合も出力の方向を示す符号(プラ
スとマイナス)を考えて、歪ゲージから出てきた信号の
和をブリッジ電圧(出力電圧)としてとれば、不要な部
分(他の力に影響されて出てくるみかけ上の信号)は除
かれるので、2つ以上の力が同時に加わっても分離して
検出できる。In short, in any case, if you consider the sign (plus and minus) indicating the output direction and take the sum of the signals output from the strain gauge as the bridge voltage (output voltage), unnecessary parts (influence other forces) Since the apparent signal that is generated and appears) is removed, even if two or more forces are applied at the same time, they can be detected separately.
第7図は1つのセンサセル内に、3方向の力FX,FY,FZ
に対応する歪ゲージを有する本発明実施例の接触覚セン
サの構造を示す。センサセル1は半導体シリコンのウェ
ハから形成され、半導体プロセスによって上述のX1,
X2,Y1,Y2,Z1〜Z4の歪ゲージ2が形成される。また、
上述の各電極6,7,9,10,11を代表して13の符号で示す
と、配線8と電圧13を接続するためにはんだバンプ12も
半導体プロセスのメッキ工程で形成することができる。
受圧柱3は上述の半導体シリコンウェハに環状の溝をド
ライエッチングまたはウェットエッチングによって形成
することで得られる。Fig. 7 shows three directions of forces F X , F Y and F Z in one sensor cell.
2 shows a structure of a touch sensor of an embodiment of the present invention having a strain gauge corresponding to the above. The sensor cell 1 is formed from a semiconductor silicon wafer, and the above-mentioned X 1 ,
Strain gauges 2 of X 2 , Y 1 , Y 2 , Z 1 to Z 4 are formed. Also,
When the above-mentioned electrodes 6, 7, 9, 10, 11 are represented by the symbol 13 as a representative, the solder bumps 12 for connecting the wiring 8 and the voltage 13 can also be formed by a plating process of a semiconductor process.
The pressure receiving column 3 is obtained by forming an annular groove in the above-mentioned semiconductor silicon wafer by dry etching or wet etching.
この場合、受圧柱3は硬脆なシリコンとなるので、その
受圧柱3の表面を保護するためのコーティング16が必要
である。このコーティング16は金属やセラミックの蒸着
やスパッタリングなど公知のコーティング加工方法によ
って施すことができる。また、受圧柱3を除いて、セン
サセル1の全面を表皮15で覆う必要があるが、このため
にセンサセル1の固定部4の厚さを受圧柱3よりも少し
薄くする。そして、表皮15とセンサセル1の固定部4と
を接着層17で接着する。In this case, since the pressure receiving column 3 is made of hard and brittle silicon, the coating 16 for protecting the surface of the pressure receiving column 3 is necessary. The coating 16 can be applied by a known coating processing method such as vapor deposition or sputtering of metal or ceramic. Further, the entire surface of the sensor cell 1 needs to be covered with the skin 15 except for the pressure receiving column 3, and therefore the thickness of the fixing portion 4 of the sensor cell 1 is made slightly thinner than that of the pressure receiving column 3. Then, the skin 15 and the fixing portion 4 of the sensor cell 1 are bonded together by the adhesive layer 17.
一方、はんだバンプ12は配線基板14上の各電極13の位置
と対応させて、はんだ付けにて各アルミ配線8と接合
し、これによりセンサセル1の歪ゲージブリッジからの
信号をこのはんだバンプ12の接合部を介して配線基板14
へ送るように構成する。配線基板14の上面とセンサセル
1の下面の間隙には公知の製造方法により軟質の接合層
18を充填させ、受圧柱3に作用する力をこの接合層18で
支えるようにする。On the other hand, the solder bumps 12 are connected to the respective aluminum wirings 8 by soldering so as to correspond to the positions of the respective electrodes 13 on the wiring substrate 14, whereby signals from the strain gauge bridge of the sensor cell 1 are transferred to the solder bumps 12. Wiring board 14 through the joint
Configure to send to. In the gap between the upper surface of the wiring board 14 and the lower surface of the sensor cell 1, a soft bonding layer is formed by a known manufacturing method.
18 is filled, and the force acting on the pressure receiving column 3 is supported by the bonding layer 18.
ここで、受圧柱3の長さをlとし、受圧柱3の直径をd
とすると、受圧柱3はl/dの比で規制される。すなわ
ち、高感度にするには望ましくは長さlができるだけ大
きく、直径dができるだけ小さいほうがよいのである
が、受圧柱3は薄肉部5や固定部4といっしょに半導体
シリコンで作成されるので、実際的には3≧l/d≧2の
範囲に規制される。なぜなら、l/d>3では受圧柱3が
根元で折れやすくなる。また、l/d<2ではモーメント
の効果が薄くなるからである。Here, the length of the pressure receiving column 3 is l, and the diameter of the pressure receiving column 3 is d.
