JPH0737832A - 縦型熱処理炉 - Google Patents

縦型熱処理炉

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JPH0737832A JP5202701A JP20270193A JPH0737832A JP H0737832 A JPH0737832 A JP H0737832A JP 5202701 A JP5202701 A JP 5202701A JP 20270193 A JP20270193 A JP 20270193A JP H0737832 A JPH0737832 A JP H0737832A
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 縦型熱処理炉において、ガス置換時間の短縮
と処理ばらつきの低減とを可能にする。 【構成】 プロセスチューブ１０を取囲むように加熱手
段を設ける。プロセスチューブ１０には、長さ方向に沿
って分布するように多数のガス導入孔Ｈｂと多数の排気
孔Ｈｄとを対向して設ける。ガス導入管２０Ｂからガス
導入孔Ｈｂに例えば酸化性のガスを供給し、排気孔Ｈｄ
から排気管２０Ｄを介して排気する。下部の排気孔Ｈｃ
から排気してもよい。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体ウェハ等の被
処理ウェハに酸化、拡散等の処理を施すのに用いられる
縦型熱処理炉に関し、特にプロセスチューブの長さ方向
に沿って分布するように多数のガス導入孔を設けたこと
によりガス置換時間の短縮と処理ばらつきの低減とを可
能にしたものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体ウェハに酸化、不純物拡散
等の処理を施すための縦型熱処理炉としては、図３，４
に示すものが知られている。
【０００３】図３，４において、１０は、直立配置され
るプロセスチューブであり、例えば円筒状の石英管から
なっている。プロセスチューブ１０の上部は、閉じられ
ているが、便宜上破断した状態で示してある。
【０００４】プロセスチューブ１０の側部には、下方の
ガス導入部１２ａから分岐して上方に延長する２本の石
英製のガス導入管１２が設けられており、ガス導入部１
２ａ及びガス導入管１２を介してプロセスチューブ１０
の上部に処理用のガスが導入される。処理用のガスとし
ては、酸化処理の場合、外部燃焼装置１４からの酸化性
ガス（Ｈ2 とＯ2 との反応生成物である水蒸気等を含む
もの）が使用される。
【０００５】プロセスチューブ１０に導入されたガス
は、チューブ１０の下部に設けた排気管１６を介して排
気系に排出される。加熱装置１８は、図４に示すように
ガス導入管１２及びプロセスチューブ１０を取囲むよう
に設けられている。
【０００６】処理の際には、ウェハ保持具に保持された
半導体ウェハＷＦがプロセスチューブ１０の下端から内
部に挿入され、チューブ１０の下端は、ウェハ保持具と
一体の蓋で閉じられる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上記した縦型熱処理炉
によると、ガス導入管１２の熱容量が考慮されていない
ので、ガス導入管１２に近いウェハ領域Ｓにて酸化膜厚
が薄かったり、不純物濃度が低かったりする不都合があ
った。例えば、シリコンウェハの表面に１５［ｎｍ］の
厚さの熱酸化膜を形成すべく酸化処理を行なったとこ
ろ、ウェハ領域Ｓでは、他の領域に比べて膜厚が２〜３
［％］程度低かった。
【０００８】また、処理用のガスをプロセスチューブ１
０の上部から導入し、プロセスチューブ１２の下部から
排気するようになっているため、ガス置換に要する時間
が長い不都合もあった。
【０００９】ガス置換時間を短くするため、ガス流量を
増大させる方法が提案されている。この方法によると、
図５に示すように炉の下部においてウェハ面内の酸化膜
厚ばらつきが増大するという問題点がある。図５は、Ｈ
2 流量とウェハ面内の酸化膜厚ばらつきとの関係を示す
もので、ＳB 、ＳC 、ＳT は、それぞれ炉内の下部、中
部、上部の膜厚ばらつきを示している。
【００１０】図５によると、炉内下部では、炉内の中部
や上部に比べて酸化膜厚ばらつきが大きいことがわか
る。これは、反応条件（水蒸気濃度、反応時間等）が炉
内の位置で異なり、バッチ内で処理ばらつきが生ずるこ
とを意味する。また、酸化イベント毎にガス置換を行な
うので、バッチ間の処理ばらつきもかなりある。
【００１１】この発明の目的は、ガス置換時間が短く、
ウェハ面内、バッチ内及びバッチ間の処理ばらつきを低
減できる新規な縦型熱処理炉を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】この発明に係る縦型熱処
理炉は、直立配置される細長いプロセスチューブであっ
て、その長さ方向に沿って分布するように多数のガス導
入孔を形成したものと、前記多数のガス導入孔を介して
前記プロセスチューブに処理用のガスを導入すべく前記
プロセスチューブの側部に設けられたガス導入管と、前
記プロセスチューブの下部から排気する排気手段と、前
記プロセスチューブ及び前記ガス導入管を取囲むように
設けられた加熱手段とを備えたものである。
【００１３】
【作用】この発明の構成によれば、処理用のガスは、ガ
