JPH0737930A - ボンディング装置及びバンプ形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【目的】酸化し易い素材のボンディングワイヤを用いる
場合でも確実に一定形状のボールやバンプを形成でき、
水素などの還元性ガスを用いても危険度を低下させ、ま
た放電時のガス雰囲気を均一にする機構を簡潔にでき、
異常放電を低減できるボンディング技術を提供する。 【構成】ガス管状部１３、ガス供給部１２ａをそれらが
導電性の場合、トーチ電極１１と接続して同電位にし、
またはガス管状部及びガス供給部のみを非導電材とし、
それらを一体に連結して振動自在に形成し、振動の際キ
ャピラリ１の下端部分と交差するガス管状部の上部に開
口部１５を設け、トーチ電極の電極部分を露出させる。
またキャピラリの先端からボンディングワイヤ２を一定
量送出した後クランパ１６を閉じたまま上昇させ、バン
プからワイヤを切断する工程では、ワイヤを必要長さ送
出すまでキャピラリを上昇させ、完全に停止した状態で
クランパを閉じた後さらに上昇させて切断する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、細線から良好なボール
を形成する技術、及び被ボンディング体に金属突起（以
下、バンプという）を形成する技術に関するものであ
り、特に半導体のチップ上の電極、リードフレームの先
端あるいはプリント基板等に導体金属のバンプを形成す
る技術もしくは微細な導体金属を正確な位置にそして確
実に供給する技術に適用して有効な技術に関するもので
ある。

【０００２】

【従来の技術】半導体の電極を形成する方法として、ボ
ンディングワイヤの先端部にこれの金ボールを形成し、
半導体素子の電極パッド面に圧着したのちに上記金ボー
ルからボンディングワイヤを切離し、バンプを形成する
ことが知られている。

【０００３】この方法については、特開昭４８−７６７
８号公報等に記載されている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】ところが、上述の技術
を利用してハンダバンプを形成しようとしたところ、ボ
ンディングワイヤが金以外は、真球度の高い良質のボー
ルを形成をすることができなかった。そこで本発明者
が、検討を重ねたところ、ボンディングワイヤ状態でワ
イヤ表面に酸化膜が形成されていると、そのワイヤ表面
酸化膜が起因して良質のボールが得られないこと。さら
に、形成されていくボール表面に酸化膜が出来ることも
影響して満足できる真球が得られないこと。また同じ大
きさのボール、すなわち同じ大きさのバンプを形成する
ために必要な要因であるキャピラリの先端から突出させ
るボンディングワイヤ長さ量が安定していないことなど
の問題があることを見出した。

【０００５】本発明の目的は、酸化しやすい素材からな
るボンディングワイヤを使用するばあいであっても、確
実に、そして一定の大きさで形状の良好なボール、また
はバンプを形成する技術を提供するものである。

【０００６】本発明の目的は、水素ガスなどの引火性の
有る還元性ガスを使用しても危険度を低減しうるボンデ
ィング技術を提供するものである。

【０００７】本発明の他の目的は、放電時のガス雰囲気
を一様にする機構のコンパクト化ができる技術を提供す
るものである本発明の他の目的は、異常放電を低減でき
るボンディング技術を提供するものである。

【０００８】本発明の前記ならびにそのほかの目的と新
規な特徴は、本明細書の記述及び添付図面から明らかに
なるであろう。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば下記
の通りである。

【００１０】すなわち、ガス管状部、ガス供給部を導電
性材である場合、トーチ電極と接続して同電位とし、あ
るいは、ガス管状部及びガス供給部のみを非導電材と
し、それらを一体的に連結し、ガス管状部の上部に部分
的に開口部を設け、上記トーチ電極の電極部分を露出さ
せるものである。

【００１１】また、キャピラリの先端から一定量のボン
ディングワイヤを送りだしたのちクランパを閉じた状態
で上昇させ、バンプからボンディングワイヤを切断する
工程において、ワイヤを必要な長さ分送りだすまでキャ
ピラリを上昇させたのち、完全に停止した状態でクラン
パを閉じ、閉じたのちにさらにクランパを上昇させて切
断するものである。

