JPH0736055A - 空間光変調器 - Google Patents
空間光変調器Info
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- JPH0736055A JPH0736055A JP27166592A JP27166592A JPH0736055A JP H0736055 A JPH0736055 A JP H0736055A JP 27166592 A JP27166592 A JP 27166592A JP 27166592 A JP27166592 A JP 27166592A JP H0736055 A JPH0736055 A JP H0736055A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 簡便な光学系で画像間の演算やフィードバッ
クが行える空間光変調器を提供する。 【構成】 液晶を挟持するための一対の基板11a,11b の
表面に透明電極層12a,12b が形成され、それぞれの透明
電極上には光導電層が形成されている。さらに両基板の
表面には、組み合わせた状態で両基板上の入射方向が一
致するように配向膜層13a,13b が設けられている。この
一対の基板11,11b を、スペーサー材を外周シール材に
混合分散し、前記シール材を塗布した後２枚の基板を接
着して液晶を狭持する間隙を形成し、間隙には液晶組成
物14が狭持されている。 【効果】 本発明に依れば、光情報処理システム、光ニ
ューラルネット等のシステムが、従来の空間光変調器を
用いるよりも簡便に、且つコンパクトに実現される。
クが行える空間光変調器を提供する。 【構成】 液晶を挟持するための一対の基板11a,11b の
表面に透明電極層12a,12b が形成され、それぞれの透明
電極上には光導電層が形成されている。さらに両基板の
表面には、組み合わせた状態で両基板上の入射方向が一
致するように配向膜層13a,13b が設けられている。この
一対の基板11,11b を、スペーサー材を外周シール材に
混合分散し、前記シール材を塗布した後２枚の基板を接
着して液晶を狭持する間隙を形成し、間隙には液晶組成
物14が狭持されている。 【効果】 本発明に依れば、光情報処理システム、光ニ
ューラルネット等のシステムが、従来の空間光変調器を
用いるよりも簡便に、且つコンパクトに実現される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光情報処理、光コンピュ
ーティング、光ニューラルネットに応用される光書き込
み型空間光変調器に関するものである。
ーティング、光ニューラルネットに応用される光書き込
み型空間光変調器に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、液晶を用いた空間光変調器は、入
力された画像情報を、リアルタイムで強度変調出力する
素子として用いられている。特に、筆者らが特願昭６３
−６８９６７等に於いて示した変調層として強誘電性液
晶を用いた空間光変調器は、高コントラスト、高解像
度、高速応答といった特徴を持ち、光情報処理用デバイ
スとして用いられている。
力された画像情報を、リアルタイムで強度変調出力する
素子として用いられている。特に、筆者らが特願昭６３
−６８９６７等に於いて示した変調層として強誘電性液
晶を用いた空間光変調器は、高コントラスト、高解像
度、高速応答といった特徴を持ち、光情報処理用デバイ
スとして用いられている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の液晶を
用いた空間光変調器に於いては、書き込み面が一方向に
限定されているため、例えば光ニューラルネット等に応
用する際にフィードバックを行う場合に複雑な光学系を
必要とし、且つ光軸調整が非常に難しいという欠点があ
った。
用いた空間光変調器に於いては、書き込み面が一方向に
限定されているため、例えば光ニューラルネット等に応
用する際にフィードバックを行う場合に複雑な光学系を
必要とし、且つ光軸調整が非常に難しいという欠点があ
った。
【０００４】また、画像間の演算を行う場合に、書き込
