JPH0737889A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
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- JPH0737889A JPH0737889A JP5175825A JP17582593A JPH0737889A JP H0737889 A JPH0737889 A JP H0737889A JP 5175825 A JP5175825 A JP 5175825A JP 17582593 A JP17582593 A JP 17582593A JP H0737889 A JPH0737889 A JP H0737889A
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/01—Manufacture or treatment
- H10W72/012—Manufacture or treatment of bump connectors, dummy bumps or thermal bumps
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
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- H10W72/0711—Apparatus therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10W72/071—Connecting or disconnecting
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- H10W72/07141—Means for applying energy, e.g. ovens or lasers
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- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】半田ワイヤを用いた半田バンプ形成する場合、
ヒーターステージにより加熱されたキャピラリを冷却す
ることにより、半田ボールを半導体素子の電極パッド上
にボンディングする際のキャピラリにより圧接力を半導
体素子の電極パッド上に伝達し易くし、接合性向上を図
る。 【構成】還元ガス供給部を備えるワイヤボンディング装
置に、ヒーターステージ６により加熱されたキャピラリ
４を冷却するためにエア配管１０より供給される冷却ガ
スを吹き付ける冷却ガス吹き出し口１１と、冷却ガス吹
き出し口１１から吹き出される冷却ガスの流量を適切に
調整するためのバルブ１２から成るキャピラリ冷却部と
を有し、冷却ガス吹き付け口１１からの冷却ガスでキャ
ピラリを冷却する。
ヒーターステージにより加熱されたキャピラリを冷却す
ることにより、半田ボールを半導体素子の電極パッド上
にボンディングする際のキャピラリにより圧接力を半導
体素子の電極パッド上に伝達し易くし、接合性向上を図
る。 【構成】還元ガス供給部を備えるワイヤボンディング装
置に、ヒーターステージ６により加熱されたキャピラリ
４を冷却するためにエア配管１０より供給される冷却ガ
スを吹き付ける冷却ガス吹き出し口１１と、冷却ガス吹
き出し口１１から吹き出される冷却ガスの流量を適切に
調整するためのバルブ１２から成るキャピラリ冷却部と
を有し、冷却ガス吹き付け口１１からの冷却ガスでキャ
ピラリを冷却する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半田バンプ形成技術に
関し、特に半田ワイヤを用いたワイヤボンディング方法
による半田バンプ形成における半田ボールボンディング
において、接合性向上を図る機構を具備する半導体製造
装置に関する。
関し、特に半田ワイヤを用いたワイヤボンディング方法
による半田バンプ形成における半田ボールボンディング
において、接合性向上を図る機構を具備する半導体製造
装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】この種の技術について記載されている例
としては、材料開発ジャーナル,1992.8,VOL.8,NO.8,pp2
2-26. がある。
としては、材料開発ジャーナル,1992.8,VOL.8,NO.8,pp2
2-26. がある。
【０００３】上記雑誌においては、還元ガス供給部を備
えるワイヤボンディング装置による半田ワイヤを用いた
半田バンプ形成方法について詳細に説明している。
