JPH0735383Y2 - 薄膜気相成長装置 - Google Patents
薄膜気相成長装置Info
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- JPH0735383Y2 JPH0735383Y2 JP11076289U JP11076289U JPH0735383Y2 JP H0735383 Y2 JPH0735383 Y2 JP H0735383Y2 JP 11076289 U JP11076289 U JP 11076289U JP 11076289 U JP11076289 U JP 11076289U JP H0735383 Y2 JPH0735383 Y2 JP H0735383Y2
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Description
この考案は縦型の薄膜気相成長装置に関する。特にウエ
ハの面内での温度を均一にする事ができるサセプタ、ヒ
ータの構造に関する改良を与える。
ハの面内での温度を均一にする事ができるサセプタ、ヒ
ータの構造に関する改良を与える。
【従来の技術】 縦型の薄膜気相成長装置は、第３図に示すように、従来
は、高周波加熱によりサセプタが加熱されていた。 円筒形縦型の石英リアクタ１の中に、カーボンのサセプ
タ２が回転シャフト５によって回転自在に支持されてい
る。 石英リアクタ１の外側には、高周波コイル４が巻き回し
てある。サセプタ２の上にウエハ３を載置する。高周波
コイル４に通電して、サセプタ２を誘導加熱すると、ウ
エハ３も加熱される。石英リアクタ１の上方から下方に
向けて原料ガスを流すと、薄膜がウエハの上に形成され
る。 原料ガスはウエハや薄膜の成分によって決まる。たとえ
がGaAs、InPウエハの上に薄膜形成するときは、Ｖ族元
素の水素化物ガスやIII族元素を含む有機金属ガスなど
が原料ガスとなる（キャリアガスとして水素を用いる事
が多い）。 このように、石英リアクタの外部に設置された高周波コ
イルによりサセプタ及びウエハを加熱するのは縦型の気
相成長装置に於いて、一般的に行われている。例えば特
開昭62−85422号（S.62.4.18）、実開昭63−51432号（S
63.4.7）などにも開示されている。 高周波加熱方式を採用すると、リアクタ内の機構部の構
造が単純化されるという利点がある。 高周波加熱ではなく、サセプタの中に、蚊取り線香のよ
うな形状をした抵抗加熱ヒータを密封した抵抗加熱方式
のものが提案されている。（特開昭63−278322,S63.11.
16）
は、高周波加熱によりサセプタが加熱されていた。 円筒形縦型の石英リアクタ１の中に、カーボンのサセプ
タ２が回転シャフト５によって回転自在に支持されてい
る。 石英リアクタ１の外側には、高周波コイル４が巻き回し
てある。サセプタ２の上にウエハ３を載置する。高周波
コイル４に通電して、サセプタ２を誘導加熱すると、ウ
エハ３も加熱される。石英リアクタ１の上方から下方に
向けて原料ガスを流すと、薄膜がウエハの上に形成され
る。 原料ガスはウエハや薄膜の成分によって決まる。たとえ
がGaAs、InPウエハの上に薄膜形成するときは、Ｖ族元
素の水素化物ガスやIII族元素を含む有機金属ガスなど
が原料ガスとなる（キャリアガスとして水素を用いる事
が多い）。 このように、石英リアクタの外部に設置された高周波コ
イルによりサセプタ及びウエハを加熱するのは縦型の気
相成長装置に於いて、一般的に行われている。例えば特
開昭62−85422号（S.62.4.18）、実開昭63−51432号（S
63.4.7）などにも開示されている。 高周波加熱方式を採用すると、リアクタ内の機構部の構
造が単純化されるという利点がある。 高周波加熱ではなく、サセプタの中に、蚊取り線香のよ
うな形状をした抵抗加熱ヒータを密封した抵抗加熱方式
のものが提案されている。（特開昭63−278322,S63.11.