ス導入管から多数のガス導入孔を介してプロセスチュー
ブ内に導入される。この場合、多数のガス導入孔は、プ
ロセスチューブの長さ方向に沿って分布するように形成
されているので、ガス置換が速やかに行なわれると共
に、炉内での反応条件の均一性が向上する。
【００１４】
【実施例】図１，２は、この発明の一実施例に係る縦型
熱処理炉を示すもので、図３，４と同様の部分には同様
の符号を付して詳細な説明を省略する。また、図４に示
したと同様に加熱装置が設けられているが、図示を省略
した。
【００１５】図１，２において、プロセスチューブ１０
の側部には、ガス導入管２０Ａ及び排気管２０Ｃが互い
に対向するように設けられると共に、ガス導入管２０Ｂ
及び排気管２０Ｄが互いに対向するように設けられてい
る。プロセスチューブ１０の上部には、複数のガス導入
孔Ｈａが設けられると共に、プロセスチューブ１０の下
部には、複数の排気孔Ｈｃが設けられている。プロセス
チューブ１０には、長さ方向に分布するように多数のガ
ス導入孔Ｈｂと多数の排気孔Ｈｄとが対向して形成され
ている。
【００１６】ガス導入管２０Ａの下部のガス導入口２０
ａには、制御弁Ｖ1 を介して処理用のガスＧｉが供給さ
れ、このガスＧｉは、ガス導入管２０Ａ及びガス導入孔
Ｈａを介してプロセスチューブ１０内に導入される。ま
た、ガス導入管２０Ｂの下部のガス導入口２０ｂには、
制御弁Ｖ2 及びガスヒータ２２を介して処理用のガスＧ
ｉが供給され、このガスＧｉは、ガス導入管２０Ｂ及び
ガス導入孔Ｈｂを介してプロセスチューブ１０内に導入
される。
【００１７】ガスヒータ２２を設けると、ガス導入口２
０ｂから冷えた（十分加熱されてない）ガスが導入され
てウェハ温度を低下させ、酸化膜質を変化させるのを防
止することができる。
【００１８】排気管２０Ｃの下部の排気口２０ｃには、
制御弁Ｖ4 が接続されており、炉内のガスは、排気孔Ｈ
ｃ、排気管２０Ｃ及び制御弁Ｖ4 を介して排気ガスＧ0
として排気系に排出される。また、排気管２０Ｄの下部
の排気口２０ｄには、制御弁Ｖ3 が接続されており、炉
内のガスは、排気孔Ｈｄ、排気管２０Ｄ及び制御弁Ｖ3
を介して排気ガスＧ0 として排気系に排出される。
【００１９】制御装置ＣＮＴは、炉の温度、炉へのガス
供給等を制御するもので、この発明の実施に関しては、
制御弁Ｖ1 〜Ｖ4 をそれぞれ制御するための制御信号Ｖ
Ｃ1〜ＶＣ4 、ガスヒータ２２を制御するための制御信
号ＨＣ等を発生するようになっている。
【００２０】次の表１は、図１の炉に関して酸化イベン
ト毎に行なわれる制御シーケンスの一例を示すものであ
る。表１において、○印は「開」を、×印は「閉」をそ
れぞれ示す。
【００２１】
【表１】 ステップ１では、弁Ｖ1 を開けてプロセスチューブ１０
の上部からＮ2 ＋Ｏ2を導入する一方、弁Ｖ4 を介して
プロセスチューブ１０の下部から排気する。
【００２２】ステップ２では、弁Ｖ2 を開けてプロセス
チューブ１０の多数のガス導入孔Ｈｂを介してＨ2 Ｏ，
Ｏ2 ，Ｎ2 などのガスを導入する一方、弁Ｖ3 を開けて
プロセスチューブ１０の多数の排気孔Ｈｄを介して排気
する。
【００２３】ステップ３では、弁Ｖ1 を開けてプロセス
チューブの上部からＨ2 Ｏ，Ｏ2 ，Ｎ2 などのガスを導
入する一方、弁Ｖ4 を開けてプロセスチューブ１０の下
部から排気する。
【００２４】ステップ４では、弁Ｖ1 ，Ｖ2 を開けてプ
ロセスチューブ１０のガス導入孔Ｈａ，Ｈｂを介してＮ
2 を導入する一方、弁Ｖ3 を開けてプロセスチューブ１
０の排気孔Ｈｄを介して排気する。
【００２５】ステップ５では、弁Ｖ1 を開けてプロセス
チューブ１０の上部からＮ2 を導入する一方、弁Ｖ4 を
開けてプロセスチューブ１０の下部から排気する。
【００２６】このような制御シーケンスによれば、ステ
ップ２で速やかに酸化性ガスを導入して酸化を開始する
ことができ、ステップ４で速やかにガスをＮ2 に置換し
て酸化を停止することができる。また、酸化開始時に
は、炉内において上部、中部及び下部の反応条件を速や
かに一様にそろえることができる。従って、処理ばらつ
きの低減が可能となる。
【００２７】上記実施例で示したように、ガス導入管
（２０Ａ又は２０Ｂ）と排気管（２０Ｃ又は２０Ｄ）と
をプロセスチューブの中心軸に関して対称的に配置する
と、ウェハ面内の温度分布の均一性を改善することがで
きる。
【００２８】なお、上記実施例では、ガス導入管を２
本、排気管を２本としたが、これらの本数は適宜変更可
能である。
【００２９】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、プロ
セスチューブの長さ方向に沿って分布するように多数の
ガス導入孔を設け、これらのガス導入孔を介して処理用
のガスをプロセスチューブに導入するようにしたので、
ガス置換時間の大幅な短縮が可能になる。また、炉内で
の反応条件の均一性が向上するので、ウェハ面内、バッ
チ内及びバッチ間の処理ばらつきの低減が可能となる。
【００３０】その上、プロセスチューブの長さ方向に沿
って分布するように且つ多数のガス導入孔に対向して多
数の排気孔を設けると、ガス置換時間を一層短縮するこ
とができる。また、ガス導入管の下部のガス導入口に処
理用のガスを加熱するためのガスヒータを設けると、処
