JPH073558Y2 - 抵抗温度ヒューズ合成体 - Google Patents
抵抗温度ヒューズ合成体Info
- Publication number
- JPH073558Y2 JPH073558Y2 JP16335188U JP16335188U JPH073558Y2 JP H073558 Y2 JPH073558 Y2 JP H073558Y2 JP 16335188 U JP16335188 U JP 16335188U JP 16335188 U JP16335188 U JP 16335188U JP H073558 Y2 JPH073558 Y2 JP H073558Y2
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- JP
- Japan
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- metal foil
- melting point
- point metal
- resistance
- low
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Description
【考案の詳細な説明】 <産業上の利用分野> 本考案は、抵抗温度ヒューズ合成体の改良に関するもの
である。
である。
<従来の技術> 抵抗温度ヒューズ合成体として、絶縁基板の片面上に抵
抗膜と低融点金属箔とを並設し、同絶縁片面上に絶縁被
覆を設けたものが公知である。
抗膜と低融点金属箔とを並設し、同絶縁片面上に絶縁被
覆を設けたものが公知である。
この抵抗温度ヒューズ合成体の一つの使用例として、保
護すべき電気機器に対して抵抗膜を直列にあるいは並列
に接続して、電気機器に過電流が流れた場合にその過電
流の全部または一部で抵抗膜をジュール発熱させ、この
発生熱によって低融点金属箔を溶断させ、この溶断によ
って電気機器への通電を遮断することが知られている。
護すべき電気機器に対して抵抗膜を直列にあるいは並列
に接続して、電気機器に過電流が流れた場合にその過電
流の全部または一部で抵抗膜をジュール発熱させ、この
発生熱によって低融点金属箔を溶断させ、この溶断によ
って電気機器への通電を遮断することが知られている。
また抵抗温度ヒューズ合成体の他の使用例として、抵抗
膜を回路の抵抗体として使用しこの抵抗体が過電流によ
り異常発熱した場合、その発生熱によって低融点金属箔
を溶断させて回路への通電を遮断することも知られてい
る。
膜を回路の抵抗体として使用しこの抵抗体が過電流によ
り異常発熱した場合、その発生熱によって低融点金属箔
を溶断させて回路への通電を遮断することも知られてい
る。
これら何れの使用例においても、低融点金属箔の溶断機
構は、低融点金属箔が溶融し、その低融点金属箔の両電
極(層状電極)のそれぞれを核として溶融金属が球状化
していき、その球状化の進行により層状溶融金属が分断
することによる。
構は、低融点金属箔が溶融し、その低融点金属箔の両電
極(層状電極)のそれぞれを核として溶融金属が球状化
していき、その球状化の進行により層状溶融金属が分断
することによる。
<解決しようとする課題> 而るに上記の抵抗温度ヒューズ合成体においては、低融
点金属箔が層状絶縁体で覆われており、絶縁基板と絶縁
層との間に空間が存在しないために、溶融した低融点金
属の拡散が困難であり、かかる点からしても、球状分断
化を生じさせ難い。これに加え従来の上記抵抗温度ヒュ
ーズ合成体においては所定熱量を発生する抵抗膜を低融
点金属箔に必要最小限の絶縁距離を隔てて設けるといっ
たこと以上に、特別の考慮もなされていない。而して、
上記の抵抗温度ヒューズ合成体は、低融点金属箔の溶断
特性、すなわち作動特性が遅いといった問題がある。
点金属箔が層状絶縁体で覆われており、絶縁基板と絶縁
層との間に空間が存在しないために、溶融した低融点金
属の拡散が困難であり、かかる点からしても、球状分断
化を生じさせ難い。これに加え従来の上記抵抗温度ヒュ
ーズ合成体においては所定熱量を発生する抵抗膜を低融
点金属箔に必要最小限の絶縁距離を隔てて設けるといっ
たこと以上に、特別の考慮もなされていない。而して、
上記の抵抗温度ヒューズ合成体は、低融点金属箔の溶断
特性、すなわち作動特性が遅いといった問題がある。
本考案の目的は、上記溶断特性を向上し得る抵抗温度ヒ
ューズ合成体を提供することにある。
ューズ合成体を提供することにある。