16）
薄膜気相成長法に於いて、生成された薄膜は、膜厚が均
一である事、電気的特性などが均一であることなどが強
く要求される。 膜厚や電気的特性などがウエハ面内で不均一であれば、
このウエハから、目的とするデバイスを歩留りよく製造
することができない。 膜厚、電気的特性を左右する要因は、温度、ガス流量、
ガス流速分布、圧力などいくつもある。しかし、膜厚、
電気的特性を決定する主要な条件は温度である。このた
め、膜厚、電気的特性を面内で均一にするため、ウエハ
面内で温度が均一であるということが特に強く要求され
る。 ところが、第３図に示すような高周波誘導加熱では、ウ
エハ面内での温度均一性を得る事が難しい。 その理由は以下のようである。 （１）サセプタ２は、高周波コイル４の交番電流により
うず電流が誘起されうず電流のジュール熱によって加熱
されるが、電流の表皮効果によりサセプタの上面周囲部
と中央部の発熱量が異なり、ウエハの面内での温度均一
性が得にくい。 （２）高周波コイルの巻き方を工夫することにより、ウ
エハ面内温度分布の均一化を増進する事は可能である。
しかし、こうするには、高周波コイルの細かな細工が必
要である。必ずしも容易ではない。 （３）さらに、サセプタ内に抵抗加熱ヒータを備える構
造においては、ヒータの水平方向の大きさが空間的に制
限される。ウエハの直径より僅かに大きな直径のものに
しかならない。サセプタの上面を均一に加熱できたとし
ても、サセプタ上面の側周部から、サセプタの側壁部へ
熱が逃げるので、ウエハの温度が均一にならない。ウエ
ハの中央で高温に、周縁で低温になる。
一である事、電気的特性などが均一であることなどが強
く要求される。 膜厚や電気的特性などがウエハ面内で不均一であれば、
このウエハから、目的とするデバイスを歩留りよく製造
することができない。 膜厚、電気的特性を左右する要因は、温度、ガス流量、
ガス流速分布、圧力などいくつもある。しかし、膜厚、
電気的特性を決定する主要な条件は温度である。このた
め、膜厚、電気的特性を面内で均一にするため、ウエハ
面内で温度が均一であるということが特に強く要求され
る。 ところが、第３図に示すような高周波誘導加熱では、ウ
エハ面内での温度均一性を得る事が難しい。 その理由は以下のようである。 （１）サセプタ２は、高周波コイル４の交番電流により
うず電流が誘起されうず電流のジュール熱によって加熱
されるが、電流の表皮効果によりサセプタの上面周囲部
と中央部の発熱量が異なり、ウエハの面内での温度均一
性が得にくい。 （２）高周波コイルの巻き方を工夫することにより、ウ
エハ面内温度分布の均一化を増進する事は可能である。
しかし、こうするには、高周波コイルの細かな細工が必
要である。必ずしも容易ではない。 （３）さらに、サセプタ内に抵抗加熱ヒータを備える構
造においては、ヒータの水平方向の大きさが空間的に制
限される。ウエハの直径より僅かに大きな直径のものに
しかならない。サセプタの上面を均一に加熱できたとし
ても、サセプタ上面の側周部から、サセプタの側壁部へ
熱が逃げるので、ウエハの温度が均一にならない。ウエ
ハの中央で高温に、周縁で低温になる。
本考案の薄膜気相成長装置は、縦長のリアクタと、リア
クタの内部に設けられウエハを保持するためのサセプタ
と、サセプタを回転可能に支持する回転シャフトとを含
み、 （１）サセプタの内部に抵抗加熱ヒータが設けられ （２）ウエハはサセプタの上に置かれるようになってお
り、 （３）抵抗加熱ヒータはウエハに対向する上面ヒータ部
とサセプタ側壁に対向する側面ヒータ部とを有する、 ようにしている。
クタの内部に設けられウエハを保持するためのサセプタ
と、サセプタを回転可能に支持する回転シャフトとを含
み、 （１）サセプタの内部に抵抗加熱ヒータが設けられ （２）ウエハはサセプタの上に置かれるようになってお
り、 （３）抵抗加熱ヒータはウエハに対向する上面ヒータ部
