JPH0738175A

JPH0738175A - ガンダイオード

Info

Publication number: JPH0738175A
Application number: JP5181698A
Authority: JP
Inventors: Takashi Udagawa; 隆宇田川
Original assignee: Showa Denko KK
Current assignee: Resonac Holdings Corp
Priority date: 1993-07-22
Filing date: 1993-07-22
Publication date: 1995-02-07

Abstract

(57)【要約】【目的】ＧａＩｎＡｓガンダイオードに於て、高周波
特性の高性能化を図る。【構成】動作電流を流通せしめる領域以外の領域に水
素等の非金属性イオン、もしくは鉄等の遷移金属のイオ
ンを注入し絶縁化する。【効果】高速応答特性が安定する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明はマイクロ波領域での発振
用デバイスとして利用される、化合物半導体材料を用い
たガンダイオード、特にＧａＩｎＡｓ混晶とＩｎＰとの
ヘテロ接合からなる高速応答性を有するガンガイオード
に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体の持つ重要な特性の一つであるガ
ン（Ｇｕｎｎ）効果（電子遷移効果）を利用したデバイ
スとして、いわゆるガンダイオード（Ｇｕｎｎｄｉｏ
ｄｅ）が知られている。現状ではヒ化ガリウム（ＧａＡ
ｓ）半導体を母体材料としたガンダイオードなどが実用
化されるており、マイクロ波帯域に於ける発振デバイス
として、或はまたドップラー（Ｄｏｐｐｌｅｒ）センサ
ーなどにも用いられている。

【０００３】ガンダイオードには上記のＧａＡｓの他に
リン化インジウム等の III−Ｖ族化合物半導体が使用さ
れている（特開平４−２２６０９１）。ガンダイオード
は半導体結晶体にある値を越えた電界を印加した場合に
生ずる、半導体内の電子の伝導帯間の電子遷移による負
性抵抗の発生を利用した電子デバイスである。このガン
ダイオードの動作原理とも言うべき負性抵抗を発生する
半導体には、物性面からの制約がある。例えば、伝導帯
間のエネルギー差が０．２６ｅＶを以上必要とされるこ
となどである（詳しくは、例えば R.J. Chaffin, "Micr
owave Semiconductor Devices"（John Wikey & Sons, I
nc., p. 243.参照）。

【０００４】近年、ガンダイオードに於いても低消費電
力化や或はまた応答の高速化の要望が高まっている。こ
れらの要望を満たすには、負性抵抗を出来るだけ低い電
界で発生させるいわゆる低しきい値電圧を有し、なお且
つ高い電子移動度を有する半導体材料の選択が必要であ
る。最近では従来のＧａＡｓやＩｎＰ結晶の２元系 III
−Ｖ族化合物半導体に替わり、低しきい値電圧を持つガ
リウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ）とアンチモン（Ｓ
ｂ）の３元素から構成されるアンチモン化ガリウム・イ
ンジウム（Ｇａ_X Ｉｎ_1-X Ｓｂ：Ｘは混晶比）混晶や、
室温で高い電子移動度が発現される可能性のあるＧａ、
Ｉｎとヒ素（Ａｓ）からなるヒ化ガリウム・インジウム
（Ｇａ_X Ｉｎ_1-X Ａｓ）混晶がガンダイオード用の半導
体材料として注目されるに至っている。

【０００５】しかしながら、上記の様に次世代の高性能
ガンダイオード用材料として有望視されながら、Ｇａ_X
Ｉｎ_1-X Ｓｂ混晶は材料を成長させる困難さなどから、
またＧａ_X Ｉｎ_1-X Ａｓ混晶は期待したほどの素子特性
が得られず、これらの混晶を利用したガンダイオードは
いずれも本格的に実現されるには至っていない。

【０００６】ガンダイオード用途のＧａ_X Ｉｎ_1-X Ａｓ
混晶層は、通常硫黄（Ｓ）や錫（Ｓｎ）を添加してなる
低抵抗のｎ形ＩｎＰ単結晶基板上、或は鉄（Ｆｅ）を添
加してなる高抵抗の半絶縁性ＩｎＰ単結晶基板上にエピ
タキシャル成長法により形成される。実際の素子化に当
たっては、素子を動作させるための動作電流が流れる領
域以外の領域をエッチングにより除去し、動作電流の流
通部をメサ（ｍｅｓａ）形状として残存させることが行
われる。このメサエッチングにより素子の機能部は他と
電気的に絶縁される。メサエッチング工程は従来からガ
ン素子の製作上不可欠とされている工程要素である。