<課題を解決するための手段> 本考案に係る抵抗温度ヒューズ合成体は、絶縁基板上に
抵抗膜と低融点金属箔とを並設し、抵抗膜を低融点金属
箔両端よりも延在する長さとし、低融点金属箔の中間に
対応する位置において抵抗膜に切込みを設けたことを特
徴とする構成である。
抵抗膜と低融点金属箔とを並設し、抵抗膜を低融点金属
箔両端よりも延在する長さとし、低融点金属箔の中間に
対応する位置において抵抗膜に切込みを設けたことを特
徴とする構成である。
<実施例の説明> 以下、図面により本考案を説明する。
第1図において1は耐熱性の絶縁基板、例えばセラミッ
クス板である。2,2は絶縁基板上に設けた相対向せる一
対の層状電極であり、各電極2,2にはそれぞれリード線
3,3を接続してある。4は電極2,2間に橋設せる低融点金
属箔であり、温度ヒューズエレメントとして用いるもの
である。各電極と低融点金属箔との間は溶接により接合
してある。5は低融点金属箔4上に塗布したフラックス
層である。6,6は絶縁基板上に設けた相対向せる一対の
電極であり、その先端61は前記の電極先端21よりも後退
させてある。7,7はリード線である。
クス板である。2,2は絶縁基板上に設けた相対向せる一
対の層状電極であり、各電極2,2にはそれぞれリード線
3,3を接続してある。4は電極2,2間に橋設せる低融点金
属箔であり、温度ヒューズエレメントとして用いるもの
である。各電極と低融点金属箔との間は溶接により接合
してある。5は低融点金属箔4上に塗布したフラックス
層である。6,6は絶縁基板上に設けた相対向せる一対の
電極であり、その先端61は前記の電極先端21よりも後退
させてある。7,7はリード線である。
8は電極6,6間に設けた抵抗膜であり例えば抵抗塗料の
印刷、焼付けにより形成することができる。この抵抗膜
8は低融点金属箔4よりも長くしてあり、低融点金属箔
両端のそれぞれから抵抗膜を延在させてある。
印刷、焼付けにより形成することができる。この抵抗膜
8は低融点金属箔4よりも長くしてあり、低融点金属箔
両端のそれぞれから抵抗膜を延在させてある。
81は抵抗膜8に設けた切り込みであり、その位置は低融
点金属箔4の中間位置としてある(必ずしも、中央とす
る必要はなく低融点金属箔両端の間の任意の位置)。9
は絶縁基板上に設けた絶縁層である。上記において、抵
抗膜8に過電流が流れると抵抗膜8がジュール発熱しこ
の発生熱により低融点金属箔4が溶融する。
点金属箔4の中間位置としてある(必ずしも、中央とす
る必要はなく低融点金属箔両端の間の任意の位置)。9
は絶縁基板上に設けた絶縁層である。上記において、抵
抗膜8に過電流が流れると抵抗膜8がジュール発熱しこ
の発生熱により低融点金属箔4が溶融する。
この場合、抵抗膜8の切込み箇所81が高抵抗であるため
にこの箇所での発生熱が最大となる。而して、低融点金
属箔4の中間がよく溶融され、これが両電極端21,21を
核として球状化し、中間部の溶融金属においては当該球
状化のために長い距離を移動させる必要があるにもかか
わらず、その充分な溶融のために球状化を円滑に促進さ
せ得る。
にこの箇所での発生熱が最大となる。而して、低融点金
属箔4の中間がよく溶融され、これが両電極端21,21を
核として球状化し、中間部の溶融金属においては当該球
状化のために長い距離を移動させる必要があるにもかか
わらず、その充分な溶融のために球状化を円滑に促進さ
せ得る。
また、抵抗膜の各端部が低融点金属箔端より延在し、抵
抗膜の各端部が低融点金属箔の各電極2,2をよく加熱す
るから、溶融金属(溶融した低融点金属箔)の電極抵抗
部分が冷却されるのを防止でき、従って電極端を核とし
ての球状化成長を円滑に行なわしめ得る。
抗膜の各端部が低融点金属箔の各電極2,2をよく加熱す
るから、溶融金属(溶融した低融点金属箔)の電極抵抗
部分が冷却されるのを防止でき、従って電極端を核とし
ての球状化成長を円滑に行なわしめ得る。
第2図は本考案の別実施例を示し低融点金属箔4の両側
にそれぞれ抵抗膜8a,8bを設けたものであり低融点金属
箔4の一端41aに対しては抵抗膜8aを、低融点金属箔4
の他端41bに対しては抵抗膜8bをそれぞれ延在させてあ
る。各抵抗膜8a,8bには、2本の切込み81,82を設けその
少なくとも一本の切込みを低融点金属箔の中間に位置さ
せてある。
にそれぞれ抵抗膜8a,8bを設けたものであり低融点金属
箔4の一端41aに対しては抵抗膜8aを、低融点金属箔4
