JPH0735772A - 電気計測装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 電子デバイスの開発または製造過程におい
て、高速電気波形を高速時間分解能、高精度空間分解能
で集積回路の内部等をも含む任意の測定点で計測する。 【構成】 尖塔形状を有する端子をきわめて被測定物に
近接させる。この端子は光学活性物質を介して測定器に
接続されている。したがって、そのままでは電気的に非
導通であり被測定物に対する電気的影響も皆無である。
ここで、この光学活性物質に光パルスを照射すると端子
は導通となり被測定物との間に電流が流れて被測定物の
電位が測定できる。 【効果】 従来不可能であった高速電気波形の計測を可
能とし、高精度空間分解能での端子位置のモニタ、制
御、測定点の特定等を可能とし、安価で信頼性の高い計
測を実現することができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は半導体の研究および製造
に利用する。特に、高速集積電子回路の動作状態計測技
術に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年のエレクトロニクスの分野において
扱われる信号の周波数は２５０ＧＨｚにおよび、これら
の高速電気波形を観測する手段が技術の進歩に追いつか
ないというのが現在の高速電気計測技術の現状である。
さらに、素子の微細化が進み時間分解能のみならず、電
気計測装置の空間分解能も現在の技術の進歩に追いつか
ないのが現状である。

【０００３】微小素子の高速動作状態など高速現象を観
測するには、従来からその代表的なものとしてサンプリ
ング・オシロスコープがある。また、近年では光学結晶
の電気光学効果を利用したＥＯサンプリング法が研究さ
れている（ＥＯサンプリング神谷武志 高橋亮 半導体
レーザを光源とする電気光学サンプリング 応用物理第
６１巻第１号ｐ３０，１９９２）。レーザの分野では、
サブピコ秒領域の光パルスが比較的容易に得られるよう
になってきたことから、このレーザパルスを電気信号の
サンプリングに用いようとするのが光サンプリング法で
ある。この方法により、従来の電子計測よりも高速で、
しかも信号を外に引き出すことなく、測定したい点の電
位を被測定回路に非接触で直接測定することが可能であ
る。この方法は、サンプリング・オシロスコープにおけ
るサンプリング用の電気パルスを光パルスに置き換えた
ものといえる。

【０００４】さらに、高空間分解能で、測定したい点の
電位を直接測定する他の方法としては電子ビームテスタ
があり（G.Plows "Electron-Beam Probing"Semiconduct
or and Semimetals Vol.28 (Measurement of High-Spee
d Signals in Solid State Devices)Chap.6,p.336,Edit
ed by R.K.Willardson and Albert C.Beer,AcademicPre
ss.1990) 、ＩＣの動作診断、解析技術においても、電
子ビームテスタがＩＣ内部の電気信号を観測する有力な
手段である。

【０００５】高精度空間分解能で被測定物の表面形状を
観察する装置としては、走査型トンネル顕微鏡あるいは
走査型原子間力顕微鏡などが最近急速に発展普及してい
る。これらの装置は原子レベルの超高空間分解能で３次
元的な画像を得ることができるため、半導体集積回路等
の表面形状の観察には非常に適している。これらを応用
して被測定物の電位を測定する方法としてＢｌｏｏｍ等
によって最近提案された走査型原子間力顕微鏡（ＡＦ
Ｍ）を用いた方法がある(A.F.Hou,F.Ho and D.M.Bloom
"Picosecond Electrical Sanpling using a Scanning F
orce Microscope"Electronics Letters Vol.28 No.25,
p.2302.1992)。この方法では、通常のＡＦＭの被測定物
として高速電子回路を用いる。この場合に被測定点の電
位に応じてＡＦＭのカンチレバーと被測定物の間に斥力
あるいは引力が生じ、その力がカンチレバーの位置の微
小な変位を引き起こす。この微小な変位を検出すること
によって被測定点の電位の時間変化を測定しようとする
のがＢｌｏｏｍ等の方法である。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかし、サンプリング
・オシロスコープの時間分解能は、サンプリングのため
の電気パルスの幅や測定系の持つ電気抵抗および静電容
量で決まる時定数によって計測可能なスピードに限界が
ある。また、被測定信号をケーブルまたは導波路によっ
て測定点から外に取り出すため、被測定信号を乱してし
まいその信頼性にも問題がある。

【０００７】ＥＯサンプリング法は信号の絶対値を測定
することが困難であり、さらにプローブの位置を高い空
間分解でモニタし、制御する方法などに関して実用上問
題がある。

