JPH0736064A - 光半導体装置の製造方法 - Google Patents
光半導体装置の製造方法Info
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- JPH0736064A JPH0736064A JP18052093A JP18052093A JPH0736064A JP H0736064 A JPH0736064 A JP H0736064A JP 18052093 A JP18052093 A JP 18052093A JP 18052093 A JP18052093 A JP 18052093A JP H0736064 A JPH0736064 A JP H0736064A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 制御光の照射によって励起されたキャリアの
寿命を極めて短くすることのできる光半導体装置を得る
製造方法を提供する。 【構成】 光非線形材料を１５０℃〜４００℃で成長さ
せて量子井戸層を構成し、さらにこの低温成長中にドー
パントとしてｐ型元素またはＢｅを添加し、さらにま
た、この量子井戸層の成長後にアニール処理を施す。
寿命を極めて短くすることのできる光半導体装置を得る
製造方法を提供する。 【構成】 光非線形材料を１５０℃〜４００℃で成長さ
せて量子井戸層を構成し、さらにこの低温成長中にドー
パントとしてｐ型元素またはＢｅを添加し、さらにま
た、この量子井戸層の成長後にアニール処理を施す。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光通信・光情報処理シ
ステムを構成すると期待される光交換・光中継器などに
利用可能な光論理・光スイッチ動作を行う光半導体装置
の製造方法に関するものである。
ステムを構成すると期待される光交換・光中継器などに
利用可能な光論理・光スイッチ動作を行う光半導体装置
の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図１に光非線形材料として半導体量子井
戸層１を用いて、高反射膜２で挟んだ共振型光スイッチ
の構造図を、図２に動作の原理図を示す。この構造の光
スイッチにおいては、制御光パルス３の照射されない状
態では、共振器の透過スペクトルは、図２の実線とな
り、信号光パルス４は透過されない。これに対し、制御
光パルス３が照射されると、量子井戸層１の屈折率が変
化するため、共振ピークは点線で示したようにシフト
し、そのため、信号光４は透過するようになる。
戸層１を用いて、高反射膜２で挟んだ共振型光スイッチ
の構造図を、図２に動作の原理図を示す。この構造の光
スイッチにおいては、制御光パルス３の照射されない状
態では、共振器の透過スペクトルは、図２の実線とな
り、信号光パルス４は透過されない。これに対し、制御
光パルス３が照射されると、量子井戸層１の屈折率が変
化するため、共振ピークは点線で示したようにシフト
し、そのため、信号光４は透過するようになる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記共振器型光スイッ
チを例として説明したように、従来の光スイッチ動作機
能をもつ全ての光半導体装置においては、制御光を照射
させることによりキャリアを励起し、材料の屈折率を変
化させ、その結果、光スイッチ動作が行われる。この時
に励起されるキャリアの寿命は、数ナノ秒と長い。その
ため、従来の光半導体装置では制御光の照射以前の状態
への回復が遅くなり、高速なスイッチ動作が困難とな
る。従って、従来の光半導体装置において、高速な光ス
イッチ動作をさせるには、励起されたキャリアの寿命を
極めて短くすることが必要になる。これが、本発明が解
決しようとする課題である。すなわち、本発明の課題
は、制御光の照射によって励起されたキャリアの寿命を
極めて短くすることのできる光半導体装置を得るための
製造方法を提供することにある。
チを例として説明したように、従来の光スイッチ動作機
能をもつ全ての光半導体装置においては、制御光を照射
させることによりキャリアを励起し、材料の屈折率を変
化させ、その結果、光スイッチ動作が行われる。この時
に励起されるキャリアの寿命は、数ナノ秒と長い。その
ため、従来の光半導体装置では制御光の照射以前の状態
への回復が遅くなり、高速なスイッチ動作が困難とな
る。従って、従来の光半導体装置において、高速な光ス
イッチ動作をさせるには、励起されたキャリアの寿命を
極めて短くすることが必要になる。これが、本発明が解
決しようとする課題である。すなわち、本発明の課題
は、制御光の照射によって励起されたキャリアの寿命を
極めて短くすることのできる光半導体装置を得るための