み側でハーフミラー等を用いて画像の重ね合わせを行う
か、或いは斜め方向からの投影を行う必要があった。こ
れらの方法はいずれも光軸調整、結像が困難である。さ
らに、前者に於いては光量が最大でも光源の１／２以下
となり、感度との関係で強い光源が必要であり、後者に
於いては面内での強度分布を生じるため、空間光変調器
自身に非常に広いダイナミックレンジを要求される、と
いった欠点があった。
み側でハーフミラー等を用いて画像の重ね合わせを行う
か、或いは斜め方向からの投影を行う必要があった。こ
れらの方法はいずれも光軸調整、結像が困難である。さ
らに、前者に於いては光量が最大でも光源の１／２以下
となり、感度との関係で強い光源が必要であり、後者に
於いては面内での強度分布を生じるため、空間光変調器
自身に非常に広いダイナミックレンジを要求される、と
いった欠点があった。
【０００５】
【課題を解決するための手段】そこで、この発明の目的
は、従来のこのような課題を解決するため、液晶を用い
た空間光変調器に於いて、変調層を挟んだ２面のいずれ
にも光導電層を有する構造とし、両側に書き込み光学系
を配置し、透過型の読み出し光学系で読み出した。
は、従来のこのような課題を解決するため、液晶を用い
た空間光変調器に於いて、変調層を挟んだ２面のいずれ
にも光導電層を有する構造とし、両側に書き込み光学系
を配置し、透過型の読み出し光学系で読み出した。
【０００６】
【作用】前記の方法を用いる事により、簡便な光学系で
画像間の演算やフィードバックが行える空間光変調器を
提供する事が出来る。これを用いる事により、光情報処
理システム、光ニューラルネット等のシステムが、従来
の空間光変調器を用いるよりも簡便に、且つコンパクト
に実現される。
画像間の演算やフィードバックが行える空間光変調器を
提供する事が出来る。これを用いる事により、光情報処
理システム、光ニューラルネット等のシステムが、従来
の空間光変調器を用いるよりも簡便に、且つコンパクト
に実現される。
【０００７】
【実施例】以下に図面を用いて本発明を詳細に説明す
る。 （実施例１）図１は、本発明に係る光書き込み型空間光
変調器の構造を示す模式図である。
る。 （実施例１）図１は、本発明に係る光書き込み型空間光
変調器の構造を示す模式図である。
【０００８】液晶を挟持するための基板11a、11bとし
て、両面をHe-Neレーザー波長に於て平行平面度λ/5以
下に研磨した厚さ５mmの透明ガラス基板を用いた。両基
板の表面にはＩＴＯ透明電極層12a、12bを設けた。透明
電極層12a、12b上には２．５μｍの厚さの水素化アモル
ファスシリコン（a-Si:H）光導電層15a、15bを形成し
た。さらに両基板の表面には基板の法線方向から85゜の
入射角で、且つ組み合わせた状態で両基板上の入射方向
が一致するように一酸化珪素を斜方蒸着した配向膜層13
a、13bを設けた。
て、両面をHe-Neレーザー波長に於て平行平面度λ/5以
下に研磨した厚さ５mmの透明ガラス基板を用いた。両基
板の表面にはＩＴＯ透明電極層12a、12bを設けた。透明
電極層12a、12b上には２．５μｍの厚さの水素化アモル
ファスシリコン（a-Si:H）光導電層15a、15bを形成し
た。さらに両基板の表面には基板の法線方向から85゜の
入射角で、且つ組み合わせた状態で両基板上の入射方向
が一致するように一酸化珪素を斜方蒸着した配向膜層13
a、13bを設けた。
【０００９】次に、1.0 μｍの平均粒径を持つシリカ球
を外周シール材に混合分散し、凸版印刷法を用いて前記
シール材を印刷塗布した後２枚の基板を接着し、液晶を
狭持する間隙を形成した。本実施例に於いては、液晶と
して強誘電性液晶組成物を用いた。強誘電性液晶組成物
14としては、ＳＣＥ−１３（ＢＤＨ社製）を用い、アイ
ソトロピック相迄昇温したのち、真空注入しスメクチッ
クＣ相迄徐冷して均一な配向を得た。
を外周シール材に混合分散し、凸版印刷法を用いて前記
シール材を印刷塗布した後２枚の基板を接着し、液晶を
狭持する間隙を形成した。本実施例に於いては、液晶と
して強誘電性液晶組成物を用いた。強誘電性液晶組成物
14としては、ＳＣＥ−１３（ＢＤＨ社製）を用い、アイ
ソトロピック相迄昇温したのち、真空注入しスメクチッ