【００１２】さらには、キャピラリの先端でボールを押
しつぶしてバンプを形成したのちにキャピラリでバンプ
を押さえた状態で、ボンディングワイヤをバンプから引
き離すものである。

【００１３】

【作用】これにより、トーチ電極からボンディングワイ
ヤへの異常放電を発生させることなく安定した状態で、
放電領域にガスを吐出するノズル口を極めて近付けるこ
とができ、またガス管状部を小さくコンパクトにするこ
とができる。また、そのため、すばやいガスの均一化が
可能となりガスの使用量も低減できると共に、爆発等の
危険要因を低減できるものである。

【００１４】また、クランパが完全に閉じるまでの時
間、クランパの移動を停止させているので、正確な長さ
でボンディングワイヤをキャピラリの先端から送りだす
ことができ、一定の大きさのボール、しいてはバンプを
形成できるものである。

【００１５】さらには、ボンディング面へのバンプ圧着
強度が低減することなく安定した接触面の信頼性を向上
できるものである。

【００１６】

【実施例】図１は、本発明の１実施例であるバンプボン
ディング装置の主要部概略断面図、図２は、図１で使用
するキャピラリの先端部説明図、図３（ａ）（ｂ）は、
バンプを形成するための説明図である。以下図面を用い
て詳細に説明する。

【００１７】１は、ボンディングワイヤ２をガイドする
ためのボンデイングツールで、キャピラリといい、略中
央部にはガイド孔３が形成されている。図２で示すよう
に、キャピラリ１のガイド孔３の下端は、漏斗状部４に
なっており、前記ボンディングワイヤ２の先端部にボー
ル５を形成したさい保持するようになっている。また、
キャピラリ１のガイド孔３の下端には、部分的に幅広部
６が形成されており、基板７上にバンプ８を形成した際
に生じるヒゲ状部９を前記幅広部６で押圧して修正でき
るようになっている。１０は、キャピラリ１を上下動自
在に保持するボンディングアームであり、図示しないＸ
Ｙテーブルに搭載されてＸＹ方向に自在に動くボンディ
ングヘッドに、Ｚ方向に揺動自在に接続されている。

【００１８】１１は、トーチ電極であり、本実施例では
この電極１１にマイナスの電位、ボンディングワイヤ２
にプラスの電位として高電位差を付加することにより放
電させ、ボンディングワイヤ２の先端にボール５を形成
するものである。１２はガス供給部であり、本実施例で
は、導電性金属の第１のガス供給部１２ａと第２のガス
供給部１２ｂが２つ設けられている。第１のガス供給部
１２ａは、トーチ電極１１の電極部１１ａにノズル口の
先端が近接して配設され、かつトーチ電極１１と一体的
に接続されている。第２のガス供給部１２ｂは、上記ト
ーチ電極１１を収納し、さらにキャピラリ先端からでて
いるボンディングワイヤを収容できる大きさで設けられ
た中空のガス管状部１３で、その一端から内部にガスが
供給できるように設けられており、第１のガス供給部１
２ａから吐出するガスに対向してガスが流れ出るように
なっている。このとき、第１のガス供給部１２ａから流
れるガスの流速と第２のガス供給部１２ｂから流れるガ
スの流速を調整し、ガス管状部１３内に外気が巻き込ま
れないようになっている。

【００１９】これにより、少なくとも放電時その領域の
還元ガス濃度は高い状態を維持でき、かつ引火する危険
性を低減している。尚、本実施例では還元性のガスとし
て水素ガスを、希ガスとしてアルゴンを用い、これらを
混合し使用している。

【００２０】前記ガス管状部１３は、第１のガス供給部
１２ａに接続固定され、スイングアーム１４によりトー
チ電極１１、第１のガス供給部１２ａ、ガス管状部１３
が一体となってスイング動作自在に取り付けられてい
る。１５は、本実施例ではガス管状部１３の上部に形成
された開口部であり、この開口部１５をとうしてキャピ
ラリ１の先端部及びボンディングワイヤ２の下端が、ト
ーチ電極１１の電極１１ａに近接させている。なお、本
実施例では、トーチ電極１１、第１のガス供給部１２
ａ、ガス管状部１３が一体でマイナス電位であるので、
ボンディングワイヤ２に最も近いトーチ電極１１に安定
してかつ確実に放電することになり、従って、開口部１
５の幅Ｌを狭くしても、トーチ電極１１からガス管状部
１３へ異常放電する等の問題は回避できる。