【０００８】電子ビームテスタは時間分解能が低く、高
速なトランジスタを用いたＩＣの評価には適用すること
ができず、また測定環境として高真空が要求される不便
さがある。

【０００９】走査型トンネル顕微鏡あるいは走査型原子
間力顕微鏡は時間分解能については機械系であるカンチ
レバーの応答速度によって限界が決定されるため、高速
電気波形の測定に用いるのは難しい。

【００１０】したがって高速電子回路、特に高密度に集
積された電子回路の電気波形の正確な評価のためには新
しい計測手段が求められている。

【００１１】本発明は、このような背景に行われたもの
であり、高速電気波形を高速時間分解能、高精度空間分
解能で集積回路の内部等をも含む任意の測定点で計測す
る要求に応えるもので、より高速のより微細な被測定物
にも適用でき、より信頼性が高く高速な電気計測装置を
提供することを目的とする。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明は、被測定電子デ
バイスに近接させる針状プローブと、この針状プローブ
に流れる電流を計測する手段とを備えた電気計測装置で
ある。

【００１３】ここで、本発明の特徴とするところは、前
記針状プローブと前記電流を計測する手段との間にその
測定環境で非導通である光学活性物質を含み、この光学
活性物質を導通状態とする強度のパルス光を照射する手
段を備えたところにある。

【００１４】光学活性物質としては、測定環境で非導通
性であり、光を照射することにより導通性を呈する物質
を選ぶ。通常の測定環境ですでに導通状態となる場合は
暗室で測定を行う。

【００１５】前記光学活性物質が、IV族半導体、III −
Ｖ族系半導体、II−VI族系半導体のいずれかであること
が望ましい。

【００１６】前記パルス光は繰り返しパルス光であり、
前記計測する手段を前記パルス光を照射する手段に同期
させる手段を備えることが望ましい。

【００１７】

【作用】被測定物の有する電界の時間的変化を超高速で
超高空間分解能で計測するために、被測定物とその近傍
に配置した尖塔形状を有し、電流を計測する手段と光学
活性物質を介して接続される端子のこの光学活性物質
に、短パルス状の光を照射することにより、被測定物と
尖塔形状を有する端子との間の電圧に依存して光が照射
されている間だけ生じ流れる電流を測定する。これによ
り、被測定物の電位をサンプリング計測することができ
る。

【００１８】すなわち、きわめて被測定物に近接させた
尖塔形状を有する端子は、そのままでは電気的に非導通
であり測定系の持つ電気抵抗および静電容量などの被測
定物に対する電気的影響も皆無である。ここで、この端
子が接続された光学活性物質に光パルスを照射すると、
端子は導体となり被測定物との間に電流が流れて被測定
物の電位が測定できる。

【００１９】尖塔形状を有する端子と被測定物との間
は、原子程度の距離だけ離しても接触させてもどちらで
もかまわない。離れている場合には、トンネル効果また
は電界放出によって電流が流れる。接触している場合に
はその界面にバリアが形成されていればトンネル効果に
よって電流が流れ、バリアが形成されなければ通常の電
流が流れる。接触している場合にも端子の電流経路の抵
抗が充分大きく、光学活性領域の非導通時の電気容量が
充分小さければ被測定物への影響は充分小さくすること
ができる。この場合は、検出される電流の大きさは、こ
の抵抗値で規定され被測定物の電位に比例する。

【００２０】このように構成された高速電気計測装置
は、従来不可能であった高速電気波形の計測を可能と
し、高精度空間分解能での端子位置のモニタ、制御、測
定点の特定等を可能とし、安価で信頼性の高い計測を実
現することができる。

【００２１】

【実施例】本発明第一実施例の構成を図１を参照して説
明する。図１は本発明第一実施例装置のブロック構成図
である。

【００２２】本発明は、被測定電子デバイスに近接させ
る針状プローブ２と、この針状プローブ２に流れる電流
を計測する手段として電流電圧変換器１７、増幅器１
８、バンドパスフィルタ１９、オシロスコープ１０と備
えた電気計測装置である。

【００２３】ここで、本発明の特徴とするところは、針
状プローブ２と電流電圧変換器１７との間にその測定環
境で非導通状態である光学活性物質１２を含み、この光
学活性物質１２を導通状態とする強度のパルス光を照射
する手段として光パルス源１３を備えたところにある。
光学活性物質１２は、IV族半導体、III −Ｖ族系半導
体、II−VI族系半導体のいずれかである。