クＣ相迄徐冷して均一な配向を得た。
【００１０】図２は、本発明に係る空間光変調器を駆動
するための波形を示す図である。波形は、有効面全面を
消去状態とする第１のパルス電圧21、第１のパルス電圧
と逆極性の書き込みパルス電圧22、及びメモリー期間2
3、が連続したものである。本発明に係る空間光変調器
は、液晶を用いた変調層の両側に光導電層を有する対称
構造であり、書き込みは両側から同時に行われる。読み
出しは、光導電層を透過する波長の光を用いて透過型で
行われる。
するための波形を示す図である。波形は、有効面全面を
消去状態とする第１のパルス電圧21、第１のパルス電圧
と逆極性の書き込みパルス電圧22、及びメモリー期間2
3、が連続したものである。本発明に係る空間光変調器
は、液晶を用いた変調層の両側に光導電層を有する対称
構造であり、書き込みは両側から同時に行われる。読み
出しは、光導電層を透過する波長の光を用いて透過型で
行われる。
【００１１】図３は本発明に係る空間変調器の模式的な
等価回路である。液晶を用いた変調層に分圧される電圧
ＶLCは、光導電層の抵抗ＲPC1及びＲPC2によって変動す
る。液晶を用いた変調層はＶLCに対して非線形な応答を
示し、閾値を有する。そのため、書き込み光強度の変化
により光導電層の抵抗ＲPC1及びＲPC2が変化し、ＶLCが
閾値を越えると光変調が起こる。書き込み光が両側から
当たった領域では、ＲPC1及びＲPC2はいずれも小さくな
るため、比較的弱い書き込み光強度でも変調が起こる。
等価回路である。液晶を用いた変調層に分圧される電圧
ＶLCは、光導電層の抵抗ＲPC1及びＲPC2によって変動す
る。液晶を用いた変調層はＶLCに対して非線形な応答を
示し、閾値を有する。そのため、書き込み光強度の変化
により光導電層の抵抗ＲPC1及びＲPC2が変化し、ＶLCが
閾値を越えると光変調が起こる。書き込み光が両側から
当たった領域では、ＲPC1及びＲPC2はいずれも小さくな
るため、比較的弱い書き込み光強度でも変調が起こる。
【００１２】書き込み光が片側からのみ照射された場合
にも、液晶層に分圧される電圧ＶLCが閾値を越えれば変
調が起こるが、他方の光導電層は高抵抗のままなので比
較的強い書き込み光強度を必要とする。上記の特徴を応
用して、画像を含んだ光による２入力に対してＡＮＤ及
びＯＲの演算がリアルタイムで実行できる。以下に、そ
の例を示す。
にも、液晶層に分圧される電圧ＶLCが閾値を越えれば変
調が起こるが、他方の光導電層は高抵抗のままなので比
較的強い書き込み光強度を必要とする。上記の特徴を応
用して、画像を含んだ光による２入力に対してＡＮＤ及
びＯＲの演算がリアルタイムで実行できる。以下に、そ
の例を示す。
【００１３】図４は書き込み、読み出し実験を行った光
学系のシステム図である。書き込み光源41a,41bとして
ハロゲンランプを用い、干渉フィルター42a,42bを通し
て波長分布を制御した。書き込み光は、本発明に係る空
間光変調器44の２面にそれぞれ照射される。なお、画像
を書き込む場合は図中45a,45bにそれぞれマスクを配置
し、レンズ46で空間光変調器44の入力面に結像した。読
み出し光源47は、半導体レーザーを用い、ビームエキス
パンダ48、偏光子49、を通って本発明に係る空間光変調
器44へ照射され、強誘電性液晶層で変調され、検光子50
で検光され、ＣＣＤカメラ51で観測される。偏光子49は
書き込み光が照射されていない場合の強誘電性液晶層の
安定状態に対して偏波面が変調を受けない方位に配置さ
れ、検光子50は上記の状態での透過光に対しクロスに配
置されている。即ち、書き込み光の無い状態では読み出
しは暗状態となるように設定した。観察はＣＣＤで取り
込んだ画像をＣＲＴ52に表示し、撮影した。また、フォ
トディテクター53を設置して光学応答をも測定した。駆
動は、自作のドライバー54を用いて行った。
学系のシステム図である。書き込み光源41a,41bとして
ハロゲンランプを用い、干渉フィルター42a,42bを通し
て波長分布を制御した。書き込み光は、本発明に係る空
間光変調器44の２面にそれぞれ照射される。なお、画像
を書き込む場合は図中45a,45bにそれぞれマスクを配置
