JPH073806B2 - 電磁素子、強磁性ラベル、磁気素子及び強磁性ラベルの作製法並びに和及び差周波数提供法 - Google Patents

電磁素子、強磁性ラベル、磁気素子及び強磁性ラベルの作製法並びに和及び差周波数提供法

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JPH073806B2
JPH073806B2 JP61279889A JP27988986A JPH073806B2 JP H073806 B2 JPH073806 B2 JP H073806B2 JP 61279889 A JP61279889 A JP 61279889A JP 27988986 A JP27988986 A JP 27988986A JP H073806 B2 JPH073806 B2 JP H073806B2
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Description

【発明の詳細な説明】 （イ）産業上の利用分野 この発明は一般的に云うならば盗難防止監視装置に関す
るものであり、更に詳細に云うならばセンチメートル波
（SHF）に応答する積層強磁性ラベル（laminated ferro
magnetic label）の構造に関するものである。
（ロ）背景技術 盗難防止監視装置及び小盗み防止監視装置は、小売業界
に於て未払の品物の損失を減らすために広く使用されて
いる。このような検出装置は、通常２つの主要構成部分
を備えている。第一に、品物に特別な構造を持つラベル
（label）又はタグ（tag）を取付け、ラベル又はタグ従
つて商品そのものを示す電磁エネルギーに応答するよう
に動作させられる。第二に、このような検出装置は、通
常超短波（VHF）の範囲にあり、検出区域に伝えられる
電磁エネルギーの源を備えている。このような検出装置
は又、検出区域を通るラベルによる伝えられた電磁エネ
ルギーの変化を検出する受信機を備えている。このよう
にして、未払い状態で従つてまだラベルの付いている商
品は、万引きした人が建物を出る前に検出することがで
きる。云うまでもなく、品物の販売が適正に行なわれた
ときは、ラベルは取除かれるか或いは動作しないように
されて、検出装置による警報が防止される。
業界の文書に記載されている盗難防止監視装置において
は、ラベル又はタグの存在を検出するのに通常使われる
機構は、ラベルによつてつくり出される高周波の生ずる
ことである。この高周波は検出区域以内に伝達される周
波数に調波的関係を持つ高周波である。例えば米国特許
第4,298,862号では、ラベルは、無定形強磁性金属から
成り、検出区域内の送信機によつて生じる基本8KHz周波
数の調波である周波数の磁界を生ずるストリツプででき
ている。
米国特許第4,527,152号は、監視区域の各側に位置する
１対の電磁コイルと、磁性を持ち該区域内で検出するこ
とのできる特別のラベルとを備えた万引き防止装置を示
している。このコイルは、基本12.5KHzの周波数と同位
相及び位相を外して交互に駆動されて３つのベクトルに
よつて特徴付けられた磁界を生ずる。この磁性ラベル
は、100,000の透磁率及び0.05エルステツドの保磁力を
持つている。この磁性ラベルは基本周波数の約第160調
波の信号を発生する。ラベルが監視区域を通過すると、
検出器が調波信号を検出し、ラベルと組合わせられた不
正な商品がその区域を通過中であることを知らせる警報
を出す。
盗難検出装置と共に従来使用されているラベルは、ラベ
ルの磁性と協力して満足に動作させるために、高いレベ
ルのエネルギを必要としている。ラベルの構造上、調波
周波数を発生するように強磁性ラベル材料を充分に飽和
させるため、高いレベルの磁気エネルギが必要とされ
た。先行特許に記されているように、検出装置によつて
伝えられるエネルギーはVHF帯に於て起る。これらの周
波数及びエネルギー準位に応答するラベル又はタグの構
造は、タグ内に相当多量の強磁性材料を必要とした。結
果として、このようなラベルは大型となり商品に取付け
にくく、同時に操作上損失が多く非能率となり易い。
更に、今までに開発された検出装置は、より高い連結の
周波数の方が検出上有利であつたのに拘わらず、VHF範
囲に限定されている。先行の検出装置がこのように限定
されたのは、より高い周波数はより高いエネルギー準位
を必要とし、このために実際上の製造上及び操作上の問
題、又あり得る健康上の問題点を引き起すからである。
このような事情から、SHF範囲で動作する改良された盗
難防止監視装置、及び小型で煩わしさの少ないしかも製
造容易なラベル又はタグに対する需要が起つてきたこと
は明らかである。
（ハ）発明の概要 この発明は、先行技術システムについて上に述べた問題
を取除き又は著しく減少させる改良された窃盗防止装置
及びこれと関連提携するタグを提供する。この発明の原
理及び概念によれば、比較的小型でギガヘルツ周波数範
囲内の電磁放射に応答するラベルが得られる。
この発明の１実施例に於ては、高周波数応答ラベルは、
酸化ガドリニウム又はホルミウムのような絶縁層で隔離
した鉄のような強磁性材料から成る極めて薄い数葉の層
状体を含む部材を備えている。強磁性材料から成る層状
体は、マイクロ厚さの金属層を得るために化学的溶着法
又はスパツタによつて形成される。なるべくこれらの層
状体は材料の強磁性的性質が失なわれるほどに充分に薄
い方がよい。強磁性及び絶縁性両材料から成る合成層状
体は、ラベルにうず電流損の著しい減少及びSHF範囲の
周波数に対する高度の感度をもたらす。
層状体又は積層体は、極めて高い保磁率を持つ永久磁化
部材を備えたラベル内に於て実現される。この磁化部材
は層状体に近接して固定し後者をそのヒステリシス曲線
のニーの部分の近くにバイアスする。層状エレメントは
低透磁率材料から成る１対のセクシヨンの中間に高透磁
率材料から成るセクシヨンを備えている。低透磁率セク
シヨンはサンドイツチ型強磁性材料から成り、高透磁率
セクシヨンはネツクダウンセクシヨンとしこのセクシヨ
ンに磁束が集中するようにしてある。高低両磁気抵抗セ
クシヨンを持つ積層エレメントは、非線形で、１対のSH
Fに応答して和又は合計周波数及び差周波数を発生す
る。
合計及び差周波数を放射させるために、高透磁率セクシ
ヨンに隣接して放射ダイポールを置く。受信兼警報器が
合計周波数を検知して警備員に監視区域内のラベルの存
在を警告する。
ラベルに対して作動状態及び非作動状態をとらせるため
に、積層非線形エレメントに隣接してメモリ磁石が配置
される。メモリ磁石が消磁されると、その磁界は弱くな