【００２４】前記パルス光は繰り返しパルス光であり、
図１（ａ）においては、光パルス源１３と電源部５とを
同期回路２０で同期させ、図１（ｂ）においては、オシ
ロスコープ１０の測定タイミングを光パルス源１３に同
期させる手段を備えている。光パルス源１３から発生し
た光パルスは光ファイバ２２を介してレンズ１４から光
学活性物質１２に照射される。

【００２５】アクチュエータ１６には針状プローブ２が
設けられている。アクチュエータ１６′には被測定電子
デバイス１１が設置されている。この二つのアクチュエ
ータ１６および１６′の距離を位置制御部１５があらか
じめ設定された値に制御している。

【００２６】本発明第一実施例では被測定物１に照射す
る光パルスと、被測定物１に印加する交番電圧とを変え
ることにより、それらのビート成分を取り出すことがで
きる。このことはすなわちサンプリング計測をすること
に他ならないのであって、交番電圧が高速で、かつ計測
したい信号の場合などでは、この光パルスとして超高速
光パルスとすると上記サンプリング計測によって所望の
計測が可能となる。本発明によれば、従来電子計測では
不可能であった高速のサンプリング計測が容易に可能と
なり、その産業上の価値は極めて大きい。

【００２７】本発明第一実施例では、針状プローブ２と
して金属を用い、被測定物１として半導体ウェハを使用
した場合について記載したが、逆の場合すなわち針状プ
ローブ２として半導体を用い、被測定物１として金属お
よびまたは半金属、半導体などを使用した場合について
も同様の結果を得た。またトンネル電流の生ずる領域は
微小面積であり、そのため微細なパターンを有する被測
定物の場合においても良好な結果を得た。また、光パル
スの幅をピコ秒またはサブピコ秒とした場合にも充分追
従する系の高速性が得られた。またII−VI族系半導体を
使用した場合においてもほぼ同様の効果が得られた。ま
た本発明第一実施例では半絶縁型の半導体を用いた場合
を示したが、ｐ型あるいはｎ型半導体を用いた場合は、
やや感度が低下するものの同様の効果が得られた。

【００２８】次に、図２を参照して本発明第二実施例を
説明する。図２は本発明第二実施例のブロック構成図で
ある。本発明第二実施例では、通常の走査型原子間力顕
微鏡（ＡＦＭ）と同様にカンチレバー２１の背面で反射
した連続レーザ光源２７の光の位置として針状プローブ
２の位置を検出し、光位置検出器２８を含む位置制御系
で制御している。この場合、位置制御系と電気測定系を
完全に特立することができる。測定タイミングの同期手
段により図１に示した本発明第一実施例と同様に図１１
（ａ）または（ｂ）の構成とすることができる。

【００２９】〔参考実験例〕発明者は、上記作用を説明
するために次の実験を行った。図３および図４は実験配
置を示す図である。図５は測定原理を示す図である。図
６〜図１１は実験結果を示す図である。図６〜図１１は
横軸に時間をとり、縦軸に電圧をとる。実験は図３およ
び図４に示すように２種類の実験配置により大気中で行
った。この実験では便宜上、光学活性物質１２で被測定
物１を形成し、針状プローブ２に白金イリジウム（以
下、ＰｔＩｒという）を用いており、針状プローブ２の
先端近傍に光を照射することにより光学活性物質１２を
活性化して電位を測定している。これにより、本発明第
一および第二実施例装置の動作特性を等価的に測定する
ことができる。

【００３０】被測定物１は半絶縁型の砒化ガリウム（以
下、ＧａＡｓという）およびインジウムリン（以下、Ｉ
ｎＰという）ウェハである。ウェハ表面に金（Ａｕ）を
スパッタ蒸着して電極とし、銀ペーストでリード線を接
着した。また、被測定物１の表面の酸化およびまたは汚
染を防ぐため、測定直前に劈開し、その劈開面を被測定
物１として使用した。光源としては波長６５０ｎｍのア
ルミニウム砒素ガリウム（以下、ＡｌＧａＡｓという）
−ＬＥＤからのパルス光を用いた。ＬＥＤ３は５０Ωに
なるようにインピーダンスマッチングをとっており、入
力電圧に対する応答速度は４５ｎｓであった。

