JPH0734456B2 - 集積回路パッケージ - Google Patents
集積回路パッケージInfo
- Publication number
- JPH0734456B2 JPH0734456B2 JP14117987A JP14117987A JPH0734456B2 JP H0734456 B2 JPH0734456 B2 JP H0734456B2 JP 14117987 A JP14117987 A JP 14117987A JP 14117987 A JP14117987 A JP 14117987A JP H0734456 B2 JPH0734456 B2 JP H0734456B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- integrated circuit
- circuit package
- wiring pattern
- superconductor
- glass
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 8
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 4
- 229910009203 Y-Ba-Cu-O Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 3
- 239000002887 superconductor Substances 0.000 description 17
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 11
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 description 2
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 2
- 229910002480 Cu-O Inorganic materials 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 229910001925 ruthenium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N ruthenium(iv) oxide Chemical compound O=[Ru]=O WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は10GHz以上の信号を取り扱うマイクロ波通信用
等の集積回路パッケージに関するものである。
等の集積回路パッケージに関するものである。
従来の技術 近年、通信のディジタル化及び大容量化が進んできてお
り、衛星通信等のマイクロ波通の重要性も増してきてい
る。
り、衛星通信等のマイクロ波通の重要性も増してきてい
る。
マイクロ波等の高周波信号を処理する集積回路のパッケ
ージにおいては、集積回路の高機能化により回路規模が
増大しつつある。一方、パッケージ大型化のために、信
号線長さは増大し、それによる損失の増加が問題となっ
ている。
ージにおいては、集積回路の高機能化により回路規模が
増大しつつある。一方、パッケージ大型化のために、信
号線長さは増大し、それによる損失の増加が問題となっ
ている。
上記した問題を解決するために、配線パターンを超伝導
物質で形成するという試みがなされているが、基板表面
粗さの影響で思うように損失が下がらないという問題が
あった。
物質で形成するという試みがなされているが、基板表面
粗さの影響で思うように損失が下がらないという問題が
あった。
発明が解決しようとする問題点 高周波における信号線路における損失は大きく分けて導
体損失と誘電体損失の２つである。
体損失と誘電体損失の２つである。
導体損失は信号線導体の電気伝導度が有限であるために
起る損失で、その他に基板粗さの影響を受ける。
起る損失で、その他に基板粗さの影響を受ける。
全体の損失は通常の多層アルミナ技術を用いて0.1mmの
線幅で信号線を形成した場合10GHzで約1dB/cmてある。
これを超伝導体を用いることにより約0.008dB/cmまで下
がることが期待されているが、実際には表面粗さの影響
により0.08dB/cm程度までしか下がっていない。
線幅で信号線を形成した場合10GHzで約1dB/cmてある。
これを超伝導体を用いることにより約0.008dB/cmまで下
がることが期待されているが、実際には表面粗さの影響
により0.08dB/cm程度までしか下がっていない。
従って、本発明の目的は上記した問題を解決し、損失が
十分小さい集積回路パッケージを提供することにある。
十分小さい集積回路パッケージを提供することにある。