し、レンズ46で空間光変調器44の入力面に結像した。読
み出し光源47は、半導体レーザーを用い、ビームエキス
パンダ48、偏光子49、を通って本発明に係る空間光変調
器44へ照射され、強誘電性液晶層で変調され、検光子50
で検光され、ＣＣＤカメラ51で観測される。偏光子49は
書き込み光が照射されていない場合の強誘電性液晶層の
安定状態に対して偏波面が変調を受けない方位に配置さ
れ、検光子50は上記の状態での透過光に対しクロスに配
置されている。即ち、書き込み光の無い状態では読み出
しは暗状態となるように設定した。観察はＣＣＤで取り
込んだ画像をＣＲＴ52に表示し、撮影した。また、フォ
トディテクター53を設置して光学応答をも測定した。駆
動は、自作のドライバー54を用いて行った。
【００１４】なお、書き込みに用いられる光源はハロゲ
ンランプ、Ｈｅ−Ｎｅレーザー、Ａｒレーザー、半導体
レーザー、のいづれを用いても良いが、本実施例ではハ
ロゲンランプを光源とし、中心波長６００ｎｍ、半値幅
４０ｎｍのフィルターを通した光を用いた。読み出し光
に用いられる光の波長は、光導電層を透過するように設
定される。本実施例に於いては、光導電層として水素化
アモルファスシリコンを用いたため、半導体レーザー等
の中心波長７００ｎｍ以上の光源が望ましく、本実施例
ではハロゲンランプを光源とし、中心波長８３０ｎｍ、
半値幅８０ｎｍのフィルターを通した光を用いた。
ンランプ、Ｈｅ−Ｎｅレーザー、Ａｒレーザー、半導体
レーザー、のいづれを用いても良いが、本実施例ではハ
ロゲンランプを光源とし、中心波長６００ｎｍ、半値幅
４０ｎｍのフィルターを通した光を用いた。読み出し光
に用いられる光の波長は、光導電層を透過するように設
定される。本実施例に於いては、光導電層として水素化
アモルファスシリコンを用いたため、半導体レーザー等
の中心波長７００ｎｍ以上の光源が望ましく、本実施例
ではハロゲンランプを光源とし、中心波長８３０ｎｍ、
半値幅８０ｎｍのフィルターを通した光を用いた。
【００１５】上記のシステムを用いて、以下の書き込み
実験を行った。図５は、図４に示した光学系を用い、書
き込み光学系のそれぞれのマスク45a,45bとして図中図
５Ａ，Ｂに示したような画像を用いて、画像間のＡＮＤ
及びＯＲを出力させたものである。読み出し光を照射し
続け、同一の駆動波形を用い、書き込み光量のみを変化
させて、連続駆動状態で読み出した。図５ＣはＡＮＤ、
図５ＤはＯＲを得ている。
実験を行った。図５は、図４に示した光学系を用い、書
き込み光学系のそれぞれのマスク45a,45bとして図中図
５Ａ，Ｂに示したような画像を用いて、画像間のＡＮＤ
及びＯＲを出力させたものである。読み出し光を照射し
続け、同一の駆動波形を用い、書き込み光量のみを変化
させて、連続駆動状態で読み出した。図５ＣはＡＮＤ、
図５ＤはＯＲを得ている。
【００１６】駆動波形は図２に示した通りであり、本実
施例に於いては消去パルスとして＋１０Ｖ，２ｍｓ、書
き込みパルスとして−１０Ｖ，１ｍｓのパルスを連続し
て印加し、さらに７ｍｓ，０Ｖの読み出し期間を連続し
た波形を用いた。フレーム周波数は１００Ｈｚである。
施例に於いては消去パルスとして＋１０Ｖ，２ｍｓ、書
き込みパルスとして−１０Ｖ，１ｍｓのパルスを連続し
て印加し、さらに７ｍｓ，０Ｖの読み出し期間を連続し
た波形を用いた。フレーム周波数は１００Ｈｚである。
【００１７】これから、本発明に係る空間光変調器を用
いる事により、同時に同一面内で入力画像間のＡＮＤ及
びＯＲの演算を実行できることがわかった。 （実施例２）本発明の空間光変調器は、読み出し光の進
行方向に対して変調層の両側に受光層（光導電層）が配
されているため、特に光ニューラルネット等におけるフ
ィードバックが読み出し側から行えるという特徴を有し
ている。
いる事により、同時に同一面内で入力画像間のＡＮＤ及
びＯＲの演算を実行できることがわかった。 （実施例２）本発明の空間光変調器は、読み出し光の進
行方向に対して変調層の両側に受光層（光導電層）が配
されているため、特に光ニューラルネット等におけるフ
ィードバックが読み出し側から行えるという特徴を有し
ている。
【００１８】図６は本発明に係る空間光変調器をニュー