【０００７】然るメサエッチングを施した後、エピタキ
シャル動作層を前記の低抵抗のｎ形ＩｎＰ単結晶上に作
製する場合には入力電極を当該動作層上に、また出力電
極をＩｎＰ単結晶基板に形成する。この場合動作電流は
エピタキシャル動作層側からＩｎＰ単結晶基板側にいわ
ば縦方向に流れる。一方、エピタキシャル成長動作層を
高抵抗のＩｎＰ基板結晶上に設ける場合には、基板とし
て電流が流れ難い半絶縁性の結晶を用いているので、入
・出力電極共に動作層上に形成する。この場合は動作電
流はエピタキシャル成長層を横方法に流れる。電極を形
成した後は、動作層のメサ領域を覆うように表面に絶縁
性膜を被着し、表面に露出した動作層が大気に直接接触
するのを防ぐ。これはパッシベーション（ｐａｓｓｉｖ
ａｔｉｏｎ）と称され、デバイス特性の経時的変化を抑
制するために重要である。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、異なる
半導体材料を接合したヘテロ接合を動作層とするガンダ
イオードにあっては、メサエッチングによるメサを形成
する際に、ヘテロ接合を構成する半導体材料に依ってエ
ッチング剤を変更させる必要が生ずるなどの煩雑さを伴
う。また、ヘテロ接合を構成する半導体材料毎にエッチ
ング剤を変更する操作を施しても、半導体材料によって
エッチング速度が微妙に異なるなどに起因して、図１に
模式的に示す様にメサ構造に於てヘテロ界面（２０１）
に段差（２０２）が生ずることが多い。メサ構造上にこ
の様な段差が存在すると、パッシベーション膜（２０
３）をメサ構造の周辺に均一に密着させるにことが出来
ず、図１に示す如くの間隙（２０４）が発生し、この密
着性の不均一さがガンダイオードの高周波特性の不均一
性を助長する結果を招いていた。この様なガンダイオー
ドの製作上の不具合はとりもなおずメサエッチングに起
因して発生するものであり、エピタキシャル動作層をメ
サ型に加工したことから一般にエピタキシャルメサ型と
称され、従来からガンダイオードに必然的に付随する大
きな問題であった。

【０００９】そこでエッチングによるメサ型を用いず
に、ガンダイオードの特性を発揮する上で要求される電
気的な絶縁性が得られる、いわゆるプレーナ（ｐｌａｎ
ｅｒ）型のガンダイオードを実現することを目的とす
る。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明ではヘテロ接合を
具備してなるガンダイードに於て、メサエッチングに代
わり、特定元素のイオンを注入することにより絶縁化を
果たすものである。

【００１１】通常、ガンダイオードへの応用を考慮し
た、 III−Ｖ族化合物半導体としてＧａ_X Ｉｎ_1-X Ａｓ
とＩｎＰとのヘテロ接合の場合を例に説明する。基板と
してはＳもしくはＳｎ等を添加した低抵抗のｎ形ＩｎＰ
単結晶基板、もしくは鉄（Ｆｅ）を添加してなる高抵抗
の半絶縁性ＩｎＰ単結晶基板が使用される。低抵抗のｎ
形の単結晶基板にあっては実用上は比抵抗が１ｍΩ・ｃ
ｍ前後の、また半絶縁性の高抵抗基板にあっては比抵抗
が１０⁶ 〜１０⁷ Ω・ｃｍのものを使用するのが一般的
である。

【００１２】これらＩｎＰ単結晶基板上に一般的には緩
衝層（バッファ層）としてＩｎＰエピタキシャル層を形
成し、その上にＧａ_X Ｉｎ_1-X Ａｓエピタキシャル層を
堆積させヘテロ接合を形成する。ＩｎＰバッファ層をＩ
ｎＰ結晶基板上に設けるのは、結晶基板に含まれる不純
物のＧａ_X Ｉｎ_1-X Ａｓエピタキシャル成長層への拡散
を抑制できるなどの効果が得られ、かつまた、結晶基板
に存在する結晶欠陥等のエピタキシャル成長層への伝幡
を抑制するなどの効果を生じるため、電子移動度の向上
をもたらす可能性が有るからである。しかし、最近では
ＩｎＰ単結晶育成技術の進展により高品質のＩｎＰ単結
晶が育成できる様になり、必ずしもＩｎＰバッファ層を
設ける必要性も薄くなりつつある。