製造方法を提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明方法の第１の特徴
は、光非線形材料として通常の成長温度より低い温度、
すなわち、１５０℃〜４００℃で成長させた量子井戸層
を用いることにある。
は、光非線形材料として通常の成長温度より低い温度、
すなわち、１５０℃〜４００℃で成長させた量子井戸層
を用いることにある。
【０００５】また、本発明方法の第２の特徴は、前記量
子井戸層の低温成長中にドーパントとしてｐ型元素また
はＢｅを添加することにある。
子井戸層の低温成長中にドーパントとしてｐ型元素また
はＢｅを添加することにある。
【０００６】さらに、本発明方法の第３の特徴は、前記
量子井戸層の低温成長後、アニール処理を施すことにあ
る。
量子井戸層の低温成長後、アニール処理を施すことにあ
る。
【０００７】
【作用】従来、ガスソース分子線エピタキシー（ＭＢ
Ｅ）装置では、量子井戸層の成長を５００℃程度で行
う。このとき、励起されたキャリアは、発光再結合過程
が支配的となるため、得られた光半導体装置は、レーザ
等の発光デバイスへの応用に極めて有用である。しか
し、その反面、発光再結合過程によるキャリア寿命は、
極めて長く、数〜数十ナノ秒であるため、この光半導体
装置では、初期状態への回復が遅くなり、高速スイッチ
の作成が困難である。
Ｅ）装置では、量子井戸層の成長を５００℃程度で行
う。このとき、励起されたキャリアは、発光再結合過程
が支配的となるため、得られた光半導体装置は、レーザ
等の発光デバイスへの応用に極めて有用である。しか
し、その反面、発光再結合過程によるキャリア寿命は、
極めて長く、数〜数十ナノ秒であるため、この光半導体
装置では、初期状態への回復が遅くなり、高速スイッチ
の作成が困難である。
【０００８】これに対し、本発明でのように、温度を下
げて、１５０℃〜４００℃で成長を行うと、深い準位に
再結合中心が形成されると考えられ、そのためキャリア
の寿命は１００ピコ秒程度まで高速化される。この量子
井戸層の成長を１５０℃未満で行なうと、励起子による
吸収の波長変化が生じないと思われる。そのため、成長
温度として利用し難い。また、成長温度が４００℃を越
えると、キャリア寿命が長くなり始めるため、４００℃
を越える成長温度も利用できない。また、成長中にｐ型
元素またはＢｅを導入すると、キャリア寿命は１ピコ秒
程度まで低減することが可能となる。さらに、成長後の
量子井戸層を５００℃程度の温度でアニール処理を施す
と、ドープされたアクセプタが活性化し、低温成長中に
発生したキャリアを補償するため、極めて高抵抗な量子
井戸層とすることができる。よって、この量子井戸層を
上記光半導体装置の光非線形材料として用いれば、極め
て高速な全光型光スイッチの作成が可能となる。
げて、１５０℃〜４００℃で成長を行うと、深い準位に
再結合中心が形成されると考えられ、そのためキャリア
の寿命は１００ピコ秒程度まで高速化される。この量子
井戸層の成長を１５０℃未満で行なうと、励起子による
吸収の波長変化が生じないと思われる。そのため、成長
温度として利用し難い。また、成長温度が４００℃を越
えると、キャリア寿命が長くなり始めるため、４００℃
を越える成長温度も利用できない。また、成長中にｐ型
元素またはＢｅを導入すると、キャリア寿命は１ピコ秒
程度まで低減することが可能となる。さらに、成長後の
量子井戸層を５００℃程度の温度でアニール処理を施す
と、ドープされたアクセプタが活性化し、低温成長中に
発生したキャリアを補償するため、極めて高抵抗な量子
井戸層とすることができる。よって、この量子井戸層を
上記光半導体装置の光非線形材料として用いれば、極め
て高速な全光型光スイッチの作成が可能となる。
【０００９】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細
に説明する。
に説明する。
【００１０】（実施例１）本発明において目的とする光
半導体装置に好適に用いることのできる量子井戸層を分
子線エピタキシー法により成長させた。用いた装置は、
周知の分子線エピタキシー装置であり、下記の成長条件
にて行なった。なお、アクセプタとしては、Ｂｅをドー
プした。
半導体装置に好適に用いることのできる量子井戸層を分
子線エピタキシー法により成長させた。用いた装置は、
周知の分子線エピタキシー装置であり、下記の成長条件
にて行なった。なお、アクセプタとしては、Ｂｅをドー
プした。
【００１１】 (i) III 族ソース ： Ｉｎ、Ｇａ、Ａｌ（メタ
ル） (ii) V 族ソース ： ＡｓＨ3 ガス（流量２ｃｃ
ｍ） (iii) 成長中の真空度 ： １. ３×１０-5Ｔｏｒｒ (iv) 基板回転速度 ： ２０ｒｐｍ (v) 成長速度 ： ２. ６μｍ／ｈ (vi) 成長温度 ： ２００℃ 前記のようにして、ガスソース分子線エピタキシー装置
により２００℃で成長され、アクセプタとしてＢｅをド
ープしたＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｌＡｓ量子井戸層の透過
率変化を、ポンプ・プローブ法により測定した例を、図
３に示す。この吸収回復時間は、キャリア寿命を反映し
ており、量子井戸層は数ピコ秒で初期状態へ回復するこ
とを意味している。
ル） (ii) V 族ソース ： ＡｓＨ3 ガス（流量２ｃｃ
ｍ） (iii) 成長中の真空度 ： １. ３×１０-5Ｔｏｒｒ (iv) 基板回転速度 ： ２０ｒｐｍ (v) 成長速度 ： ２. ６μｍ／ｈ (vi) 成長温度 ： ２００℃ 前記のようにして、ガスソース分子線エピタキシー装置
により２００℃で成長され、アクセプタとしてＢｅをド
ープしたＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｌＡｓ量子井戸層の透過
率変化を、ポンプ・プローブ法により測定した例を、図
３に示す。この吸収回復時間は、キャリア寿命を反映し
ており、量子井戸層は数ピコ秒で初期状態へ回復するこ
とを意味している。
【００１２】前記と同様の条件で、成長温度のみを１５
０℃，２００℃，３００℃，４００℃，６００℃と変化
させ、量子井戸層を成長させた。各温度により成長させ
た量子井戸層のキャリア寿命を測定したところ、図４の
結果が得られた。図から明らかなように、成長温度が４
００℃を越えると、キャリア寿命が長くなり始めるの
で、成長温度は４００℃以下が好ましい。また、１５０
℃近傍では、キャリア寿命の値に問題はないが、１５０
℃未満になると、励起子による吸収の波長変化が生じな
くなる可能性が大きいので、１５０℃未満での成長は避
けるべきである。
０℃，２００℃，３００℃，４００℃，６００℃と変化
させ、量子井戸層を成長させた。各温度により成長させ
た量子井戸層のキャリア寿命を測定したところ、図４の
結果が得られた。図から明らかなように、成長温度が４
００℃を越えると、キャリア寿命が長くなり始めるの
で、成長温度は４００℃以下が好ましい。また、１５０
℃近傍では、キャリア寿命の値に問題はないが、１５０
℃未満になると、励起子による吸収の波長変化が生じな
くなる可能性が大きいので、１５０℃未満での成長は避
けるべきである。
【００１３】次に、Ｂｅドープ量の変化が、キャリア寿
命に及ぼす影響について調べるために、前記と同様の条
件で、Ｂｅドープ量のみをドープ量０ｃｍ-3から約８ｃ
ｍ-3まで４通りに変化させて量子井戸層を成長させ、そ
れぞれのキャリア寿命を測定した。その結果を図５に示
す。なお、比較のために、成長温度５００℃において成
長させた量子井戸層のドープ量変化に対するキャリア寿
命の変化も図５に合わせて示した。図から明らかなよう
に、２００℃での成長では、Ｂｅをドープすることによ
って、キャリア寿命が急激に短くなることがわかる。
命に及ぼす影響について調べるために、前記と同様の条
件で、Ｂｅドープ量のみをドープ量０ｃｍ-3から約８ｃ
ｍ-3まで４通りに変化させて量子井戸層を成長させ、そ
れぞれのキャリア寿命を測定した。その結果を図５に示
す。なお、比較のために、成長温度５００℃において成
長させた量子井戸層のドープ量変化に対するキャリア寿
命の変化も図５に合わせて示した。図から明らかなよう
に、２００℃での成長では、Ｂｅをドープすることによ
って、キャリア寿命が急激に短くなることがわかる。
【００１４】したがって、上記Ｂｅドープ低温成長量子
井戸層を、前記の共振型光スイッチに、その光非線形材
料として用いると、従来デバイスより３桁程度高速な光
スイッチを作成することが可能となる。
井戸層を、前記の共振型光スイッチに、その光非線形材
料として用いると、従来デバイスより３桁程度高速な光
スイッチを作成することが可能となる。
【００１５】（実施例２）前記と同様にして、Ｂｅドー
プ低温成長量子井戸層を構成し、この量子井戸層を、光
導波路として、図６に示す構造の光スイッチを形成し
た。また、図７には、この光スイッチの原理の説明図を
示す。この光スイッチは、図に示すように、ＩｎＰ層
５，６間に光導波路となるＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｌＡｓ
量子井戸層７を形成した構造であり、光導波路である量
子井戸層７の一部に回折格子８が形成されている。この
ように、この光スイッチの光導波路の一部には回折格子
８が形成されているため、ブラッグ波長に一致した光信
号のみを反射させる。今、信号光パルス９の波長をこの
ブラッグ波長に合わせておくと、出力光は、図７に示す
ように、ゼロの状態となる（実線）。そのとき、励起パ
ルス１０をこの回折格子８へ照射し、キャリアを励起す
ると、回折格子８部分の屈折率が変化するため、ブラッ
グ波長も点線で示したようにシフトする。そのため、入
力光は透過状態へ移行し、出力光が得られるようにな
る。回折格子８部分はＢｅドープ低温成長量子井戸層７
で形成されているため、上記したように、励起されたキ
ャリアは、高速に消滅する。そのため、量子井戸層７
は、素早く初期状態へ緩和し、その結果、高速な光スイ
ッチが可能となる。
プ低温成長量子井戸層を構成し、この量子井戸層を、光
導波路として、図６に示す構造の光スイッチを形成し
た。また、図７には、この光スイッチの原理の説明図を
示す。この光スイッチは、図に示すように、ＩｎＰ層
５，６間に光導波路となるＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｌＡｓ
量子井戸層７を形成した構造であり、光導波路である量
子井戸層７の一部に回折格子８が形成されている。この
ように、この光スイッチの光導波路の一部には回折格子
８が形成されているため、ブラッグ波長に一致した光信
号のみを反射させる。今、信号光パルス９の波長をこの
ブラッグ波長に合わせておくと、出力光は、図７に示す
ように、ゼロの状態となる（実線）。そのとき、励起パ
ルス１０をこの回折格子８へ照射し、キャリアを励起す
ると、回折格子８部分の屈折率が変化するため、ブラッ
グ波長も点線で示したようにシフトする。そのため、入
力光は透過状態へ移行し、出力光が得られるようにな
る。回折格子８部分はＢｅドープ低温成長量子井戸層７
で形成されているため、上記したように、励起されたキ
ャリアは、高速に消滅する。そのため、量子井戸層７
は、素早く初期状態へ緩和し、その結果、高速な光スイ
ッチが可能となる。
【００１６】（実施例３）図８に示すように、実施例１
と同様のＢｅドープ低温成長量子井戸層７を光導波路と
するマッハツェンダ型光スイッチを形成した。図中、１
１，１２はＩｎＰ層であり、１３はリッジである。図に
示したように、光導波路は途中で分岐し、その後再び結
合するマッハツェンダ干渉計を構成しているため、励起
光パルス１４が照射されない状態では、合波した信号光
パルス１５の位相は一致しており、そのため、そのまま
出力される。分岐した光導波路の一方に励起光パルス１
４を照射し、キャリアを励起すると、その部分の屈折率
が変化し、光学的光路長が変わる。図９に示すように、
そのときの変化量ΔｎＬ（Δｎ：屈折率の変化量、Ｌ：
励起光照射部の長さ）が信号光の半波長に一致するよう
に調整すると、合波した信号光の位相は逆相となるた
め、信号光は出力されないようになる。光導波路部分は
Ｂｅドープ低温成長量子井戸層７で形成されているた
め、上記したように励起されたキャリアは迅速に消滅
し、素早く初期状態へ緩和して高速な光スイッチが可能
となる。
と同様のＢｅドープ低温成長量子井戸層７を光導波路と
するマッハツェンダ型光スイッチを形成した。図中、１
１，１２はＩｎＰ層であり、１３はリッジである。図に
示したように、光導波路は途中で分岐し、その後再び結
合するマッハツェンダ干渉計を構成しているため、励起
光パルス１４が照射されない状態では、合波した信号光
パルス１５の位相は一致しており、そのため、そのまま
出力される。分岐した光導波路の一方に励起光パルス１
４を照射し、キャリアを励起すると、その部分の屈折率
が変化し、光学的光路長が変わる。図９に示すように、
そのときの変化量ΔｎＬ（Δｎ：屈折率の変化量、Ｌ：
励起光照射部の長さ）が信号光の半波長に一致するよう
に調整すると、合波した信号光の位相は逆相となるた
め、信号光は出力されないようになる。光導波路部分は
Ｂｅドープ低温成長量子井戸層７で形成されているた
め、上記したように励起されたキャリアは迅速に消滅
し、素早く初期状態へ緩和して高速な光スイッチが可能
となる。
【００１７】なお、上記実施例では、結晶の材料として
ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｌＡｓ系について述べてきたが、
ＩｎＧａＡｓ／Ｉｎ（Ｇａ）ＡｌＡｓ系，ＡｌＧａＡｓ
／ＧａＡｓ系，ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ歪超格子系，Ｉ
ｎＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓＰ歪超格子系においても同様
の効果が実現できることは言うまでもない。
ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｌＡｓ系について述べてきたが、
ＩｎＧａＡｓ／Ｉｎ（Ｇａ）ＡｌＡｓ系，ＡｌＧａＡｓ
／ＧａＡｓ系，ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ歪超格子系，Ｉ
ｎＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓＰ歪超格子系においても同様
の効果が実現できることは言うまでもない。
【００１８】また、上記実施例では、ガスソース分子線
エピタキシー法により製造を行なったが、本発明は、通
常の分子線エピタキシー法にも適用できるのはもちろん
である。
エピタキシー法により製造を行なったが、本発明は、通
常の分子線エピタキシー法にも適用できるのはもちろん
である。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明方法は、光
非線形材料として、非線形性が大きく、極めて高速に緩
和するｐ型元素またはＢｅをドープした低温成長量子井
戸層を用いて光半導体装置を構成するものであり、上記
したように励起されたキャリアは高速に消滅するため、
素早く初期状態へ緩和し、高速な光スイッチが可能とな
る。
非線形材料として、非線形性が大きく、極めて高速に緩
和するｐ型元素またはＢｅをドープした低温成長量子井
戸層を用いて光半導体装置を構成するものであり、上記
したように励起されたキャリアは高速に消滅するため、
素早く初期状態へ緩和し、高速な光スイッチが可能とな
る。
【図１】従来の共振型光スイッチの構成図である。
【図２】従来の共振型光スイッチの原理を説明するグラ
フである。
フである。
【図３】本発明の実施例を説明するためのもので、ポン
プ・プローブ法によるＢｅドープ低温成長量子井戸層の
可飽和吸収回復時間の測定結果を示すグラフである。
プ・プローブ法によるＢｅドープ低温成長量子井戸層の
可飽和吸収回復時間の測定結果を示すグラフである。
【図４】本発明の実施例を説明するためのもので、本発
明方法により構成した光半導体装置における量子井戸層
の成長温度とその励起キャリアとの関係を示すグラフで
ある。
明方法により構成した光半導体装置における量子井戸層
の成長温度とその励起キャリアとの関係を示すグラフで
ある。
【図５】本発明を説明するためのもので、量子井戸層へ
のＢｅドープ量と量子井戸層の励起後の初期状態への緩
和時間（キャリア寿命）との関係を示すグラフである。
のＢｅドープ量と量子井戸層の励起後の初期状態への緩
和時間（キャリア寿命）との関係を示すグラフである。
【図６】本発明方法により形成した回折格子を有する導
波路型光スイッチの構成図である。
波路型光スイッチの構成図である。
【図７】本発明方法により形成した回折格子を有する導
波路型光スイッチの原理を説明するグラフである。
波路型光スイッチの原理を説明するグラフである。
【図８】本発明方法により形成したマッハツェンダ型光
スイッチの構成図である。
スイッチの構成図である。
【図９】本発明方法により形成したマッハツェンダ型光
スイッチの原理を説明するグラフである。
スイッチの原理を説明するグラフである。
５，６ ＩｎＰ層 ７ ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｌＡｓ量子井戸層 ８ 回折格子 ９ 信号光パルス １０ 励起光パルス １１，１２ ＩｎＰ層 １３ リッジ １４ 励起光パルス １５ 信号光パルス
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 香川 俊明 東京都千代田区内幸町１丁目１番６号 日 本電信電話株式会社内
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体基板上に量子井戸層を積層させて
活性層とする光半導体装置の製造方法において、前記量
子井戸層を１５０℃から４００℃で成長させることを特
徴とする光半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 前記量子井戸層にドーパントとしてｐ型
元素またはＢｅを添加することを特徴とする請求項１に
記載の光半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】 前記量子井戸層を形成後に、アニール処
理を行う工程を含むことを特徴とする請求項１または２
に記載の光半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18052093A JP3268560B2 (ja) | 1993-07-21 | 1993-07-21 | 光半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18052093A JP3268560B2 (ja) | 1993-07-21 | 1993-07-21 | 光半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0736064A true JPH0736064A (ja) | 1995-02-07 |
| JP3268560B2 JP3268560B2 (ja) | 2002-03-25 |
Family
ID=16084707
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18052093A Expired - Fee Related JP3268560B2 (ja) | 1993-07-21 | 1993-07-21 | 光半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3268560B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999057603A1 (de) * | 1998-04-30 | 1999-11-11 | Time-Bandwidth Products Ag | Optisch nichtlineares halbleitermaterial und verfahren zu dessen herstellung |
| JP2002323684A (ja) * | 2001-04-25 | 2002-11-08 | Mitsubishi Electric Corp | 面型光−光スイッチ |
| US6933581B2 (en) | 2003-04-18 | 2005-08-23 | Hamamatsu Photonics K.K. | Semiconductor chip, terahertz electromagnetic-wave device, and method of manufacturing these |
| US7394610B2 (en) | 2005-06-28 | 2008-07-01 | Kyocera Corporation | Acceleration sensor and magnetic disk device using the same |
| US7942055B2 (en) | 2005-10-04 | 2011-05-17 | Kyocera Corporation | Acceleration sensor |
| JP2014212301A (ja) * | 2013-04-03 | 2014-11-13 | パイオニア株式会社 | 光伝導基板、電磁波発生検出装置および光伝導基板の製造方法 |
-
1993
- 1993-07-21 JP JP18052093A patent/JP3268560B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999057603A1 (de) * | 1998-04-30 | 1999-11-11 | Time-Bandwidth Products Ag | Optisch nichtlineares halbleitermaterial und verfahren zu dessen herstellung |
| US6551850B1 (en) | 1998-04-30 | 2003-04-22 | Gigatera Ag | Optically nonlinear semiconductor material and a method for the production thereof |
| JP2002323684A (ja) * | 2001-04-25 | 2002-11-08 | Mitsubishi Electric Corp | 面型光−光スイッチ |
| US6933581B2 (en) | 2003-04-18 | 2005-08-23 | Hamamatsu Photonics K.K. | Semiconductor chip, terahertz electromagnetic-wave device, and method of manufacturing these |
| US7394610B2 (en) | 2005-06-28 | 2008-07-01 | Kyocera Corporation | Acceleration sensor and magnetic disk device using the same |
| US7942055B2 (en) | 2005-10-04 | 2011-05-17 | Kyocera Corporation | Acceleration sensor |
| JP2014212301A (ja) * | 2013-04-03 | 2014-11-13 | パイオニア株式会社 | 光伝導基板、電磁波発生検出装置および光伝導基板の製造方法 |
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