【００３１】まず、図３に示す実験例から説明する。半
導体ウェハ（ＧａＡｓまたはＩｎＰ）の被測定物１と針
状プローブ２とは大気中で微小距離だけ隔てて設置され
ている。一方、ＬＥＤ３はパルス発生器４によって駆動
され、被測定物１上の針状プローブ２の先端近傍に光を
照射するよう構成されている。被測定物１には直流バイ
アス電圧が電源部５により印加されるようになってい
る。

【００３２】一方、針状プローブ２は、ピエゾ駆動素子
６によって駆動され、針状プローブ２および被測定物１
の間に流れるトンネル電流をプリアンプ７およびオペア
ンプ８、９から成るフィードバック回路が検出して微小
位置制御するようになっている。これは走査型トンネル
顕微鏡と同様な制御系を構成している。

【００３３】このときフィードバック回路全体の時定数
はパルス発生器４からのパルス信号の時定数よりも大き
く設計されている。ただし、プリアンプ７はその出力に
接続されたオシロスコープ１０により、上記パルス信号
が充分観測できる程度の高速なものである。

【００３４】次に、図４に示す実験例を説明する。図４
に示す実験例は、図３において被測定物１に直流電圧を
印加する代わりに交番電場を印加することにより実験し
たときの実験配置を示している。

【００３５】図４において被測定物１と針状プローブ２
とは図３と同様に大気中で微小距離だけ隔てて設定され
ている。ＬＥＤ３はパルス発生器４によって駆動され、
被測定物１上の針状プローブ２の先端近傍に光照射され
るように構成されている。

【００３６】被測定物１は、オシレータ２５により駆動
され、このときのパルス発生器４およびオシレータ２５
の繰り返し周波数およびこれらの差周波数Δｆは周波数
カウンタ３１で観測できる。

【００３７】針状プローブ２は、ピエゾ駆動素子６によ
って駆動され、針状プローブ２および被測定物１の間に
流れるトンネル電流をプリアンプ７およびオペアンプ
８、９から成るフィードバック回路が検出して微小位置
制御するようになっている。この時の制御系の時定数は
図３に示す実験例と同じとする。

【００３８】また、プリアンプ７の出力信号は低域濾波
器３２を介してディジタルオシロスコープ３０によって
観測できるようになっている。また、オシレータ２５は
直流電圧がオフセットとして印加できるようになってい
る。

【００３９】この実験配置において、被測定物１と接触
させるかまたは原子程度の微小距離（５〜１０Å）隔て
て設けた針状プローブ２とから成る計測装置の被測定物
１と針状プローブ２が対向する部分の近傍に短パルス状
の光を照射することにより、被測定物１と針状プローブ
２との間に生じて流れる電流を計測して被測定物１の電
位をサンプリング計測することによって被測定物１の動
作状態または被測定物１の電界分布等を計測できるもの
である。

【００４０】図５を参照して測定原理を説明する。図５
（ａ）に示すように試料ＤＵＴの電位ＶＤと尖塔形状を
有する端子ｔｉｐの電位ＶｔがＶＤ＝Ｖｔのとき、尖塔
形状を有する端子ｔｉｐのバンドギャップの中心と試料
ＤＵＴのフェルミ準位が一致していたとする。このよう
なとき、通常はキャリアが少ないのでトンネル電流は流
れない。また、電界放出も起こらない。この状態で尖塔
形状を有する端子ｔｉｐに光を照射すると、光が当たっ
ている間だけキャリアが生成されトンネル電流が流れ
る。また、トンネルバリアの形状等によっては電界放出
による電流も流れる。この電流の大きさは、図５（ｂ）
および（ｃ）に示すように被測定物ＤＵＴと尖塔形状を
有する端子ｔｉｐとの間電位差すなわちＶＤ−Ｖｔに依
存する。したがってＶｔを適当に設定し、そのときの電
流を観測することにより試料ＤＵＴの電位を知ることが
できる。

【００４１】この現象を利用して、照射する光の短パル
スレーザ光とその繰り返し周波数を被測定物１の電気信
号の周波数からわずかにずれた周波数に設定し、このと
き流れる電流を測定することにより、サンプリング動作
をさせることができる。この場合の被測定物１の電気信
号は、上記光パルスの繰り返し周波数と電気信号との周
波数の差の周波数の信号すなわちビート成分としてディ
ジタルオシロスコープ３０のような通常の測定装置で容
易に測定することができる。