ラルネットに応用した場合の有用性を説明するための光
学系の概念図である。但し、本実施例における本発明に
係る空間光変調器は変調層としてツイステッドネマティ
ック液晶を用いたため、応答関数は液晶のＶ−Ｔ特性に
対応して非線形となっている。変調層として強誘電性液
晶を用いた場合は、応答関数は二値であり、マカロック
・ピッツのモデルに対応する。
ラルネットに応用した場合の有用性を説明するための光
学系の概念図である。但し、本実施例における本発明に
係る空間光変調器は変調層としてツイステッドネマティ
ック液晶を用いたため、応答関数は液晶のＶ−Ｔ特性に
対応して非線形となっている。変調層として強誘電性液
晶を用いた場合は、応答関数は二値であり、マカロック
・ピッツのモデルに対応する。
【００１９】本発明に係る空間光変調器60に、書き込み
光学系61を用いて入力を行った。出力は、偏光子62a及
び検光子62bを用いた偏光光学系である第一の読み出し
光学系により、空間変調器60を透過する光により得られ
た。出力は強誘電性液晶を変調層として用いた、片側に
のみ上記読み出し光の波長に感度を有する光導電層を有
する第二の空間光変調器63へ、変調層の側から入射する
ようにした。第二の空間光変調器は筆者らが特願昭６３
−６８９６７等に於いて示したものであり、変調層とし
て強誘電性液晶を用いているため、入射光強度に対して
明確な閾値を有する二値の応答を示す。第二の空間光変
調器63に形成された像は、本発明に係る空間光変調器60
の光導電層が感度を有する波長の光源を用いた、第一の
読み出し光学系の検光子62bを検光子として兼用する偏
光光学系である第二の読み出し光学系64によって読み出
され、本発明に係る空間光変調器60の入力側とは逆側の
光導電層に照射される。
光学系61を用いて入力を行った。出力は、偏光子62a及
び検光子62bを用いた偏光光学系である第一の読み出し
光学系により、空間変調器60を透過する光により得られ
た。出力は強誘電性液晶を変調層として用いた、片側に
のみ上記読み出し光の波長に感度を有する光導電層を有
する第二の空間光変調器63へ、変調層の側から入射する
ようにした。第二の空間光変調器は筆者らが特願昭６３
−６８９６７等に於いて示したものであり、変調層とし
て強誘電性液晶を用いているため、入射光強度に対して
明確な閾値を有する二値の応答を示す。第二の空間光変
調器63に形成された像は、本発明に係る空間光変調器60
の光導電層が感度を有する波長の光源を用いた、第一の
読み出し光学系の検光子62bを検光子として兼用する偏
光光学系である第二の読み出し光学系64によって読み出
され、本発明に係る空間光変調器60の入力側とは逆側の
光導電層に照射される。
【００２０】ここで、図６に於いて、本発明に係る空間
光変調器60は非線形な応答関数を有するユニットであ
り、読み出し光が照射される側への書き込み光がニュー
ロンへの入力であって、これがユニットにシナプス結合
していると考えられる。読み出し光は書き込み光強度に
応じて変調されて第二の空間光変調器に出力され、閾値
処理された後、第二の書き込み光として本発明に係る空
間光変調器60へフィードバックされる。これによって、
入力に対する応答関数が変化する。これは、空間光変調
器の面上で二次元的に並列に実行される。
光変調器60は非線形な応答関数を有するユニットであ
り、読み出し光が照射される側への書き込み光がニュー
ロンへの入力であって、これがユニットにシナプス結合
していると考えられる。読み出し光は書き込み光強度に
応じて変調されて第二の空間光変調器に出力され、閾値
処理された後、第二の書き込み光として本発明に係る空
間光変調器60へフィードバックされる。これによって、
入力に対する応答関数が変化する。これは、空間光変調
器の面上で二次元的に並列に実行される。
【００２１】即ち、図６に示した実施例の系は、入力の
荷重がフィードバックによってリアルタイムで更新され
る系となっている。これは、本発明に係る空間光変調器
を用いる事によって、ニューラルネットワークにおける
教師なし学習の基本であるＨｅｂｂの学習則がリアルタ
イムで、しかも二次元的に並列に実現される事を示して
いる。
荷重がフィードバックによってリアルタイムで更新され