問題点を解決するための手段 本発明に従うと、信号線配線パターンに超伝導物質を用
いた集積回路パッケージにおいて、該信号線配線パター
ンが、軟化点が超伝導物質の焼成温度より高い温度を持
つガラスの上に形成されていることを特徴とする集積回
路パッケージが提供される。上記信号線配線パターンが
形成されているガラスの厚さは、１μｍ乃至10μｍであ
ることが好ましく、また、超伝導物質としては、例え
ば、Ｙ−Ba−Cu−Ｏ系の物質を用いることができる。
いた集積回路パッケージにおいて、該信号線配線パター
ンが、軟化点が超伝導物質の焼成温度より高い温度を持
つガラスの上に形成されていることを特徴とする集積回
路パッケージが提供される。上記信号線配線パターンが
形成されているガラスの厚さは、１μｍ乃至10μｍであ
ることが好ましく、また、超伝導物質としては、例え
ば、Ｙ−Ba−Cu−Ｏ系の物質を用いることができる。
作用 高周波信号の中心導体と接地導体の間の電磁界の分布は
TEM波で考えると第２図のようになる。
TEM波で考えると第２図のようになる。
信号が高周波になる程電磁界は導体内部に侵入しにくく
なり、見かけ上の電気抵抗は増す。この原因は導体が有
限の電気伝導度しか持たないためである。即ち、周波数
が高いほど、導体の見かけ上の厚みは薄くなり、抵抗値
は上昇する。
なり、見かけ上の電気抵抗は増す。この原因は導体が有
限の電気伝導度しか持たないためである。即ち、周波数
が高いほど、導体の見かけ上の厚みは薄くなり、抵抗値
は上昇する。
一方、超伝導体は、見かけ上の厚みが薄くても抵抗は０
であるが、電気伝導度が∞であるという理由と、磁束が
超電導体表面から極僅かの距離（Londonの侵入距離）の
み侵入するだけで内部には存在しないという理由から基
板と超電導体の接している面である基板表面の状態の影
響を大きく受ける。特に、基板表面が粗い場合、その上
に形成された超電導体の表面も粗くなり、超電導体内に
侵入する磁束の密度が局所的に高くなり、悪影響を与え
る。
であるが、電気伝導度が∞であるという理由と、磁束が
超電導体表面から極僅かの距離（Londonの侵入距離）の
み侵入するだけで内部には存在しないという理由から基
板と超電導体の接している面である基板表面の状態の影
響を大きく受ける。特に、基板表面が粗い場合、その上
に形成された超電導体の表面も粗くなり、超電導体内に
侵入する磁束の密度が局所的に高くなり、悪影響を与え
る。
一般に、集積回路パッケージ用基板としては、焼結等で
作製したAl2O3が使用されるが、該Al2O3基板は、焼結体
であるためにポーラスであり、表面が粗い。他のプロセ
スによればポーラスでないAl2O3を得ることは可能では
あるが、コストが大幅に上昇する。また、Al2O3に代わ
る別のポーラスでない材料を基板として用いる場合も同
様である。従って、従来の超電導体で配線パターンを形
成した集積回路パッケージは、上記の問題から免れなか
った。
作製したAl2O3が使用されるが、該Al2O3基板は、焼結体
であるためにポーラスであり、表面が粗い。他のプロセ
スによればポーラスでないAl2O3を得ることは可能では
あるが、コストが大幅に上昇する。また、Al2O3に代わ
る別のポーラスでない材料を基板として用いる場合も同
様である。従って、従来の超電導体で配線パターンを形
成した集積回路パッケージは、上記の問題から免れなか
った。
本発明に従うと、超電導体の信号線配線パターンを平滑
なガラス上に形成したため、基板表面の粗さの影響を受
けることはない。膜厚を１〜10μｍと規定したのは１μ
ｍ未満であれば平滑化の効果がないこと、10μｍを超え
ると誘電特性に悪影響を与えるからである。
なガラス上に形成したため、基板表面の粗さの影響を受
けることはない。膜厚を１〜10μｍと規定したのは１μ
ｍ未満であれば平滑化の効果がないこと、10μｍを超え
ると誘電特性に悪影響を与えるからである。
また、一般に酸化物超伝導体は、焼成等の熱処理により
形成されるため、本発明で用いるガラスは配線パターン
に使用する酸化物超電導体の熱処理温度より、軟化点が
高い必要がある。例えば、Ｙ−Ba−Cu−Ｏ系の酸化物超
電導体は、900℃〜950℃の大気中で焼成するため、軟化
点が950℃以上のガラスを用いる必要がある。
形成されるため、本発明で用いるガラスは配線パターン
に使用する酸化物超電導体の熱処理温度より、軟化点が
高い必要がある。例えば、Ｙ−Ba−Cu−Ｏ系の酸化物超
電導体は、900℃〜950℃の大気中で焼成するため、軟化
点が950℃以上のガラスを用いる必要がある。
さらに、通常厚膜抵抗及び厚膜コンデンサは、850℃程
度の大気中で焼成し、作製するので配線パターンを形成
した後、抵抗およびコンデンサをその上に作製すること
が可能である。
度の大気中で焼成し、作製するので配線パターンを形成
した後、抵抗およびコンデンサをその上に作製すること
が可能である。
