JPH073818B2 - シリコン酸化膜の形成方法 - Google Patents
シリコン酸化膜の形成方法Info
- Publication number
- JPH073818B2 JPH073818B2 JP60012655A JP1265585A JPH073818B2 JP H073818 B2 JPH073818 B2 JP H073818B2 JP 60012655 A JP60012655 A JP 60012655A JP 1265585 A JP1265585 A JP 1265585A JP H073818 B2 JPH073818 B2 JP H073818B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- oxide film
- silicon oxide
- specific resistance
- forming
- gas
- Prior art date
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/60—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials
Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、半絶縁性を有するシリコン酸化膜を低温で形
成する方法に関するものである。
成する方法に関するものである。
（発明の概要） 本発明はシリコン酸化膜をターゲット材としてスパツタ
法によるシリコン酸化膜の形成方法において、Heガスと
H2ガスの混合ガスまたはNeガスとH2ガスの混合ガス雰囲
気内においてシリコン酸化膜を形成することにより、低
温でシリコン酸化膜の形成が可能であり、かつ混合ガス
の配合を変えることにより、比抵抗の値を調節しうるシ
リコン酸化膜の形成方法である。
法によるシリコン酸化膜の形成方法において、Heガスと
H2ガスの混合ガスまたはNeガスとH2ガスの混合ガス雰囲
気内においてシリコン酸化膜を形成することにより、低
温でシリコン酸化膜の形成が可能であり、かつ混合ガス
の配合を変えることにより、比抵抗の値を調節しうるシ
リコン酸化膜の形成方法である。
（従来技術） 半導体デバイスにおけるアルミニウム配線間の絶縁、お
よびデバイスの保護のために用いられるシリコン酸化膜
が半絶縁性を有することは、帯電等を防止するために非
常に有効である。
よびデバイスの保護のために用いられるシリコン酸化膜
が半絶縁性を有することは、帯電等を防止するために非
常に有効である。
従来、このような半絶縁性を有するシリコン酸化膜の形
成方法は、以下に述べる気相成長法が用いられていた。
すなわち、槽内に所望の基板を配置し、この基板を600
℃〜700℃に加熱した状態で、例えばSiH4とO2を所望の
流量比を保つて槽内に導入することにより、上記基板上
に上記シリコン酸化膜を堆積させる方法が用いられてき
た。このようにして形成したシリコン酸化膜の比抵抗は
106〜1012Ω・cmの範囲で変えることができ、比抵抗は
上記半導体デバイスの用途に十分であつた。
成方法は、以下に述べる気相成長法が用いられていた。
すなわち、槽内に所望の基板を配置し、この基板を600
℃〜700℃に加熱した状態で、例えばSiH4とO2を所望の
流量比を保つて槽内に導入することにより、上記基板上
に上記シリコン酸化膜を堆積させる方法が用いられてき
た。このようにして形成したシリコン酸化膜の比抵抗は
106〜1012Ω・cmの範囲で変えることができ、比抵抗は
上記半導体デバイスの用途に十分であつた。
（発明が解決しようとする問題点） しかしながらこの従来法においては、上記基板温度を60
0℃〜700℃の高温にする必要があるため、耐熱温度の低
い基板への上記シリコン膜の堆積は実質上不可能である
ほか、耐熱温度の高い基板においても基板中の不純物が
さらに拡散し、その拡散プロフアイルが変化するなど、
半導体デバイスの高信頼化、低廉化を疎外する要因を含
んでいた。
0℃〜700℃の高温にする必要があるため、耐熱温度の低
い基板への上記シリコン膜の堆積は実質上不可能である
ほか、耐熱温度の高い基板においても基板中の不純物が
さらに拡散し、その拡散プロフアイルが変化するなど、
半導体デバイスの高信頼化、低廉化を疎外する要因を含
んでいた。
また、シリコン酸化膜を低温で形成する方法として、従
来、アルゴン中スパツタ法が多く用いられてきた。しか
し、この従来法においては比抵抗が約1012Ω・cmと高
く、かつこれを変えることが困難であるため、上記半導
体デバイスの用途に不十分であつた。
来、アルゴン中スパツタ法が多く用いられてきた。しか
し、この従来法においては比抵抗が約1012Ω・cmと高
く、かつこれを変えることが困難であるため、上記半導
体デバイスの用途に不十分であつた。
（問題点を解決するための手段） 本発明は、これらの欠点を除去するために提案されたも
ので、低温における半絶縁性を有するシリコン酸化膜の
形成ができ、かつ比抵抗の値を調節できる形成方法を提
供することを目的とする。
ので、低温における半絶縁性を有するシリコン酸化膜の
形成ができ、かつ比抵抗の値を調節できる形成方法を提
供することを目的とする。
（実施例） 次に本発明の実施例を説明する。なお実施例は一つの例
示であつて、本発明の精神を逸脱しない範囲で、種々の
変更あるいは改良を行いうることは言うまでもない。
示であつて、本発明の精神を逸脱しない範囲で、種々の
変更あるいは改良を行いうることは言うまでもない。
次にスパツタ法における本発明の実施例を示す。まず、
真空槽内に設けるターゲツト材はシリコン酸化膜例えば
SiO2より成り、これに対向してシリコン酸化膜を形成す
べき基板を真空槽内に配する。上記真空槽内のガスを排
気した後、H2,He,Neあるいはこれらのガスの少なくとも
２つ以上を含む混合ガスをガスの圧力が10-3〜10-1torr
となるようにスパツタガスとして真空槽内に導入する。
基板温度を例えば20℃〜400℃程度とし、その後、ター
ゲツト材と真空槽との間に例えば数百ボルト乃至数千ボ
ルトの高周波電圧を印加することにより、基板上にシリ
コン酸化膜を形成する。シリコン酸化膜の比抵抗は、上
記H2,He,Neの混合比を変化させることにより設定でき
る。
真空槽内に設けるターゲツト材はシリコン酸化膜例えば
SiO2より成り、これに対向してシリコン酸化膜を形成す
べき基板を真空槽内に配する。上記真空槽内のガスを排