る系となっている。これは、本発明に係る空間光変調器
を用いる事によって、ニューラルネットワークにおける
教師なし学習の基本であるＨｅｂｂの学習則がリアルタ
イムで、しかも二次元的に並列に実現される事を示して
いる。
【００２２】
【発明の効果】以上述べてきたように本発明の空間光変
調器を用いる事により、光情報処理に於て有用な演算を
実時間で実行する事が出来、また、ニューラルネットワ
ークにおいてＨｅｂｂの学習則がリアルタイムで、しか
も二次元的に並列に実現され、その応用範囲を飛躍的に
増大する効果がある。
調器を用いる事により、光情報処理に於て有用な演算を
実時間で実行する事が出来、また、ニューラルネットワ
ークにおいてＨｅｂｂの学習則がリアルタイムで、しか
も二次元的に並列に実現され、その応用範囲を飛躍的に
増大する効果がある。
【図１】本発明に係る液晶空間光変調器の構造を示す模
式図である。
式図である。
【図２】本発明に係る液晶空間光変調器を駆動するため
の波形を示す図である。
の波形を示す図である。
【図３】本発明に係る空間光変調器の模式的な等価回路
を示す図である。
を示す図である。
【図４】書き込み、読み出し実験を行った光学系のシス
テム図である。
テム図である。
【図５】本発明に係る空間光変調器を用いて、書き込み
光学系のそれぞれのマスクに画像を用いて、画像間のＡ
ＮＤ及びＯＲを出力させた写真である。
光学系のそれぞれのマスクに画像を用いて、画像間のＡ
ＮＤ及びＯＲを出力させた写真である。
【図６】本発明に係る空間光変調器をニューラルネット
に応用した場合の有用性を説明するための光学系の概念
図である。
に応用した場合の有用性を説明するための光学系の概念
図である。
１１ａ，１１ｂ 基板 １２ａ，１２ｂ 透明電極層 １３ａ，１３ｂ 配向膜層 １４ 液晶層 １５ａ，１５ｂ 光導電層 ２１ 消去パルス ２２ 書き込みパルス ２３ メモリー期間 ４１ａ，４１ｂ 書き込み光源 ４２ａ，４２ｂ 干渉フィルター ４４ 本発明に係る空間光変調器 ４５ａ，４５ｂ マスク ４６ レンズ ４７ 読み出し光源 ４８ ビームエキスパンダ ４９ 偏光子 ５０ 検光子 ５１ ＣＣＤカメラ ５２ ＣＲＴ ５３ フォトディテクター ５４ ドライバー ６０ 本発明に係る空間光変調器 ６１ 書き込み光学系 ６２ａ 偏光子 ６２ｂ 検光子 ６３ 空間光変調器 ６４ 第二の読み出し光学系
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 加藤 直樹 東京都江東区亀戸６丁目31番１号 セイコ ー電子工業株式会社内 (72)発明者 瀬倉 利江子 東京都江東区亀戸６丁目31番１号 セイコ ー電子工業株式会社内 (72)発明者 海老原 照夫 東京都江東区亀戸６丁目31番１号 セイコ ー電子工業株式会社内 (72)発明者 山本 修平 東京都江東区亀戸６丁目31番１号 セイコ ー電子工業株式会社内
Claims (16)
- 【請求項１】 光による書き込み手段、光による読み出
し手段及び電圧印加手段を具備し、一対の透明電極上に
それぞれ光導電膜及びそれぞれの対向する表面に液晶配
向膜が形成された一組の基板が対向配置され、その間隙
に液晶組成物が封入されてなる空間光変調器。 - 【請求項２】 請求項１に記載の空間光変調器に於い
て、該間隙に封入される該液晶組成物は強誘電性液晶組
成物である事を特徴とする請求項１記載の空間光変調
器。 - 【請求項３】 請求項１に記載の空間光変調器に於い
て、該間隙に封入される該液晶組成物はネマティック液
晶組成物である事を特徴とする請求項１記載の空間光変
調器。 - 【請求項４】 請求項２に記載の空間光変調器に於い
て、該間隙は０．５μｍ〜５μｍの範囲内に制御される
事を特徴とする請求項２記載の空間光変調器。 - 【請求項５】 請求項１に記載の空間光変調器に於い
て、該光導電膜は、水素化アモルファスシリコンである
事を特徴とする請求項１記載の空間光変調器。 - 【請求項６】 請求項１に記載の空間光変調器に於い
て、該光導電膜は、その膜厚が互いに異なる事を特徴と
する請求項１記載の空間光変調器。 - 【請求項７】 請求項１に記載の空間光変調器に於い
