JPH0737954B2 - 有機溶剤蒸気の検出方法 - Google Patents
有機溶剤蒸気の検出方法Info
- Publication number
- JPH0737954B2 JPH0737954B2 JP62050955A JP5095587A JPH0737954B2 JP H0737954 B2 JPH0737954 B2 JP H0737954B2 JP 62050955 A JP62050955 A JP 62050955A JP 5095587 A JP5095587 A JP 5095587A JP H0737954 B2 JPH0737954 B2 JP H0737954B2
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- JP
- Japan
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- concentration
- organic solvent
- sensor
- gas
- solvent vapor
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Description
【発明の詳細な説明】 ［発明の利用分野］ この発明は高濃度の有機溶剤蒸気の検出方法に関し、特
に半導体製造工場で半導体の洗浄時に生じる有機溶剤蒸
気を、ガスセンサの劣化を抑制しながら、検出する方法
に関する。
に半導体製造工場で半導体の洗浄時に生じる有機溶剤蒸
気を、ガスセンサの劣化を抑制しながら、検出する方法
に関する。
［従来技術］ 発明者らは、半導体製造工場でのシリコン基板の洗浄に
伴って発生する有機溶剤蒸気の検出に付いて検討した。
用いられる溶剤は主としてイソプロパノールやアセトン
であり、洗浄は例えば仕掛かり品のシリコン基板を溶剤
中に浸すことによって行なわれる。発生する有機溶剤蒸
気の濃度は、洗浄槽上部のダクト内で2000ppm程度であ
った。また仕掛かり品の洗浄槽からの引き上げ時には溶
剤蒸気濃度のピークが生じ、その濃度は5000ppm程度で
あった。
伴って発生する有機溶剤蒸気の検出に付いて検討した。
用いられる溶剤は主としてイソプロパノールやアセトン
であり、洗浄は例えば仕掛かり品のシリコン基板を溶剤
中に浸すことによって行なわれる。発生する有機溶剤蒸
気の濃度は、洗浄槽上部のダクト内で2000ppm程度であ
った。また仕掛かり品の洗浄槽からの引き上げ時には溶
剤蒸気濃度のピークが生じ、その濃度は5000ppm程度で
あった。
ここで生じた問題は、高濃度の有機溶剤蒸気との接触に
よりガスセンサが劣化することであった。SnO2やFe2O3
等の金属酸化物半導体ガスセンサの場合には、通常はセ
ンサ抵抗の低下が生じた。また接触燃焼式ガスセンサの
場合には、触媒活性の低下による出力低下が生じた。更
に正常時でもガス濃度が高いため、検出濃度の許容誤差
が小さいことも問題を複雑にした。
よりガスセンサが劣化することであった。SnO2やFe2O3
等の金属酸化物半導体ガスセンサの場合には、通常はセ
ンサ抵抗の低下が生じた。また接触燃焼式ガスセンサの
場合には、触媒活性の低下による出力低下が生じた。更
に正常時でもガス濃度が高いため、検出濃度の許容誤差
が小さいことも問題を複雑にした。
ここで関連する先行技術について示すと、実開昭61−20
6,860号公報は、発酵液中のアルコール蒸気をテフロン
膜等のガス透過膜でサンプリングし、金属酸化物半導体
ガスセンサにより検出することを提案している。またこ
の公報は、同じ技術を煙道からのCOやメタン，水素等の
サンプリングにも用いられるとしている。
6,860号公報は、発酵液中のアルコール蒸気をテフロン
膜等のガス透過膜でサンプリングし、金属酸化物半導体
ガスセンサにより検出することを提案している。またこ
の公報は、同じ技術を煙道からのCOやメタン，水素等の
サンプリングにも用いられるとしている。
次に特開昭59−104,583号公報は、原子力発電所等での
高濃度の放射性ガスを1/1000〜1/100,000程度に希釈し
てサンプリングすることを開示している。ここでの検出
目的は放射線測定であり、ガスセンサによる可燃性ガス
の検出ではない。また希釈の目的は、サンプルからの放
射線を弱め被爆の危険性を低下させることである。