実施例 以下に本発明を実施によりさらに詳しく説明するが、以
下は異なる実施例であり、本発明の技術的範囲は以下の
実施例によって制限されないことはもちろんである。
下は異なる実施例であり、本発明の技術的範囲は以下の
実施例によって制限されないことはもちろんである。
本発明の効果を確認するために第１図のようなリードレ
スチップキャリア（LCC）を作成した。
スチップキャリア（LCC）を作成した。
キャビティ寸法は2mm角の正方形とし、外形を22mm角の
正方形とした。信号線の長さを10mmにし、キャビティ付
近では0.5mmピッチ、外形付近では5mmピッチとした。
正方形とした。信号線の長さを10mmにし、キャビティ付
近では0.5mmピッチ、外形付近では5mmピッチとした。
工程としては厚み0.1mmのAl2O3を焼成し、その上に信号
線と同じパターンで軟化点960℃のガラスペーストをス
クリーン印刷し、焼成した。その上に超伝導物質Ｙ−Ba
−Cu−Ｏをスクリーン印刷し焼成し、キャビティ付近の
信号線間に酸化ルテニウム低抗体を印刷焼成した。この
抵抗の電極の一端は信号線と接続し、もう一端はスルー
ホールにより表面の接地導体と接続した。また１組の信
号線だけキャビティ付近で線幅0.1mmのガラス上超伝導
体で接続した。
線と同じパターンで軟化点960℃のガラスペーストをス
クリーン印刷し、焼成した。その上に超伝導物質Ｙ−Ba
−Cu−Ｏをスクリーン印刷し焼成し、キャビティ付近の
信号線間に酸化ルテニウム低抗体を印刷焼成した。この
抵抗の電極の一端は信号線と接続し、もう一端はスルー
ホールにより表面の接地導体と接続した。また１組の信
号線だけキャビティ付近で線幅0.1mmのガラス上超伝導
体で接続した。
このパッケージにおいて終端抵抗のついているもので反
射を、接続された１組で損失を測定した。また、ガラス
のないものも比較のために作成した。結果を第１表に示
す。
射を、接続された１組で損失を測定した。また、ガラス
のないものも比較のために作成した。結果を第１表に示
す。
本発明のガラス上に形成された超電導体の配線パターン
を持つ集積回路パッケージは、Al2O3基板上に直接配線
パターンを形成した従来の集積回路パッケージと比較し
て、反射はほとんど変わらないが、損失は最高1/5以下
になる。
を持つ集積回路パッケージは、Al2O3基板上に直接配線
パターンを形成した従来の集積回路パッケージと比較し
て、反射はほとんど変わらないが、損失は最高1/5以下
になる。
以上により、本発明の主要な特徴であるガラス上に配線
パターンを形成することによって低損失化がはかれるこ
とが確認された。
パターンを形成することによって低損失化がはかれるこ
とが確認された。
発明の効果 以上説明したように本発明の集積回路パッケージは、超
電導体を単に使用しただけでなく、超電導体の特性を十
分に活用している。これは、本発明の特徴であるガラス
の上に形成された超電導体配線パターンによって実現さ
れている。
電導体を単に使用しただけでなく、超電導体の特性を十
分に活用している。これは、本発明の特徴であるガラス
の上に形成された超電導体配線パターンによって実現さ
れている。
本発明は、大型の集積回路例えばマイクロ波集積回路用
低損失パッケージとして有用である。
低損失パッケージとして有用である。
第１図ａは、本発明の集積回路パッケージの上面図であ
り、 第１図ｂは、第１図ａのＢ−Ｂにおける断面図であり、 第１図ｃは、第１図ａのＡ−Ａにおける断面図であり、 第２図は、高周波信号の中心導体と接地導体の間の電界
および磁界の分布を表す概念図である。 （主な参照番号） １……超伝導体、２……キャビッティ、３……Al2O3、
４…ガラス、５……高周波中心導体、６……接地導体、
り、 第１図ｂは、第１図ａのＢ−Ｂにおける断面図であり、 第１図ｃは、第１図ａのＡ−Ａにおける断面図であり、 第２図は、高周波信号の中心導体と接地導体の間の電界
および磁界の分布を表す概念図である。 （主な参照番号） １……超伝導体、２……キャビッティ、３……Al2O3、
４…ガラス、５……高周波中心導体、６……接地導体、
フロントページの続き (72)発明者 上代 哲司 兵庫県伊丹市昆陽北１丁目１番１号 住友 電気工業株式会社伊丹製作所内 (56)参考文献 特開 昭49−119171（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−123158（ＪＰ，Ａ)
Claims (4)
- 【請求項１】信号線配線パターンに超伝導物質を用いた
集積回路パッケージにおいて、該信号線配線パターン
が、軟化点が超伝導物質の焼成温度より高い温度を持つ
ガラスの上に形成されていることを特徴とする集積回路
パッケージ。 - 【請求項２】上記信号線配線パターンが形成されている
ガラスの厚さが、１μｍ乃至10μｍであることを特徴と