て、該光導電膜と該液晶配向層の間に、誘電体ミラーが
形成されている事を特徴とする請求項１記載の空間光変
調器。 - 【請求項８】 請求項７に記載の空間光変調器に於い
て、該誘電体ミラーは、波長域によって反射率が異なる
事を特徴とする請求項７記載の空間光変調器。 - 【請求項９】 請求項１に記載の空間光変調器に於い
て、該光による書き込み手段は、該空間光変調器の一対
の基板のいずれの側にも配置されている事を特徴とする
請求項１記載の空間光変調器。 - 【請求項１０】 請求項９に記載の空間光変調器に於い
て、該光による書き込み手段は、それぞれ独立した光学
系であり、それぞれ独立に強度を制御する事を特徴とす
る請求項９記載の空間光変調器。 - 【請求項１１】 請求項９に記載の空間光変調器に於い
て、該光による書き込み手段は、投影光学系、結像光学
系、干渉光学系、フーリエ光学系、のいずれかである事
を特徴とする請求項９記載の空間光変調器。 - 【請求項１２】 請求項１に記載の空間光変調器に於い
て、該光による書き込み手段は、該空間光変調器を透過
する光を用いる光学系である事を特徴とする請求項１記
載の空間光変調器。 - 【請求項１３】 請求項１２に記載の空間光変調器に於
いて、該光による書き込み手段は、該空間光変調器の前
後に偏光子及び検光子を配した偏光光学系である事を特
徴とする請求項１２記載の空間光変調器。 - 【請求項１４】 請求項１３に記載の空間光変調器に於
いて、該光による書き込み手段に於ける偏光子と検光子
は、クロスニコルに配置されている事を特徴とする請求
項１３記載の空間光変調器。 - 【請求項１５】 請求項１に記載の空間光変調器に於い
て、該光による書き込み手段及び該光による読み出し手
段は、使用波長が異なる事を特徴とする請求項１記載の
空間光変調器。 - 【請求項１６】 請求項１５に記載の空間光変調器に於
いて、該光による書き込み手段及び該光による読み出し
手段に於いて使用される波長は、該光による読み出し手
段に使用される波長が該光による書き込み手段に使用さ
れる波長よりも長波長である事を特徴とする請求項１５
記載の空間光変調器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27166592A JPH0736055A (ja) | 1992-10-09 | 1992-10-09 | 空間光変調器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27166592A JPH0736055A (ja) | 1992-10-09 | 1992-10-09 | 空間光変調器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0736055A true JPH0736055A (ja) | 1995-02-07 |
Family
ID=17503185
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27166592A Pending JPH0736055A (ja) | 1992-10-09 | 1992-10-09 | 空間光変調器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0736055A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20230138642A (ko) * | 2022-03-24 | 2023-10-05 | 충남대학교산학협력단 | 액정을 이용한 시냅스 소자 및 이를 이용한 뉴로모픽 소자 |
-
1992
- 1992-10-09 JP JP27166592A patent/JPH0736055A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20230138642A (ko) * | 2022-03-24 | 2023-10-05 | 충남대학교산학협력단 | 액정을 이용한 시냅스 소자 및 이를 이용한 뉴로모픽 소자 |
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