高濃度の放射性ガスを1/1000〜1/100,000程度に希釈し
てサンプリングすることを開示している。ここでの検出
目的は放射線測定であり、ガスセンサによる可燃性ガス
の検出ではない。また希釈の目的は、サンプルからの放
射線を弱め被爆の危険性を低下させることである。
さらに特公昭53−31794号公報は、煙道中の２酸化硫黄
等の検出のために、テフロン膜等のガス透過膜でガスを
1/1000〜1/100,000程度に希釈してサンプリングするこ
とを示している。用いる分析器は炎測光検知器等の検知
器である。
等の検出のために、テフロン膜等のガス透過膜でガスを
1/1000〜1/100,000程度に希釈してサンプリングするこ
とを示している。用いる分析器は炎測光検知器等の検知
器である。
しかしながらいずれの先行技術も、半導体の洗浄時に発
生する高濃度の有機溶剤蒸気の検出については、検討し
ていない。
生する高濃度の有機溶剤蒸気の検出については、検討し
ていない。
［発明の課題］ この発明の課題は、希釈ガスを用いずに、高濃度の有機
溶剤蒸気との接触によるガスセンサの劣化を抑制し、半
導体洗浄時の有機溶剤蒸気を正確に検出することに有
る。
溶剤蒸気との接触によるガスセンサの劣化を抑制し、半
導体洗浄時の有機溶剤蒸気を正確に検出することに有
る。
［発明の構成］ この発明は、半導体製造工場での半導体の洗浄により発
生する有機溶剤蒸気を、金属酸化物半導体ガスセンサも
しくは接触燃焼式ガスセンサにより検出する方法におい
て、前記有機溶剤蒸気を排気するためのダクトに枝菅を
設けて、前記ガスセンサを枝菅内に設置し、かつ枝菅内
の有機溶剤蒸気濃度をガスセンサの酸化活性により希釈
ガスを用いずに所定の比率で低下させて、前記ガスセン
サでこの蒸気を検出することを特徴とする。
生する有機溶剤蒸気を、金属酸化物半導体ガスセンサも
しくは接触燃焼式ガスセンサにより検出する方法におい
て、前記有機溶剤蒸気を排気するためのダクトに枝菅を
設けて、前記ガスセンサを枝菅内に設置し、かつ枝菅内
の有機溶剤蒸気濃度をガスセンサの酸化活性により希釈
ガスを用いずに所定の比率で低下させて、前記ガスセン
サでこの蒸気を検出することを特徴とする。
ガスセンサの劣化の原因は高濃度の有機溶剤蒸気との接
触に有り、溶剤蒸気濃度を低下させれば劣化を抑制でき
る。金属酸化物半導体ガスセンサや接触燃焼式ガスセン
サには酸化活性があり、この酸化活性で枝菅内の有機溶
剤蒸気を酸化すれば、希釈ガス無しで有機溶剤蒸気濃度
を低下させることができる。そしてこれによる検出精度
の低下はわずかである。
触に有り、溶剤蒸気濃度を低下させれば劣化を抑制でき
る。金属酸化物半導体ガスセンサや接触燃焼式ガスセン
サには酸化活性があり、この酸化活性で枝菅内の有機溶
剤蒸気を酸化すれば、希釈ガス無しで有機溶剤蒸気濃度
を低下させることができる。そしてこれによる検出精度
の低下はわずかである。
即ち金属酸化物半導体ガスセンサの場合、センサの抵抗
値の対数は、ガス濃度の対数により直線的に変化する。
ここでガスを希釈したとしても、２つのガス濃度での抵
抗値の比はほぼ一定である。検出において重要なもの
は、清浄空気中と有機溶剤蒸気中との抵抗値の比ではな
く、有機溶剤濃度に対するセンサ抵抗の依存性である。
そしてガス濃度依存性は、蒸気を希釈しても変化しな
い。次ぎに、接触酸化触媒での燃焼熱からガスを検出す
る場合を考える。この場合の出力はガス濃度に比例す
る。ここでガス濃度を低下させると、出力も低下する。
しかし問題は出力の大小ではなく、その信頼性である。
そして出力を増幅することは容易で、出力が小さいとい
うこと自体は問題とはならない。勿論、金属酸化物半導
体ガスセンサと接触燃焼式ガスセンサとを比較すると、
接触燃焼式ガスセンサでは出力の低下が伴うので、金属
酸化物半導体ガスセンサの方が優れている。
値の対数は、ガス濃度の対数により直線的に変化する。
ここでガスを希釈したとしても、２つのガス濃度での抵
抗値の比はほぼ一定である。検出において重要なもの
は、清浄空気中と有機溶剤蒸気中との抵抗値の比ではな
く、有機溶剤濃度に対するセンサ抵抗の依存性である。
そしてガス濃度依存性は、蒸気を希釈しても変化しな
い。次ぎに、接触酸化触媒での燃焼熱からガスを検出す
る場合を考える。この場合の出力はガス濃度に比例す
る。ここでガス濃度を低下させると、出力も低下する。