の他端41bに対しては抵抗膜8bをそれぞれ延在させてあ
る。各抵抗膜8a,8bには、2本の切込み81,82を設けその
少なくとも一本の切込みを低融点金属箔の中間に位置さ
せてある。
なお、抵抗膜の切込みは第3図に示すように水平な引込
み81とし、この水平部81を低融点金属箔4の中間に位置
させるようにしてもよい。
み81とし、この水平部81を低融点金属箔4の中間に位置
させるようにしてもよい。
<考案の効果> 本考案に係る抵抗温度ヒューズ合成体は、上述した通り
の構成であり、抵抗膜のジュール発熱による低融点金属
箔の加熱を中間において強く行いその溶融を充分になし
かつ溶融した低融点金属箔端の電極からの熱漏洩をよく
防止できるから低融点金属箔の中間を分断しての球状化
を円滑に行なわせることができる。
の構成であり、抵抗膜のジュール発熱による低融点金属
箔の加熱を中間において強く行いその溶融を充分になし
かつ溶融した低融点金属箔端の電極からの熱漏洩をよく
防止できるから低融点金属箔の中間を分断しての球状化
を円滑に行なわせることができる。
第1図並びに、第2図はそれぞれ本考案の実施例を示す
説明図、第3図は本考案の他の実施例の要部を示す説明
図である。 図において1は絶縁基板、4は低融点金属箔、8、8a、
8bは抵抗膜、81は切込みである。
説明図、第3図は本考案の他の実施例の要部を示す説明
図である。 図において1は絶縁基板、4は低融点金属箔、8、8a、
8bは抵抗膜、81は切込みである。
Claims (1)
- 【請求項1】絶縁基板上に抵抗膜と低融点金属箔とを並
設し、抵抗膜を低融点金属箔両端よりも延在する長さと
し、低融点金属箔の中間に対応する位置において抵抗膜
に切込みを設けたことを特徴とする抵抗温度ヒューズ合
成体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16335188U JPH073558Y2 (ja) | 1988-12-15 | 1988-12-15 | 抵抗温度ヒューズ合成体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16335188U JPH073558Y2 (ja) | 1988-12-15 | 1988-12-15 | 抵抗温度ヒューズ合成体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0282856U JPH0282856U (ja) | 1990-06-27 |
| JPH073558Y2 true JPH073558Y2 (ja) | 1995-01-30 |
Family
ID=31448000
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16335188U Expired - Lifetime JPH073558Y2 (ja) | 1988-12-15 | 1988-12-15 | 抵抗温度ヒューズ合成体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH073558Y2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE112024001890T5 (de) | 2023-04-27 | 2026-03-19 | Denso Corporation | Verfahren zum Herstellen eines Zentrifugallüfters und Zentrifugallüfter |
-
1988
- 1988-12-15 JP JP16335188U patent/JPH073558Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE112024001890T5 (de) | 2023-04-27 | 2026-03-19 | Denso Corporation | Verfahren zum Herstellen eines Zentrifugallüfters und Zentrifugallüfter |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0282856U (ja) | 1990-06-27 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |