JPH0737780A - レジスト除去装置及びこれを用いたレジスト除去方法 - Google Patents
レジスト除去装置及びこれを用いたレジスト除去方法Info
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- JPH0737780A JPH0737780A JP5178690A JP17869093A JPH0737780A JP H0737780 A JPH0737780 A JP H0737780A JP 5178690 A JP5178690 A JP 5178690A JP 17869093 A JP17869093 A JP 17869093A JP H0737780 A JPH0737780 A JP H0737780A
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 効果的にレジスト層及びこれに由来する金属
不純物を除去することが可能なレジスト除去装置を提供
することを目的とし、また、これを用いたレジスト除去
方法を提供することを目的とする。 【構成】 プラズマアッシング部２においては、チャン
バ６内に基板５に対して、酸素プラズマによるプラズマ
アッシング処理をし、レジスト層を実質的に除去する。
続いて、ウェットエッチング部３において、上記プラズ
マアッシング処理が施された基板５を処理液槽９内に浸
し、下地材料層の表層部と共にこの下地材料層に導入さ
れた金属不純物を取り除く。さらに、乾燥部４におい
て、上記ウェットエッチング処理が施された基板５を乾
燥させる。
不純物を除去することが可能なレジスト除去装置を提供
することを目的とし、また、これを用いたレジスト除去
方法を提供することを目的とする。 【構成】 プラズマアッシング部２においては、チャン
バ６内に基板５に対して、酸素プラズマによるプラズマ
アッシング処理をし、レジスト層を実質的に除去する。
続いて、ウェットエッチング部３において、上記プラズ
マアッシング処理が施された基板５を処理液槽９内に浸
し、下地材料層の表層部と共にこの下地材料層に導入さ
れた金属不純物を取り除く。さらに、乾燥部４におい
て、上記ウェットエッチング処理が施された基板５を乾
燥させる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、効果的にレジスト層及
びこれに由来する金属不純物を除去するためのレジスト
除去装置に関するものであり、またこれを用いたレジス
ト除去方法に関するものである。
びこれに由来する金属不純物を除去するためのレジスト
除去装置に関するものであり、またこれを用いたレジス
ト除去方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の製造に際し、イオン注入や
エッチングといった処理範囲が制限されるべき処理にお
いては、パターニングされたレジスト層により処理範囲
以外をマスキングすることが行われている。そして、所
定の処理が終了した後には、上記レジスト層を取り除く
ことが必要となる。
エッチングといった処理範囲が制限されるべき処理にお
いては、パターニングされたレジスト層により処理範囲
以外をマスキングすることが行われている。そして、所
定の処理が終了した後には、上記レジスト層を取り除く
ことが必要となる。
【０００３】レジスト層の除去方法としては、従来、溶
剤や弱アルカリ溶液及び強力な酸化作用を持つ溶液（硫
酸，硝酸等と過酸化水素水の混合溶液）によってレジス
ト層を除去するウェットエッチングが主流をなしてい
た。しかし、ウェットエッチングは、下地材料層への影
響が少なく、非常に穏やかな剥離が可能である反面、処
理液中のパーティクルや廃液処理設備等に問題があっ
た。
剤や弱アルカリ溶液及び強力な酸化作用を持つ溶液（硫
酸，硝酸等と過酸化水素水の混合溶液）によってレジス
ト層を除去するウェットエッチングが主流をなしてい
た。しかし、ウェットエッチングは、下地材料層への影
響が少なく、非常に穏やかな剥離が可能である反面、処
理液中のパーティクルや廃液処理設備等に問題があっ
た。
【０００４】そこで、有機物よりなるレジスト層を剥離
する性能が非常に高く、さらにドライ処理であるためク
リーンな環境を保つことが可能な方法として、酸素プラ