り非線形エレメントの高透磁率セクシヨンは飽和され
ず、このようにして合計周波数を発生させることにより
発信機周波数に応答することができる。メモリ磁石が充
分に磁化された状態に置かれると、非線形エレメントの
高透磁率セクシヨンが飽和され、発信機周波数に非応答
の状態になる。
この発明の別の実施例では、非線形積層エレメントは、
優秀な高周波特性を持つ無定形合成物を形成するために
強磁性材料及び常磁性材料を混合することにより構成す
る。
（ニ）実施例 以下この発明をその実施例に基づき添付図面を用いて詳
細に説明する。
この発明の適用例は、第１図を参照することによつて最
もよく理解することができる。第１図には盗難防止監視
装置を示し、この盗難防止監視装図には、二重の電磁周
波数（dual electromagneticfrequencies）12,14を送信
するための送信機10及びこの送信機10の周波数に応答し
て別の放射エネルギー18を発生させるための受動ラベル
（passive label）16を設ける。又、警報装置22を鳴ら
すように、電磁波18に感度がよい受信機兼警報装置20を
設ける。
詳述すれば、送信機10は、センチメートル波（SHF）範
囲（３ないし30ギガヘルツ）の複数の電磁周波数を発射
する。この発明の好適実施例に於ては、送信機周波数は
１ないし10ギガヘルツの範囲内に入るようにもくろんで
ある。これらの周波数に於ける、又数ミリワツトの電力
を持つ、エネルギーを送信するように操作することので
きる送信機は、業界に於ては容易に入手することがで
き、ここに更に論ずることはしない。受動ラベル（以下
単にラベルと呼ぶ）16は非線形特性を持つ複合磁気素子
から成り、これから発射された放射18が送信機放射12,1
4の合計周波数及び差周波数を含むようにする。受信機
兼警報装置20は、従来型のものであり、又送信機周波数
12,14の合計に応答する狭い帯域型のものである。結果
として、受信機20は低いギガヘルツ周波数範囲の電磁放
射に応答する。警報装置22は可視型又は可聴型のもの
で、警備員に対して通常未払い商品に取付けてある活性
化ラベル16が構内から移動されつつあるということを警
告することができる。商品のこのような不正な移動の防
止は、営業コストを著しく減少させ、万引き者又は窃盗
人による商品の窃盗の阻止になる。
以上、この発明による盗難防止保安装置の基本的構成品
について説明した。このような構成品がこの発明の原理
及び概念を説明する目的だけのために示したものに過ぎ
ないものであることは、関連技術者にとつて理解されよ
う。この装置の機能は、他の種々の形で達成することも
できよう。この発明を使用すれば、人が通過しなければ
ならい大きくかさばつた門装置は不必要であるとして評
価されることは注目に価する。従つてこの発明は盗難監
視システムの装置を著しく簡単にし、その上より目立た
ない監視法を提供するものである。
第２図にこの発明の１つの実施例によつて作製したラベ
ル16を示す。ラベル16には通常１対の永久に磁化したエ
レメント（permanently magnetized element）〔以下に
おいて永久磁化素子と呼ぶ〕24,26を持たせ、以下述べ
る理由により永久磁化素子26の大きさを永久磁化素子24
よりも若干小さくする。或る長さの電線から成る電磁放
射ダイポール（electromagnetic radiating dipole）28
は、永久磁化素子24,26に対して直角に向ける。電磁放
射ダイポール28に隣接して、磁束に対して比較的低い透
磁率を持つ材料としての特性を持つ１対の磁気的にソフ
トなメンバ（magnetically soft member）〔以下におい
て低透磁率素子と呼ぶ〕32,34を備えた非線形素子（non
linear element）30を設ける。磁束に対して高い透磁率
を持つ高透磁率連結部分36を低透磁率素子32,34に取付
ける。ラベル16には、更にこのラベルを動作状態又は非
動作状態のどちらかに置くための固定記憶磁性素子（pe
rmanent memory magnetic element）38を持たせる。
永久磁化素子24は通常5,000ないし8,000エルステツドの
範囲内の保磁力を持つ強磁性体で作られる。この永久磁
化素子24は長さが約１インチ幅が約1/2インチとする。
この大きさのラベルであれば、従来不可能であつた小形
物品への取付けが容易に行なえることが判ろう。永久磁
化エレメント26は永久磁化素子24の大きさの約1/2と
し、永久磁化素子24の電気的性質と同様の電気的性質を
持つ強磁性体で作製する。永久磁化素子24,26には、第
２図に示すように磁極が設けられる。前述のように、永
久磁化素子26は永久磁化素子24の磁界と反対の磁界を生
ずる。短い永久磁化素子26を長い永久磁化素子24と組合
わせて使用することは、永久磁化素子24だけを使用した
場合得られる区域よりも更に一様な区域を、水平中線に
沿つて生じさせることになる。後述のように、永久磁化
素子24,26の高い保磁力は、非線形素子30のヒステリシ
ス特性を適当にバイアスするための磁界を生ずる。
ラベル16の操作性を低ギガヘルツ周波数範囲に延長する
ために、種々の考慮事項を認識しなければならない。第
１に、元素鉄はVHF帯では優れた強磁性体であることは
よく知られているが、応答はギガヘルツ又はSHF帯に於
けるように良好であるとは期待されない。更に、送信さ
れた放射のエネルギー準位の低いことは、安全の立場か
らも又ラベルの永久磁化素子が磁束で過飽和状態になら
ないように保つためからも、望ましい。又、約0.6エル
ステツドである大地の磁界もラベル16の磁気的性質に対
して影響を与えるものと考えなければならない。
この発明は、従来の監視装置の構造とは反対に、特定の
区域内で信頼度の高い監視をするために、大地の磁界に
依存することはない。このことは、建築物の金属的の構
造変化により大地の磁界の方向及び強さが大きく変るの
で、極めて重要なことである。この点に関し、永久磁化
素子24,26は低透磁率素子32,34に磁界、即ち大地の磁界
よりも極めて高いが低透磁率素子32,34の磁気的性質を
飽和させない磁界、を提供する。この磁界は、ラベル16
の強磁性の非線形素子30を適当にバイアスし合計周波数
を有効に発生させるためにも提供される。これは、例え
ばビカロイ又はクニフエ（Vicalloy or Cunife）メタル
の保磁力よりも極めて高い保磁力を持つ材料によつてラ
ベル内に一定の磁界を提供することによつて達成され
る。永久磁化素子24,26に必要な保磁力を与えるのには
いくつかの方法がある。
永久磁化素子24,26は、シルマナル（Silmanal）として
