JPH073583B2 - 静電潜像記録体 - Google Patents
静電潜像記録体Info
- Publication number
- JPH073583B2 JPH073583B2 JP60127098A JP12709885A JPH073583B2 JP H073583 B2 JPH073583 B2 JP H073583B2 JP 60127098 A JP60127098 A JP 60127098A JP 12709885 A JP12709885 A JP 12709885A JP H073583 B2 JPH073583 B2 JP H073583B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- latent image
- electrostatic latent
- recording
- alumite
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/0202—Dielectric layers for electrography
- G03G5/0217—Inorganic components
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/14—Inert intermediate or cover layers for charge-receiving layers
- G03G5/142—Inert intermediate layers
- G03G5/144—Inert intermediate layers comprising inorganic material
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は静電潜像記録体に関するものであり、更に詳し
く言えば片面制御マルチスタイラスヘツドによつても静
電潜像を記録することのできる静電潜像記録体に関する
ものである。
く言えば片面制御マルチスタイラスヘツドによつても静
電潜像を記録することのできる静電潜像記録体に関する
ものである。
従来静電印刷や静電複写機において、２つの電極の間で
静電放電により静電潜像を誘電体上に記録する技術が公
知であるが（例えば米国特許第4155093号明細書）、こ
のような記録体においてはいわゆるイオンプロジエクシ
ヨン法でしか静電潜像を得ることができなかつた。この
イオンプロジエクシヨン法ではアルマイト処理した記録
体を使用しているが、この記録体は片面制御方式では記
録することができない。またアルミドラム上に誘電体膜
を塗布し、マルチスタイラスヘツドで静電潜像を得る技
術も報告されているが（例えば画像電子学会誌第９巻、
第５号（'80）380〜387頁）、この場合も記録電圧が600
Vと高く、ピン電極駆動も１ピン・１ドライブ方式であ
り、装置の簡素化・低コスト化の妨げとなつていた。
静電放電により静電潜像を誘電体上に記録する技術が公
知であるが（例えば米国特許第4155093号明細書）、こ
のような記録体においてはいわゆるイオンプロジエクシ
ヨン法でしか静電潜像を得ることができなかつた。この
イオンプロジエクシヨン法ではアルマイト処理した記録
体を使用しているが、この記録体は片面制御方式では記
録することができない。またアルミドラム上に誘電体膜
を塗布し、マルチスタイラスヘツドで静電潜像を得る技
術も報告されているが（例えば画像電子学会誌第９巻、
第５号（'80）380〜387頁）、この場合も記録電圧が600
Vと高く、ピン電極駆動も１ピン・１ドライブ方式であ
り、装置の簡素化・低コスト化の妨げとなつていた。
上記のような従来の静電潜像記録体は片面制御マルチス
タイラスヘツドにより記録することができない。従つて
本発明は従来の静電潜像記録体のこのような欠点を排除
した記録体を提供しようとするものである。すなわち、
片面制御マルチスタイラスヘツドで記録することのでき
るアルマイト処理記録体を提供しようとするものであ
る。
タイラスヘツドにより記録することができない。従つて
本発明は従来の静電潜像記録体のこのような欠点を排除
した記録体を提供しようとするものである。すなわち、
片面制御マルチスタイラスヘツドで記録することのでき
るアルマイト処理記録体を提供しようとするものであ
る。
本発明によれば、上記の問題点は、基体上に103〜1010
Ω／口の表面抵抗を有するアルマイト導電層およびその
上に1010Ω／口よりも大きい表面抵抗値を有するアルマ
イト記録層を備えた静電潜像記録体によつて解決され
る。
Ω／口の表面抵抗を有するアルマイト導電層およびその
上に1010Ω／口よりも大きい表面抵抗値を有するアルマ
イト記録層を備えた静電潜像記録体によつて解決され
る。
以下に図面を参照しながら本発明を更に詳細に説明す
る。第１図は本発明による静電潜像記録体の断面図であ
つて、１はアルミニウムよりなる基体、２は表面抵抗が
103〜1010Ω／口のアルマイト導電層、３は表面抵抗が1
010Ω／口以上のアルマイト記録層である。この記録体