えるワイヤボンディング装置による半田ワイヤを用いた
半田バンプ形成方法について詳細に説明している。
【０００４】続いて、上記雑誌に記載されている還元ガ
ス供給部を備えるワイヤボンディング装置について図面
を参照して説明する。
ス供給部を備えるワイヤボンディング装置について図面
を参照して説明する。
【０００５】図３は上記雑誌に記載されている還元ガス
供給部を備えるワイヤボンディング装置のボンディング
ステージ部分を示す側面図である。
供給部を備えるワイヤボンディング装置のボンディング
ステージ部分を示す側面図である。
【０００６】図３に示すワイヤボンディング装置は、ワ
イヤボンディング部と、還元ガス供給部とを含んで構成
させる。
イヤボンディング部と、還元ガス供給部とを含んで構成
させる。
【０００７】次に、各部について詳細に説明する。
【０００８】ワイヤボンディング部は、半田ワイヤ１先
端に半田ボール１ｂを形成するためにアーク放電をする
スパークロッド３と、半田ボール１ｂを半導体素子２の
電極パッド２ｂ上にボンディングするための治具である
キャピラリ４と、半田ワイヤ１がキャピラリ４先端に送
り出される量を調整するクランパ５と、半導体素子１を
加熱するヒーターステージ６とを含んでいる。
端に半田ボール１ｂを形成するためにアーク放電をする
スパークロッド３と、半田ボール１ｂを半導体素子２の
電極パッド２ｂ上にボンディングするための治具である
キャピラリ４と、半田ワイヤ１がキャピラリ４先端に送
り出される量を調整するクランパ５と、半導体素子１を
加熱するヒーターステージ６とを含んでいる。
【０００９】還元ガス供給部は、スパークロッド３のア
ーク放電による半田ボール１ｂの形成時において、半田
ボール１ｂの酸化を防ぐために半田ボール１ｂにガスボ
ンベ７によって供給される水素ガス混合還元ガスを吹き
付ける還元ガス吹き出し口８と、還元ガス出し口８から
吹き付けられる水素ガス混合還元ガスの流量を調整する
バルブ９とを含んでいる。
ーク放電による半田ボール１ｂの形成時において、半田
ボール１ｂの酸化を防ぐために半田ボール１ｂにガスボ
ンベ７によって供給される水素ガス混合還元ガスを吹き
付ける還元ガス吹き出し口８と、還元ガス出し口８から
吹き付けられる水素ガス混合還元ガスの流量を調整する
バルブ９とを含んでいる。
【００１０】次に、図３に示す半導体製造装置による半
田ワイヤを用いた半田バンプ形成方法について詳細に説
明している。
田ワイヤを用いた半田バンプ形成方法について詳細に説
明している。
【００１１】図４は図３に示す半導体製造装置による半
田ワイヤを用いた半田バンプ形成の一動作例を説明する
ための動作工程図である。
田ワイヤを用いた半田バンプ形成の一動作例を説明する
ための動作工程図である。
【００１２】まず第１に、還元ガス吹き出し口８より吹
き出された還元ガス中で、キャピラリ４先端より送り出
された半田ワイヤ１先端をスパークロッド３のアーク放
電により溶解して半田ボール１ｂを形成する。
き出された還元ガス中で、キャピラリ４先端より送り出
された半田ワイヤ１先端をスパークロッド３のアーク放
電により溶解して半田ボール１ｂを形成する。
【００１３】第２に、クランパ５を開いた後キャピラリ
４を降下させ、キャピラリ４を超音波振動させつつ半田
ボール１ｂをヒーターステージ６により加熱された半導
体素子２の電極パッド２ｂ上にボンディングする。
４を降下させ、キャピラリ４を超音波振動させつつ半田
ボール１ｂをヒーターステージ６により加熱された半導
体素子２の電極パッド２ｂ上にボンディングする。
【００１４】第３に、キャピラリ４を半田ワイヤ１の送
り出し量まで上昇させてクランパ５を閉じ、半田ワイヤ
１を切断する。
り出し量まで上昇させてクランパ５を閉じ、半田ワイヤ
１を切断する。
【００１５】以上の動作を繰り返すことにより半導体素
子２の電極パッド２ｂ上に半田バンプ１ｃを形成する。
子２の電極パッド２ｂ上に半田バンプ１ｃを形成する。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の還元ガ
ス供給部を備えるワイヤボンディング装置は、ヒーター
ステージおよびヒーターステージによって加熱されたキ
ャピラリの熱によって半田ボールが加熱され、軟質化す
る。このため、半田ボールを半導体素子の電極パッド上
にボンディングする際のキャピラリによる圧接力が、軟
質化した半田ボールに吸収されて半導体素子の電極パッ
ドに十分伝達されなくなり、接合性が低下するという問
題点が有った。
ス供給部を備えるワイヤボンディング装置は、ヒーター
ステージおよびヒーターステージによって加熱されたキ
ャピラリの熱によって半田ボールが加熱され、軟質化す