知られているサブミクロン粒子大に粉化した材料を使用
することによつて、極めて高い保磁力に達するように作
製することができる。約0.01ミクロンの範囲内にある粒
子は、粒子の大きさに応ずる合成保磁力を持つ粉末を提
供することができる。充分に小さな粒子の大きさを以つ
てすれば、ビカロイ材料の大きさよりも大きいオーダの
高い保磁力に達するのに困難はない。或いは又、微細に
粉化したコバルトサマリウム永久磁性合金を作つて高保
磁性の永久磁化素子24,26を形成することもできる。更
に、フエロスピネル又は軟鉄を粉末として用いて必要な
高保磁力強磁性体を提供することもできる。このように
して作つた材料は5,000ないし8,000エルステツドのオー
ダの保磁力を発揮する。永久磁化素子24,26の磁気的影
響を受け、低透磁率素子32,34は、大地の磁界又はラベ
ルが置かれている構造上の環境には関係なく、適当な磁
界にさらされる。上述のように、門施設には特別な磁石
又は電磁石の必要はない。
電磁放射ダイポール28は、ラベル16が発生する合計周波
数を放射するために或る長さの銅線を備えている。差周
波数も放射するが、これは受信機兼警報装置20には使わ
ない。３ギガヘルツ範囲内の２及びの別個の電磁周波数
すなわち電磁放射12,14に対して、低透磁率素子32,34が
発生する合計周波数は６ギガヘルツ範囲にある。このよ
うな合計周波数は、約５センチメータの波長に相当す
る。従つて、電磁放射ダイポール28が半波ダイポール放
射器として働くためには、その長さは約１インチでなけ
ればならない。結論としては、ラベル16は、従来知られ
ているラベル又はタグに関しては、小型化されたと評価
することができる。
この発生の好適実施例は合計技術に関して述べている
が、この発明は差周波数技術の使用をも包含するものと
解される。例えば、このラベルはf1＋f2＋f0という合計
を検出する装置に於て使うことができるが、この場合f0
はラベルの永久磁性体によつて供せられる定常状態磁界
である。
電磁放射ダイポール28に隣接させるが接触はさせない方
法で、非線形素子30を配置する。上述のように、低透磁
率素子32,34は、低透磁率を持つハード部材（hard memb
er）である。これらの低透磁率素子32,34は、極めて薄
いソフトな強磁生体の複数積層から成るサンドイツチ形
に作製することができる。これらの各強磁体から成る積
層は、その間に配置した絶縁体で隔離絶縁する。非線形
素子30の特殊の構造は以下に詳述する。低透磁率素子3
2,34を架橋する形で高透磁率区域36すなわち高透磁率部
分を電磁放射ダイポール28に隣接させて配置する。低透
磁率素子32,34をつなぐ高透磁率素子36を設ければ、低
磁気抵抗性エレメントすなわち低透磁率素子32,34を飽
和させるのに必要な磁束は、高透磁率架橋部分すなわち
高透磁率連結部分36を全体的に飽和させるのに必要な磁
束線の数に比較して極めて大きい。
高透磁率架橋すなわち連結部分36の高透磁率及びこのた
めに生ずる前記連結部分を通る磁束の高度の集中のため
に、非線形素子30の非線形特性が起る。高透磁率部分36
の強磁性体の非線形特性は、これを流れる磁流に導電性
電磁放射ダイポール28を強力に励磁する能力を持たせ
る。このような理由で、電磁放射ダイポール28は、高透
磁率連結部分36に集中した磁束の方向に対して直角に延
ばす。非線形素子30の非線形特性は電磁放射ダイポール
28に送信機10によつて送つた電磁波12,14の質問周波数
の合計及び差に対応するエネルギを放射させる。
アンテナその他これに類する装置の放射は周波数が増す
につれよくなることは周知であるので、送られた電磁波
12,14の合計周波数が受信機兼警報装置20による受信の
主題であることが望ましい。従つて送信機10からラベル
16にあたる２個の電磁波12,14は、電磁波12,14の合計か
ら成る第３の周波数を発生し、この第３の周波数は電磁
放射ダイポール28から全方向に送信され受信器20で受信
される。このようにして、ラベル16はその存在を示す信
号を発射する。重要なこととして、監視区域内その他の
金属物体は第３の合計周波数を発生することはできず、
従つてこの装置の信頼性は金属物体の存在によつて減ず
ることはない。第３周波数即ち合計周波数の検知は、ラ
ベル16の存在の明瞭な表示であり、又ラベル16が不活性
化されていなかつた商品の不正な取去りの表示でもあ
る。
３図には別の実施例としての非線形素子30′を示す。こ
の実施例では非線形素子30′は、このエレメントを通じ
て同一広がりの低透磁率材料で作製してあるが、端部部
分32′,34′の磁気抵抗よりも高い磁気抵抗を持つ区域
を作るために局部絞り型の中間部分36′を持たせる。こ
の局部絞り型の中間部分36′に於ける磁束の集中は、電
磁放射ダイポールに合計周波数の電磁結合を与えるが、
これは上述の非線形素子30の場合とよく似ている。関連
技術者であるならば、この発明と共に使用するのに適用
なその他の型式の非線形素子を考案することもできよ
う。
固定記憶磁気素子38は、250ないし1,000エルステツドの
範囲の保磁力を発揮する強磁性体で作られる。更に固定
記憶磁気素子38は、全ラベル16を送信機10によつて送ら
れる周波数に対して応答か或いは非応答にするために、
異なつた磁化力を引受けることのできる型のものであ
る。ラベル16は、それを消磁装置その他類似磁界を通過
させることにより積極即ち応答状態に切替えることがで
きる。ラベル16が積極的又は活動的であり、従つて送信
機10によつて送られる信号に応答状態にあるときは、固
定記憶磁気素子38は充分には磁化されず、従つて非線形
素子30に及ぼす磁気的影響は最小になる。送信機10の周
波数12,14によつて非線形素子30内に誘導される磁界
は、電磁放射ダイポール28への合計周波数の結合を行な
い、これによつて受信機20の引き金となつて商品又は物
品の不正な取出しを知らせる。
固定記憶磁気素子38を設ければ、ラベル16は不活性化さ
せることもでき、これによつて合計周波数は発生せず、
ラベル16は受信機20で検出されることなく監視区域を自
由に通過することができる。固定記憶磁気素子38は、不
活性状態では、磁界の中和（減磁）状態（degaussed co
ndition）から移されて、これにより固定記憶磁気素子3
8は充分に磁化される。充分に磁化された状態では、固
定記憶磁気素子38は相当量の磁束を非線形素子30に結合
され、これによつて高透磁率連結部分36を飽和させる。
このように飽和すると、非線形素子30は電磁周波数12,1
4に応答することができず、従つて合計周波数は電磁放
射ダイポール28に決されない。従つて、ラベル16は受信