とサセプタ側壁に対向する側面ヒータ部とを有する、 ようにしている。
サセプタの内部に抵抗加熱ヒータを設け、ヒータからの
輻射熱によってウエハを加熱する。サセプタの上方は開
放されているので、ヒータの輻射熱がウエハに到達す
る。 抵抗加熱ヒータは、単にウエハだけを加熱するのではな
く、サセプタ側壁をも加熱している。ウエハだけを加熱
するとすれば、ウエハの周縁とサセプタの接触部から、
サセプタの方へ熱が逃げ易い。このため、ウエハの周縁
ではより低温に、中央ではより高温になる。本考案では
サセプタの側壁をも加熱するので、サセプタも十分な高
温になる。ウエハの側周からサセプタに向かって熱が逃
げにくくなる。ウエハに於いて中心から側方へ向かう遠
心的な熱の流れが殆ど存在しないようになるので、ウエ
ハ面内での温度の均一性が良い。 ウエハの下面に熱電対用のポケットを形成し、ここに熱
電対の先端を差し込むようにすれば、ポケットにより周
囲の輻射の影響を受ける事なく、ウエハの温度を非接触
で応答性よく測定できる。 以上のようにしてもウエハ面内での温度が十分に均一で
ない場合は、ウエハトレイを用いこの厚みを変える。例
えば中心部を厚肉に、周縁を薄肉にすれば、ウエハ面内
での温度均一性を一層高める事ができる。
輻射熱によってウエハを加熱する。サセプタの上方は開
放されているので、ヒータの輻射熱がウエハに到達す
る。 抵抗加熱ヒータは、単にウエハだけを加熱するのではな
く、サセプタ側壁をも加熱している。ウエハだけを加熱
するとすれば、ウエハの周縁とサセプタの接触部から、
サセプタの方へ熱が逃げ易い。このため、ウエハの周縁
ではより低温に、中央ではより高温になる。本考案では
サセプタの側壁をも加熱するので、サセプタも十分な高
温になる。ウエハの側周からサセプタに向かって熱が逃
げにくくなる。ウエハに於いて中心から側方へ向かう遠
心的な熱の流れが殆ど存在しないようになるので、ウエ
ハ面内での温度の均一性が良い。 ウエハの下面に熱電対用のポケットを形成し、ここに熱
電対の先端を差し込むようにすれば、ポケットにより周
囲の輻射の影響を受ける事なく、ウエハの温度を非接触
で応答性よく測定できる。 以上のようにしてもウエハ面内での温度が十分に均一で
ない場合は、ウエハトレイを用いこの厚みを変える。例
えば中心部を厚肉に、周縁を薄肉にすれば、ウエハ面内
での温度均一性を一層高める事ができる。
図面によって本考案の実施例を説明する。 第１図は本考案の実施例に係る装置の縦断面図である。 石英リアクタ１は円筒縦長の容器である。この中に円筒
形のサセプタ２が円筒軸を鉛直にするように、回転シャ
フト５によって保持されている。 サセプタ２は上壁を持っても持たなくても良いが実施例
では持たず、上方が開口している。側壁のみを持つ。 サセプタ２の開口端に実施例ではウエハトレイ９が載置
される。ウエハトレイ９の上にはウエハ３が嵌り込む凹
部13が形成されている。 ウエハトレイ９は略円板形状であるが、周縁で下方に折
れ曲がった断面形状の周段部14を持つ。ウエハトレイ９
は搬送装置（図示せず）により、サセプタから取り外し
たり、運搬したりできる。またサセプタ２に着装する事
もできる。 ウエハトレイ９をサセプタ２の上に置いた時、ウエハト
レイの周段部14がサセプタ２の上端外周壁を囲むように
なる。これによって位置決めされてウエハトレイは左右
に動かなくなる。 サセプタ２の内部には、カーボンなどの抵抗加熱ヒータ
７が設置される。抵抗加熱ヒータ７は金属製の電極８に
よって下方から支持される。ヒータ７、電極８は静止し
ている。外側にあるサセプタ２と回転シャフト５は回転
機構（図示せず）により回転することができる。当然ウ
エハトレイ９とウエハ３もサセプタ２とともに回転す
る。 ここで重要な事は、ヒータ７がウエハトレイ９を加熱す
るための上面ヒータ部19とともに、サセプタ２を加熱す