【００２１】尚、トーチ電極１１のみを導電金属とし、
第１のガス供給部１２ａ、ガス管状部１３を非導電性金
属、例えばガラス（石英）製であっても同様の効果を得
られる。また、図４で示すように、第２のガス供給部１
２ｂを１本のノズルで形成するのではなく、複数本のノ
ズル１２ｃ、１２ｃで構成し、同量のガス量であっても
ガス流速を速くして、より一層外気が巻き込まないよう
にしても良い。

【００２２】図５（ａ）〜（ｇ）は、バンプボンディン
グ方法を説明するための工程概略図である。図５（ａ）
は、ボンディングワイヤ２の先端にボール５が形成され
ている状態を示しており、このときクランパ１６は
「開」状態となっている。次に、図５（ｂ）に示すよう
に、ボール５が形成されたボンディングワイヤ２をキャ
ピラリ１で漏斗状部４で保持しつつ下降させて所望の被
ボンディング体である基板７（例えば、半導体チップの
電極、プリント基板等）に押しつける。これにより、キ
ャピラリ１の漏斗状部４の内壁面でボールがつぶされ、
その内壁面の形状にあわせて図５（ｃ）で示すようにバ
ンプ８が形成される。クランパ１６はキャピラリ１に追
随して同じ上下動するよう図示しないボンディングヘッ
ドに取り付けられている。次に、基板７から距離Ｈ離れ
るまでキャピラリ１を上昇させたのち停止させる。そし
て、図５（ｄ）で示すように、キャピラリ１が完全に停
止した後、すなわちクランパ１６が完全に停止する時間
経過したのち、クランパ１６を「閉」とし、ボンディン
グワイヤ２を挟持させる。この状態で、クランパ１６及
びキャピラリ１を上昇させることにより、図５（ｅ）の
ようにバンプ８の状部からボンディングワイヤ２が切断
される。なお、このときには、まだバンプ８の上部に
は、切断の際に生じるヒゲ状部９が残存している。次に
キャピラリ１が放電位置に移動して停止すると同時に、
スイングアーム１４によりトーチ電極１１の電極部１１
ａがボンディングワイヤ２の真下に近接して移動する。
ガス管状部１３内には、第１のガス供給部１２ａと第２
のガス供給部１２ｂから還元性のガス、例えば水素ガス
が放電領域であるボンディングワイヤ２の先端及び放電
トーチ方向に向けて噴射供給されている（図５
（ｅ））。ガス管状部１３は、移動中に、さらにはキャ
ピラリ１の移動に伴って乱れたガス管状部内のガス雰囲
気が安定する間、短時間停止している。そして、ガス雰
囲気が安定するタイミングに放電が開始されよう時間が
設定されている。図５（ｇ）では、バンプ形成ののちボ
ンディングワイヤ２の先端にボール５が形成され、キャ
ピラリ２の漏斗状部４にボール５が位置するようになっ
ている。図６は、キャピラリ−クランパ動作説明図であ
り、縦軸はキャピラリの高さ、横軸は時間を示してい
る。例えば、点Ａでは、ボンディングワイヤ２の先端に
ボール５を形成したキャピラリ２を下降させているとき
（図５（ａ））で、クランパ１６は「開」であることを
示している。それぞれ点Ａ〜点Ｇは、それぞれ図５
（ａ）〜図５（ｇ）のキャピラリ−クランパ動作に該当
している。図で明らかなように、キャピラリ１が点Ｐか
ら点Ｑまで上昇したとき、すなわちキャピラリ１の先端
から所望長さＨだけボンディングワイヤ２が送り出され
たとき、キャピラリ１の上動は点Ｑから点Ｒで示す時間
停止している。そのキャピラリ１が停止した時間中、キ
ャピラリ１と同様に動作しているクランパ１６は、停止
した状態で閉じることになり、そのため確実に所望長さ
Ｈだけ送り出されたときにワイヤ２をつかんでいる。そ
の後ワイヤ２を切断するために、点Ｒから点Ｓまでキャ
ピラリ１を上動させていることがわかる。