理用のガスが導入時に炉下部で加熱不足になるのを防ぐ
ことができ、炉内での温度条件の均一性を一層向上させ
ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 この発明の一実施例に係る縦型熱処理炉を示
す一部破断斜視図である。
【図２】 図１のＡ−Ａ’線に沿う断面図である。
【図３】 従来の縦型熱処理炉の一例を示す一部破断斜
視図である。
【図４】 図３のＸ−Ｘ’線に沿う断面図である。
【図５】 酸化処理時のＨ2 流量とウェハ面内の酸化膜
厚ばらつきとの関係を示すグラフである。
【符号の説明】
１０：プロセスチューブ、１８：加熱装置、２０Ａ，２
０Ｂ：ガス導入管、２０Ｃ，２０Ｄ：排気管、２２：ガ
スヒータ、Ｖ1 〜Ｖ4 ：制御弁、ＣＮＴ：制御装置。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】直立配置される細長いプロセスチューブで
    あって、その長さ方向に沿って分布するように多数のガ
    ス導入孔を形成したものと、 前記多数のガス導入孔を介して前記プロセスチューブに
    処理用のガスを導入すべく前記プロセスチューブの側部
    に設けられたガス導入管と、 前記プロセスチューブの下部から排気する排気手段と、 前記プロセスチューブ及び前記ガス導入管を取囲むよう
    に設けられた加熱手段とを備えた縦型熱処理炉。
  2. 【請求項２】直立配置される細長いプロセスチューブで
    あって、その長さ方向に沿って分布するように多数のガ
    ス導入孔と多数の排気孔とを対向して形成したものと、 前記多数のガス導入孔を介して前記プロセスチューブに
    処理用のガスを導入すべく前記プロセスチューブの側部
    に設けられたガス導入管と、 前記多数の排気孔を介して排気すべく前記プロセスチュ
    ーブの側部に設けられた排気管と、 前記プロセスチューブ、前記ガス導入管及び前記排気管
    を取囲むように設けらたれ加熱手段とを備えた縦型熱処
    理炉。
  3. 【請求項３】 前記ガス導入管の下部のガス導入口に前
    記処理用のガスを加熱するためのガスヒータを設けたこ
    とを特徴とする請求項１又は２記載の縦型熱処理炉。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019058553A1 (ja) * 2017-09-25 2019-03-28 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 基板処理装置、石英反応管、クリーニング方法並びにプログラム

Families Citing this family (60)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6037273A (en) * 1997-07-11 2000-03-14 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for insitu vapor generation
US6159866A (en) * 1998-03-02 2000-12-12 Applied Materials, Inc. Method for insitu vapor generation for forming an oxide on a substrate
US6204194B1 (en) * 1998-01-16 2001-03-20 F.T.L. Co., Ltd. Method and apparatus for producing a semiconductor device
US6291363B1 (en) 1999-03-01 2001-09-18 Micron Technology, Inc. Surface treatment of DARC films to reduce defects in subsequent cap layers
US7022623B2 (en) * 1999-04-22 2006-04-04 Micron Technology, Inc. Method of fabricating a semiconductor device with a dielectric film using a wet oxidation with steam process
DE19937513B4 (de) * 1999-08-09 2004-05-06 Infineon Technologies Ag Vorrichtungen und Verfahren zur gleichverteilten Gasinjektion bei der Behandlung von Halbleitersubstraten
JP2001274154A (ja) 2000-01-18 2001-10-05 Applied Materials Inc 成膜方法、成膜装置、半導体装置及びその製造方法
KR100360401B1 (ko) * 2000-03-17 2002-11-13 삼성전자 주식회사 슬릿형 공정가스 인입부와 다공구조의 폐가스 배출부를포함하는 공정튜브 및 반도체 소자 제조장치
JP2001274107A (ja) * 2000-03-28 2001-10-05 Nec Kyushu Ltd 拡散炉