るための側面ヒータ部20を持っているという事である。
側面ヒータ部20はサセプタ２を加熱し、これを高温に保
つ作用がある。サセプタ２が高温に保たれれば、ウエハ
トレイの周縁からサセプタ２へ熱が逃げにくくなり、ウ
エハトレイの温度均一性が高まる。 ヒータの熱がウエハトレイの方へ向かうように、リフレ
クター10がヒータ７の下方に設けられる。リフレクター
10には、Ta、Moなど耐熱性に優れた金属板が用いられ
る。 石英リアクタ１の周囲には冷却水ジャケット11が設けら
れる。冷却水は冷却水入口17から入り、石英リアクタ１
の壁面を冷却し、冷却水出口18から排出される。 ウエハトレイ９の上面は、ほぼ平坦で、ウエハを収納す
るための浅い凹部13が設けてあるだけである。 ウエハトレイ９の下面はこの実施例ではいくつかの凹凸
がある。周縁には先述のような、サセプタ２の嵌り込む
ための周段部14がある。中央には下向きの円筒壁よりな
るポケット12が設けられる。ここには熱電対６の先端部
が差し込まれている。熱電対６はウエハトレイの温度を
モニタするものである。熱電対６は回転せず、ウエハト
レイ９は回転する。このため熱電対の先端はウエハトレ
イの裏面に近接しているが、接触していない。 さらに、ウエハトレイは、中央部が厚肉部15により外周
部は薄肉部16になっている。このように厚みを変えるの
は次の理由による。 ウエハトレイの下面に抵抗加熱ヒータ７があるので、ウ
エハトレイの中央がより高温に、外周部はより低温にな
る。これを避けてウエハトレイの上面の温度を均一にす
るために、ウエハトレイの中央をより厚く、周縁をより
薄くするのである。 ウエハトレイは例えばカーボンで主体を作り、Ｐ−BN、
SiCなどで表面をコートする。 さらに、この構造は、サセプタの上端面にウエハトレイ
９を置いただけであるので、接触部の熱抵抗が大きい。
ウエハトレイ９からサセプタ２の方へ熱が伝導しにく
い。つまり、実効的にウエハトレイはサセプタから切り
離されていると言うことができる。ウエハトレイの熱容
量が小さいので、ヒータのパワーを増減すると、これに
追随し速やかにウエハトレイの温度が昇降する。ヒータ
パワーに対する応答性が良い。 なお、ウエハトレイを用いず、サセプタ２に上壁を持た
せ、ここにウエハ３を直接載置するように構成しても良
い。
形のサセプタ２が円筒軸を鉛直にするように、回転シャ
フト５によって保持されている。 サセプタ２は上壁を持っても持たなくても良いが実施例
では持たず、上方が開口している。側壁のみを持つ。 サセプタ２の開口端に実施例ではウエハトレイ９が載置
される。ウエハトレイ９の上にはウエハ３が嵌り込む凹
部13が形成されている。 ウエハトレイ９は略円板形状であるが、周縁で下方に折
れ曲がった断面形状の周段部14を持つ。ウエハトレイ９
は搬送装置（図示せず）により、サセプタから取り外し
たり、運搬したりできる。またサセプタ２に着装する事
もできる。 ウエハトレイ９をサセプタ２の上に置いた時、ウエハト
レイの周段部14がサセプタ２の上端外周壁を囲むように
なる。これによって位置決めされてウエハトレイは左右
に動かなくなる。 サセプタ２の内部には、カーボンなどの抵抗加熱ヒータ
７が設置される。抵抗加熱ヒータ７は金属製の電極８に
よって下方から支持される。ヒータ７、電極８は静止し
ている。外側にあるサセプタ２と回転シャフト５は回転
機構（図示せず）により回転することができる。当然ウ
エハトレイ９とウエハ３もサセプタ２とともに回転す
る。 ここで重要な事は、ヒータ７がウエハトレイ９を加熱す
るための上面ヒータ部19とともに、サセプタ２を加熱す
るための側面ヒータ部20を持っているという事である。
側面ヒータ部20はサセプタ２を加熱し、これを高温に保
つ作用がある。サセプタ２が高温に保たれれば、ウエハ
トレイの周縁からサセプタ２へ熱が逃げにくくなり、ウ