【００２３】上述のようにして形成したバンプ８の接続
が完了したのち、バンプ８のヒゲ状部９を図３（ａ）で
示すようにキャピラリ１のガイド孔３内にワイヤ２を引
っ込めておき、図３（ｂ）で示すようにキャピラリ１の
先端部に設けた幅広部６にて複数個続けてたたきつぶし
修正している。

【００２４】図７は、上記説明とは異なるバンプ形成方
法の概略説明図である。図７（ａ）で示すように、キャ
ピラリ２１にガイドされたボンディングワイヤ２２の先
端部の下方にトーチ電極を内蔵したガス管状部２６をを
駆動させ、放電によりワイヤ先端にボール２７を形成す
る。このときキャピラリ２１とクランパ２５との離間距
離は、幅Ｌ₁であったとする。次に、幅Ｌ₁を保ったまま
キャピラリ２１とクランパ２５を下降させていき、予め
設定した位置（この位置をテール長設定点と呼ぶことに
する）でクランパ２５のみ停止する（図７（ｂ））。キ
ャピラリ２１はそのままさらに下降し、被ボンディング
点２３にボール２７が当接したとき停止するようになっ
ている。このときキャピラリ２１は、テール長設定点か
ら図７（ｃ）の場合、幅Ｌ₂下降したことになる。次に
図７（ｄ）で示すようにクランパ２５を「閉」としワイ
ヤ２２を挾持する。その後クランパ２５をＬ₃上昇させ
バンプ２４からワイヤ２２を分離する。次にキャピラリ
２１とクランパ２５の離間距離を幅Ｌ₁となるようクラ
ンパ２５を移動させ、キャピラリ２１の先端からテール
長ｌ（ｌ＝Ｌ₂）分突出することになる。その後、図７
（ａ）で説明した工程にもどり、これを繰返し動作させ
ることにより複数のバンプを形成することが可能とな
る。この方法によれば、形成したバンプをキャピラリで
押さえつつ形成できるので、バンプからボンディングワ
イヤを分離できるので、バンプが剥離するなどのダメー
ジがないなどの効果が得られる。

【００２５】図９は、本発明を利用した半導体基板の一
例の部分断面斜視図である。３０は絶縁基板、例えばエ
ポキシ樹脂等からなるプリント基板であり、その表面、
裏面もしくはその内部には外部端子や他の半導体部品に
接続するため銅（Ｃｕ）などの配線３１が形成されてい
る。３２は上述のバンプボンディング方法にて形成した
バンプであり、各々配線３１に接続している。このバン
プ３２上にＬＳＩ３３の外部リード３４を位置合わせし
て載置し、加熱（リフロー）して接続できるようになっ
ている。

【００２６】なお、３５はＬＳＩ３３のハンドリング部
材である。

【００２７】図１０は本発明を利用した半導体装置の一
例の断面図である。３６は半導体チップであり、その主
表面上には半導体回路のパターンが形成されている。チ
ップ３６には電極パッド上にバンプ３７が前述のように
形成され接続されている。３８は絶縁基板であり、その
表面にはチップ３６の電極パッドと接続する配線３９が
裏面には外部端子４０と接続する配線４１が形成され、
かつ配線３９と配線４１とを電気的に接続するコンタク
ト導体４２が配設されている。なお、上述した外部端子
４０を前述したバンプ形成方法にて作っても良い。この
場合、ボンディングワイヤの線径を外部端子の半田量に
応じて太くするか、あるいはバンプを重ね打ちして加熱
し、合体させることにより作ることが出来る。なお４３
は、レジンである。

【００２８】次に、本実施例の作用及び効果について説
明する。

【００２９】（１）雰囲気ガス吹き出し用のノズルをト
ーチ電極と一体化させることにより、トーチ電極から雰
囲気ガス吹き出し用のノズルへ異常放電することを防止
できるので、ボンデイングワイヤに確実かつ安定してボ
ールを形成することができるという効果が得られる。