KR100560867B1 (ko) * 2000-05-02 2006-03-13 동경 엘렉트론 주식회사 산화방법 및 산화시스템
US7378127B2 (en) * 2001-03-13 2008-05-27 Micron Technology, Inc. Chemical vapor deposition methods
JP3980840B2 (ja) * 2001-04-25 2007-09-26 東京エレクトロン株式会社 気相成長装置および気相成長膜形成方法
US6793966B2 (en) * 2001-09-10 2004-09-21 Howmet Research Corporation Chemical vapor deposition apparatus and method
US7229666B2 (en) * 2002-01-22 2007-06-12 Micron Technology, Inc. Chemical vapor deposition method
US6787185B2 (en) 2002-02-25 2004-09-07 Micron Technology, Inc. Deposition methods for improved delivery of metastable species
US7220312B2 (en) * 2002-03-13 2007-05-22 Micron Technology, Inc. Methods for treating semiconductor substrates
KR100455430B1 (ko) * 2002-03-29 2004-11-06 주식회사 엘지이아이 열교환기 표면처리장비의 냉각장치 및 그 제조방법
KR100829327B1 (ko) * 2002-04-05 2008-05-13 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 기판 처리 장치 및 반응 용기
JP2005533378A (ja) * 2002-07-15 2005-11-04 アヴィザ テクノロジー インコーポレイテッド 熱処理装置及び設定可能な垂直チャンバ
US6887521B2 (en) * 2002-08-15 2005-05-03 Micron Technology, Inc. Gas delivery system for pulsed-type deposition processes used in the manufacturing of micro-devices
US7073997B2 (en) * 2002-10-02 2006-07-11 Newfrey Llc Apparatus and method for holding a piece in a bore
AU2003228098A1 (en) * 2003-04-29 2004-11-23 Microcoat S.P.A Gas evacuation device
KR101025323B1 (ko) * 2004-01-13 2011-03-29 가부시키가이샤 아루박 에칭 장치 및 에칭 방법
US20050287806A1 (en) * 2004-06-24 2005-12-29 Hiroyuki Matsuura Vertical CVD apparatus and CVD method using the same
KR100673205B1 (ko) * 2004-11-24 2007-01-22 주식회사 하이닉스반도체 플래쉬 메모리소자의 제조방법
USD552047S1 (en) * 2005-02-28 2007-10-02 Tokyo Electron Limited Process tube for manufacturing semiconductor wafers
JP4951501B2 (ja) * 2005-03-01 2012-06-13 株式会社日立国際電気 基板処理装置および半導体デバイスの製造方法
FI121750B (fi) * 2005-11-17 2011-03-31 Beneq Oy ALD-reaktori
TWD118408S1 (zh) * 2006-02-20 2007-08-01 東京威力科創股份有限公司 半導體製造用加工處理管
US7615061B2 (en) * 2006-02-28 2009-11-10 Arthrocare Corporation Bone anchor suture-loading system, method and apparatus
JPWO2007111348A1 (ja) * 2006-03-28 2009-08-13 株式会社日立国際電気 基板処理装置
JP5036354B2 (ja) * 2006-04-04 2012-09-26 東京エレクトロン株式会社 成膜装置の排気系構造、成膜装置、および排ガスの処理方法
TWD124997S1 (zh) * 2006-09-12 2008-09-21 東京威力科創股份有限公司 半導體製程用管件
TWD125600S1 (zh) * 2006-10-12 2008-10-21 東京威力科創股份有限公司 半導體製造用加工處理管
TWD125601S (zh) * 2007-05-08 2008-10-21 東京威力科創股份有限公司 半導體製造用加工處理管