機20で検出されることなく監視区域を自由に通過するこ
とができる。
ラベル16を従来の消磁磁界にさらしたとき、永久磁化素
子24,26は材料の保磁力が極めて大きいために実質的影
響は受けない。この発明によりラベルの特殊形状を選択
するに当つては、永久磁化素子24,26の磁気強度は固定
記憶磁気素子38の性質による関係に於て選択することが
できる。この発明の重要な特徴に従い、ラベル16に使う
マグネツトの選択は、高透磁率連結部分36が第５図に参
照数字40で示 すように磁界ΔＨによつて常に磁気飽和のニーの部分又
は折点に保たれているように行なわなければならない。
第５図は強磁性体の従来の磁化曲線を描いたもので、縦
軸は磁化の強さ（Ｂ）を示し横軸は磁化力（Ｈ）を示
す。
第５図に示す曲線は、Ｂ−Ｈサイクル曲線の従来の表示
である。この曲線の形状の多数の変化が、若干の極めて
極端な形状を含んで、強磁気の文献に示されている。あ
らゆる強磁性体及びあらゆる周波数に関するすべてのこ
のような曲線は対称性を持ち、曲線の左手の部分を縦軸
の方向の反転に続いて折返えせば、Ｈのゼロ軸の左側の
曲線部分とＨのゼロ軸の右側の曲線部分とが一致する。
曲線のこの非対称性の数学的結論は、時間に対するＨの
正弦変化をトレースすれば常に奇数の項を含む調波又は
積を生ずるということである。Ｈの複数の波が課せられ
た場合には同じ命題が真である。例えば、Ｈの時間的変
化が単一波だけであるとすれば、可能な周波数出力はA,
3A,5A…である。周波数Ａ及びＢの２つの波があつたと
すれば、可能な出力は、Ａ＋2B,A−2B,B＋2A,B−2A及び
係数の合計が奇数であるその他のすべての項である。周
波数入力の数が幾つでも同じ法則が成立つ。これらの結
論は曲線の非対称性の特性である。
永久磁化素子24,26並びに固定記憶磁気素子38の選択の
際考慮しなければならない追加的事項は、永久磁化素子
24,26を非線形素子30から隔てる距離である。これらの
永久磁化素子24,26は、非線形素子30から次の距離、即
ち大地の磁界に対して任意の方向に配置したラベルの機
能との著しい干渉を避けるのに充分な好都合な要因だけ
大地磁界を超過する磁界が非線形素子30に課せられる距
離、だけ非線形素子30から隔てなければならない。
第４図は、この発明によるラベルの合成構造を示す。ラ
ベルの構成部分はすべて各部分間に最高の磁気的影響を
与えるために緊密なサンドイツチ型にしてある。ラベル
の各素子は、適当な高抵抗接着剤で相互に接着する。電
磁放射ダイポール28は、永久磁石すなわち永久磁化素子
26及び非線形素子30間に硬化接着剤の層42で固定する。
従来のラベルは通常、長さの自乗の断面積に対する比が
ラベルの表示部分の磁性状態の速やかな反転に好都合で
あるように寸法を定めた、細長い高透磁強磁性体で作ら
れている。このような構造にすれば、現在のラベルで到
達し得る最高周波数は２メガヘルツの範囲内にある。こ
のようなラベルでより高い周波数応答に達するために
は、より薄くより細長いラベルが、より強い伝達周波数
と共に必要になる。この発明の１つの重要な面として、
SHF範囲の周波数に応答する非線形素子30が備えてあ
る。この非線形素子30は、うず電流を減らすため積層構
造にして、高周波数に於けるエネルギー損失を減らすよ
うにする。更にこの非線形素子30の作製は、極めて効率
的な合計周波数の発生に、適度なエネルギー準位だけに
於て発生する電磁周波数12,14を提供する選択材料によ
つて行なう。
第６図にこの発明によつて作製した非線形素子30′の極
めて拡大した断面図を示す。この好適な形状によれば、
非線形素子30′は強磁性体で形成した極めて薄い複数の
層44,46,50と絶縁体で形成した層48,52とを持つ。実際
の装置に於ては通常追加層を加える。周囲の諸素子に対
する防御上、非導電性金属酸化物から成る薄い防護層
（図示してない）を非線形素子30′の表面を覆つて形成
してもよい。ランタンのような金属酸化物或いは希土類
金属酸化物をラベル16の露出面の防護に使用することが
できる。これらの酸化物は非線形素子30′に従来の蒸着
法又は蒸発法によつて付着又は溶着させることができ
る。
薄い強磁性体層44,46,50は、この発明を保つため各層が
室温に於てはもはや強磁性的行動をとらないほど充分に
薄く保つようにする。しかし、これらのマイクロ厚さの
層44,46,50を極めて薄い絶縁体層間にサンドイツチ状に
すれば、このような合成構造物はSHF範囲で優れた強磁
性特性を示す。この絶縁層48,52は、酸化ガドリニウム
又はホルミウムで形成することができる。その他同様な
金属酸化物でも同等の有効度を以つて作用するものと考
えられている。
この発明を記載する上に使う語の意味に於ける極めて薄
いフイルムとは、物質の元素又は合成物から成る薄い層
であつて、それが充分に薄いので、層に存在する物質の
元素又は合成物の磁気特性が、薄いフイルムを計測すれ
ば、厚い層、棒状材、インゴツト、或いはその他の嵩の
ある試料等に於ける物質の同じ元素又は合成物に属する
磁気特性とは観察可能な程度に異なつていることが判明
するほどの薄さを指す。
非線形素子30′を上述のような方法で作製することによ
つて、うず電流による損失は著しく減じ、これによりSH
F範囲内に於ける更に能率的な操作が得られる。この発
明の更に別の態様に於て、異なつた材料から成る次々の
薄層を、所要の透磁率及び保磁力特性に到達するように
相互に隣接させて形成することができる。強磁性体の極
めて薄い層を使つて、ラベルの可撓性を強化することも
できる。
鉄の優秀な強磁性的性質は、鉄原子の原子関係から生ず
ると考えられている。特に、鉄の強磁性特性は、６つの
すべての可能な空間方向の相互作用を持つ鉄原子の磁気
的順序状態（magnetic ordered state）に帰すべきであ
ると理論づけられている。鉄の原子は、例えばフエロス
ピネル格子に於けるように極めて著しく隔てられている
が、それにも拘わらずベーテ理論の交換積分の理由によ
つて著しく相互作用するという説が確立されている。原
理的には、磁気的順序状態を表わすべき最も薄い鉄の層
は、原子３個分の厚さ程にも薄い層である。この場合、
中央層の各鉄イオンは、６つの全方向に、可能な磁気的
相互作用を持ち得る。原子３個の厚さのフイルムの外方
の２層は、ただ５つの方向に、可能な磁気的相互作用を
持ち得る。しかし、適当な酸化物の単分子層を３層厚鉄
フイルムの中央層として溶着させた場合、酸化物及び酸
素原子は平面的に配列されて、交換エネルギの変化が鉄
フイルムの原子内に起る。結果として、鉄原子の３層デ
ポジツトが、平面的酸化物層がこれに続き更にもう１つ