しかし問題は出力の大小ではなく、その信頼性である。
そして出力を増幅することは容易で、出力が小さいとい
うこと自体は問題とはならない。勿論、金属酸化物半導
体ガスセンサと接触燃焼式ガスセンサとを比較すると、
接触燃焼式ガスセンサでは出力の低下が伴うので、金属
酸化物半導体ガスセンサの方が優れている。
用いるガスセンサは、金属酸化物半導体の抵抗値の変化
を利用した金属酸化物半導体ガスセンサあるいは、接触
酸化触媒での燃焼熱を測温抵抗体により検出する接触燃
焼式ガスセンサとする。また溶剤蒸気濃度は1/2〜1/100
程度に低下させることが好ましい。濃度の低下比は、セ
ンサの劣化の防止と、バックグラウンドノイズとの兼合
いで定まり、より好ましくは1/4〜1/40とする。
を利用した金属酸化物半導体ガスセンサあるいは、接触
酸化触媒での燃焼熱を測温抵抗体により検出する接触燃
焼式ガスセンサとする。また溶剤蒸気濃度は1/2〜1/100
程度に低下させることが好ましい。濃度の低下比は、セ
ンサの劣化の防止と、バックグラウンドノイズとの兼合
いで定まり、より好ましくは1/4〜1/40とする。
［実施例］ 第１図に、半導体製造工場でのシリコン基板の洗浄時の
イソプロパノールの検出を例に、実施例を示す。図にお
いて、（02）は純水槽、（04）はイソプロパノール槽
で、仕掛かり品のシリコン基板を純水で洗浄した後に、
イソプロパノールで洗浄する。仕掛かり品は図の黒抜き
矢印のように移動する。イソプロパノール槽（04）の上
部にはダクト（06）を設け、図示しない溶剤回収装置へ
イソプロパノールを吸引する。このような装置はクリー
ンルーム内に置かれ、室内の温度や湿度の変動は小さ
い。
イソプロパノールの検出を例に、実施例を示す。図にお
いて、（02）は純水槽、（04）はイソプロパノール槽
で、仕掛かり品のシリコン基板を純水で洗浄した後に、
イソプロパノールで洗浄する。仕掛かり品は図の黒抜き
矢印のように移動する。イソプロパノール槽（04）の上
部にはダクト（06）を設け、図示しない溶剤回収装置へ
イソプロパノールを吸引する。このような装置はクリー
ンルーム内に置かれ、室内の温度や湿度の変動は小さ
い。
（２）はSnO2やFe2O3、あるいはIn2O3等の金属酸化物半
導体の抵抗値の変化を利用したガスセンサで、実験には
フィガロ技研株式会社のガスセンサ“TGS109"を用い
た。このセンサの特性は周知である。ダクト（06）には
枝菅（３）を接続し、その先端の検出室（４）にセンサ
（２）を配置し、通気抵抗としてのテフロン膜（６）を
枝菅（３）に配置する。テフロン膜（６）は任意の通気
抵抗に代えることができ、その位置は枝菅（３）内で、
センサ（２）の内部への雰囲気ガスの拡散を遅らせ得る
位置であれば良い。例えばセンサ（２）のカバー（図示
せず）をテフロン膜（６）で被覆しても良い。また検出
室（４）には定流量ポンプ等を接続し、定流量で雰囲気
を検出室（４）へ導入しても良い。
導体の抵抗値の変化を利用したガスセンサで、実験には
フィガロ技研株式会社のガスセンサ“TGS109"を用い
た。このセンサの特性は周知である。ダクト（06）には
枝菅（３）を接続し、その先端の検出室（４）にセンサ
（２）を配置し、通気抵抗としてのテフロン膜（６）を
枝菅（３）に配置する。テフロン膜（６）は任意の通気
抵抗に代えることができ、その位置は枝菅（３）内で、
センサ（２）の内部への雰囲気ガスの拡散を遅らせ得る
位置であれば良い。例えばセンサ（２）のカバー（図示
せず）をテフロン膜（６）で被覆しても良い。また検出
室（４）には定流量ポンプ等を接続し、定流量で雰囲気
を検出室（４）へ導入しても良い。
（８）はセンサ（２）に接続した負荷抵抗で電源＋Vcc
を分割し、（10）は比較回路、（12）はブザーやLED等
の警報手段である。（14）はセンサ出力、例えば負荷抵
抗（８）への印加電圧、をべき乗し、ガス濃度に比例し
た出力を得るためのべき乗回路、（16）はレコーダであ
る。勿論センサ（２）は接触燃焼式のもの等に代えても
良く、その場合の付帯回路は周知のものを利用できる。
を分割し、（10）は比較回路、（12）はブザーやLED等
の警報手段である。（14）はセンサ出力、例えば負荷抵
抗（８）への印加電圧、をべき乗し、ガス濃度に比例し
た出力を得るためのべき乗回路、（16）はレコーダであ
る。勿論センサ（２）は接触燃焼式のもの等に代えても
