JPH0734484B2 - 半導体発光素子 - Google Patents
半導体発光素子Info
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- JPH0734484B2 JPH0734484B2 JP31570087A JP31570087A JPH0734484B2 JP H0734484 B2 JPH0734484 B2 JP H0734484B2 JP 31570087 A JP31570087 A JP 31570087A JP 31570087 A JP31570087 A JP 31570087A JP H0734484 B2 JPH0734484 B2 JP H0734484B2
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- current injection
- iia
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/81—Bodies
- H10H20/822—Materials of the light-emitting regions
- H10H20/823—Materials of the light-emitting regions comprising only Group II-VI materials, e.g. ZnO
Landscapes
- Led Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、化合物半導体発光素子に関するものであり、
更に詳述するならば、可視光短波長から紫外で発光する
半導体発光素子に関するものである。
更に詳述するならば、可視光短波長から紫外で発光する
半導体発光素子に関するものである。
（従来技術及び発明が解決しようとする問題点） 可視光短波長（青色）の半導体発光素子として、発光効
率の高いものは従来ZnSeを用いて形成されている。第６
図にその基本構造を示す。ZnSe結晶基板１と、絶縁層２
を有し、半透明金属電極３から正孔が絶縁層２を通して
ZnSe結晶１内に注入され、発光中心を介して電子と再結
合し、発光させる。４は電極を示す。ここで、結晶基板
１としては、高圧溶融法で育成した単結晶を1mm厚のウ
ェーハ状に切断し、鏡面研磨したのち、Zn融液中で熱処
理し、0.3〜２Ω・cmの比抵抗にしたものを用いる。絶
縁層２としては、300〜5000A厚のSiO2膜を、またZnSe基
板１へのオーム性電極４としてIn−Ga、電極３として厚
さ500〜1000AのAu蒸着膜を用いる。
率の高いものは従来ZnSeを用いて形成されている。第６
図にその基本構造を示す。ZnSe結晶基板１と、絶縁層２
を有し、半透明金属電極３から正孔が絶縁層２を通して
ZnSe結晶１内に注入され、発光中心を介して電子と再結
合し、発光させる。４は電極を示す。ここで、結晶基板
１としては、高圧溶融法で育成した単結晶を1mm厚のウ
ェーハ状に切断し、鏡面研磨したのち、Zn融液中で熱処
理し、0.3〜２Ω・cmの比抵抗にしたものを用いる。絶
縁層２としては、300〜5000A厚のSiO2膜を、またZnSe基
板１へのオーム性電極４としてIn−Ga、電極３として厚
さ500〜1000AのAu蒸着膜を用いる。
この構造においては少数キャリアである正孔をいかに効
率良く注入するかが問題であり、絶縁層２の形成技術に
依存するところが多い。特に、絶縁層２の形成をごく薄
い他の化合物例えばSiO2などで作製した場合一般には高
発光効率は得られない。またこの発光は、その発光エネ
ルギーがZnSeのバンドギャップエネルギーに近いため、
結晶内での自己吸収が大きくなり発光強度が低下する。
また、この構造では、後述する本発明のごとく導波構造
をなすことができない、という問題がある。このためこ
の構造の素子では、発光強度を十分上げることができな
い欠点を持っており、これまで量子効率が10-3％までの
ものしか得られていなかった。
率良く注入するかが問題であり、絶縁層２の形成技術に
依存するところが多い。特に、絶縁層２の形成をごく薄
い他の化合物例えばSiO2などで作製した場合一般には高
発光効率は得られない。またこの発光は、その発光エネ
ルギーがZnSeのバンドギャップエネルギーに近いため、
結晶内での自己吸収が大きくなり発光強度が低下する。
また、この構造では、後述する本発明のごとく導波構造