の３原子厚層がこれに引続いて、室温で有用な強磁性特
性を発揮することができると考えられている。平面的な
酸化物層はベリリウム又はマグネシウムの使用で形成す
ることができる。或いは又、ボロン、アルミニウム、又
はランタナムの酸化物のような、３価の酸化物形成元素
も使用可能である。
他の物が同等であるとして、強磁性薄フイルムというも
のは、飽和状態の区域の単位横断セクシヨンあたり多数
の磁束線を持つならば、更に多くの用途を持つ。強磁性
順序を生ずるためのすべての基準が満たされたと仮定
し、又磁気モーメントを持つすべての原子が物質の薄い
フイルム合成物内の磁区の秩序化に与つているものと仮
定すれば、毎平方センセメータあたり磁束線内の飽和磁
気は、存在するすべての原子に対する原子あたり大きい
平均磁気モーメントを持つ物質に対して最大になる。事
実、磁束線の数は、フイルム内に存在する立方センチメ
ータあたりの原子数とこれらの原子の平均磁気モーメン
トとの積をとることによつて、予知することができる。
この積は、このようなすべての場合に広く適用すること
のできる係数を乗ずれば、強磁性物質の材料又は合成物
内の磁束線の飽和数を定量的に予知するのに役立ち、こ
の場合磁気的に分極可能なすべての原子が磁区の形成に
参加する。
分離した強磁性体層44,46,50間には原子相互作用が起る
と考えられている。この効果は金属表面が相互に極めて
接近している場合特に著しい。薄い酸化フイルムの両側
に生ずる鉄原子から発する磁界は、交換エネルギに寄与
しつつ相互に作用する。強磁性体層44,46の表面から離
れるように延び絶縁体48と交わる磁界の強さ及び性質は
一般に知られておらないが、境界付近の磁界は異成分か
ら成り、境界に沿つて位置する結晶格子内の鉄イオンの
周期性を含んでいる。これの原理及びその他のなお知ら
れていない原理によれば、電気的絶縁体の単分子層で隔
離された非強磁体の連続層は、ただ１層だけでは発揮し
ない条件のもとでも強磁性的性質を発揮することができ
る。
非線形素子30の作製は、次のような要領で行なうことが
できる。層44,46,50を構成する薄いフイルムは、鉄の気
化化合物から化学的付着によつて形成する。この方法を
使えば、強磁性エレメントは、強磁性的性質を発揮しな
い薄層を形成するために、真空又は水素を著しく薄めた
残留雰囲気のもとで気化させることができる。更に、層
44,46,50は、水素又は不活性ガス内の放電による選択さ
れた強磁性素子のスパツタリングによつて形成すること
ができる。外層を形成するこれらの方法は、適当する絶
縁酸化物48の形成と両立する。絶縁層48は希土類元素酸
化物で形成すうのがよく、これはこのような酸化物が非
線形素子30′を形成する高周波電磁多数層の構成に好影
響を与えることができるためである。上述のようにして
積層非線形素子30′を構成するときは、送信機10によつ
て送られる高周波エネルギを利用することのできる構造
が得られる。ラベル16は上述のように、非線形素子30の
高透磁率連結部分36によつて得られる非線形特性の結果
として、合計周波数を発生する。
この発明のもう１つの概念によれば、非線形素子30を、
個々には強磁性ではないが、混合するときは強磁性にす
ることができる選択した材料を混合することによつて単
一層に作製することができる。これは、特定材料から成
る極めて薄い連続層のスパツタリング又は気化によつて
達成することができる。この連続薄層は必要ならば単一
原子の厚さであつてもよい。結果として出てくる材料
は、急速に材料を冷却する結果として無定形の形で生産
される材料と等価である。ラベル30′に適する強磁性材
料は、第７図に示す周知のベーテの曲線（Bethe′scrv
e）の水平座標の点54のほぼ右方に示したような材料で
あると考えられる。ベーテの曲線に関連してそのように
配置された材料の無定形混合物を形成することにより、
高い電気抵抗率を表わし従つてうず電流を最小限に減少
させる性質のある合成物が形成される。又合成物の部分
的無順序状態のために、高周波数応答が得られる。
無定形合成物を形成するために混合すべき材料の選択
は、両立する安定合金形態を示さない金属を含む。この
場合には、周知の気化法によるような金属の原子の真空
を通しての放出レート又は割合は、極めて低速のスパツ
タリング法による部分真空を通して処理される。即ち、
単一原子層を形成するために原子のスパツタリングを表
面に施すためには、材料の溶着レートは極めておそい割
合で処理しなければならないし、試料の表面は短時間に
亘つてスパツタリング作用に曝られる。蒸発法に於ける
溶着レートは蒸発しつつある金属の温度を下げることに
よつて、充分に遅くすることができる。スパツタリング
法では、溶着レートは材料を運ぶために用いる放電の制
御によつて減らす。結果として、極めて小さいスパツタ
リング電流が、単位時間あたり極めて少量の金属デポジ
ツト又は付着を運ぶことになる。材料を真空又は部分真
空を通して蒸着させるとき、一様な薄いフイルムを作
り、蒸着しつつある原子又は分子の集団密度を、原子又
は分子の衝突が源泉個所から蒸着個所に至る移動中頻繁
でないようにして、提供するのが通常は有利である。
この発明によれば、第７図のベーテの曲線に関連して述
べた材料の混合は、金属成分の２個或いはそれ以上のス
パツタリング又は溶着源を使用し、表面をこれらの源に
近付けて通過させることによつて、行なうことができ
る。例えば、回転自在な円板を２個の溶着物源又はスパ
ツタリング源に近付けて回転し、２つの金属成分の無定
形合成物を円板上に溶着させればよい。この発明に於け
る使用に適する金属成分の選択のもう１つの例として、
ホルミウム元素を白金属の元素と同時に円板上に堆積又
は溶着させてもよい。ホルミウムは、非充満電子殻（un
filled electron shell）の直径に対する原子間距離（i
nteratomic distance）の比が極めて大きく、第７図の
ベーテの曲線に与えられた座標の右の方に遠く離れてい
る。
他方、白金金属類の対応する比は小さく、ベーテの曲線
よりずつと左にある。上述の方法によるこれらの材料の
混合は、強磁性性質を示す無定形合成物を生ずものと考
えられている。上述の金属成分の種類は、例示の目的だ
けのためにここに掲げたもので、成分の範囲を限定した
り狭めたりするものではない。又、上述のフイルムの蒸
着・溶着などの付着法は多くの使用し得る技術の１つに
過ぎない。更に又、積層非線形素子30′も例示層数に限
定されるものでなく、多くの他の連続する層をも使用し
得ると理解すべきである。
上述したようにして、改良された盗難防止用監視ラベル
が提供される。この発明のラベルによれば、数千エルス