良く、その場合の付帯回路は周知のものを利用できる。
この装置の動作を説明する。シリコン基板を純水槽（0
2）で洗浄し、次いでイソプロパノール槽（04）に浸
し、引き上げて乾燥する。各工程を10分程度の周期で繰
り返す。イソプロパノール槽（04）からの蒸気をダクト
（06）で吸引する。ダクト（06）内のイソプロパノール
濃度は平均で2000ppm程度で、シリコン基板の引き上げ
時には5000ppm程度の濃度で１分程度の幅のピークが生
ずる。
2）で洗浄し、次いでイソプロパノール槽（04）に浸
し、引き上げて乾燥する。各工程を10分程度の周期で繰
り返す。イソプロパノール槽（04）からの蒸気をダクト
（06）で吸引する。ダクト（06）内のイソプロパノール
濃度は平均で2000ppm程度で、シリコン基板の引き上げ
時には5000ppm程度の濃度で１分程度の幅のピークが生
ずる。
ダクト（06）からの有機溶剤は、テフロン膜（６）を介
して検出室（４）に拡散する。ここでテフロン膜（６）
の通気抵抗とセンサ（２）の酸化活性のため、検出室
（４）の溶剤濃度は所定の比率で低下する。濃度の低下
比は、テフロン膜（６）等による蒸気の拡散速度と、セ
ンサ（２）の酸化活性とで定まり、好ましい範囲は1/2
〜1/100、より好ましくは1/4〜1/40で、ここでは1/10と
した。濃度をどの程度低下させるかは、センサ（２）の
劣化の防止と、バックグラウンドノイズの大小で定ま
る。金属酸化物半導体ガスセンサ（２）の場合も、接触
燃焼式ガスセンサの場合も、充分に好ましい条件は正常
時での平均ガス濃度を爆発下限濃度（LEL）の1/40以下
に、検出レベルでのガス濃度をLELの1/200以上にするこ
とである。前記の1/4〜1/40の条件はこれに対応する。
有機溶剤蒸気の場合、爆発下限濃度における燃焼熱は溶
剤の種類によらずほぼ一定で、センサ（２）への影響も
爆発下限濃度に対する濃度の比で定まるからである。な
お実施例の場合、装置がクリーンルームに置かれて温湿
度変動が小さいため、センサの日差変動はわずかでガス
濃度を1/100に低下させてもバックグラウンドノイズは
問題にならなかった。
して検出室（４）に拡散する。ここでテフロン膜（６）
の通気抵抗とセンサ（２）の酸化活性のため、検出室
（４）の溶剤濃度は所定の比率で低下する。濃度の低下
比は、テフロン膜（６）等による蒸気の拡散速度と、セ
ンサ（２）の酸化活性とで定まり、好ましい範囲は1/2
〜1/100、より好ましくは1/4〜1/40で、ここでは1/10と
した。濃度をどの程度低下させるかは、センサ（２）の
劣化の防止と、バックグラウンドノイズの大小で定ま
る。金属酸化物半導体ガスセンサ（２）の場合も、接触
燃焼式ガスセンサの場合も、充分に好ましい条件は正常
時での平均ガス濃度を爆発下限濃度（LEL）の1/40以下
に、検出レベルでのガス濃度をLELの1/200以上にするこ
とである。前記の1/4〜1/40の条件はこれに対応する。
有機溶剤蒸気の場合、爆発下限濃度における燃焼熱は溶
剤の種類によらずほぼ一定で、センサ（２）への影響も
爆発下限濃度に対する濃度の比で定まるからである。な
お実施例の場合、装置がクリーンルームに置かれて温湿
度変動が小さいため、センサの日差変動はわずかでガス
濃度を1/100に低下させてもバックグラウンドノイズは
問題にならなかった。
ガスセンサ（２）では低下した濃度の有機溶剤を検出
し、その検出信号を負荷抵抗（８）の電圧の変化として
とりだす。次ぎにガス濃度が例えば8000ppm、（ダクト
（06）の濃度に換算した値）、以上で、比較回路（10）
を動作させ警報を発する。またガス濃度の変化をレコー
ダ（16）に記録させる。接触燃焼式ガスセンサの場合は
例えば、センサに補償片を接続してこれをブリッジ回路
に組み込み、ブリッジ回路の出力を検出信号として用い
る。
し、その検出信号を負荷抵抗（８）の電圧の変化として
とりだす。次ぎにガス濃度が例えば8000ppm、（ダクト
（06）の濃度に換算した値）、以上で、比較回路（10）
を動作させ警報を発する。またガス濃度の変化をレコー
ダ（16）に記録させる。接触燃焼式ガスセンサの場合は
例えば、センサに補償片を接続してこれをブリッジ回路
に組み込み、ブリッジ回路の出力を検出信号として用い
る。
第１図の装置での特性を第２図に示す。横軸はイソプロ
パノール濃度で爆発下限濃度は20,000ppm、警報濃度を8