る。このため、半田ボールを半導体素子の電極パッド上
にボンディングする際のキャピラリによる圧接力が、軟
質化した半田ボールに吸収されて半導体素子の電極パッ
ドに十分伝達されなくなり、接合性が低下するという問
題点が有った。
【００１７】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体製造装置
は、半導体素子の電極パッド上に半田ワイヤを用いて半
田バンプを形成するためのワイヤボンディング部と、ワ
イヤボンディング部にて半田バンプの基である半田ボー
ル形成時に半田ボール表面の酸化を防止するための還元
ガス供給部とを含んで構成される半導体製造装置におい
て、半田ボールを半導体素子の電極パッド上にボンディ
ングするための治具であるキャピラリを冷却する機構を
具備することを特徴としている。
は、半導体素子の電極パッド上に半田ワイヤを用いて半
田バンプを形成するためのワイヤボンディング部と、ワ
イヤボンディング部にて半田バンプの基である半田ボー
ル形成時に半田ボール表面の酸化を防止するための還元
ガス供給部とを含んで構成される半導体製造装置におい
て、半田ボールを半導体素子の電極パッド上にボンディ
ングするための治具であるキャピラリを冷却する機構を
具備することを特徴としている。
【００１８】具体的には、キャピラリ冷却部が、キャピ
ラリを冷却するためにエア配管より供給される冷却ガス
を吹き付ける冷却ガス吹き出し口と、冷却ガス吹き出し
口から吹き出される冷却ガスの流量を適切に調整するた
めのバルブとを具備することを特徴としている。
ラリを冷却するためにエア配管より供給される冷却ガス
を吹き付ける冷却ガス吹き出し口と、冷却ガス吹き出し
口から吹き出される冷却ガスの流量を適切に調整するた
めのバルブとを具備することを特徴としている。
【００１９】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て詳細に説明する。
て詳細に説明する。
【００２０】図１は本発明による半導体製造装置の一実
施例のボンディングステージ部分を示す側面図である。
施例のボンディングステージ部分を示す側面図である。
【００２１】図１に示すワイヤボンディング装置は、半
導体素子の電極パッド上に半田ワイヤを用いて半田バン
プを形成するためのワイヤボンディング部と、ワイヤボ
ンディング部にて半田バンプの基である半田ボール形成
時に半田ボール表面の酸化を防止するための還元ガス供
給部と、半田ボールを半導体素子の電極パッド上にボン
ディングするための治具であるキャピラリを冷却するた
めのキャピラリ冷却部とを含んで構成される。
導体素子の電極パッド上に半田ワイヤを用いて半田バン
プを形成するためのワイヤボンディング部と、ワイヤボ
ンディング部にて半田バンプの基である半田ボール形成
時に半田ボール表面の酸化を防止するための還元ガス供
給部と、半田ボールを半導体素子の電極パッド上にボン
ディングするための治具であるキャピラリを冷却するた
めのキャピラリ冷却部とを含んで構成される。
【００２２】次に、各部について詳細に説明する。
【００２３】ワイヤボンディング部は、半田ワイヤ１先
端に半田ボール１ｂを形成するためにアーク放電をする
スパークロッド３と、半田ボール１ｂを半導体素子２の
電極パッド２ｂ上にボンディングするための治具である
キャピラリ４と、半田ワイヤ１がキャピラリ４先端に送
り出される量を調整するクランパ５と、半導体素子２を
加熱するヒーターステージ６とを含んでいる。
端に半田ボール１ｂを形成するためにアーク放電をする
スパークロッド３と、半田ボール１ｂを半導体素子２の
電極パッド２ｂ上にボンディングするための治具である
キャピラリ４と、半田ワイヤ１がキャピラリ４先端に送
り出される量を調整するクランパ５と、半導体素子２を
加熱するヒーターステージ６とを含んでいる。
【００２４】還元ガス供給部は、スパークロッド３のア
ーク放電による半田ボール１ｂの形成時において、半田
ボール１ｂの酸化を防ぐために半田ボール１ｂにガスボ
ンベ７によって供給されれる水素ガス混合還元ガスを吹
き付ける還元ガス吹き出し口８と、還元ガス吹き出し口
８から吹き付けられる水素ガス混合還元ガスの流量を調
整するバルブ９とを含んでいる。
ーク放電による半田ボール１ｂの形成時において、半田
ボール１ｂの酸化を防ぐために半田ボール１ｂにガスボ
ンベ７によって供給されれる水素ガス混合還元ガスを吹
き付ける還元ガス吹き出し口８と、還元ガス吹き出し口
８から吹き付けられる水素ガス混合還元ガスの流量を調
整するバルブ９とを含んでいる。
【００２５】キャピラリ冷却部は、キャピラリ４を冷却
するためにエア配管１０より供給される冷却ガスを吹き