テツド程度の極めて高い保磁力を持つ永久磁化された部
材すなわち永久磁化素子が提供される。この永久磁化素
子に隣接して電磁放射ダイポールを配置するが、このダ
イポールはラベルを２個のSHF信号が送られる監視区域
を通過する結果として合計周波数の性質の電磁放射を発
射するのに有効である。ラベルは又全体として非線形特
性を発揮させるために高透磁率及び低透磁率部分を持つ
非線形素子を備えている。結果として、監視区域内に伝
わる２個の周波数が非線形素子に作用し、非線形素子の
低透磁率部分が、上述のように、電磁放射ダイポール内
に合計周波数又は差周波数を誘発する。
次に電磁放射ダイポールは、警備員に監視区域を通過す
るラベルの存在を知らせるための警報兼検出装置で受信
することのできる合計周波数又は差周波数を送る。又ラ
ベルには、非線形素子の高透磁率部分に隣接して配置し
た固定記憶磁気素子を持たせる。この固定記憶磁気素子
は、1,000エルステツド程度の保磁力を持ち、減磁界（d
egaussing field）にさらすと磁気の増減に感じ易い。
ラベルは、固定記憶磁気素子が減磁されたとき働くよう
になり、これによつて弱められた磁界を作る。結果とし
て、非線形素子の隣接高透磁率部分に誘発した磁界が、
合計又は差周波数をそこで起させ、これを電磁放射ダイ
ポールによつて空中に伝える。記憶磁石すなわち固定記
憶磁気素子の磁気強さが最大値まで回復すると、非線形
素子の高透磁率磁気抵抗部分が飽和され、電磁放射ダイ
ポールによる合計周波数の送信を不可能にする。
この発明の１つの形として、非線形素子は、強磁性体か
ら成る極めて薄い外層と絶縁内層とを持つ積層形に作る
ことができる。又もう１つの形として、非線形素子は、
無定形合成物を形成するように、選択された金属を混合
することによつて作ることもできる。これら２つの非線
形素子の形は、共に極めて低いうず電流損失を示し、SH
F範囲に於て合計又は差周波数に応答する。
以上この発明による方法及び装置の好適実施例を、特定
の構造体及び合成物に関連させて開示したが、これらの
実施例はこの発明の精神を逸脱することなく各種の変化
変型をなし得ることは云うまでもない。事実、関連技術
の精通者は変圧器又は電動機の分野に応用可能なこの発
明の原理を見出すであろう。又、この発明の種々のあら
ゆる利点及び特長を、ラベル個々の利点を実現させるた
めに、単一合成ラベル内に取り入れる必要はない。
【図面の簡単な説明】
第１図はこの発明による盗難防止監視装置を示す図、第
２図はこの発明に従つて作製した盗難防止用ラベルをそ
の構成材を展開して示す透視図、第３図は非線形素子の
その中央部を高磁気抵抗部を形成するように局部絞りし
た場合の別の実施例図、第４図は第２図に示すこの発明
をその構成材を最終製造形態に於て示す側面図、第５図
は非線形素子のバイアスをかけたヒステリシス曲線のグ
ラフ、第６図はこの発明非線形素子の、非強磁性体及び
絶縁体から成る多重マイクロ厚層状体を示す断面図、第
７図はこの発明用の適当な材料を選択するのに使用する
ための、材料内の強磁気の存在を予知するベーテ曲線図
である。 10…送信機、12,14…電磁放射、電磁波、16…受動ラベ
ル、18…電磁波、放射エネルギ、20…受信機兼警報装
置、22…警報装置、24,26…永久磁化素子、28…電磁放
射ダイポール、30…非線形素子、32,34…低透磁率素
子、36…高透磁率連結部分、38…固定記憶磁気素子すな
わち記憶磁石、42…接着剤層、44,46,50…強磁性体層、
48,52…絶縁体層、
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ０９Ｆ 3/02 Ｂ 7323−5Ｇ

Claims (60)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】（イ）磁気材料から成り、個々に磁気的性
    質を表わさないように充分に小さな厚さを持つ極めて薄
    い複数の第１の層と、（ロ）誘電体材料から成り、電磁
    素子を形成するために、前記各薄い層の間に配置した第
    ２の層とを備え、これらの層の相互作用により前記電磁
    素子に、予め選択した高い範囲の周波数に於て強磁性的
    性質を与えるようにして成る電磁素子。
  2. 【請求項２】前記電磁素子の強磁性的性質が高透磁率で
    ある特許請求の範囲第（１）項記載の電磁素子。
  3. 【請求項３】前記電磁素子が、極めて小さなうず電流損
    を持つ特許請求の範囲第（１）項記載の電磁素子。
  4. 【請求項４】前記極めて薄い第１の層が、３原子範囲又
    はそれよりも少い原子範囲の厚さを持つ特許請求の範囲
    第（１）項記載の電磁素子。
  5. 【請求項５】前記磁気材料及び誘電体材料が、大きな磁
    気モーメントを持つ原子をそれぞれ備えた材料から成る
    特許請求の範囲第（１）項記載の電磁素子。
  6. 【請求項６】前記薄い第１の層を、フエロスピネル格子
    で形成した特許請求の範囲第（１）項記載の電磁素子。
  7. 【請求項７】前記薄い第１の層を約原子３個分の厚さの
    層で形成した特許請求の範囲第（１）項記載の電磁素
    子。
  8. 【請求項８】少くとも２個の交番周波数と、監視装置用
    の強磁性ラベルのヒステリシスループをバイアスするの
    に不充分な外部エネルギー準位とを持つ外部電磁界を備
    えた、監視装置用の強磁性ラベルにおいて、約1,000エ
    ルステツド又はこれ以下の低保磁度の強磁性体から成る
    第１の区域を含むラベル本体を持ち、前記第１の区域の
    ヒステリシスループを内部的にバイアスして、前記外部
    電磁界に置かれたときに、前記交番周波数の和及び差の
    有効な混合を行なうように、前記第１の区域の保磁度よ
    り大きい保磁度を持つ強磁性体から成る第２の区域を、
    前記第１の区域に隣接して前記ラベル本体に設けて成る
    強磁性ラベル。
  9. 【請求項９】前記第２の区域が、5000ないし8000エルス
    テツドの範囲内の保磁力を持つ磁気材料から成る特許請
    求の範囲第（８）項記載の強磁性ラベル。
  10. 【請求項１０】前記磁気材料が、前記第１の区域を磁気
    的に飽和させない保磁力を持つことを特徴とする特許請
    求の範囲第（９）項記載の強磁性ラベル。
  11. 【請求項１１】前記第２の区域が、粉末にした磁気材料
    で作られた特許請求の範囲第（８）項記載の強磁性ラベ
    ル。
  12. 【請求項１２】粉末にした磁気材料の粒子の直径を約0.
    01ミクロンとした特許請求の範囲第（11）項記載の強磁
    性ラベル。
  13. 【請求項１３】粉末にした磁気材料が、フエロスピネル
    材料から成る特許請求の範囲第（11）項記載の強磁性ラ
    ベル。
  14. 【請求項１４】放射ダイポールを更に含む特許請求の範
    囲第（８）項記載の強磁性ラベル。
  15. 【請求項１５】前記放射ダイポールが、ギガヘルツの周
    波数に応答するようにした特許請求の範囲第（14）項記
    載の強磁性ラベル。
  16. 【請求項１６】前記放射ダイポールが、或る長さの金属
    線から成る特許請求の範囲第（15）項記載の強磁性ラベ
    ル。
  17. 【請求項１７】前記放射ダイポールの長さを5cmよりも
    短かくした特許請求の範囲第（16）項記載の強磁性ラベ
    ル。
  18. 【請求項１８】前記ラベル本体の前記第１の区域に、高
    透磁率部分及び低透磁率部分を設け、前記放射ダイポー
    ルを前記高透磁率部分に隣接して配置した特許請求の範
    囲第（14）項記載の強磁性ラベル。
  19. 【請求項１９】（イ）第１の永久磁石と、（ロ）高透磁
    率部分及び低透磁率部分を持つ非線形素子と、（ハ）こ
    の非線形素子の前記高透磁率部分に隣接して位置する放
    射ダイポールと、（ニ）第１及び第２の磁気状態と、前
    記第１の永久磁石の保磁力よりも小さい保磁力とを持
    ち、前記第１の永久磁石の方向と反対方向に磁極を定め
    た第２の永久磁石とを備え、前記第２の永久磁石が、前
    記第１の磁気状態にあるときは、前記非線形素子の前記
    高透磁率部分が飽和され、前記第２の永久磁石が前記第
    ２の磁気状態にあるときは、前記非線形素子はそのため
    に飽和されないように、前記非線形素子に隣接し前記第
    ２の永久磁石を位置させた、監視装置用の強磁性ラベ
    ル。
  20. 【請求項２０】更に、前記第１の永久磁石の方向と反対
    の方向に磁極を定めた第３の永久磁石を設けた特許請求
    の範囲第（19）項記載の強磁性ラベル。
  21. 【請求項２１】前記第３の永久磁石が、前記第１の永久
    磁石の磁気強度よりも小さな磁気強度を持つ特許請求の
    範囲第（20）項記載の強磁性ラベル。
  22. 【請求項２２】前記第１、第２の各永久磁石、前記非線
    形素子、及び前記放射ダイポールを相互間にはさむよう
    にした特許請求の範囲第（19）項記載の強磁性ラベル。
  23. 【請求項２３】前記非線形素子が、前記高透磁率部分に
    よつて隔離された２個の低透磁率部分を備えた特許請求
    の範囲第（19）項記載の強磁性ラベル。
  24. 【請求項２４】前記非線形素子を、細長くし、前記放射
    ダイポールに対して直交させた特許請求の範囲第（23）
    項記載の強磁性ラベル。
  25. 【請求項２５】前記非線形素子が、全体にわたつて一様
    な透磁率の材料から成ると共に薄い部分を備えることに
    より、その薄い部分に於ける有効透磁率が、前記非線形
    素子の薄くしてない個所よりも小さくなるようにした特
    許請求の範囲第（19）項記載の強磁性ラベル。
  26. 【請求項２６】前記非線形素子が、電気絶縁材料から成
    る薄い層によって隔離した強磁性体の薄い複数層を備え
    ることにより、前記非線形素子がギガヘルツ範囲内の周
    波数に応答するようにした特許請求の範囲第（19）項記
    載の強磁性ラベル。
  27. 【請求項２７】前記第１の永久磁石が、5,000ないし8,0
    00エルステツド範囲の保磁度を持つ材料から成る特許請
    求の範囲第（19）項記載の強磁性ラベル。
  28. 【請求項２８】前記第２の永久磁石が、250ないし1,000
    エルステツド範囲の保磁度を持つ材料から成る特許請求
    の範囲第（27）項記載の強磁性ラベル。
  29. 【請求項２９】前記第１の永久磁石を、平面状にし、約
    １インチ×1/2インチ寸法の長方形にした特許請求の範
    囲第（27）項記載の強磁性ラベル。
  30. 【請求項３０】（イ）磁気材料から成り、個々に磁気的
    性質を表わさないように、充分に小さい厚さを持つ極め
    て薄い複数の層を形成することによって、周波数に応答
    する非線形素子を形成する段階と、（ロ）磁気材料と誘
    電体材料とから成る層が相互に作用して、予め選択した
    高周波数範囲内の質問周波数において、前記非線形素子
    に強磁性的性質を与えるように、前記非線形素子を形成
    するために、前記各薄い層間に配置した誘電体材料を形
    成する段階とを含む、監視装置のラベルに使用し、質問
    周波数に応答する磁気素子の作製法。
  31. 【請求項３１】更に、高い透磁率を持つ磁気材料で前記
    非線形素子を形成することを包含する特許請求の範囲第
    （30）項記載の磁気素子の作製法。
  32. 【請求項３２】前記極めて薄い磁気材料から成る層の厚
    さを、３原子範囲又はそれよりも少い範囲の厚さとする
    特許請求の範囲第（30）項記載の磁気素子の作製法。
  33. 【請求項３３】前記極めて薄い層を、真空蒸着によつて
    形成する特許請求の範囲第（30）項記載の磁気素子の作
    製法。
  34. 【請求項３４】前記極めて薄い層を部分真空蒸着によつ
    て形成する特許請求の範囲第（30）項記載の磁気素子の
    作製法。
  35. 【請求項３５】前記誘電体材料から成る層と前記極めて
    薄い層とを、大きな磁気モーメントを持つ原子を備えた
    磁気材料を使用することによつてそれぞれ形成する特許
    請求の範囲第（30）項記載の磁気素子の作製法。
  36. 【請求項３６】前記極めて薄い層を、フエロスピネル格
    子で形成する特許請求の範囲第（30）項記載の磁気素子
    の作製法。
  37. 【請求項３７】前記極めて薄い層を、約原子３個分の厚
    さの層で形成する特許請求の範囲第（30）項記載の磁気
    素子の作製法。
  38. 【請求項３８】前記非線形素子を、個々には強磁性でな
    く、混合されるときに強磁性的性質を表わす磁気材料を
    混合することによつて形成する特許請求の範囲第（30）
    項記載の磁気素子の作製法。
  39. 【請求項３９】前記非線形素子を、ベーテの曲線上の同
    曲線が交換エネルギゼロと交差する点の右側にある材料
    と定められた材料の粒子の混合物を混合することによつ
    て形成する特許請求の範囲第（38）項記載の磁気素子の
    作製法。
  40. 【請求項４０】前記混合した混合物が無定形である特許
    請求の範囲第（39）項記載の磁気素子の作製法。
  41. 【請求項４１】前記混合した混合物が、高い電気抵抗率
    を持つことを特徴とする特許請求の範囲第（40）項記載
    の磁気素子の作製法。
  42. 【請求項４２】前記磁気材料を、磁気材料の蒸着によつ
    て混合する特許請求の範囲第（38）項記載の磁気素子の
    作製法。
  43. 【請求項４３】前記非線形素子を、前記交差する点の右
    側の２種類の材料、即ち一方の材料はベーテの曲線の右
    方にあり他方の材料はベーテの曲線の左方にある両材
    料、を混合することによつて形成する特許請求の範囲第
    （39）項記載の磁気素子の作製法。
  44. 【請求項４４】ホルミウムと白金とを混合する特許請求
    の範囲第（43）項記載の磁気素子の作製法。
  45. 【請求項４５】（イ）約1,000エルステツド又はこれ以
    下の低保磁度の強磁性体から成る第１の区域を持つラベ
    ル本体を形成する段階と、（ロ）外部の磁界に置かれる
    ときに、交番周波数の和及び差の有効な混合をするため
    に、前記第１の区域のヒステリシスループを内部的にバ
    イアスするように、前記第１の区域に隣接させて配置し
    た、前記第１の区域の保磁度より大きい保磁度を持つ強
    磁性体の第２の区域を、前記ラベル本体内に形成する段
    階とを包含する、少くとも２つの交番周波数と、強磁性
    ラベルのヒステリシスループをバイアスするのに不充分
    な外部エネルギー準位とを持つ外部電磁界を備えた、監
    視装置用の強磁性ラベルの作製法。
  46. 【請求項４６】5000ないし8000エルステツドの範囲の保
    磁力を持つ磁気材料を前記第２の区域に形成することを
    更に包含する特許請求の範囲第（45）項記載の強磁性ラ
    ベルの作製法。
  47. 【請求項４７】前記第１の区域を磁気的に飽和させない
    保磁力を持つ材料で前記磁気材料を形成することを更に
    包含する特許請求の範囲第（46）項記載の強磁性ラベル
    の作製法。
  48. 【請求項４８】粉末にした磁気材料から成る前記第２の
    区域を形成することを更に包含する特許請求の範囲第
    （45）項記載の強磁性ラベルの作製法。
  49. 【請求項４９】粉末にした磁気材料を、直径約0.01ミク
    ロンの粒子で形成することを更に包含する特許請求の範
    囲第（48）項記載の強磁性ラベルの作製法。
  50. 【請求項５０】粉末にした磁気材料が、フエロスピネル
    材料から成る特許請求の範囲第（48）項記載の強磁性ラ
    ベルの作製法。
  51. 【請求項５１】前記強磁性ラベルに取付けた放射ダイポ
    ールを形成することを更に包含する特許請求の範囲第
    （45）項記載の強磁性ラベルの作製法。
  52. 【請求項５２】ギガヘルツ周波数に応答するように前記
    放射ダイポールを形成することを更に包含する特許請求
    の範囲第（51）項記載の強磁性ラベルの作製法。
  53. 【請求項５３】前記放射ダイポールを、或る長さの線で
    形成することを更に包含する特許請求の範囲第（52）項
    記載の強磁性ラベルの作製法。
  54. 【請求項５４】前記放射ダイポールを、長さ5cmより短
    かく切る特許請求の範囲第（53）項記載の強磁性ラベル
    の作製法。
  55. 【請求項５５】前記ラベル本体の前記第１の区域を、高
    透磁率部分と低透磁率部分とで形成し、前記放射ダイポ
    ールを、前記高透磁率部分に隣接して配置することを更
    に包含する特許請求の範囲第（51）項記載の強磁性ラベ
    ルの作製法。
  56. 【請求項５６】監視装置において、ラベルからの２つの
    互に異なる質問周波数から和及び差周波数を提供する和
    及び差周波数提供法において、（イ）前記質問周波数に
    応答する非線形強磁性素子を、この非線形強磁性素子に
    より生ずる前記和又は差周波数の１つの存在によつて或
    る品物の存在を検出するために、この品物に取付ける段
    階と、（ロ）前記非線形強磁性素子を、この非線形強磁
    性素子のヒステリシス特性曲線のニーの付近でバイアス
    する段階と、（ハ）前記和及び差周波数を、ダイポール
    放射体に結合することにより、前記和及び差周波数を伝
    送する段階とを包含する、和及び差周波数提供法。
  57. 【請求項５７】前記ラベルを動作させたくないときに、
    前記非線形強磁性素子を磁界で飽和させることを更に含
    む特許請求の範囲第（56）項記載の和及び差周波数提供
    法。
  58. 【請求項５８】前記非線形強磁性素子を、高透磁率部分
    及び低透磁率部分で形成する特許請求の範囲第（56）項
    記載の和及び差周波数提供法。
  59. 【請求項５９】前記ダイポール放射体を、前記高透磁率
    部分に隣接して位置させる特許請求の範囲第（58）項記
    載の和及び差周波数提供法。
  60. 【請求項６０】前記非線形強磁性素子を、この非線形強
    磁性素子がギガヘルツ範囲の質問周波数に応答できるよ
    うに、磁気材料から成る薄い層を積層することによつて
    形成する特許請求の範囲第（56）項記載の和及び差周波
    数提供法。
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