【００３０】（２）雰囲気ガス吹き出し用のノズルを有
するガス供給部をトーチ電極と一体化させることによ
り、トーチ電極から雰囲気ガス吹き出し用のノズルへ異
常放電を防止できるので、ガス雰囲気を維持するための
ガス管状部を小型化でき、しかも開口部を狭くすること
ができる。従って、所定のガス雰囲気に短時間で回復
し、また安定した一様のガス雰囲気を作りやすいとうい
う効果が得られる。

【００３１】（３）また、上記によりガスの消費量を低
減できるという効果が得られる。

【００３２】（４）トーチ電極と第１のガス供給部を一
体に接続し同電位となっているので、ボンディングワイ
ヤ先端に近付けて雰囲気ガスを吹き付けることが可能と
なり、よってボールを安定した形状（真球）に形成する
ことができる。

【００３３】（５）還元性ガスを供給することにより、
ボンディングワイヤの表面に自然に形成された酸化膜
も、放電の際の熱で還元されるので、不活性ガスに比べ
極めて真球性の高いボールが得られという効果がえられ
るものである。

【００３４】（６）ガス管状部の移動を停止したのち放
電まで遅延時間を設定することにより、ガス管状部内の
ガス雰囲気が安定した状態でボールを形成できるもので
ある。

【００３５】（７）クランパの上昇を一端止めクランパ
を閉じるのでワイヤのキャピラリからの突出量が安定
し、バンプ体積のバラツキのないバンプ供給が可能であ
る。

【００３６】（８）バンプをキャピラリで押さえつけな
がらワイヤを引きちぎるので、バンプの接続面の信頼性
を向上させることが可能となる。

【００３７】以上本発明者によってなされた発明を実施
例に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施例に
限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で
種種変更可能であることはいうまでもない。

【００３８】例えば、第７図で示すように、先に形成し
たバンプ１７ａのヒゲ状部１８をつぶしつつ隣接するバ
ンプ１７ｂを形成できるよう、バンプ間距離Ｄを考慮し
てキャピラリ１９の先端形状を設計し、これを用いて効
率的にバンプボンディングするようにしてもよい。

【００３９】また、ボンディングワイヤ材としてハンダ
を用いているが、その他の線材、例えば金、アルミニウ
ム、銅、その他合金にも適用することができる。また、
バンプの取り付ける基板は、半導体チップの電極やリー
ドフレームのリード部、プリント配線基板等へのボンデ
ィングの限定されるものではなく、その他の電極や配線
の一部として、バンプが利用しうる部材に適用すること
ができる。

【００４０】またバンプ自体が電極の一部として利用さ
れる電子部品に限定されず、例えば小片部品を取り付け
るための接着剤としてバンプを利用する分野にも適用す
ることができる。

【００４１】

【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。

【００４２】すなわち、安定したガス雰囲気中で、水素
ガスを利用しても安全で、かつ安定した放電により真球
度の良いボールを形成でき、しかも品質の良いバンプが
得られるという効果が得られる。

【００４３】また、上記理由により、品質の良いＩＣ、
ＬＳＩ等の半導体装置やそれらを組み込んだ製品の性能
を向上させることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例であるバンプボンディング装
置の主要部概略断面図、

【図２】本発明の一実施例に用いるキャピラリの先端部
説明図、

【図３】本発明の一実施例のバンプ形成説明図、

【図４】本発明の他の実施例であるノズルの断面図、

【図５】本発明の一実施例であるバンプボンディングの
工程概略図、

【図６】本発明の一実施例であるキャピラリ−クランパ
動作説明図、

【図７】本発明の他の実施例であるバンプボンディング
の工程概略図、

【図８】本発明の他の実施例に用いるキャピラリの先端
断面図、

【図９】本発明を利用したプリント基板の一例の部分断
面斜視図、

【図１０】本発明を利用したＬＳＩの一例の断面図であ
る。

【符号の説明】

１……キャピラリ、２……ボンディングワイヤ、３……
ガイド孔、４……漏斗状部、５……ボール、６……幅広
部、７……基板、８……バンプ、９……ヒゲ状部、１０
……ボンディングアーム、１１……トーチ電極、１２ａ
……第１のガス供給部、１２ｂ……第２のガス供給部、
１３……ガス管状部、１４……スイングアーム、１５…
…開口部、１６……クランパ、１７ａ……バンプ、１７
ｂ……バンプ、１８……ヒゲ状部、１９……キャピラ
リ、２１……キャピラリ、２２……ボンディングワイ
ヤ、２３……被ボンディング体、２４……バンプ、２５
……クランパ、２６……ガス管状部、２７……ボール、
３０……プリント基板、３１……配線、３２……バン
プ、３３……ＬＳＩ、３４……外部リード、３５……ハ
ンドリング部材、３６……半導体チップ、３７……バン
プ、３８……絶縁基板、３９……表面配線、４０……バ
ンプ、４１……裏面配線、４２……コンタクト導体、４
３……樹脂。