をなすことができない、という問題がある。このためこ
の構造の素子では、発光強度を十分上げることができな
い欠点を持っており、これまで量子効率が10-3％までの
ものしか得られていなかった。
（発明の目的） 本発明は上記の欠点を改善するために提案されたもの
で、その目的は、電流注入量が多くとれ、かつ発光効率
の高い、可視光短波長を発光する半導体発光素子を提供
することにある。
で、その目的は、電流注入量が多くとれ、かつ発光効率
の高い、可視光短波長を発光する半導体発光素子を提供
することにある。
（問題点を解決するための手段） 上記の目的を達成するために、本発明は、GaAsまたはIn
P,Siの何れかの基板上に形成されIIaをMg,Ca,Ba,Sr、II
bをZn,Cd、VIをS,Se,Teとするとき、IIaxIIbyVI（ｘ＋
ｙ＝１）発光層と、これに格子整合条件で接し、発光層
よりバンドギャップの大きいIIax′IIby′VI（ｘ′＋
ｙ′＝１）からなる電流注入層とを有し、GaAsまたはIn
P,Siの単結晶基板に格子整合した構造を有することを特
徴とする半導体発光素子を発明の要旨とするものであ
る。
P,Siの何れかの基板上に形成されIIaをMg,Ca,Ba,Sr、II
bをZn,Cd、VIをS,Se,Teとするとき、IIaxIIbyVI（ｘ＋
ｙ＝１）発光層と、これに格子整合条件で接し、発光層
よりバンドギャップの大きいIIax′IIby′VI（ｘ′＋
ｙ′＝１）からなる電流注入層とを有し、GaAsまたはIn
P,Siの単結晶基板に格子整合した構造を有することを特
徴とする半導体発光素子を発明の要旨とするものであ
る。
しかして本発明の特徴とする点は、素子発光部が発光
層と電流注入層より構成され両者はいずれもII VI族化
合物より形成されているため、互いに格子整合が良好で
あること、またバンドギャップが不連続であり、発光
層のバンドギャップが電流注入層のバンドギャップより
小であるため、注入されたキャリアの発光層外への流れ
が妨げられるとともに、発光層と電流注入層との屈折率
の差により、発生した光が発光層内に閉じ込められるこ
と、GaAsまたはInP,Siという大口径基板を用いるため、
従来のようにII−Ｖ族化合物材料の小さな基板による大
きさを制限されないことにある。
層と電流注入層より構成され両者はいずれもII VI族化
合物より形成されているため、互いに格子整合が良好で
あること、またバンドギャップが不連続であり、発光
層のバンドギャップが電流注入層のバンドギャップより
小であるため、注入されたキャリアの発光層外への流れ
が妨げられるとともに、発光層と電流注入層との屈折率
の差により、発生した光が発光層内に閉じ込められるこ
と、GaAsまたはInP,Siという大口径基板を用いるため、
従来のようにII−Ｖ族化合物材料の小さな基板による大
きさを制限されないことにある。
IIbVI族化合物は、閃亜鉛鉱型結晶構造をしており、直
接遷移型バンド構造を持っている。またIIaVI族化合物
は、MgTeを除いて、すべて岩塩型結晶構造をしている
が、IIbVI族とは概ね全率にわたって固溶体IIaIIbVIを
形成する。
接遷移型バンド構造を持っている。またIIaVI族化合物
は、MgTeを除いて、すべて岩塩型結晶構造をしている
が、IIbVI族とは概ね全率にわたって固溶体IIaIIbVIを
形成する。
第７図に（100）面上の格子整合とバンドギャップエネ
ルギーの関係を示す。この図から分かるように、IIaIIb
VIからなる三元ないし四元系の固溶体を用いることによ
り完全格子整合条件でバンドギャップの異なる材料の多
層構造を形成でき、良質なヘテロ接合条件を得ることが
可能となる。
ルギーの関係を示す。この図から分かるように、IIaIIb
VIからなる三元ないし四元系の固溶体を用いることによ
り完全格子整合条件でバンドギャップの異なる材料の多
層構造を形成でき、良質なヘテロ接合条件を得ることが
可能となる。
単結晶基板としては、閃亜鉛鉱型の結晶構造を持つGaAs
やInPを用いると、第７図の破線で示したように、IIaII
bVI層を基板も含めて完全格子整合条件で形成すること
ができ，特に良質のヘテロ接合構造が得られる。また、
Si単結晶上にもバッファ層などを介してGaAsやInPの単
結晶薄膜を形成すれば、同じように良質のIIaIIbVI層を
形成することができる。
やInPを用いると、第７図の破線で示したように、IIaII
bVI層を基板も含めて完全格子整合条件で形成すること