エハトレイの温度均一性が高まる。 ヒータの熱がウエハトレイの方へ向かうように、リフレ
クター10がヒータ７の下方に設けられる。リフレクター
10には、Ta、Moなど耐熱性に優れた金属板が用いられ
る。 石英リアクタ１の周囲には冷却水ジャケット11が設けら
れる。冷却水は冷却水入口17から入り、石英リアクタ１
の壁面を冷却し、冷却水出口18から排出される。 ウエハトレイ９の上面は、ほぼ平坦で、ウエハを収納す
るための浅い凹部13が設けてあるだけである。 ウエハトレイ９の下面はこの実施例ではいくつかの凹凸
がある。周縁には先述のような、サセプタ２の嵌り込む
ための周段部14がある。中央には下向きの円筒壁よりな
るポケット12が設けられる。ここには熱電対６の先端部
が差し込まれている。熱電対６はウエハトレイの温度を
モニタするものである。熱電対６は回転せず、ウエハト
レイ９は回転する。このため熱電対の先端はウエハトレ
イの裏面に近接しているが、接触していない。 さらに、ウエハトレイは、中央部が厚肉部15により外周
部は薄肉部16になっている。このように厚みを変えるの
は次の理由による。 ウエハトレイの下面に抵抗加熱ヒータ７があるので、ウ
エハトレイの中央がより高温に、外周部はより低温にな
る。これを避けてウエハトレイの上面の温度を均一にす
るために、ウエハトレイの中央をより厚く、周縁をより
薄くするのである。 ウエハトレイは例えばカーボンで主体を作り、Ｐ−BN、
SiCなどで表面をコートする。 さらに、この構造は、サセプタの上端面にウエハトレイ
９を置いただけであるので、接触部の熱抵抗が大きい。
ウエハトレイ９からサセプタ２の方へ熱が伝導しにく
い。つまり、実効的にウエハトレイはサセプタから切り
離されていると言うことができる。ウエハトレイの熱容
量が小さいので、ヒータのパワーを増減すると、これに
追随し速やかにウエハトレイの温度が昇降する。ヒータ
パワーに対する応答性が良い。 なお、ウエハトレイを用いず、サセプタ２に上壁を持た
せ、ここにウエハ３を直接載置するように構成しても良
い。
高周波誘導加熱でなく、内部から抵抗加熱するのでウエ
ハ面内の温度分布を均一にする事が容易になる。 さらに、ヒータ７はウエハを加熱する上面ヒータ部19の
他に、サセプタ２を加熱する側面ヒータ部20を備えてい
る。これらは、ひと続きのヒータとしても良いし、独立
の２ゾーンヒータとしても良い。１ゾーンヒータとする
と、電極が１対で済む。カーボンは柔らかくて加工し易
いので、１ゾーンヒータであっても、上面、側面を加熱
することができる。 ２ゾーンヒータにすると、制御の自由度が高くなるが、
電極、リードなどが２重になる。 側面ヒータ部20によってサセプタを加熱するのでサセプ
タが高温に保たれる。このため、ウエハからサセプタへ
逃げる熱が一層少なくなり、ウエハ面内での温度均一性
が高まる。 本考案の効果を確かめるため、次のような実験を行っ
た。第１図に示すような、上方の開口したサセプタの上
にウエハトレイを置き、上面ヒータ部19と側面ヒータ部
20を持った装置（Ａ）と、比較のため、上面が塞された
サセプタの上にウエハを置き、上面ヒータ部だけを有す
る（側面ヒータ部のない）抵抗加熱ヒータを備えた装置
（Ｂ）とを作った。 装置（Ｂ）は公知ではなく比較のために構成したもので
ある。 装置（Ａ）と、比較例（Ｂ）について、３インチウエハ
を置き、加熱実験を行った。上方の閉じられた通常の石
英リアクタ１を使っていては温度分布を測ることが出来
ないので、上方に広い開口のある特別の石英容器でサセ
プタ、ヒータなどの機構部を覆った。そして、この容器
の上方に放射温度計を設け、ウエハの直径上の温度分布
を測定した。 装置（Ａ）と比較例（Ｂ）についての温度分布の測定結
果を第２図に示す。横軸はウエハのある直径上における
中心Ｏからの左右方向への距離である。中心Ｏとウエハ
エッジの間に３つの点（等間隔でない）をとって、温度