ズマ放電を用いたプラズマアッシングが用いられるよう
になってきている。
する性能が非常に高く、さらにドライ処理であるためク
リーンな環境を保つことが可能な方法として、酸素プラ
ズマ放電を用いたプラズマアッシングが用いられるよう
になってきている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、プラズマアッ
シングによってレジスト層を除去すると、レジスト層中
に含有される金属不純物が下地材料層に叩き込まれて除
去できなくなるということが起こる。レジスト層中に
は、Ｎａ，Ｍｇ，Ａｌ，Ｋ，Ｃａ，Ｆｅ，Ｃｕ，Ｐｂと
いった金属不純物がｐｐｂのオーダーで含有されている
ことが知られているが、イオン・シース内で加速される
イオンの影響やプラズマ電界の静電的エネルギーによ
り、下地材料層にこのような金属不純物が叩き込まれる
ことになる。
シングによってレジスト層を除去すると、レジスト層中
に含有される金属不純物が下地材料層に叩き込まれて除
去できなくなるということが起こる。レジスト層中に
は、Ｎａ，Ｍｇ，Ａｌ，Ｋ，Ｃａ，Ｆｅ，Ｃｕ，Ｐｂと
いった金属不純物がｐｐｂのオーダーで含有されている
ことが知られているが、イオン・シース内で加速される
イオンの影響やプラズマ電界の静電的エネルギーによ
り、下地材料層にこのような金属不純物が叩き込まれる
ことになる。
【０００６】下地材料層に上述のような金属不純物が叩
き込まれてしまうと、下地材料層がＳｉＯ2 のような酸
化膜であった場合、耐圧劣化が起こる。また、上記Ｓｉ
Ｏ2層に導入された不純物が熱や電界によってＳｉ基板
へ拡散すると、結晶欠陥や不純物準位が発生するといっ
た問題が生じる。そして、このような問題は、デバイス
の微細化及び薄膜化に伴って、その特性に大きな影響を
与えるようになっており、例えばＣＣＤにおける白傷の
発生はその典型例である。
き込まれてしまうと、下地材料層がＳｉＯ2 のような酸
化膜であった場合、耐圧劣化が起こる。また、上記Ｓｉ
Ｏ2層に導入された不純物が熱や電界によってＳｉ基板
へ拡散すると、結晶欠陥や不純物準位が発生するといっ
た問題が生じる。そして、このような問題は、デバイス
の微細化及び薄膜化に伴って、その特性に大きな影響を
与えるようになっており、例えばＣＣＤにおける白傷の
発生はその典型例である。
【０００７】また、高濃度イオン注入処理を行った基板
のレジスト層を除去することは、プラズマアッシングに
よっても非常に困難である。高濃度イオン注入処理を行
った後、レジスト層の表面は変質しており、特に、ノボ
ラック系レジストとリン、ゴム系レジストとボロン等は
非常に硬質な膜に変質しているため、酸素中性原子だけ
では剥離が不可能に近いとされている。
のレジスト層を除去することは、プラズマアッシングに
よっても非常に困難である。高濃度イオン注入処理を行
った後、レジスト層の表面は変質しており、特に、ノボ
ラック系レジストとリン、ゴム系レジストとボロン等は
非常に硬質な膜に変質しているため、酸素中性原子だけ
では剥離が不可能に近いとされている。
【０００８】このようなレジスト層に対し、一般的なプ
ラズマアッシング装置で処理しても、レジスト表面変質
層は灰化しない。そして、レジスト層内部からの脱ガス
により、ポンピング又はバーストと呼ばれる現象が発生
すると、レジスト表面変質層が飛び散り、下地材料層の
表面に再付着して、プラズマアッシングによっては除去
ができないレジスト残渣となり、歩留まりの低下や次工
程の汚染につながる。
ラズマアッシング装置で処理しても、レジスト表面変質
層は灰化しない。そして、レジスト層内部からの脱ガス
により、ポンピング又はバーストと呼ばれる現象が発生
すると、レジスト表面変質層が飛び散り、下地材料層の
表面に再付着して、プラズマアッシングによっては除去
ができないレジスト残渣となり、歩留まりの低下や次工
程の汚染につながる。
【０００９】そこで本発明は、かかる従来の実情に鑑み
て提案されたものであり、プラズマアッシングによって
下地材料層に叩き込まれた金属不純物の除去を可能に
し、さらに、高濃度イオン注入処理を行った後であって
もレジスト残渣を残すことがないようなレジスト除去装
置を提供することを目的とする。また、このようなレジ
スト除去装置を用いたレジスト除去方法を提供すること
を目的とする。
て提案されたものであり、プラズマアッシングによって