JP5568212B2 (ja) * 2007-09-19 2014-08-06 株式会社日立国際電気 基板処理装置、そのコーティング方法、基板処理方法及び半導体デバイスの製造方法
US20090197424A1 (en) * 2008-01-31 2009-08-06 Hitachi Kokusai Electric Inc. Substrate processing apparatus and method for manufacturing semiconductor device
MY152285A (en) * 2008-02-21 2014-09-15 Saint Gobain Ceramics Ceramic paddle
JP2010016225A (ja) * 2008-07-04 2010-01-21 Tokyo Electron Ltd 温度調節機構および温度調節機構を用いた半導体製造装置
TWI562204B (en) * 2010-10-26 2016-12-11 Hitachi Int Electric Inc Substrate processing apparatus, semiconductor device manufacturing method and computer-readable recording medium
KR101879175B1 (ko) * 2011-10-20 2018-08-20 삼성전자주식회사 화학 기상 증착 장치
KR101408084B1 (ko) * 2011-11-17 2014-07-04 주식회사 유진테크 보조가스공급포트를 포함하는 기판 처리 장치
KR101364701B1 (ko) * 2011-11-17 2014-02-20 주식회사 유진테크 위상차를 갖는 반응가스를 공급하는 기판 처리 장치
USD720308S1 (en) * 2011-11-18 2014-12-30 Tokyo Electron Limited Inner tube for process tube for manufacturing semiconductor wafers
USD724551S1 (en) * 2011-11-18 2015-03-17 Tokyo Electron Limited Inner tube for process tube for manufacturing semiconductor wafers
USD720309S1 (en) * 2011-11-18 2014-12-30 Tokyo Electron Limited Inner tube for process tube for manufacturing semiconductor wafers
USD725053S1 (en) * 2011-11-18 2015-03-24 Tokyo Electron Limited Outer tube for process tube for manufacturing semiconductor wafers
USD714369S1 (en) 2011-11-23 2014-09-30 Coorstek, Inc. Wafer paddle
USD742339S1 (en) * 2014-03-12 2015-11-03 Hitachi Kokusai Electric Inc. Reaction tube
USD748594S1 (en) * 2014-03-12 2016-02-02 Hitachi Kokusai Electric Inc. Reaction tube
KR102696320B1 (ko) * 2015-06-12 2024-08-20 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 반도체 에피택시 성장을 위한 주입기
JP6509104B2 (ja) * 2015-09-30 2019-05-08 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置
JP1605460S (ja) * 2017-08-09 2021-05-31
JP1605461S (ja) * 2017-08-10 2021-05-31
JP6820816B2 (ja) * 2017-09-26 2021-01-27 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 基板処理装置、反応管、半導体装置の製造方法、及びプログラム
JP1605982S (ja) * 2017-12-27 2021-05-31
KR102474847B1 (ko) 2018-04-25 2022-12-06 삼성전자주식회사 가스 인젝터 및 웨이퍼 처리 장치
JP1644260S (ja) * 2019-03-20 2019-10-28
USD931823S1 (en) * 2020-01-29 2021-09-28 Kokusai Electric Corporation Reaction tube
JP1713189S (ja) * 2021-09-15 2022-04-21

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5938375A (ja) * 1982-08-26 1984-03-02 Canon Inc プラズマｃｖｄ装置