Then, the pressure receiving column 3 is regulated by the ratio of 1 / d. That is, for high sensitivity, it is desirable that the length 1 be as large as possible and the diameter d be as small as possible. However, since the pressure receiving column 3 is made of semiconductor silicon together with the thin portion 5 and the fixing portion 4, In practice, it is regulated within the range of 3 ≧ l / d ≧ 2. Because when l / d> 3, the pressure receiving column 3 is likely to break at the root. Also, when l / d <2, the effect of the moment becomes weak.
第8図は第7図のセンサセル1内の配線および端子の配
置構成を示す。この配線のパターンも本発明の特徴のひ
とつであり、ハーフブリッジ2組とフルブリッジ1組が
共存していて、それぞれに3〜4個の電極が必要である
が、ブリッジ電圧Eと接地Gは電極7と9を用いて共有
とし、VX,VY,VZを出力電圧として電極6,10,11から取
り出せるようにしたものである。さらに、配線8はこれ
らの電極6,7,9,10,11をまわりこみながら、配線同士が
クロスオーバーしないように配置されている。すなわ
ち、クロスオーバーを生じない配線にしたことが本発明
の大きな特徴の1つであり、これによりクロスオーバー
した場合の電気特性の信頼性低下を解消することができ
る。第9図は第8図の配線に対応する等価回路を示す。FIG. 8 shows the arrangement of wirings and terminals in the sensor cell 1 of FIG. This wiring pattern is also one of the features of the present invention. Two sets of half bridges and one set of full bridges coexist, and 3 to 4 electrodes are required for each, but the bridge voltage E and the ground G are The electrodes 7 and 9 are commonly used so that V X , V Y and V Z can be taken out from the electrodes 6, 10 and 11 as output voltages. Further, the wiring 8 is arranged so as not to cross over the wirings while wrapping around these electrodes 6, 7, 9, 10, 11. In other words, one of the major features of the present invention is that the wiring does not cause crossover, and this makes it possible to eliminate the decrease in the reliability of the electrical characteristics when crossover occurs. FIG. 9 shows an equivalent circuit corresponding to the wiring of FIG.
[発明の効果] 以上説明したように、本発明によれば、接触覚センサセ
ル内に3分力FX,FY,FZに対応させて歪ゲージを簡単な
構造で配置し、かつセンサセルの受圧柱をその直径より
も2倍以上に長くしたので、モーメントによる力の作用
が歪ゲージに生じ、その結果3分力の感度の高い検出が
可能となる。また、セル内配線もクロスオーバーのない
ようにすることにより、断線などの心配も解消した。こ
のため、小型で、薄く、高密度化できて、かつ高感度で
配線上の信頼性も向上するので、この接触覚センサをロ
ボットのハンドに取付ければ、ロボットの知能化を図る
上で極めて有効となる。[Effects of the Invention] As described above, according to the present invention, the strain gauges are arranged in a simple structure corresponding to the three-component forces F X , F Y , and F Z in the tactile sensor cell, and Since the pressure receiving column is made twice or more longer than its diameter, the action of force due to the moment occurs in the strain gauge, and as a result, it is possible to detect the three-component force with high sensitivity. Also, by eliminating crossover in the cell wiring, the concern about disconnection has been eliminated. For this reason, it is small, thin, high-density, highly sensitive, and has improved reliability in wiring. Therefore, if this contact sensor is attached to the robot hand, it will be extremely useful for making the robot intelligent. It becomes effective.
第1図(A)および(B)は本発明の接触覚センサの基
本原理を示す上面図および断面図、同図(C)はその歪
センサの応力分布を示す図、 第2図(A)〜(E)は3分力に対する本発明の基本動
作を説明するための図で、同図(A)および(B)は3
分力に対応する歪ゲージの配置位置を示す下面図および
断面図、同図(C)〜(E)は各歪ゲージの応力分布を
示す図、 第3図(A),(B),(C)はX方向の力の検出、第
4図(A),(B),(C)はY方向の力の検出、第5
図(A),(B),(C)はZ方向の力の検出を説明す
る図であり、 第3図(A),第4図(A)および第5図(A)は歪ゲ
ージの配置と結線を示す図、第3図(B),第4図
(B)および第5図(B)は各歪ゲージの抵抗値の変化
を示す図、第3図(C),第4図(C)および第5図
(C)は歪ゲージで構成したホイートストンブリッジ回
路図、 第6図(A),(B),(C)および(D)はそれぞれ
X方向とY方向、Y方向とZ方向、Z方向とX方向、お
よびX方向とY方向とZ方向の力が加わった時の各歪ゲ
ージの抵抗値の変化を示す図、 第7図は本発明実施例の接触覚センサの構造を示す断面
図、 第8図は第7図のセル内における歪ゲージの配置と結線
を示すセンサセルの下面図、 第9図は第8図の構成の等価回路図である。 1……センサセル、 2,2A,2B……歪ゲージ、 X1,X2,Y1,Y2,Z1,Z2,Z3,Z4……歪ゲージ、 3……受圧柱、 4……固定部、 5……薄肉部、 6,7,9,10,11,13……電極、 8……配線、 12……はんだバンプ、 14……配線基板、 15……表皮、 16……コーティング、 17……接着層、 18……接合層。1 (A) and 1 (B) are a top view and a sectional view showing the basic principle of the touch sensor of the present invention, FIG. 1 (C) is a view showing the stress distribution of the strain sensor, and FIG. 2 (A). (E) is a figure for demonstrating the basic operation | movement of this invention with respect to 3 component force, (A) and (B) of this figure shows 3.
The bottom view and the cross-sectional view showing the disposition position of the strain gauge corresponding to the component force, the figures (C) to (E) are diagrams showing the stress distribution of each strain gauge, and FIGS. 3 (A), (B), ( C) is for detecting the force in the X direction, FIGS. 4 (A), (B), and (C) are for detecting the force in the Y direction, and FIG.
Figures (A), (B), and (C) are diagrams for explaining the detection of force in the Z direction, and Figs. 3 (A), 4 (A), and 5 (A) show strain gauges. FIG. 3 (B), FIG. 4 (B) and FIG. 5 (B) showing arrangement and connection, and FIG. 3 (C) and FIG. 4 showing changes in resistance value of each strain gauge. (C) and FIG. 5 (C) are Wheatstone bridge circuit diagrams composed of strain gauges, and FIGS. 6 (A), (B), (C) and (D) are X-direction, Y-direction and Y-direction, respectively. The figure which shows the change of the resistance value of each strain gauge when the force of Z direction, Z direction and X direction, and X direction, Y direction, and Z direction is applied. FIG. 7: of the contact sensor of the Example of this invention. FIG. 8 is a sectional view showing the structure, FIG. 8 is a bottom view of the sensor cell showing the arrangement and connection of strain gauges in the cell of FIG. 7, and FIG. 9 is an equivalent circuit diagram of the configuration of FIG. 1 ...... sensor cell, 2, 2A, 2B ...... strain gauges, X 1, X 2, Y 1, Y 2, Z 1, Z 2, Z 3, Z 4 ...... strain gauges, 3 ...... pressure column, 4 ...... Fixed part, 5 ...... Thin part, 6,7,9,10,11,13 ...... Electrode, 8 …… Wiring, 12 …… Solder bump, 14 …… Wiring board, 15 …… Skin, 16… … Coating, 17 …… Adhesive layer, 18 …… Joining layer.
Claims (1)
配設されているセンサセルの中央部に受圧柱を設け、 この受圧柱の上面に力が作用した時にモーメントの作用
によって前記3組の歪検出素子に高い応力を発生させる
ように前記受圧柱の寸法を設定し、 かつ前記センサセルに配設された前記3組の歪検出素子
の配線が互いに重なって交叉することのないように構成
した接触覚センサであって、 前記受圧柱の高さを、この受圧柱の直径の2倍以上ない
し3倍以下と成し、 前記3方向の力に対応した歪検出素子を、2組を歪ゲー
ジを2枚用いてハーフブリッジと成し、他の1組を歪ゲ
ージを4枚用いてフルブリッジと成した ことを特徴とする接触覚センサ。1. A pressure-receiving column is provided in the center of a sensor cell in which three sets of strain detecting elements are arranged corresponding to forces in three directions, and when a force acts on the upper surface of the pressure-receiving column, a force is applied by a moment. The dimensions of the pressure-receiving columns are set so as to generate high stress in the three sets of strain sensing elements, and the wirings of the three sets of strain sensing elements arranged in the sensor cell do not overlap and cross each other. In the contact sensation sensor configured as described above, the height of the pressure receiving column is 2 times or more to 3 times or less the diameter of the pressure receiving column, and the strain detecting element corresponding to the force in the three directions is 2 A tactile sensor characterized in that a set is made up of a half bridge by using two strain gauges, and another set is made up as a full bridge by using four strain gauges.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63186959A JPH073379B2 (en) | 1988-07-28 | 1988-07-28 | Touch sensor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63186959A JPH073379B2 (en) | 1988-07-28 | 1988-07-28 | Touch sensor |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0238830A JPH0238830A (en) | 1990-02-08 |
| JPH073379B2 true JPH073379B2 (en) | 1995-01-18 |
Family
ID=16197720
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63186959A Expired - Lifetime JPH073379B2 (en) | 1988-07-28 | 1988-07-28 | Touch sensor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH073379B2 (en) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003004561A (en) * | 2001-06-22 | 2003-01-08 | K-Tech Devices Corp | Stress sensor and method of manufacturing the same |
| JP2007292677A (en) * | 2006-04-27 | 2007-11-08 | Nitta Ind Corp | Strain gauge type sensor |
| JP5046321B2 (en) * | 2006-11-03 | 2012-10-10 | ミネベア株式会社 | 3-axis force sensor |
| JP5715412B2 (en) * | 2010-12-28 | 2015-05-07 | アルプス電気株式会社 | Manufacturing method of load sensor |
| JP6687131B2 (en) * | 2017-01-11 | 2020-04-22 | ヤマハ株式会社 | Tactile sensor |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63111677A (en) * | 1986-10-30 | 1988-05-16 | Ricoh Co Ltd | Detecting device of force |
-
1988
- 1988-07-28 JP JP63186959A patent/JPH073379B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0238830A (en) | 1990-02-08 |
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| EXPY | Cancellation because of completion of term |