【００４２】この端子ｔｉｐの位置を保持するために
は、走査型トンネル顕微鏡（ＳＴＭ）の場合と同様な手
段によって平均電流が一定になるようにフィードバック
をかけることが有効であるが、このフィードバック制御
系の周波数帯域を充分狭くし、被測定物１の電気信号の
周波数および光パルスの繰り返し周波数およびそれらの
ビート周波数がこのフィードバック制御系の周波数帯域
よりも充分高くなるように設定することによって尖塔形
状を有する端子ｔｉｐの位置を保持しながら被測定物１
の電気信号を測定することができる。

【００４３】走査型原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）におい
て、一般に用いられている手法と同様に、被測定物１と
この端子ｔｉｐとの間に作用する原子間力を上記端子の
位置のずれとして検出し、それが一定となるようにフィ
ードバックをかけることも有効である。

【００４４】また、上記尖塔形状を有する端子ｔｉｐと
して、被測定物１およびまたは端子ｔｉｐにそれぞれバ
イアス電圧を印加し、それぞれのバイアス電流を調整す
ることにより、被測定物１の電位を高精度に計測するよ
うに構成することも可能である。このとき、上記半導体
で構成した尖塔形状を有する端子ｔｉｐとしてシリコン
等IV族半導体、砒素ガリウム等III −Ｖ族系半導体、セ
レン化亜鉛等II−VI族系半導体等を用いることができ
る。

【００４５】図３に戻り、この実験配置により光パルス
に対する系の応答の確認を行った。この実験方法および
結果を説明する。図３において、被測定物１に電源部５
により直流バイアスをかけた状態で、パルス発生器４に
よりＬＥＤ３から矩形のパルス光を出力し、被測定物１
の劈開面に照射してプリアンプ７の出力をオシロスコー
プ１０を用いて測定し、被測定物１および針状プローブ
２の間に生ずるトンネル電流のパルス光に対する応答を
観測した。針状プローブ２の電位は０Ｖである。この時
平均トンネル電流は１ｎＡになるように上記フィードバ
ック回路により制御している。

【００４６】このプリアンプ７は１ｎＡのトンネル電流
を１０ｍＶの電圧に変換するが周波数帯域は４００ＫＨ
ｚ程度である。これに対して走査型トンネル顕微鏡制御
系の周波数帯域は積分回路の時定数で決定され、本実験
例では３００Ｈｚに設定した。したがって、これらの間
の周波数領域約１ＫＨｚ〜４００ＫＨｚの範囲にある信
号は、フィードバック制御系の動作を乱すことなく印加
され、また検出することができる。

【００４７】次に、各種の実験結果を示す。被測定物１
として半絶縁型ＩｎＰを用いたときの結果（周波数１０
ＫＨｚ）を図６に示す。また、半絶縁型ＧａＡｓを用い
たときの結果（周波数１ＫＨｚ）を図７に示す。図６お
よび図７で、矩形波４１および４３はＬＥＤ３の駆動電
圧であり、なまっている波形４２および４４はトンネル
電流である。トンネル電流の波形４２および４４が完全
な矩形波でなく、なまっているのは、プリアンプ７の有
する通過帯域幅が狭いためで、その時定数が約１０μｓ
であることによるもので、この値はこれらの波形から得
られる時定数とよく対応している。

【００４８】トンネル電流の符号は反転しているので、
下向きの部分が電流の流れている時に対応している。電
流の原点は、プリアンプ７に余分なオフセットがあるた
め下にずれてみえるが、平均トンネル電流１ｎＡを中心
に０ｎＡと２ｎＡとの間で変化しており、もっともらし
い振る舞いである。

【００４９】ここに示した結果は、電源部５によるバイ
アス電圧が直流で＋２Ｖの場合である。バイアス電圧は
−５Ｖから＋５Ｖの間で変化させたが、いずれの場合も
光が当たっている間だけ電流が流れるという同様の結果
を得た。さらにこのようなトンネル電流の光に対する応
答は、バイアス電圧が被測定物１のバンドギャップより
も充分小さく、ほとんど０Ｖの場合でも同様に観測され
た。

【００５０】次に、図４の実験配置において、光パルス
と交流バイアスのビートの検出について実験方法および
結果を記述する。図４において、パルス発生器４により
駆動されたＬＥＤ３からの光パルスの繰り返し周波数を
４００ＫＨｚとし、オシレータ２５によるバイアス電圧
の交流成分の周波数を４００ＫＨｚ＋Δｆとして、トン
ネル電流にビート周波数Δｆの成分が見られるか否かを
試した。図８にＬＥＤ３の駆動パルス（４００ＫＨｚ）
の波形４５を示した。また、図９にバイアス電圧の交流
成分（４００ＫＨｚ）の波形４６を示す。これにオフセ
ットとして＋２Ｖの直流成分を重ね合わせて結局＋１Ｖ
から＋３Ｖの間で変化する正弦波として被測定物１に印
加した。この時平均トンネル電流は１ｎＡになるように
フィードバック制御を行っている。