000ppmとする。縦軸はセンサ（２）の抵抗値で、センサ
温度は400℃である。ガスを希釈しない場合の特性を実
線51に、1/10に濃度を低下させた際の特性を実線52に示
す。センサ（２）の抵抗値はガス濃度の0.8乗に反比例
する。センサ（２）をダクト（06）内に配置し、120日
間使用すると、特性は破線へと変化した。一方実施例で
は鎖線のように変化した。
パノール濃度で爆発下限濃度は20,000ppm、警報濃度を8
000ppmとする。縦軸はセンサ（２）の抵抗値で、センサ
温度は400℃である。ガスを希釈しない場合の特性を実
線51に、1/10に濃度を低下させた際の特性を実線52に示
す。センサ（２）の抵抗値はガス濃度の0.8乗に反比例
する。センサ（２）をダクト（06）内に配置し、120日
間使用すると、特性は破線へと変化した。一方実施例で
は鎖線のように変化した。
第３図に、接触燃焼式のガスセンサを用いた際の結果を
示す。センサはアルミナ担体にPt80％−Rh20％触媒を担
持させたものとし、400℃で120日間使用した。ガスを希
釈しない場合の特性を実線61に、1/10に希釈した場合の
特性を実線62に示す。なお縦軸はセンサを組み込んだブ
リッジ回路の出力である。出力はガス濃度に比例し、濃
度を1/10に低下させると、出力も1/10になる。しかし劣
化の程度は著しく減少する。
示す。センサはアルミナ担体にPt80％−Rh20％触媒を担
持させたものとし、400℃で120日間使用した。ガスを希
釈しない場合の特性を実線61に、1/10に希釈した場合の
特性を実線62に示す。なお縦軸はセンサを組み込んだブ
リッジ回路の出力である。出力はガス濃度に比例し、濃
度を1/10に低下させると、出力も1/10になる。しかし劣
化の程度は著しく減少する。
第４図に、金属酸化物半導体センサ（２）を用いた際の
経時特性を示す。結果は４個のセンサの平均で、5000pp
mのイソプロパノールで警報するように負荷抵抗をセッ
トした。最初の30日間清浄空気中で通電し、以後の120
日間イソプロパノールの検出に用い、警報濃度の変化を
調べた。実線に第１図の実施例での結果（希釈率1/10）
を、破線にダクト（06）にセットした際の結果を示す。
比較例では120日間で2000ppmまで警報点が低下するが、
実施例ではほぼ安定している。
経時特性を示す。結果は４個のセンサの平均で、5000pp
mのイソプロパノールで警報するように負荷抵抗をセッ
トした。最初の30日間清浄空気中で通電し、以後の120
日間イソプロパノールの検出に用い、警報濃度の変化を
調べた。実線に第１図の実施例での結果（希釈率1/10）
を、破線にダクト（06）にセットした際の結果を示す。
比較例では120日間で2000ppmまで警報点が低下するが、
実施例ではほぼ安定している。
また表１に、接触燃焼式ガスセンサを用いた際の120日
間の経時変化を示す。測定方法は第４図と同等で、セン
サは第３図に関して説明したものである。
間の経時変化を示す。測定方法は第４図と同等で、セン
サは第３図に関して説明したものである。
なおここでは特定の実施例に付いて述べたが、これに限
るものではない。イソプロパノールをエタノールやアセ
トン、ベンゼン等の他の溶媒に代えても同じである。
るものではない。イソプロパノールをエタノールやアセ
トン、ベンゼン等の他の溶媒に代えても同じである。
［発明の効果］ この発明では、半導体の洗浄時に発生する高濃度の有機
溶剤を、希釈ガスを用いずに、ガスセンサの劣化を抑制
しながら、正確に検出できる。
溶剤を、希釈ガスを用いずに、ガスセンサの劣化を抑制
しながら、正確に検出できる。
第１図は実施例の配置を示す図、第２図〜第４図は実施
例の特性図である。 図において、 （04）……イソプロパノール槽、（06）……ダクト、
（２）……ガスセンサ、 （３）……枝菅（３）、（６）……テフロン膜。
例の特性図である。 図において、 （04）……イソプロパノール槽、（06）……ダクト、
（２）……ガスセンサ、 （３）……枝菅（３）、（６）……テフロン膜。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 安永 進 大阪府箕面市船場西１丁目５番３号 フィ ガロ技研株式会社内 (72)発明者 松崎 秀夫 東京都港区西新橋１丁目４番５号 徳山曹 達株式会社東京支店内 (56)参考文献 特開 昭57−17848（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−158551（ＪＰ，Ａ) 実開 昭61−206860（ＪＰ，Ｕ)
Claims (2)
- 【請求項１】半導体製造工場での半導体の洗浄により発
生する有機溶剤蒸気を、金属酸化物半導体ガスセンサも
しくは接触燃焼式ガスセンサにより検出する方法におい
て、 前記有機溶剤蒸気を排気するためのダクトに枝菅を設け
て、前記ガスセンサを枝菅内に設置し、かつ菅管内の有
機溶剤蒸気濃度をガスセンサの酸化活性により希釈ガス
を用いずに所定の比率で低下させて、前記ガスセンサで
この蒸気を検出することを特徴とする、有機溶剤蒸気の
検出方法。 - 【請求項２】特許請求の範囲第１項記載の方法におい
て、 有機溶剤蒸気の濃度を1/2〜1/100に低下させることを特
徴とする、有機溶剤蒸気の検出方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62050955A JPH0737954B2 (ja) | 1987-03-05 | 1987-03-05 | 有機溶剤蒸気の検出方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62050955A JPH0737954B2 (ja) | 1987-03-05 | 1987-03-05 | 有機溶剤蒸気の検出方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63217262A JPS63217262A (ja) | 1988-09-09 |
| JPH0737954B2 true JPH0737954B2 (ja) | 1995-04-26 |
Family
ID=12873244
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62050955A Expired - Fee Related JPH0737954B2 (ja) | 1987-03-05 | 1987-03-05 | 有機溶剤蒸気の検出方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0737954B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3894657B2 (ja) * | 1998-04-03 | 2007-03-22 | 新コスモス電機株式会社 | ガス種の判別方法及びガス種の判別装置 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5331794A (en) * | 1976-09-07 | 1978-03-25 | Teijin Ltd | Preparation of polytetramethylene-terephthalate |
| JPS5717848A (en) * | 1980-07-08 | 1982-01-29 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | Measuring method of ingredient in solution |
| JPS58158551A (ja) * | 1982-03-16 | 1983-09-20 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 可燃性成分の測定方法 |
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| JPS61206860U (ja) * | 1985-06-15 | 1986-12-27 |
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1987
- 1987-03-05 JP JP62050955A patent/JPH0737954B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JPS63217262A (ja) | 1988-09-09 |
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