付ける冷却ガス吹き出し口１１と、前記冷却ガス吹き出
し口１１から吹き出される冷却ガスの流量を適切に調整
するためのバルブ１２とを含んでいる。
するためにエア配管１０より供給される冷却ガスを吹き
付ける冷却ガス吹き出し口１１と、前記冷却ガス吹き出
し口１１から吹き出される冷却ガスの流量を適切に調整
するためのバルブ１２とを含んでいる。
【００２６】次に、図１に示す半導体製造装置による半
田ワイヤを用いた半田バンプ形成方法について詳細に説
明している。
田ワイヤを用いた半田バンプ形成方法について詳細に説
明している。
【００２７】図２は図１に示す半導体製造装置による半
田ワイヤを用いた半田バンプ形成の一動作例を説明する
ための動作工程図である。
田ワイヤを用いた半田バンプ形成の一動作例を説明する
ための動作工程図である。
【００２８】まず第１に、還元ガス吹き出し口８より吹
き出された還元ガス中で、キャピラリ４先端より送り出
された半田ワイヤ１先端をスパークロッド３のアーク放
電により溶解して半田ボール１ｂを形成する。
き出された還元ガス中で、キャピラリ４先端より送り出
された半田ワイヤ１先端をスパークロッド３のアーク放
電により溶解して半田ボール１ｂを形成する。
【００２９】第２に、クランパ５を開いた後キャピラリ
４を降下させ、キャピラリ４を超音波振動させつつ半田
ボール１ｂをヒーターステージ６により加熱された半導
体素子２の電極パッド２ｂ上にボンディングする。ここ
で、キャピラリ４は冷却ガス吹き出し口１１から吹き出
される冷却ガスによって常に冷却されており、キャピラ
リ４による半田ボール１ｂの加熱を防ぐことができる。
４を降下させ、キャピラリ４を超音波振動させつつ半田
ボール１ｂをヒーターステージ６により加熱された半導
体素子２の電極パッド２ｂ上にボンディングする。ここ
で、キャピラリ４は冷却ガス吹き出し口１１から吹き出
される冷却ガスによって常に冷却されており、キャピラ
リ４による半田ボール１ｂの加熱を防ぐことができる。
【００３０】第３に、キャピラリ４を半田ワイヤ１の送
り出し量まで上昇させてクランパ５を閉じ、半田ワイヤ
１を切断する。
り出し量まで上昇させてクランパ５を閉じ、半田ワイヤ
１を切断する。
【００３１】以上の動作を繰り返すことにより半導体素
子２の電極パッド２ｂ上に半田バンプ１ｃを形成する。
子２の電極パッド２ｂ上に半田バンプ１ｃを形成する。
【００３２】
【発明の効果】以上説明したように本発明の半導体製造
装置は、半田ワイヤを用いた半田バンプ形成する場合、
ヒーターステージにより加熱されたキャピラリを冷却す
るため、半田ボールの加熱による軟質化を防ぐことがで
きる。このため、本発明の半導体製造装置は、半田ボー
ルを半導体素子の電極パッド上にボンディングする際の
キャピラリによる圧接力が半導体素子の電極パッド上に
伝達し易くなり、接合性が向上するという効果を有す
る。
装置は、半田ワイヤを用いた半田バンプ形成する場合、
ヒーターステージにより加熱されたキャピラリを冷却す
るため、半田ボールの加熱による軟質化を防ぐことがで
きる。このため、本発明の半導体製造装置は、半田ボー
ルを半導体素子の電極パッド上にボンディングする際の
キャピラリによる圧接力が半導体素子の電極パッド上に
伝達し易くなり、接合性が向上するという効果を有す
る。
【図１】本発明による半導体製造装置の一実施例のボン
ディングステージ部分を示す側面図である。
ディングステージ部分を示す側面図である。
【図２】図１に示す半導体製造装置による半田ワイヤを
用いた半田バンプ形成の一動作例を説明するための動作
工程図である。図２（ａ），（ｂ），（ｃ）は各工程の
詳細動作を説明するための動作工程図である。
用いた半田バンプ形成の一動作例を説明するための動作
工程図である。図２（ａ），（ｂ），（ｃ）は各工程の
詳細動作を説明するための動作工程図である。
【図３】従来の還元ガス供給部を備えるワイヤボンディ
ング装置のボンディングステージ部分を示す側面図であ
る。
ング装置のボンディングステージ部分を示す側面図であ
る。
【図４】図３に示す半導体製造装置による半田ワイヤを
用いた半田バンプ形成の一動作例を説明するための動作
工程図である。図４（ａ），（ｂ），（ｃ）は各工程の
詳細動作を説明するための動作工程図である。
用いた半田バンプ形成の一動作例を説明するための動作
工程図である。図４（ａ），（ｂ），（ｃ）は各工程の
詳細動作を説明するための動作工程図である。
１ 半田ワイヤ １ｂ 半田ボール １ｃ 半田バンプ ２ 半導体素子 ２ｂ 電極パッド ３ トーチロッド ４ キャピラリ ５ クランパ ６ ヒーターステージ ７ ガスボンベ ８ 還元ガス吹き出し口 ９ バルブ １０ エア配管 １１ 冷却ガス吹き出し口 １２ バルブ