ができ，特に良質のヘテロ接合構造が得られる。また、
Si単結晶上にもバッファ層などを介してGaAsやInPの単
結晶薄膜を形成すれば、同じように良質のIIaIIbVI層を
形成することができる。
このようなヘテロ接合構造では、バンドギャップエネル
ギーの違いにより必然的にその界面でバンドギャップの
不連続を生じている。このバンドギャップ不連続は、バ
ンドギャップの小さい半導体からのキャリアの流出に対
してバリアの働きをする。本発明は、上述のIIaIIbVIの
良好なヘテロ接合を発光部即ち発光層と電流注入層に用
いることを特徴としており、バンドギャップ不連続によ
り注入されたキャリアの発光層外への流れが妨げられ発
光層内で発光再結合するキャリアが増加することを物理
的根拠としている。
ギーの違いにより必然的にその界面でバンドギャップの
不連続を生じている。このバンドギャップ不連続は、バ
ンドギャップの小さい半導体からのキャリアの流出に対
してバリアの働きをする。本発明は、上述のIIaIIbVIの
良好なヘテロ接合を発光部即ち発光層と電流注入層に用
いることを特徴としており、バンドギャップ不連続によ
り注入されたキャリアの発光層外への流れが妨げられ発
光層内で発光再結合するキャリアが増加することを物理
的根拠としている。
次に本発明の実施例について説明する。尚、実施例は一
つの例示であって、本発明の精神を逸脱しない範囲で、
種々の変更あるいは改良を行いうることは言うまでもな
い。
つの例示であって、本発明の精神を逸脱しない範囲で、
種々の変更あるいは改良を行いうることは言うまでもな
い。
（実施例１） 第１図は本発明の半導体発光素子の第一の実施例を説明
する図であり、発光素子の断面を示したものである。Ga
As基板５の上に厚さ５μｍのCd0.08Mg0.16Zn0.76Se電流
注入層（クラッド層）６と、厚さ0.5μｍのMnSe発光層
７と、電流注入層および発光層に対する電極8,9とを有
している。電流注入層はｎ型で低抵抗であり、発光層は
高抵抗にしてある。電極９を正の側として電圧を加える
と、発光層７にキャリアが注入され約4800Åの青色で発
光する。キャリアは電流注入層６へも流れるが、バンド
ギャップ差が約0.4eVあり、バンドギャップ不連続の効
果により無効電流が減少し、外部量子効率１％と高効率
で発光した。なお、発光層と電流注入層に本発明で開示
した異種材料の組合せを用いると、電流注入層の屈折率
が発光層の屈折率に比べて低くなり、いわゆるクラッド
層として作用し、光を閉じ込める導波型構造を実現でき
るので、発光効率を高めることができる。
する図であり、発光素子の断面を示したものである。Ga
As基板５の上に厚さ５μｍのCd0.08Mg0.16Zn0.76Se電流
注入層（クラッド層）６と、厚さ0.5μｍのMnSe発光層
７と、電流注入層および発光層に対する電極8,9とを有
している。電流注入層はｎ型で低抵抗であり、発光層は
高抵抗にしてある。電極９を正の側として電圧を加える
と、発光層７にキャリアが注入され約4800Åの青色で発
光する。キャリアは電流注入層６へも流れるが、バンド
ギャップ差が約0.4eVあり、バンドギャップ不連続の効
果により無効電流が減少し、外部量子効率１％と高効率
で発光した。なお、発光層と電流注入層に本発明で開示
した異種材料の組合せを用いると、電流注入層の屈折率
が発光層の屈折率に比べて低くなり、いわゆるクラッド
層として作用し、光を閉じ込める導波型構造を実現でき
るので、発光効率を高めることができる。
（実施例２） 第２図は本発明の第二の実施例を説明する図である。図
において、InP基板10の上に厚さ２μｍのMg0.30Cd0.70S
e第一の電流注入層（第一のクラッド層）11と、厚さ0.3
μｍのZn0.23Mg0.15Cd0.62Se発光層12、さらに厚さ0.1
μｍのMg0.30Cd0.70Se第二の電流注入層（第二のクラッ
ド層）13と、両電流注入層11および13に対する電極14,1
5を有している。電極15を正の側として電圧を加える
と、薄い電流注入層13を通してキャリアが発光層12に注
入される。この実施例の構造では、発光層の両側にバン
ド不連続があり、キャリアの戻りも少なくすることがで
きている。素子の抵抗は殆ど高抵抗の電流注入層13に決
っている。本素子では発光した光は、クラッド層として
作用する電流注入層に挟まれて導波され、主に層に平行
な方向へ放出される。発光波長は約5000Åの青色であ