下地材料層に叩き込まれた金属不純物の除去を可能に
し、さらに、高濃度イオン注入処理を行った後であって
もレジスト残渣を残すことがないようなレジスト除去装
置を提供することを目的とする。また、このようなレジ
スト除去装置を用いたレジスト除去方法を提供すること
を目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、上述の目的を
達成するために提案されたものである。すなわち、本発
明のレジスト除去装置は、同一本体内に収容されるプラ
ズマアッシング手段とウェットエッチング手段を備え、
レジスト層のプラズマアッシングと該レジスト層の下地
材料層の表層部のウェットエッチングとを連続的に行う
ようになされたものである。
達成するために提案されたものである。すなわち、本発
明のレジスト除去装置は、同一本体内に収容されるプラ
ズマアッシング手段とウェットエッチング手段を備え、
レジスト層のプラズマアッシングと該レジスト層の下地
材料層の表層部のウェットエッチングとを連続的に行う
ようになされたものである。
【００１１】そして、本発明のレジスト除去方法は、上
述のレジスト除去装置を用い、レジスト層をプラズマア
ッシングにより実質的に除去した後、該レジスト層の下
地材料層の表層部をウェットエッチングにより除去する
ものである。なお、本発明のレジスト除去方法は、前記
下地材料層がシリコン化合物層である場合に特に有効で
ある。
述のレジスト除去装置を用い、レジスト層をプラズマア
ッシングにより実質的に除去した後、該レジスト層の下
地材料層の表層部をウェットエッチングにより除去する
ものである。なお、本発明のレジスト除去方法は、前記
下地材料層がシリコン化合物層である場合に特に有効で
ある。
【００１２】
【作用】プラズマアッシングの後、ウェットエッチング
を行うと、プラズマアッシングによって下地材料層に導
入されてしまった金属不純物が、下地材料層の表層部と
共に取り除かれる。また、高濃度イオン注入を行った後
の変質したレジスト層がプラズマアッシング後、レジス
ト残渣として下地基板層に付着している場合も、ウェッ
トエッチングを行うことによって、下地材料層の表層部
と共に取り除くことができる。
を行うと、プラズマアッシングによって下地材料層に導
入されてしまった金属不純物が、下地材料層の表層部と
共に取り除かれる。また、高濃度イオン注入を行った後
の変質したレジスト層がプラズマアッシング後、レジス
ト残渣として下地基板層に付着している場合も、ウェッ
トエッチングを行うことによって、下地材料層の表層部
と共に取り除くことができる。
【００１３】また、本発明においては、プラズマアッシ
ングによる処理とウェットエッチングによる処理を同一
装置内で行うことができるため、素子の汚染が防がれ、
歩留まりが向上する。
ングによる処理とウェットエッチングによる処理を同一
装置内で行うことができるため、素子の汚染が防がれ、
歩留まりが向上する。
【００１４】
【実施例】以下、本発明を適用した具体的な実施例につ
いて、図面を参照しながら説明する。
いて、図面を参照しながら説明する。
【００１５】図１に示すようにレジスト除去装置１は、
主に、プラズマアッシング部２、ウェットエッチング部
３、及び乾燥部４より構成され、これらの領域へ基板５
を搬送しながらレジストの除去操作を行うようになされ
ている。
主に、プラズマアッシング部２、ウェットエッチング部
３、及び乾燥部４より構成され、これらの領域へ基板５
を搬送しながらレジストの除去操作を行うようになされ
ている。
【００１６】プラズマアッシング部２は、基板５にプラ
ズマアッシング処理を施すための領域であり、基板５を
載置できるチャンバ６、該チャンバ６内に酸素ガスを供
給するためのガス供給系７、排気を行うための真空排気
系８及び図示されないプラズマ放電手段より構成されて
いる。この場合の放電形式としては、通常知られている
対向電極型，同軸電極型，ＲＦダウンフロー型といった
以上ＲＦ励起型、マイクロ波ダウンフロー型，マイクロ
波定在波型といったマイクロ波励起型が挙げられ、ここ
では、いずれの放電形式のものも使用可能である。
ズマアッシング処理を施すための領域であり、基板５を
載置できるチャンバ６、該チャンバ６内に酸素ガスを供
給するためのガス供給系７、排気を行うための真空排気
系８及び図示されないプラズマ放電手段より構成されて
いる。この場合の放電形式としては、通常知られている
対向電極型，同軸電極型，ＲＦダウンフロー型といった
以上ＲＦ励起型、マイクロ波ダウンフロー型，マイクロ
波定在波型といったマイクロ波励起型が挙げられ、ここ
では、いずれの放電形式のものも使用可能である。
【００１７】ウェットエッチング部３は、プラズマアッ
シング処理が終了した基板５に対してウェットエッチン
グ処理を行うための領域であり、エッチング用処理液が
入れられた処理液槽９、該処理液槽９に処理液を供給す
るための処理液供給系１０、処理液槽９から使用済みの
処理液を排出するための排液系１１より構成されてい
る。
シング処理が終了した基板５に対してウェットエッチン
グ処理を行うための領域であり、エッチング用処理液が
入れられた処理液槽９、該処理液槽９に処理液を供給す
るための処理液供給系１０、処理液槽９から使用済みの
処理液を排出するための排液系１１より構成されてい
る。
【００１８】乾燥部４は、ウェットエッチング処理が終
了した基板５を乾燥させるための領域であり、スピン乾
燥、或いはイソプロパノール洗浄による乾燥を行えるよ
うになされている。
了した基板５を乾燥させるための領域であり、スピン乾
燥、或いはイソプロパノール洗浄による乾燥を行えるよ
うになされている。
【００１９】なお、プラズマアッシング部２とウェット
エッチング部３とは、接続部１２を介して接続されてお
り、ウェットエッチング部３と乾燥部４とは、接続部１
４を介して接続されている。そして、プラズマアッシン
グ部２においてプラズマアッシング処理が施された基板
５は、基板搬送アーム１３によって接続部１２を通過し
てウェットエッチング部３へ搬送され、ウェットエッチ
ング部３においてウェットエッチング処理が施される
と、基板搬送アーム１５によって接続部１４を通過して
乾燥部１２へ搬送されるようになされている。
エッチング部３とは、接続部１２を介して接続されてお
り、ウェットエッチング部３と乾燥部４とは、接続部１
４を介して接続されている。そして、プラズマアッシン
グ部２においてプラズマアッシング処理が施された基板
５は、基板搬送アーム１３によって接続部１２を通過し
てウェットエッチング部３へ搬送され、ウェットエッチ
ング部３においてウェットエッチング処理が施される
と、基板搬送アーム１５によって接続部１４を通過して
乾燥部１２へ搬送されるようになされている。
【００２０】したがって、以上のような構成を有するレ
ジスト除去装置１によってレジスト除去を行うには、先
ず、プラズマアッシング部２において、チャンバ６内に
酸素プラズマを発生させて基板５にプラズマアッシング
処理を施した後、この基板５をウェットエッチング部３
に搬送し、処理液槽９内でウェットエッチング処理を施
す。さらに、ウェットエッチング処理が施された基板５
を乾燥部４に搬送し、乾燥させることによって、レジス
ト除去操作が終了する。
ジスト除去装置１によってレジスト除去を行うには、先
ず、プラズマアッシング部２において、チャンバ６内に
酸素プラズマを発生させて基板５にプラズマアッシング
処理を施した後、この基板５をウェットエッチング部３
に搬送し、処理液槽９内でウェットエッチング処理を施
す。さらに、ウェットエッチング処理が施された基板５
を乾燥部４に搬送し、乾燥させることによって、レジス
ト除去操作が終了する。
【００２１】以下に、レジスト除去の工程を示す。ここ
では、図２に示されるようなＳｉ基板２１上に形成され
たＳｉＯ2 層２２の所定範囲にノボラック系のレジスト
マスク２３が形成されてなるウェハを基板５として、上
述の構成を有するレジスト除去装置１による処理を行っ
た。なお、上記基板５には、前工程においてリンの高濃
度イオン注入を行ってある。
では、図２に示されるようなＳｉ基板２１上に形成され
たＳｉＯ2 層２２の所定範囲にノボラック系のレジスト
マスク２３が形成されてなるウェハを基板５として、上
述の構成を有するレジスト除去装置１による処理を行っ
た。なお、上記基板５には、前工程においてリンの高濃
度イオン注入を行ってある。
【００２２】先ず、リンの高濃度イオン注入が終了した
基板５をプラズマアッシング部２のチャンバ６内に載置
し、流量が制御された酸素ガスをガス供給系７より供給
してプラズマ放電手段によりチャンバ６内にプラズマを