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体素子の電極パッド上に半田ワイヤ
を用いて半田バンプを形成するためのワイヤボンディン
グ部と、前記ワイヤボンディング部にて半田バンプの基
である半田ボール形成時に半田ボール表面の酸化を防止
するための還元ガス供給部とを含んで構成される半導体
製造装置において、前記半田ボールを前記半導体素子の
電極パッド上にボンディングするための治具であるキャ
ピラリを冷却する機構を具備することを特徴とする半導
体製造装置。 - 【請求項２】 前記キャピラリ冷却部が、前記キャピラ
リを冷却するためにエア配管より供給される冷却ガスを
吹き付ける冷却ガス吹き出し口と、前記冷却ガス吹き出
し口から吹き出される冷却ガスの流量を適切に調整する
ためのバルブとを具備することを特徴とする請求項１記
載の半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5175825A JPH0737889A (ja) | 1993-07-16 | 1993-07-16 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5175825A JPH0737889A (ja) | 1993-07-16 | 1993-07-16 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0737889A true JPH0737889A (ja) | 1995-02-07 |
Family
ID=16002884
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5175825A Pending JPH0737889A (ja) | 1993-07-16 | 1993-07-16 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0737889A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100369503B1 (ko) * | 2000-10-24 | 2003-01-29 | 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 | 유량조절밸브가 부착된 시간지연밸브를 포함하는 와이어 본더의 이물질 제거 어셈블리 |
| CN107042346A (zh) * | 2016-02-05 | 2017-08-15 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 焊球形成装置和焊球形成方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58169918A (ja) * | 1982-03-31 | 1983-10-06 | Hitachi Ltd | ワイヤボンダ |
| JPS6110248A (ja) * | 1984-06-25 | 1986-01-17 | Shinkawa Ltd | ワイヤボンデイング装置 |
-
1993
- 1993-07-16 JP JP5175825A patent/JPH0737889A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58169918A (ja) * | 1982-03-31 | 1983-10-06 | Hitachi Ltd | ワイヤボンダ |
| JPS6110248A (ja) * | 1984-06-25 | 1986-01-17 | Shinkawa Ltd | ワイヤボンデイング装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100369503B1 (ko) * | 2000-10-24 | 2003-01-29 | 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 | 유량조절밸브가 부착된 시간지연밸브를 포함하는 와이어 본더의 이물질 제거 어셈블리 |
| CN107042346A (zh) * | 2016-02-05 | 2017-08-15 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 焊球形成装置和焊球形成方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19960220 |