【００１３】上記のヘテロ接合を構成するＩｎＰ層並び
にＧａＩｎＡｓ層の成長方法には、特に制限はない。現
状では蒸気圧が比較的高いリン（Ｐ）を含むＩｎＰ等の
半導体薄膜の成長には、化学量論的な制御性の観点から
ＭＢＥ法よりももっぱらＭＯＣＶＤ法が多用されてお
り、特にＩｎの出発原料として結合価が１価のシクロペ
ンタジエニルインジウム（Ｃ₅ Ｈ₅ Ｉｎ）を使用するＭ
ＯＶＰＥ法では高品位のＩｎＰ並びにＧａＩｎＡｓなど
を得ることができる。

【００１４】また、Ｇａ_X Ｉｎ_1-X Ａｓの混晶比ｘにつ
いては、０．３７≦ｘ≦０．５３とするのが望ましい。
何故ならば、ＩｎＰに格子整合するＧａ_X Ｉｎ_1-X Ａｓ
の混晶比ｘ＝０．４７から混晶比がずれるに伴い、Ｇａ
_X Ｉｎ_1-X ＡｓとＩｎＰとの格子定数の差、即ち格子不
整合も顕著となり、多量の結晶欠陥等を誘発し結晶性の
低下を招くばかりか、電子移動度の低下等の電気的特性
をも悪化させ、ガンダイオードの特性上特に高速応答性
に多大な悪影響を来すからである。

【００１５】また、ガンダイオード用途の動作層の膜厚
（ｄ：ｃｍ）はダイオードの発振周波数（ｆ：Ｈｚ）と
次式（１）で示される近似関係にある（鈴木清著、
「マイクロ波回路の基礎」（１９７９年啓学出版）１０
４頁）。ｆ（Ｈｚ）＝１０⁷ ／ｄ・・・・・（１）従って、エピタキシャル層の膜厚は，所望の周波数から
上記の関係式（１）により求めた値の近傍に設定すれば
良い。従って、上述の範囲にある混晶比と所望の周波数
から求められる膜厚とを有するＧａ_X Ｉｎ_1-X Ａｓ層と
ＩｎＰバッファ層と、或はまたＩｎＰ結晶基板とでヘテ
ロ接合を形成し、ガンダイオード用の材料とすれば良
い。

【００１６】この様なエピタキシャルウエハを母体材料
としてガンダイオードを製作する。以下にｎ形のＩｎＰ
基板上に設けたｎ形のＩｎＰバッファ層とｎ形のＧａＩ
ｎＡｓとのヘテロ接合を動作層とするガンダイオードの
製作を例にして述べる。先ず、当該ウエハの表面全面に
亘り通常のフォトレジスト剤を塗布する。然る後、公知
のフォトリソグラフィ技術により円形の入力電極を形成
すべき領域以外のＧａＩｎＡｓ層を被覆しているフォト
レジスト剤を剥離する。次に、入力電極の形成領域にフ
ォトレジスト剤を残存させ、水素イオンを注入する。こ
の水素イオンの注入にあたっては、ウエハの膜厚を考慮
して注入時の加速電圧並びにドーズ（dose）量を決定す
れば良いが、特に加速電圧は水素イオンが被注入体上に
設けたエピタキシャル層の膜厚以上の深さに達する様に
設定すれば良い。要は電極が形成される領域外に於て絶
縁性を保持させれば良いのであって、絶縁性を得るため
にエッチング等の加工技術を駆使してメサ型とする必要
はない。

【００１７】上記では、絶縁化のために水素イオンを注
入したが、水素以外に酸素、ホウ素などの非金属系の元
素、或は鉄、ニッケル、コバルト等の遷移金属でも同様
の絶縁化が果たされることを見出した。但し、これらの
元素のイオンを注入するに際しての最適な加速電圧、ド
ーズ量が各々の元素に依って変化するので、元素毎の最
適化が必要とされる。また、鉄、ニッケル、コバルト等
は質量数が比較的高く、この様なイオンを高いドーズ量
で注入した場合は、注入時に被注入体に与える損傷も大
きくなり、注入後に熱処理（アニール）を施し、注入時
に被った損傷を回復させる必要が生ずる場合もある。更
には、これらのイオンを高いドーズ量で注入する場合に
は、マスク材としての役目を果たすフォトレジスト剤も
変質し、充分に剥離出来ない場合がある。この様な事態
が予想される場合には、フォトリソグラフィー工程に於
てフォトレジスト剤を塗布する以前に酸化膜を被注入体
に堆積し、その後パターニングを施せば良い。イオン注
入後に、当該酸化膜をフッ酸（フッ化水素酸）などを使
用して剥離すれば、その上に在るフォトレジスト剤も同
時に剥離される。

【００１８】然る後、通常のフォトリソグラフィー法に
依るパターニング手法を利用して、入力用オーミック電
極を形成する。次に今度は出力電極を形成すべく、Ｉｎ
Ｐ単結晶基板の裏面全面に亘り電極用金属材料を被着さ
せる。ここでは一例としてオーミック性電極としてゲル
マニウム（Ｇｅ）を重量にして約１３％含む金（Ａｕ）
・Ｇｅ合金を使用する。更にこの様な工程を経たウエハ
の表面にプラズマＣＶＤ法により絶縁性を有する二酸化
珪素（ＳｉＯ₂ ）を堆積させ，上記電極部以外の領域を
被覆する。本発明に依ればメサエッチング法を採用せず
に絶縁化を果しているために、素子の表面の平坦性を維
持できるため、従来の如くのメサエッチングによりヘテ
ロ界面エッチング段差を生ずることもなく、よってパッ
シベーション用の絶縁膜とメサエッチングされたエピタ
キシャル層との間に間隙が出来ることも無い。本発明で
は一般的なＳｉＯ₂ を絶縁被覆膜として採用したが、他
の絶縁性を有する膜、例えば窒化珪素（ＳｉＮ）などで
あっても良い。

【００１９】上記の如くのプロセスを経たエピタキシャ
ルウエハから製作されたガンダイオードを電気的測定の
評価に共し、従来からのメサエッチング工程を経て製作
されたガンダイオードとで特性の比較を行うと、本発明
に基づくガンダイオードにあっては、従来になく安定し
た低いしきい値電圧で負性抵抗現象が認められ、且つま
た高速な応答性も得られる。これは本発明に基ずきイオ
ン注入により所望の領域、即ち動作電流を流通すべき領
域以外を絶縁化することによりメサエッチングを要しな
いことに因るものである。

【００２０】

【作用】イオン注入法により絶縁化を果たすことによ
り、素子の表面の平坦性を維持でき、パッシベーション
膜との密着性を向上させることにより、動作層等とパッ
シベーション絶縁膜と接触状態を均一にし、動作層等の
表面状態を一定に維持でき、結果としてガンダイオード
の特性の安定化を達成する。

【００２１】

【実施例】以下、本発明を実施例を基に具体的に説明す
る。（実施例１）図２は本発明に係わるＧａＩｎＡｓ／Ｉｎ
Ｐヘテロ構造ガンダイオードの模式的な断面図の一例を
示す。図２の（３０１）は、当該ヘテロ接合を形成する
にあたり基板として使用した硫黄（Ｓ）を添加してなる
面方位（１００）の低抵抗のＩｎＰ単結晶である。本実
施例では比抵抗が約１ｍΩ・ｃｍの結晶を用いた。同図
中（３０２）は結晶基板（３０１）上に、Ｃ₅ Ｈ₅ Ｉｎ
をＩｎ源とする常圧のＭＯＣＶＤ法で成長させた膜厚が
約１００ｎｍのＳｉをドーパントとして添加したｎ形Ｉ
ｎＰエピタキシャルバッファ層である。当該バッファ層
（３０２）のキャリア濃度は基板結晶（３０１）とほぼ
同一の２×１０¹⁸ｃｍ^-3であった。次に、ＩｎＰ層（３
０２）上に混晶比が０．４７であるＩｎＰと格子整合す
るＧａ_0. ₄₇Ｉｎ_0.53Ａｓ層（３０３）を厚さ約９５０ｎ
ｍで堆積させた。Ｇａ_0.47Ｉｎ_0. ₅₃Ａｓ層（３０３）は
硫黄（Ｓ）をドーピングしたｎ形層であり、キャリア濃
度は約２×１０¹⁶ cm^-3 である。この構成からなるエピ
タキシャル層についてＨａｌｌ効果法により測定した場
合の室温での電子移動度は、約１２，０００ｃｍ²／Ｖ
・ｓであった。

【００２２】この様な構造のウエハの最表面全体を通常
使用しているフォトレジスト剤で被覆し、入力電極（３
０４）となすべき領域を公知のフォトリソグラフィー法
を駆使してパターニングした。然る後、当該ウエハをイ
オン注入装置内に載置し、加速電圧３００ＫＶ、ドーズ
量８×１０¹³ｃｍ^-2をもって水素イオンを注入した。水
素イオンは純度６Ｎの高純度水素ガスのイオン化により
発生させた。これによりフォトレジスト剤が存在しない
領域（３０７）に水素イオンが注入され、動作電流が流
れない領域を絶縁化した。ちなみに上記の注入条件下で
は、理論上水素イオンは深さ方向にＧａ_0.47Ｉｎ_0.53Ａ
ｓ層（３０３）及びＩｎＰ層（３０２）を通過し、Ｉｎ
Ｐ単結晶基板（３０１）の表面側の一部迄到達する計算
となっている。

【００２３】然るイオン注入を施した後、Ｇａ_0.47Ｉｎ
_0.53Ａｓ層（３０３）の表面全体を再びフォトレジスト
剤で被覆し、公知のフォトリソグラフィー技術により入
力電極（３０４）となすべき領域のフォトレジスト剤を
除去した。その後、電極用合金となすゲルマニウムを約
１３重量％含有する金・ゲルマニウム（Ａｕ・Ｇｅ）合
金をウエハの表面全面に真空蒸着した。その後リフトオ
フ法により入力電極形成以外の領域に存在するＡｕ・Ｇ
ｅ合金を除去した。次に、同様にＩｎＰ単結晶基板（３
０１）の裏面全面にＡｕ・Ｇｅ合金膜を真空蒸着して出
力電極（３０５）とした。然る後、ウエハを温度４２０
℃で、時間にして３分間熱処理し、Ａｕ・Ｇｅ電極（３
０４及び３０５）にオーミック性を付与した。

【００２４】次に、素子化されたウエハ表面の電極部以
外の領域を通常のプラズマＣＶＤ法によるＳｉＯ₂ 絶縁
膜（３０６）でを被覆し、フォトレジスト工程によるパ
ターニングのより電極部を円形に露出させた。このＳｉ
Ｏ₂ 膜（３０６）の厚さは約３００ｎｍとした。

【００２５】（実施例２）本実施例では、Ｆｅを添加し
た高抵抗の半絶縁性ＩｎＰ単結晶基板上に動作層等を設
けたガンダイオードの実施例を述べる。図３は本実施例
に係わるガンダイオードの構成を模式的に示す平面図で
あり、また図４は図３に掲げる平面図の線Ａ−Ａ’方向
に沿った断面図である。図中（４０１）は基板として使
用したＦｅ添加の半絶縁性ＩｎＰ単結晶である。単結晶
基板（４０１）の上に実施例１と同じくｎ形のＩｎＰエ
ピタキシャル層（４０２）と、混晶比が０．４７のＧａ
_0.47Ｉｎ_0.53Ａｓ層（４０３）とを順次堆積させた。各
層のキャリア濃度、膜厚共に実施例１と同じにした。

【００２６】然る後、Ｇａ_0.47Ｉｎ_0.53Ａｓ層（４０
３）上にフォトレジスト剤を全面に亘り塗布し、公知の
フォトリソグラフィー技術により、入力並びに出力電極
となる領域を含む動作層となる領域（４０４）のレジス
ト剤を残存させる様にパターニングを施した。その後、
この残存させたレジスト剤をマスク材として二価の鉄イ
オン（質量数：２６）を注入した。これにより領域（４
０４）以外の領域（４０５）に鉄イオンが注入されたこ
ととなる。二価鉄イオンは加速電圧３００ＫＶ、ドーズ
量３×１０¹³ｃｍ^-2の条件下で注入した。次に、レジス
ト剤を剥離した。

【００２７】更に、上記の鉄イオンを注入したウエハの
表面上を再びフォトレジスト剤で全面に亘り被覆し、公
知のフォトリソグラフィー法により、入・出力電極（４
０６及び４０７）を形成する領域のみのフォトレジスト
剤を除去した。次に、Ａｕ・Ｇｅ合金を表面全体に亘り
被着した。これをリフトオフ法より入・出力電極（４０
６及び４０７）を形成する領域のＡｕ・Ｇｅ合金を残存
させた。その後、ウエハを温度４２０℃で約３分間アロ
イングした。本実施例の様に半絶縁性結晶を基板として
用いた場合には、動作電流は実施例１とは異なりエピタ
キシャル成長層内を横方向に流通させなければならない
ため、入・出力電極（４０６及び４０７）はＧａ_0.47Ｉ
ｎ_0.53Ａｓ層（４０３）上に存在する。

【００２８】上記の電極を形成後、通常のプラズマＣＶ
Ｄ法により絶縁性の二酸化珪素（ＳｉＯ₂ ）（４０８）
を表面に堆積させた。その後、このＳｉＯ₂ （４０８）
上にフォトレジスト剤を塗布し、公知のフォトリソグラ
フィー法により入力電極（４０６）並びに出力電極（４
０７）を形成する領域に存在するレジスト剤のみを剥離
除去した。次に、剥離したレジスト剤の直下に存在して
いたＳｉＯ₂ 絶縁膜（４０８）をフッ酸（化学式Ｈ
Ｆ）を使用して溶解させ、入・出力電極（４０６及び４
０７）の表面を露出させた。

【００２９】上述の如く作成したガンダイオードを電気
的な特性評価に供し、本発明に係わる場合と従来例とで
特性を対比させた。従来例とはエピタキシャルメサ型の
ＧａＩｎＡｓ／ＩｎＰヘテロ接合ガンダイオードを指
す。特性を対比させた結果として、本発明に係わる新た
なガンダイオードと従来のガンダイオードでは応答速度
の安定性に顕著な差異が現れ、本発明に依れば、応答速
度が約４５±５ｐｓの高速応答ガンダイオードが従来に
無く安定的に得られた。

【００３０】

【発明の効果】本発明に依れば、高速応答を有するガン
ダイオードを安定して供給可能とする。

【図面の簡単な説明】

【図１】従来のヘテロ接合ガンダイオードの構成を示す
断面図である。

【図２】本発明に係わるｎ形ＩｎＰ結晶を基板とするガ
ンダイオードの垂直方向の模式的な断面図である。

【図３】本発明に係わる半絶縁性の高抵抗ＩｎＰ結晶を
基板とするガンダイオードの垂直方向の模式的な平面図
である。

【図４】図３に掲げるガンダイオードの線Ａ−Ａ’方向
に沿った垂直断面を示す概略図である。

【符号の説明】

２０１・・・ヘテロ界面２０２・・・段差２０３・・・パッシベーション膜２０４・・・間隙２０５・・・ダイシングライン２０６・・・ｎ形ＩｎＰ単結晶基板２０７・・・入力電極２０８・・・出力電極２０９・・・動作層３０１・・・ｎ形ＩｎＰ単結晶基板３０２・・・ｎ形ＩｎＰバッファ層３０３・・・ｎ形ＧａＩｎＡｓ層３０４・・・入力電極３０５・・・出力電極３０６・・・ＳｉＯ₂ 絶縁膜３０７・・・水素イオン注入領域３０８・・・ダイシングライン４０１・・・半絶縁性ＩｎＰ単結晶基板４０２・・・ｎ形ＩｎＰバッファ層４０３・・・ｎ形ＧａＩｎＡｓ層４０４・・・動作層領域４０５・・・水素イオン注入領域４０６・・・入力電極４０７・・・出力電極４０８・・・ＳｉＯ₂ 絶縁膜４０９・・・ダイシングライン

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】 III−Ｖ族化合物半導体エピタキシャル
成長層からなるヘテロ接合を具備したガンダイオードに
於て、該ガンダイオードを動作させるための動作電流が
流れる領域以外の領域に、非金属もしくは遷移金属のイ
オンを注入した絶縁層を有することを特徴とするガンダ
イオード。
【請求項２】非金属のイオンが水素、酸素、もしくは
ホウ素のいずれか１種であることを特徴とする請求項１
に記載のガンダイオード。
【請求項３】遷移金属のイオンが鉄、ニッケル、コバ
ルトのいずれか１種であることを特徴とする請求項１に
記載のガンダイオード。