発生させた。これにより、チャンバ内に載置されたウェ
ハ２０のレジストマスク２３をアッシングした。
基板５をプラズマアッシング部２のチャンバ６内に載置
し、流量が制御された酸素ガスをガス供給系７より供給
してプラズマ放電手段によりチャンバ６内にプラズマを
発生させた。これにより、チャンバ内に載置されたウェ
ハ２０のレジストマスク２３をアッシングした。
【００２３】上記プラズマアッシング処理後の基板５
は、図３に示すように、ＳｉＯ2 層２２の大部分が露出
しているが、レジスト残渣２４が付着すると共に、金属
不純物２５がＳｉＯ2 層２２上に付着したり、ＳｉＯ2
層２２の表層部２２ａに１ｎｍ程度の深さで導入された
状態であった。
は、図３に示すように、ＳｉＯ2 層２２の大部分が露出
しているが、レジスト残渣２４が付着すると共に、金属
不純物２５がＳｉＯ2 層２２上に付着したり、ＳｉＯ2
層２２の表層部２２ａに１ｎｍ程度の深さで導入された
状態であった。
【００２４】上記レジスト残渣２４は、リンの高濃度イ
オン注入によってノボラック系化合物であるレジストマ
スク２３の表面が変質し、プラズマアッシング処理によ
っても除去することができず、ＳｉＯ2 層２２表面に再
付着したものと考えられる。また、上記金属不純物２５
は、レジストマスク２３内に含有されていたものがレジ
ストマスク２３の灰化によってＳｉＯ2 層２２表面に残
されたり、ＳｉＯ2 層２２内に叩き込まれて表層部２２
ａに導入されたものと考えられる。
オン注入によってノボラック系化合物であるレジストマ
スク２３の表面が変質し、プラズマアッシング処理によ
っても除去することができず、ＳｉＯ2 層２２表面に再
付着したものと考えられる。また、上記金属不純物２５
は、レジストマスク２３内に含有されていたものがレジ
ストマスク２３の灰化によってＳｉＯ2 層２２表面に残
されたり、ＳｉＯ2 層２２内に叩き込まれて表層部２２
ａに導入されたものと考えられる。
【００２５】次に、上記プラズマアッシング処理が施さ
れた基板５を基板搬送アーム１３によって、接続部１２
を通過させ、ウェットエッチング部３の処理液槽９内へ
搬送した。処理液槽９内にはエッチング用処理液が入れ
られており、基板５を２０〜４０秒浸すことによって、
ＳｉＯ2 層２２が約１〜２ｎｍエッチングされた。
れた基板５を基板搬送アーム１３によって、接続部１２
を通過させ、ウェットエッチング部３の処理液槽９内へ
搬送した。処理液槽９内にはエッチング用処理液が入れ
られており、基板５を２０〜４０秒浸すことによって、
ＳｉＯ2 層２２が約１〜２ｎｍエッチングされた。
【００２６】これにより、ＳｉＯ2 層２２表面に付着し
ていたレジスト残渣２４、ＳｉＯ2層２２表面に付着し
たり、表層部２２ａに導入された金属不純物２５が、図
４に示すように表層部２２ａと共に基板５から取り除か
れた。
ていたレジスト残渣２４、ＳｉＯ2層２２表面に付着し
たり、表層部２２ａに導入された金属不純物２５が、図
４に示すように表層部２２ａと共に基板５から取り除か
れた。
【００２７】なお、上記処理液としては、ＳｉＯ2 層を
エッチングできる溶液であればよいが、本実施例におい
ては、ＨＣｌ：ＨＦ：Ｈ2 Ｏ＝１：１：１００なる溶液
を用いた。
エッチングできる溶液であればよいが、本実施例におい
ては、ＨＣｌ：ＨＦ：Ｈ2 Ｏ＝１：１：１００なる溶液
を用いた。
【００２８】さらに、上述のようにしてウェットエッチ
ング処理がなされた基板５は、基板搬送アーム１５によ
って、接続部１４を通過して乾燥部４に搬送され、スピ
ン乾燥、或いはイソプロパノール洗浄による乾燥処理が
施され、これによって、レジスト除去の全工程が終了し
た。
ング処理がなされた基板５は、基板搬送アーム１５によ
って、接続部１４を通過して乾燥部４に搬送され、スピ
ン乾燥、或いはイソプロパノール洗浄による乾燥処理が
施され、これによって、レジスト除去の全工程が終了し
た。
【００２９】以上のようにして、プラズマアッシング部
２におけるプラズマアッシング処理とウェットエッチン
グ部３におけるウェットエッチング処理とを連続して行
うことによって、基板５からレジストマスク２３を十分
に取り除くと共に、ＳｉＯ2層２２の表層部２２ａに導
入された金属不純物も取り除くことができた。
２におけるプラズマアッシング処理とウェットエッチン