の上方に、第２図に示したように、記録電極（スタイラ
ス電極）４および制御電極５を配置し、両電極の間に所
定の電位差を付与する。第３図はその等価回路であり、
６は記録電極４の電源（V1）、７は記録電極４の下のエ
ア・ギヤツプに相当するコンデンサー（C1）、８は記録
電極４の下の記録層３に相当するコンデンサー（C2）、
９は制御電極５の電源（V2）、10は制御電極５の下のエ
ア・ギヤツプに相当するコンデンサー（C3）、11は制御
電極５の下の記録層に相当するコンデンサー（C4）、12
は記録体の接地抵抗である。このような等価回路に基づ
く片面制御マルチスタイラス方式の静電潜像形成方法は
パツシエンの原理によるものであるが、本発明の記録体
を使用すればこのような片面制御方式によつて比較的低
電圧で良好な静電潜像を記録することができる。
る。第１図は本発明による静電潜像記録体の断面図であ
つて、１はアルミニウムよりなる基体、２は表面抵抗が
103〜1010Ω／口のアルマイト導電層、３は表面抵抗が1
010Ω／口以上のアルマイト記録層である。この記録体
の上方に、第２図に示したように、記録電極（スタイラ
ス電極）４および制御電極５を配置し、両電極の間に所
定の電位差を付与する。第３図はその等価回路であり、
６は記録電極４の電源（V1）、７は記録電極４の下のエ
ア・ギヤツプに相当するコンデンサー（C1）、８は記録
電極４の下の記録層３に相当するコンデンサー（C2）、
９は制御電極５の電源（V2）、10は制御電極５の下のエ
ア・ギヤツプに相当するコンデンサー（C3）、11は制御
電極５の下の記録層に相当するコンデンサー（C4）、12
は記録体の接地抵抗である。このような等価回路に基づ
く片面制御マルチスタイラス方式の静電潜像形成方法は
パツシエンの原理によるものであるが、本発明の記録体
を使用すればこのような片面制御方式によつて比較的低
電圧で良好な静電潜像を記録することができる。
本発明の静電潜像記録体の表面抵抗が103〜1010Ω／口
のアルマイト導電層は、アルミニウム基材に陽極二次電
解方式により多孔質アルマイト処理を施こし、次いでこ
の多孔質アルマイト層に導電性樹脂を含浸させることに
よつて形成される。多孔資アルマイト層に含浸させる導
電性樹脂は次に含浸させる絶縁性樹脂が導電層の抵抗を
不必要に高めることを防止するために施こされるもので
あり、例えばポリエステル系やアクリル系の水酸基含有
樹脂、カーボン粉末や金属粉末等の導体を混合した樹
脂、あるいは一般的に電子受容体と電子供与体とを組合
せたもの等が使用される。こうして導電性樹脂を含浸さ
せた基材の表面をよく洗浄して一部の導電性樹脂を除去
し、次いで絶縁性樹脂、例えばテフロン樹脂を含浸させ
て表面抵抗値が1010Ω／口よりも大きい記録層が形成さ
れる。この記録層は硬度が高く良好な耐摩耗性を有して
いる。導電層の表面抵抗値は103〜1010Ω／口、好まし
くは106〜108Ω／口であり、103Ω／口以下ではゴース
トが発生するなどの欠陥を生じ、また1010Ω／口以上で
は所望のパターンを記録することができない。記録層の
表面抵抗値は1010Ω／口よりも大きい。導電層および記
録層の表面抵抗値はアルマイト処理の条件、含浸に使用
する導電性樹脂および絶縁性樹脂の種類によつて所望の
値に調整することができる。
のアルマイト導電層は、アルミニウム基材に陽極二次電
解方式により多孔質アルマイト処理を施こし、次いでこ
の多孔質アルマイト層に導電性樹脂を含浸させることに
よつて形成される。多孔資アルマイト層に含浸させる導
電性樹脂は次に含浸させる絶縁性樹脂が導電層の抵抗を
不必要に高めることを防止するために施こされるもので
あり、例えばポリエステル系やアクリル系の水酸基含有
樹脂、カーボン粉末や金属粉末等の導体を混合した樹
脂、あるいは一般的に電子受容体と電子供与体とを組合
せたもの等が使用される。こうして導電性樹脂を含浸さ
せた基材の表面をよく洗浄して一部の導電性樹脂を除去
し、次いで絶縁性樹脂、例えばテフロン樹脂を含浸させ
て表面抵抗値が1010Ω／口よりも大きい記録層が形成さ
れる。この記録層は硬度が高く良好な耐摩耗性を有して
いる。導電層の表面抵抗値は103〜1010Ω／口、好まし
くは106〜108Ω／口であり、103Ω／口以下ではゴース
トが発生するなどの欠陥を生じ、また1010Ω／口以上で
は所望のパターンを記録することができない。記録層の
表面抵抗値は1010Ω／口よりも大きい。導電層および記
録層の表面抵抗値はアルマイト処理の条件、含浸に使用
する導電性樹脂および絶縁性樹脂の種類によつて所望の
値に調整することができる。
以下の実施例によつて本発明を更に具体的に説明する。
厚さ1.5mmのアルミニウム板の一面にアルマイト処理
（陽極二次電解方式）を施こし、厚さ20μｍの多孔質ア
ルマイト層を形成した。この多孔質アルマイト層にカー
ボン混合ポリエステル系樹脂の10％溶液を含浸させて表
面抵抗値が106Ω／口の導電層を形成した。
（陽極二次電解方式）を施こし、厚さ20μｍの多孔質ア
ルマイト層を形成した。この多孔質アルマイト層にカー
ボン混合ポリエステル系樹脂の10％溶液を含浸させて表
面抵抗値が106Ω／口の導電層を形成した。
こうして得た導電層を水洗して表面から導電性樹脂の一
部を除去して多孔質アルマイト層を再び露出させ（厚さ
４μｍ）、テフロン樹脂の10％溶液で含浸処理して導電
層上に表面抵抗値が1013Ω／口の絶縁層を形成した。こ
うして得られた記録体に片面制御方式マルチスタイラス
により静電潜像を形成させた。
部を除去して多孔質アルマイト層を再び露出させ（厚さ
４μｍ）、テフロン樹脂の10％溶液で含浸処理して導電
層上に表面抵抗値が1013Ω／口の絶縁層を形成した。こ
うして得られた記録体に片面制御方式マルチスタイラス
により静電潜像を形成させた。
本発明の静電潜像記録体は表面抵抗が103〜1010Ω／口
のアルマイト導電層および表面抵抗が1010Ω／口よりも
大きいアルマイト記録層を有しているので、片面制御方
式マルチスタイラスにより比較的低い電圧（約300V）で
静電潜像を記録することができ、電極駆動回路も簡素化
して装置全体のコストを低くすることができる。また記
録層はアルマイト処理されていて高い硬度を有してお
り、かつ絶縁性樹脂で含浸処理されているので耐摩性に
優れ半永久的な耐久性を示す。
のアルマイト導電層および表面抵抗が1010Ω／口よりも
大きいアルマイト記録層を有しているので、片面制御方
式マルチスタイラスにより比較的低い電圧（約300V）で
静電潜像を記録することができ、電極駆動回路も簡素化
して装置全体のコストを低くすることができる。また記
録層はアルマイト処理されていて高い硬度を有してお
り、かつ絶縁性樹脂で含浸処理されているので耐摩性に
優れ半永久的な耐久性を示す。
第１図は本発明による静電潜像記録体の断面図、第２図
は該記録体に片面制御方式で静電潜像を記録する状態を
示す図、第３図は第２図の記録方式の等価回路図であ
る。 図中符号 １…基本、２…導電層、３…記録層、４…記録電極、５
…制御電極、６…記録電源、7,8,10,11…コンデンサ
ー、９…制御電源、12…接地抵抗。
は該記録体に片面制御方式で静電潜像を記録する状態を
示す図、第３図は第２図の記録方式の等価回路図であ
る。 図中符号 １…基本、２…導電層、３…記録層、４…記録電極、５
…制御電極、６…記録電源、7,8,10,11…コンデンサ
ー、９…制御電源、12…接地抵抗。
Claims (1)
- 【請求項１】表面抵抗が103〜1010Ω／口のアルマイト
導電層および表面抵抗が1010Ω／口よりも大きいアルマ
イト記録層を有することを特徴とする静電潜像記録体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60127098A JPH073583B2 (ja) | 1985-06-13 | 1985-06-13 | 静電潜像記録体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60127098A JPH073583B2 (ja) | 1985-06-13 | 1985-06-13 | 静電潜像記録体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61285457A JPS61285457A (ja) | 1986-12-16 |
| JPH073583B2 true JPH073583B2 (ja) | 1995-01-18 |
Family
ID=14951536
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60127098A Expired - Lifetime JPH073583B2 (ja) | 1985-06-13 | 1985-06-13 | 静電潜像記録体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH073583B2 (ja) |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50152733A (ja) * | 1974-05-29 | 1975-12-09 | ||
| JPS5444525A (en) * | 1977-09-16 | 1979-04-09 | Canon Inc | Image holding member |
| JPS57118248A (en) * | 1981-01-14 | 1982-07-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Electrostatic recording medium |
-
1985
- 1985-06-13 JP JP60127098A patent/JPH073583B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61285457A (ja) | 1986-12-16 |
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