JPS61269307A (ja) * 1985-05-24 1986-11-28 Hitachi Ltd Ｃｖｄ装置

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4362632A (en) * 1974-08-02 1982-12-07 Lfe Corporation Gas discharge apparatus
US4098923A (en) * 1976-06-07 1978-07-04 Motorola, Inc. Pyrolytic deposition of silicon dioxide on semiconductors using a shrouded boat
FR2376904A1 (fr) * 1977-01-11 1978-08-04 Alsthom Atlantique Procede d'attaque d'une couche mince par decomposition d'un gaz dans un plasma
US4310380A (en) * 1980-04-07 1982-01-12 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Plasma etching of silicon
JPS5740937A (en) * 1980-08-22 1982-03-06 Nec Home Electronics Ltd Manufacture of semiconductor device
US4397724A (en) * 1981-08-24 1983-08-09 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Apparatus and method for plasma-assisted etching of wafers
US4369031A (en) * 1981-09-15 1983-01-18 Thermco Products Corporation Gas control system for chemical vapor deposition system
JPS61191015A (ja) * 1985-02-20 1986-08-25 Hitachi Ltd 半導体の気相成長方法及びその装置
US4838983A (en) * 1986-07-03 1989-06-13 Emcore, Inc. Gas treatment apparatus and method
US5210466A (en) * 1989-10-03 1993-05-11 Applied Materials, Inc. VHF/UHF reactor system
US5266153A (en) * 1992-06-16 1993-11-30 National Semiconductor Corp. Gas distribution head for plasma deposition and etch systems

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5938375A (ja) * 1982-08-26 1984-03-02 Canon Inc プラズマｃｖｄ装置
JPS61269307A (ja) * 1985-05-24 1986-11-28 Hitachi Ltd Ｃｖｄ装置

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019058553A1 (ja) * 2017-09-25 2019-03-28 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 基板処理装置、石英反応管、クリーニング方法並びにプログラム
CN110870050A (zh) * 2017-09-25 2020-03-06 株式会社国际电气 衬底处理装置、石英反应管、清洁方法以及程序
JPWO2019058553A1 (ja) * 2017-09-25 2020-03-26 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 基板処理装置、石英反応管、クリーニング方法並びにプログラム
TWI694518B (zh) * 2017-09-25 2020-05-21 日商國際電氣股份有限公司 基板處理裝置、石英反應管、清潔方法暨記錄媒體
US11685992B2 (en) 2017-09-25 2023-06-27 Kokusai Electric Corporation Substrate processing apparatus, quartz reaction tube and method of manufacturing semiconductor device

Also Published As

Publication number Publication date
JP3024449B2 (ja) 2000-03-21
US5618349A (en) 1997-04-08

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