する特許請求の範囲第１項に記載の集積回路パッケー
ジ。 - 【請求項３】超伝導物質としてＹ−Ba−Cu−Ｏ系の物質
を用いたことを特徴とする特許請求の範囲第１項または
第２項に記載の集積回路パッケージ。 - 【請求項４】パッケージ内に厚膜抵抗、厚膜コンデンサ
を作り込んだことを特徴とする特許請求の範囲第３項に
記載の集積回路パッケージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14117987A JPH0734456B2 (ja) | 1987-06-05 | 1987-06-05 | 集積回路パッケージ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14117987A JPH0734456B2 (ja) | 1987-06-05 | 1987-06-05 | 集積回路パッケージ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63305535A JPS63305535A (ja) | 1988-12-13 |
| JPH0734456B2 true JPH0734456B2 (ja) | 1995-04-12 |
Family
ID=15285982
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14117987A Expired - Lifetime JPH0734456B2 (ja) | 1987-06-05 | 1987-06-05 | 集積回路パッケージ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0734456B2 (ja) |
-
1987
- 1987-06-05 JP JP14117987A patent/JPH0734456B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63305535A (ja) | 1988-12-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH07201570A (ja) | 厚膜積層インダクタ | |
| US4987009A (en) | Producing method of thick film complex component | |
| TWI278139B (en) | Transmission line type noise filter with small size and simple structure, having excellent noise removing characteristic over wide band including high frequency band | |
| JP3862042B2 (ja) | 導電性ペースト、それを用いたセラミックス構造物及びその製造方法 | |
| JPH0734456B2 (ja) | 集積回路パッケージ | |
| JP2634133B2 (ja) | 高誘電体層を有する窒化アルミニウム多層配線基板及びその製造方法 | |
| US5060049A (en) | Multiple resistivity wiring apparatus | |
| JP3537698B2 (ja) | 配線基板およびその製造方法 | |
| JP2002076554A (ja) | 高周波用回路基板 | |
| JP2003031956A (ja) | セラミック配線基板及びその製造方法 | |
| JP3372061B2 (ja) | 高周波誘電体材料ならびに共振器およびその製造方法 | |
| JP3326358B2 (ja) | コイル用非磁性材料及びコイル部品 | |
| JP2003277170A (ja) | 配線導体用組成物 | |
| JPH11329844A (ja) | 積層型インピーダンス素子 | |
| JPS58163102A (ja) | 磁器コンデンサの内部電極用導電性ペ−スト | |
| JP2000331832A (ja) | 積層型インピーダンス素子 | |
| JPH1092645A (ja) | 積層型インピーダンス素子 | |
| JPS63300594A (ja) | 多層セラミック配線基板およびその製造方法 | |
| JPH0239878B2 (ja) | ||
| JP2962846B2 (ja) | 配線基板 | |
| JP2001024106A (ja) | 電子回路用基板 | |
| JP3948261B2 (ja) | コイル部品の製造方法 | |
| JPH01120096A (ja) | 多層回路基板 | |
| JPS6047496A (ja) | セラミツク基板 | |
| JP2001217515A (ja) | 回路基板 |