り、外部量子効率は３％が得られた。
において、InP基板10の上に厚さ２μｍのMg0.30Cd0.70S
e第一の電流注入層（第一のクラッド層）11と、厚さ0.3
μｍのZn0.23Mg0.15Cd0.62Se発光層12、さらに厚さ0.1
μｍのMg0.30Cd0.70Se第二の電流注入層（第二のクラッ
ド層）13と、両電流注入層11および13に対する電極14,1
5を有している。電極15を正の側として電圧を加える
と、薄い電流注入層13を通してキャリアが発光層12に注
入される。この実施例の構造では、発光層の両側にバン
ド不連続があり、キャリアの戻りも少なくすることがで
きている。素子の抵抗は殆ど高抵抗の電流注入層13に決
っている。本素子では発光した光は、クラッド層として
作用する電流注入層に挟まれて導波され、主に層に平行
な方向へ放出される。発光波長は約5000Åの青色であ
り、外部量子効率は３％が得られた。
（実施例３） 第３図は本発明の第三の実施例を示す図である。図にお
いては、Si基板16にバッファ層17を介してInP層18があ
りその上に厚さ２μｍのCa0.31Zn0.69Te0.30Se0.70の組
成を持つ第一の電流注入層（第一のクラッド層）19と、
厚さ0.3μｍのCa0.13Zn0.87Te0.41Se0.59発光層20、更
に厚さ0.1μｍのCa0.31Zn0.69Te0.30Se0.70第二の電流
注入層（第二のクラッド層）21と、両電流注入層19及び
21に対する電極22,23を有する。発光部の構造は実施例
２と同じであり、従来の発光素子に比べ発光効率の著し
い改善が得られた。発光波長は4600Åの青色である。
いては、Si基板16にバッファ層17を介してInP層18があ
りその上に厚さ２μｍのCa0.31Zn0.69Te0.30Se0.70の組
成を持つ第一の電流注入層（第一のクラッド層）19と、
厚さ0.3μｍのCa0.13Zn0.87Te0.41Se0.59発光層20、更
に厚さ0.1μｍのCa0.31Zn0.69Te0.30Se0.70第二の電流
注入層（第二のクラッド層）21と、両電流注入層19及び
21に対する電極22,23を有する。発光部の構造は実施例
２と同じであり、従来の発光素子に比べ発光効率の著し
い改善が得られた。発光波長は4600Åの青色である。
（実施例４） 第４図は本発明の第四の実施例を説明する図である。図
においては、InP基板24の上に２μｍ厚のZn0.17Mg0.19C
d0.64Se第一の電流注入層（第一のクラッド層）25と、
0.3μｍ厚のZn0.47Cd0.53Se発光層26、さらに0.1μｍ厚
のZn0.17Mg0.19Cd0.64Se第二の電流注入層（第二のクラ
ッド層）27と、電流注入層25,27に対する電極28,29を有
している。電極27を正の側として電圧を加えることによ
り発光し、その光は両電流注入層間を導波され放出され
る。上記組合せによる発光波長は約5900Åの緑色であ
り、外部量子効率は３％が得られた。
においては、InP基板24の上に２μｍ厚のZn0.17Mg0.19C
d0.64Se第一の電流注入層（第一のクラッド層）25と、
0.3μｍ厚のZn0.47Cd0.53Se発光層26、さらに0.1μｍ厚
のZn0.17Mg0.19Cd0.64Se第二の電流注入層（第二のクラ
ッド層）27と、電流注入層25,27に対する電極28,29を有
している。電極27を正の側として電圧を加えることによ
り発光し、その光は両電流注入層間を導波され放出され
る。上記組合せによる発光波長は約5900Åの緑色であ
り、外部量子効率は３％が得られた。
（実施例５） 第５図は、本発明の第五の実施例を説明する図で、紫色
（波長4000A）を得るためのものである。図において
は、GaAs基板30の上に２μｍ厚のCd0.12Mg0.33Zn0.55Se
第一の電流注入層（第一のクラッド層）31と、0.3μｍ
厚のCd0.03Mg0.18Zn0.79Se発光層32、さらに0.1μｍ厚
のCd0.12Mg0.33Zn0.55Se第二の電流注入層（第二のクラ
ッド層）33と、電流注入層31,33に対する電極34,35を有
している。この実施例の構造においても、実施例２〜４
と同じく、導波型構造を持つため、キャリアと光の閉じ
込めが有効に為され、発光効率の高い導波光が層に平行
な方向へ放出される。
（波長4000A）を得るためのものである。図において
は、GaAs基板30の上に２μｍ厚のCd0.12Mg0.33Zn0.55Se