気した後、H2,He,Neあるいはこれらのガスの少なくとも
２つ以上を含む混合ガスをガスの圧力が10-3〜10-1torr
となるようにスパツタガスとして真空槽内に導入する。
基板温度を例えば20℃〜400℃程度とし、その後、ター
ゲツト材と真空槽との間に例えば数百ボルト乃至数千ボ
ルトの高周波電圧を印加することにより、基板上にシリ
コン酸化膜を形成する。シリコン酸化膜の比抵抗は、上
記H2,He,Neの混合比を変化させることにより設定でき
る。
この一例として第１実施例の場合は、Heのみの場合（第
１図でイ）、重量比でHe＋50％Ne（第１図でロ）、Neの
みの場合（第１図でハ）について、原子量と比抵抗との
関係を第１図で直線Ａで示す。
１図でイ）、重量比でHe＋50％Ne（第１図でロ）、Neの
みの場合（第１図でハ）について、原子量と比抵抗との
関係を第１図で直線Ａで示す。
また第２実施例の場合、He又はNeにH2を加えた場合の原
子量と比抵抗との関係を第１図で直線Ｂで示す。ニは重
量比でHe＋30％H2、ホは重量比でNe＋30％H2の配合であ
る。
子量と比抵抗との関係を第１図で直線Ｂで示す。ニは重
量比でHe＋30％H2、ホは重量比でNe＋30％H2の配合であ
る。
ターゲツト材料には純度99.99％以上のSiO2を用い、ガ
スの圧力はHeのみの場合は10-2torr、He＋50％Neの場合
は10-2torr、Neの場合は５×10-3torr、He＋30％H2の場
合は10-2torr、Ne＋30％H2の場合は５×10-3torrとし
た。なおAr中スパツタ法により形成したシリコン酸化膜
の比抵抗は約1012Ω・cmである。
スの圧力はHeのみの場合は10-2torr、He＋50％Neの場合
は10-2torr、Neの場合は５×10-3torr、He＋30％H2の場
合は10-2torr、Ne＋30％H2の場合は５×10-3torrとし
た。なおAr中スパツタ法により形成したシリコン酸化膜
の比抵抗は約1012Ω・cmである。
第１図に示すように比抵抗の値は第１実施例の場合は10
11〜1012Ω・cmの範囲で変化できる。さらに第２実施例
の場合は第１実施例より低く107〜1011Ω・cmの範囲で
比抵抗を変化することができる。
11〜1012Ω・cmの範囲で変化できる。さらに第２実施例
の場合は第１実施例より低く107〜1011Ω・cmの範囲で
比抵抗を変化することができる。
このように、本発明ではH2,He,Neの混合比を変えること
によりシリコン酸化膜の比抵抗を107〜1012Ω・cmの範
囲で変化でき、従来法と同程度の比抵抗が得られ、かつ
半導体デバイスに有用な半絶縁性を有するシリコン酸化
膜を本発明により、低温で形成することができる。
によりシリコン酸化膜の比抵抗を107〜1012Ω・cmの範
囲で変化でき、従来法と同程度の比抵抗が得られ、かつ
半導体デバイスに有用な半絶縁性を有するシリコン酸化
膜を本発明により、低温で形成することができる。
（発明の効果） 以上説明したように、本発明によれば、比抵抗107〜10
12Ω・cmの半絶縁性を有するシリコン酸化膜を低温で形
成することが可能であり、かつ比抵抗の値を調節しうる
ので半導体デバイスの高信頼化，低廉価を図りうる効果
を有するものである。
12Ω・cmの半絶縁性を有するシリコン酸化膜を低温で形
成することが可能であり、かつ比抵抗の値を調節しうる
ので半導体デバイスの高信頼化，低廉価を図りうる効果
を有するものである。
第１図は本発明方法によるシリコン酸化膜の原子量と比
抵抗の関係を示す。
抵抗の関係を示す。
Claims (2)
- 【請求項１】シリコン酸化膜をターゲット材としてスパ
ッタ法によるシリコン酸化膜の形成方法において、Heガ
スとH2ガスの混合ガス雰囲気内においてシリコン酸化膜
を形成することを特徴とするシリコン酸化膜の形成方
法。 - 【請求項２】シリコン酸化膜をターゲット材としてスパ
ッタ法によるシリコン酸化膜の形成方法において、Neガ
スとH2ガスの混合ガス雰囲気内においてシリコン酸化膜
を形成することを特徴とするシリコン酸化膜の形成方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60012655A JPH073818B2 (ja) | 1985-01-28 | 1985-01-28 | シリコン酸化膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60012655A JPH073818B2 (ja) | 1985-01-28 | 1985-01-28 | シリコン酸化膜の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61172340A JPS61172340A (ja) | 1986-08-04 |
| JPH073818B2 true JPH073818B2 (ja) | 1995-01-18 |
Family
ID=11811372
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60012655A Expired - Fee Related JPH073818B2 (ja) | 1985-01-28 | 1985-01-28 | シリコン酸化膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH073818B2 (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57172742A (en) * | 1981-04-17 | 1982-10-23 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Forming method of thin film of oxide glass |
-
1985
- 1985-01-28 JP JP60012655A patent/JPH073818B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61172340A (ja) | 1986-08-04 |
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|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |