JPH0734068B2 - 結像光学装置 - Google Patents
結像光学装置Info
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- JPH0734068B2 JPH0734068B2 JP59247277A JP24727784A JPH0734068B2 JP H0734068 B2 JPH0734068 B2 JP H0734068B2 JP 59247277 A JP59247277 A JP 59247277A JP 24727784 A JP24727784 A JP 24727784A JP H0734068 B2 JPH0734068 B2 JP H0734068B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体レーザを利用した結像光学装置に関す
る。
る。
本発明は、好適には、半導体レーザからのレーザビーム
を走査して露光体上に像を形成する光走査装置、例えば
レーザビームプリンタの光学系に用いることができる。
この光走査装置はさらに詳述すると、半導体レーザから
のレーザビームを露光体上に結像させるｆθレンズ等の
結像レンズ、及び、結像されたレーザビームを露光体上
に走査させるポリゴンミラー等の光走査器を備えてい
る。
を走査して露光体上に像を形成する光走査装置、例えば
レーザビームプリンタの光学系に用いることができる。
この光走査装置はさらに詳述すると、半導体レーザから
のレーザビームを露光体上に結像させるｆθレンズ等の
結像レンズ、及び、結像されたレーザビームを露光体上
に走査させるポリゴンミラー等の光走査器を備えてい
る。
レーザ光走査技術を用いたレーザビームプリンタ等の装
置は、処理速度及び解像度を共に大幅に上げることがで
きることから、開発が急速に進んでいる。これらの装置
において、扱う情報量の増大や画質の向上をもたらす要
因である高い解像度を得るためには、結像レンズによっ
て露光体上に結像するレーザビームのスポットを、任意
の大きさに設定制御する必要がある。
置は、処理速度及び解像度を共に大幅に上げることがで
きることから、開発が急速に進んでいる。これらの装置
において、扱う情報量の増大や画質の向上をもたらす要
因である高い解像度を得るためには、結像レンズによっ
て露光体上に結像するレーザビームのスポットを、任意
の大きさに設定制御する必要がある。
そこで、従来から、種々の提案がなされている。例え
ば、レーザビーム光路内に任意形状の開口を設け、スポ
ットの径及び形状を変更できるようにしたもの（特開昭
56−141662号公報参照）、或いは、レーザビーム光路内
に、開口率が可変の絞りを設け、要求される解像度に応
じてスポットの形状及び径をプロセススピードと共に変
更するようにしたもの（特開昭58−144850号公報参照）
等がある。
ば、レーザビーム光路内に任意形状の開口を設け、スポ
ットの径及び形状を変更できるようにしたもの（特開昭
56−141662号公報参照）、或いは、レーザビーム光路内
に、開口率が可変の絞りを設け、要求される解像度に応
じてスポットの形状及び径をプロセススピードと共に変
更するようにしたもの（特開昭58−144850号公報参照）
等がある。
一方、近年、半導体レーザが、レーザビームプリンタや
レーザディスク等のレーザ光走査技術を用いた装置の光
源として多用されている。半導体レーザは、小型、高効
率、高速、安定であり、自己変調も可能であるという大
きな利点のある反面、各半導体レーザ単体間で、発振さ
れるレーザビームの拡がり角のバラツキが大きいという
問題がある。即ち、半導体レーザの活性領域を形成する
に際し、接合面に平行な方向に対しては、エッチング技
術によって比較的容易に精度を高めることができるのに
比して、接合面に直交する方向に対する精度は、成長条
件に依存し、しかもサブミクロンオーダでこの成長条件
を制御することは極めて困難である。従って、特に、接
合面に直交する方向に対して、個体間で、発振レーザビ
ームの拡がり角が大きくバラツクこととなる。
レーザディスク等のレーザ光走査技術を用いた装置の光
源として多用されている。半導体レーザは、小型、高効
率、高速、安定であり、自己変調も可能であるという大
きな利点のある反面、各半導体レーザ単体間で、発振さ
れるレーザビームの拡がり角のバラツキが大きいという
問題がある。即ち、半導体レーザの活性領域を形成する
に際し、接合面に平行な方向に対しては、エッチング技
術によって比較的容易に精度を高めることができるのに
比して、接合面に直交する方向に対する精度は、成長条
件に依存し、しかもサブミクロンオーダでこの成長条件
を制御することは極めて困難である。従って、特に、接
合面に直交する方向に対して、個体間で、発振レーザビ
ームの拡がり角が大きくバラツクこととなる。
また、半導体レーザから発振されるレーザビームは、そ
の活性領域（Ｔ）が接合面に直交する方向に対して極め
て狭いため、第２図に示すように、ファーフィールドパ
ターンが楕円形状を呈している。
の活性領域（Ｔ）が接合面に直交する方向に対して極め
て狭いため、第２図に示すように、ファーフィールドパ
ターンが楕円形状を呈している。
ところが、上述した従来構成による開口或いは絞りを、
そのまま半導体レーザからのレーザビームに適用するこ
とには問題がある。つまり、従来構成によるものは、特
に気体レーザを対象としており、上述したような半導体
レーザを対象としており、上述したような半導体レーザ
に特有の、方向性をもったレーザビームの拡がり角のバ
ラツキについての考慮はなされていない。従って、単に
レーザビーム光路内に開口或いは絞りを設けただけで
は、拡がり角のバラツキを効果的に補正することができ
ない虞れがある。
そのまま半導体レーザからのレーザビームに適用するこ
とには問題がある。つまり、従来構成によるものは、特
に気体レーザを対象としており、上述したような半導体
レーザを対象としており、上述したような半導体レーザ
に特有の、方向性をもったレーザビームの拡がり角のバ
ラツキについての考慮はなされていない。従って、単に
レーザビーム光路内に開口或いは絞りを設けただけで
は、拡がり角のバラツキを効果的に補正することができ
ない虞れがある。
しかも、従来構成によるものは、上述した方向性のある
ファーフィールドパターンについて、詳細に考慮されて
いないので、開口又は絞りを設けることによって、レー
ザビームのエネルギー伝播効率が不当に低下する虞れも
ある。
ファーフィールドパターンについて、詳細に考慮されて
いないので、開口又は絞りを設けることによって、レー
ザビームのエネルギー伝播効率が不当に低下する虞れも
ある。
本発明の目的は、上述の実情に鑑み、半導体レーザから
発振されるレーザビームの個体間での拡がり角のバラツ
キを、エネルギー伝播効率のよい状態で効果的に補正で
きるようにすることにある。
発振されるレーザビームの個体間での拡がり角のバラツ
キを、エネルギー伝播効率のよい状態で効果的に補正で
きるようにすることにある。
本発明による結像光学装置の特徴構成は、半導体レーザ
から発振されたレーザビームの光路内に、半導体レーザ
の接合面に直交する方向に対しては入射レーザビーム径
の0.5〜2.0倍の径に変更設定自在な、かつ、接合面に平
行な方向に対しては入射レーザビーム径のほぼ1.8倍以
上の径に固定された絞りを設けたことである。
から発振されたレーザビームの光路内に、半導体レーザ
の接合面に直交する方向に対しては入射レーザビーム径
の0.5〜2.0倍の径に変更設定自在な、かつ、接合面に平
行な方向に対しては入射レーザビーム径のほぼ1.8倍以
上の径に固定された絞りを設けたことである。
つまり、一般的に、例えば、第３図（イ）に示すよう
に、レーザビーム光路内に開口（Ａ）を設けることによ
り、その後方のｆθレンズ等の結像レンズ（５）で露光
体（４）上に結像したレーザビームのスポット径は、第
４図（イ）のグラフに示すように変化する。ここに第３
図（ロ）、（ハ）に示すように、（ａ）は開口（Ａ）の
径、（D0）はレーザビームの中心強度に対してe-2倍に
強度が低下する位置どうしの距離として規定される、開
口に入射するレーザビーム径であり、両者の比である
（a/D0）をけられ係数と称する。また（Ｄ）は開口のな
い状態でのスポット径、（Ｄ′）は開口を設けた時のス
ポット径で、（Ｄ′/D）がスポット径の開口による増加
率である。このグラフから明らかなように、けられ係数
がほぼ1.8以上においては開口によるけられの影響は殆
ど無視できる。また、けられ係数がほぼ2.0以下におい
て、けられ係数の減少に伴って、即ち、開口が小さくな
るに従って、スポット径の増加率が大きくなることが分
かる。
に、レーザビーム光路内に開口（Ａ）を設けることによ
り、その後方のｆθレンズ等の結像レンズ（５）で露光
体（４）上に結像したレーザビームのスポット径は、第
４図（イ）のグラフに示すように変化する。ここに第３
図（ロ）、（ハ）に示すように、（ａ）は開口（Ａ）の
径、（D0）はレーザビームの中心強度に対してe-2倍に
強度が低下する位置どうしの距離として規定される、開
口に入射するレーザビーム径であり、両者の比である
（a/D0）をけられ係数と称する。また（Ｄ）は開口のな
い状態でのスポット径、（Ｄ′）は開口を設けた時のス
ポット径で、（Ｄ′/D）がスポット径の開口による増加
率である。このグラフから明らかなように、けられ係数
がほぼ1.8以上においては開口によるけられの影響は殆
ど無視できる。また、けられ係数がほぼ2.0以下におい
て、けられ係数の減少に伴って、即ち、開口が小さくな
るに従って、スポット径の増加率が大きくなることが分
かる。
一方、 で求められるエネルギー伝播効率（τ）は、けられ係数
の変化に伴って第４図（ロ）のグラフに示すように変化
する。このグラフからも明らかなように、けられ係数が
ほぼ1.8以上においては、開口によるけられの影響は無
視できる。また、けられ係数がほぼ1.0以下において
は、エネルギー伝播効率が急激に低下し、効率が悪くな
ることが分かる。
の変化に伴って第４図（ロ）のグラフに示すように変化
する。このグラフからも明らかなように、けられ係数が
ほぼ1.8以上においては、開口によるけられの影響は無
視できる。また、けられ係数がほぼ1.0以下において
は、エネルギー伝播効率が急激に低下し、効率が悪くな
ることが分かる。
さらに、けられ係数が0.5以下になると、第３図（ニ）
に示すように、サブピークが生じることとなり、光走査
装置としては使用不可能な状態となる。
に示すように、サブピークが生じることとなり、光走査
装置としては使用不可能な状態となる。
従って、以上の特性把握に基づいて、レーザビーム光路
に開口を設けるにあたって、半導体レーザの活性領域に
おいてその精度を制御することの困難な接合面と直交す
る方向に対しては、絞りの径を入射レーザビーム径に対
してほぼ2.0以下の径に変更設定することで、半導体レ
ーザ個体間におけるレーザ光のこの方向に対する拡がり
角のバラツキを補正できるようにするとともに、比較的
精度良く制御することのできる接合面と平行な方向に対
しては、絞りの径を入射レーザビーム径に対してほぼ1.
8以上の径に固定しておくことで、エネルギーを効率よ
く伝播させることができるようにしてある。
に開口を設けるにあたって、半導体レーザの活性領域に
おいてその精度を制御することの困難な接合面と直交す
る方向に対しては、絞りの径を入射レーザビーム径に対
してほぼ2.0以下の径に変更設定することで、半導体レ
ーザ個体間におけるレーザ光のこの方向に対する拡がり
角のバラツキを補正できるようにするとともに、比較的
精度良く制御することのできる接合面と平行な方向に対
しては、絞りの径を入射レーザビーム径に対してほぼ1.
8以上の径に固定しておくことで、エネルギーを効率よ
く伝播させることができるようにしてある。
以下に、図面に基づいて、本発明の実施例を説明する。
第１図は、レーザビームプリンタにおける光走査装置の
概略構成を示している。入力印字情報に応じてパルス変
調されて半導体レーザ（１）から発振されたレーザビー
ム（B0）は、コリメータレンズ（２）によって平行光に
され、高速回転するポリゴンミラー（３）の１つの鏡面
で反射される。光走査器の一例であるこのポリゴンミラ
ー（３）の回転で、鏡面のレーザビーム（B0）に対する
傾きが変化し、それに伴って、反射後のレーザビーム
（BR）は、露光体の一例である感光体ドラム（４）の長
手方向に向かって走査される。このレーザビーム（BR）
は、結像レンズの一例であるｆθレンズ（５）によって
収束され、一様に帯電された感光体ドラム（４）上に結
像してその位置の帯電電位を減少させる。そして、上記
の動作の繰り返しによって感光体ドラム（４）上に静電
潜像が形成される。図中（６）は、ドラム（４）の回転
方向に対して、各走査開始位置を揃えるためのレーザビ
ーム検出用光センサである。
概略構成を示している。入力印字情報に応じてパルス変
調されて半導体レーザ（１）から発振されたレーザビー
ム（B0）は、コリメータレンズ（２）によって平行光に
され、高速回転するポリゴンミラー（３）の１つの鏡面
で反射される。光走査器の一例であるこのポリゴンミラ
ー（３）の回転で、鏡面のレーザビーム（B0）に対する
傾きが変化し、それに伴って、反射後のレーザビーム
（BR）は、露光体の一例である感光体ドラム（４）の長
手方向に向かって走査される。このレーザビーム（BR）
は、結像レンズの一例であるｆθレンズ（５）によって
収束され、一様に帯電された感光体ドラム（４）上に結
像してその位置の帯電電位を減少させる。そして、上記
の動作の繰り返しによって感光体ドラム（４）上に静電
潜像が形成される。図中（６）は、ドラム（４）の回転
方向に対して、各走査開始位置を揃えるためのレーザビ
ーム検出用光センサである。
その後、図示は省略するが、着色顔料であるトナーをこ
の静電潜像部分に選択付着させて現像し、出力用紙をト
ナー像面に接触させて紙面上にトナー像を転写し、この
紙を加熱することによってトナーを融解して紙に定着さ
せ、出力画像を得るのである。
の静電潜像部分に選択付着させて現像し、出力用紙をト
ナー像面に接触させて紙面上にトナー像を転写し、この
紙を加熱することによってトナーを融解して紙に定着さ
せ、出力画像を得るのである。
第３図（イ）は、本発明による結像光学装置の特徴部分
を示す概略図であり、前述したレーザビームの光路内
に、絞り（７）を設けてある。この絞り（７）は、レー
ザビームに対して芯合わせをするために、第１図に示す
ように円筒形のコリメータレンズ（２）の鏡胴に外嵌さ
れている。コリメータレンズ（２）は、第９図に示すよ
うに、レンズホルダ（８）を介して、レンズ支持部材
（９）に取り付けられており、図示はしていないが、レ
ンズ鏡胴の一部に形成した溝に係合する偏芯ビス（10）
の回動によって、このレンズ（２）を前後動させて焦点
の微調整を行えるようになっている。絞り（７）は円形
開口を有する部材（7A）と２枚の平板（7B）とからなっ
ており、コリメータレンズ（２）に、円形開口を有する
部材（7A）がビス止めされている。この部材（7A）の溝
部に、開口に対して上下方向の長孔を有する平板（7B）
がビス止めされており、この平板（7B）を溝部に沿って
上下動させ適宜位置で固定することによって、図中上下
方向に対する開口率を変えられるようになっている。図
中（11）はレンズ押さえバネである。
を示す概略図であり、前述したレーザビームの光路内
に、絞り（７）を設けてある。この絞り（７）は、レー
ザビームに対して芯合わせをするために、第１図に示す
ように円筒形のコリメータレンズ（２）の鏡胴に外嵌さ
れている。コリメータレンズ（２）は、第９図に示すよ
うに、レンズホルダ（８）を介して、レンズ支持部材
（９）に取り付けられており、図示はしていないが、レ
ンズ鏡胴の一部に形成した溝に係合する偏芯ビス（10）
の回動によって、このレンズ（２）を前後動させて焦点
の微調整を行えるようになっている。絞り（７）は円形
開口を有する部材（7A）と２枚の平板（7B）とからなっ
ており、コリメータレンズ（２）に、円形開口を有する
部材（7A）がビス止めされている。この部材（7A）の溝
部に、開口に対して上下方向の長孔を有する平板（7B）
がビス止めされており、この平板（7B）を溝部に沿って
上下動させ適宜位置で固定することによって、図中上下
方向に対する開口率を変えられるようになっている。図
中（11）はレンズ押さえバネである。
このように設けられた絞り（７）は、例えば第３図
（ロ）に示すような強度分布を持つ入射レーザビームに
対して、その開口率の変化に伴って、露光体（Ａ）上で
のレーザビームのスポット径を、例えば、第３図
（ハ）、（ニ）に示すように変化させるものであり、絞
り（７）がない時のスポット径（Ｄ）に対する変化後の
スポット径（Ｄ′）の増加率（Ｄ′/D）は、第４図
（イ）のグラフに示すように、開口率の指標であるけら
れ係数（a/D0）の減少に伴って増加する。また、エネル
ギー伝播効率（τ）は、第４図（ロ）のグラフに示すよ
うに、けられ係数（a/D0）の減少に伴って減少する。そ
して、この絞り（７）は、半導体レーザー（１）の接合
面に直交する方向（以下直交方向と略称する）に対して
は入射レーザビーム径（D0）のほぼ1.8倍ないし0.5倍の
径に変更設定自在に、かつ、接合面に平行な方向（以下
平行方向と略称する）に対しては入射レーザビーム径
（D0）のほぼ1.8倍の径に固定されている。従って、こ
の絞り（７）によって、入射したレーザビームを、直交
方向に対しては適宜スポット径が増加するように変化さ
せ、半導体レーザ個体間でのバラツキを補正できるよう
にするとともに、平行方向に対しては影響を与えずに、
エネルギー伝播効率の良い状態で通過させるようにして
ある。
（ロ）に示すような強度分布を持つ入射レーザビームに
対して、その開口率の変化に伴って、露光体（Ａ）上で
のレーザビームのスポット径を、例えば、第３図
（ハ）、（ニ）に示すように変化させるものであり、絞
り（７）がない時のスポット径（Ｄ）に対する変化後の
スポット径（Ｄ′）の増加率（Ｄ′/D）は、第４図
（イ）のグラフに示すように、開口率の指標であるけら
れ係数（a/D0）の減少に伴って増加する。また、エネル
ギー伝播効率（τ）は、第４図（ロ）のグラフに示すよ
うに、けられ係数（a/D0）の減少に伴って減少する。そ
して、この絞り（７）は、半導体レーザー（１）の接合
面に直交する方向（以下直交方向と略称する）に対して
は入射レーザビーム径（D0）のほぼ1.8倍ないし0.5倍の
径に変更設定自在に、かつ、接合面に平行な方向（以下
平行方向と略称する）に対しては入射レーザビーム径
（D0）のほぼ1.8倍の径に固定されている。従って、こ
の絞り（７）によって、入射したレーザビームを、直交
方向に対しては適宜スポット径が増加するように変化さ
せ、半導体レーザ個体間でのバラツキを補正できるよう
にするとともに、平行方向に対しては影響を与えずに、
エネルギー伝播効率の良い状態で通過させるようにして
ある。
尚、レーザビームの径は、何れも中心強度に対してe-2
倍に強度が低下する位置どうしの距離として規定される
ものである。
倍に強度が低下する位置どうしの距離として規定される
ものである。
絞り（７）の具体的形状が適宜設定すればよく、つぎに
その例を示す。
その例を示す。
尚、第５図ないし第８図において、（イ）は開放状態、
（ロ）は絞り込んだ状態を表している。また各図中ハッ
チング表示したものが、入射レーザビームである。
（ロ）は絞り込んだ状態を表している。また各図中ハッ
チング表示したものが、入射レーザビームである。
第５図に示すものは虹彩絞り形式であり、この絞りの回
転で、平行方向（図中Ｘ方向；以下同じ）の開放率を維
持したまま直交方向（図中Ｙ方向；以下同じ）に開放率
が変化し、楕円形状に絞り込んで行くものである。
転で、平行方向（図中Ｘ方向；以下同じ）の開放率を維
持したまま直交方向（図中Ｙ方向；以下同じ）に開放率
が変化し、楕円形状に絞り込んで行くものである。
第６図に示すものは平行絞り形式であり、円形の開放率
固定の開口を有する部材（7a）と、直交方向にスライド
自在な一対の平板（7b）とからなっている。つまり、平
板（7b）を直交方向に平行移動することによって、平行
方向の開放率は固定したまま直交方向の開放率が変化す
るものである。
固定の開口を有する部材（7a）と、直交方向にスライド
自在な一対の平板（7b）とからなっている。つまり、平
板（7b）を直交方向に平行移動することによって、平行
方向の開放率は固定したまま直交方向の開放率が変化す
るものである。
第７図に示すものは、長円絞り形式であり、長円形の開
口を有する部材（7c）と半円形の凹部を有する直交方向
にスライド自在な一対の平板（7d）とからなっている。
つまり、平板（7d）を直交方向に平行移動することで、
直交方向に対して開口の形状が長円状から真円状に変わ
り、開放率が変化するものである。
口を有する部材（7c）と半円形の凹部を有する直交方向
にスライド自在な一対の平板（7d）とからなっている。
つまり、平板（7d）を直交方向に平行移動することで、
直交方向に対して開口の形状が長円状から真円状に変わ
り、開放率が変化するものである。
第８図に示すものは楕円絞り形式であり、楕円形の開口
を有する部材（7e）、（7f）を２個組み合わせたもので
ある。そして、一方の部材（7f）を回転させることによ
って、直交方向の開放率が変化するものである。
を有する部材（7e）、（7f）を２個組み合わせたもので
ある。そして、一方の部材（7f）を回転させることによ
って、直交方向の開放率が変化するものである。
各形式の絞り（７）において、直交方向に対する径は、
入射レーザビーム径（D0）のほぼ2.0倍以下の径で変更
設定できるものであれば、その範囲は任意ではあるが、
好ましくは、上述したように、入射レーザビーム径
（D0）の1.8倍ないし0.5倍の範囲で変えられるようにし
ておくのがよい。
入射レーザビーム径（D0）のほぼ2.0倍以下の径で変更
設定できるものであれば、その範囲は任意ではあるが、
好ましくは、上述したように、入射レーザビーム径
（D0）の1.8倍ないし0.5倍の範囲で変えられるようにし
ておくのがよい。
以上述べて来たように、本発明による結像光学装置にお
いては、レーザビームの光路内に、半導体レーザの接合
面に直交する方向に対しては入射レーザビーム径の0.5
〜2.0倍の径に変更設定自在な、かつ、接合面に平行な
方向に対しては入射レーザビーム径のほぼ1.8倍以上の
径に固定された絞りを設けてあり、半導体レーザから発
振されるレーザビームの強度分布に見合って、エネルギ
ーを有効に伝播させながら半導体レーザ個体間での拡が
り角のバラツキを補正することができるから、露光体上
におけるレーザビームのスポット径を効果的に制御でき
るようになった。その結果、特に、レーザ光走査技術を
利用した装置等において最も重要なパラメータである解
像度を、極めて簡単な改良によって、エネルギーロスや
個体間バラツキのない状態で高めることが可能となり、
扱う情報量の増加或いは画質の高度化を効果的に計れる
ようになった。
いては、レーザビームの光路内に、半導体レーザの接合
面に直交する方向に対しては入射レーザビーム径の0.5
〜2.0倍の径に変更設定自在な、かつ、接合面に平行な
方向に対しては入射レーザビーム径のほぼ1.8倍以上の
径に固定された絞りを設けてあり、半導体レーザから発
振されるレーザビームの強度分布に見合って、エネルギ
ーを有効に伝播させながら半導体レーザ個体間での拡が
り角のバラツキを補正することができるから、露光体上
におけるレーザビームのスポット径を効果的に制御でき
るようになった。その結果、特に、レーザ光走査技術を
利用した装置等において最も重要なパラメータである解
像度を、極めて簡単な改良によって、エネルギーロスや
個体間バラツキのない状態で高めることが可能となり、
扱う情報量の増加或いは画質の高度化を効果的に計れる
ようになった。
【図面の簡単な説明】 図面は本発明に係る結像光学装置の実施例を示し、第１
図は光走査装置の概略図、第２図は半導体レーザからの
レーザビーム発振を示す斜視図、第３図（イ）は要部概
略図、第３図（ロ）は第３図（イ）におけるｍ点での、
第３図（ハ）及び（ニ）は第３図（イ）におけるｎ点で
のそれぞれレーザビームの強度分布図、第４図（イ）は
開口径とスポット径との関係を示すグラフ、第４図
（ロ）は開口径とエネルギー伝播効率との関係を示すグ
ラフ、第５図（イ）、（ロ）ないし第８図（イ）、
（ロ）は絞りの形状を示す正面図、第９図は絞りの取付
け構造を示す斜視図である。 （１）……半導体レーザ、（４）……露光体、（５）…
…結像レンズ、（７）……絞り、（Ｘ）……接合面に平
行な方向、（Ｙ）……接合面に直交する方向。
図は光走査装置の概略図、第２図は半導体レーザからの
レーザビーム発振を示す斜視図、第３図（イ）は要部概
略図、第３図（ロ）は第３図（イ）におけるｍ点での、
第３図（ハ）及び（ニ）は第３図（イ）におけるｎ点で
のそれぞれレーザビームの強度分布図、第４図（イ）は
開口径とスポット径との関係を示すグラフ、第４図
（ロ）は開口径とエネルギー伝播効率との関係を示すグ
ラフ、第５図（イ）、（ロ）ないし第８図（イ）、
（ロ）は絞りの形状を示す正面図、第９図は絞りの取付
け構造を示す斜視図である。 （１）……半導体レーザ、（４）……露光体、（５）…
…結像レンズ、（７）……絞り、（Ｘ）……接合面に平
行な方向、（Ｙ）……接合面に直交する方向。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭57−179815（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−48076（ＪＰ，Ａ) 実開 昭50−115046（ＪＰ，Ｕ)
Claims (1)
- 【請求項１】半導体レーザからのレーザビームを露光体
上に結像させる結像レンズを有する結像光学装置におい
て、 前記レーザビームの光路内に、半導体レーザの接合面に
直交する方向に対しては入射レーザビーム径の0.5〜2.0
倍の径に変更設定自在な、かつ、接合面に平行な方向に
対しては入射レーザビーム径のほぼ1.8倍以上の径に固
定された絞りを設けたことを特徴とする結像光学装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59247277A JPH0734068B2 (ja) | 1984-11-22 | 1984-11-22 | 結像光学装置 |
| US06/799,915 US4722581A (en) | 1984-11-22 | 1985-11-20 | Recording apparatus with a semiconductor laser |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59247277A JPH0734068B2 (ja) | 1984-11-22 | 1984-11-22 | 結像光学装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61124919A JPS61124919A (ja) | 1986-06-12 |
| JPH0734068B2 true JPH0734068B2 (ja) | 1995-04-12 |
Family
ID=17161067
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59247277A Expired - Lifetime JPH0734068B2 (ja) | 1984-11-22 | 1984-11-22 | 結像光学装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4722581A (ja) |
| JP (1) | JPH0734068B2 (ja) |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0658463B2 (ja) * | 1986-08-12 | 1994-08-03 | 旭光学工業株式会社 | レ−ザビ−ムプリンタの水平同期装置 |
| JP2840356B2 (ja) * | 1989-04-17 | 1998-12-24 | 株式会社リコー | 光走査装置 |
| US5161047A (en) * | 1990-05-15 | 1992-11-03 | Ricoh Company, Ltd. | Optical scanner for image recording apparatus |
| US5111343A (en) * | 1990-05-29 | 1992-05-05 | Eastman Kodak Company | Gradient filter |
| JPH0450975A (ja) * | 1990-06-15 | 1992-02-19 | Canon Inc | 画像形成装置 |
| US5119113A (en) * | 1990-10-11 | 1992-06-02 | International Business Machines Corporation | Spot-defined exposure system for a laser printer |
| JPH04163418A (ja) * | 1990-10-26 | 1992-06-09 | Toyo Ink Mfg Co Ltd | 光ビーム制御方法および網点形成方法 |
| JP3073790B2 (ja) * | 1990-11-29 | 2000-08-07 | 株式会社リコー | 光走査装置 |
| US5274491A (en) * | 1991-05-13 | 1993-12-28 | Ncr Corporation | Dynamic laser diode aperture for optical scanners |
| JP3093337B2 (ja) * | 1991-07-15 | 2000-10-03 | キヤノン株式会社 | 走査光学装置 |
| US5499262A (en) * | 1992-03-18 | 1996-03-12 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor laser light source unit |
| US5781225A (en) * | 1992-05-19 | 1998-07-14 | Eastman Kodak Company | Method and apparatus for improving electronic recording of depth images |
| JP2005164973A (ja) * | 2003-12-03 | 2005-06-23 | Kowa Co | 光学装置 |
| JP4822668B2 (ja) * | 2004-02-03 | 2011-11-24 | 株式会社東芝 | マルチビーム光走査装置 |
| EP2050145A4 (en) * | 2006-07-28 | 2009-09-02 | Koninkl Philips Electronics Nv | LIGHT SOURCE WITH EDGE-LIKE ELEMENTS |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50115046U (ja) * | 1975-02-21 | 1975-09-19 | ||
| JPS54143661A (en) * | 1978-04-28 | 1979-11-09 | Canon Inc | Recording optical system |
| US4222653A (en) * | 1978-12-04 | 1980-09-16 | Leo Beiser | Visual effects optical relay |
| US4304467A (en) * | 1979-05-29 | 1981-12-08 | International Business Machines Corporation | Focussed laser beam optical system |
| US4333173A (en) * | 1979-06-15 | 1982-06-01 | Hitachi, Ltd. | Optical information processor with prismatic correction of laser beam shape |
| US4397527A (en) * | 1981-02-26 | 1983-08-09 | Eastman Kodak Company | Apparatus for use in correcting beam anamorphicity by vector diffraction |
| JPS57179815A (en) * | 1981-04-28 | 1982-11-05 | Ricoh Co Ltd | Positioning method for prism for forming laser beam |
| US4538895A (en) * | 1983-03-07 | 1985-09-03 | International Business Machines Corporation | Scanning optical system for use with a semiconductor laser generator |
-
1984
- 1984-11-22 JP JP59247277A patent/JPH0734068B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1985
- 1985-11-20 US US06/799,915 patent/US4722581A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4722581A (en) | 1988-02-02 |
| JPS61124919A (ja) | 1986-06-12 |
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