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】ボンディングワイヤをガイドするキャピラ
   リと、先端部においてキャピラリを保持できるボンディ
   ングアームと、ボンディングアームをＺ方向に可動自在
   に支持するボンディングヘッドと、ボンディングヘッド
   をＸＹ方向に移動させるＸＹテーブルと、キャピラリに
   同期して上下動し、ボンディングワイヤを挾持できる開
   閉自在なクランパと、キャピラリにガイドされたボンデ
   ィングワイヤの先端にボールを形成するためのトーチ電
   極と、上部に開口部を有し、ボンディングワイヤ先端部
   の周辺雰囲気を所望のガス不雰囲気に維持し、かつ上記
   開口部からトーチ電極の電極部が露出した状態で収納し
   ている中空のガス管状部と、上記ガス管状部に配設され
   たガス供給部とを有しており、トーチ電極、ガス管状部
   及びガス供給部が一体的に接続され、かつボンディング
   時はキャピラリの下方向から退避し、放電時はキャピラ
   リの下方向にくるようスイング自在となっていることを
   特徴とするボンディング装置。
2. 【請求項２】上記ガス管状部内へガスを供給するガス供
   給部のうち、少なくともその一つはトーチ電極の電極部
   にそのガス吹き出しのノズル口が近接して配設されてい
   ることを特徴とする請求項１記載のボンディング装置。
3. 【請求項３】ガス供給部及びガス管状部は金属製であ
   り、トーチ電極と電気的に接続され同電位に設定されて
   いることを特徴とする請求項１記載のボンディング装
   置。
4. 【請求項４】ガス供給部及びガス管状部は、非導電性材
   からなることを特徴とする請求項１記載のボンディング
   装置。
5. 【請求項５】ガスは還元性ガスまたは還元性ガスと希ガ
   スの混合ガスであることを特徴とする請求項１から４記
   載のボンディング装置。
6. 【請求項６】キャピラリの先端であって、ガイド孔の周
   囲には、バンプの上部を押圧するための幅広部が設けら
   れていることを特徴とする請求項１記載のボンディング
   装置。
7. 【請求項７】幅広部はガイド孔の全周に設けられている
   ことを特徴とする請求項６記載のボンディング装置。
8. 【請求項８】クランパを「開」とし、ボンディングワイ
   ヤを開放した状態でキャピラリを下降させ、上記キャピ
   ラリによりガイドされたボンディングワイヤの先端に形
   成されたボールを基板に押しつけ、ボールをつぶしバン
   プを形成する工程と、キャピラリを上昇させて、上記キ
   ャピラリの先端からボンディングワイヤをバンプを形成
   するに必要な所定の長さ分を突出させる工程と、所定の
   長さ分突出させた際キャピラリ及びクランパの上動を停
   止させ、完全に停止した状態でクランパを「閉」としボ
   ンディングワイヤを挾持する工程と、「閉」となったク
   ランパをボンディングワイヤを挾持した状態で上昇さ
   せ、前記バンプからボンディングワイヤを切り放す切断
   工程とを有することを特徴とするバンプ形成方法。
9. 【請求項９】キャピラリによりガイドされたボンディン
   グワイヤの先端にボールを形成する工程と、上記キャピ
   ラリによりボールを基板に押しつけてボールをつぶしバ
   ンプを形成する工程と、キャピラリでバンプを押さえた
   状態でクランパがボンディングワイヤを挾み上昇させバ
   ンプからボンディングワイヤを切り離す工程と、その後
   にキャピラリ及びクランパを相対的に移動させて、キャ
   ピラリの先端から所定の長さのワイヤを突出させる工程
   とを有するバンプ形成方法。