を測定している。縦軸は温度（℃）である。黒丸が装置
（Ａ）により、白丸が比較例（Ｂ）によるものである。 サセプタ上面が塞がれヒータが上面だけを加熱するもの
は、ウエハ中央部が高温になり、周縁が低温になる。温
度幅が±８℃にも達する。 装置（Ａ）によるものは、ウエハ面内で温度がほぼ均一
になって、温度幅は±２℃に過ぎない。 装置（Ａ）の構造のものが、ウエハ面内で温度均一性を
高める上で効果的である事が分かる。
ハ面内の温度分布を均一にする事が容易になる。 さらに、ヒータ７はウエハを加熱する上面ヒータ部19の
他に、サセプタ２を加熱する側面ヒータ部20を備えてい
る。これらは、ひと続きのヒータとしても良いし、独立
の２ゾーンヒータとしても良い。１ゾーンヒータとする
と、電極が１対で済む。カーボンは柔らかくて加工し易
いので、１ゾーンヒータであっても、上面、側面を加熱
することができる。 ２ゾーンヒータにすると、制御の自由度が高くなるが、
電極、リードなどが２重になる。 側面ヒータ部20によってサセプタを加熱するのでサセプ
タが高温に保たれる。このため、ウエハからサセプタへ
逃げる熱が一層少なくなり、ウエハ面内での温度均一性
が高まる。 本考案の効果を確かめるため、次のような実験を行っ
た。第１図に示すような、上方の開口したサセプタの上
にウエハトレイを置き、上面ヒータ部19と側面ヒータ部
20を持った装置（Ａ）と、比較のため、上面が塞された
サセプタの上にウエハを置き、上面ヒータ部だけを有す
る（側面ヒータ部のない）抵抗加熱ヒータを備えた装置
（Ｂ）とを作った。 装置（Ｂ）は公知ではなく比較のために構成したもので
ある。 装置（Ａ）と、比較例（Ｂ）について、３インチウエハ
を置き、加熱実験を行った。上方の閉じられた通常の石
英リアクタ１を使っていては温度分布を測ることが出来
ないので、上方に広い開口のある特別の石英容器でサセ
プタ、ヒータなどの機構部を覆った。そして、この容器
の上方に放射温度計を設け、ウエハの直径上の温度分布
を測定した。 装置（Ａ）と比較例（Ｂ）についての温度分布の測定結
果を第２図に示す。横軸はウエハのある直径上における
中心Ｏからの左右方向への距離である。中心Ｏとウエハ
エッジの間に３つの点（等間隔でない）をとって、温度
を測定している。縦軸は温度（℃）である。黒丸が装置
（Ａ）により、白丸が比較例（Ｂ）によるものである。 サセプタ上面が塞がれヒータが上面だけを加熱するもの
は、ウエハ中央部が高温になり、周縁が低温になる。温
度幅が±８℃にも達する。 装置（Ａ）によるものは、ウエハ面内で温度がほぼ均一
になって、温度幅は±２℃に過ぎない。 装置（Ａ）の構造のものが、ウエハ面内で温度均一性を
高める上で効果的である事が分かる。
第１図は本考案の実施例に係る薄膜気相成長装置の概略
縦断面図。 第２図は本考案の効果を確認するため上面ヒータ部と側
面ヒータ部を備えた装置（Ａ）と比較例（Ｂ）とについ
てウエハ面内での温度分布を測定した結果を示すグラ
フ。 第３図は高周波加熱を用いる従来例に係る薄膜気相成長
装置の概略縦断面図。 １……石英リアクタ ２……サセプタ ３……ウエハ ４……高周波コイル ５……回転シャフト ６……熱電対 ７……ヒータ ８……電極 ９……ウエハトレイ 10……リフレクター 11……冷却水ジャケット 12……ポケット 13……凹部 14……周段部 17……冷却水入口 18……冷却水出口 19……上面ヒータ部 20……側面ヒータ部
縦断面図。 第２図は本考案の効果を確認するため上面ヒータ部と側
面ヒータ部を備えた装置（Ａ）と比較例（Ｂ）とについ
てウエハ面内での温度分布を測定した結果を示すグラ
フ。 第３図は高周波加熱を用いる従来例に係る薄膜気相成長