【００５１】この状態でトンネル電流に対応するプリア
ンプ７からの出力をディジタルオシロスコープ３０を用
いてシングルショットで測定した。ビート成分Δｆだけ
を検出するために基本周波数である４００ＫＨｚ付近の
成分は低域濾波器３２で除去した。光パルスと交流バイ
アス電圧の周波数は周波数カウンタ３１で測定した。

【００５２】次に、図１０に被測定物１として半絶縁型
ＩｎＰを用いた場合の結果を示す。図１１に半絶縁型Ｇ
ａＡｓを用いた場合の結果を示す。図１０は上述のΔｆ
として９．５４ＫＨｚ、１３．９６ＫＨｚ、１７．２７
ＫＨｚ、２０．０５ＫＨｚの場合の出力波形４７〜５０
をそれぞれ図１０（ａ）〜（ｄ）に示す。また、図１１
に２０ＫＨｚの場合の出力波形５１を示す。いずれの場
合もビートに対応する凹凸がはっきりと確認できる。凹
凸の数はそれぞれのΔｆに対応しており、Δｆの増大と
ともに凹凸の数が増大するのが分かる。また、振幅も１
ｎＡ程度の大きさであり、設定した平均トンネル電流１
ｎＡとよく対応している。

【００５３】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば従
来電子計測による方法では不可能であった高速電気波形
が実時間でサンプリング計測が可能となり、時間分解
能、空間分解能の極めて優れた計測装置が提供できるな
ど、産業上の価値はきわめて大きい。この方法の利点を
列記すると、 サブピコ秒の時間分解能がある、 ｎｍ程度の空間分解能がある、 クロストークがない、 非接触でも測定できる、 信号を外に引き出さずに測定できる、 顕微鏡としてのＳＴＭやＡＦＭ等の機能（制御機能
等）をそのまま利用して使うことができるので、超高分
解能での試料表面の様子や上記端子の位置をモニタでき
る、 信号電位の絶対値が測定できる、 大気中でも真空中でも測定できる、などである。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明第一実施例装置のブロック構成図。

【図２】本発明第二実施例装置のブロック構成図。

【図３】実験配置を示す図。

【図４】実験配置を示す図。

【図５】測定原理を示す図。

【図６】実験結果を示す図。

【図７】実験結果を示す図。

【図８】実験結果を示す図。

【図９】実験結果を示す図。

【図１０】実験結果を示す図。

【図１１】実験結果を示す図。

【符号の説明】

１ 被測定物 ２ 針状プローブ ３ ＬＥＤ ４ パルス発生器 ５ 電源部 ６ ピエゾ駆動素子 ７ プリアンプ ８、９ オペアンプ １０ オシロスコープ １１ 被測定電子デバイス １２ 光学活性物質 １３ 光パルス源 １４ レンズ １５ 位置制御部 １６、１６′アクチュエータ １７ 電流電圧変換器 １８ 増幅器 １９ バンドパスフィルタ ２０ 同期回路 ２１ カンチレバー ２２ 光ファイバ ２５ オシレータ ２７ 連続レーザ光源 ２８ 光位置検出器 ３０ ディジタルオシロスコープ ３１ 周波数カウンタ ３２ 低域濾波器

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 被測定電子デバイスに近接させる針状プ
   ローブと、この針状プローブに流れる電流を計測する手
   段とを備えた電気計測装置において、 前記針状プローブと前記電流を計測する手段との間にそ
   の測定環境で非導通状態である光学活性物質を含み、こ
   の光学活性物質を導通状態とする強度のパルス光を照射
   する手段を備えたことを特徴とする電気計測装置。
2. 【請求項２】 前記光学活性物質が、IV族半導体、III
   −Ｖ族系半導体、II−VI族系半導体のいずれかである請
   求項１記載の電気計測装置。
3. 【請求項３】 前記パルス光は繰り返しパルス光であ
   り、前記計測する手段を前記パルス光を照射する手段に
   同期させる手段を備えた請求項１記載の電気計測装置。