第一の電流注入層（第一のクラッド層）31と、0.3μｍ
厚のCd0.03Mg0.18Zn0.79Se発光層32、さらに0.1μｍ厚
のCd0.12Mg0.33Zn0.55Se第二の電流注入層（第二のクラ
ッド層）33と、電流注入層31,33に対する電極34,35を有
している。この実施例の構造においても、実施例２〜４
と同じく、導波型構造を持つため、キャリアと光の閉じ
込めが有効に為され、発光効率の高い導波光が層に平行
な方向へ放出される。
（発明の効果） 以上のように本発明によれば、GaAsまたはInP,Siの何れ
かの基板上に形成されIIaxIIbyVI（ｘ＋ｙ＝１）発光層
と、これに完全格子整合条件で接し、発光層より十分バ
ンドギャップエネルギーの大きいIIax′IIby′VI（ｘ′
＋ｙ′＝１）からなる電流注入層とを有し、GaAsまたは
InP,Siの単結晶基板に格子整合した構造を有することに
より、電流注入層が多く取れ、かつ発光効率の高い、緑
色から青色，紫色までの可視光短波長を発光する半導体
発光素子を得ることができる。
かの基板上に形成されIIaxIIbyVI（ｘ＋ｙ＝１）発光層
と、これに完全格子整合条件で接し、発光層より十分バ
ンドギャップエネルギーの大きいIIax′IIby′VI（ｘ′
＋ｙ′＝１）からなる電流注入層とを有し、GaAsまたは
InP,Siの単結晶基板に格子整合した構造を有することに
より、電流注入層が多く取れ、かつ発光効率の高い、緑
色から青色，紫色までの可視光短波長を発光する半導体
発光素子を得ることができる。
さらに、発光層と電流注入層の組成の差に起因する屈折
率差により光が発光層に閉じ込められる効果があるこ
と、発光層と電流注入層が格子整合条件で接しているた
めの発光層と電流注入層の界面に欠陥が発生せず界面に
おけるキャリアの非発光再結合が防止される効果があ
る。
率差により光が発光層に閉じ込められる効果があるこ
と、発光層と電流注入層が格子整合条件で接しているた
めの発光層と電流注入層の界面に欠陥が発生せず界面に
おけるキャリアの非発光再結合が防止される効果があ
る。
第１図は本発明の半導体発光素子の第一の実施例の構造
の概略を示し、第２図は本発明の第二の実施例の構造、
第３図は本発明の第三の実施例の構造、第４図は本発明
の第四の実施例の構造、第５図は本発明の第五の実施例
の構造を示し、第６図は従来技術の発光素子の構造、第
７図はIIaIIbVI化合物固溶体の（100）面上の格子定数
とバンドギャップエネルギーの関係を示したものであ
る。 １……ZnSe基板 ２……絶縁層 ３……半透明金属電極 ４……電極 5,30……GaAs基板 ６……Cd0.08Mg0.16Zn0.76Se電流注入層 ７……ZnSe発光層 8,9,14,15,22,23,28,29,34,35……電極 10,24……InP基板 11,13……Mg0.30Cd0.70Se電流注入層 12……Mg0.15Zn0.23Cd0.62Se発光層、 16……Si基板 17……バッファ層 18……InP層 19,21……Ca0.31Zn0.69Te0.30Se0.70電流注入層 20……Ca0.13Zn0.87Te0.41Se0.59発光層 25,27……Zn0.17Mg0.19Cd0.64Se電流注入層 26……Zn0.47Cd0.53Se発光層 31,33……Cd0.12Mg0.33Zn0.55Se電流注入層 32……Cd0.03Mg0.18Zn0.79Se発光層
の概略を示し、第２図は本発明の第二の実施例の構造、
第３図は本発明の第三の実施例の構造、第４図は本発明
の第四の実施例の構造、第５図は本発明の第五の実施例
の構造を示し、第６図は従来技術の発光素子の構造、第
７図はIIaIIbVI化合物固溶体の（100）面上の格子定数
とバンドギャップエネルギーの関係を示したものであ
る。 １……ZnSe基板 ２……絶縁層 ３……半透明金属電極 ４……電極 5,30……GaAs基板 ６……Cd0.08Mg0.16Zn0.76Se電流注入層 ７……ZnSe発光層 8,9,14,15,22,23,28,29,34,35……電極 10,24……InP基板 11,13……Mg0.30Cd0.70Se電流注入層 12……Mg0.15Zn0.23Cd0.62Se発光層、 16……Si基板 17……バッファ層 18……InP層 19,21……Ca0.31Zn0.69Te0.30Se0.70電流注入層 20……Ca0.13Zn0.87Te0.41Se0.59発光層 25,27……Zn0.17Mg0.19Cd0.64Se電流注入層 26……Zn0.47Cd0.53Se発光層 31,33……Cd0.12Mg0.33Zn0.55Se電流注入層 32……Cd0.03Mg0.18Zn0.79Se発光層
Claims (4)
- 【請求項１】GaAsまたはInP,Siの何れかの基板上に形成
され、化学式IIaxIIbyVIで表わされ、IIaはMg,Ca,Baお
よびSr、またはIIbはZnおよびCd、VIはS,SeおよびTeか
らそれぞれ選ばれた一種または二種以上の元素であり、
かつｘ＋ｙ＝１である発光層と、これに格子整合条件で
接し、発光層よりバンドギャップの大きいIIax′IIby′
VI（ｘ′＋ｙ′＝１）からなる電流注入層とを有し、Ga
AsまたはInP,Siの単結晶基板に格子整合した構造を有す
ることを特徴とする半導体発光素子。 のであります。 - 【請求項２】IIaはMg、IIbはZnおよびCd、VIはSeである
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体発
光素子。 - 【請求項３】IIaはMg、IIbはZn、VIはSeおよびTeである
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体発
光素子。 - 【請求項４】IIaはCa、IIbはZn、VIはSeおよびTeである
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体発
光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31570087A JPH0734484B2 (ja) | 1987-12-14 | 1987-12-14 | 半導体発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31570087A JPH0734484B2 (ja) | 1987-12-14 | 1987-12-14 | 半導体発光素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01157576A JPH01157576A (ja) | 1989-06-20 |
| JPH0734484B2 true JPH0734484B2 (ja) | 1995-04-12 |
Family
ID=18068498
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31570087A Expired - Lifetime JPH0734484B2 (ja) | 1987-12-14 | 1987-12-14 | 半導体発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0734484B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0268968A (ja) * | 1988-09-02 | 1990-03-08 | Sharp Corp | 化合物半導体発光素子 |
| JPH0391270A (ja) * | 1989-09-01 | 1991-04-16 | Kokusai Denshin Denwa Co Ltd <Kdd> | 半導体発光素子 |
| US5045897A (en) * | 1990-03-14 | 1991-09-03 | Santa Barbara Research Center | Quaternary II-VI materials for photonics |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5147381A (ja) * | 1974-10-21 | 1976-04-22 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd |
-
1987
- 1987-12-14 JP JP31570087A patent/JPH0734484B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01157576A (ja) | 1989-06-20 |
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