グ部３におけるウェットエッチング処理とを連続して行
うことによって、基板５からレジストマスク２３を十分
に取り除くと共に、ＳｉＯ2層２２の表層部２２ａに導
入された金属不純物も取り除くことができた。
【００３０】
【発明の効果】以上の説明から明かなように、本発明の
レジスト除去装置を用いてレジスト層の除去を行うと、
プラズマアッシング処理によって下地基板に導入されて
しまった金属不純物も、ウェットエッチング処理によっ
て、下地材料層の表層部と共に取り除くことができる。
また、高濃度イオン注入を行った後の基板であってもレ
ジスト残渣を残すことがない。したがって、ダストの除
去率が向上する。
レジスト除去装置を用いてレジスト層の除去を行うと、
プラズマアッシング処理によって下地基板に導入されて
しまった金属不純物も、ウェットエッチング処理によっ
て、下地材料層の表層部と共に取り除くことができる。
また、高濃度イオン注入を行った後の基板であってもレ
ジスト残渣を残すことがない。したがって、ダストの除
去率が向上する。
【００３１】なお、下地基板の表層部を取り除くことに
よって、プラズマアッシング処理によって損傷を受けた
下地基板のダメージ層をも取り除くことができる。
よって、プラズマアッシング処理によって損傷を受けた
下地基板のダメージ層をも取り除くことができる。
【００３２】また、本発明においては、プラズマアッシ
ング処理とウェットエッチング処理を同一装置内で行う
ものであるため、素子の汚染が防止され、歩留まりが向
上することはもちろん、クリーンルーム内における装置
の占有面積が少なくて済むので、経済的効果も大きい。
ング処理とウェットエッチング処理を同一装置内で行う
ものであるため、素子の汚染が防止され、歩留まりが向
上することはもちろん、クリーンルーム内における装置
の占有面積が少なくて済むので、経済的効果も大きい。
【００３３】下地材料層がＳｉＯ2 のような酸化膜であ
った場合も、表層部に金属不純物が導入されていないの
で、耐圧劣化が起こることがない。また、さらにその下
地であるＳｉ基板へ金属不純物が拡散することがなくな
るので、結晶欠陥や不純物準位の発生も抑えられ、デバ
イスの特性が向上する。したがって、本発明のレジスト
除去装置及びレジスト除去方法を適用することは、デバ
イスの微細化及び薄膜化を図るために有効である。
った場合も、表層部に金属不純物が導入されていないの
で、耐圧劣化が起こることがない。また、さらにその下
地であるＳｉ基板へ金属不純物が拡散することがなくな
るので、結晶欠陥や不純物準位の発生も抑えられ、デバ
イスの特性が向上する。したがって、本発明のレジスト
除去装置及びレジスト除去方法を適用することは、デバ
イスの微細化及び薄膜化を図るために有効である。
【図１】本発明のレジスト除去装置の構成を示す模式図
である。
である。
【図２】レジストマスクを除去する前の基板を模式的に
示す断面図である。
示す断面図である。
【図３】プラズマアッシング処理が施された後の基板を
模式的に示す断面図である。
模式的に示す断面図である。
【図４】ウェットエッチング処理が施された後の基板を
模式的に示す断面図である。
模式的に示す断面図である。
１・・・レジスト除去装置 ２・・・プラズマアッシング部 ３・・・ウェットエッチング部 ４・・・乾燥部 ５・・・基板 ６・・・チャンバ ７・・・ガス供給系 ８・・・真空排気系 ９・・・処理液層 １０・・・処理液供給系 １１・・・排液系 ２１・・・Ｓｉ基板 ２２・・・ＳｉＯ2 層 ２３・・・レジストマスク ２４・・・レジスト残渣 ２５・・・金属不純物
Claims (3)
- 【請求項１】 同一本体内に収容されるプラズマアッシ
ング手段とウェットエッチング手段を備え、レジスト層
のプラズマアッシングと該レジスト層の下地材料層の表
層部のウェットエッチングとを連続的に行うようになさ
れたレジスト除去装置。 - 【請求項２】 請求項１記載のレジスト除去装置を用い
て、レジスト層をプラズマアッシングにより実質的に除
去した後、該レジスト層の下地材料層の表層部をウェッ
トエッチングにより除去することを特徴とするレジスト
除去方法。 - 【請求項３】 前記下地材料層はシリコン化合物層であ
ることを特徴とする請求項２記載のレジスト除去方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5178690A JPH0737780A (ja) | 1993-07-20 | 1993-07-20 | レジスト除去装置及びこれを用いたレジスト除去方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5178690A JPH0737780A (ja) | 1993-07-20 | 1993-07-20 | レジスト除去装置及びこれを用いたレジスト除去方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0737780A true JPH0737780A (ja) | 1995-02-07 |
Family
ID=16052850
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5178690A Withdrawn JPH0737780A (ja) | 1993-07-20 | 1993-07-20 | レジスト除去装置及びこれを用いたレジスト除去方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0737780A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| AT409429B (de) * | 1999-07-15 | 2002-08-26 | Sez Semiconduct Equip Zubehoer | Verfahren zum ätzbehandeln von halbleitersubstraten zwecks freilegen einer metallschicht |
| US6750149B2 (en) | 1998-06-12 | 2004-06-15 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of manufacturing electronic device |
| KR100468824B1 (ko) * | 1998-02-04 | 2005-03-16 | 삼성전자주식회사 | 단일전자소자제작을위한감광막제거방법 |
| US7691210B2 (en) | 2005-10-11 | 2010-04-06 | Tokyo Electron Limited | Resist film removing method |
-
1993
- 1993-07-20 JP JP5178690A patent/JPH0737780A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100468824B1 (ko) * | 1998-02-04 | 2005-03-16 | 삼성전자주식회사 | 단일전자소자제작을위한감광막제거방법 |
| US6750149B2 (en) | 1998-06-12 | 2004-06-15 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of manufacturing electronic device |
| US6960531B2 (en) | 1998-06-12 | 2005-11-01 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of manufacturing electronic device |
| AT409429B (de) * | 1999-07-15 | 2002-08-26 | Sez Semiconduct Equip Zubehoer | Verfahren zum ätzbehandeln von halbleitersubstraten zwecks freilegen einer metallschicht |
| US7691210B2 (en) | 2005-10-11 | 2010-04-06 | Tokyo Electron Limited | Resist film removing method |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
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