装置の概略縦断面図。 １……石英リアクタ ２……サセプタ ３……ウエハ ４……高周波コイル ５……回転シャフト ６……熱電対 ７……ヒータ ８……電極 ９……ウエハトレイ 10……リフレクター 11……冷却水ジャケット 12……ポケット 13……凹部 14……周段部 17……冷却水入口 18……冷却水出口 19……上面ヒータ部 20……側面ヒータ部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)考案者 立道 潤一 京都府京都市右京区梅津高畝町47番地 日 新電機株式会社内 (72)考案者 西川 公人 京都府京都市右京区梅津高畝町47番地 日 新電機株式会社内 (72)考案者 村田 道夫 神奈川県横浜市栄区田谷町１番地 住友電 気工業株式会社横浜製作所内 (72)考案者 柿野 裕治 神奈川県横浜市栄区田谷町１番地 住友電 気工業株式会社横浜製作所内 (72)考案者 信田 鉄夫 神奈川県横浜市栄区田谷町１番地 住友電 気工業株式会社横浜製作所内
Claims (1)
- 【請求項１】縦長のリアクタ１とリアクタ１の中に設け
られウエハ３を保持するためのサセプタ２と、サセプタ
２を回転可能に支持する回転シャフト５とを含み、サセ
プタ２の内部に抵抗加熱ヒータ７が設けられ、ウエハ３
はサセプタ２の上に置かれるようになっており、抵抗加
熱ヒータ７はウエハ１に対向する上面ヒータ部19とサセ
プタ側壁に対向する側面ヒータ部20とを有する事を特徴
とする薄膜気相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11076289U JPH0735383Y2 (ja) | 1989-09-21 | 1989-09-21 | 薄膜気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11076289U JPH0735383Y2 (ja) | 1989-09-21 | 1989-09-21 | 薄膜気相成長装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0350325U JPH0350325U (ja) | 1991-05-16 |
| JPH0735383Y2 true JPH0735383Y2 (ja) | 1995-08-09 |
Family
ID=31659281
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11076289U Expired - Fee Related JPH0735383Y2 (ja) | 1989-09-21 | 1989-09-21 | 薄膜気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0735383Y2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5009727B2 (ja) * | 2007-09-04 | 2012-08-22 | ヤック株式会社 | 給油キャップホルダー |
| JP2013093460A (ja) * | 2011-10-26 | 2013-05-16 | Ulvac Japan Ltd | 成膜装置 |
| JP5833429B2 (ja) * | 2011-12-20 | 2015-12-16 | スタンレー電気株式会社 | 半導体製造装置 |
-
1989
- 1989-09-21 JP JP11076289U patent/JPH0735383Y2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0350325U (ja) | 1991-05-16 |
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|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |